JP2007218652A - 磁気検出装置 - Google Patents

Abstract

【課題】従来の磁気検出装置は、前記のように１つの矩形波信号の立ち上がりエッジを用いて磁性移動体の移動方向を認識しているため、磁性移動体の移動方向の検出タイミングが遅れるという課題があった。
【解決手段】磁性移動体４に間隙を介して配置した磁気検出素子２１ａ、２１ｂ、２２により前記磁性移動体の移動に伴う磁界変化を検出し、この検出した磁界変化を第１及び第２のブリッジ回路２３、３０により電気信号に変換し、第１及び第２の比較回路２９、３１により前記電気信号に基づいて第１及び第２の矩形波信号を発生し、信号形成回路によりこれらの矩形波信号に基づいて少なくとも４つのレベルを有する信号を形成し、この信号のレベルの変化順序に基づいて前記磁性移動体の移動方向を検出するようにしたもので、磁性移動体の回転方向を迅速且つ正確に検出する。
【選択図】図６

Description

この発明は、被検出体の移動に対応して移動する磁性移動体を備え、該磁性移動体の移動に伴う磁界変化を用いて被検出体の移動、特にその移動方向を検出できるようにした磁気検出装置に関するものである。

従来、凸部を有する磁性移動体を被検出体の移動に対応して移動させ、前記磁性移動体の移動による磁気変化を磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ素子と称する）により検出して、被検出装置の移動方向を検出するようにした磁気検出装置は周知である。

この従来の磁気検出装置として、例えば３個のＭＲ素子を微小空隙を介して磁性移動体に対向させるとともに、これらのＭＲ素子を磁性移動体の移動方向に並べて配置し、各ＭＲ素子を２つのブリッジ回路の所定の１辺に夫々挿入し、前記移動体の移動による前記ＭＲ素子の抵抗変化を各ブリッジ回路から２系統の電圧変化として取り出し、この電圧変化の状態から前記磁性移動体の移動方向、従って被検出装置の移動方向を検出するよう構成したものがある。（例えば特許文献１参照）

特許文献１に示された従来の磁気検出装置に於いて、ブリッジ回路から取り出された２系統の電圧変化は、第１及び第２の比較回路により矩形波信号に変換され、その一方の矩形波信号は、出力トランジスタのベース端子とＤフリップフロップ回路のＤ端子に入力され、もう一方の矩形波信号はＤフリップフロップ回路のＣＬ端子に入力される。前記Ｄフリップフロップ回路の出力は、別のトランジスタのベース端子に入力され、このトランジスタのコレクタ端子は電源Ｖｃｃにプルアップされ、エミッタ端子は前記出力トランジスタのエミッタ端子に接続され、抵抗を介して接地されている。

前記出力トランジスタの出力信号は、コンピュータユニットに伝達された後、電源Ｖｃｃにプルアップされる。出力トタンジスタの出力信号は、第３及び第４の比較回路に入力さら、比較レベル１及び比較レベル２と夫々比較され、その比較結果に基づく２つの出力信号を得、その一方の出力信号の状態がローレベルの場合に前記磁性移動体の移動方向は正方向であると認識し、前記出力信号が矩形波である場合に前記磁性移動体の移動方向は逆方向であると認識するものである。

特開２００２−９０１８１号公報（図４〜６、明細書第６ページ）

特許文献１に示された従来の磁気検出装置は、前記のように１つの矩形波信号の立ち上がりエッジを用いて磁性移動体の移動方向を認識しているため、磁性移動体の移動方向の検出タイミングが遅れるという課題があった。

この発明は、前記のような従来の装置の課題を解決するためになされたもので、磁性移動体の移動方向を検出する検出タイミングを早め、しかも誤検出することなく正確に磁性移動体の移動方向を検出することができる磁気検出装置を得ることを目的とする。

この発明による磁気検出装置は、被検出体の移動に対応して移動する磁性移動体と、該磁性移動体に間隙を介して対向し前記磁性移動体の移動に基づく前記間隙の磁界変化を検出する検出手段と、該検出手段により検出された前記磁界変化に基づいて複数のレベルを有する信号を形成する信号形成手段と、該信号形成手段により形成された前記信号のレベルの変化順序に基づいて前記磁性移動体の移動方向を判定する判定手段とを備えたものである。

この発明のよる磁気検出装置によれば、検出手段により検出された磁界変化に基づいて複数のレベルを有する信号を形成する信号形成手段と、該信号形成手段により形成された前記信号のレベルの変化順序に基づいて磁性移動体の移動方向を判定する判定手段を備えているので、どのようなタイミングで磁性移動体が逆回転してもその移動方向を誤認識することがなく、早期に正確に磁性移動体の移動方向を検出をすることができる磁気検出装置を得ることができる。

発明の基礎となる技術
先ず、この発明の基礎となる磁気検出装置について説明する。この発明の基礎となる磁気検出装置によれば、２つの矩形信号の夫々の立ち上がりエッジ及び立ち下がりエッジを用いて磁性移動体の移動方向を検出するようにし、前記従来の装置に比べて約４倍の速さで磁性移動体の移動方向を検出する。そして磁性移動体の移動方向が逆回転する時点に於けるＭＲ素子と磁性移動体の対向位置が特定の位置にあるときは、前記最初の立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジに続く次のエッジで磁性移動体の逆回転を検出するよう構成される。

図１は、この発明の基礎となる技術の磁性移動体とＭＲ素子の配置を示す斜視図、図２はその説明図、図３は磁気検出装置の回路図、図４はその動作を説明する説明図である。
図１及び図２に於いて、バイアス磁界を発生する磁石１の上面に、検出手段を構成する３個の磁気検出素子としてのＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２を一体に構成したＩＣチップ２が設けられている。磁石１は矢印３の方向に着磁されている。周面に多数の凸部４１を等間隔に設けた磁性移動体としての磁性移動体４は、矢印５の方向に回転する場合を正回転とし、その逆方向に回転する場合を逆回転とする。この磁性移動体４は、被検出体（図示せず）の回転に対応して回転するよう構成されている。

磁性移動体４は、その周面が磁石１の側面に微少間隙を介して対向するよう配置されており、磁性移動体４の回転により、その凸部４１と凹部４２とが交互に磁石１に接近し、これにより磁石１からＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２に印加される磁界が変化する。この磁界変化が各ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２に於ける抵抗変化となり、後述するように電圧変化として検出される。尚、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２は、巨大磁気抵抗効果素子（ＧＭＲ素子）であっても良いことは勿論である。

図３に於いて、第１のブリッジ回路２３は、ＭＲ素子２１ａ及び２１ｂと抵抗２４、２５とから構成され、ＭＲ素子２１ａと２１ｂとの接続点２１１は、第１の比較手段としての第１の比較回路２９の反転入力端子２９１に接続され、抵抗２４と２５との接続点２１２は基準電圧として第１の比較回路２９の非反転入力端子２９２に接続されている。第１の比較回路２９の反転入力端子２９１に入力される信号をｃ、出力端子２９３の信号をｅとする。

第２のブリッジ回路３０は、ＭＲ素子２２と抵抗２６、２７、２８とから構成され、ＭＲ素子２２と抵抗２６の接続点２１３は第２の比較手段としての第２の比較回路３１の反転入力端子３１１に接続され、抵抗２７と２８との接続点２１４は基準電圧として第２の比較回路３１の非反転入力端子３１２に接続されている。又、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０に於いて、ＭＲ素子２1ａ、２２、及び抵抗２４、２７は電源Ｖｃｃに接続され、ＭＲ素子２1ｂ、抵抗２５、２６、２８は接地されている。第２の比較回路３１の入力端子に入力される信号をｄ、出力端子３１３の信号をｆとする。

Ｄフリップフロップ回路装置（以下、Ｄ−ＦＦ回路装置と称する）３８０は、図４に示す様に構成されている。即ち図４に於いて、第１の立上りエッジＤフロップフロップ回路（以下、第１の立上りエッジＤ−ＦＦ回路と称する）３８１と、第１の立下りエッジＤフロップフロップ回路（以下、第１の立下りエッジＤ−ＦＦ回路と称する）３８２と、第２の立上りエッジＤフロップフロップ回路（以下、第２の立上りエッジＤ−ＦＦ回路と称する）３８３と、第２の立下りエッジＤフリップフロップ回路（以下、第２の立下がりエッジＤ−ＦＦ回路と称する）３８４とを備えている。

