JPS61257459A - アルミニウム箔地の製造法 - Google Patents
アルミニウム箔地の製造法Info
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- JPS61257459A JPS61257459A JP9906985A JP9906985A JPS61257459A JP S61257459 A JPS61257459 A JP S61257459A JP 9906985 A JP9906985 A JP 9906985A JP 9906985 A JP9906985 A JP 9906985A JP S61257459 A JPS61257459 A JP S61257459A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
を製造するためのものである。
従来の技術
一般にアルミニウム箔地は用途によって異なるが、厚さ
５．０χ２００μｍのものが多く用いられており、通常
Ｃｕ０．０４ｗｔ％以下（以下ｗ ｔ ％を単にチと略
記）、Ｓｉ０．２％以下、Ｆｅｏ、２５％以下、Ｍｎ
０．０３ ％以下、Ｍｇ０．０３％以下、ｚｎＯ００４
チ以下、Ｔｉ０．０３チ以下、Ａｌ９９．７チ以％ 以下、Ｍｎ０１０５％ｖ、Ｚｎ Ｏ−０５％以下、Ａｌ
９９．３チ以上のＪＩＳＩＮ３０、Ｃｕ ０．０５−０
，２０％、Ｓｉ０．６％以下、Ｆｅｄ−７％以下、Ｍｎ
１．Ｏ〜１．５％、ｚｎｏ、１０％以下、残部ＡｌのＪ
ＩＳ３００３からなる。
５．０χ２００μｍのものが多く用いられており、通常
Ｃｕ０．０４ｗｔ％以下（以下ｗ ｔ ％を単にチと略
記）、Ｓｉ０．２％以下、Ｆｅｏ、２５％以下、Ｍｎ
０．０３ ％以下、Ｍｇ０．０３％以下、ｚｎＯ００４
チ以下、Ｔｉ０．０３チ以下、Ａｌ９９．７チ以％ 以下、Ｍｎ０１０５％ｖ、Ｚｎ Ｏ−０５％以下、Ａｌ
９９．３チ以上のＪＩＳＩＮ３０、Ｃｕ ０．０５−０
，２０％、Ｓｉ０．６％以下、Ｆｅｄ−７％以下、Ｍｎ
１．Ｏ〜１．５％、ｚｎｏ、１０％以下、残部ＡｌのＪ
ＩＳ３００３からなる。
これ等は鋳塊を均熱化処理してから熱間圧延し、しかる
後冷間圧延と箔地焼鈍を行なって造られている。しかし
ながら苗圧が２５μｍ以下になるとピンホールの発生を
避けることができず、透湿度（通気度）が増大する欠点
があり、用途によってはこれが大きな問題となっている
。
後冷間圧延と箔地焼鈍を行なって造られている。しかし
ながら苗圧が２５μｍ以下になるとピンホールの発生を
避けることができず、透湿度（通気度）が増大する欠点
があり、用途によってはこれが大きな問題となっている
。
最近特公昭５９−１９１８６号公報に圧延硬化の少ない
箔圧延性に優れたアルミニウム箔地の製造法が提案され
た。この方法はＦｅ０．１〜０８チ、Ｔ ｉ ０．００
３〜０．８％、を含有し、不純物としてＳｉを０．２’
１６以下、Ｃｕを０．０３％以下、Ｍｎを０．００８％
以下、Ｍｇを０．００８％以下に抑え、残部Ａｌからな
る鋳塊を５００〜６００℃で均熱化処理した後、熱間圧
延してから圧下率５０％以上の冷間圧延を加え、その後
２８０〜３４０℃で箔地焼鈍を行なうものである。この
方法によれば均熱化処理と箔地焼鈍の組み合せにより、
単体Ｓｉを積極的に析出させて圧延硬化を減少させ、こ
の圧延硬化の減少によって圧延条件の組み合せを若干緩
やかなものとすることにより、ピンホール数を少なくす
