JPH0585630B2 - - Google Patents
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- JPH0585630B2 JPH0585630B2 JP9906985A JP9906985A JPH0585630B2 JP H0585630 B2 JPH0585630 B2 JP H0585630B2 JP 9906985 A JP9906985 A JP 9906985A JP 9906985 A JP9906985 A JP 9906985A JP H0585630 B2 JPH0585630 B2 JP H0585630B2
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Landscapes
- Metal Rolling (AREA)
Description
産業上の利用分野
本発明はアルミニウム箔地の製造法に関し、特
にピンホールの少ない箔厚25μｍ以下の箔地を製
造するためのものである。 従来の技術 一般にアルミニウム箔地は用途によつて異なる
が、厚さ5.0〜200μｍのものが多く用いられてお
り、通常Cu0.04wt％以下（以下wt％を単に％と
略記）、Si0.2％以下、Fe0.25％以下、Mn0.03％以
下、Mg0.03％以下、Zn0.04％以下、Ti0.03％以
下、Al99.7％以上のJIS1070、Cu0.10％以下、Si
＋Fe0.7％以下、Mn0.05％以下、Zn0.05％以下、
Al99.3％以上のJIS1N30、Cu0.05〜0.20％、Si0.6
％以下、Fe0.7％以下、Mn1.0〜1.5％、Zn0.10％
以下、残部AlのJIS3003からなる。 これ等は鋳塊を均熱化処理してから熱間圧延
し、しかる後冷間圧延と箔地焼純を行なつて造ら
れている。しかしながら箔厚が25μｍ以下になる
とピンホールの発生を避けることができず、透湿
度（通気度）が増大する欠点があり、用途によつ
てはこれが大きな問題となつている。 最近特公昭59−19186号公報に圧延硬化の少な
い箔圧延性に優れたアルミニウム箔地の製造法が
提案された。この方法はFe0.1〜0.8％、Ti0.003
〜0.08％を含有し、不純物としてSiを0.2％以下、
Cuを0.03％以下、Mnを0.008％以下、Mgを0.008
％以下に抑え、残部Alからなる鋳塊を500〜600
℃で均熱化処理した後、熱間圧延してから圧下率
50％以上の冷間圧延を加え、その後280〜340℃で
箔地焼純を行なうものである。この方法によれば
均熱化処理と箔地焼純の組み合せにより、単体Si
を積極的に析出させて圧延硬化を減少させ、この
圧延硬化の減少によつて圧延条件の組み合せを若
干緩やかなものとすることにより、ピンホール数
を少なくすることができるとしている。 発明が解決しようとする問題点 単体Siを積極的に析出させることにより、圧延
硬化を若干緩やかなものとすることは可能である
が、合せ圧延を行なう薄物箔では逆にピンホール
発生の大きな原因となつている。即ちSiは耐摩耗
性材料に添加されるようにそれ自体非常に硬い物
質であり、これが柔かいAlマトリツクス中に存
在すると、圧延によつて薄くなつていく場合、変
形して伸ばされるのはAlマトリツクスのみで単
体Siが変形することはない。従つてAlマトリツ
クスと単体Siの界面は加工硬化が進んで不安定な
状態となる。更に単体Siは再結晶前の旧粒界等の
転位密度の高い領域に集団となつて析出する傾向
が強い。このようなことから硬い単体Si粒子が柔
かいAlマトリツクス中に集団となつて存在する
ことになり、重ね合せ圧延を行なうような薄物箔
ではピンホールの発生の大きな原因となつてい
る。 問題点を解決するための手段 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、均熱化条
件、均熱化後から熱間圧延を開始するまでの条
件、熱間圧延条件、冷間圧延条件及び中間焼純条
件を制御して固溶不純物量を減少させたうえ、単
体Siの析出を抑えることによりピンホールの少な
い箔地を製造し得ることを知見し、更に検討の結
果ピンホールの少ない箔を製造することができる
アルミニウム箔地の製造法を開発したもので、
Fe0.1〜1.0％、Ti0.005〜0.05％、Si0.3％以下、
