JPS5964754A - 箔圧延性に優れた箔地の製造方法 - Google Patents
箔圧延性に優れた箔地の製造方法Info
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- JPS5964754A JPS5964754A JP17305582A JP17305582A JPS5964754A JP S5964754 A JPS5964754 A JP S5964754A JP 17305582 A JP17305582 A JP 17305582A JP 17305582 A JP17305582 A JP 17305582A JP S5964754 A JPS5964754 A JP S5964754A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は箔圧延性に優れた箔地の製造方法に関し、さら
に詳しくは、筒用延時の圧延硬化を小さくした箔圧延性
の優れた箔地の製造方法に関するものである。
に詳しくは、筒用延時の圧延硬化を小さくした箔圧延性
の優れた箔地の製造方法に関するものである。
線入1箔地から10μl0)7以下、例えは、7μIO
厚の箔の製造には通常ダブル圧延か採用されてν・るが
、箔1γの薄くなるにつれてピンホール数か指数関数的
に増加してくる。また、純l\1箔は近年になって、よ
り薄肉化するf頃向かあり、5.5μI0、もしくは、
それ以Fの薄い1vさの箔か蟹望されてきている。しか
るに、上記のように、−殻に箔厚か;酸中するとピンホ
ール数か指数関数的に増加するので、コイル切れか発生
したり、また、ピンホール数か多過きるため耐透湿性な
どが非常に悪化するようになる。(;tって、マμτ0
の厚さてのピンホール数かJ1常tこ少なく、また、5
.「)μmn、もしくは、それl:)、下の厚さの箔に
おいてら、7μm11省と同程度以下のピンホール数と
なる圧延性の良好な箔地か要求されているのである。
厚の箔の製造には通常ダブル圧延か採用されてν・るが
、箔1γの薄くなるにつれてピンホール数か指数関数的
に増加してくる。また、純l\1箔は近年になって、よ
り薄肉化するf頃向かあり、5.5μI0、もしくは、
それ以Fの薄い1vさの箔か蟹望されてきている。しか
るに、上記のように、−殻に箔厚か;酸中するとピンホ
ール数か指数関数的に増加するので、コイル切れか発生
したり、また、ピンホール数か多過きるため耐透湿性な
どが非常に悪化するようになる。(;tって、マμτ0
の厚さてのピンホール数かJ1常tこ少なく、また、5
.「)μmn、もしくは、それl:)、下の厚さの箔に
おいてら、7μm11省と同程度以下のピンホール数と
なる圧延性の良好な箔地か要求されているのである。
本発明者は、」二連の問題を解決するべく、箔の圧延性
について次のような知見をイ11て、μんに特、1′1
出願を行なっている(特願昭55−1121170号)
。即ち、 (1)同−組成のA1純度99%堤、上の純A1では、
圧下率か:)り)%程度の強圧延材において圧延硬化か
′少ないhカ山、延性か良い。
について次のような知見をイ11て、μんに特、1′1
出願を行なっている(特願昭55−1121170号)
。即ち、 (1)同−組成のA1純度99%堤、上の純A1では、
圧下率か:)り)%程度の強圧延材において圧延硬化か
′少ないhカ山、延性か良い。
(2)圧延硬化の程度を小とするためには、箔地の状態
(軟質材)にJシいて、マトリックス中の固溶元素ji
)か少ないことが必要であり、そのために固溶限の小さ
