JPH1114398A - 回転検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】磁界を形成しつつ回転する回転体の回転状態の
検出を磁気抵抗素子を用いて行い、しかも、その結果得
られる検出出力信号が、回転体の温度変化に応じた情報
を含むものとなるようにする。 【解決手段】回転体に近接した位置に配されて回転体が
形成する磁界の作用を受ける４個の磁気抵抗素子３６Ａ
〜３６Ｄを備え、それらのうちの磁気抵抗素子３６Ａ及
び３６Ｃが直列接続されて成る第１の直列接続部と磁気
抵抗素子３６Ｂ及び３６Ｄが直列接続されて成る第２の
直列接続部とが互いに並列接続されて直並列接続部４４
が形成され、磁気抵抗素子３６Ｄにダイオード素子３７
が並列接続されたもとで、直並列接続部４４の両端間に
直流電圧供給部４２が接続されて、ダイオード素子３７
が並列接続された磁気抵抗素子３６Ｄとそれに直列接続
された磁気抵抗素子３６Ｂとの間の接続点から導出され
た出力端子４１に、回転体の回転状態に応じた検出出力
信号が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本願に係る発明は、磁界を形
成しつつ回転する回転体の回転状態を、回転体が発する
磁界の作用を受ける磁気抵抗素子を用いて検出する回転
検出装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】モータの回転子の如くの回転体の回転状
態を検知するにあたり、磁気抵抗効果を利用する素子
（磁気抵抗素子）を用いること、あるいは、印刷配線基
板上に形成された所定の導体パターンを用いることが知
られている。このような磁気抵抗素子あるいは印刷配線
基板上に形成された所定の導体パターンが用いられたも
とで、その回転状態が検知される回転体は、複数のＮ磁
極部とＳ磁極部とが交互に配された部分を備えていて、
それらのＮ磁極部及びＳ磁極部に基づく磁界を形成する
ものとされる。

【０００３】図５は、磁気抵抗素子が用いられて回転体
の回転状態が検知される様子を概略的に示す。図５にお
いては、円板状の回転体１１は、中心軸１２を回転中心
として回転し、その周縁部には、複数のＮ磁極部とＳ磁
極部とが交互に配された着磁部分１３が設けられてい
る。そして、回転体１１における着磁部分１３に対し
て、複数の磁気抵抗素子１４が用いられて形成された回
転検出部１５が、その複数の磁気抵抗素子１４を対向さ
せて、近接配置されている。複数の磁気抵抗素子１４
は、回路接続的には、例えば、平衡ブリッジ回路を構成
するものとされる。

【０００４】それにより、回転体１１が回転するとき、
それに伴って回動する着磁部分１３によって形成される
磁界が、回転検出部１５における磁気抵抗素子１４に動
的に作用して、磁気抵抗素子１４の抵抗値を変化させ
る。その結果、回転検出部１５から、回転体１１の回転
に応じた出力信号が得られる。

【０００５】また、図６は、印刷配線基板上に形成され
た所定の導体パターンが用いられて回転体の回転状態が
検知される様子を概略的に示す。図６においては、複数
のＮ磁極部とＳ磁極部とが交互に配されて形成された環
状磁石部分１６が設けられた周縁部を有する回転体１７
は、中心軸１８を回転中心として回転する。そして、回
転体１７にそれと平行な状態をもって近接するようにし
て、円板状の印刷配線基板１９が固定されており、印刷
配線基板１９上における環状磁石部分１６に対向する位
置に、特定形状を有した導体パターン２０が環状に配さ
れている。それにより、回転体１７が回転するとき、そ
れに伴って回動する環状磁石部分１６による磁界を形成
する磁束が印刷配線基板１９上に配された導体パターン
２０を過ることにより導体パターン２０に電圧が誘起さ
れ、その電圧に基づいて得られる回転体１７の回転に応
じた出力信号が、印刷配線基板１９上に配された導体パ
ターン２０から導出される。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述の如くにして、磁
気抵抗素子が用いられて回転体の回転状態が検知される
場合にあっては、回転体の温度変化に応じた情報は実質
的に得られない。従って、例えば、回転する回転体の温
度が上昇し、回転体に過熱状態がまねかれる虞が生じて
も、そのことが磁気抵抗素子を含んで構成される回転検
出部から得られる出力信号に反映されないという不都合
がある。

