JPS597270A - 電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置 - Google Patents
電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置Info
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- JPS597270A JPS597270A JP57117230A JP11723082A JPS597270A JP S597270 A JPS597270 A JP S597270A JP 57117230 A JP57117230 A JP 57117230A JP 11723082 A JP11723082 A JP 11723082A JP S597270 A JPS597270 A JP S597270A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
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- Measurement Of Current Or Voltage (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の試料の被測定部位電位を非
接触で測定する電子ビームを用いた試別゛…′位測定装
置の改良に関する。
接触で測定する電子ビームを用いた試別゛…′位測定装
置の改良に関する。
近年、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路（試料）が高密
度化し、回路に使われるパターン幅が微細となり、金線
プローブを用いた電位測定が（イ゛１雌になってきた。
度化し、回路に使われるパターン幅が微細となり、金線
プローブを用いた電位測定が（イ゛１雌になってきた。
このため、試料に瓜加速の電子ビームを照射し、ビーム
照射面から放出される２次電子を検出して試料′電位を
測定する′ｒ１１子ビー広ビームた試料′Ｍ位測測定装
置開発されている。この装置の原理は以下の通りである
。
照射面から放出される２次電子を検出して試料′電位を
測定する′ｒ１１子ビー広ビームた試料′Ｍ位測測定装
置開発されている。この装置の原理は以下の通りである
。
すなわち、電位を持った試料に電子ビームを照射すると
、試料面（ビーム照射面）から加用される２次市、子エ
ネルギは上記電位に応じて変化する。試料面から放出さ
れる２次市子全１＋（イ）当な検出器により捕集すると
、検出信号電流は試料が低電位のとき大きく、高屯位の
とき小さくなる。これは、一般に電位コントラストと称
される。したがって、試料全動作状態におきこの試料に
電子ビームを照射して電位コントラストラ測定すること
により、試料の電位変化を非接触で測定できることにな
る。また、この装置Ｉ′ｉ２〔μｍ〕以下の・やターン
を持つ回路にも適用することができ、半導体集積回路等
の試料の巾１位測定に極めて有効である。
、試料面（ビーム照射面）から加用される２次市、子エ
ネルギは上記電位に応じて変化する。試料面から放出さ
れる２次市子全１＋（イ）当な検出器により捕集すると
、検出信号電流は試料が低電位のとき大きく、高屯位の
とき小さくなる。これは、一般に電位コントラストと称
される。したがって、試料全動作状態におきこの試料に
電子ビームを照射して電位コントラストラ測定すること
により、試料の電位変化を非接触で測定できることにな
る。また、この装置Ｉ′ｉ２〔μｍ〕以下の・やターン
を持つ回路にも適用することができ、半導体集積回路等
の試料の巾１位測定に極めて有効である。
第１図は従来の電子ビームを用いた試料部位測定装置を
示す概略構成図である。電子、８ｆ １力・ら７ｉｖ射
された電子ビームは、ブランキング板２及び偏向コイル
３を介して試料ステージ４上に載置された試料５に照」
；１される。試料５から放出された２次電子は電子検出
器６にて検出され、この検出信号が画像信号処理装置４
７に供給される。そして、この画像１菖号処理装随７に
より王妃検出信号が（…１像データや波形データ等に変