Cu0.03％以下、Mg0.01％以下、Mn0.01％以下、
残部Alからなる鋳塊を470〜580℃で２〜24時間
均熱処理した後、380〜470℃まで冷却し、380〜
470℃で熱間圧延を開始し210〜260℃で圧延を終
了し、これに圧下率50％以上の冷間圧延と連続焼
純炉による400〜600℃で10分以内の中間焼純を施
し、しかる後冷間圧延を行なうことを特徴とする
ものである。 即ち本発明者等は箔のピンホール数及び圧延硬
化に関する一連の研究から次のような知見を得
た。 (1) 圧延硬化は固溶不純物量と密接な関係があ
り、固溶Fe、Si、Mg、Cu、Mnは何れも加工
軟化を抑制し、圧延硬化の要因となるばかり
か、ピンホールを増大する。 (2) 圧延硬化と圧延性の間には、箔地素板から箔
圧延の１パス又は２パスの領域で高圧下の可能
な圧延速度の上がるものは箔地素板からの加工
硬化率が小さい。ただし強度の絶対値はさほど
問題ではない。 (3) 薄箔したときのピンホール数と箔の組織を対
応させたところ、ピンホールの多いものには単
体Siの析出が多く見られ、ピンホールの少ない
ものには単体Siの析出がほとんど見られず、か
わりにAl−Fe−Si系の化合物が見られる。 このような知見に基づきピンホール数が少な
く、しかも圧延性を良好にする箔地の製造法とし
ては、固溶不純物量の低減を計り、かつ固溶Si量
の低減をAl−Fe−Si系化合物として単体Siの析
出を抑制する必要がある。これについて更に検討
の結果、上記製造法を得たものである。 作 用 本発明においてFe含有量を0.1〜1.0％と限定し
たのは、Feは適度な強度の増加及び結晶粒の微
細化効果があり、更に箔圧延の最終パスにおいて
加工硬化させる効果を示すも、0.1％未満では効
果が少なく、1.0％を越えると耐食性を低下する
ためである。 Ti含有量を0.005〜0.05％と限定したのは、Ti
は鋳造組織を微細均一な等軸晶とするために必要
な元素であるが、0.005未満では効果が少なく、
0.05％を越えても大幅な効果が期待できないため
である。尚Tiの添加はAl−Ti母合金又は／及び
Al−Ti−Ｂ母合金として添加すればよい。 Si含有量を0.3％以下と限定したのは、SiはAl
に対する固溶度が大きく、圧延硬化を促進させる
ため、できるだけ少ない方が良いためである。即
ちSi含有量を0.01％以下に抑えることができれば
それだけでピンホール数が少なく、圧延性の優れ
た箔地の製造が可能となる。しかしSiはAl地金
に不可避的に含まれるところから後工程において
Al−Fe−Si系化合物として固溶Si量を減少させ
ることができる量から0.3％以下に抑えたもので、
0.3％を越えると固溶Si量が増加し、ピンホール
数を増大するばかりか、圧延性も劣化する。 Cu含有量を0.03％以下、Mg含有量を0.01％以
下、Mn含有量を0.01％以下と限定したのは、こ
れ等元素はSi同様Al地金に不可避的に含まれ、
Alに対する固溶度が大きく、圧延硬化を促進さ
せるため、できるだけ少なく抑える必要があるた
めである。しかしてこれ等元素は箔地にある程度
の強度を持たせるために多少含有させる必要があ
り、この面からCuを0.03％以下、Mgを0.01％以
下、Mnを0.01％以下としたものである。 上記組成の鋳塊を470〜580℃で２〜24時間均熱
処理するのは、鋳塊中の固溶不純物量の低減、特
に固溶Si量をAl−Fe−Si系化合物として減少さ
せるためで、470℃未満では効果が少なく、580℃
を越えると鋳塊中のAl6Fe晶出物が安定なAl3Fe
化合物となり、Al−Fe−Si系化合物へと変化し
ないため、固溶Siを減少させることができないた
めである。また処理時間が２時間未満では均熱効
果が少なく、24時間を越えても固溶Si量の減少が
望めないためである。 次に均熱処理後、380〜470℃まで冷却して熱間
圧延を開始するが、この冷却において50℃／時以
下の冷却速度で冷却するか又は／及び380〜470℃
の温度で30分以上加熱保持することにより、鋳塊
中の固溶不純物量を減少させ、中でも固溶Siを
Al−Fe−Siの金属間化合物として析出させるこ
とができる。このようにして380〜470℃で熱間圧
延を開始し、210〜260℃で終了するのは、熱間圧
延中にも硬い単体Siの析出が起るところから熱間
圧延の際及び熱間圧延後のコイル巻取りにおける
単体Siの析出を抑えるためであり、開始温度が