第１の立上りエッジＤ−ＦＦ回路３８１のＣＬ端子は、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、Ｄ端子は、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続されている。第２の立上りエッジＤ−ＦＦ回路３８３のＣＬ端子は、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、Ｄ端子は、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続されている。又、第１の立下りエッジＤ−ＦＦ回路３８２のＣＬ端子は、ＮＯＴ回路３４３を介して第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、Ｄ端子は第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続されている。第２の立下りエッジＤ−ＦＦ回路３８４のＣＬ端子は、ＮＯＴ回路３４４を介して第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、Ｄ端子は第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続されている。

第１、及び第２の立上りエッジＤ−ＦＦ回路３８１、３８３は、周知のＤフリップフロップ回路であり、ＣＬ端子の入力信号がローレベルのとき、Ｄ端子に入力される信号レベルに関係なく出力端子Ｑは前の出力状態を保ち、ＣＬ端子にハイレベルの信号が入力されたとき、その立上りエッジでトリガされ、Ｄ端子の信号がハイレベルであれば出力端子Ｑの信号はハイレベルとなり、Ｄ端子の信号がローレベルであれば出力端子Ｑの信号はローレベルとなる。

第１、及び第２の立下りエッジＤ−ＦＦ回路３８２、３８４は、周知のＤフリップフロップ回路であり、夫々のＣＬ端子に接続されたＮＯＴ回路３４３、３４４の入力信号がハイレベルのとき、即ちＣＬ端子の入力信号がローレベルのとき、Ｄ端子に入力される信号レベルに関係なく出力端子Ｑは前の出力状態を保ち、ＣＬ端子に接続されたＮＯＴ回路３４３、３４４の入力端子にローレベルの信号が入力されたときその立下りエッジで、即ちＣＬ端子にハイレベルの信号が入力されたときその立上りエッジでトリガされ、Ｄ端子の信号がハイレベルであれば出力端子Ｑの信号はハイレベルとなり、Ｄ端子の信号がローレベルであれば出力端子Ｑの信号はローレベルとなる。

第１及び第２の立上りエッジＤ−ＦＦ回路３８１、３８３、及び第１及び第２の立下りエッジＤ−ＦＦ回路３８２、３８４の夫々のＱ端子は、図示のように３入力ＮＡＮＤ回路３８５、３入力ＢＡＮＤ回路３８６、３８７、４入力ＮＡＮＤ回路３８８、４入力ＢＮＡＮＤ回路３８９、及び４入力ＡＮＤ回路３４０、３４１からなる論理回路を介して、４入力ＯＲ回路３４２に接続されている。４入力ＯＲ回路３４２の出力端子３４６は、図３に示す第２のトランジスタ（以下、第２のＴｒと称する）４０のベースに接続されている。この４入力ＯＲ回路３４２の出力端子３４６の信号をｇとする。

次に、第３図に戻り、出力トランジスタである第１のトランジスタ（以下、第１のＴｒと称する）３７は、ベースが第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、エミッタは抵抗３８を介して接地されている。第２のＴｒ４０は、ベースが図４に示す４入力ＯＲ回路３４２の出力端子３４６に接続され、エミッタが第１のＴr３７のエミッタと抵抗３８の接続点に接続され、コレクタは抵抗３９を介して電源Ｖｃｃに接続されている。

コンピュータユニット４２は、第３の比較回路４４と第４の比較回路４５とを備えており、それらの反転入力端子４４１、４５１は抵抗４６を介して電源Ｖｃｃに接続されている。第３の比較回路４４の非反転入力端子４４２は、抵抗４０、４１の接続点４１１に接続され、第４の比較回路４５の非反転入力端子４５２は抵抗４２、４３の接続点４２１に接続されている。抵抗４０、４２は電源Ｖｃｃに接続され、抵抗４１、４３は接地されている。第３及び第４の比較回路４４、４５の反転入力端子４４１、４５１に入力される信号をｈとし、第３の比較回路４４の出力端子４４３の信号をｉ、第４の比較回路４５の出力端子４５３の信号をｊとする。

次に動作を説明する。図５の（Ａ）は、磁性移動体４と磁石１（図１参照）の中央のＭＲ素子２２とが（ａ）の位置で相対的に対向しているときに、正回転から逆回転に切替わった場合の、図３及び図４に示す回路の各端子の信号ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示している。同様に、図５の（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、磁性移動体４と磁石１の中央のＭＲ素子２２とが（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の各位置で相対的に対向しているときに、正回転から逆回転に切替わった場合の信号ｅ、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示している。信号ｈは、磁性移動体４の正回転時にはハイレベルＨとローレベルＬ１の２値信号パルスとなり、磁性移動体４の逆回転時にはハイレベルＨとローレベルＬ２の２値信号パルスとなる。

図５の（Ａ）に於いて、磁性移動体４が正回転しているとき、ＭＲ素子２１ａ、ＭＲ素子２２、ＭＲ素子２１ｂの順に時間差をもって、磁性移動体４の凸部４１と凹部４２が交互に対抗し、これにより各ＭＲ素子２１ａ、２２、２１ｂにバイアス磁界の変化が与えられ夫々の抵抗値が変化する。

このＭＲ素子２１ａ、２２、２１ｂの抵抗変化により、第１の比較回路２９の反転入力端子２９１、及び第２の比較回路３１の反転入力端子３１１に入力される信号ｃ、及びｄは、正弦波状に変化する。磁性移動体４が正回転しているときは、各ＭＲ素子２１ａ、２２、２１ｂが配置されている位置関係から、信号ｃは信号ｄより所定量進んだ位相となる。

図５の（Ａ）に於いて、今、時刻ｔ１に於いて信号ｅがハイレベルからローレベルに立下がったとすると、第１の立下がりエッジＤ−ＦＦ回路３８２はトリガされ、そのＤ端子に入力されている第２の比較回路２９からの信号ｆはハイレベルであるので、そのＱ端子の信号はハイレベルとなり、４端子Ｒ回路３４２の出力端子３４６の信号ｇはハイレベルである。

これにより、第２のＴｒ４０は導通し、第１のＴｒ３７が非導通となる。その結果、第１のＴｒ３７のコレクタ側の信号ｈはハイレベルとなる。第３の比較回路４４の比較レベルＣＬ１は、信号ｈのハイレベルＨとローレベルＬ１との間に設定されており、第４の比較回路４５の比較レベルＣＬ２は、信号ｈのローレベルＬ１とローレベルＬ２との間に設定されている。従がって、時点ｔ１に於いて、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、第４の比較回路４５の出力信号ｊは、ローレベルのままである。

次に、時点ｔ２で第２の比較回路３１の出力端子３１３の信号ｆがハイレベルからローレベルに立下り、第２の立下りエッジＤ−ＦＦ回路３８４はトリガされ、第１の比較回路２９の出力端子２９３の信号ｅは、この時点ｔ２ではローレベルでありそのＱ端子の信号はローレベルとなる。しかし、第１の立下りエッジＤ−ＦＦ回路３８２のＱ端子は、ハイレベルを維持しており、４端子ＯＲ回路３４２の出力ｇはハイレベルである。従がって、第３及び第４の比較回路４４、４５の出力信号ｉ、ｊはローレベルのままである。

時点ｔ３に至ると、第１の比較回路２９からの信号ｅが立上り、第１の立上りエッジＤ−ＦＦ回路３８１がトリガされるが、第２の比較回路３１の出力端子３１３の信号ｆがローレベルであるので、そのＱ端子の信号はローレベルとなる。この時点ｔ３では、第１の立下りエッジＤ−ＦＦ回路３８２のＱ端子の信号はハイレベルを維持しており、４端子ＯＲ回路３４２の出力端子３４６の信号ｇはハイレベルであり、従がって、第２のＴｒ４０は導通のままである。一方、第１のＴｒ３７は、信号ｅがハイレベルとなるので導通し、抵抗３８には第２のＴｒ４０から供給される電流が加算されて流れ、信号ｈはローレベルＬ１となる。