【０００７】一方、印刷配線基板上に形成された所定の
導体パターンが用いられて回転体の回転状態が検知され
る場合にあっては、印刷配線基板上に形成された所定の
導体パターンに誘起される電圧は回転体の回転速度に依
存することになり、回転体の回転速度が比較的低いとき
には、印刷配線基板上に形成された所定の導体パターン
を含んで構成される回転検出部から、適正レベルを有し
た出力信号が得られないという問題が生じる。また、斯
かる場合においても、回転する回転体の温度変化が回転
検出部から得られる出力信号に反映されないという不都
合がある。

【０００８】斯かる点に鑑み、本願の特許請求の範囲に
おける請求項１から請求項５までのいずれかに記載され
た発明は、複数のＮ磁極部とＳ磁極部とが交互に配され
た部分を備えていて、それらのＮ磁極部及びＳ磁極部に
基づく磁界を形成しつつ回転する回転体の回転状態の検
出を磁気抵抗素子を用いて行い、しかも、その結果得ら
れる検出出力信号が回転体の温度変化に応じた情報を含
むことになる回転検出装置を提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本願の特許請求の範囲に
おける請求項１から請求項５までのいずれかに記載され
た発明に係る回転検出装置は、回転体に近接した位置に
配されて回転体が形成する磁界の作用を受ける４個の磁
気抵抗素子を備え、これら４個の磁気抵抗素子のうちの
２個が直列接続されて成る第１の直列接続部と他の２個
が直列接続されて成る第２の直列接続部とが互いに並列
接続されて直並列接続部が形成され、さらに、上述の４
個の磁気抵抗素子のうちの１個にダイオード素子が並列
接続されたもとで、直並列接続部の両端間に直流電圧供
給部が接続されて、ダイオード素子が並列接続された磁
気抵抗素子とそれに直列接続された磁気抵抗素子との間
の接続点から導出された出力端に、回転体の回転状態に
応じた検出出力信号が得られるものとされる。

【００１０】このように構成される本願の特許請求の範
囲における請求項１から請求項５までのいずれかに記載
された発明に係る回転検出装置にあっては、直並列接続
部の両端間に直流電圧供給部からの直流電圧が供給され
るもとで、回転体に近接した位置に配されて回転体が形
成する磁界の作用を受ける４個の磁気抵抗素子の夫々
が、それに作用する磁界における磁束の向きが回転体の
回転に伴って変化するのに応じて、その抵抗値を変化さ
せる。それにより、ダイオード素子が並列接続された磁
気抵抗素子とそれに直列接続された磁気抵抗素子との間
の接続点から導出された出力端に、回転体の回転状態に
応じた検出出力信号が得られる。

【００１１】それとともに、出力端の直流電圧レベル
が、ダイオード素子の順方向電圧の変化に応じて変化
し、ダイオード素子の順方向電圧の変化は、ダイオード
素子の周囲温度の変化、即ち、実質的に回転体の温度変
化に応じて生じる。従って、出力端の直流電圧レベル
は、実質的に回転体の温度変化に応じて変化することに
なり、出力端に得られる検出出力信号は、回転体の回転
状態に応じたレベル変化を有するとともに、回転体の温
度変化に応じた直流電圧レベル変化を有するものとされ
る。

【００１２】それゆえ、本願の特許請求の範囲における
請求項１から請求項５までのいずれかに記載された発明
に係る回転検出装置によれば、磁界を形成しつつ回転す
る回転体の回転状態の検出にあたり、その出力端に、回
転体の回転状態に応じたレベル変化を有し、かつ、回転
体の温度変化に応じた情報を含むことになる検出出力信
号が得られることになる。