380℃未満では変形抵抗が大きく生産性が劣り、
470℃を越えると熱間圧延中に単体Siが析出し易
くなる。また終了温度が210℃未満では圧延油の
巻込みが生じ易く、260℃を越えると単体Siの析
出が起り易くなるためである。尚上記温度範囲で
熱間圧延を行なえばAl−Fe−Si系化合物が積極
的に析出し、単体Siの析出を抑えることができ
る。 またその後の冷間圧延における圧下率を50％以
上としたのは、素材にある臨界加工度以上の塑形
変形を与えた後、ある温度以上に加熱することに
より転位密度の高い領域から新たに転位密度の小
さい結晶粒に成長させるためである。即ちこの再
結晶において結晶粒度が小さいほど、箔圧延にお
ける重ね合せ圧延の合せ面が良好なものとなるた
め、再結晶により平均粒径を50μｍ以下とするこ
とが望ましく、このためには圧下率を50％以上と
する必要がある。 次に連続焼純炉により400〜600℃で10分以内の
中間焼純を行なうのは、箔地を軟質化させて結晶
粒を微細均一にすると共に、単体Siを析出させる
ことなく、Al−Fe−Si系化合物を均一微細に析
出させてその後の冷間圧延を容易にするためであ
り、中間焼純温度が400℃未満では短時間で軟質
化させることができず、600℃を越えると結晶粒
が粗大となりやすく、更に析出物のマトリツクス
への再固溶が進むようになるためである。また焼
純時間が10分を越えると結晶粒が粗大となりやす
く、析出物もマトリツクスへと再固溶するように
なり好ましくない。 実施例 １ 第１表に示す組成のアルミニウム合金を常法に
より鋳造し、これらを530℃で６時間均熱処理し
た後、430℃まで40℃／時の冷却速度で冷却し、
400℃で熱間圧延を開始し、220〜250℃で圧延を
終了するようにして、この間に厚さ４mmに圧延し
た。これを厚さ0.8mmまで冷間圧延した後、連続
焼純炉により500℃で90秒の中間焼純を行ない、
しかる後厚さ0.42mmまで冷間圧延し、これを箔圧
延により厚さ5.0μｍの箔に仕上げた。 これ等について圧延性を評価すると共に厚さ
5.0μｍの箔についてピンホール数を測定した。こ
れ等の結果を第１表に併記した。 尚圧延性の評価は上記箔圧延工程において、厚
さ0.2mmでサンプルを採取して引張強さを測定し、
厚さ0.2mmから0.1mmまでの圧延パス回数を調べ
た。圧延は２段圧延機を用い、前方、後方張力な
し、潤滑油なしの条件で行なつた。また厚さ0.8
mmから厚さ5.0μｍの箔に仕上げるまでの間にサン
プルを採取し、厚さ0.8mmから厚さ5.0μｍの箔に
仕上げるまでの加工硬化曲線を作成した。その結
果を第１図に示す。
にピンホールの少ない箔厚25μｍ以下の箔地を製
造するためのものである。 従来の技術 一般にアルミニウム箔地は用途によつて異なる
が、厚さ5.0〜200μｍのものが多く用いられてお
り、通常Cu0.04wt％以下（以下wt％を単に％と
略記）、Si0.2％以下、Fe0.25％以下、Mn0.03％以
下、Mg0.03％以下、Zn0.04％以下、Ti0.03％以
下、Al99.7％以上のJIS1070、Cu0.10％以下、Si
＋Fe0.7％以下、Mn0.05％以下、Zn0.05％以下、
Al99.3％以上のJIS1N30、Cu0.05〜0.20％、Si0.6
％以下、Fe0.7％以下、Mn1.0〜1.5％、Zn0.10％
以下、残部AlのJIS3003からなる。 これ等は鋳塊を均熱化処理してから熱間圧延
し、しかる後冷間圧延と箔地焼純を行なつて造ら
れている。しかしながら箔厚が25μｍ以下になる
とピンホールの発生を避けることができず、透湿
度（通気度）が増大する欠点があり、用途によつ
てはこれが大きな問題となつている。 最近特公昭59−19186号公報に圧延硬化の少な
い箔圧延性に優れたアルミニウム箔地の製造法が
提案された。この方法はFe0.1〜0.8％、Ti0.003
〜0.08％を含有し、不純物としてSiを0.2％以下、
Cuを0.03％以下、Mnを0.008％以下、Mgを0.008
％以下に抑え、残部Alからなる鋳塊を500〜600
℃で均熱化処理した後、熱間圧延してから圧下率
50％以上の冷間圧延を加え、その後280〜340℃で
箔地焼純を行なうものである。この方法によれば
均熱化処理と箔地焼純の組み合せにより、単体Si
を積極的に析出させて圧延硬化を減少させ、この
圧延硬化の減少によつて圧延条件の組み合せを若