換され、この変換データがディスプレイモニタ８に表示
さ扛るものとなっている。なお、図中９は試料５に電圧
信号を印加し試料５を駆すｆｈするパターンジェネレー
タ、１０はパターンジェネレータ９からのサングル信号
に同期して・やルス状の電圧を出力しブランキング板２
ｆｆニドライブするブランキングドライバ、１１は偏向
コイル３に偏向信号を印加し電子ビームの照射位１ｋを
電気的に可変するためのラスタソエネレータ。
示す概略構成図である。電子、８ｆ １力・ら７ｉｖ射
された電子ビームは、ブランキング板２及び偏向コイル
３を介して試料ステージ４上に載置された試料５に照」
；１される。試料５から放出された２次電子は電子検出
器６にて検出され、この検出信号が画像信号処理装置４
７に供給される。そして、この画像１菖号処理装随７に
より王妃検出信号が（…１像データや波形データ等に変
換され、この変換データがディスプレイモニタ８に表示
さ扛るものとなっている。なお、図中９は試料５に電圧
信号を印加し試料５を駆すｆｈするパターンジェネレー
タ、１０はパターンジェネレータ９からのサングル信号
に同期して・やルス状の電圧を出力しブランキング板２
ｆｆニドライブするブランキングドライバ、１１は偏向
コイル３に偏向信号を印加し電子ビームの照射位１ｋを
電気的に可変するためのラスタソエネレータ。
１２はコントロールロジック４示している。
このような装置では、周期的に同じ動作を行う試′＃４
５の特定位相状態での電位を測定する場イ）、ブランキ
ング板２及びブランキングドライバ１０等によシ藏子ビ
ームを断続させ、試料動作が希望位相の時刻にのみ試料
面に電子ビームが到達するようにする。このとき、電子
検出器６にはその位相に対応する２次電子伯号のみが検
出きれる。したがって、電子検出器６の検出１８号の処
理によって、特定位相状態での試料面、位が測定される
ことになる。
５の特定位相状態での電位を測定する場イ）、ブランキ
ング板２及びブランキングドライバ１０等によシ藏子ビ
ームを断続させ、試料動作が希望位相の時刻にのみ試料
面に電子ビームが到達するようにする。このとき、電子
検出器６にはその位相に対応する２次電子伯号のみが検
出きれる。したがって、電子検出器６の検出１８号の処
理によって、特定位相状態での試料面、位が測定される
ことになる。
ところが、この種の従来装置では先にも説明したように
、試料の特定位相状態での電位を制定するためブランキ
ング板やブランキングドライバ宿の電、子ビームをチョ
ップするための機構が必要となる。このため、電子光学
輪筒の構成が複雑化する宿−の問題を避けることができ
なかった。
、試料の特定位相状態での電位を制定するためブランキ
ング板やブランキングドライバ宿の電、子ビームをチョ
ップするための機構が必要となる。このため、電子光学
輪筒の構成が複雑化する宿−の問題を避けることができ
なかった。
本発明の目的は、電子ビームのチョッピング機構を用い
ることなく試料の特定位相状態での電位を測定すること
ができ、電子光学卿筒の構成簡略化をはかり得る電子ビ
ームを用いた試料部位測定装置を提供することにある。
ることなく試料の特定位相状態での電位を測定すること
ができ、電子光学卿筒の構成簡略化をはかり得る電子ビ
ームを用いた試料部位測定装置を提供することにある。
本発明の骨子は、試料から放出された２次電子を検出す
る電子検出器の検出信号（２次電子検出信号）を試料の
駆動信号に同期させて信号処理することにある。すなわ
ち、電子ビームを試料の駆動信号に同期してストロが的
に照射する代りに、試料の駆動信号に同期して２次電子
検出信号の信号処理系への採り込み′ｆ−ｆｌｉ制御す
ることにある。この場合、２次電子検出信号のサンプリ
ングをストロブ的に行うので、試料上への電子ビーム照
射は連続的であってもよい。ビーム照射による試料デバ
イスに与える影ｆｌｌＰは、低加速電圧領域では無情可
能であることが既に報告されている。また、試料面への
チオ−シアツブについては、１次ビームと放出２次市９
子とのチャージバランスを考えて照射条件ｋ ＷＪｚ定
すれば、特に間鴫とならない程度に抑えることが可能で
ある。なお、前記２次電子検出信号とは、単に試料面か