いIパ(・を除き不純物元素は少ないヵがよく、1、ン
に管理しなければならないのは、sl、M 8、Mn、
Cuである。
(軟質材)にJシいて、マトリックス中の固溶元素ji
)か少ないことが必要であり、そのために固溶限の小さ
いIパ(・を除き不純物元素は少ないヵがよく、1、ン
に管理しなければならないのは、sl、M 8、Mn、
Cuである。
(3)不純物として管理しなければならないS(は、)
\I地金中から不「す避的に入るためこの悪影響をカバ
ーすることが必要となり、本発明者は均質北条1′1、
及び、仕上焼鈍条件を組介せることにより固溶S1を最
小限とし圧延硬化が少ない箔地か111られる、二とが
わがった。
\I地金中から不「す避的に入るためこの悪影響をカバ
ーすることが必要となり、本発明者は均質北条1′1、
及び、仕上焼鈍条件を組介せることにより固溶S1を最
小限とし圧延硬化が少ない箔地か111られる、二とが
わがった。
(4)箔地(軟質材)の結晶の粒径とダブル圧延時の重
合せ而(マット而)の粗度とに相関があり、&1゜品粒
径か細かい力かマット而411度が小となる。例えば、
結晶粒径がt) 、 0715 +11111を越える
とマット而粗度が火となり過ぎ箔地としてト適当になり
、柑れ二欠陥となりピンホールが発生し易くなる。
合せ而(マット而)の粗度とに相関があり、&1゜品粒
径か細かい力かマット而411度が小となる。例えば、
結晶粒径がt) 、 0715 +11111を越える
とマット而粗度が火となり過ぎ箔地としてト適当になり
、柑れ二欠陥となりピンホールが発生し易くなる。
(5)y1延・i生か良くなると7μI11までのタフ
ルj王延にJ)いて圧延条件の組合せを若1・緩かなも
のにできるのでピンホール数か少なくなる。まtこ、5
.5μm1以下の箔厚についても圧延条1′1の才°1
1−の変更でIJ1m厚の箔と略同程度のピンホール数
て゛圧延可11シとなる。
ルj王延にJ)いて圧延条件の組合せを若1・緩かなも
のにできるのでピンホール数か少なくなる。まtこ、5
.5μm1以下の箔厚についても圧延条1′1の才°1
1−の変更でIJ1m厚の箔と略同程度のピンホール数
て゛圧延可11シとなる。
本発明はこのような知見に加えて更に、熱間j下延等の
加−Iン1ユ稈に供される純A I S)、+塊の刺状
、1、rに表面晶貿及υ内部品質について検討を加えた
結果、純ノ\1ダ、塊の表面層か均一な粒状糺憔であっ
て、か−人SJj塊内部のデンドライト・アーl、・ス
ペーシング(以1・川)A Sという。)か・+1均7
目)μI11以−1−であるυl塊を使ITIすること
か、箔j(−延性を安冗して向−1−せしめることを見
出し、本発明を完成せしめた。
加−Iン1ユ稈に供される純A I S)、+塊の刺状
、1、rに表面晶貿及υ内部品質について検討を加えた
結果、純ノ\1ダ、塊の表面層か均一な粒状糺憔であっ
て、か−人SJj塊内部のデンドライト・アーl、・ス
ペーシング(以1・川)A Sという。)か・+1均7
目)μI11以−1−であるυl塊を使ITIすること
か、箔j(−延性を安冗して向−1−せしめることを見
出し、本発明を完成せしめた。
即ち、本発明は、F 〔!(1、1〜(1、Fi%、′
「−(1、(l O:(〜 0.0 8%、 1m、
(1、(l l %1゛ノ、(・″を含イfし
、41屯物として5i(1,2%Lコ、V″、Cu O
、(13%Vノ、下、 N4n (1、008%l″
ノ、−F、 Mt; (1、(,108%1:J、下
(こ抑えtこ純A1であって、り律狐表if+il?う
か1勺−な粒状品組織であり、鋳塊内部のデンドライト