干緩やかなものとすることにより、ピンホール数
を少なくすることができるとしている。 発明が解決しようとする問題点 単体Siを積極的に析出させることにより、圧延
硬化を若干緩やかなものとすることは可能である
が、合せ圧延を行なう薄物箔では逆にピンホール
発生の大きな原因となつている。即ちSiは耐摩耗
性材料に添加されるようにそれ自体非常に硬い物
質であり、これが柔かいAlマトリツクス中に存
在すると、圧延によつて薄くなつていく場合、変
形して伸ばされるのはAlマトリツクスのみで単
体Siが変形することはない。従つてAlマトリツ
クスと単体Siの界面は加工硬化が進んで不安定な
状態となる。更に単体Siは再結晶前の旧粒界等の
転位密度の高い領域に集団となつて析出する傾向
が強い。このようなことから硬い単体Si粒子が柔
かいAlマトリツクス中に集団となつて存在する
ことになり、重ね合せ圧延を行なうような薄物箔
ではピンホールの発生の大きな原因となつてい
る。 問題点を解決するための手段 本発明はこれに鑑み種々検討の結果、均熱化条
件、均熱化後から熱間圧延を開始するまでの条
件、熱間圧延条件、冷間圧延条件及び中間焼純条
件を制御して固溶不純物量を減少させたうえ、単
体Siの析出を抑えることによりピンホールの少な
い箔地を製造し得ることを知見し、更に検討の結
果ピンホールの少ない箔を製造することができる
アルミニウム箔地の製造法を開発したもので、
Fe0.1〜1.0％、Ti0.005〜0.05％、Si0.3％以下、
Cu0.03％以下、Mg0.01％以下、Mn0.01％以下、
残部Alからなる鋳塊を470〜580℃で２〜24時間
均熱処理した後、380〜470℃まで冷却し、380〜
470℃で熱間圧延を開始し210〜260℃で圧延を終
了し、これに圧下率50％以上の冷間圧延と連続焼
純炉による400〜600℃で10分以内の中間焼純を施
し、しかる後冷間圧延を行なうことを特徴とする
ものである。 即ち本発明者等は箔のピンホール数及び圧延硬
化に関する一連の研究から次のような知見を得
た。 (1) 圧延硬化は固溶不純物量と密接な関係があ
り、固溶Fe、Si、Mg、Cu、Mnは何れも加工
軟化を抑制し、圧延硬化の要因となるばかり
か、ピンホールを増大する。 (2) 圧延硬化と圧延性の間には、箔地素板から箔
圧延の１パス又は２パスの領域で高圧下の可能
な圧延速度の上がるものは箔地素板からの加工
硬化率が小さい。ただし強度の絶対値はさほど
問題ではない。 (3) 薄箔したときのピンホール数と箔の組織を対
応させたところ、ピンホールの多いものには単
体Siの析出が多く見られ、ピンホールの少ない
ものには単体Siの析出がほとんど見られず、か
わりにAl−Fe−Si系の化合物が見られる。 このような知見に基づきピンホール数が少な
く、しかも圧延性を良好にする箔地の製造法とし
ては、固溶不純物量の低減を計り、かつ固溶Si量
の低減をAl−Fe−Si系化合物として単体Siの析
出を抑制する必要がある。これについて更に検討
の結果、上記製造法を得たものである。 作 用 本発明においてFe含有量を0.1〜1.0％と限定し
たのは、Feは適度な強度の増加及び結晶粒の微
細化効果があり、更に箔圧延の最終パスにおいて
加工硬化させる効果を示すも、0.1％未満では効
果が少なく、1.0％を越えると耐食性を低下する
ためである。 Ti含有量を0.005〜0.05％と限定したのは、Ti
は鋳造組織を微細均一な等軸晶とするために必要
な元素であるが、0.005未満では効果が少なく、
0.05％を越えても大幅な効果が期待できないため
である。尚Tiの添加はAl−Ti母合金又は／及び
Al−Ti−Ｂ母合金として添加すればよい。 Si含有量を0.3％以下と限定したのは、SiはAl
に対する固溶度が大きく、圧延硬化を促進させる
ため、できるだけ少ない方が良いためである。即
ちSi含有量を0.01％以下に抑えることができれば
それだけでピンホール数が少なく、圧延性の優れ
た箔地の製造が可能となる。しかしSiはAl地金
に不可避的に含まれるところから後工程において
Al−Fe−Si系化合物として固溶Si量を減少させ
ることができる量から0.3％以下に抑えたもので、
0.3％を越えると固溶Si量が増加し、ピンホール
数を増大するばかりか、圧延性も劣化する。 Cu含有量を0.03％以下、Mg含有量を0.01％以
