JPS5987040A - フイルム沈着法 - Google Patents
フイルム沈着法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、フィルム構成材料に照射された電子線によっ
て該材料を減圧下に蒸発させることを含む支持体（ｓｕ
ｂｓｔｒａｔｅ ）上へのフィルムの沈着（ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）に関する。
て該材料を減圧下に蒸発させることを含む支持体（ｓｕ
ｂｓｔｒａｔｅ ）上へのフィルムの沈着（ｄｅｐｏｓ
ｉｔｉｏｎ）に関する。
２
米国特許第２９２０００２号明細書ｌこは、約１０
ｒｒｖｎＨ８の前イオン化された酸素を導入した排気チ
ャンバー内でチタン／珪素を蒸発させることによって二
酸化チタンや二酸化珪素（シリカ）を材料とした薄いフ
ィルムを製造する方法が記載されている。チタン／珪素
はタングステンポート内で電気的に加熱される。
ｒｒｖｎＨ８の前イオン化された酸素を導入した排気チ
ャンバー内でチタン／珪素を蒸発させることによって二
酸化チタンや二酸化珪素（シリカ）を材料とした薄いフ
ィルムを製造する方法が記載されている。チタン／珪素
はタングステンポート内で電気的に加熱される。
米国特許第３７９１８５２号には、真空チャンバー内に
おいてチタン、ハフニウム、ニオブまたはバナジウムを
電子線によって蒸発する改良法が記載されている。アセ
チレン（Ｃ２Ｈ２）がチャンバー内に導入され、金属蒸
気とガス分子は、金属の溶融プールから放射されかつ該
金属プールに関して正の低電圧を有する２次電極によっ
て集められる２次電子によって活性化される。これによ
って電極とプール間に反応ゾーンが形成される。
おいてチタン、ハフニウム、ニオブまたはバナジウムを
電子線によって蒸発する改良法が記載されている。アセ
チレン（Ｃ２Ｈ２）がチャンバー内に導入され、金属蒸
気とガス分子は、金属の溶融プールから放射されかつ該
金属プールに関して正の低電圧を有する２次電極によっ
て集められる２次電子によって活性化される。これによ
って電極とプール間に反応ゾーンが形成される。
反応体の活性は、これらの反応の確率を増加させ、金属
蒸気と炭化水素ガスとの反応は高い効率でおこなわれて
所望の金属カーバイドフィルムが支持体上に形成される
。この方法を使用することによって従来得られたよりも
実質上高い沈着速度が達成され、また支持体の温度は化
学的な蒸気沈着の場合のような制限ファクターとはなら
ない。
蒸気と炭化水素ガスとの反応は高い効率でおこなわれて
所望の金属カーバイドフィルムが支持体上に形成される
。この方法を使用することによって従来得られたよりも
実質上高い沈着速度が達成され、また支持体の温度は化
学的な蒸気沈着の場合のような制限ファクターとはなら
ない。
化合物の合成とフィルムの成長の操作は別々である。沈
着物の微細構造、従ってその物理的機械的性質は、随意
に変化できる支持体の温度に依存する。
着物の微細構造、従ってその物理的機械的性質は、随意
に変化できる支持体の温度に依存する。
本発明によれば、１またはそれ以上のフィルム構成元素
に照射される電子線によって減圧下に該元素を蒸発させ
ることおよび支持体を加熱することを含む支持体上にフ
ィルムを沈着させる方法において、該元素から熱的に放
出された電子を電場の印加により捕集することによって
イオン化された水素を含有する雰囲気内で該方法をおこ
ない、該元素を、イオン化ガス中の水素と化合物を形成
して加熱された支持体上に到達したときに、結晶構造が
非水素化蒸着フィルムに比べて実質上電気的に活性な欠
陥を有さない部分的に水素化された元素のフィルムが形
成されるように選択する（水素はいずれの欠陥結合も塞
ぐ）ことを特徴とする支持体上へのフィルム沈着法が提
供される。従来、水素は反応性ガスとして使用されたこ
とはなく、また単独で元素として使用されたことはなく
、水素は無関係なガスが沈着フィルムに組み入れられる
危険を防ぐ。直接的な蒸発／沈着、および同様ナスバッ
タリングは結晶学的に許容できない欠陥構造に導く。
に照射される電子線によって減圧下に該元素を蒸発させ
ることおよび支持体を加熱することを含む支持体上にフ
ィルムを沈着させる方法において、該元素から熱的に放