ら放出され電子検出器に捕集された２次１１子信号にと
どまらず、これを増幅Ｗいは７１５ぴｔ、−電圧変換し
て得られる信号も含むものである。
る電子検出器の検出信号（２次電子検出信号）を試料の
駆動信号に同期させて信号処理することにある。すなわ
ち、電子ビームを試料の駆動信号に同期してストロが的
に照射する代りに、試料の駆動信号に同期して２次電子
検出信号の信号処理系への採り込み′ｆ−ｆｌｉ制御す
ることにある。この場合、２次電子検出信号のサンプリ
ングをストロブ的に行うので、試料上への電子ビーム照
射は連続的であってもよい。ビーム照射による試料デバ
イスに与える影ｆｌｌＰは、低加速電圧領域では無情可
能であることが既に報告されている。また、試料面への
チオ−シアツブについては、１次ビームと放出２次市９
子とのチャージバランスを考えて照射条件ｋ ＷＪｚ定
すれば、特に間鴫とならない程度に抑えることが可能で
ある。なお、前記２次電子検出信号とは、単に試料面か
ら放出され電子検出器に捕集された２次１１子信号にと
どまらず、これを増幅Ｗいは７１５ぴｔ、−電圧変換し
て得られる信号も含むものである。
本発明はこのような点に着目し、電子ビーム金柑いて試
料の被泪（Ｉ定部位のけ位を非接触で測定する試料１、
位測定装置において、上記試料に所定の電圧信号全印加
して該試料′ｆ駆動する信号発生器と、上記畠；子ビー
ム照射により試料から放出される２次電子を検出する電
子検出器と、この電子検出器の検出信号を採り込み信号
処理して上記試料のビーム照射部電位を求める信号処理
系と、上記信号発生器から’１ｌｌｔ圧惰号と共に出力
さ扛るサンプル信号に同・期して上記信号処理系への検
出信号採り込み’ｆｃ ｆｌｊｌ ａする探り内み制御
回路とを設けるようにしたものである。
料の被泪（Ｉ定部位のけ位を非接触で測定する試料１、
位測定装置において、上記試料に所定の電圧信号全印加
して該試料′ｆ駆動する信号発生器と、上記畠；子ビー
ム照射により試料から放出される２次電子を検出する電
子検出器と、この電子検出器の検出信号を採り込み信号
処理して上記試料のビーム照射部電位を求める信号処理
系と、上記信号発生器から’１ｌｌｔ圧惰号と共に出力
さ扛るサンプル信号に同・期して上記信号処理系への検
出信号採り込み’ｆｃ ｆｌｊｌ ａする探り内み制御
回路とを設けるようにしたものである。
本発明によれば、試料から放出されｆ：、２次電子を検
出して得られる２次官子検出信号を、試料の駆動信号に
同期させて信号処理することにより、ブランキング板、
プランキングア／ぞ−チャ及びブランキングドライツク
等のビームチョッピング機構を用いることなく試料の特
定位相状態での電位を測定することができる。このため
、電子光学−節の構成を簡略化し得ると共に、次の（１
）〜（４）のような効果が得られる。
出して得られる２次官子検出信号を、試料の駆動信号に
同期させて信号処理することにより、ブランキング板、
プランキングア／ぞ−チャ及びブランキングドライツク
等のビームチョッピング機構を用いることなく試料の特
定位相状態での電位を測定することができる。このため
、電子光学−節の構成を簡略化し得ると共に、次の（１
）〜（４）のような効果が得られる。
（１） レンズやアライメント等のパラメータが減る
ので、箱子光学樟筒の設計が容易となる。
ので、箱子光学樟筒の設計が容易となる。
（２） 出来上がった電子光学鏡筒の調整が簡易であ
る。
る。
（３）既存のＳＥ’Ｍ（走査型電子顕微中）に伺ら手を
加えることなく、装置の実現が可能である。
加えることなく、装置の実現が可能である。
（４）ビーム加速電圧を変えたときのブランキングＪｋ
’ｚ Ｊの変化及びそれに起因するノｆルスビーム照射
タイミングのずれと云った問題がない。
’ｚ Ｊの変化及びそれに起因するノｆルスビーム照射
タイミングのずれと云った問題がない。
第２図は本発明の一実施例を示す概略構成図である。図
中２１は電子銃で、この電子銃２ノから放射された甫、
子ビームは偏向コイル２２によシＸ方向（紙面左右方向
）及びＹ方向（紙面表裏方向）［＠向され、試料ステー
ジ２３上に載置されたＩＣ等の試料２４に照射される。
中２１は電子銃で、この電子銃２ノから放射された甫、