下、Mn含有量を0.01％以下と限定したのは、こ
れ等元素はSi同様Al地金に不可避的に含まれ、
Alに対する固溶度が大きく、圧延硬化を促進さ
せるため、できるだけ少なく抑える必要があるた
めである。しかしてこれ等元素は箔地にある程度
の強度を持たせるために多少含有させる必要があ
り、この面からCuを0.03％以下、Mgを0.01％以
下、Mnを0.01％以下としたものである。 上記組成の鋳塊を470〜580℃で２〜24時間均熱
処理するのは、鋳塊中の固溶不純物量の低減、特
に固溶Si量をAl−Fe−Si系化合物として減少さ
せるためで、470℃未満では効果が少なく、580℃
を越えると鋳塊中のAl6Fe晶出物が安定なAl3Fe
化合物となり、Al−Fe−Si系化合物へと変化し
ないため、固溶Siを減少させることができないた
めである。また処理時間が２時間未満では均熱効
果が少なく、24時間を越えても固溶Si量の減少が
望めないためである。 次に均熱処理後、380〜470℃まで冷却して熱間
圧延を開始するが、この冷却において50℃／時以
下の冷却速度で冷却するか又は／及び380〜470℃
の温度で30分以上加熱保持することにより、鋳塊
中の固溶不純物量を減少させ、中でも固溶Siを
Al−Fe−Siの金属間化合物として析出させるこ
とができる。このようにして380〜470℃で熱間圧
延を開始し、210〜260℃で終了するのは、熱間圧
延中にも硬い単体Siの析出が起るところから熱間
圧延の際及び熱間圧延後のコイル巻取りにおける
単体Siの析出を抑えるためであり、開始温度が
380℃未満では変形抵抗が大きく生産性が劣り、
470℃を越えると熱間圧延中に単体Siが析出し易
くなる。また終了温度が210℃未満では圧延油の
巻込みが生じ易く、260℃を越えると単体Siの析
出が起り易くなるためである。尚上記温度範囲で
熱間圧延を行なえばAl−Fe−Si系化合物が積極
的に析出し、単体Siの析出を抑えることができ
る。 またその後の冷間圧延における圧下率を50％以
上としたのは、素材にある臨界加工度以上の塑形
変形を与えた後、ある温度以上に加熱することに
より転位密度の高い領域から新たに転位密度の小
さい結晶粒に成長させるためである。即ちこの再
結晶において結晶粒度が小さいほど、箔圧延にお
ける重ね合せ圧延の合せ面が良好なものとなるた
め、再結晶により平均粒径を50μｍ以下とするこ
とが望ましく、このためには圧下率を50％以上と
する必要がある。 次に連続焼純炉により400〜600℃で10分以内の
中間焼純を行なうのは、箔地を軟質化させて結晶
粒を微細均一にすると共に、単体Siを析出させる
ことなく、Al−Fe−Si系化合物を均一微細に析
出させてその後の冷間圧延を容易にするためであ
り、中間焼純温度が400℃未満では短時間で軟質
化させることができず、600℃を越えると結晶粒
が粗大となりやすく、更に析出物のマトリツクス
への再固溶が進むようになるためである。また焼
純時間が10分を越えると結晶粒が粗大となりやす
く、析出物もマトリツクスへと再固溶するように
なり好ましくない。 実施例 １ 第１表に示す組成のアルミニウム合金を常法に
より鋳造し、これらを530℃で６時間均熱処理し
た後、430℃まで40℃／時の冷却速度で冷却し、
400℃で熱間圧延を開始し、220〜250℃で圧延を
終了するようにして、この間に厚さ４mmに圧延し
た。これを厚さ0.8mmまで冷間圧延した後、連続
焼純炉により500℃で90秒の中間焼純を行ない、
しかる後厚さ0.42mmまで冷間圧延し、これを箔圧
延により厚さ5.0μｍの箔に仕上げた。 これ等について圧延性を評価すると共に厚さ
5.0μｍの箔についてピンホール数を測定した。こ
れ等の結果を第１表に併記した。 尚圧延性の評価は上記箔圧延工程において、厚
さ0.2mmでサンプルを採取して引張強さを測定し、
厚さ0.2mmから0.1mmまでの圧延パス回数を調べ
た。圧延は２段圧延機を用い、前方、後方張力な
し、潤滑油なしの条件で行なつた。また厚さ0.8
mmから厚さ5.0μｍの箔に仕上げるまでの間にサン
プルを採取し、厚さ0.8mmから厚さ5.0μｍの箔に
仕上げるまでの加工硬化曲線を作成した。その結
果を第１図に示す。
【表】
第１図及び第１表から明らかなように、本発明
法No.１〜２は加工硬化が比較的小さくピンホール
数も少ないのに対し、Si含有量の多い比較法No.