ることができるとしている。
箔圧延性に優れたアルミニウム箔地の製造法が提案され
た。この方法はＦｅ０．１〜０８チ、Ｔ ｉ ０．００
３〜０．８％、を含有し、不純物としてＳｉを０．２’
１６以下、Ｃｕを０．０３％以下、Ｍｎを０．００８％
以下、Ｍｇを０．００８％以下に抑え、残部Ａｌからな
る鋳塊を５００〜６００℃で均熱化処理した後、熱間圧
延してから圧下率５０％以上の冷間圧延を加え、その後
２８０〜３４０℃で箔地焼鈍を行なうものである。この
方法によれば均熱化処理と箔地焼鈍の組み合せにより、
単体Ｓｉを積極的に析出させて圧延硬化を減少させ、こ
の圧延硬化の減少によって圧延条件の組み合せを若干緩
やかなものとすることにより、ピンホール数を少なくす
ることができるとしている。
発明が解決しようとする問題点
単体Ｓｉを積極的に析出させることによジ、圧延硬化を
若干緩やかなものとすることは可能であるが、合せ圧延
を行なう薄物箔では逆にピンホール発生の大きな原因と
なっている。即ちＳｉは耐摩耗性材料に添加されるよう
にそれ自体非常に硬い物質であり、これが柔かいＡｌマ
ド１１ツクス中に存在すると、圧延によって薄くなって
いく場合、変形して伸ばされるのばＡｌマド１１ツクス
のみで単体Ｓｉが変形することはない。従ってＡＡマド
１１ツクスと単体Ｓｉの界面は加工硬化が進んで不安定
な状態となる。更に単体Ｓｉは再結晶前の旧粒界等の転
位密度の高い領域に集団となって析出する傾向が強い。
若干緩やかなものとすることは可能であるが、合せ圧延
を行なう薄物箔では逆にピンホール発生の大きな原因と
なっている。即ちＳｉは耐摩耗性材料に添加されるよう
にそれ自体非常に硬い物質であり、これが柔かいＡｌマ
ド１１ツクス中に存在すると、圧延によって薄くなって
いく場合、変形して伸ばされるのばＡｌマド１１ツクス
のみで単体Ｓｉが変形することはない。従ってＡＡマド
１１ツクスと単体Ｓｉの界面は加工硬化が進んで不安定
な状態となる。更に単体Ｓｉは再結晶前の旧粒界等の転
位密度の高い領域に集団となって析出する傾向が強い。
このようなことから硬い産休Ｓｊ粒子が柔かいＡｌマト
リックス中に集団となって存在することになり、重ね合
せ圧延を行なうような薄物箔でにピンホールの発生の大
きな原因となっている。
リックス中に集団となって存在することになり、重ね合
せ圧延を行なうような薄物箔でにピンホールの発生の大
きな原因となっている。
問題点を解決するための手段
本発明はこれに鑑み種々検討の結果、均熱化条件、均熱
化後から熱間圧延を開始する壕での条件、熱間圧延条件
、冷間圧延条件及び中間焼鈍条件を制御して固溶不純物
量を減少させたうえ、単体Ｓｉの析出を抑えることによ
りピンホールの少ない箔地全製造し得ることを知見し、
更に検討の結果ピンホールの少ない箔を製造することが
できるアルミニウム箔地の製造法を開発したもので、Ｆ
ｅ０．１〜１．０％、Ｔｉ０．００５〜０．５チ、Ｓｉ
０．３％以下、Ｃｕ０．０３％以下、Ｍｇ０．０１％以
下、Ｍｎ０．０１％以下、残部Ａ／、から々る鋳塊を４
７０〜５８０℃で２〜２４時間均熱処理した後、３８０
〜４７０℃まで冷却し、３８０〜４７０℃で熱間圧延を
開始して２１０〜２６０℃で圧延を終了１１、これに圧
下率５０％以上の冷間圧延と連続焼鈍炉による４００〜
６００℃で１０分以内の中間焼鈍を施し、しかる後冷間
圧延を行なうことを特徴とするもの＋ある。
化後から熱間圧延を開始する壕での条件、熱間圧延条件
