JPS5965929A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/735—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer characterised by the back layer
-
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- Paints Or Removers (AREA)
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体及びその製造方法に関する。一層
詳細には、電気メッキ、化学メッキ、真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング等により支持体上に強
磁性薄膜を形成させた薄膜型磁気記録媒体にバックコー
トすることにより摩擦係数を低下させ、蒸着面のカール
を押えた磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
詳細には、電気メッキ、化学メッキ、真空蒸着、スパッ
タリング、イオンブレーティング等により支持体上に強
磁性薄膜を形成させた薄膜型磁気記録媒体にバックコー
トすることにより摩擦係数を低下させ、蒸着面のカール
を押えた磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
現在、磁気テープはオーディオ、ビデオ、コンピュータ
ーの分野で広範囲に使用されるようになってきた。それ
に伴い、媒体に記録する情報頃も年々増加し、媒体には
記録密度の高いことがます磁気ヘッドを用いる現在の記
録方式においては、テープ−ヘッド間のスペーシング損
失は54.6Σ(aB)(a:テープ−ヘッド間距離、
λ:記録波長)で表わされる。この式かられかるように
、記録密度の高い短波長記録においては、スペーシング
による出力低下の割合が長波長のそれより著しく大きく
なる。従って、小さな異物がテープ表面上にあっても、
それがドロップアウトとして検出されることになる。
ーの分野で広範囲に使用されるようになってきた。それ
に伴い、媒体に記録する情報頃も年々増加し、媒体には
記録密度の高いことがます磁気ヘッドを用いる現在の記
録方式においては、テープ−ヘッド間のスペーシング損
失は54.6Σ(aB)(a:テープ−ヘッド間距離、
λ:記録波長)で表わされる。この式かられかるように
、記録密度の高い短波長記録においては、スペーシング
による出力低下の割合が長波長のそれより著しく大きく
なる。従って、小さな異物がテープ表面上にあっても、
それがドロップアウトとして検出されることになる。
ドロップアウトの原因として考えられるのは、くり返し
応力がかかることによる塗膜の劣化から生ずる磁気テー
プ塗膜表面の磁性粉脱落あるいは、走行中にベースが削
り取られたものや、ホコリ等が静電的にベース面に付着
しさらにそれが塗膜面に転移したものが挙げられる。こ
れらを防止するため、例えば後者の原因に対しては、磁
気テープの磁性面と反対の支持体表面(バンク面)&こ
、カーボンブラックあるいはグラファイト等を有機バイ
ンダーとともに混練した塗料を塗布したものや帯電防止
剤を塗布する等によりベースの帯電現象を少なくする、
あるいは酸化琺素等を有機バインダーとともに混練した
塗料を塗布し、ベースの強靭化をはかりベースの削れを
少なくする等の方法が考案されている。これらの処理に
より、くり返し走行に対するドロップアウト増加の傾向
はかなり抑えることができる。しかしながら、そのレベ
ルは、現状ではまだ完全とは言えず、さらに少なくする
必要がある。
応力がかかることによる塗膜の劣化から生ずる磁気テー
プ塗膜表面の磁性粉脱落あるいは、走行中にベースが削
り取られたものや、ホコリ等が静電的にベース面に付着
しさらにそれが塗膜面に転移したものが挙げられる。こ
れらを防止するため、例えば後者の原因に対しては、磁
気テープの磁性面と反対の支持体表面(バンク面)&こ
、カーボンブラックあるいはグラファイト等を有機バイ
ンダーとともに混練した塗料を塗布したものや帯電防止
剤を塗布する等によりベースの帯電現象を少なくする、
あるいは酸化琺素等を有機バインダーとともに混練した
塗料を塗布し、ベースの強靭化をはかりベースの削れを
少なくする等の方法が考案されている。これらの処理に
より、くり返し走行に対するドロップアウト増加の傾向
はかなり抑えることができる。しかしながら、そのレベ
ルは、現状ではまだ完全とは言えず、さらに少なくする
必要がある。
ドロップアウトをさらに少なくするため、その発生原因
を詳細に調べた結果、次の様なことがわかった。
を詳細に調べた結果、次の様なことがわかった。
バック層は走行回数を増してもドロップアウトが増加し
ないよう強靭であることが要求されるから、通常、熱硬
化型樹脂が結合剤として使用される。その場合、バック
層が塗布された後、テープは巻き取られ、熱硬化処理が
施されることになる。
ないよう強靭であることが要求されるから、通常、熱硬
化型樹脂が結合剤として使用される。その場合、バック
層が塗布された後、テープは巻き取られ、熱硬化処理が
施されることになる。
しかし、塗布が終った時点においては、バンク層中では
まだ硬化反応が始まっておらずその塗膜は弱く、しかも
バック面と磁性面とは密着状態であるため、バック層塗
膜中に充填されたカーボンブラック、グラファイト、あ
るいは他の無機充填剤を含んだバック面塗膜表面は、そ
れが接触している反対側の磁性層表面に転移し易く、そ
の転移したものがドロップアウトやヘッド目づまりの原
因となっていることがわかった。一方、バック層を磁性
層よりも先に塗布した場合も、バック層がベース而に転
移し易く、その転移したものが同様にドロップアウトや
ヘッド目づまりの原因となっていることがわかった。ま
たこの現象は熱可塑性樹脂であっても同様な現象が起り
つると考えられる。
まだ硬化反応が始まっておらずその塗膜は弱く、しかも
バック面と磁性面とは密着状態であるため、バック層塗
膜中に充填されたカーボンブラック、グラファイト、あ
るいは他の無機充填剤を含んだバック面塗膜表面は、そ
れが接触している反対側の磁性層表面に転移し易く、そ
の転移したものがドロップアウトやヘッド目づまりの原
因となっていることがわかった。一方、バック層を磁性
層よりも先に塗布した場合も、バック層がベース而に転
移し易く、その転移したものが同様にドロップアウトや
ヘッド目づまりの原因となっていることがわかった。ま
たこの現象は熱可塑性樹脂であっても同様な現象が起り
つると考えられる。
バック層を設けることにより、くり返し走行によりドロ
ップアウトの増加を抑えることはできるが、走行回数の
少ない段階においてドロップアウトがそれ程低くないの
はこの理由のためである。
ップアウトの増加を抑えることはできるが、走行回数の
少ない段階においてドロップアウトがそれ程低くないの
はこの理由のためである。
本発明は、バック層形成工程での上記のような不具合を
解消するため、放射線感応樹脂(放射線の照射で硬化し
つる樹脂)をバインダーとしてカーボンブラックまたは
グラファイトあるいは他の無機充填剤と混練した塗料で
バック層を形成した後活性エネルギー線源により放射線
を照射し、硬化処理を施すか、あるいはそのまま表面処
理を行った後硬化処理を施し、バック層中に三次元架橋
を生じさせ、強靭な塗膜とした後、そのテープを巻き取
ることにより、上記のような原因によるドロップアウト
を減少させるものである。この方法によれば、バック層
と磁性層のいずれかの塗布が先であっても、テープが巻
き取られるのは塗膜の性層への転移は起きない。
解消するため、放射線感応樹脂(放射線の照射で硬化し
つる樹脂)をバインダーとしてカーボンブラックまたは
グラファイトあるいは他の無機充填剤と混練した塗料で
バック層を形成した後活性エネルギー線源により放射線
を照射し、硬化処理を施すか、あるいはそのまま表面処
理を行った後硬化処理を施し、バック層中に三次元架橋