３、Mn及びMg含有量の多い比較法No.４、Cu含
有量の多い比較法No.５は何れも本発明法No.１〜２
と比較し、圧延性が悪くピンホール数も非常に多
くなつていることが判る。 実施例 ２ Si0.13％、Fe0.47％、Cu0.013％、Mn0.003％、
Mg0.002％、Ti0.013％、残部Alからなる合金を
常法により溶解鋳造し、鋳塊を530℃で６時間均
熱処理した後、40℃／時の冷却速度で種々の熱間
圧延温度まで冷却し、種々の条件で熱間圧延を行
ない、これより透過電顕サンプルを作成し、
EDX（エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザ
ー）により単体Siの析出の有無を調べた。その結
果を第２図に示す。 図は縦軸に熱間圧延終了温度、横軸に熱間圧延
開始温度を取り、単体Siの析出の有無を示したも
ので、図中〇印は単体Siの析出なし、△印は単体
Siのわずかな析出、×印は単体Siの析出が多いも
のを示す。 図から明らかなように、熱間圧延開始温度が
380〜470％、終了温度が210〜260℃であれば単体
Siの析出を抑制できることが判る。 実施例 ３ Si0.14％、Fe0.46％、Cu0.013％、Mn0.003％、
Mg0.001％、Ti0.014％、残部Alからなる合金を
常法により溶解鋳造し、鋳塊を第２表に示す製造
条件で均熱処理、冷却、4.0mmまで熱間圧延、0.8
mmまで冷間圧延、中間焼純、冷間圧延により厚さ
0.42mmとし、これを箔圧延により厚さ5.0μｍの箔
に仕上げた。 これ等について実施例１と同様にして圧延回数
とピンホール数を測定すると共に、厚さ0.42mmの
箔地について単体Siの析出量を調べた。これ等の
結果を第２表に示す。
法No.１〜２は加工硬化が比較的小さくピンホール
数も少ないのに対し、Si含有量の多い比較法No.
３、Mn及びMg含有量の多い比較法No.４、Cu含
有量の多い比較法No.５は何れも本発明法No.１〜２
と比較し、圧延性が悪くピンホール数も非常に多
くなつていることが判る。 実施例 ２ Si0.13％、Fe0.47％、Cu0.013％、Mn0.003％、
Mg0.002％、Ti0.013％、残部Alからなる合金を
常法により溶解鋳造し、鋳塊を530℃で６時間均
熱処理した後、40℃／時の冷却速度で種々の熱間
圧延温度まで冷却し、種々の条件で熱間圧延を行
ない、これより透過電顕サンプルを作成し、
EDX（エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナライザ
ー）により単体Siの析出の有無を調べた。その結
果を第２図に示す。 図は縦軸に熱間圧延終了温度、横軸に熱間圧延
開始温度を取り、単体Siの析出の有無を示したも
ので、図中〇印は単体Siの析出なし、△印は単体
Siのわずかな析出、×印は単体Siの析出が多いも
のを示す。 図から明らかなように、熱間圧延開始温度が
380〜470％、終了温度が210〜260℃であれば単体
Siの析出を抑制できることが判る。 実施例 ３ Si0.14％、Fe0.46％、Cu0.013％、Mn0.003％、
Mg0.001％、Ti0.014％、残部Alからなる合金を
常法により溶解鋳造し、鋳塊を第２表に示す製造
条件で均熱処理、冷却、4.0mmまで熱間圧延、0.8
mmまで冷間圧延、中間焼純、冷間圧延により厚さ
0.42mmとし、これを箔圧延により厚さ5.0μｍの箔
に仕上げた。 これ等について実施例１と同様にして圧延回数
とピンホール数を測定すると共に、厚さ0.42mmの
箔地について単体Siの析出量を調べた。これ等の
結果を第２表に示す。
【表】
冷却
【表】
第２表から明らかなように本発明法No.６〜11は
何れも単体Siの析出が少なく、加工性も良好でピ
ンホール数も少ないことが判る。 これに対し均熱処理温度が高い比較法No.12、中
間焼純温度が低い比較法No.13、熱間圧延開始温度
及び終了温度が高い比較法No.14、中間焼純時間が
長い比較法No.15は何れもピンホール数が増大して
いる。 発明の効果 このように本発明によればピンホールの少ない
箔地を容易に製造し得るもので、透湿性（通気
性）の少ないアルミニウム箔を提供することがで
きる顕著な効果を奏するものである。
何れも単体Siの析出が少なく、加工性も良好でピ
ンホール数も少ないことが判る。 これに対し均熱処理温度が高い比較法No.12、中
間焼純温度が低い比較法No.13、熱間圧延開始温度
及び終了温度が高い比較法No.14、中間焼純時間が
長い比較法No.15は何れもピンホール数が増大して
いる。 発明の効果 このように本発明によればピンホールの少ない
箔地を容易に製造し得るもので、透湿性（通気
性）の少ないアルミニウム箔を提供することがで
きる顕著な効果を奏するものである。
第１図は本発明法における箔地の加工硬化に及