【００１３】また、本願の特許請求の範囲における請求
項５に記載された発明に係る回転検出装置にあっては、
上述の如くにしてその出力端に得られ、回転体の回転状
態に応じたレベル変化と回転体の温度変化に応じた情報
とを含むものとされる検出出力信号が、回転体に対する
駆動制御に用いられる。それにより、回転体の回転が、
その温度変化に応じて制御され、例えば、温度変化があ
っても安定な回転状態を維持するようにされる。

【００１４】

【発明の実施の形態】図１は、本願の特許請求の範囲に
おける請求項１から請求項５までのいずれかに記載され
た発明に係る回転検出装置の一例を、それによって回転
検出がなされる回転体の部分と共に概略的に示す。

【００１５】図１においては、図５に示される円板状の
回転体１１と同様な回転体に設けられた、複数のＮ磁極
部３１とＳ磁極部３２とが交互に配されて成る着磁部分
３３に対して、本願の特許請求の範囲における請求項１
から請求項５までのいずれかに記載された発明に係る回
転検出装置の一例である回転検出装置３５が配されてい
る。回転体に設けられた着磁部分３３は、回転体の回転
に伴って、例えば、矢印Ｒによって示される方向に回転
体の回転速度に応じた速度で移動する。

【００１６】回転検出装置３５は、４個の磁気抵抗素子
３６Ａ，３６Ｂ，３６Ｃ及び３６Ｄを備えている。これ
ら４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄの夫々は、回転体
に設けられた着磁部分３３に対して近接対向配置され、
着磁部分３３における複数のＮ磁極部３１及びＳ磁極部
３２によって形成される磁界の作用を受ける状態におか
れる。４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄの夫々自体
は、周知の素子であり、例えば、略同一の特性を有する
ものとされる

【００１７】４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄの着磁
部分３３に対する配置状態は、着磁部分３３における一
対の相互に隣接するＮ磁極部３１とＳ磁極部３２とが占
める領域の、着磁部分３３の移動方向（矢印Ｒによって
示される方向）における長さをＭｍとして、Ｍｍ／８に
選定される中心間隔をおいて、着磁部分３３の移動方向
に沿って配列されたものとされる。

【００１８】４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄのうち
の２個である磁気抵抗素子３６Ａと磁気抵抗素子３６Ｃ
とが直列接続されるとともに、４個の磁気抵抗素子３６
Ａ〜３６Ｄのうちの他の２個である磁気抵抗素子３６Ｂ
と磁気抵抗素子３６Ｄとが直列接続され、磁気抵抗素子
３６Ａ及び３６Ｃの直列接続と磁気抵抗素子３６Ｂ及び
３６Ｄの直列接続とが互いに並列に接続されている。そ
して、４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄのうち一つ、
例えば、磁気抵抗素子３６Ｄにダイオード素子３７が並
列接続されている。

【００１９】ダイオード素子３７は、磁気抵抗素子３６
Ｂと磁気抵抗素子３６Ｄとの接続点側にアノードが配さ
れ、磁気抵抗素子３６Ｄと磁気抵抗素子３６Ｃとの接続
点側にカソードが配される状態におかれる。このダイオ
ード素子３７も、回転体に近接配置され、回転体と実質
的に同等の温度条件のもとにあるものとされる。そし
て、これらの４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄ及びダ
イオード素子３７は、共通のパッケージに格納され、占
拠空間容積は極めて小とされる。