を生じさせ、強靭な塗膜とした後、そのテープを巻き取
ることにより、上記のような原因によるドロップアウト
を減少させるものである。この方法によれば、バック層
と磁性層のいずれかの塗布が先であっても、テープが巻
き取られるのは塗膜の性層への転移は起きない。
本発明で用いる放射線感応樹脂とは、放射線によりラジ
カルを発生し架橋構造を生じるような、分子鎖中に不飽
和2重結合を2個以上含むものであり、これはまた熱可
塑性樹脂を放射線感応変性することによっても可能であ
る。
カルを発生し架橋構造を生じるような、分子鎖中に不飽
和2重結合を2個以上含むものであり、これはまた熱可
塑性樹脂を放射線感応変性することによっても可能であ
る。
放射線感応変性の具体例としては、ラジカル重合性を有
する不飽和二重結合を示すアクリル酸。
する不飽和二重結合を示すアクリル酸。
メタクリル、酸あるいはそれらのエステル化合物のよう
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の放射線照射による架橋あるいは重合乾燥す
る基を分子中に導入することである。
なアクリル系二重結合、ジアリルフタレートのようなア
リル系二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不
飽和結合等の放射線照射による架橋あるいは重合乾燥す
る基を分子中に導入することである。
その低放射線照射により架橋重合する不飽和二重結合で
あれば用いる事が出来る。
あれば用いる事が出来る。
放射線感応樹脂に変性できる熱可塑性樹脂を以下に示ず
。
。
(1)塩化ビニール系共重合体
塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニルアルコール共重合体、 1
m化ヒニールービニルアルコーループロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−末端0Hll
Jillアルキル基共重合体、たとえばUCC社yRo
H,V’YNC,(vYEGX等またUcc社VERR
等が挙げられる。
合体、塩化ビニール−ビニルアルコール共重合体、 1
m化ヒニールービニルアルコーループロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−末端0Hll
Jillアルキル基共重合体、たとえばUCC社yRo
H,V’YNC,(vYEGX等またUcc社VERR
等が挙げられる。
上記共重合体に後に述べる手法により、アクリル系二重
結合、マレイン酸系二重結合、アリル系二重結合を導入
し・放射線感応変性を行う。
結合、マレイン酸系二重結合、アリル系二重結合を導入
し・放射線感応変性を行う。
(II)飽和ポリエステル樹脂
7タル酸、イソフクル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸とエチレン
グリコール、ジエチレングリ:7−ル、グリセリン、ト
リメチロールプロパン。
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸とエチレン
グリコール、ジエチレングリ:7−ル、グリセリン、ト
リメチロールプロパン。
1.2プロピレングリコール、l、3ブタンジオール、
ジプロピレングリフール、1,4ブタンジオール、1,
6ヘキサンジオール、インクエリスリット、ソルビトー
ル、グリセリン、ネオペンチルグリコール、l、4シク
ロヘキサンジメタツールのような多価アルコールとのエ
ステル結合により得られる飽和ポリエステル樹脂又はこ
れらのポリエステル樹脂を5o3Na等で変性した樹脂
(バイロン53S)。これらを後に述べる手法により放
射線感応変性を行なう。
ジプロピレングリフール、1,4ブタンジオール、1,
6ヘキサンジオール、インクエリスリット、ソルビトー
ル、グリセリン、ネオペンチルグリコール、l、4シク
ロヘキサンジメタツールのような多価アルコールとのエ
ステル結合により得られる飽和ポリエステル樹脂又はこ
れらのポリエステル樹脂を5o3Na等で変性した樹脂
(バイロン53S)。これらを後に述べる手法により放
射線感応変性を行なう。
m)不飽和ポリエステル樹脂
分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば第(L)項の熱可塑性樹脂とし
て記載の多塩基酸と多価アルコールのエステル結合から
成る飽和ポリエステル樹脂で多塩基酸の一部をマレイン
酸としか放射線硬化性不飽和二重結合を含有する不飽和
ポリエステル樹脂、プレポリマー、オリゴマーを挙げる
ことができる。
エステル化合物、例えば第(L)項の熱可塑性樹脂とし
て記載の多塩基酸と多価アルコールのエステル結合から
成る飽和ポリエステル樹脂で多塩基酸の一部をマレイン
酸としか放射線硬化性不飽和二重結合を含有する不飽和
ポリエステル樹脂、プレポリマー、オリゴマーを挙げる
ことができる。
飽和ボIJ エステル樹脂の多塩基酸および多価アルコ
ール成分は第(1)項に記載した各化合物を挙げること
ができ、放射線硬化性不飽和二重結合としてはマレイン
酸、フマル酸等を挙げることができる。
ール成分は第(1)項に記載した各化合物を挙げること
ができ、放射線硬化性不飽和二重結合としてはマレイン
酸、フマル酸等を挙げることができる。
放’J、1線硬化性不飽和ポリエステル樹脂の製法は、
多塩基酸成分1種以上と多価アルコール成分1種以上に
マレイン酸、フマル酸等を加え常法、すなわち触媒存在
]、 80〜200°C窒素テ囲気下脱水あるいは脱ア
ルコール反応の後、240〜280°Cまで昇温し、0
.5〜1 mm Hg の減圧下縮合反応によりポリ
エステル樹脂を得ることができる。マレイン酸やフマル
酸等の含有量は、製造時の架橋。
多塩基酸成分1種以上と多価アルコール成分1種以上に
マレイン酸、フマル酸等を加え常法、すなわち触媒存在
]、 80〜200°C窒素テ囲気下脱水あるいは脱ア
ルコール反応の後、240〜280°Cまで昇温し、0
.5〜1 mm Hg の減圧下縮合反応によりポリ
エステル樹脂を得ることができる。マレイン酸やフマル
酸等の含有量は、製造時の架橋。
放射線硬化性等から酸成分中1〜40モル%で好ましく
は10〜30モル%である。
は10〜30モル%である。
(■)ボリヒニルアルコール系樹脂
ボリヒニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ポルマール樹脂及びこれらの成分の共重合体。これ
ら樹脂中に含まれる水酸基を後に述べる手法により放射
線感応化変性を行なう。
脂、ポルマール樹脂及びこれらの成分の共重合体。これ
ら樹脂中に含まれる水酸基を後に述べる手法により放射
線感応化変性を行なう。
(■)エポキシ系樹脂、フェノキシ樹脂ビスフェノール
Aとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリンの
反応によるエポキシ樹脂−シエル化学製(エピフート1
52,1.54゜828、 ]、oo1,1004.1
007)ダウケミカル製(DEN431.DER732
,I)EH11,1゜DER331)、人1:1本イン
キ製(エピクロン400゜エピクロン−5OO)、更に
上記エポキシの高重合度樹脂であるUCC社製フェノキ
シ樹脂(P K HA 。
Aとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリンの
反応によるエポキシ樹脂−シエル化学製(エピフート1
52,1.54゜828、 ]、oo1,1004.1
007)ダウケミカル製(DEN431.DER732
,I)EH11,1゜DER331)、人1:1本イン
キ製(エピクロン400゜エピクロン−5OO)、更に
上記エポキシの高重合度樹脂であるUCC社製フェノキ
シ樹脂(P K HA 。
PKHC!、PKHH)臭素化ヒスフェノールAとエピ
クロルヒドリンとの共重合体2人に1本インキ化学工業
製(エピクロン145,152,153゜1120)等
。
クロルヒドリンとの共重合体2人に1本インキ化学工業