信号hがローレベルＬ１となることにより、比較レベルが第１の比較レベルＣＬ１に設定されている第３の比較回路４４の出力信号ｉは、ハイレベルとなる。第４の比較回路４５の比較レベルは第２の比較レベルＣＬ２に設定されているので、その出力信号ｊはローレベルのままである。

次に、時点ｔ４に於いて、第２の比較回路３１の出力端子３１３の信号ｆがハイレベルに立上ると、第２の立上りエッジＤ−ＦＦ回路３８３がトリガされ、そのときのＤ端子の信号レベルがハイレベルであるのでＱ端子はハイレベルの信号を出力する。これにより、４端子ＯＲ回路３４２の出力信号gはハイレベルを継続し、第２のＴｒ４０は導通を継続する。従がって、信号ｈは、ローレベルＬ１のままであり、時点ｔ４に於いては、第３及び第４の比較回路４４、４５の出力信号ｉ、ｊは、時点ｔ３の場合と変わらない。

このように、磁性移動体４が正回転しているときは、第３の比較回路４４の出力信号ｉはハイレベルとローレベルとの２値信号パルスとなるが、第４の比較回路４５の出力信号ｊはローレベルのままである。即ち、出力信号ｉがハイレベルとローレベルの２値信号として現れる一方、出力信号jがローレベルを継続することをもって、磁性移動体４が正回転していると判定することが可能である。

いま、磁性移動体４と磁石２に設けられたＭＲ素子２２とが（ａ）の位置関係にある時に、磁性移動体４が正回転から逆回転に転じたとすると、最初にＭＲ素子２１ｂが磁性移動体４の凸部４１に対向する時点ｔ５に於いて第２の比較回路３１の出力端子３１３の信号ｆはローレベルに転じる。これにより、４入力ＯＲ回路３４２の出力端子３４６の信号ｇはローレベルに転じ、第２のＴｒ４０は非導通となり、信号ｈはローレベルＬ２となる。これにより、第４の比較回路４５の出力端子４５３の信号ｊはハイレベルに転じる。

磁性移動体４の逆回転時は、正回転時とは逆に、ＭＲ素子２１ｂ、２２、２１ａの順に時間差をもって磁性移動体４の凸部４１と凹部４２が交互に対抗することとなるので、時点ｔ５以降、ｔ６、ｔ８、ｔ１０の時点に於いて、第４の比較回路４５の出力端子４５３の信号ｊは第３の比較回路４４の出力端子４４３の信号ｉと同期してローレベルとハイレベルに交互に変化することとなる。従がって、出力信号jがローレベルとハイレベルに交互に変化することをもって、磁性移動体４が逆回転していると判定することが可能となる。

即ち、図５の（ａ）の位置関係で逆回転した場合は、信号ｆが最初に変化する時点ｔ５に於いて信号ｈがＬ２レベルとなり信号ｊのレベルがローレベルからハイレベルに変化するので、信号ｆが最初に変化する時点ｔ５で直ちに逆回転を検出することとなる。同様に、（ｂ）の位置関係で逆回転した場合は、図５の（Ｂ）に示すように、信号（ｅ）が最初に変化する時点ｔ６１に於いて信号ｈがＬ２となり、この時点ｔ６１で直ちに逆回転を検出し、（ｃ）の位置関係で逆回転した場合は、図５の（Ｃ）に示すように、信号ｅが最初に変化する時点ｔ８２で信号ｈがＬ２となり、この時点ｔ８２で逆回転を検出することができる。

しかるに、（ｄ）の位置関係にあるとき磁性移動体４が逆回転した場合、図５の（Ｄ）に示すように、逆回転してから信号ｅ、ｆが最初に変化する時点ｔ８３、ｔ９３のいずれの時点に於いても信号ｈのレベルがＬ２とならず、従がって、本来逆回転を検出できる時点ｔ８３では誤検出となって逆回転を検出できず、信号ｈのレベルがＬ２となる時点ｔ１０３まで逆回転を検出できないこととなる。

実施の形態１
図６はこの発明の実施の形態１に係る磁気検出装置の回路図を示し、図７はその動作を説明する説明図である。前述した発明の基礎となる技術と同一又は相当する部分には同一符号を付してある。図６に於いて、出力トランジスタである第１のトランジスタ（以下、第１のＴｒと称する）５１のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは抵抗５５を介してセンサユニット５０の出力端子ＯＵＴに接続され、エミッタは接地されている。センサユニット５０の出力端子ＶＯＵＴはコンピュータユニット４９の第３の比較回路４４の反転入力端子４４１に接続されている。

出力トランジスタである第２のトランジスタ（以下、第２のＴｒと称する）５２のベースは、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、コレクタは抵抗５６を介して電源端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは接地されている。出力トランジスタである第３のトランジスタ（以下、第３のＴｒと称する）５３のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは出力端子ＶＯＵＴに接続されている。出力トランジスタである第４のトランジスタ（以下、第４のＴｒと称する）５４のベースは、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、コレクタは第３のＴｒ５３のエミッタに接続され、エミッタは接地されている。

センサユニット５０は、その電源がコンピュータユニット４９から電源端子ＶＢを介して供給され、接地端子ＧＮＤは接地されている。尚、抵抗５５、５６、５７の抵抗値は、夫々Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１であるとする。

磁性移動体の回転により、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２の抵抗が変化し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０により２系統の電圧変化が信号ｃ、ｄとして得られる。信号ｃ、ｄは、第１及び第２の比較回路２９、３１により矩形波に変換され、信号ｅ、ｆが得られる。矩形波である一方の信号ｅは、第１のＴｒ５１のベースと第３のＴｒ５３のベースに入力される。矩形波である他方の信号ｆは、第２のＴｒ５２のベースと第４のＴｒ５４のベースに入力される。

センサユニット５０の出力信号である信号ｈは、コンピュータユニット４２に伝達された後、電源Ｖｃｃにプルアップされる。信号ｈは、第３の比較回路４４の反転入力端子に入力され、非反転入力端子４４２に入力されている比較レベルＣＬと比較され信号ｉを得る。又、信号ｈは、逆転検出回路６０のアナログ・デジタル変換器（以下、ＡＤＣと称する）６１に入力されてデジタル信号に変換され、論理回路６２を経てデジタル・アナログ変換器（以下、ＤＡＣと称する）６３によりアナログに再変換されて逆転検出信号である信号ｊを得る。

この発明の実施の形態１に於いて、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２は、本発明に於ける検出手段を構成し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１と、第１乃至第４のＴｒ５１、５２、５３、５４とは、本発明に於ける信号形成手段を構成する。又、第３の比較回路４４と、逆転検出回路６０とは、本発明に於ける判定手段を構成する。更に、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１とは、本発明に於ける変換回路を構成し、第１乃至第４のＴｒ５１、５２、５３、５４は、本発明に於ける信号形成回路を構成する。

図７の（Ａ）は、磁性移動体の正回転時に於ける信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示す説明図であり、図７の（Ｂ）は、逆回転時に於ける、信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示す説明図である。
次に、この発明の実施の形態１による磁気検出装置の動作を、図６及び図７により説明する。

図７の（Ａ）に於いて、信号ｅ、ｆは、図示のように矩形波として夫々第１及び第２の比較回路２９、３１の出力端子２９３、３１３に発生する。磁性移動体４の正回転により、ＭＲ素子が２１ａ、２２、２１ｂの順に磁性移動体４の凸部４１に対向することとなるので、信号ｅは、信号ｆより、所定量進んだ位相となる。ＭＲ素子が磁性移動体４の凸部４１と凹部４２に対向する１周期に於いて、信号ｅとｆのハイレベルＨとローレベルＬの組合わせが４通り発生し、その組合わせの違いによりにより、夫々異なる４通りのレベル「１」「２」「３」「４」の信号ｈが得られる。従って、信号ｈのレベルの違いによって、磁性移動体４の凸部４１と凹部４２を１／４周期で検出することができる。