【００２０】磁気抵抗素子３６Ａと磁気抵抗素子３６Ｂ
との接続点に端子３８が、また、磁気抵抗素子３６Ｃと
磁気抵抗素子３６Ｄとの接続点に端子３９が夫々設けら
れ、さらに、磁気抵抗素子３６Ａと磁気抵抗素子３６Ｃ
との接続点及び磁気抵抗素子３６Ｂと磁気抵抗素子３６
Ｄとの接続点に出力端子４０及び４１が夫々設けられて
いる。端子３８と基準電位点との間には、安定した一定
の直流電圧Ｖｂを供給する直流電圧供給部４２が接続さ
れ、また、端子３９は基準電位点に接続されている。そ
れにより、互いに並列に接続された磁気抵抗素子３６Ａ
及び３６Ｃの直列接続と磁気抵抗素子３６Ｂ及び３６Ｄ
の直列接続との夫々の両端間に、直流電圧Ｖｂが供給さ
れることになる。

【００２１】このようなもとで、回転体に設けられた着
磁部分３３が、回転体の回転に伴って、例えば、矢印Ｒ
によって示される方向に回転体の回転速度に応じた速度
で移動するとき、出力端子４０及び４１の夫々に回転体
の回転状態に応じた信号が得られるが、図１に示される
例にあっては、出力端子４１に得られる信号が、回転体
の回転状態をあらわす検出出力信号ＳＣとされる。

【００２２】図２は、図１に示される回転検出装置３５
における４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄ及びダイオ
ード素子３７の接続関係をあらわす等価回路を示す。こ
の等価回路により示される如く、磁気抵抗素子３６Ａ及
び磁気抵抗素子３６Ｃが直列接続されて成る第１の直列
接続部と磁気抵抗素子３６Ｂ及び磁気抵抗素子３６Ｄが
直列接続されて成る第２の直列接続部とが互いに並列接
続されて直並列接続部４４が形成されるとともに、磁気
抵抗素子３６Ｄにダイオード素子３７が並列接続されて
いる。

【００２３】直並列接続部４４の一端である磁気抵抗素
子３６Ａと磁気抵抗素子３６Ｂとの接続点から導出され
た端子３８に、一端が基準電位点に接続された直流電圧
供給部４２からの直流電圧Ｖｂが供給され、直並列接続
部４４の他端である磁気抵抗素子３６Ｃと磁気抵抗素子
３６Ｄとの接続点から導出された端子３９が基準電位点
に接続されている。即ち、直並列接続部４４の両端間に
直流電圧供給部４２が接続されていることになる。

【００２４】また、第１の直列接続部を形成する磁気抵
抗素子３６Ａと磁気抵抗素子３６Ｃとの接続点から出力
端子４０が導出されるとともに、第２の直列接続部を形
成する磁気抵抗素子３６Ｂと磁気抵抗素子３６Ｄとの接
続点から出力端子４１が導出されており、従って、出力
端子４１と基準電位点との間に、ダイオード素子３７
が、出力端子４１側にアノードが配されるとともに基準
電位点側にカソードが配される状態とされて、接続され
ていることになる。それゆえ、出力端子４１の直流電圧
レベルは、ダイオード素子３７の順方向電圧に応じたも
のとなる。

【００２５】着磁部３３が設けられた回転体が回転し、
それに伴って着磁部分３３が、例えば、図１において矢
印Ｒにより示される方向に回転体の回転速度に応じた速
度で移動するとき、４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄ
に作用する、着磁部分３３における複数のＮ磁極部３１
及びＳ磁極部３２によって形成される磁界における磁束
の方向が、着磁部分３３の移動に応じて変化する。それ
により、４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄの夫々の抵
抗値が着磁部分３３の移動に応じて変化し、その結果、
出力端子４１に得られる検出出力信号ＳＣは、回転体の
温度が或る値のとき、例えば、図３のＡにおいて符号Ｓ
Ｃａが付されて示される如くのレベル変化を有するもの
（検出出力信号ＳＣａ）とされる。