出された電子を電場の印加により捕集することによって
イオン化された水素を含有する雰囲気内で該方法をおこ
ない、該元素を、イオン化ガス中の水素と化合物を形成
して加熱された支持体上に到達したときに、結晶構造が
非水素化蒸着フィルムに比べて実質上電気的に活性な欠
陥を有さない部分的に水素化された元素のフィルムが形
成されるように選択する（水素はいずれの欠陥結合も塞
ぐ）ことを特徴とする支持体上へのフィルム沈着法が提
供される。従来、水素は反応性ガスとして使用されたこ
とはなく、また単独で元素として使用されたことはなく
、水素は無関係なガスが沈着フィルムに組み入れられる
危険を防ぐ。直接的な蒸発／沈着、および同様ナスバッ
タリングは結晶学的に許容できない欠陥構造に導く。
さらに本発明によれは、フィルム構成材料サプライに照
射された電子線によって該サプライを減圧下に蒸発させ
、蒸発された材料と反応するイオン化され１こガスの雰
囲気を供給し、支持体を加熱することを含む支持体上に
フィルムを沈着させる方法において、該材料が該ガスと
反応性のある複数の元素を含み、生じた化合物が加熱さ
れた支持体と接触したときに分解して該元素をすべて含
むフィルムを残すことを特徴とする支持体上へのフィル
ム沈着法が提供される。混合材料の蒸発はＪ。
射された電子線によって該サプライを減圧下に蒸発させ
、蒸発された材料と反応するイオン化され１こガスの雰
囲気を供給し、支持体を加熱することを含む支持体上に
フィルムを沈着させる方法において、該材料が該ガスと
反応性のある複数の元素を含み、生じた化合物が加熱さ
れた支持体と接触したときに分解して該元素をすべて含
むフィルムを残すことを特徴とする支持体上へのフィル
ム沈着法が提供される。混合材料の蒸発はＪ。
Ｖａｃ、Ｓｃｉ、 ＴｅｃｈｎｏＩ！、第１１巻（１９
７４年）、第８１４頁〜第８１９頁に開示されてｌ、Ｎ
る。多成分ソース、例えばニッケルとトリウムを酸素中
で使用して、ディスパージョン強化ニッケル−ト４」ア
材料を調製できる。（合金の）個々のソースを使用して
合金沈着物、例えばＡ ｇ−５Ｃｕ 、Ａ ｇ １０
ＣｕおよびＴｉ −５ＡＡ’ −４Ｖ を調製するこ
ともてき、該ソースは成分間の蒸気圧差を補償するよう
に輻整されたコンポジションである。しかしながらこれ
らの方法においては、供給ガスとはどの成分も反応しな
いか、せいぜい１成分が反応し、反応した化合物として
沈着される。本発明によればこのような材料をドープ半
導体、例えば５ｉ−Ｂｔたは５ｊ−Ｐとして沈着するこ
とが可能となる。その出発サプライは蒸発され、その全
成分は、すべての原子ではないが、水素と反応し、該材
料は容易にドープ沈着して水素を一定の割合で含有する
。
７４年）、第８１４頁〜第８１９頁に開示されてｌ、Ｎ
る。多成分ソース、例えばニッケルとトリウムを酸素中
で使用して、ディスパージョン強化ニッケル−ト４」ア
材料を調製できる。（合金の）個々のソースを使用して
合金沈着物、例えばＡ ｇ−５Ｃｕ 、Ａ ｇ １０
ＣｕおよびＴｉ −５ＡＡ’ −４Ｖ を調製するこ
ともてき、該ソースは成分間の蒸気圧差を補償するよう
に輻整されたコンポジションである。しかしながらこれ
らの方法においては、供給ガスとはどの成分も反応しな
いか、せいぜい１成分が反応し、反応した化合物として
沈着される。本発明によればこのような材料をドープ半
導体、例えば５ｉ−Ｂｔたは５ｊ−Ｐとして沈着するこ
とが可能となる。その出発サプライは蒸発され、その全
成分は、すべての原子ではないが、水素と反応し、該材
料は容易にドープ沈着して水素を一定の割合で含有する
。
さらに本発明によれば、半導体のサプライに照射される
電子線によって該サプライをイオン化されたガス中減圧
下で蒸発させ、支持体を、蒸発された元素が該支持体と
接触したときにフィルムとして沈着するように加熱する
ことを含む、好ましくは元素半導体の随意にドープされ
たフィルムを支持体上に沈着させる方法において、該サ
プライが単結晶であることを特徴とする支持体上への半
導体フィルムの沈着方法が提供される。さらにまた本発
明によれば、半導体の好ましくは単結晶のサプライをイ
オン化されたガス中減圧下で蒸発させることを含む支持
体上へ好ましくは元素半導体のドープされたフィルムを
沈着させる方法において、イオン化されたガスが水素お