信号ｈのレベルの変化について更に詳しく述べると、
（１） 信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第１乃至第４のＴｒ５１、５２、５３、５４は全て導通となり、信号ｈは接地ＧＮＤのレベルとなる。図７の（Ａ）では、このときの信号ｈのレベルを「１」で表示している。

（２） 信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１及び第３のＴｒ５１、５３が導通し、第２及び第４のＴｒ５２、５４が非導通となる。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）｝
となる。図７の（Ａ）では、このときの信号ｈのレベルを「２」で表示している。

（３） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第１及び第３のＴｒ５１、５３が非導通となり、第２及び第４のＴｒ５２、５４が導通と成る。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛Ｒ３／（Ｒ１＋Ｒ３）｝
となる。図７の（Ａ）では、このときの信号ｈのレベルを「３」で表示している。

（４） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１乃至第４のＴｒ５１、５２、５３、５４が全て非導通となり、信号ｈは電源電圧ＶＣＣのレベルとなる。図７の（Ａ）では、このときの信号ｈのレベルを「４」で表示している。

今、例えば、ＶＣＣ＝３［Ｖ］、Ｒ１＝２［ＫΩ］、Ｒ２＝１［ＫΩ］、各ＴｒのＶｓａｔ＝０とすると
レベル「１」の信号ｈ＝０［Ｖ］
レベル「２」の信号ｈ＝１［Ｖ］
レベル「３」の信号ｈ＝２［Ｖ］
レベル「４」の信号ｈ＝３［Ｖ］
となる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「１」「３」「４」「２」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはローレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがローレベルであることをもって磁性移動体４、従って被検出体の正回転を検出することができる。

次に図７の（Ｂ）に於いて、磁性移動体４の逆回転により、正回転時とは逆に、ＭＲ素子が２１ｂ、２２、２１ａの順に磁性移動体４の凸部４１に対向することとなるので、信号ｅが信号ｆより所定量遅れた位相で夫々第１及び第２の比較回路２９、３１の出力端子２９３、３１３に発生する。ＭＲ素子が磁性移動体４の凸部４１と凹部４２に対向する１周期に於いて、信号ｅとｆのハイレベルＨとローレベルＬの組合わせが４通り発生し、その組合わせの違いによりにより、夫々異なる４通りのレベル「１」「２」「３」「４」の信号ｈが得られる。従って、信号ｈのレベルの違いによって、磁性移動体４の凸部４１と凹部４２を１／４周期で検出することができる。

信号ｈのレベルの変化は正回転時と同様であり、
（１）信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがハイレベルＨのとき、信号ｈはレベル「１」となる。
（２）信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがローレベルＬのとき、信号ｈはレベル「２」となる。
（３）信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがハイレベルＨのとき、信号ｈはレベル「３」となる。
（４）信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがローレベルＬのとき、信号ｈはレベル「４」となる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「２」「４」「３」「１」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはハイレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがハイレベルとなることをもって磁性移動体４、従って被検出体の逆回転を検出することができる。

図８の（Ａ）は、磁性移動体４と磁石１（図１参照）の中央のＭＲ素子２２とが（ａ）の位置で相対的に対向しているときに、正回転から逆回転に切替わった場合の、図６に示す回路の各端子の信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示している。同様に、図５の（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、磁性移動体４と磁石１の中央のＭＲ素子２２とが（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）の各位置で相対的に対向しているときに、正回転から逆回転に切替わった場合の信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示している。信号ｈは、磁性移動体４の正回転時には前述した図７の（Ａ）に示す順序でレベルが変化し、磁性移動体４の逆回転時には図７の（Ｂ）に示す順序でレベルが変化する。

即ち、磁性移動体４がタイミングａに於いて逆回転したとすると、図８（Ａ）に示すように、時点ｔ１、ｔ２、ｔ３、ｔ４での信号ｅ、ｆのレベルの変化により、第３の比較回路４４の出力信号ｉのレベルは「３」「４」「２」「１」の順序で変化し、これによって逆転検出回路６０の出力信号ｊがローレベルを維持し、磁性移動体４が正回転であることを検出する。

（ａ）の時点で磁性移動体４が逆回転に転じると、時点ｔ５、ｔ６、ｔ７、ｔ８、ｔ９、ｔ１０での信号ｅ、ｆのレベルの変化により、第３の比較回路４４の出力信号ｉのレベルは「２」「４」「３」「１」の順序で変化し、これによって逆転検出回路６０の出力信号ｊがハイレベルに転じる。従って、磁性移動体４が逆転に転じた時点（ａ）の直後に信号ｆが立下がる時点ｔ５に於いて信号ｊが直ちにハイレベルに転じ、速やかに磁性移動体４の逆回転を検出することができる。

同様に、（ｂ）のタイミングで磁性移動体４が逆転に転じたとすれば、図８の（Ｂ）に示すように、時点（ｂ）の直後に信号ｅが立上がる時点ｔ６１に於いて信号ｊが直ちにハイレベルに転じるので、速やかに磁性移動体４の逆回転を検出することができる。（ｃ）のタイミングで磁性移動体４が逆転に転じたとすれば、図８の（Ｃ）に示すように、時点（ｃ）の直後に信号ｆが立上がる時点ｔ７２に於いて信号ｊが直ちにハイレベルに転じるので、速やかに磁性移動体４の逆回転を検出することができる。（ｄ）のタイミングで磁性移動体４が逆転に転じたとすれば、図８の（Ｄ）に示すように、時点（ｄ）の直後に信号ｅが立下がる時点ｔ８３に於いて信号ｊが直ちにハイレベルに転じるので、速やかに磁性移動体４の逆回転を検出することができる。

このように、この発明の実施の形態１による磁気検出装置によれば、磁性移動体の逆回転を、簡単な回路構成で極めて速やかに、しかも誤検出することなく正確に検出することができる。

実施の形態２
図９は、この発明の実施の形態２に係る磁気検出装置の回路構成を示す回路図、図１０は、磁性移動体４の正回転時の動作を説明する説明図であり、実施の形態１と同一又は相当部分には同一符号を付してある。図９に於いて、出力トランジスタである第５のトランジスタ（以下、第５のＴｒと称する）５８のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは抵抗６４を介して電源ＶＣＣに接続され、エミッタは接地されている。第１のＴｒ５１及び第３のＴｒの夫々のベースは、第５のＴｒ５８のコレクタに接続されている。

出力トランジスタである第６のトランジスタ（以下、第６のＴｒと称する）５９のベースは、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、コレクタは抵抗６５を介して電源ＶＣＣに接続され、エミッタは接地されている。第２のＴｒ５２及び第４のＴｒ５４の夫々のベースは、第６のＴｒのコレクタに接続されている。

又、第１のＴｒ５１のコレクタは、センサユニット５０の出力端子ＶＯＵＴに直接接続され、エミッタは接地されている。第２のＴｒ５２のコレクタは、抵抗５５を介して出力端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは接地されている。第３のＴｒ５３のコレクタは、抵抗５６を介して出力端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは第４のＴｒ５４のコレクタに接続されている。第４のＴｒ５４のエミッタは接地されている。
その他の構成は、実施の形態１と同様である。

センサユニット５０は、その電源がコンピュータユニット４９から電源端子ＶＢを介して供給され、接地端子ＧＮＤは接地されている。尚、抵抗５５、５６、５７の抵抗値は、夫々Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１であるとする。

磁性移動体の回転により、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２の抵抗が変化し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０により２系統の電圧変化が信号ｃ、ｄとして得られる。信号ｃ、ｄは、第１及び第２の比較回路２９、３１により矩形波に変換され、信号ｅ、ｆが得られる。矩形波である一方の信号ｅは、第５のＴｒ６４のベースに入力される。矩形波である他方の信号ｆは、第６のＴｒ６５のベースに入力される。