子ビームは偏向コイル２２によシＸ方向（紙面左右方向
）及びＹ方向（紙面表裏方向）［＠向され、試料ステー
ジ２３上に載置されたＩＣ等の試料２４に照射される。
この′成子ビーム照射によシ試料２４から放出された２
次電子は、シンチレータやフォトマル善からなる電子検
出器２５にて検出され、この検出信号は増幅器２６を介
してサンフ０ルホールド回路２７ＶＣ供給される。サン
プルホールド回路２７は後述する遅延器２８からの・や
ルスに同期して上記検出信号をサンプルホールドするも
のであり、このサンプルホールドされたアナログ信号は
アナログ・デジタル・コン・ぐ−タ（以下Ａ／Ｄと略記
する）２９によシデソタル信号に変換され画像メモＩＪ
３ｏに供給される。そして、画像メモＩＪ ｓ ｏに
書き込まれた情報が波形データ等にＰ、［され、ディス
プレイモニタ３）に表示されるものとなっている。
次電子は、シンチレータやフォトマル善からなる電子検
出器２５にて検出され、この検出信号は増幅器２６を介
してサンフ０ルホールド回路２７ＶＣ供給される。サン
プルホールド回路２７は後述する遅延器２８からの・や
ルスに同期して上記検出信号をサンプルホールドするも
のであり、このサンプルホールドされたアナログ信号は
アナログ・デジタル・コン・ぐ−タ（以下Ａ／Ｄと略記
する）２９によシデソタル信号に変換され画像メモＩＪ
３ｏに供給される。そして、画像メモＩＪ ｓ ｏに
書き込まれた情報が波形データ等にＰ、［され、ディス
プレイモニタ３）に表示されるものとなっている。
一方、コントロテルロノック３２はラスタジェネレータ
３３、・ぞターンジェネレータ３４及び咥帆器２８の各
動作を制御するものであり、前記偏向コイル２２の励磁
主γ７ｆｔはコントロールロジック３２から指令を受け
たラスタジェネレータ３３により可変される。また、ノ
やターンジェネレータ３４はコントロールロジック３２
からの指令により指定された・やターン（電圧信号）を
繰り返し発生すると共に、各周期でサンプル信号（同月
１・ぐルス）を出力す°るものであり、上記ｍ圧信号は
前記試料２４に印加され、さらに上言已サンプル信号は
遅延器２８に送られる。遅延器２８はコントロールロ・
シック３２からの指令によシその遅延時間を可変するも
のであり、この遅延器２８を介して遅延されたサンダル
信号は前記サンプルホールド回路２７に与えられるもの
となっている。
３３、・ぞターンジェネレータ３４及び咥帆器２８の各
動作を制御するものであり、前記偏向コイル２２の励磁
主γ７ｆｔはコントロールロジック３２から指令を受け
たラスタジェネレータ３３により可変される。また、ノ
やターンジェネレータ３４はコントロールロジック３２
からの指令により指定された・やターン（電圧信号）を
繰り返し発生すると共に、各周期でサンプル信号（同月
１・ぐルス）を出力す°るものであり、上記ｍ圧信号は
前記試料２４に印加され、さらに上言已サンプル信号は
遅延器２８に送られる。遅延器２８はコントロールロ・
シック３２からの指令によシその遅延時間を可変するも
のであり、この遅延器２８を介して遅延されたサンダル
信号は前記サンプルホールド回路２７に与えられるもの
となっている。
このように構成された本装置の作用を８１！３図（ａｌ
〜（ｃ）’Ｔｈ参照して説明する。いま、・ぐターンジ
ェネレータ３４から所定の・母ターン信号が周期的に送
られ、試料２４が駆動されているものとする。この状態
で試料２４に電子ビーム全照射すると、電子検出器２５
の検出信号も周期的波形、例えば第３図（ａ）に示す如
くなる。、一方、・臂ターンソエネレータ３４からは１
１前記神ターン信丹と共［Ｆ３図１ｂ＋に示すサンプル
信号が出力される。このサンプル信号は＋１１ （ＩＬ
器２８ｆＹ−通り時間τだけ遅れ、筺３図（ｃｌに示す
コマンド・やルスとｋリザンデルホールド回路２７に送
られ、これｅこよりサンプルホール動作が開始さ１する
。この間゛ｍ子ビーム照射位１８が固定であるから、サ
ンプルホールド回路２７では２次電子検出信号波形のＯ
”ｌ相τの部分のみ全繰り返しサンプルホールドするこ
とになる。そして、上記サンプルホー ルド信号をＡ／
Ｄ ２９によりデジモル化シた信号を画像メモＩＪ ３