・アーム・スペーシングか甲・均l[0μmn以−Lで
ある純A I S)、i塊を、”+ f) (,1〜(
i 00 ”Cで均質化処理し、熱間圧延後50%以1
−の加重l−率で冷間圧延し、その後2 jj fl
−= :(、−1f1℃で箔地焼鈍を11−なうことを
1、′I徴とする箔)1.延性に竣れた箔地の製造方法
である。
「−(1、(l O:(〜 0.0 8%、 1m、
(1、(l l %1゛ノ、(・″を含イfし
、41屯物として5i(1,2%Lコ、V″、Cu O
、(13%Vノ、下、 N4n (1、008%l″
ノ、−F、 Mt; (1、(,108%1:J、下
(こ抑えtこ純A1であって、り律狐表if+il?う
か1勺−な粒状品組織であり、鋳塊内部のデンドライト
・アーム・スペーシングか甲・均l[0μmn以−Lで
ある純A I S)、i塊を、”+ f) (,1〜(
i 00 ”Cで均質化処理し、熱間圧延後50%以1
−の加重l−率で冷間圧延し、その後2 jj fl
−= :(、−1f1℃で箔地焼鈍を11−なうことを
1、′I徴とする箔)1.延性に竣れた箔地の製造方法
である。
本発明に係る箔Jigi性に1・変れた箔地の製造方法
(以下本発明に係る方法ということもある。)につい′
乙−′r細に説明する。
(以下本発明に係る方法ということもある。)につい′
乙−′r細に説明する。
先す、本発明に係る方法において使用する純AIの含有
成分と成分割合1こ−)いて説明する。
成分と成分割合1こ−)いて説明する。
F (!は箔地の山結晶粒の微細化、及び、強度を高め
る元素であるか、含有IIシが0.1%末1jl:jで
ほこの効果が少なく、また、t、) 、 8%を越えて
含(iさJ’Lると耐蝕性か低ドする。よって、1゛(
・含有11)。
る元素であるか、含有IIシが0.1%末1jl:jで
ほこの効果が少なく、また、t、) 、 8%を越えて
含(iさJ’Lると耐蝕性か低ドする。よって、1゛(
・含有11)。
は0.1−033%の範囲とする。
Ti、13はaI塊紹織を微細化するための元素であり
、本発明に係る方法の池の条件と相まって粒状品組織と
するためには、AIS%i’ i 0 、1−1%1
3等の中間合金にて、′1゛i含有量としてU 、 O
n 3−〇 、 O)i%と[る必要かあり、含有1?
か(,1、f、l 3i%を越えると圧延硬化か大きく
なり、また、+1.003%未満では粒状品組織のり訪
L 411穐にはなり4+7ない。この際、i’ i
lit独含有では杓。
、本発明に係る方法の池の条件と相まって粒状品組織と
するためには、AIS%i’ i 0 、1−1%1
3等の中間合金にて、′1゛i含有量としてU 、 O
n 3−〇 、 O)i%と[る必要かあり、含有1?
か(,1、f、l 3i%を越えると圧延硬化か大きく
なり、また、+1.003%未満では粒状品組織のり訪
L 411穐にはなり4+7ない。この際、i’ i
lit独含有では杓。
扶品化の効果は少なく、I″Iと13との複合含有とす
る必要かあり1、−の場合、〕\l !J /1. 、
+1〜(J /′1. !]%−T i 5%−13
(1、1−川%の割合になる合金を落陽に添加すると効
果的であるか、なJ5、この合金を溶湯に添加溶解−[
ると残47/(るl(は徐く微量の♀2′]+1 、(
、,11%となる。
る必要かあり1、−の場合、〕\l !J /1. 、
+1〜(J /′1. !]%−T i 5%−13
(1、1−川%の割合になる合金を落陽に添加すると効
果的であるか、なJ5、この合金を溶湯に添加溶解−[