製(エピクロン145,152,153゜1120)等
。
これら樹脂中に含まれるエポキシ基を利用して、放射線
感応変性を行う。
感応変性を行う。
(Vl)繊維素誘導体
各種分子量の繊Mt、素系誘導体も、また熱可塑性プラ
スチック成分として効果的である。その中でも、特に効
果的なものは關化綿、セルロース゛アセトブチレー1−
、エチルセルローズ、ブチルセルローズ、アセチルセ
ルロース等が好適であり、樹脂中の水酸基を活用して後
に述べる手法により放射線感応変性を71なう。
スチック成分として効果的である。その中でも、特に効
果的なものは關化綿、セルロース゛アセトブチレー1−
、エチルセルローズ、ブチルセルローズ、アセチルセ
ルロース等が好適であり、樹脂中の水酸基を活用して後
に述べる手法により放射線感応変性を71なう。
その他、放射性感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂及び誘導体(PvPオ
レフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂
、フェノール樹脂。
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂及び誘導体(PvPオ
レフィン共重合体)、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂
、フェノール樹脂。
スピロアセタール樹脂、水酸基を含有するアクリルエス
テル及びメタクリルエステルを少なくとも一種以上重合
成分として含むアクリル系樹脂等も有効である。
テル及びメタクリルエステルを少なくとも一種以上重合
成分として含むアクリル系樹脂等も有効である。
さらに」二記放射線感応変性熱可塑性樹脂に熱可塑性エ
ラストマー又はプレポリマーをブレンドすることにより
、一層強靭な塗膜とすることができる。さらに、下記に
述べるように、これらエラストマーあるいはプレポリマ
ーが、同様に放射線感応性に変性された場合は、より効
果的である。以下に、」二記放射線感応樹脂と組み合わ
せることのテキルエラストマー又はプレポリマーを挙げ
る。
ラストマー又はプレポリマーをブレンドすることにより
、一層強靭な塗膜とすることができる。さらに、下記に
述べるように、これらエラストマーあるいはプレポリマ
ーが、同様に放射線感応性に変性された場合は、より効
果的である。以下に、」二記放射線感応樹脂と組み合わ
せることのテキルエラストマー又はプレポリマーを挙げ
る。
(1)ポリウレタンエラストマー及びプレポリマー及び
テロマー ポリウレタンエラストマーの使用は、耐摩耗性。
テロマー ポリウレタンエラストマーの使用は、耐摩耗性。
PETフィルムへの接着性が良い点て特に有効である。
このようなウレタン化合物の例としては、イソシアネー
トとして、2,4−トルエンジイソシアネ−)’、2.
64ルエンジイソシアネー1’ + 1− + 3−
キシレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシ
アネート、l、5−ナフタレンジイソシアイ・−)、m
−フェニレンジイソシアネート、P−フエニレンジイソ
シアネー)、3.3’−ジメチル 4,4′−ジフェニ
ルメタンジイソシアネ−1・、4,4.’−ジフェニル
メタンジイソシアネート、 3.3’−ジメチルビフェ
ニレンジイソシアネート、 4.4’−ビフェニレンジ
イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イ
ンフオロンジイソシアネー1・、ジンクIJ−,ギンル
メタンジイソシアネート、テスモシュール■1.テスモ
ジュールN等の各種多価イソシアネートと・線状飽和ポ
リエステル(エチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、グリセリン、トリメチロールブロノ(ン、1.4−
ブタンジオール、1,6−ヘキジンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビト−ル、ネオペンチルグリコール、
1,4−シクロヘキザンジメタノールの様な多価アリコ
ールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハ
ク酸、アジピン酸、セバシン酸 の様な飽和多塩基酸と
の縮重合によるもの)、線状飽和ポリエーテル(ポリエ
チレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテ
トラエチレングリコール)やカプロラクタム、ヒドロキ
シル含有アクリル酸エステル、ヒドロキシル含有メタア
クリル酸エステル等の各種ポリエステル類の縮重合物よ
り成るポリウレタンエラストマー、プレポリマ〜、テロ
マーが有効である。
トとして、2,4−トルエンジイソシアネ−)’、2.
64ルエンジイソシアネー1’ + 1− + 3−
キシレンジイソシアネート、1,4−キシレンジイソシ
アネート、l、5−ナフタレンジイソシアイ・−)、m
−フェニレンジイソシアネート、P−フエニレンジイソ
シアネー)、3.3’−ジメチル 4,4′−ジフェニ
ルメタンジイソシアネ−1・、4,4.’−ジフェニル
メタンジイソシアネート、 3.3’−ジメチルビフェ
ニレンジイソシアネート、 4.4’−ビフェニレンジ
イソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イ
ンフオロンジイソシアネー1・、ジンクIJ−,ギンル
メタンジイソシアネート、テスモシュール■1.テスモ
ジュールN等の各種多価イソシアネートと・線状飽和ポ
リエステル(エチレングリコール、ジエチレングリコー
ル、グリセリン、トリメチロールブロノ(ン、1.4−
ブタンジオール、1,6−ヘキジンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビト−ル、ネオペンチルグリコール、
1,4−シクロヘキザンジメタノールの様な多価アリコ
ールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハ
ク酸、アジピン酸、セバシン酸 の様な飽和多塩基酸と
の縮重合によるもの)、線状飽和ポリエーテル(ポリエ
チレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテ
トラエチレングリコール)やカプロラクタム、ヒドロキ
シル含有アクリル酸エステル、ヒドロキシル含有メタア
クリル酸エステル等の各種ポリエステル類の縮重合物よ
り成るポリウレタンエラストマー、プレポリマ〜、テロ
マーが有効である。
これらのエラストマーを放射線感応性の各種熱可塑性プ
ラスチックスとそのまま組合せても良いが、史にウレタ
ンエラストマーの末端のイソシアネート基又は水酸基と
反応するアクリル系二重結合又はアリル系二重結合等を
有する弔量体と反応させることにより、放射線感応′l
/1.に変性することは非常に効果的である。
ラスチックスとそのまま組合せても良いが、史にウレタ
ンエラストマーの末端のイソシアネート基又は水酸基と
反応するアクリル系二重結合又はアリル系二重結合等を
有する弔量体と反応させることにより、放射線感応′l
/1.に変性することは非常に効果的である。
(II)アクリルニトリル−ブタジェン共重合エラスト
マー シンクレアベトロケミカル社製ポリBDリクィットレジ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマー、あるいはH本ゼ
オン礼製ハイカー1432J等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカルを生し
架橋及び重合させるエラストマー成分として適する。
マー シンクレアベトロケミカル社製ポリBDリクィットレジ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマー、あるいはH本ゼ
オン礼製ハイカー1432J等のエラストマーは、特に
