JPS5984442A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5984442A JPS5984442A JP19388482A JP19388482A JPS5984442A JP S5984442 A JPS5984442 A JP S5984442A JP 19388482 A JP19388482 A JP 19388482A JP 19388482 A JP19388482 A JP 19388482A JP S5984442 A JPS5984442 A JP S5984442A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- contact hole
- film
- substrate
- main surface
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法にかがシ、とくに半導体
装置における配線電極としての金属膜の段部での断線を
防止した製造方法に関する。
装置における配線電極としての金属膜の段部での断線を
防止した製造方法に関する。
半導体集積回路においては、アルミ配線の断切れが問題
となっているが、断切れの発生原因として第１に挙げら
れるのけパッシベイション膜にあけたコンタクト用孔の
エッチにアルミ膜がかかる場合である。すなわち第１図
（ａ）〜（Ｃ）において、（ａ）Ｓｉ（シリ゛コン）基
板１の表面ニハッシベイション膜として８ｉ０．膜２を
形成し、（ｂ）ホトレジストマスク工程によシコンタク
ト孔４をあけた際に、Ｓｉｎ、膜２の断面がオーパーツ
・ングとなりやすく、（Ｃ）この上にアルミを蒸着する
とＳｉｎ、膜の絶縁部のエッヂ（６）部ではアルミ膜６
０段部で薄くなっているため、そこでアルミ断線が発生
し易い。
となっているが、断切れの発生原因として第１に挙げら
れるのけパッシベイション膜にあけたコンタクト用孔の
エッチにアルミ膜がかかる場合である。すなわち第１図
（ａ）〜（Ｃ）において、（ａ）Ｓｉ（シリ゛コン）基
板１の表面ニハッシベイション膜として８ｉ０．膜２を
形成し、（ｂ）ホトレジストマスク工程によシコンタク
ト孔４をあけた際に、Ｓｉｎ、膜２の断面がオーパーツ
・ングとなりやすく、（Ｃ）この上にアルミを蒸着する
とＳｉｎ、膜の絶縁部のエッヂ（６）部ではアルミ膜６
０段部で薄くなっているため、そこでアルミ断線が発生
し易い。
本発明は上記従来技術の欠点を取除き、アルミ配線の断
切れ防止することを目的とし、そのために半導体基板−
主表面上に形成した第１の絶縁膜を部分的にエツチング
除去して、前記半導体装置−主表面を露出させるための
コンタクト孔を開孔する工程と、第２の絶縁膜を少なく
とも前記コンタクト孔の縁部をなだらかな形で覆うよう
に成長する工程と、少なくとも前記コンタクト孔を異方
性ドライエッチし、前記コンタクト孔の急峻なふちに第
２の絶縁膜をのこし、かつ前記コンタクト部の前記半導
体基板−主表面を露出させる工程と、コンタクト孔を介
して前記半導体基板−主表面に接続する電極用導電膜を
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法である。
切れ防止することを目的とし、そのために半導体基板−
主表面上に形成した第１の絶縁膜を部分的にエツチング
除去して、前記半導体装置−主表面を露出させるための
コンタクト孔を開孔する工程と、第２の絶縁膜を少なく
とも前記コンタクト孔の縁部をなだらかな形で覆うよう
に成長する工程と、少なくとも前記コンタクト孔を異方
性ドライエッチし、前記コンタクト孔の急峻なふちに第
２の絶縁膜をのこし、かつ前記コンタクト部の前記半導
体基板−主表面を露出させる工程と、コンタクト孔を介
して前記半導体基板−主表面に接続する電極用導電膜を
形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製
造方法である。
以下、本発明を実施例として示した第２図（ａ）〜（ｄ
）の各工程にそって説明する。
）の各工程にそって説明する。
（ａ） シリコン半導体基板１の主表面に不純物の選
択拡散処理によシ基板と反対導電型拡散層領域７を形成
し、表面の絶縁膜２にホトレジスト工程によシコンタク
ト孔４をあける。この絶縁膜２は通常は熱酸化による８
ｉ０．膜、ＣＶＤ（気相成長法）によるＰＳＧ（ＩＪン
ガラス）又は、窒化処理による５ｔｓＮ４膜等のパッシ
ベイション膜であってよい。
択拡散処理によシ基板と反対導電型拡散層領域７を形成
し、表面の絶縁膜２にホトレジスト工程によシコンタク
ト孔４をあける。この絶縁膜２は通常は熱酸化による８
ｉ０．膜、ＣＶＤ（気相成長法）によるＰＳＧ（ＩＪン
ガラス）又は、窒化処理による５ｔｓＮ４膜等のパッシ
ベイション膜であってよい。
このときコンタクト孔内にオーバーハング５を生じる。
（ｂ） 全面の粘性のある絶縁材をうすく塗布し、第
２の絶縁膜８を形成する。この粘性のある絶縁材として
は、５ｉｎ２系波膜形成用塗布液などのケイ素化合物を
有機溶済に溶解したもので、回転塗布し、ベーク（５０
°Ｃから９００℃）するもので、少なくともコンタクト
孔の急峻なぶち段部をなだらかな形状に覆うようにする
。
２の絶縁膜８を形成する。この粘性のある絶縁材として
は、５ｉｎ２系波膜形成用塗布液などのケイ素化合物を
有機溶済に溶解したもので、回転塗布し、ベーク（５０
°Ｃから９００℃）するもので、少なくともコンタクト
孔の急峻なぶち段部をなだらかな形状に覆うようにする
。
（Ｃ） 次いで全面を異方性エツチングして第２の絶
縁膜８を均一な厚さに除去することによシ、コンタクト