【００２６】図３のＡに示される検出出力信号ＳＣａ
は、出力端子４１における直流電圧レベルである直流電
圧レベルＶＣａ（例えば、直流電圧Ｖｂの略１／２）を
有し、この直流電圧レベルＶＣａを中心にして周期的に
増減するレベル変化を有している。この周期的に増減す
るレベル変化は、回転体の回転に伴う着磁部分３３の移
動に応じて４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄの夫々の
抵抗値が変化することにより生じ、従って、回転体の回
転速度に応じた周期を有していて、回転体の回転状態を
あらわしている。

【００２７】また、図３のＡに示される検出出力信号Ｓ
Ｃａが有する直流電圧レベルＶＣａは、回転体の温度が
或る値のときにおける出力端子４１の直流電圧レベルで
あり、ダイオード素子３７の順方向電圧に応じている。
ダイオード素子３７は、周知の温度特性を有しており、
その順方向電圧は温度上昇に伴って増大し、例えば、温
度がΔｔ（度）だけ上昇すると、順方向電圧は１．６×
１０^-3×Δｔ（Ｖ）だけ増大する。従って、出力端子４
１の直流電圧レベル、即ち、検出出力信号ＳＣが有する
直流電圧レベルは、温度変化に起因するダイオード素子
３７の順方向電圧の変化に応じて変化するものとされ
る。

【００２８】例えば、回転体の温度が上述の或る値から
Δｔ（度）だけ上昇したとすると、ダイオード素子３７
の温度もΔｔ（度）だけ上昇し、出力端子４１の直流電
圧レベル、即ち、検出出力信号ＳＣが有する直流電圧レ
ベルは、ダイオード素子３７の順方向電圧が１．６×１
０^-3×Δｔ（Ｖ）だけ増大するのに伴って、直流電圧レ
ベルＶＣａから１．６×１０^-3×Δｔ（Ｖ）だけ上昇し
た直流電圧レベルＶＣｂとなる。それにより、このとき
出力端子４１に得られる検出出力信号ＳＣは、例えば、
図３のＡにおいて符号ＳＣｂが付されて示される如くの
レベル変化を有するもの（検出出力信号ＳＣｂ）とされ
る。

【００２９】図３のＡに示される検出出力信号ＳＣｂ
は、出力端子４１における直流電圧レベルである、直流
電圧レベルＶＣａより１．６×１０^-3×Δｔ（Ｖ）だけ
高い直流電圧レベルＶＣｂを有し、この直流電圧レベル
ＶＣｂを中心にして周期的に増減するレベル変化を有し
ており、その全体のレベルが検出出力信号ＳＣａより
１．６×１０^-3×Δｔ（Ｖ）だけ上昇している。この周
期的に増減するレベル変化は、前述のとおり、回転体の
回転速度に応じた周期を有していて、回転体の回転状態
をあらわしている。

【００３０】このように、出力端子４１に得られる検出
出力信号ＳＣにあっては、その直流電圧レベルが、ダイ
オード素子３７の順方向電圧の変化、従って、回転体の
温度変化に応じて変化する。即ち、出力端子４１に得ら
れる検出出力信号ＳＣは、着磁部分３３が設けられた回
転体の回転状態に応じたレベル変化を有し、かつ、回転
体の温度変化に応じた情報を含むものとなるのであ
る。。

【００３１】図４は、回転検出装置３５が用いられて構
成された回転体の制御システムの一例を示す。図４に示
される回転体の制御システムにおいては、図１に示され
る複数のＮ磁極部３１とＳ磁極部３２とが交互に配され
て成る着磁部分３３に相当する着磁部分が設けられたも
のとされる、例えば、モータの回転子とされる回転体５
０に対する回転制御が行われる。

【００３２】図４において、回転検出装置３５は、その
端子３８に直流電圧Ｖｂが供給されるとともに、その端
子３９が基準電位点に接続されている。また、回転検出
装置３５における４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３６Ｄ
は、回転体５０に設けられた着磁部分に対して、図１に
示される着磁部分３３に対して配される場合と同様に、
近接対向配置されている。それにより、回転検出装置３
５の出力端子４１に、回転体５０の回転状態に応じたレ
ベル変化を有し、かつ、回転体の温度変化に応じた情報
を含むものとなる検出出力信号ＳＣが得られる。