よびドーパント（ｄｏｐａｒ ｔ ）として作用し得る
ガス、例えは窒素を含有することを特徴とする支持体上
への半導体フィルムの沈着方法が提供される。半導体は
好ましくはゲルマニウムまたは珪素である。従来のこの
タイプの方法においては、珪素は常に酸化物、好ましく
は完全に飽和された酸化物５ｉ０２゜。。とじて沈着さ
れている。
電子線によって該サプライをイオン化されたガス中減圧
下で蒸発させ、支持体を、蒸発された元素が該支持体と
接触したときにフィルムとして沈着するように加熱する
ことを含む、好ましくは元素半導体の随意にドープされ
たフィルムを支持体上に沈着させる方法において、該サ
プライが単結晶であることを特徴とする支持体上への半
導体フィルムの沈着方法が提供される。さらにまた本発
明によれば、半導体の好ましくは単結晶のサプライをイ
オン化されたガス中減圧下で蒸発させることを含む支持
体上へ好ましくは元素半導体のドープされたフィルムを
沈着させる方法において、イオン化されたガスが水素お
よびドーパント（ｄｏｐａｒ ｔ ）として作用し得る
ガス、例えは窒素を含有することを特徴とする支持体上
への半導体フィルムの沈着方法が提供される。半導体は
好ましくはゲルマニウムまたは珪素である。従来のこの
タイプの方法においては、珪素は常に酸化物、好ましく
は完全に飽和された酸化物５ｉ０２゜。。とじて沈着さ
れている。
好ましくは支持体は、好ましくは無線周波数電圧（ｒａ
ｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｖｏ７？ｔａｇｅ ）
によって、好ましくはアースに関して正味の負のポテン
シャルまで電気的にバイアスされる。
ｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｖｏ７？ｔａｇｅ ）
によって、好ましくはアースに関して正味の負のポテン
シャルまで電気的にバイアスされる。
必須ではないが、元素または複数の元素の１種は珪素ま
たはゲルマニウムのような半導体にするのが好ましく、
第２の元素はたとえあるにしても、好ましくはホウ素ま
たは燐のようなドーパントである。好ましくは単結晶の
形態の元素の単一サプライが好ましい。雰囲気は水素お
よび随意にさらに半導体用ドーパントとして作用し得る
ガス、例えば窒素を含んでいてもよい。
たはゲルマニウムのような半導体にするのが好ましく、
第２の元素はたとえあるにしても、好ましくはホウ素ま
たは燐のようなドーパントである。好ましくは単結晶の
形態の元素の単一サプライが好ましい。雰囲気は水素お
よび随意にさらに半導体用ドーパントとして作用し得る
ガス、例えば窒素を含んでいてもよい。
沈着するのが望ましい特別な材料、例えは一定のグレー
ドの水素化された無定形珪素が与えられた場合、最良の
結果を得るためのプロセスにおいて次のようないくつか
のパラメーターを調整するのが好ましい。
ドの水素化された無定形珪素が与えられた場合、最良の
結果を得るためのプロセスにおいて次のようないくつか
のパラメーターを調整するのが好ましい。
（１）プロセス中のガス組成：好ましくは水素および随
意の貴ガス（例えばヘリウム、クリプトンまたは好まし
くはアルゴン）。
意の貴ガス（例えばヘリウム、クリプトンまたは好まし
くはアルゴン）。
（１１）ガス圧：珪素が行程中にいずれのガスとも反応
せずに蒸発して沈着する程低圧にすべきでなく、また珪
素の移送が過度に長引く程高圧にすべきでなく、好まし
くは１×１０−〜５×１０−３ｍＢである。
せずに蒸発して沈着する程低圧にすべきでなく、また珪
素の移送が過度に長引く程高圧にすべきでなく、好まし
くは１×１０−〜５×１０−３ｍＢである。
（１１ｔ ｌガス流速：例えば全流速を２５〜５０ｍ１
／ｍ１ｎとする。
／ｍ１ｎとする。
ＩＶ）フィードストックの蒸発速度：これはフィードス
トックに照射された電子線のパワーによって決定される
もので、生成物の沈着速度を決定する。こｎはプロセス
を適度に経済的にするのに充分大きくするのが好ましい
が、構造的に不満足な生成物が得られるほど太きくずへ
きてはなく、例えば１．５〜２．５ＫＷにする。
トックに照射された電子線のパワーによって決定される
もので、生成物の沈着速度を決定する。こｎはプロセス
を適度に経済的にするのに充分大きくするのが好ましい