ブタジェン中の二重結合が放射線によりラジカルを生し
架橋及び重合させるエラストマー成分として適する。
(In)ポリブタジェンエラストマー
シンクレアベトロケミカル社製ポリEDリクィッドレジ
ンR−15等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが特に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適である。R
−15プレポリマーにおいテハ分子−末端が水酸ノ山と
なっているため分子末端をアクリル系小飽和二屯結合を
(=J加することにより放射線感応性を高V)ることが
i+J能てあり、バインダーとして史にイ1刊となる。
ンR−15等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが特に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適である。R
−15プレポリマーにおいテハ分子−末端が水酸ノ山と
なっているため分子末端をアクリル系小飽和二屯結合を
(=J加することにより放射線感応性を高V)ることが
i+J能てあり、バインダーとして史にイ1刊となる。
また、ポリブタジェンの環化物11本合成コム製C’J
3 R−M 901も熱可塑性樹脂との組合せによりす
ぐれた性能を発揮する。特に、環化されたポリブタジェ
ンは、ポリブタジェン本来のイj”する不飽和結合のラ
ジカルにより放射線による架橋重合の効率が良く、バイ
ンダーとして優れた性質を有している。
3 R−M 901も熱可塑性樹脂との組合せによりす
ぐれた性能を発揮する。特に、環化されたポリブタジェ
ンは、ポリブタジェン本来のイj”する不飽和結合のラ
ジカルにより放射線による架橋重合の効率が良く、バイ
ンダーとして優れた性質を有している。
その低熱用塑性ニジストマー及びそのプレポリマーの系
で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンコノ\+
塩化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環化
物(IA本合成ゴム製ClR701:があり、エボギシ
変性ゴム、内部IIf塑化胞化飽和線状ポリエステル洋
紡バイロン4PL30o)、等のエラストマーも下記に
述べる放射線感応変性処理をほどこすことにより有効G
こ利用できる。
で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンコノ\+
塩化ゴム、アクリルゴム、イソプレンゴム及びその環化
物(IA本合成ゴム製ClR701:があり、エボギシ
変性ゴム、内部IIf塑化胞化飽和線状ポリエステル洋
紡バイロン4PL30o)、等のエラストマーも下記に
述べる放射線感応変性処理をほどこすことにより有効G
こ利用できる。
次に、放射線感応性バインダー合成例を説明する。
トリレンジイソシアネートのアグクトの製法a)塩化ビ
ニール酢酸ビニール共重合系樹脂(放射線感応変性樹脂
)のアクリル変性体の合成ビニライトVAGH’750
部とトルエン」250部シクロへキサノン500部を5
ノ4つ1−1フラスコに仕込み加熱溶解し、80°C昇
n1M後トリレンジイソシアネートの2−ヒト1ツキジ
エチルメタアクリレ−ドアタクトを61.4部加え、更
にオクチル酸スズ0.012部、ハイドロキノン0.0
12部加え800CてNよ気流中NCO反応率か90%
となるまで反bd:せしめる。反応終了後冷却し、メチ
ルエヂルヶトン1250部を加えイや釈する。
ニール酢酸ビニール共重合系樹脂(放射線感応変性樹脂
)のアクリル変性体の合成ビニライトVAGH’750
部とトルエン」250部シクロへキサノン500部を5
ノ4つ1−1フラスコに仕込み加熱溶解し、80°C昇
n1M後トリレンジイソシアネートの2−ヒト1ツキジ
エチルメタアクリレ−ドアタクトを61.4部加え、更
にオクチル酸スズ0.012部、ハイドロキノン0.0
12部加え800CてNよ気流中NCO反応率か90%
となるまで反bd:せしめる。反応終了後冷却し、メチ
ルエヂルヶトン1250部を加えイや釈する。
Xトリレンジイソシアネ−1−(T D 1. )の2
−ヒトロギシエチルメタアクリレ−1・(2HE Iv
lOアダクトの製法 トリレンジイソシアネ−1・345部をNL気流中1)
の4つ[1フラスコ内で80°Cに加熱後、2−ヘキサ
エチレンメタアクリレート260部、オクチル酸スズ0
.07部、ハイドロキノン0.05部を反応缶内の温度
が80〜85°Cとなるように冷却コントIJ−ルしな
から滴下終了後80°Cで3時間攪拌し反応を完結させ
る。反応終了後取り出して冷却後白色ペースト状のT
D 工の2HEMAを得た。
−ヒトロギシエチルメタアクリレ−1・(2HE Iv
lOアダクトの製法 トリレンジイソシアネ−1・345部をNL気流中1)
の4つ[1フラスコ内で80°Cに加熱後、2−ヘキサ
エチレンメタアクリレート260部、オクチル酸スズ0
.07部、ハイドロキノン0.05部を反応缶内の温度
が80〜85°Cとなるように冷却コントIJ−ルしな
から滴下終了後80°Cで3時間攪拌し反応を完結させ
る。反応終了後取り出して冷却後白色ペースト状のT
D 工の2HEMAを得た。
b)ブチラール樹脂アクリル変性体の合成<放射線+6
1+i;変性樹脂) ブチラール樹脂積水化学製BM−3100部をトルエン
191 、2部シクロへキサノン71 、4 部L5ノ
4つ[1フラスコに仕込み加熱溶解し800C昇濡後ト
リレンジイソシアネートの2−ヒドロキシエチルメタア
クリレートアダクトを7.4部加え、更にオクチル酸ス
ズ0.015部、ハイドロキノン0.015部を加え、
80°CでN、気流中NCo反応率が90%以上となる
まで反応せしめる。反応終了後冷却しメチルエチルケト
ンにて叶釈する。
1+i;変性樹脂) ブチラール樹脂積水化学製BM−3100部をトルエン
191 、2部シクロへキサノン71 、4 部L5ノ
4つ[1フラスコに仕込み加熱溶解し800C昇濡後ト
リレンジイソシアネートの2−ヒドロキシエチルメタア
クリレートアダクトを7.4部加え、更にオクチル酸ス
ズ0.015部、ハイドロキノン0.015部を加え、
80°CでN、気流中NCo反応率が90%以上となる
まで反応せしめる。反応終了後冷却しメチルエチルケト
ンにて叶釈する。
C)飽和ポリエステル樹脂アクリル変性体の合成(放射
線感応変性樹脂) 東洋紡製バイロンRV−200100部をトルエン11
6部、メチルエチルケトン116部に加熱溶解し800
C昇濡後TD工の2HEMAアダクトを3=455m加
え、オクチル酸スズO、OO’7m、ハイドロキノン0
.00部部を添加し、N2気流中8000でNCO反応
率90%麿上となるまで反応せしめる。
線感応変性樹脂) 東洋紡製バイロンRV−200100部をトルエン11
6部、メチルエチルケトン116部に加熱溶解し800
C昇濡後TD工の2HEMAアダクトを3=455m加
え、オクチル酸スズO、OO’7m、ハイドロキノン0
.00部部を添加し、N2気流中8000でNCO反応
率90%麿上となるまで反応せしめる。
d)エポキシ樹脂アクIJ /し変性体の合成(放射線
感応変性樹脂) シェル化学製エピコート〕、ooワ 400部をトルエ
ン50部MEK50部に加熱溶解後N N−’;メチル
ベンジルアミンo、oo6部、ハイドロキノン0.00
3部を添加し800Cとし、アクリル酸69部を滴下し
800Cで酸価5以下となるまで反応せしめる。
感応変性樹脂) シェル化学製エピコート〕、ooワ 400部をトルエ
ン50部MEK50部に加熱溶解後N N−’;メチル
ベンジルアミンo、oo6部、ハイドロキノン0.00
3部を添加し800Cとし、アクリル酸69部を滴下し
800Cで酸価5以下となるまで反応せしめる。
e)ウレタンエラストマーアクリル変性体の合成(放射
線感応エラストマー) 末端インシアネートのジフェニルメタンジイソシア*−
) CMDI )Jウレタンプレポリマ一本ポリウレタ
ン製ニツボラン4040)250部、2HEMA32.