ると残47/(るl(は徐く微量の♀2′]+1 、(
、,11%となる。
Slは)\1地金から不可避的に混入してくる1:鈍物
元素であり、A1に対する固溶度かノ、、きいのて通常
の均質北条()]、及び′、(l:1.xl尭鈍菜1′
(では固溶S1″Uij、か多く圧延硬化か犬きくなり
、また、含イf量か0.2%を越えると81を完全に1
7+l’lさ吐る、二とか困仙となるので、S1含イi
早、は0.2%V〕、1・゛とする。さらに、Si含有
量は少ないノJか411出処理か容易であり、か−)、
圧延硬化も少ないので、Si″2′有蓋は(1,08%
以下とすることか望ましいものである。
元素であり、A1に対する固溶度かノ、、きいのて通常
の均質北条()]、及び′、(l:1.xl尭鈍菜1′
(では固溶S1″Uij、か多く圧延硬化か犬きくなり
、また、含イf量か0.2%を越えると81を完全に1
7+l’lさ吐る、二とか困仙となるので、S1含イi
早、は0.2%V〕、1・゛とする。さらに、Si含有
量は少ないノJか411出処理か容易であり、か−)、
圧延硬化も少ないので、Si″2′有蓋は(1,08%
以下とすることか望ましいものである。
M6. Mu、及び、C(1は圧延硬化を入きくする元
素であり、かつ、5in1i出処理時、及び、途1+’
l−稈での4)1畠゛−+シか少ないので含有量は極力
少なくすべきであり、h匂、Mn含有量は□jlO)3
%1:ノ、下に抑える必要かある。しかし、箔の軟質材
としての使用時に強度イ・足を生しさせないためにCL
Iを若干含有させる必要かあるか、0.03%を越えて
含有させる必要はなく、強度」二問題かなければ)土、
延嫂化を少なくする。0.味においてちCLI含有量は
(1,(11%以下とするのか望ましい。囚に、M8は
全量固溶したままである。
素であり、かつ、5in1i出処理時、及び、途1+’
l−稈での4)1畠゛−+シか少ないので含有量は極力
少なくすべきであり、h匂、Mn含有量は□jlO)3
%1:ノ、下に抑える必要かある。しかし、箔の軟質材
としての使用時に強度イ・足を生しさせないためにCL
Iを若干含有させる必要かあるか、0.03%を越えて
含有させる必要はなく、強度」二問題かなければ)土、
延嫂化を少なくする。0.味においてちCLI含有量は
(1,(11%以下とするのか望ましい。囚に、M8は
全量固溶したままである。
次に、本発明に係る箔11−延性に優れた箔地の製造方
法の純〕\1鋳塊について説明する。
法の純〕\1鋳塊について説明する。
本発明に係る方法の純A1鋳塊は、先月中の1・C15
1の固溶度をlζげるためには2Ij造時の凝固速度を
小とすればよいのであるか、−1″業的なダイレクト・
チルlj造法では鋳塊の大きさ、鋳込速度等の多くの点
からシJ塊の凝固速度が決定されてしまい、ダl塊の中
心部においても凝固速度を遅くすること(o 、 !’
i T: / !;(・(1:)、IC)は極め−ζ困
(11である。ところか、本発明名は鋳塊組織か本1f
状晶糾織である場合の1)L11山1×SLC口(由1
r(1中の1)ノ\8の火きい部分(所謂−゛?遊晶組
織)に注目シてみると1、−のイ′?遊品組織を積極的
に多数作ることにより、甲面の局部凝固速度を極めて遅
くでき、大隊の凝固速度を極め′ζ遅くしたのと同じこ
とになることを見出した。
1の固溶度をlζげるためには2Ij造時の凝固速度を
小とすればよいのであるか、−1″業的なダイレクト・
チルlj造法では鋳塊の大きさ、鋳込速度等の多くの点
からシJ塊の凝固速度が決定されてしまい、ダl塊の中
心部においても凝固速度を遅くすること(o 、 !’