【００３３】回転体５０が、その温度が或る値のもとで
回転するとき、回転検出装置３５の出力端子４１に得ら
れる検出出力信号ＳＣは、図３のＡにおいて符号ＳＣａ
が付されて示される如くのもの、即ち、検出出力信号Ｓ
Ｃａとされる。この検出出力信号ＳＣａは、直流電圧レ
ベルＶＣａを有し、直流電圧レベルＶＣａを中心として
増減する、回転体５０の回転状態をあらわす周期的なレ
ベル変化を有しており、基準レベル検出部５１に供給さ
れる。

【００３４】基準レベル検出部５１には、基準レベル電
圧発生部５２から基準レベル電圧ＶＲも供給される。基
準レベル電圧ＶＲは、例えば、直流電圧レベルＶＣａを
有するものとされる。

【００３５】基準レベル検出部５１においては、回転検
出装置３５の出力端子４１に得られる検出出力信号ＳＣ
ａが基準レベル電圧ＶＲの直流電圧レベルＶＣａを過る
（クロスする）点が、基準レベルクロス点として求めら
れ、基準レベルクロス点から所定の短時間だけ高レベル
をとるパルス信号ＰＣが形成される。それにより、基準
レベル検出部５１からは、図３のＢに示される如くの、
検出出力信号ＳＣａについての基準レベルクロス点毎に
形成されるパルス信号ＰＣの列が得られ、それがアンド
ゲート回路５３に供給される。

【００３６】アンドゲート回路５３には、基準パルス発
生部５４からの基準パルスＰＲの列も供給される。基準
パルスＰＲの列は、例えば、図３のＤに示される如く
の、出力端子４１に直流電圧レベルＶＣａが得られてい
るもとで基準レベル検出部５１から導出されるパルス信
号ＰＣの列に相当するもの、従って、図３のＢに示され
るパルス信号ＰＣの列に対応するものに設定される。

【００３７】アンドゲート回路５３からは、基準レベル
検出部５１から導出される、図３のＢに示される如くの
パルス信号ＰＣと図３のＤに示される基準パルスＰＲと
のアンド出力信号ＶＡが導出される。このとき、図３の
Ｂ及びＤに示される如く、パルス信号ＰＣと基準パルス
ＰＲとは一致したタイミングをもって高レベルをとるの
で、アンド出力信号ＶＡは、基準パルスＰＲ毎に断続的
に高レベルをとるものとなる。

【００３８】アンドゲート回路５３から得られるアンド
出力信号ＶＡは、積分部５５に供給され、積分部５５か
ら、アンド出力信号ＶＡについての積分出力信号ＶＸ
が、アンド出力信号ＶＡが断続的にとる高レベルに応じ
たレベルＶｈを有したものとして導出される。そして、
この積分部５５から導出される積分出力信号ＶＸが、駆
動制御部５８に供給される。

【００３９】駆動制御部５８は、回転体５０に駆動信号
ＣＴを送出して、回転体５０を駆動する動作を行うとと
もに、積分部５５からの積分出力信号ＶＸに応じて、回
転体５０についての駆動制御を行う。そして、積分部５
５からの積分出力信号ＶＸが、図３のＥに示される如く
のレベルＶｈを有したものである場合には、回転体５０
に安定な回転を継続させる駆動制御を行うべく、駆動信
号ＣＴを回転体５０に供給する。