5部、ハイドロキノンO、07部、オクチル酸スズ0.
009部を反応缶に入れ、80。
線感応エラストマー) 末端インシアネートのジフェニルメタンジイソシア*−
) CMDI )Jウレタンプレポリマ一本ポリウレタ
ン製ニツボラン4040)250部、2HEMA32.
5部、ハイドロキノンO、07部、オクチル酸スズ0.
009部を反応缶に入れ、80。
Cに加熱溶解後TD工43.5部を反応缶内の温度が8
0〜90°Cとなる様に冷却しながら滴下し、滴下終了
後80°CでNCO反応率95%以上となるまで反応せ
しめる。
0〜90°Cとなる様に冷却しながら滴下し、滴下終了
後80°CでNCO反応率95%以上となるまで反応せ
しめる。
f)ポリエーテル系末端ウレタン変性エラストマーアク
リル変性体の合成(放射線感応エラストマー) 日本ポリウレタン社製ポリエーテルPTG−50025
0部、2HEMA32,5部、ハイドロキノン0、OO
’7部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ8
00Cに加熱溶解後TD工43.5部を反応缶内の湿度
が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し、滴
下終了後80°CでNCO反応率95%以上となるまで
反応せしめる。
リル変性体の合成(放射線感応エラストマー) 日本ポリウレタン社製ポリエーテルPTG−50025
0部、2HEMA32,5部、ハイドロキノン0、OO
’7部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ8
00Cに加熱溶解後TD工43.5部を反応缶内の湿度
が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し、滴
下終了後80°CでNCO反応率95%以上となるまで
反応せしめる。
g)ポリブタジェンエラストマーアクリル変性体の合成
(放射線感応エラストマー) シンクレアベトロケミカル社製低分子量末端水酸基ポリ
ブクジエンポリBDリクイットレジンR−15 25
0部、2HKMA32.5部、ハイドロキノン0.00
7部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ・8
00C!に加熱溶解後T’D143.5部を反応缶内の
温度が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し
、滴下終了後800CでNCO反応率95%以上となる
まで反応せしめる。
(放射線感応エラストマー) シンクレアベトロケミカル社製低分子量末端水酸基ポリ
ブクジエンポリBDリクイットレジンR−15 25
0部、2HKMA32.5部、ハイドロキノン0.00
7部、オクチル酸スズ0.009部を反応缶に入れ・8
00C!に加熱溶解後T’D143.5部を反応缶内の
温度が80〜90°Cとなるように冷却しながら滴下し
、滴下終了後800CでNCO反応率95%以上となる
まで反応せしめる。
以上の変性体の他に高分子には放射線照射により崩壊す
るものと分子間に架橋を起こすものが知られている。分
子間に架橋を起こすものとしては、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン。
るものと分子間に架橋を起こすものが知られている。分
子間に架橋を起こすものとしては、ポリエチレン、ポリ
プロピレン、ポリスチレン。
ポリアクリル酸エステル、ポリアクリルアミド。
ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリビニルピロリドン
ゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインがある
。この様な架橋型ポリマーであれば上記のような変性を
特に施さなくても、架橋反応が起きるので、そのまま放
射線架橋用バックコート樹脂として使用可能である。
ゴム、ポリビニルアルコール、ポリアクロレインがある
。この様な架橋型ポリマーであれば上記のような変性を
特に施さなくても、架橋反応が起きるので、そのまま放
射線架橋用バックコート樹脂として使用可能である。
さらにまた、この方法によれば溶剤を使用しない無溶剤
型の樹脂であっても短時間で硬化することができるので
、この様な樹脂をバックコート川として用いることもで
きる。
型の樹脂であっても短時間で硬化することができるので
、この様な樹脂をバックコート川として用いることもで
きる。
また、本発明のバンクコートの架橋に使用する活性エネ
ルギー線としては、放射線加速器を線源とした電子線、
Co″を線源とした r−線、 Sr”を線源とした
β−線、X線発生器を線源としたX−線あるいは紫外線
等か使用される。
ルギー線としては、放射線加速器を線源とした電子線、
Co″を線源とした r−線、 Sr”を線源とした
β−線、X線発生器を線源としたX−線あるいは紫外線
等か使用される。
特に開削線源としては吸収線量の制御、製造工程ライン
への導入、電離放射線の遮閉等の見地から放射線加熱器
により放射線を使用する方法が有利である。
への導入、電離放射線の遮閉等の見地から放射線加熱器
により放射線を使用する方法が有利である。
バンク層を硬化する際に使用する放射線特性としては、
透過力の面から加速電圧100〜’750KV好ましく
は150〜300 KVの放射線加速器を用い吸収線I
Lを0.5〜20メガラッドになるように照射するのが
好都合である。
透過力の面から加速電圧100〜’750KV好ましく
は150〜300 KVの放射線加速器を用い吸収線I
Lを0.5〜20メガラッドになるように照射するのが
好都合である。
本発明のバック層硬化に際しては、米国エナージーサイ
エンス社にて製造されている低線量タイプの放射線加速
器(エレクトロカーテンシステム)等がテープコーティ
ング加エラインへの導入、加速器内部の2次X線の遮蔽
等に極めて有利である。
エンス社にて製造されている低線量タイプの放射線加速
器(エレクトロカーテンシステム)等がテープコーティ
ング加エラインへの導入、加速器内部の2次X線の遮蔽
等に極めて有利である。
もちろん、従来より放射線加速材として広く活用されて
いるところのファンデグラフ型加速器を使用しても良い
。
いるところのファンデグラフ型加速器を使用しても良い
。
また、放射線架橋に際しては、NLガスHeガス等の不
活性ガス気流中で放射線をバック層に照射することが重
要であり、空気中で放射線を照射することは、バインダ