i T: / !;(・(1:)、IC)は極め−ζ困
(11である。ところか、本発明名は鋳塊組織か本1f
状晶糾織である場合の1)L11山1×SLC口(由1
r(1中の1)ノ\8の火きい部分(所謂−゛?遊晶組
織)に注目シてみると1、−のイ′?遊品組織を積極的
に多数作ることにより、甲面の局部凝固速度を極めて遅
くでき、大隊の凝固速度を極め′ζ遅くしたのと同じこ
とになることを見出した。
この結果、鋳塊中心部の平均冷JJI速度は約()、7
’C/・う(・(以下と著しく遅くなり、ダ」比表面か
ら10 +I n1111の部位においてら+1 、0
’C/!、c<:Q〕、1:の゛IL均冷J:ll速度
かIBjられることになる。このような効果を11する
ためには、」二連の1)ノ\Sは1′均で40μ口1以
−1,であることか必要であり、それ未11:l:lで
はIパe、Siの固溶度を充分下けることかて゛きない
。
’C/・う(・(以下と著しく遅くなり、ダ」比表面か
ら10 +I n1111の部位においてら+1 、0
’C/!、c<:Q〕、1:の゛IL均冷J:ll速度
かIBjられることになる。このような効果を11する
ためには、」二連の1)ノ\Sは1′均で40μ口1以
−1,であることか必要であり、それ未11:l:lで
はIパe、Siの固溶度を充分下けることかて゛きない
。
また、鋳塊表面層(表面よりl (l fl +nmの
部位まで)の組織を均一・な粒状晶組織と[ることは、
箔圧延時のピンホールを低減するために必要な、二とで
ある。即ち、鋳塊表面層が羽毛状品組織である場合には
、鋳塊の面削ll:+fに面削か均一に行なわれず、疵
となり易く、箔圧延時のピンホールとなり易いため、鋳
塊表面層は粒状晶組織とする必要がある。
部位まで)の組織を均一・な粒状晶組織と[ることは、
箔圧延時のピンホールを低減するために必要な、二とで
ある。即ち、鋳塊表面層が羽毛状品組織である場合には
、鋳塊の面削ll:+fに面削か均一に行なわれず、疵
となり易く、箔圧延時のピンホールとなり易いため、鋳
塊表面層は粒状晶組織とする必要がある。
上述の純A1鋳塊を得るには、Ti、13の複合含有と
共に高速鋳造することが望ましく、特に純A1溶湯を厚
さ400〜601) mmの鋳塊に鋳造速度S O−]
(+1+、1mm/m、1nJQ造温度680−71
0°Cの条件で高速鋳造することが望まし4゜このよう
にして得られた、純1ua塊の熱処理、加工条件につい
て説明する。
共に高速鋳造することが望ましく、特に純A1溶湯を厚
さ400〜601) mmの鋳塊に鋳造速度S O−]
(+1+、1mm/m、1nJQ造温度680−71
0°Cの条件で高速鋳造することが望まし4゜このよう
にして得られた、純1ua塊の熱処理、加工条件につい
て説明する。
先ず、均質化処理は500〜600′Cで行なわれるが
、この均質化処理温度が500°C未満では箔地焼鈍時
の結晶粒径が粗大化し、かつ、不均一となる。また、箔
地の結晶粒径と10μ以下の箔のダブル圧延時の重合せ
面(マ・ント面)の相変とは相関があり、結晶粒径が0
.045mmを越えるとマット面のネl[度が急激に大
きくなり、その結果ピンホール、圧延切れの原因となる
。従って、均質化処]!I!温度は500 ”C以上と
する必要がある。また、均質化処理温度が60()℃を
越えると、鋳造時に充分析出(晶出)させたFe、Si
が再び固溶してくるので、600°Cす、下とする必要
がある。なお処理時間は1〜48時間が適当である。
、この均質化処理温度が500°C未満では箔地焼鈍時
の結晶粒径が粗大化し、かつ、不均一となる。また、箔
地の結晶粒径と10μ以下の箔のダブル圧延時の重合せ
面(マ・ント面)の相変とは相関があり、結晶粒径が0
.045mmを越えるとマット面のネl[度が急激に大
きくなり、その結果ピンホール、圧延切れの原因となる
。従って、均質化処]!I!温度は500 ”C以上と
する必要がある。また、均質化処理温度が60()℃を
越えると、鋳造時に充分析出(晶出)させたFe、Si
が再び固溶してくるので、600°Cす、下とする必要
がある。なお処理時間は1〜48時間が適当である。
このように均質化処理した鋳塊を熱間IC延してか呟冷
間圧延を行なうのであるか、この冷間圧延はその加]二
率(圧下率)が大きり・力か、先月中の転位密度か大き
くなり箔地焼鈍(= 11出処理)時のSiの析出程度
が大きくなるので、この効果を達成するには少くとも冷
間圧延の圧下率は50%以にとしな(干れは゛ならない
。また、マント面11JQ:か′大きくなり過きないた
めに、結晶粒径をり、l 、 (14sm m以下とす
る必要があり、そのためにも冷間圧延の加重ll率は5
0%以上とする。
間圧延を行なうのであるか、この冷間圧延はその加]二
率(圧下率)が大きり・力か、先月中の転位密度か大き