ぼすSi，Fe，Mn，Mg等の影響を示す説明図、
第２図は本発明法における単体Siの析出に及ぼす
熱間圧延開始温度と終了温度の影響を示す説明図
である。
ぼすSi，Fe，Mn，Mg等の影響を示す説明図、
第２図は本発明法における単体Siの析出に及ぼす
熱間圧延開始温度と終了温度の影響を示す説明図
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Fe0.1〜1.0wt％、Ti0.005〜0.05wt％、
Si0.3wt％以下、Cu0.03wt％以下、Mg0.01wt％
以下、Mn0.01wt％以下、残部Alからなる鋳塊を
470〜580℃で２〜24時間均熱処理した後、380〜
470℃まで冷却し、380〜470℃で熱間圧延を開始
し210〜260℃で圧延を終了し、これに圧下率50％
以上の冷間圧延と連続焼純による400〜600℃で10
分以内の中間焼純を施し、しかる後冷間圧延を行
なうことを特徴とするアルミニウム箔地の製造
法。 ２ 均熱処理した後、50℃／時以下の平均冷却速
度で380〜470℃まで冷却する特許請求の範囲第１
項記載のアルミニウム箔地の製造法。 ３ 均熱処理した後、380〜470℃まで冷却し、そ
の温度で30分以上加熱保持して熱間圧延を開始す
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載のアルミ
ニウム箔地の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9906985A JPS61257459A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | アルミニウム箔地の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9906985A JPS61257459A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | アルミニウム箔地の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61257459A JPS61257459A (ja) | 1986-11-14 |
| JPH0585630B2 true JPH0585630B2 (ja) | 1993-12-08 |
Family
ID=14237554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9906985A Granted JPS61257459A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | アルミニウム箔地の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61257459A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2670324B2 (ja) * | 1988-11-29 | 1997-10-29 | 古河電気工業株式会社 | アルミニウム箔地の製造方法 |
| JP2626922B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1997-07-02 | スカイアルミニウム株式会社 | 板幅方向の機械的性質および耳率が均一なアルミニウム板の製造方法 |
| JPH04289143A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Furukawa Alum Co Ltd | 強度と成形性に優れたアルミニウム合金箔 |
| US6736911B1 (en) | 1999-07-09 | 2004-05-18 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Aluminum alloy, aluminum alloy foil, container and method of preparing aluminum alloy foil |
| CN114559014B (zh) * | 2022-02-11 | 2024-04-16 | 龙口南山铝压延新材料有限公司 | 一种延伸率≥4.0锂电池用铝箔的制备方法 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9906985A patent/JPS61257459A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61257459A (ja) | 1986-11-14 |
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