ー成分の架橋に際し放射線照射により生じたOJ等の影
響でポリマー中に生じたラジカルが有利に架橋反応に働
くIJ1を阻害するので極めて不利である。
活性ガス気流中で放射線をバック層に照射することが重
要であり、空気中で放射線を照射することは、バインダ
ー成分の架橋に際し放射線照射により生じたOJ等の影
響でポリマー中に生じたラジカルが有利に架橋反応に働
くIJ1を阻害するので極めて不利である。
従って、活性エネルギー線を照射する部分の雰囲気は、
特に酸素濃度が最大で5%のNL、He。
特に酸素濃度が最大で5%のNL、He。
CO,等の不活性ガス寄囲気に保つことが重要となる。
また、本発明でバック層中に」二記結合拐とともに使用
される充填材としては、導電性のある、l)グラファイ
ト、カーボンブラック、また2)無機充填材としては、
Sin、、 Tie、、 AコJOj+ Cr2O3,
5j−C,Ca、CO,。
される充填材としては、導電性のある、l)グラファイ
ト、カーボンブラック、また2)無機充填材としては、
Sin、、 Tie、、 AコJOj+ Cr2O3,
5j−C,Ca、CO,。
酸化亜鉛、ゲーサイト、αFe、01.タルク、カオリ
ン+ OaS’04. 窒化、fJJI素、テフロン粉
末、フッ化黒鉛、二硫化モリブデンがある。この様な充
填材の使用量はl)に関してはバインダー100重は部
に対して20〜100部、又2)に関しては10〜30
0部が適当であり、充填材量があまり多くなると、塗膜
がもろくなり、かえってドロップアウトが多くなるとい
う欠点が生じる。
ン+ OaS’04. 窒化、fJJI素、テフロン粉
末、フッ化黒鉛、二硫化モリブデンがある。この様な充
填材の使用量はl)に関してはバインダー100重は部
に対して20〜100部、又2)に関しては10〜30
0部が適当であり、充填材量があまり多くなると、塗膜
がもろくなり、かえってドロップアウトが多くなるとい
う欠点が生じる。
さらに、この様なバック層を設けるべき磁気テープとし
ては、オーディオテープ、ビデオテープ。
ては、オーディオテープ、ビデオテープ。
コンピューター用テープ、エンドレステープがあルカ、
中でも、ドロップアウトが最も重要な特性の1つである
ビデオテープ・コンピューター用テープに用いることは
かなり有効である。
中でも、ドロップアウトが最も重要な特性の1つである
ビデオテープ・コンピューター用テープに用いることは
かなり有効である。
なお、強磁性薄膜磁気記録媒体は、電気メッキ。
化学メッキ、真空蒸着、スパッタリング、イオンブレー
ティング等によって得られるが真空蒸着法による場合を
示すと、コバルト/ニッケル(原子比8/2)の合金イ
ンゴットを準備し、真空蒸着法ニより長尺の強磁性薄膜
をポリエチレンテレフタレートのベースの上に形成する
。蒸着は電子線加熱により行ない、中心入射角が70°
のいわゆる斜め蒸着法を採用する。ベースフィルム冷却
用に円筒キャンを用い、冷却温度を5°Cに保つ。真空
槽を3 X 10−’ Paまで排気し、これに酸素ガ
スを圧力が6.3×lO−’Paになるまで導入して蒸
着を行なう。電子銃に与えるパワーとベースフィルムの
駆動速度を調整することによって膜厚が約800人とな
るようにする。
ティング等によって得られるが真空蒸着法による場合を
示すと、コバルト/ニッケル(原子比8/2)の合金イ
ンゴットを準備し、真空蒸着法ニより長尺の強磁性薄膜
をポリエチレンテレフタレートのベースの上に形成する
。蒸着は電子線加熱により行ない、中心入射角が70°
のいわゆる斜め蒸着法を採用する。ベースフィルム冷却
用に円筒キャンを用い、冷却温度を5°Cに保つ。真空
槽を3 X 10−’ Paまで排気し、これに酸素ガ
スを圧力が6.3×lO−’Paになるまで導入して蒸
着を行なう。電子銃に与えるパワーとベースフィルムの
駆動速度を調整することによって膜厚が約800人とな
るようにする。
このようにして得られる強磁性薄膜は保磁力が約100
00e、Br が約8000Gとなりビデオ用の磁気記
録媒体として好都合なものが得られる。
00e、Br が約8000Gとなりビデオ用の磁気記
録媒体として好都合なものが得られる。
以下、本発明の実施例について述べる。
実施例1゜
カーボンブラック
(試作品) 30部アクリ
ル変性ポリウレタンエラストマー(試作品)
20部混合溶剤(Mより K /
)ルエン=1/]、) 300部上記混合物をボール
ミル中5時間分散させ、磁性面が形成されているポリエ
ステルフィルムの裏面に乾燥厚3μになるように塗布し
、エレクトロカーテンタイプ電子線加速装置を用いて加
速’fu IJ・、’150KV、電極電流10mA、
吸収線量10 M rad。
ル変性ポリウレタンエラストマー(試作品)
20部混合溶剤(Mより K /
)ルエン=1/]、) 300部上記混合物をボール
ミル中5時間分散させ、磁性面が形成されているポリエ
ステルフィルムの裏面に乾燥厚3μになるように塗布し
、エレクトロカーテンタイプ電子線加速装置を用いて加
速’fu IJ・、’150KV、電極電流10mA、
吸収線量10 M rad。
N7ガス中で電r−線をバック層に照射し、硬化を行っ
た後巻き取り、l/2′ビテオl1lfflに切断し、
vHSテ’7 キ&、−てl’ oツブアウトを4川定
した。このサンプルをA ]とする。
た後巻き取り、l/2′ビテオl1lfflに切断し、
vHSテ’7 キ&、−てl’ oツブアウトを4川定
した。このサンプルをA ]とする。
実施例2゜
Sin、(粒径2A) 5
0部アクリル変性塩ビー酢ビ−ビニルアルコール共重合
体(試作品) 30部ア
クリル変性ポリウレタンエラストマー(試作品)
20部混合溶剤
300部上記混合物を実施例1と同様
に調製し、サンプルA2を得た。
0部アクリル変性塩ビー酢ビ−ビニルアルコール共重合
体(試作品) 30部ア
クリル変性ポリウレタンエラストマー(試作品)
20部混合溶剤
300部上記混合物を実施例1と同様
に調製し、サンプルA2を得た。
実施例3
カーボンブランク“′旭H8500旭カーボン(株ト5
0部 アクリル変性ポリエステル樹脂 (試作品) 60部混合
溶剤 3OQ部上記混合物
を実施例1と同様に調製しサンプルA3をイ41だ。
0部 アクリル変性ポリエステル樹脂 (試作品) 60部混合
溶剤 3OQ部上記混合物
を実施例1と同様に調製しサンプルA3をイ41だ。
実施例4゜
カーボンブラックII、市H8500旭カーボン(株)
250部 アクリル変性ポリウレタンエラストマー(試作品)
30部塩化ビニル−酢酸ビ
ニルーヒニルアルコール共tfi、合体(U、0.C!