くなり箔地焼鈍(= 11出処理)時のSiの析出程度
が大きくなるので、この効果を達成するには少くとも冷
間圧延の圧下率は50%以にとしな(干れは゛ならない
。また、マント面11JQ:か′大きくなり過きないた
めに、結晶粒径をり、l 、 (14sm m以下とす
る必要があり、そのためにも冷間圧延の加重ll率は5
0%以上とする。
この冷111田二延を行なった箔地を焼鈍するのである
が、この箔地焼鈍は箔地を箔圧延の容易な軟質材とする
のに普通性なわれていることである。しかし、本発明に
係る方法においては、iQ遺条件、均質化処理条件、及
び、箔地焼鈍条1′1の糺介せにより固溶Siを析出さ
せ、圧延硬化の程度を少なくすることが爪型なことであ
る。
が、この箔地焼鈍は箔地を箔圧延の容易な軟質材とする
のに普通性なわれていることである。しかし、本発明に
係る方法においては、iQ遺条件、均質化処理条件、及
び、箔地焼鈍条1′1の糺介せにより固溶Siを析出さ
せ、圧延硬化の程度を少なくすることが爪型なことであ
る。
そのために、上記の均質化処理条件に月して、2 i(
(1−:(4,+1 ’(: ノ;!!度j: t;
l、i テ’i(l地位slh f、p行なうのである
。焼鈍時間はυ−18時間の範囲で(’I“なうのかよ
い。しかして、焼鈍温度28 (1’C未>41:iで
は完/iが軟質相となり難く、また、340 ’Cを越
える温度では1・(・、及び、Si’1.’7にSiの
引出量か少なくなる。よって、箔地焼鈍温度(ホ280
へ3・10°Cの範囲とする。
(1−:(4,+1 ’(: ノ;!!度j: t;
l、i テ’i(l地位slh f、p行なうのである
。焼鈍時間はυ−18時間の範囲で(’I“なうのかよ
い。しかして、焼鈍温度28 (1’C未>41:iで
は完/iが軟質相となり難く、また、340 ’Cを越
える温度では1・(・、及び、Si’1.’7にSiの
引出量か少なくなる。よって、箔地焼鈍温度(ホ280
へ3・10°Cの範囲とする。
次に、本発明に係る箔圧延性に優れた箔地の製造方法の
×施例を比較例と共1こ説明する。
×施例を比較例と共1こ説明する。
実施例
第1表のNo、]〜:31こ示す紹成の純ノ\1溶渇(
各々A1−5%i’i 0.2%13中間合金にてT
I含有ji′、、0 、(,115%、t)、013%
、0.015%となるよう含有させたもの)をフィルタ
ー通過後鋳造温度700 ’C,aj造速度55mm/
+ninでダj造し、厚35+、+ 1) 111+1
1.1ili、冒321’、l mhaの鋳塊をW、
fv。−刀、No、4については、A1−5%′I゛1
中間合金のみテ’l’ i含イi量fl 、 0139
’6)−’! ルJ: ウニ添加iF;IWL−、フィ
ルター通過後、vJ造湿温度715°c31.j造速度
=′l 5 +n+n / In i nで鋳造し、厚
さ5 +’、) 0 Inm、幅132 。
各々A1−5%i’i 0.2%13中間合金にてT
I含有ji′、、0 、(,115%、t)、013%
、0.015%となるよう含有させたもの)をフィルタ
ー通過後鋳造温度700 ’C,aj造速度55mm/
+ninでダj造し、厚35+、+ 1) 111+1
1.1ili、冒321’、l mhaの鋳塊をW、
fv。−刀、No、4については、A1−5%′I゛1
中間合金のみテ’l’ i含イi量fl 、 0139
’6)−’! ルJ: ウニ添加iF;IWL−、フィ
ルター通過後、vJ造湿温度715°c31.j造速度
=′l 5 +n+n / In i nで鋳造し、厚
さ5 +’、) 0 Inm、幅132 。
111 Inのダ[L全イ:また。
これら両者についての、ダr*中心部の顕微鏡組織Jj
真を第1図に示す。第1図(a)はNo、1月であり、
杓、壮語組織を早−している。なお、No、1月の幼塊
表1rI萌建1[織も同様に粒状品組織であった。
真を第1図に示す。第1図(a)はNo、1月であり、
杓、壮語組織を早−している。なお、No、1月の幼塊
表1rI萌建1[織も同様に粒状品組織であった。
また、No、2.3祠についても同様であった。−力、
第1図(1〕)はNo、4ヰ4であり、羽毛成品組織を
呈している。また、No、]・〜4鋳塊について1)ノ
\8の測定、及び、鋳塊中心部の固溶Fe量のIE P
M A分析結果を第2表に示す。
第1図(1〕)はNo、4ヰ4であり、羽毛成品組織を
呈している。また、No、]・〜4鋳塊について1)ノ
\8の測定、及び、鋳塊中心部の固溶Fe量のIE P
M A分析結果を第2表に示す。
ff12 表
円心1’e(cps): l″:PMA定量分41iこ
の第2表から知られるように、N00I = ’A祠の
DASl、l:No、4月のそれより大きく、その結果
、固溶Fe量をみるとNo、1〜3材ではNo、4祠よ
りも小さい値となっている。この結果後述rるように、