センサユニット５０の出力信号である信号ｈは、コンピュータユニット４２に伝達された後、電源Ｖｃｃにプルアップされる。信号ｈは、第３の比較回路４４の反転入力端子に入力され、非反転入力端子４４２に入力されている比較レベルＣＬと比較され信号ｉを得る。又、信号ｈは、逆転検出回路６０のアナログ・デジタル変換器（以下、ＡＤＣと称する）６１に入力されてデジタル信号に変換され、論理回路６２を経てデジタル・アナログ変換器（以下、ＤＡＣと称する）６３によりアナログに再変換されて逆転検出信号である信号ｊを得る。

この発明の実施の形態２に於いて、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２は、本発明に於ける検出手段を構成し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１と、第１乃至第６のＴｒ５１、５２、５３、５４、５８、５９とは、本発明に於ける信号形成手段を構成する。又、第３の比較回路４４と、逆転検出回路６０とは、本発明に於ける判定手段を構成する。更に、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１とは、本発明に於ける変換回路を構成し、第１乃至第６のＴｒ５１、５２、５３、５４、５８、５９は、本発明に於ける信号形成回路を構成する。

図１０は、磁性移動体の正回転時に於ける信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示す説明図である。
次に、この発明の実施の形態１による磁気検出装置の動作を、図９及び図１０により説明する。図１０に於いて、信号ｅ、ｆは、図示のように矩形波として夫々第１及び第２の比較回路２９、３１の出力端子２９３、３１３に発生する。磁性移動体４の正回転により、ＭＲ素子が２１ａ、２２、２１ｂの順に磁性移動体４の凸部４１に対向することとなるので、信号ｅは、信号ｆより、所定量進んだ位相となる。ＭＲ素子が磁性移動体４の凸部４１と凹部４２に対向する１周期に於いて、信号ｅとｆのハイレベルＨとローレベルＬの組合わせが４通り発生し、その組合わせの違いによりにより、夫々異なる４通りのレベル「１」「２」「３」「４」の信号ｈが得られる。従って、信号ｈのレベルの違いによって、磁性移動体４の凸部４１と凹部４２を１／４周期で検出することができる。

信号ｈのレベルの変化について更に詳しく述べると、
（１） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第１のＴｒ５１、第３のＴｒ５３が導通となり、信号ｈは接地ＧＮＤのレベルとなる。図１０では、このときの信号ｈのレベルを「１」で表示している。

（２） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１乃至第４のＴｒ５１、５２、５３、５４が導通となる。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×{（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）}／[Ｒ１＋｛（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）｝]
となる。図１０では、このときの信号ｈのレベルを「２」で表示している。

（３） 信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１及び第３のＴｒ５１、５３が非導通となり、第２及び第４のＴｒ５２、５４が導通と成る。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）｝
となる。図１０では、このときの信号ｈのレベルを「３」で表示している。

（４） 信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第１乃至第４のＴｒ５１、５２、５３、５４が全て非導通となり、信号ｈは電源電圧ＶＣＣのレベルとなる。図１０では、このときの信号ｈのレベルを「４」で表示している。

今、例えば、ＶＣＣ＝３［Ｖ］、Ｒ１＝２［ＫΩ］、Ｒ２＝４［ＫΩ］、Ｒ３＝４／３[ＫΩ]、各ＴｒのＶｓａｔ＝０とすると
レベル「１」の信号ｈ＝０［Ｖ］
レベル「２」の信号ｈ＝１［Ｖ］
レベル「３」の信号ｈ＝２［Ｖ］
レベル「４」の信号ｈ＝３［Ｖ］
となる。
図のようにセンサユニット５０の出力信号ｈは、磁性移動体４の凸部４１の中心で変化が最大となる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「１」「２」「３」「４」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはローレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがローレベルであることをもって磁性移動体４、従って被検出体の正回転を検出することができる。

磁性移動体４が逆回転した場合の、各信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形については図示していないが、実施の形態１で述べたように磁性移動体４の逆回転時には、信号ｅの位相が信号ｆに対して所定量遅れて発生する。従って、図１０の各矢印を全て逆向きとして表示することができる。即ち、磁性移動体４の逆回転の場合、信号ｈのレベルは、「４」「３」「２」「１」の順序で変化することとなる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、正回転時の場合と同様に、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「４」「３」「２」「１」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはハイレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがハイレベルとなることをもって磁性移動体４、従って被検出体の逆回転を検出することができる。

実施の形態２の場合、信号ｈレベルの変化の順序が実施の形態１の場合のそれと異なるが、図８で示した実施の形態１の場合の同様に、磁性移動体４が（ａ）、（ｂ）、(ｃ)、(ｄ)のいずれの時点において逆回転に転じた場合でも、その時点から信号ｅ、ｆのいずれかのレベルが最初に変化した時点で直ちに信号ｊがローレベルからハイレベルに転じる。従って、この発明の実施の形態２による磁気検出装置によれば、磁性移動体の逆回転を、簡単な回路構成で極めて速やかに、しかも誤検出することなく正確に検出することができる。磁性移動体４の逆回転を速やかに誤検出することなく正確に検出することができる。

実施の形態３
図１１は、この発明の実施の形態３に係る磁気検出装置の回路構成を示す回路図、図１２は、磁性移動体４の正回転時の動作を説明する説明図であり、実施の形態１、２と同一又は相当部分には同一符号を付してある。図１１に於いて、出力トランジスタである第６のＴｒ５９のベースは、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、コレクタは抵抗６５を介して電源ＶＣＣに接続され、エミッタは接地されている。実施の形態２の第５のＴｒ５８に相当するトランジスタは備えていない。

第２のＴｒ５２のベースは、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、コレクタは抵抗５６を介してセンサユニット５０の出力端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは接地されている。第６のＴｒ５９の及び第４のＴｒ５４の夫々のベースは、第６のＴｒのコレクタに接続されている。第４のＴｒ５４のベースは、第６のＴｒ５９のコレクタに接続され、エミッタは接地されている。

第１のＴｒ５１のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは抵抗５５を介して電源端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは接地されている。第３のＴｒ５３のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは直接電源端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは第４のＴｒ５４のコレクタに接続されている。
その他の構成は、実施の形態１、２と同様である。

センサユニット５０は、その電源がコンピュータユニット４９から電源端子ＶＢを介して供給され、接地端子ＧＮＤは接地されている。尚、抵抗５５、５６、５７の抵抗値は、夫々Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１であるとする。

磁性移動体の回転により、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２の抵抗が変化し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０により２系統の電圧変化が信号ｃ、ｄとして得られる。信号ｃ、ｄは、第１及び第２の比較回路２９、３１により矩形波に変換され、信号ｅ、ｆが得られる。矩形波である一方の信号ｅは、第１のＴｒ５１及び第３のＴｒ５３のベースに入力される。矩形波である他方の信号ｆは、第２のＴｒ５２及び第６のＴｒ６５のベースに入力される。

センサユニット５０の出力信号である信号ｈは、コンピュータユニット４２に伝達された後、電源Ｖｃｃにプルアップされる。信号ｈは、第３の比較回路４４の反転入力端子に入力され、非反転入力端子４４２に入力されている比較レベルＣＬと比較され信号ｉを得る。又、信号ｈは、逆転検出回路６０のアナログ・デジタル変換器（以下、ＡＤＣと称する）６１に入力されてデジタル信号に変換され、論理回路６２を経てデジタル・アナログ変換器（以下、ＤＡＣと称する）６３によりアナログに再変換されて逆転検出信号である信号ｊを得る。

この発明の実施の形態３に於いて、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２は、本発明に於ける検出手段を構成し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１と、第１乃至第４及び第６のＴｒ５１、５２、５３、５４、５９とは、本発明に於ける信号形成手段を構成する。又、第３の比較回路４４と、逆転検出回路６０とは、本発明に於ける判定手段を構成する。更に、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１とは、本発明に於ける変換回路を構成し、第１乃至第４及び第６のＴｒ５１、５２、５３、５４、５８、５９は、本発明に於ける信号形成回路を構成する。