が、構造的に不満足な生成物が得られるほど太きくずへ
きてはなく、例えば１．５〜２．５ＫＷにする。
（ｖ）気相反応を促進するために印加されるイオン化電
流および電圧は例えばそれぞれ０３〜３Ａおよび１００
Ｖ〜５００■にする。
流および電圧は例えばそれぞれ０３〜３Ａおよび１００
Ｖ〜５００■にする。
（ｖｌ）支持体の温度は例えば２５〜３５０℃にする。
（ｖｉｉｊイオン化され１こガスに関する支持体のポテ
ンシャル。
ンシャル。
以下、本発明を添付図を参照して実施例によって説明す
る。添付図は本発明方法を実施するための装置の一態様
を示す模式図である。この方法は無定形のホウ素でドー
プされたＳｉ：Ｈの沈着に関連して説明する。
る。添付図は本発明方法を実施するための装置の一態様
を示す模式図である。この方法は無定形のホウ素でドー
プされたＳｉ：Ｈの沈着に関連して説明する。
排気可能な容器はデツキによって上部チャンバー（Ｕ）
と下部チャンバー（Ｌ＋に分割され、上部チャンバーは
バルブ（ＶＵ）によって節気される拡散ポンプ（ＤＵ）
によって排気され、下部チャンバーはバルブ（１几）に
よって節気される別の拡散ポンプσＤＬ）によって排気
される。デツキは水冷の銅製炉σ］）を有しており、該
炉内には被沈着フィルム構成材料として、ホウ素原子を
１．６ Ｘ １０２３個／―個有−かつ抵抗率０．１
ｏｈｍ ｃｍのＰ−型珪素単結晶（２５ｙＢ Ｘ ５０
’Ｍｌｎ ）から成るインゴット（Ｉ）が収容される
。
と下部チャンバー（Ｌ＋に分割され、上部チャンバーは
バルブ（ＶＵ）によって節気される拡散ポンプ（ＤＵ）
によって排気され、下部チャンバーはバルブ（１几）に
よって節気される別の拡散ポンプσＤＬ）によって排気
される。デツキは水冷の銅製炉σ］）を有しており、該
炉内には被沈着フィルム構成材料として、ホウ素原子を
１．６ Ｘ １０２３個／―個有−かつ抵抗率０．１
ｏｈｍ ｃｍのＰ−型珪素単結晶（２５ｙＢ Ｘ ５０
’Ｍｌｎ ）から成るインゴット（Ｉ）が収容される
。
エレクトロガンρ）は焦点のあった一次電子線を両チャ
ンバー間のスロットを通して供給してインゴット（Ｉｌ
を溶融させる。ニードルバルブによって調節されるステ
ンレススチールパイプ（Ｐ）は、溶融インコツトの表面
付近の上部チャンバー（［Ｊ）内へカス（ＡｒおよびＨ
２）を運ぶ。ステンレススチール線の環状電極（Ｅ）は
炉Ｕ）の口部直径とほぼ等しい直径を有し、該炉のちょ
うど上部に位置する。正の電圧をこの電極に印加してガ
スをイオン化することができる。シャッター（′＋３）
は蒸着が要請されるまで、炉−）内の材料、即ちインゴ
ット（Ｉ）からフィルムがその表面上に沈着される支持
体（Ｓｔを遮蔽する。
ンバー間のスロットを通して供給してインゴット（Ｉｌ
を溶融させる。ニードルバルブによって調節されるステ
ンレススチールパイプ（Ｐ）は、溶融インコツトの表面
付近の上部チャンバー（［Ｊ）内へカス（ＡｒおよびＨ
２）を運ぶ。ステンレススチール線の環状電極（Ｅ）は
炉Ｕ）の口部直径とほぼ等しい直径を有し、該炉のちょ
うど上部に位置する。正の電圧をこの電極に印加してガ
スをイオン化することができる。シャッター（′＋３）
は蒸着が要請されるまで、炉−）内の材料、即ちインゴ
ット（Ｉ）からフィルムがその表面上に沈着される支持
体（Ｓｔを遮蔽する。
支持体（Ｓ）用のホルダーはアースから絶縁されており
、支持体の温度を測定するための熱電対国）を有してい
る。但し、バイアスが支持体に加わるときは、熱電対を
除去してバイアスがアースにショートするのを避けなけ
ればなら電い。しかしながらホルダーはディジクル電圧
計（ＤＶＭ）を通してアースされていてもよい。ディジ
クル電圧計はオートバイアスレジスターとして作用し、
後述するイオン化カスからそこへ、流れ込むイオン電流
が無視し得るほど小さくなるように支持体をバイアスす
る。あるいは、例えば無線周波数のパワーサプライは後
述するように、電圧計（ＤＶＭ）のために代用して支持
体の電圧、従って支持体のイオン衝撃を調整することが
できる。調節可能な赤外線放射ヒーター（Ａ）は支持体
を加熱する。
、支持体の温度を測定するための熱電対国）を有してい
る。但し、バイアスが支持体に加わるときは、熱電対を
除去してバイアスがアースにショートするのを避けなけ