No、1〜3祠の圧延硬化はより小さいものとなる。
の第2表から知られるように、N00I = ’A祠の
DASl、l:No、4月のそれより大きく、その結果
、固溶Fe量をみるとNo、1〜3材ではNo、4祠よ
りも小さい値となっている。この結果後述rるように、
No、1〜3祠の圧延硬化はより小さいものとなる。
」二連のNo、1・−4のSi2塊を血削後、!−+
4 +、1 ’CX8時間の均質化処理を件ない、熱間
圧延を5111111厚まで′411ない、熱間圧延終
了温度を35 (1”Cとした。
4 +、1 ’CX8時間の均質化処理を件ない、熱間
圧延を5111111厚まで′411ない、熱間圧延終
了温度を35 (1”Cとした。
次いで、冷間圧延を0 、77111111厚まで行な
い、3 (10’CX4時間の化」二焼鈍を行ない、0
、 :35 +n+n厚まで再び圧延して箔地とした
。
い、3 (10’CX4時間の化」二焼鈍を行ない、0
、 :35 +n+n厚まで再び圧延して箔地とした
。
これらの圧延硬化の程度を第2図に、箔圧延の結果を第
13表に示す。
13表に示す。
第:(表
第2し1、第:(表から本発明に係る方法にす3いては
、)]二延映化の程度か小であり、重介せ)王延の結果
も良好であることがわかる。なお、No、 1−jj’
3祠で最終到達強度レベルが異なるか、これは、箔1:
i”−′iLの速度を速く設定する場合にはNo、3
稈度の強度レベルが必要であり、また、箔)Y延速度を
遅く設定する場合には、No、]〜2材程度の強度レベ
ルとなる?t1地が必要であるからである。
、)]二延映化の程度か小であり、重介せ)王延の結果
も良好であることがわかる。なお、No、 1−jj’
3祠で最終到達強度レベルが異なるか、これは、箔1:
i”−′iLの速度を速く設定する場合にはNo、3
稈度の強度レベルが必要であり、また、箔)Y延速度を
遅く設定する場合には、No、]〜2材程度の強度レベ
ルとなる?t1地が必要であるからである。
囚に、表面光沢の良い箔を得るためには、ロール目ヰI
L度を小とし、かつ、圧延速度を小とする必要があり、
また、薄箔圧延時の1回当りの圧下敗は)[延速度で略
決定され、従って、同一+r:下量で表面光2F<の良
い薄箔を得るためには、)−1延硬化の少ない箔地な使
用する必要がある。そして、圧延硬化の少ないもの程同
−箔)■ユ延粂1′1で膏くなるのである。
L度を小とし、かつ、圧延速度を小とする必要があり、
また、薄箔圧延時の1回当りの圧下敗は)[延速度で略
決定され、従って、同一+r:下量で表面光2F<の良
い薄箔を得るためには、)−1延硬化の少ない箔地な使
用する必要がある。そして、圧延硬化の少ないもの程同
−箔)■ユ延粂1′1で膏くなるのである。
第1図(a)(1))はNo、1とNo、4(n金属組
織を示す顕微鏡写真(倍率50倍)、第2図は箔厚と抗
張力との関係を示す箔■王延時の)−[延映化1、r・
Vloし1である。
織を示す顕微鏡写真(倍率50倍)、第2図は箔厚と抗
張力との関係を示す箔■王延時の)−[延映化1、r・
Vloし1である。
Claims (1)
- t”ef+、]・−00,8%i’i+’、)、(−,
103−0,08%、13 (、)、l) ]%以1
・を含有し、不純物として810.2%以下、Cu Q
、 03%す、下、Mn O、l) 08%以下、M
ε(,1,008%以下に抑えた純AIであって、ダJ
塊表面層が均一な粒状品組織であり、SIj塊内部のプ
ントライドアーlトスペーンンクが1+1均40μ+n
以−1−である純)\1鋳塊をS Ot、) −G (
,10℃で均質化処理し、熱till 1m−延後5(
〉%す、上の加工率で冷n11圧延し、その後280〜
3110°Cで箔地焼鈍を行なうことを特徴とする箔圧
延性に優れた箔地の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17305582A JPS6056786B2 (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 箔圧延性に優れた箔地の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17305582A JPS6056786B2 (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 箔圧延性に優れた箔地の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5964754A true JPS5964754A (ja) | 1984-04-12 |
JPS6056786B2 JPS6056786B2 (ja) | 1985-12-11 |
Family
ID=15953375