図１２は、磁性移動体の正回転時に於ける信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示す説明図である。
次に、この発明の実施の形態３による磁気検出装置の動作を、図１１及び図１２により説明する。図１２に於いて、信号ｅ、ｆは、図示のように矩形波として夫々第１及び第２の比較回路２９、３１の出力端子２９３、３１３に発生する。磁性移動体４の正回転により、ＭＲ素子が２１ａ、２２、２１ｂの順に磁性移動体４の凸部４１に対向することとなるので、信号ｅは、信号ｆより、所定量進んだ位相となる。ＭＲ素子が磁性移動体４の凸部４１と凹部４２に対向する１周期に於いて、信号ｅとｆのハイレベルＨとローレベルＬの組合わせが４通り発生し、その組合わせの違いによりにより、夫々異なる４通りのレベル「１」「２」「３」「４」の信号ｈが得られる。従って、信号ｈのレベルの違いによって、磁性移動体４の凸部４１と凹部４２を１／４周期で検出することができる。

信号ｈのレベルの変化について更に詳しく述べると
（１）信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１のＴｒ５１、第３のＴｒ５３、及び第４のＴｒ５４が導通となり、信号ｈは接地ＧＮＤのレベルとなる。図１２では、このときの信号ｈのレベルを「１」で表示している。

（２）信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第１乃至第３のＴｒ５１、５２、５３が導通、第４のＴｒ５４が非導通となる。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）｝／[Ｒ１＋｛（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）｝]
となる。図１２では、このときの信号ｈのレベルを「２」で表示している。

（３） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第２及び第６のＴｒ５２、５９が導通となり、第１及び第３のＴｒ５１、５３が非導通と成る。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）｝
となる。図１２では、このときの信号ｈのレベルを「３」で表示している。

（４） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１乃至第３のＴｒ５１、５２、５３が非導通となり、信号ｈは電源電圧ＶＣＣのレベルとなる。図１２では、このときの信号ｈのレベルを「４」で表示している。

今、例えば、ＶＣＣ＝３［Ｖ］、Ｒ１＝２［ＫΩ］、Ｒ２＝４［ＫΩ］、Ｒ３＝４／３[ＫΩ]、各ＴｒのＶｓａｔ＝０とすると
レベル「１」の信号ｈ＝０［Ｖ］
レベル「２」の信号ｈ＝１［Ｖ］
レベル「３」の信号ｈ＝２［Ｖ］
レベル「４」の信号ｈ＝３［Ｖ］
となる。
図のようにセンサユニット５０の出力信号ｈは、磁性移動体４の凹部４２の中心で変化が最大となる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「１」「２」「３」「４」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはローレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがローレベルであることをもって磁性移動体４、従って被検出体の正回転を検出することができる。

磁性移動体４が逆回転した場合の、各信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形については図示していないが、実施の形態１で述べたように磁性移動体４の逆回転時には、信号ｅの位相が信号ｆに対して所定量遅れて発生する。従って、図１２の各矢印を全て逆向きとして表示することができる。即ち、磁性移動体４の逆回転の場合、信号ｈのレベルは、「４」「３」「２」「１」の順序で変化することとなる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、正回転時の場合と同様に、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「４」「３」「２」「１」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはハイレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがハイレベルとなることをもって磁性移動体４、従って被検出体の逆回転を検出することができる。

実施の形態３の場合、信号ｈレベルの変化の順序が実施の形態１の場合のそれと異なるが、図８で示した実施の形態１の場合の同様に、磁性移動体４が（ａ）、（ｂ）、(ｃ)、(ｄ)のいずれの時点において逆回転に転じた場合でも、その時点から信号ｅ、ｆのいずれかのレベルが最初に変化した時点で直ちに信号ｊがローレベルからハイレベルに転じる。従って、この発明の実施の形態３による磁気検出装置によれば、磁性移動体の逆回転を、簡単な回路構成で極めて速やかに、しかも誤検出することなく正確に検出することができる。磁性移動体４の逆回転を速やかに誤検出することなく正確に検出することができる。

実施の形態４
図１３は、この発明の実施の形態４に係る磁気検出装置の回路構成を示す回路図、図１４は、磁性移動体４の正回転時の動作を説明する説明図であり、実施の形態１、２、３と同一又は相当部分には同一符号を付してある。図１３に於いて、出力トランジスタである第５のＴｒ５８のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは抵抗６４を介して電源ＶＣＣに接続され、エミッタは接地されている。実施の形態２の第６のＴｒ５９に相当するトランジスタは備えていない。

第１のＴｒ５１のベースは、第５のＴｒ５８のコレクタに接続され、エミッタは接地されている。第２のＴｒ５２のベースは第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、コレクタは抵抗５６を介してセンサユニット５０の出力端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは接地されている。第３のＴｒ５３のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは直接電源端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは第４のＴｒ５４のコレクタに接続されている。第４のＴｒ５４のベースは、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、エミッタは接地されている。
その他の構成は、実施の形態１、２、３と同様である。

センサユニット５０は、その電源がコンピュータユニット４９から電源端子ＶＢを介して供給され、接地端子ＧＮＤは接地されている。尚、抵抗５５、５６、５７の抵抗値は、夫々Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１であるとする。

磁性移動体の回転により、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２の抵抗が変化し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０により２系統の電圧変化が信号ｃ、ｄとして得られる。信号ｃ、ｄは、第１及び第２の比較回路２９、３１により矩形波に変換され、信号ｅ、ｆが得られる。矩形波である一方の信号ｅは、第５のＴｒ５８及び第３のＴｒ５３のベースに入力される。矩形波である他方の信号ｆは、第２のＴｒ５２及び第４のＴｒ５４のベースに入力される。

センサユニット５０の出力信号である信号ｈは、コンピュータユニット４２に伝達された後、電源Ｖｃｃにプルアップされる。信号ｈは、第３の比較回路４４の反転入力端子に入力され、非反転入力端子４４２に入力されている比較レベルＣＬと比較され信号ｉを得る。又、信号ｈは、逆転検出回路６０のアナログ・デジタル変換器（以下、ＡＤＣと称する）６１に入力されてデジタル信号に変換され、論理回路６２を経てデジタル・アナログ変換器（以下、ＤＡＣと称する）６３によりアナログに再変換されて逆転検出信号である信号ｊを得る。

この発明の実施の形態４に於いて、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２は、本発明に於ける検出手段を構成し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１と、第１乃至第４及び第５のＴｒ５１、５２、５３、５４、５８とは、本発明に於ける信号形成手段を構成する。又、第３の比較回路４４と、逆転検出回路６０とは、本発明に於ける判定手段を構成する。更に、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１とは、本発明に於ける変換回路を構成し、第１乃至第４及び第５のＴｒ５１、５２、５３、５４、５８は、本発明に於ける信号形成回路を構成する。

図１４は、磁性移動体の正回転時に於ける信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示す説明図である。
次に、この発明の実施の形態４による磁気検出装置の動作を、図１３及び図１４により説明する。図１４に於いて、信号ｅ、ｆは、図示のように矩形波として夫々第１及び第２の比較回路２９、３１の出力端子２９３、３１３に発生する。磁性移動体４の正回転により、ＭＲ素子が２１ａ、２２、２１ｂの順に磁性移動体４の凸部４１に対向することとなるので、信号ｅは、信号ｆより、所定量進んだ位相となる。ＭＲ素子が磁性移動体４の凸部４１と凹部４２に対向する１周期に於いて、信号ｅとｆのハイレベルＨとローレベルＬの組合わせが４通り発生し、その組合わせの違いによりにより、夫々異なる４通りのレベル「１」「２」「３」「４」の信号ｈが得られる。従って、信号ｈのレベルの違いによって、磁性移動体４の凸部４１と凹部４２を１／４周期で検出することができる。

信号ｈのレベルの変化について更に詳しく述べると
（１）信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第５のＴｒ５８、第３のＴｒ５３、及び第２のＴｒ５２、第４のＴｒ５４が導通となり、信号ｈは接地ＧＮＤのレベルとなる。図１４では、このときの信号ｈのレベルを「１」で表示している。