ればなら電い。しかしながらホルダーはディジクル電圧
計（ＤＶＭ）を通してアースされていてもよい。ディジ
クル電圧計はオートバイアスレジスターとして作用し、
後述するイオン化カスからそこへ、流れ込むイオン電流
が無視し得るほど小さくなるように支持体をバイアスす
る。あるいは、例えば無線周波数のパワーサプライは後
述するように、電圧計（ＤＶＭ）のために代用して支持
体の電圧、従って支持体のイオン衝撃を調整することが
できる。調節可能な赤外線放射ヒーター（Ａ）は支持体
を加熱する。
ガラススライド、典型的にはＣｏｒｎｉｎｇ ７０５９
ガラスを常法により両親媒性洗浄剤、蒸留水およびイソ
プロピルアルコール中で超音波洗浄した後、支持体ホル
ダーに取付けて支持体（Ｓ）とする。シャッター（１３
）を、支持体からのインゴット■（ソース）の視界を遮
蔽するように設置し、ヒーター（Ａ）をつけて支持体の
温度を２５０℃にする。この系をポンプ排気して両方の
チャンバー（０１および（Ｌ＋を約１（５’ｍ Ｂ
の圧力にし、ガンρ）からの−次電子線のパワーを２Ｋ
Ｗまでゆっくりと高める。インゴット表面上に溶融プー
ルが形成されたならば、パイプ（Ｐ）内のニードルバル
ブを開いて水素を３０ｍｌｙＦｍ ｎで供給する。
ガラスを常法により両親媒性洗浄剤、蒸留水およびイソ
プロピルアルコール中で超音波洗浄した後、支持体ホル
ダーに取付けて支持体（Ｓ）とする。シャッター（１３
）を、支持体からのインゴット■（ソース）の視界を遮
蔽するように設置し、ヒーター（Ａ）をつけて支持体の
温度を２５０℃にする。この系をポンプ排気して両方の
チャンバー（０１および（Ｌ＋を約１（５’ｍ Ｂ
の圧力にし、ガンρ）からの−次電子線のパワーを２Ｋ
Ｗまでゆっくりと高める。インゴット表面上に溶融プー
ルが形成されたならば、パイプ（Ｐ）内のニードルバル
ブを開いて水素を３０ｍｌｙＦｍ ｎで供給する。
上部チャンバー（［−Ｊ）の排気を調節するバルブ（Ｖ
Ｕ）をわずかに開いて、該チャンバーの全圧を２×１０
−３ｍＢ とする。下部チャンバー（Ｌ＋の圧力はより
強く排気して５Ｘ１０’ｍＢを越えないようにする。
Ｕ）をわずかに開いて、該チャンバーの全圧を２×１０
−３ｍＢ とする。下部チャンバー（Ｌ＋の圧力はより
強く排気して５Ｘ１０’ｍＢを越えないようにする。
この圧力は、１６ＫＶ／１１１１１１のフィールドでア
ークを衝撃しないように充分に希薄化された操作雰囲気
に依存するガンρ）からの電子線の消滅を防ぐのに必要
である。次いで＋４００ボルトの電圧を電極（Ｅ）に印
加してイオン化電流を約０． Ｉ Ａとする。
ークを衝撃しないように充分に希薄化された操作雰囲気
に依存するガンρ）からの電子線の消滅を防ぐのに必要
である。次いで＋４００ボルトの電圧を電極（Ｅ）に印
加してイオン化電流を約０． Ｉ Ａとする。
次いで１つの選択として、ディジタル電圧計（ＤＶＭ）
によって、支持体（Ｓ）にそこを流れる約０．１μＡの
イオン電流を伴った約＋３５０Ｖの自己バイアスを竺じ
させる。シャッター（Ｂ）を３分間間いてガラス支持体
上に厚さ約１．０μｍの、ホウ素をドープした水素化さ
れたＰ−型無定形珪素フィルムを沈着させる。典型的に
はこのフィルムはＰ−型で、抵抗率１１０１６０ｈ ｃ
＋ｉ、ホウ素（受容体）濃度約３ １０ ホウ素原子／六密度約１０２２ｔｒａｐｓ ／
−を有する。
によって、支持体（Ｓ）にそこを流れる約０．１μＡの
イオン電流を伴った約＋３５０Ｖの自己バイアスを竺じ
させる。シャッター（Ｂ）を３分間間いてガラス支持体
上に厚さ約１．０μｍの、ホウ素をドープした水素化さ
れたＰ−型無定形珪素フィルムを沈着させる。典型的に
はこのフィルムはＰ−型で、抵抗率１１０１６０ｈ ｃ
＋ｉ、ホウ素（受容体）濃度約３ １０ ホウ素原子／六密度約１０２２ｔｒａｐｓ ／
−を有する。
別の選択として、無線周波数のパワーサプライをＤＶＭ
側に設置する。この場合、ソース〔インコツト（１）１
は真正（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）珪素、即ちドープされて
いない珪素である。電圧＋４００ボルトを電極（Ｅｌに
印加してイオン化電流を流しはじめた後、−１５００Ｖ
の無線周波数バイアスを支持体（Ｓ）に印加すると、電
極（Ｅｌの電流は０．５Ａに増加する。シャッター［Ｂ