ｏで順次力日算し、最後に平均をとることで検出信号の
Ｓ／Ｎを向上させることができる。このあと、さらに中
子ビーム照射位置を固定した状態で位相τ（遅延時間）
ｆｆ１ｌ１１次変えてサンプリングすｎ、げ、試料２
４のある特定の点における電位の時間的変化が観測さｎ
。
〜（ｃ）’Ｔｈ参照して説明する。いま、・ぐターンジ
ェネレータ３４から所定の・母ターン信号が周期的に送
られ、試料２４が駆動されているものとする。この状態
で試料２４に電子ビーム全照射すると、電子検出器２５
の検出信号も周期的波形、例えば第３図（ａ）に示す如
くなる。、一方、・臂ターンソエネレータ３４からは１
１前記神ターン信丹と共［Ｆ３図１ｂ＋に示すサンプル
信号が出力される。このサンプル信号は＋１１ （ＩＬ
器２８ｆＹ−通り時間τだけ遅れ、筺３図（ｃｌに示す
コマンド・やルスとｋリザンデルホールド回路２７に送
られ、これｅこよりサンプルホール動作が開始さ１する
。この間゛ｍ子ビーム照射位１８が固定であるから、サ
ンプルホールド回路２７では２次電子検出信号波形のＯ
”ｌ相τの部分のみ全繰り返しサンプルホールドするこ
とになる。そして、上記サンプルホー ルド信号をＡ／
Ｄ ２９によりデジモル化シた信号を画像メモＩＪ ３
ｏで順次力日算し、最後に平均をとることで検出信号の
Ｓ／Ｎを向上させることができる。このあと、さらに中
子ビーム照射位置を固定した状態で位相τ（遅延時間）
ｆｆ１ｌ１１次変えてサンプリングすｎ、げ、試料２
４のある特定の点における電位の時間的変化が観測さｎ
。
ることになる。また、位相τを固定にして我子ビームの
照射位＋＊２走査すれば、位相τでの走査領域内の電位
分布が７〜．測さｎ、ることになる。
照射位＋＊２走査すれば、位相τでの走査領域内の電位
分布が７〜．測さｎ、ることになる。
かくして本装置によれば、・やターンノエネレータ３４
からのサンプル信号を僻延器２８を通して遅延したサン
プルコマンド・マルスに同期して、２次電子検出信号を
サンプルホールド回路２７によりサンプルホールドし、
このサンプルホールド信号をＡ１０２９及び画像メモリ
３０等からなる信号処理系によシ信号処理することによ
り、試料の特定位相状態における試料電位を容易に測定
することができる。なお、前記遅延器２８はサンプルホ
ールド回路２７の動作時間遅れや信号の伝搬遅延の調整
等にも使われる。
からのサンプル信号を僻延器２８を通して遅延したサン
プルコマンド・マルスに同期して、２次電子検出信号を
サンプルホールド回路２７によりサンプルホールドし、
このサンプルホールド信号をＡ１０２９及び画像メモリ
３０等からなる信号処理系によシ信号処理することによ
り、試料の特定位相状態における試料電位を容易に測定
することができる。なお、前記遅延器２８はサンプルホ
ールド回路２７の動作時間遅れや信号の伝搬遅延の調整
等にも使われる。
すなわち、信号伝搬系の各−ヅ素での時間遅れが伴れば
、Ｉ￥延器２８に指定する遅延時間を加減してやること
によシ、特定の位相で正しいサンプリングが行える。
、Ｉ￥延器２８に指定する遅延時間を加減してやること
によシ、特定の位相で正しいサンプリングが行える。
第４図は他の実施例を示す概略構成図である。
なお、第２図と同一部分には同一符号を付して、その詳
しい説明は省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は、前記Ａ／Ｄｚｙ及び画像メモリ３０等の
信号処理系への２次電子検出信号の採り込みｆｆｊ制御
手段全変更したことである。すなわち、前記サンプルホ
ールド回路２７の代シにアナログスイッチ４１が用いら
れ、このスイッチ４ノを介した２次電子検出信号がｊ＋
’ｘ 分器４２及びサンプルホールド回路４３を介して
前記Ａ／Ｄ ２９に供給されるものとなっている。ここ
で、アナログスイッチ４ノは前記遅延器２９からのサン
プルコマンド・母ルスを入力したとき、一定時間だけＯ
Ｎするものである。
しい説明は省略する。この実施例が先に説明した実施例
と異なる点は、前記Ａ／Ｄｚｙ及び画像メモリ３０等の
信号処理系への２次電子検出信号の採り込みｆｆｊ制御
手段全変更したことである。すなわち、前記サンプルホ
ールド回路２７の代シにアナログスイッチ４１が用いら