（２）信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第１のＴｒ５１、第２のＴｒ５２、第４のＴｒ５４が導通となる。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）｝／[Ｒ１＋｛（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）｝]
となる。図１４では、このときの信号ｈのレベルを「２」で表示している。

（３） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１のＴｒ５１が導通となり、他のトランジスタは非導通と成る。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）｝
となる。図１２では、このときの信号ｈのレベルを「３」で表示している。

（４） 信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがローレベルＬのとき
第５のＴｒ５８、第３のＴｒ５３が導通となるが、他のトランジスタは非導通であり、信号ｈは電源電圧ＶＣＣのレベルとなる。図１４では、このときの信号ｈのレベルを「４」で表示している。

今、例えば、ＶＣＣ＝３［Ｖ］、Ｒ１＝２［ＫΩ］、Ｒ２＝４［ＫΩ］、Ｒ３＝４／３[ＫΩ]、各ＴｒのＶｓａｔ＝０とすると
レベル「１」の信号ｈ＝０［Ｖ］
レベル「２」の信号ｈ＝１［Ｖ］
レベル「３」の信号ｈ＝２［Ｖ］
レベル「４」の信号ｈ＝３［Ｖ］
となる。
図のようにセンサユニット５０の出力信号ｈは、磁性移動体の凸部４１の立上りエッジで変化が最大となる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「４」「３」「２」「１」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはローレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがローレベルであることをもって磁性移動体４、従って被検出体の正回転を検出することができる。

磁性移動体４が逆回転した場合の、各信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形については図示していないが、実施の形態１で述べたように磁性移動体４の逆回転時には、信号ｅの位相が信号ｆに対して所定量遅れて発生する。従って、図１４の各矢印を全て逆向きとして表示することができる。即ち、磁性移動体４の逆回転の場合、信号ｈのレベルは、「１」「２」「３」「４」の順序で変化することとなる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、正回転時の場合と同様に、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「１」「２」「３」「４」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはハイレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがハイレベルとなることをもって磁性移動体４、従って被検出体の逆回転を検出することができる。

実施の形態４の場合、信号ｈレベルの変化の順序が実施の形態１の場合のそれと異なるが、図８で示した実施の形態１の場合の同様に、磁性移動体４が（ａ）、（ｂ）、(ｃ)、(ｄ)のいずれの時点において逆回転に転じた場合でも、その時点から信号ｅ、ｆのいずれかのレベルが最初に変化した時点で直ちに信号ｊがローレベルからハイレベルに転じる。従って、この発明の実施の形態４による磁気検出装置によれば、磁性移動体の逆回転を、簡単な回路構成で極めて速やかに、しかも誤検出することなく正確に検出することができる。磁性移動体４の逆回転を速やかに誤検出することなく正確に検出することができる。

実施の形態５
図１５は、この発明の実施の形態５に係る磁気検出装置の回路構成を示す回路図、図１６は、磁性移動体４の正回転時の動作を説明する説明図であり、実施の形態１、２、３、４と同一又は相当部分には同一符号を付してある。図１５に於いて、出力トランジスタである第５のＴｒ５８のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは抵抗６４を介して電源ＶＣＣに接続され、エミッタは接地されている。第６のＴｒ５９のベースは、第２の比較回路３１の出力端子３１３に接続され、コレクタは抵抗６５を介して電源ＶＣＣに接続されている。

第１のＴｒ５１のベースは、第１の比較回路２９の出力端子２９３に接続され、コレクタは抵抗５５を介してセンサユニット５０の出力端子ＶＯＵＴに接続され、エミッタは接地されている。第２のＴｒ５２のベースは、第６のＴｒ５９のコレクタに接続され、エミッタは接地されている。第３のＴｒ５３のベースは第５のＴｒ５８のコレクタに接続されている。第４のＴｒ５４のベースは、第６のＴｒ５９のコレクタに接続され、エミッタは接地されている。
その他の構成は、実施の形態１、２、３、４と同様である。

センサユニット５０は、その電源がコンピュータユニット４９から電源端子ＶＢを介して供給され、接地端子ＧＮＤは接地されている。尚、抵抗５５、５６、５７の抵抗値は、夫々Ｒ２、Ｒ３、Ｒ１であるとする。

磁性移動体の回転により、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２の抵抗が変化し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０により２系統の電圧変化が信号ｃ、ｄとして得られる。信号ｃ、ｄは、第１及び第２の比較回路２９、３１により矩形波に変換され、信号ｅ、ｆが得られる。矩形波である一方の信号ｅは、第５のＴｒ５８及び第３のＴｒ５３のベースに入力される。矩形波である他方の信号ｆは、第２のＴｒ５２及び第４のＴｒ５４のベースに入力される。

センサユニット５０の出力信号である信号ｈは、コンピュータユニット４２に伝達された後、電源Ｖｃｃにプルアップされる。信号ｈは、第３の比較回路４４の反転入力端子に入力され、非反転入力端子４４２に入力されている比較レベルＣＬと比較され信号ｉを得る。又、信号ｈは、逆転検出回路６０のアナログ・デジタル変換器（以下、ＡＤＣと称する）６１に入力されてデジタル信号に変換され、論理回路６２を経てデジタル・アナログ変換器（以下、ＤＡＣと称する）６３によりアナログに再変換されて逆転検出信号である信号ｊを得る。

この発明の実施の形態５に於いて、ＭＲ素子２１ａ、２１ｂ、２２は、本発明に於ける検出手段を構成し、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１と、第１乃至第６のＴｒ５１、５２、５３、５４、、５８、５９とは、本発明に於ける信号形成手段を構成する。又、第３の比較回路４４と、逆転検出回路６０とは、本発明に於ける判定手段を構成する。更に、第１及び第２のブリッジ回路２３、３０と、第１及び第２の比較回路２９、３１とは、本発明に於ける変換回路を構成し、第１乃至第６のＴｒ５１、５２、５３、５４、５８、５９は、本発明に於ける信号形成回路を構成する。

図１６は、磁性移動体の正回転時に於ける信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形を示す説明図である。
次に、この発明の実施の形態４による磁気検出装置の動作を、図１５及び図１６により説明する。図１６に於いて、信号ｅ、ｆは、図示のように矩形波として夫々第１及び第２の比較回路２９、３１の出力端子２９３、３１３に発生する。磁性移動体４の正回転により、ＭＲ素子が２１ａ、２２、２１ｂの順に磁性移動体４の凸部４１に対向することとなるので、信号ｅは、信号ｆより、所定量進んだ位相となる。ＭＲ素子が磁性移動体４の凸部４１と凹部４２に対向する１周期に於いて、信号ｅとｆのハイレベルＨとローレベルＬの組合わせが４通り発生し、その組合わせの違いによりにより、夫々異なる４通りのレベル「１」「２」「３」「４」の信号ｈが得られる。従って、信号ｈのレベルの違いによって、磁性移動体４の凸部４１と凹部４２を１／４周期で検出することができる。

信号ｈのレベルの変化について更に詳しく述べると
（１）信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１、第５及び第６のＴｒ５１、５８、５９が非導通となり、第２、第３及び第４のＴｒ５２、５３、５４が導通となる。これにより信号ｈは接地ＧＮＤのレベルとなる。図１６では、このときの信号ｈのレベルを「１」で表示している。

（２）信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがローレベルＬのとき
第１、第２、第４及び第５のＴｒ５１、５２、５４、５８が導通し、第３、第６のＴｒ５３、５９が非導通となるが、第１のＴｒ５１が導通となる。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）｝／[Ｒ１＋｛（Ｒ２×Ｒ３）／（Ｒ２＋Ｒ３）｝]
となる。図１６では、このときの信号ｈのレベルを「２」で表示している。

（３） 信号ｅがハイレベルＨ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第１のＴｒ５１、第５のＴｒ５８が導通となるが、他のトランジスタは非導通となる。これにより
信号ｈ＝ＶＣＣ×｛Ｒ２／（Ｒ１＋Ｒ２）｝
となる。図１６では、このときの信号ｈのレベルを「３」で表示している。