）を５分間間いてガラス支持体上に厚さ約０．５μｍの
水素化されたＰ−型無定形珪素フィルムを沈着させる。
側に設置する。この場合、ソース〔インコツト（１）１
は真正（ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ）珪素、即ちドープされて
いない珪素である。電圧＋４００ボルトを電極（Ｅｌに
印加してイオン化電流を流しはじめた後、−１５００Ｖ
の無線周波数バイアスを支持体（Ｓ）に印加すると、電
極（Ｅｌの電流は０．５Ａに増加する。シャッター［Ｂ
）を５分間間いてガラス支持体上に厚さ約０．５μｍの
水素化されたＰ−型無定形珪素フィルムを沈着させる。
この方法における正味の沈着速度は明らかに幾分遅い。
典型的にはこのフィルムは室温での抵抗率１０１１０１
００ｈ、 ＡＭＩ 日光を照射したときの光伝導重比１
０５を有する。
００ｈ、 ＡＭＩ 日光を照射したときの光伝導重比１
０５を有する。
真正かつｎ−型の材料は相当する方法によって添付図は
本発明方法を実施するための装置の一態様を示す模式図
である。
本発明方法を実施するための装置の一態様を示す模式図
である。
ρ）は上部チャンバー、（Ｌ＋は下部チャンバー、（Ａ
）はヒーター、凹はシャッター、（Ｓｌは支持体、（［
）は熱電対、（Ｅ）は電極、（Ｆ（）は炉、（Ｉ）はイ
ンコツト、（Ｇ）はエレクトロンガン、（Ｐｉはパイプ
、（ＤＬ）および（ＤＵ ）は拡散ポンプ、（ＶＬ）お
よび（ＶＵ）はバルブ、（ＤＶＭ）はディジタル電圧計
を示す。
）はヒーター、凹はシャッター、（Ｓｌは支持体、（［
）は熱電対、（Ｅ）は電極、（Ｆ（）は炉、（Ｉ）はイ
ンコツト、（Ｇ）はエレクトロンガン、（Ｐｉはパイプ
、（ＤＬ）および（ＤＵ ）は拡散ポンプ、（ＶＬ）お
よび（ＶＵ）はバルブ、（ＤＶＭ）はディジタル電圧計
を示す。
Claims (1)
- １、 １またはそれ以上のフィルム構成元素に照射され
る電子線によって減圧下に該元素を蒸発させることおよ
び支持体を加熱することを含む支持体上にフィルムを沈
着させる方法において、該元素から熱的に放出された電
子を電場の印加により捕集することによってイオン化さ
れた水素含有雰囲気内で該方法をおこない、該元素を、
イオン化ガス中の水素と化合物を形成して加熱された支
持体上に到達したときに、結晶構造が非水素化蒸着フィ
ルムに比べて実質上電気的に活性な欠陥を有さない部分
的に水素化された元素のフィルムが形成されるように選
択することを特徴とする支持体上へのフィルム沈着法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB8227776 | 1982-09-29 | ||
| GB8227776 | 1982-09-29 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5987040A true JPS5987040A (ja) | 1984-05-19 |
Family
ID=10533249
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58176107A Pending JPS5987040A (ja) | 1982-09-29 | 1983-09-22 | フイルム沈着法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4698235A (ja) |
| EP (1) | EP0104916B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5987040A (ja) |
| DE (1) | DE3370829D1 (ja) |
| GB (2) | GB8324779D0 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| EP0209972A1 (en) * | 1985-06-05 | 1987-01-28 | Plessey Overseas Limited | Methods of depositing germanium hydrogen carbide |