れ、このスイッチ４ノを介した２次電子検出信号がｊ＋
’ｘ 分器４２及びサンプルホールド回路４３を介して
前記Ａ／Ｄ ２９に供給されるものとなっている。ここ
で、アナログスイッチ４ノは前記遅延器２９からのサン
プルコマンド・母ルスを入力したとき、一定時間だけＯ
Ｎするものである。
このような構成であっても先の実施例と同様の効果を奏
するのは勿論である。
するのは勿論である。
なお、本発明は上述した各実施例に限定されるものでは
ない。例えば、前記試料から放出さ汎た２次電子を検出
する電子検出器は、シンチレータ・フォトマルに限るも
のではなく、半導体検出器その他電子を検出できるもの
であればよい。さらに、前記偏向コイルの代シには静電
偏向板を用いることが可能である。また、２次電子検出
信号のサンプリング処理系も、仕様に応じて適宜変更す
ることが可能である。その他、本発明の続旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
ない。例えば、前記試料から放出さ汎た２次電子を検出
する電子検出器は、シンチレータ・フォトマルに限るも
のではなく、半導体検出器その他電子を検出できるもの
であればよい。さらに、前記偏向コイルの代シには静電
偏向板を用いることが可能である。また、２次電子検出
信号のサンプリング処理系も、仕様に応じて適宜変更す
ることが可能である。その他、本発明の続旨を逸脱しな
い範囲で、種々変形して実施することができる。
第１図は従来の電子ビームを用いた試料電位用１１定装
置を示す概略構成図、第２図は本発明の一実施例を示す
概略構成図、第３図（ａ）〜（ｃ）は上記実施例の作用
を説明するための信号鼓形図、第４図は他の実施例を示
す概略構成図である。 ２１・・・電子銃、２２・・・偏向コイル、２３・・・
試料ステージ、２４・・試料、２５・・・電子検出器、
２６・・・増幅器、２７・・・サンゾルホールド回路、
２８・・・遅延器、２９・・・アナログ・デジタル・コ
ンバータ、３０・・・画像メモリ、３１・・・ディスプ
レイモニタ、３２・・・コントロールロジック、３３・
・・ラスタジェネレータ、３４・・・・やターンノエネ
レータ、４１・・アナログスイッチ、４２・・・積分器
、４３・・・サンプルホールド回路。 出１顧人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 １ 第２図 第３図
置を示す概略構成図、第２図は本発明の一実施例を示す
概略構成図、第３図（ａ）〜（ｃ）は上記実施例の作用
を説明するための信号鼓形図、第４図は他の実施例を示
す概略構成図である。 ２１・・・電子銃、２２・・・偏向コイル、２３・・・
試料ステージ、２４・・試料、２５・・・電子検出器、
２６・・・増幅器、２７・・・サンゾルホールド回路、
２８・・・遅延器、２９・・・アナログ・デジタル・コ
ンバータ、３０・・・画像メモリ、３１・・・ディスプ
レイモニタ、３２・・・コントロールロジック、３３・
・・ラスタジェネレータ、３４・・・・やターンノエネ
レータ、４１・・アナログスイッチ、４２・・・積分器
、４３・・・サンプルホールド回路。 出１顧人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第１図 １ 第２図 第３図
Claims (3)
- （１）被測定試料に電子ビームを照射し、該試料から放
出される２次電子信号に基づいて試料の電位を非接触で
測定する試料電位測定装置において、上記試料に所定の
電圧信号全印加して該試料を駆動する信号発生器と、前
配電子ビーム照射によシ上記試料から放出される２次電
子を検出する電子検出器と、この電子検出器の検出信号
全課り込み該検出信号を信号処理して前記試料のビーム
照射部電位を求める信号処理系と、前記信号発生器から
電圧信号と共に出力されるサンプル信号に同期して上記
信号処理系への検出信号採シ込みを制御する採シ込み制
御回路とを具備して−なることを特徴とする電子ビーム
を用いた試料電位測定装置。 - （２）前記採り込み制御回路は、前記電子検出器と信号
処理系との間に設けられ、前記信号発生器から出力され
るサンプル信号に同動して上記電子検出器の検出信号を