【００４０】これに対し、例えば、回転体５０における
温度上昇が生じて、回転体５０の温度が上述の或る値か
らΔｔ（度）だけ上昇したときには、回転検出装置３５
の出力端子４１に得られる検出出力信号ＳＣは、図３の
Ａにおいて符号ＳＣｂが付されて示される如くのもの、
即ち、検出出力信号ＳＣａより全体的に、例えば、１．
６×１０^-3×Δｔ（Ｖ）だけ高い検出出力信号ＳＣｂと
される。この検出出力信号ＳＣｂは、直流電圧レベルＶ
Ｃａより１．６×１０^-3×Δｔ（Ｖ）だけ高い直流電圧
レベルＶＣｂを有し、直流電圧レベルＶＣｂを中心とし
て増減する、回転体５０の回転状態をあらわす周期的な
レベル変化を有しており、基準レベル検出部５１に供給
される。

【００４１】基準レベル検出部５１においては、回転検
出装置３５の出力端子４１に得られる検出出力信号ＳＣ
ｂが基準レベル電圧ＶＲの直流電圧レベルＶＣａを過る
（クロスする）点が、基準レベルクロス点として求めら
れ、基準レベルクロス点から所定の短時間だけ高レベル
をとるパルス信号ＰＣ’が形成される。それにより、基
準レベル検出部５１からは、図３のＣに示される如く
の、検出出力信号ＳＣｂについての基準レベルクロス点
毎に形成されるパルス信号ＰＣ’の列が得られ、それが
アンドゲート回路５３に供給される。

【００４２】このときアンドゲート回路５３に供給され
る基準パルス発生部５４からの基準パルスＰＲの列は、
図３のＤに示される如くに、図３のＢに示されるパルス
信号ＰＣの列に対応するものとして設定されているの
で、図３のＣに示されるパルス信号ＰＣ’の列には対応
しない。それゆえ、アンドゲート回路５３から得られる
アンド出力信号ＶＡは、高レベルをとらず、継続的に低
レベルをとるものとされ、それが供給される積分部５５
から得られる積分出力信号ＶＸは、例えば、レベルＶｈ
を有したものとはされず、レベルＶｈより著しく低いレ
ベルを有したものとされる。

【００４３】このようなレベルＶｈより著しく低いレベ
ルを有した積分出力信号ＶＸが供給される駆動制御部５
８は、その積分出力信号ＶＸに応じて、例えば、回転体
５０の回転を停止させる駆動制御を行うための駆動信号
ＣＴを回転体５０に供給する動作を行う。それにより、
例えば、回転体５０が過熱状態のもとで回転を継続する
ことになる不所望な事態の発生が回避されることにな
る。

【００４４】上述の如くの、本願の特許請求の範囲にお
ける請求項１から請求項５までのいずれかに記載された
発明に係る回転検出装置の一例である、回転検出装置３
５にあっては、その検出特性が、磁気抵抗素子３６Ｄに
並列接続されたダイオード素子３７の温度特性によって
左右されるので、ダイオード素子３７として用いるダイ
オード素子の温度特性の選択によって、用途に応じた各
種の検出特性を実現させることができる。また、回転検
出装置３５においては、４個の磁気抵抗素子３６Ａ〜３
６Ｄとダイオード素子３７とが、実装状態のもとで極め
て小なる空間容積を占めるものとされるので、全体の小
型・軽量化が図られ、例えば、モータ等に組み込まれる
に好適である。

【００４５】

【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本願の特
許請求の範囲における請求項１から請求項５までのいず
れかに記載された発明に係る回転検出装置にあっては、
例えば、複数のＮ磁極部とＳ磁極部とが交互に配された
部分を備えていて、それらのＮ磁極部及びＳ磁極部に基
づく磁界を形成しつつ回転する回転体の回転状態の検出
にあたり、ダイオード素子が並列接続された磁気抵抗素
子とそれに直列接続された磁気抵抗素子との間の接続点
から導出された出力端に、回転体の回転状態に応じた検
出出力信号が得られる。