（４） 信号ｅがローレベルＬ、信号ｆがハイレベルＨのとき
第６のＴｒ５９、第３のＴｒ５３が導通となるが、他のトランジスタは非導通であり、信号ｈは電源電圧ＶＣＣのレベルとなる。図１４では、このときの信号ｈのレベルを「４」で表示している。

今、例えば、ＶＣＣ＝３［Ｖ］、Ｒ１＝２［ＫΩ］、Ｒ２＝４［ＫΩ］、Ｒ３＝４／３[ＫΩ]、各ＴｒのＶｓａｔ＝０とすると
レベル「１」の信号ｈ＝０［Ｖ］
レベル「２」の信号ｈ＝１［Ｖ］
レベル「３」の信号ｈ＝２［Ｖ］
レベル「４」の信号ｈ＝３［Ｖ］
となる。
図のようにセンサユニット５０の出力信号ｈは、磁性移動体の凸部４１の立下りエッジで変化が最大となる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「４」「３」「２」「１」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはローレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがローレベルであることをもって磁性移動体４、従って被検出体の正回転を検出することができる。

磁性移動体４が逆回転した場合の、各信号ｅ、ｆ、ｈ、ｉ、ｊの波形については図示していないが、実施の形態１で述べたように磁性移動体４の逆回転時には、信号ｅの位相が信号ｆに対して所定量遅れて発生する。従って、図１４の各矢印を全て逆向きとして表示することができる。即ち、磁性移動体４の逆回転の場合、信号ｈのレベルは、「１」「２」「３」「４」の順序で変化することとなる。

第３の比較回路４４の比較レベルＣＬは、信号ｈのレベル「２」と「３」との間に設定されているので、正回転時の場合と同様に、信号ｈがレベル「３」と「４」のとき、第３の比較回路４４の出力信号ｉはローレベルとなり、信号ｈがレベル「１」と「２」のとき、信号ｉはハイレベルとなる。一方、逆転検出回路６０は、入力された信号ｈのレベルが「１」「２」「３」「４」の順序で変化したとき、その出力信号ｊはハイレベルを維持するよう論理回路６２により処理される。従って、信号ｊがハイレベルとなることをもって磁性移動体４、従って被検出体の逆回転を検出することができる。

実施の形態５の場合、信号ｈレベルの変化の順序が実施の形態１の場合のそれと異なるが、図８で示した実施の形態１の場合の同様に、磁性移動体４が（ａ）、（ｂ）、(ｃ)、(ｄ)のいずれの時点において逆回転に転じた場合でも、その時点から信号ｅ、ｆのいずれかのレベルが最初に変化した時点で直ちに信号ｊがローレベルからハイレベルに転じる。従って、この発明の実施の形態４による磁気検出装置によれば、磁性移動体の逆回転を、簡単な回路構成で極めて速やかに、しかも誤検出することなく正確に検出することができる。磁性移動体４の逆回転を速やかに誤検出することなく正確に検出することができる。

この発明の基礎となる技術の磁性移動体とＭＲ素子の配置を示す斜視図である。 この発明の基礎となる技術の磁性移動体とＭＲ素子の配置を示す説明図である。 この発明の基礎となる技術の回路図である。 この発明の基礎となる技術のＤフリップフロップ回路装置の回路図である。 この発明の基礎となる技術の動作を説明する説明図である。 この発明の実施の形態１に係る装置の回路図である。 この発明の実施の形態１に係る装置の動作を説明する説明図である。 この発明の実施の形態１に係る装置の動作を説明する説明図である。 この発明の実施の形態２に係る装置の回路図である。 この発明の実施の形態２に係る装置の動作を説明する説明図である。 この発明の実施の形態３にかかる装置の回路図である。 この発明の実施の形態３に係る装置の動作を説明する説明図である。 この発明の実施の形態４にかかる装置の回路図である。 この発明の実施の形態４に係る装置の動作を説明する説明図である。 この発明の実施の形態５に係る装置の回路図である。 この発明の実施の形態５に係る装置の動作を説明する説明図である。

符号の説明

１ 磁石
２ ＩＣチップ
２１ａ、２１ｂ、２２ ＭＲ素子
４ 磁性移動体
４１ 凸部
４２ 間隙
２３ 第１のブリッジ回路
３０ 第２のブリッジ回路
２９ 第１の比較回路
３１ 第２の比較回路
４４ 第３の比較回路
４５ 第４の比較回路
２４、２５、２６、２７、２８、３８、３９、４０、４１、４２、４３、４６、５５、５６、５７、６４、６５ 抵抗
３８０ Ｄフリップフロップ回路装置
３８１ 第１の立上りエッジＤフロップフロップ回路
３８２ 第１の立下りエッジＤフロップフロップ回路
３８３ 第２の立上りエッジＤフロップフロップ回路
３８４ 第２の立下りエッジＤフリップフロップ回路
３４３、３４４、３４５ ＮＯＴ回路
３８５ ３入力ＮＡＮＤ回路
３８６、３８７ ３入力ＢＡＮＤ回路
３８８ ４入力ＮＡＮＤ回路
３８９ ３入力ＢＮＡＮＤ回路
３４０、３４１ ４入力ＡＮＤ回路
３４２ ４入力ＯＲ回路
５１ 第１のトランジスタ
５２ 第２のトランジスタ
５３ 第３のトランジスタ
５４ 第４のトランジスタ
５８ 第５のトランジスタ
５９ 第６のトランジスタ
ＶＯＵＴ 出力端子
ＶＢ 電源端子
ＧＮＤ 接地端子
４９ コンピュータユニット
５０ センサユニット
６０ 逆回転検出回路
６１ アナログ・デジタル変換器
６２ 論理回路
６３ デジタル・アナログ変換器

Claims (8)

1. 被検出体の移動に対応して移動する磁性移動体と、該磁性移動体に間隙を介して対向し前記磁性移動体の移動に基づく前記間隙の磁界変化を検出する検出手段と、該検出手段により検出された前記磁界変化に基づいて複数のレベルを有する信号を形成する信号形成手段と、該信号形成手段により形成された前記信号のレベルの変化順序に基づいて前記磁性移動体の移動方向を判定する判定手段とを備えたことを特徴とする磁気検出装置。
2. 前記信号形成手段は、前記検出手段により検出された前記磁界変化を前記磁性移動体の移動方向に対応して相互の位相関係が変化する複数個の電気信号に変換する変換回路と、該変換回路により変換された前記複数個の電気信号に基づいて少なくとも４つの各々異なるレベルを有し且つ前記磁性移動体の移動方向に対応して前記レベルの変化順序が変化する信号を形成する信号形成回路とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の磁気検出装置。
3. 前記磁性移動体は、連続する複数の凸部と凹部とを備え、前記検出手段は、前記磁性移動体の移動方向に並置され前記磁性移動体の前記凸部と凹部との対向による磁界の変化に基づいて抵抗値が変化する複数個の磁気検出素子を備え、前記変換回路は、前記複数個の磁気検出素子を異なる辺に配置した第１及び第２のブリッジ回路と、該夫々のブリッジ回路の出力に基づいて第１及び第２の矩形波信号を発生する第１及び第２の比較回路とを備えたことを特徴とする請求項２に記載の磁気検出装置。
4. 前記磁性移動体は前記検出手段に間隙を介して対向する複数の凸部と凹部を備え、前記磁性移動体と前記検出手段との所定の対向位置で前記信号のレベルが最大となるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の磁気検出装置。
5. 前記所定の対向位置は、前記磁性移動体の移動方向に於ける前記凸部のほぼ中心位置であることを特徴とする請求項４に記載の磁気検出装置。
6. 前記所定の対向位置は、前記磁性移動体の移動方向に於ける前記凹部のほぼ中心位置であることを特徴とする請求項４に記載の磁気検出装置。
7. 前記所定の対向位置は、前記磁性移動体の移動方向に於ける前記凸部のほぼ立上りエッジであることを特徴とする請求項４に記載の磁気検出装置。
8. 前記所定の対向位置は、前記磁性移動体の移動方向に於ける前記凸部のほぼ立下りエッジであることを特徴とする請求項４に記載の磁気検出装置。

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