孔の急峻なぶち段部に第２の絶縁膜８Ａ、がなだらかな
形に残シ、コンタクト部の基板は露出する。
縁膜８を均一な厚さに除去することによシ、コンタクト
孔の急峻なぶち段部に第２の絶縁膜８Ａ、がなだらかな
形に残シ、コンタクト部の基板は露出する。
（ｄ） 全面にアルミニウムを蒸着し、ホトレジスト
工程によるバターニングを行なって配線６以外の不要部
をエツチング除去する。
工程によるバターニングを行なって配線６以外の不要部
をエツチング除去する。
以上実施例で述べた本発明によれば、コンタクト孔をあ
けた第１の絶縁膜の縁部を第２の絶縁膜によｐなだらか
な形で覆い、全面を異方性ドライエッチすることによシ
、コンタクト孔のぶち段部に第２の絶縁膜をなだらかに
残し、その上にアルミ配線を形成するものであるから、
アルミ配線の断切れの発生を有効に防止することができ
る。
けた第１の絶縁膜の縁部を第２の絶縁膜によｐなだらか
な形で覆い、全面を異方性ドライエッチすることによシ
、コンタクト孔のぶち段部に第２の絶縁膜をなだらかに
残し、その上にアルミ配線を形成するものであるから、
アルミ配線の断切れの発生を有効に防止することができ
る。
本発明は、前記実施例に限定されず、これ以外の種々の
変形例を有するものである。
変形例を有するものである。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体装置製造方法のコ
ンタクト工程の一部を示す工程断面図、第２図（ａ）〜
（（りは本拠明による半導体装置製造方法の要部を示す
工程断面図。 １、・・・・シリコン基板、２．・・・・・第１の絶縁
膜■１０２膜）、３．・・・・・・ホトレジストマスク
、４．・・・・コンタクト孔、５．・・・・・・オーパ
ーツ・ング部、６．・・・・・・Ａｔ配線、７、・・・
・・・基板と反対導電型拡散層領域、８・・・・・・第
２の絶縁膜。 ｖ ｆ 図
ンタクト工程の一部を示す工程断面図、第２図（ａ）〜
（（りは本拠明による半導体装置製造方法の要部を示す
工程断面図。 １、・・・・シリコン基板、２．・・・・・第１の絶縁
膜■１０２膜）、３．・・・・・・ホトレジストマスク
、４．・・・・コンタクト孔、５．・・・・・・オーパ
ーツ・ング部、６．・・・・・・Ａｔ配線、７、・・・
・・・基板と反対導電型拡散層領域、８・・・・・・第
２の絶縁膜。 ｖ ｆ 図
Claims (1)
- 半導体基板−主表面上に形成した第１の絶縁膜を部分的
にエツチング除去して、前記半導体基板−主表面を露出
させるためのコンタクト孔を開孔する工程と、第２の絶
縁膜を少なくとも前記コンタクト孔の縁部をなだらかな
形で覆うように成長する工程と、少なくとも前記コンタ
クト孔を異方性ドライエッチし、前記コンタクト孔の急
峻なふちに第２の絶縁膜をのこしかつ、前記コンタクト
部の前記半導体基板−主表面を露出させる工程と、コン
タクト孔を介して前記半導体基板−主表面に接続する電
極用導電膜を形成する工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19388482A JPS5984442A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19388482A JPS5984442A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984442A true JPS5984442A (ja) | 1984-05-16 |
Family
ID=16315333
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19388482A Pending JPS5984442A (ja) | 1982-11-04 | 1982-11-04 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984442A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847465A (en) * | 1989-03-16 | 1998-12-08 | Stmicroelectronics, Inc. | Contacts for semiconductor devices |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50110771A (ja) * | 1974-02-09 | 1975-09-01 | ||
| JPS56144553A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
-
1982
- 1982-11-04 JP JP19388482A patent/JPS5984442A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50110771A (ja) * | 1974-02-09 | 1975-09-01 | ||
| JPS56144553A (en) * | 1980-04-11 | 1981-11-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5847465A (en) * | 1989-03-16 | 1998-12-08 | Stmicroelectronics, Inc. | Contacts for semiconductor devices |
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