、VAGH) 70部混合溶剤
300部上記混合物を実施例1
と同様に調製し、サンプル/I64を得た。
250部 アクリル変性ポリウレタンエラストマー(試作品)
30部塩化ビニル−酢酸ビ
ニルーヒニルアルコール共tfi、合体(U、0.C!
、VAGH) 70部混合溶剤
300部上記混合物を実施例1
と同様に調製し、サンプル/I64を得た。
比較例1゜
カーボンブラック゛′旭H8500” 5
0部塩ビー酢ヒービニルアルコール共重合体 3
0部(U、 O,C,VAGH) ポリウレタンエラストマー 20
部(8本ポリウレタンN5U33 ) 混合溶剤 3Qo部上記混
合物を実施例1と同様に塗料化を行った後、イソシアネ
ート(日本ポリウレタン、コロネ−)L)を1.0部加
え、乾燥厚31になるように塗布した。その後、600
C中に24時間放1行、熱硬化処理を施した後、l/2
′にすJ断じた。これをサンプル/16.5とする。
0部塩ビー酢ヒービニルアルコール共重合体 3
0部(U、 O,C,VAGH) ポリウレタンエラストマー 20
部(8本ポリウレタンN5U33 ) 混合溶剤 3Qo部上記混
合物を実施例1と同様に塗料化を行った後、イソシアネ
ート(日本ポリウレタン、コロネ−)L)を1.0部加
え、乾燥厚31になるように塗布した。その後、600
C中に24時間放1行、熱硬化処理を施した後、l/2
′にすJ断じた。これをサンプル/16.5とする。
比較例2゜
実施例及び比較例1て用いたバンクコートがされていな
い磁気テープをサンプル/766とした。これは、VH
3用ビデオテープてあり、ポリエステルフィルム上に磁
性塗膜がコーティングされたものである。
い磁気テープをサンプル/766とした。これは、VH
3用ビデオテープてあり、ポリエステルフィルム上に磁
性塗膜がコーティングされたものである。
−に記ザンブルのドロップアウトの結果を表1に示ずO
表1 一上 200C60%RH,VHSデツキ 表1かられかるように、放射線硬化処理が施されたサン
プルA1〜A4は通常の熱硬化タイプの7% 5よりは
るかにドロップアウトは少ない。
表1 一上 200C60%RH,VHSデツキ 表1かられかるように、放射線硬化処理が施されたサン
プルA1〜A4は通常の熱硬化タイプの7% 5よりは
るかにドロップアウトは少ない。
さらに、図1に走行回数とドロップアウトの関係を示す
。
。
illから、バンクコートが施されているサンプルは走
行回数に対するドロップアウトの増加傾向が未処理のも
のに対してはるかに少ないことがわかる。また放射線硬
化処理サンプルは従来の熱硬化サンプルと比較しても、
初期のドロップアウトの低さがそのまま維持されており
、100回走行後も低い値となっている。
行回数に対するドロップアウトの増加傾向が未処理のも
のに対してはるかに少ないことがわかる。また放射線硬
化処理サンプルは従来の熱硬化サンプルと比較しても、
初期のドロップアウトの低さがそのまま維持されており
、100回走行後も低い値となっている。
この様なバンク層形成方法においても、従来から使用さ
れている分散剤、潤滑剤は同様に使用することができる
ことはもちろんである。また、VHSデツキにてFF走
行後のテープの巻き姿の程度を表2に示す。
れている分散剤、潤滑剤は同様に使用することができる
ことはもちろんである。また、VHSデツキにてFF走
行後のテープの巻き姿の程度を表2に示す。
表2
優・良・III 、不可の4段階1;・)i価この結果
から、カーボンブラックを配合したものは極めて巻き状
態が良く蒸πを而のカールが押えられ、また、SiO□
を添加したものについても、バックコートされていない
ものより良い結果となつている。
から、カーボンブラックを配合したものは極めて巻き状
態が良く蒸πを而のカールが押えられ、また、SiO□
を添加したものについても、バックコートされていない
ものより良い結果となつている。
汀)100個数の測定法
41φH7の1it−(H:iじ″を記録し、再生した
場合の信号か、゛ト均再生しベルより18 d、 B以
」二低下する時間が15.t1秒以上であるものの個数
を数えた。
場合の信号か、゛ト均再生しベルより18 d、 B以
」二低下する時間が15.t1秒以上であるものの個数
を数えた。
以上本発明につき好適な実施例を挙げて種々説明したが
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
、本発明はこの実施例に限定されるものではなく、発明
の精神を逸脱しない範囲内で多くの改変を施し得るのは
もちろんのことである。
特許出願人
東京電気化学工業株式会社
図 面
走行回数
手続補正書
昭和57年11月7.f〔φ
特許庁長官ンー杉和夫 殿
] 事件の表示
昭和 57年特 許 1第175825 号2、発
明の名称 3、補正k t−6%″′S″CE′IJ + 17)
’m in jj M事件との関係 特許出願人 4代理人 8 補正の内容 別紙の通り 8、補正の内容 l)明細書第31頁第9行目と第10行目の「・・・・
もちろんのことである。」と「特許出願人」との間に次
の文章を挿入する。
明の名称 3、補正k t−6%″′S″CE′IJ + 17)
’m in jj M事件との関係 特許出願人 4代理人 8 補正の内容 別紙の通り 8、補正の内容 l)明細書第31頁第9行目と第10行目の「・・・・
もちろんのことである。」と「特許出願人」との間に次
の文章を挿入する。
[4、図面の簡単な説明
第1図は走行回数とドロップアウトの関係を示すグラフ
である。」 2)図面は別紙の通り補正する。
である。」 2)図面は別紙の通り補正する。
媚112]
走行回数
月目糸六ネ市正書(2) 後記号なし゛昭和58年
6月24日 特許庁長官 若杉 和夫殿 ■、事1’lの表示 昭トロ57年特許願第175825号 2、発明の名称 磁気記録媒体及びその製造方法 3、補正をする者 事件との関係特許出願人 (IJi東京都中央区日本411丁目13番1号4、イ
(■臥 自発 8、補正の内容 ■)明細書第4頁第1行目の「蒸着面のカールを押え」
を「強磁性薄膜面のドロップアウトを減少させ」と補正
する。
6月24日 特許庁長官 若杉 和夫殿 ■、事1’lの表示 昭トロ57年特許願第175825号 2、発明の名称 磁気記録媒体及びその製造方法 3、補正をする者 事件との関係特許出願人 (IJi東京都中央区日本411丁目13番1号4、イ
(■臥 自発 8、補正の内容 ■)明細書第4頁第1行目の「蒸着面のカールを押え」
を「強磁性薄膜面のドロップアウトを減少させ」と補正
する。
2)明細書第4頁第7行目の1要求されるようになった
。」の後に次の文章を加入する。
。」の後に次の文章を加入する。
「その種類として、ビデオテープ、コンピュータテープ
、高性能オーディオテープ、多重コードテープ、磁気デ
ィスク、フロッピィディスク。
、高性能オーディオテープ、多重コードテープ、磁気デ
ィスク、フロッピィディスク。
磁気カードなどの磁気記録媒体がある。」3)明細書第
5頁第11行目、第12行目、第14行目に「塗膜」と
あるのをそれぞれ「金属薄膜」と補正する。
5頁第11行目、第12行目、第14行目に「塗膜」と
あるのをそれぞれ「金属薄膜」と補正する。
4)明細書第5頁第12行目の「磁性粉脱落」を「薄膜
削れ」と補正する。
削れ」と補正する。
5)明細書第8頁第6行目の「塗布」を「形成」と補正
する。
する。
6)明細書第23頁第4行目の1照剤線源」を「照射線
源」と補正する。
源」と補正する。
7)明細書第26頁第18行目の「3μ」を「0.1μ
」とン市正する。
」とン市正する。
8)明細書第30頁第7行目と第8行目の間に次の文章
を挿入する。
を挿入する。
[実施例5
Si0□ 20部アクリル変
性ポリウレタンエラスストンー40部 塩化ヒニル、酢酸ビニルアルコール共! 合体60部 第三級アミン 100部ヘンジインエ
チルエーテル o、a部混合溶剤
600部上記組成物を紫外線照射した。塗布厚が1μ
になるようにした。
性ポリウレタンエラスストンー40部 塩化ヒニル、酢酸ビニルアルコール共! 合体60部 第三級アミン 100部ヘンジインエ
チルエーテル o、a部混合溶剤
600部上記組成物を紫外線照射した。塗布厚が1μ
になるようにした。
′本実施例においてもドロップアウトの結果は良好であ
った。また感度は+1.0 dBであった。なお、5i