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| JP3801418B2 (ja) * | 1999-05-14 | 2006-07-26 | 株式会社Ｎｅｏｍａｘ | 表面処理方法 |
| ITRM20010060A1 (it) * | 2001-02-06 | 2001-05-07 | Carlo Misiano | Perfezionamento di un metodo e apparato per la deposizione di film sottili, soprattutto in condizioni reattive. |
| KR20040039012A (ko) * | 2002-10-30 | 2004-05-10 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳의 성장 장치 |
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| US2932588A (en) * | 1955-07-06 | 1960-04-12 | English Electric Valve Co Ltd | Methods of manufacturing thin films of refractory dielectric materials |
| US2930002A (en) * | 1957-06-24 | 1960-03-22 | Rca Corp | Oscillator |
| US3063871A (en) * | 1959-10-23 | 1962-11-13 | Merck & Co Inc | Production of semiconductor films |
| US3333639A (en) * | 1964-11-27 | 1967-08-01 | John S Page | Parallel string installation for single-zone production |
| US3617375A (en) * | 1969-08-11 | 1971-11-02 | Texas Instruments Inc | Electron beam evaporated quartz insulating material process |
| US3791852A (en) * | 1972-06-16 | 1974-02-12 | Univ California | High rate deposition of carbides by activated reactive evaporation |
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| US3953652A (en) * | 1973-04-05 | 1976-04-27 | Itek Corporation | Process for coating glass onto polymeric substrates |
| GB1500701A (en) * | 1974-01-24 | 1978-02-08 | Atomic Energy Authority Uk | Vapour deposition apparatus |
| US4006268A (en) * | 1975-03-17 | 1977-02-01 | Airco, Inc. | Vapor collimation in vacuum deposition of coatings |
| CH610013A5 (ja) * | 1975-11-19 | 1979-03-30 | Battelle Memorial Institute | |
| CA1102013A (en) * | 1977-05-26 | 1981-05-26 | Chin-An Chang | Molecular-beam epitaxy system and method including hydrogen treatment |
| US4217374A (en) * | 1978-03-08 | 1980-08-12 | Energy Conversion Devices, Inc. | Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors |
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| JPS5669819A (en) * | 1979-11-12 | 1981-06-11 | Canon Inc | Manufacture of amorphous silicon hydride layer |
| JPS5678412A (en) * | 1979-11-22 | 1981-06-27 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Preparation of noncrystalline silicone film |
| EP0029747A1 (en) * | 1979-11-27 | 1981-06-03 | Konica Corporation | An apparatus for vacuum deposition and a method for forming a thin film by the use thereof |
| JPS5678112A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Toshiba Corp | Cutting and rounding device of metal wire |
| JPS5691437A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | Preparation of metallized element |
| JPS5698819A (en) * | 1980-01-09 | 1981-08-08 | Nec Corp | Method of preparing thin film of amorphous silicon |
| US4297387A (en) * | 1980-06-04 | 1981-10-27 | Battelle Development Corporation | Cubic boron nitride preparation |
| IE53485B1 (en) * | 1981-02-12 | 1988-11-23 | Energy Conversion Devices Inc | Improved photoresponsive amorphous alloys |
-
1983
- 1983-09-15 GB GB838324779A patent/GB8324779D0/en active Pending
- 1983-09-22 US US06/534,866 patent/US4698235A/en not_active Expired - Fee Related
- 1983-09-22 JP JP58176107A patent/JPS5987040A/ja active Pending
- 1983-09-23 GB GB08325495A patent/GB2127438B/en not_active Expired
- 1983-09-23 EP EP83305705A patent/EP0104916B1/en not_active Expired
- 1983-09-23 DE DE8383305705T patent/DE3370829D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3370829D1 (en) | 1987-05-14 |
| EP0104916B1 (en) | 1987-04-08 |
| EP0104916A3 (en) | 1984-12-27 |
| US4698235A (en) | 1987-10-06 |
| GB8325495D0 (en) | 1983-10-26 |
| GB2127438A (en) | 1984-04-11 |
| GB2127438B (en) | 1986-07-30 |
| GB8324779D0 (en) | 1983-10-19 |
| EP0104916A2 (en) | 1984-04-04 |
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