サンプルホールドするサンプルホールド回路からなるも
のであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の
電子ビームを用いた試料電位測定装置。 - （３）前記採り込み制御回路は、前記電子検出器と信号
処理系との間に設けられ、前記信号発生器から出力され
るサンプル信号に同期して一定時間ＯＮするスイッチ回
路からなるものであること全特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の電子ビームを用いた試料電位測定装置０
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117230A JPS597270A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57117230A JPS597270A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS597270A true JPS597270A (ja) | 1984-01-14 |
Family
ID=14706603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57117230A Pending JPS597270A (ja) | 1982-07-06 | 1982-07-06 | 電子ビ−ムを用いた試料電位測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS597270A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260864A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-24 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 測定点の電圧の検出および画像化方法ならびに装置 |
| JPS6118846A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 修正信号発生装置 |
| US5371459A (en) * | 1991-07-15 | 1994-12-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays using parasitic currents |
-
1982
- 1982-07-06 JP JP57117230A patent/JPS597270A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60260864A (ja) * | 1984-05-30 | 1985-12-24 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 測定点の電圧の検出および画像化方法ならびに装置 |
| JPS6118846A (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-27 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 修正信号発生装置 |
| US5371459A (en) * | 1991-07-15 | 1994-12-06 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays using parasitic currents |
| US5414374A (en) * | 1991-07-15 | 1995-05-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for particle beam testing of substrates for liquid crystal displays (LCD) |
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