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17305582A Expired JPS6056786B2 (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 箔圧延性に優れた箔地の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6056786B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61232005A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | アルミニウム箔のダブリング圧延方法 |
JPS61235530A (ja) * | 1985-04-08 | 1986-10-20 | Masanobu Kawate | メタリツク調シ−ト用基材 |
JPS63161148A (ja) * | 1986-12-23 | 1988-07-04 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 強度と加工性に優れたアルミニウム箔の製造方法 |
JPH0320455B2 (ja) * | 1986-07-18 | 1991-03-19 | Showa Aluminium Co Ltd | |
JPH0625781A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-01 | Kobe Steel Ltd | アルミニウム箔とその製造方法 |
US5733389A (en) * | 1993-07-07 | 1998-03-31 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing a micro-alloy high purity aluminum conductor for use at ultra low temperature |
KR100622719B1 (ko) * | 1998-06-26 | 2006-09-12 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 초합금 주조 제품, 방향성 응고 단결정 초합금 제품, 가스 터빈, 터빈 블레이드, 노즐, 버킷, 베인 및 에어포일과, 방향성 응고 주상 단결정 제품, 다결정 제품 및 그 제조 방법 |
CN111684090A (zh) * | 2018-03-30 | 2020-09-18 | 株式会社神户制钢所 | 汽车结构构件用铝合金板、汽车结构构件和汽车结构构件用铝合金板的制造方法 |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP17305582A patent/JPS6056786B2/ja not_active Expired
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US5733389A (en) * | 1993-07-07 | 1998-03-31 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | Method of manufacturing a micro-alloy high purity aluminum conductor for use at ultra low temperature |
US5753380A (en) * | 1993-07-07 | 1998-05-19 | Sumitomo Chemical Co., Ltd. | High purity aluminum alloy conductor for use at ultra low temperatures |
KR100622719B1 (ko) * | 1998-06-26 | 2006-09-12 | 제너럴 일렉트릭 캄파니 | 초합금 주조 제품, 방향성 응고 단결정 초합금 제품, 가스 터빈, 터빈 블레이드, 노즐, 버킷, 베인 및 에어포일과, 방향성 응고 주상 단결정 제품, 다결정 제품 및 그 제조 방법 |
CN111684090A (zh) * | 2018-03-30 | 2020-09-18 | 株式会社神户制钢所 | 汽车结构构件用铝合金板、汽车结构构件和汽车结构构件用铝合金板的制造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6056786B2 (ja) | 1985-12-11 |
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