【００４６】また、ダイオード素子が並列接続された磁
気抵抗素子とそれに直列接続された磁気抵抗素子との間
の接続点から導出された出力端の直流電圧レベルが、ダ
イオード素子の順方向電圧の変化に応じて変化し、ダイ
オード素子の順方向電圧の変化は、実質的に回転体の温
度変化に応じて生じるので、出力端の直流電圧レベル
は、回転体の温度変化に応じて変化することになり、出
力端に得られる検出出力信号は、回転体の回転状態に応
じたレベル変化を有するとともに、回転体の温度変化に
応じた直流電圧レベル変化を有するものとされる。

【００４７】それゆえ、本願の特許請求の範囲における
請求項１から請求項５までのいずれかに記載された発明
に係る回転検出装置によれば、磁界を形成しつつ回転す
る回転体の回転状態の検出を行う際に、その出力端に、
回転体の回転状態に応じたレベル変化を有し、かつ、回
転体の温度変化に応じた情報を含むことになる検出出力
信号を、簡単で小型化に適した構成をもって、容易に得
ることができることになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本願の特許請求の範囲における請求項１から請
求項５までのいずれかに記載された発明に係る回転検出
装置の一例を、それによって回転検出がなされる回転体
の部分と共に概略的に示す概略構成図である。

【図２】図１に示される回転検出装置の一例における要
部の接続状態を示す等価回路図である。

【図３】図１に示される回転検出装置の一例の動作説明
に供される波形図である。

【図４】図１に示される回転検出装置の一例が用いられ
て構成された回転体の制御システムの一例を示すブロッ
ク構成図である。

【図５】磁気抵抗素子が用いられて回転体の回転状態が
検知される様子を概略的に示す概略斜視図である。

【図６】印刷配線基板上に形成された所定の導体パター
ンが用いられて回転体の回転状態が検知される様子を概
略的に示す概略斜視図である。

【符号の説明】

３１ Ｎ磁極部 ３２ Ｓ磁極部 ３３ 着磁
部分 ３５ 回転検出装置 ３６Ａ〜３６Ｄ
磁気抵抗素子 ３７ ダイオード素子 ３８，３９ 端子 ４０，４１ 出力端子 ４
２ 直流電圧供給部 ４４ 直並列接続部 ５０ 回転体 ５１ 基
準レベル検出部 ５２ 基準レベル電圧発生部 ５３ アンドゲート
回路 ５４ 基準パルス発生部 ５５ 積分部
５８ 駆動制御部

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】回転体に近接した位置に配されて上記回転
   体が形成する磁界の作用を受ける４個の磁気抵抗素子を
   備え、該４個の磁気抵抗素子のうちの２個が直列接続さ
   れて成る第１の直列接続部と上記４個の磁気抵抗素子の
   うちの他の２個が直列接続されて成る第２の直列接続部
   とが互いに並列接続されて直並列接続部が形成され、上
   記４個の磁気抵抗素子のうちの１個にダイオード素子が
   並列接続されたもとで、上記直並列接続部の両端間に直
   流電圧供給部が接続されて、上記ダイオード素子が並列
   接続された磁気抵抗素子と該磁気抵抗素子に直列接続さ
   れた磁気抵抗素子との間の接続点から導出された出力端
   に、上記回転体の回転状態に応じた検出出力信号が得ら
   れる回転検出装置。
2. 【請求項２】出力端の直流電圧レベルがダイオード素子
   の順方向電圧の変化に応じて変化することを特徴とする
   請求項１記載の回転検出装置。
3. 【請求項３】ダイオード素子が所定の温度特性をもって
   出力端の直流電圧レベルを変化させることを特徴とする
   請求項２記載の回転検出装置。
4. 【請求項４】４個の磁気抵抗素子及び該４個の磁気抵抗
   素子のうちの１個に並列接続されたダイオード素子が、
   共通のパッケージ内に納められることを特徴とする請求
   項１記載の回転検出装置。
5. 【請求項５】出力端に得られる検出出力信号が、回転体
   に対する駆動制御に用いられることを特徴とする請求項
   １記載の回転検出装置。