02を増加させていくと、電磁変換特性も低下し、20
0重量部を越えると塗膜がもろくなることがわかった。
った。また感度は+1.0 dBであった。なお、5i
02を増加させていくと、電磁変換特性も低下し、20
0重量部を越えると塗膜がもろくなることがわかった。
200重量部以内なら、感度が+0.4 dB以上であ
り、良好であった。」 −189−
り、良好であった。」 −189−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、支持体の一力の面に強磁性薄膜を形成し、他方の而
にバック層を設けた磁気記録媒体において、バンク層か
放射線感応硬化性樹脂を含む結合相中に充填材を分散し
硬化したものであることを特徴とする磁気記録媒体。 2、充填材か、カーボンブラック、クラファイト等の導
電物質の粉末である第1項記載の磁気記録媒体。 3、充填材が、Sj、(J、 、 Tie、 、 Al
、 03 、 Or、 O。 Sj、C、Ce0L、 CaC0J、酸化亜鉛、ゲーサ
イト。 αFezO3’ 、タルク、カオリン、 +EaS%
、窒化、IM素、テフロン粉末、フン化黒鉛、二(ii
fU化モリフテン、ジルコニアなどの高靭性材料の粉末
である第1項記載の磁気記録媒体。 4、充填材が、カーボンブラック、グラファイト等の導
電物質の粉末と、5i02 、 TiO2。 AI、203 、 Or、z 03.5ICr 0e
Oz + CaCO3、酸化亜鉛、ゲーサイ+−、αF
e2O,、タルク、カオリン、 CaSO4,窒化薄素
、テフロン粉末、フッ化1.二硫化モリブデン、ジルコ
ニア 71どの高物性材料の粉末とを含む第1項記載の
磁気記録媒体。 5、支持体の一方の面に強磁性簿膜を形成し、他方の面
にバック層を設けた磁気記録媒体の製法に於いて、放射
線感応硬化性樹脂を含む結合剤中に充填材を分散して、
バック層とした後、活性エネルギー線を照射して、該感
応樹脂を硬化することを特徴とする磁気記録媒体の製造
方法。 6 、 充填4′Aが、グラファイト、カーボンブラッ
ク等の導電物質の粉末である前記第5項記載の磁気記録
媒体の製造方法。 7、充填材が、5inL、 Tie、 、 Al2O,
、0rLO,。 SiC,Ce01 、 C!acoJ、酸化11j鉛、
ゲーサイト。 αFezO3、タルク、カオリン、 CaSO4、窒化
AH素、テフロン粉末、フフ化黒鉛、二硫化モリブデン
、ジルコンなどの高靭性材料である第5項記載の磁気記
録媒体の製造方法。 8.充填利が、グラファイト、カーボンブランク等の導
電物質の粉末と、3i0L、 Tie、 。 AI、OJ 、 Cr、03 、 SiC、Ce’
01 、 Ca、CO,、酸化;ui鉛、ゲーサイト、
αFeL03 +タルク、カオリン、 CaSO4、%
J(Llfifi素、テフロン粉末、フッ化黒鉛、二硫
化モリブデン、ジルコンナトの高靭性材料とを含む第5
項記載の磁気記録媒体の製造方法。 9、活性エネルギー線源として、100〜750KVの
電子線加速器を用い、吸収線量が、0.5〜20 Mr
adになる様にして、不活性気体中で照射する事を特徴
とする、前記5,6.7又は8項記載の磁気記録媒体の
製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175825A JPS5965929A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
GB08324679A GB2130121B (en) | 1982-10-06 | 1983-09-14 | Magnetic recording medium and method for producing the same |
DE19833334305 DE3334305A1 (de) | 1982-10-06 | 1983-09-22 | Magnetisches aufzeichnungsmedium und verfahren zur herstellung desselben |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57175825A JPS5965929A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5965929A true JPS5965929A (ja) | 1984-04-14 |
Family
ID=16002876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57175825A Pending JPS5965929A (ja) | 1982-10-06 | 1982-10-06 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5965929A (ja) |
DE (1) | DE3334305A1 (ja) |
GB (1) | GB2130121B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112430A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録テ−プ |
JPS60163228A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-26 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6050619A (ja) * | 1983-08-29 | 1985-03-20 | Tdk Corp | 磁気デイスク及びその製造方法 |
US4567083A (en) * | 1983-10-17 | 1986-01-28 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium |
JPS6339131A (ja) * | 1986-08-01 | 1988-02-19 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57150136A (en) * | 1981-03-09 | 1982-09-16 | Fuji Photo Film Co Ltd | Magnetic recording medium and its manufacture |
JPS583132A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体 |
-
1982
- 1982-10-06 JP JP57175825A patent/JPS5965929A/ja active Pending
-
1983
- 1983-09-14 GB GB08324679A patent/GB2130121B/en not_active Expired
- 1983-09-22 DE DE19833334305 patent/DE3334305A1/de not_active Withdrawn
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59112430A (ja) * | 1982-12-16 | 1984-06-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録テ−プ |
JPS60163228A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-26 | Tdk Corp | 磁気記録媒体 |
JPH0534724B2 (ja) * | 1984-02-01 | 1993-05-24 | Tdk Electronics Co Ltd |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2130121A (en) | 1984-05-31 |
DE3334305A1 (de) | 1984-04-19 |
GB2130121B (en) | 1986-02-26 |
GB8324679D0 (en) | 1983-10-19 |
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