、冷間圧延条件及び中間焼鈍条件を制御して固溶不純物
量を減少させたうえ、単体Ｓｉの析出を抑えることによ
りピンホールの少ない箔地全製造し得ることを知見し、
更に検討の結果ピンホールの少ない箔を製造することが
できるアルミニウム箔地の製造法を開発したもので、Ｆ
ｅ０．１〜１．０％、Ｔｉ０．００５〜０．５チ、Ｓｉ
０．３％以下、Ｃｕ０．０３％以下、Ｍｇ０．０１％以
下、Ｍｎ０．０１％以下、残部Ａ／、から々る鋳塊を４
７０〜５８０℃で２〜２４時間均熱処理した後、３８０
〜４７０℃まで冷却し、３８０〜４７０℃で熱間圧延を
開始して２１０〜２６０℃で圧延を終了１１、これに圧
下率５０％以上の冷間圧延と連続焼鈍炉による４００〜
６００℃で１０分以内の中間焼鈍を施し、しかる後冷間
圧延を行なうことを特徴とするもの＋ある。
即ち本発明者等は箔のピンホール数及び圧延硬化に関す
る一連の研究から次のような知見を得た。
る一連の研究から次のような知見を得た。
（１）圧延硬化は固溶不純物量と密接な関係があＶ、固
溶Ｆｅｘ Ｓ ｉ、 Ｍｇ％Ｃｕ、 Ｍｎｉ何ｔｌ１７
Ｊ［］工軟化を抑制し、圧延硬化の要因となるばかりか
、ピンホールを増大する。
溶Ｆｅｘ Ｓ ｉ、 Ｍｇ％Ｃｕ、 Ｍｎｉ何ｔｌ１７
Ｊ［］工軟化を抑制し、圧延硬化の要因となるばかりか
、ピンホールを増大する。
（２）圧延硬化と圧延性の間には、箔地素板から箔圧延
の１パス又は２パスの領域で高圧下の可能な圧延速度の
上がるものは箔地素板からの加工硬化率が小さい。ただ
し強度の絶対値はさほど問題でにない。
の１パス又は２パスの領域で高圧下の可能な圧延速度の
上がるものは箔地素板からの加工硬化率が小さい。ただ
し強度の絶対値はさほど問題でにない。
（３）薄箔に市たときのピンホール数と箔の組織を対応
させたところ、ピンホールの多いものには単体Ｓｆの析
出が多く見られ、ピンホールの少ないものには単体Ｓｉ
の析出がほとんど見られず、かわりにＡＪａ−Ｆｅ−８
ｉ系の化合物が見られる。
させたところ、ピンホールの多いものには単体Ｓｆの析
出が多く見られ、ピンホールの少ないものには単体Ｓｉ
の析出がほとんど見られず、かわりにＡＪａ−Ｆｅ−８
ｉ系の化合物が見られる。
このような知見に基づきピンホール数が少なく、しかも
圧延性を良好にする箔地の製造法としては、固溶不純物
量の低減を計り、かつ固溶Ｓｉ量の低減をｈｔ−Ｆｅ−
３ｉ系化合物として単体Ｓｉの析出を抑制する必要があ
る。これについて更に検討の結果、上記製造法を得たも
のである。
圧延性を良好にする箔地の製造法としては、固溶不純物
量の低減を計り、かつ固溶Ｓｉ量の低減をｈｔ−Ｆｅ−
３ｉ系化合物として単体Ｓｉの析出を抑制する必要があ
る。これについて更に検討の結果、上記製造法を得たも
のである。
作用
本発明においてＦｅ含有量を０．１〜１．０チと限定し
たのは、Ｆｅは適度な強度の増加及び結晶粒の微細化効
果があり、更に箔圧延の最終パスにおいて加工軟化させ
る効果を示すも、０．１％未満では効果が少なく、１．
０％を越えると耐食性を低下するためである。
たのは、Ｆｅは適度な強度の増加及び結晶粒の微細化効
果があり、更に箔圧延の最終パスにおいて加工軟化させ
る効果を示すも、０．１％未満では効果が少なく、１．
０％を越えると耐食性を低下するためである。
Ｔｉ含有量を０６００５〜０６０５％と限定したのは、
Ｔｊは鋳造組織を微細均一な等軸晶とするために必要な
元素であるが、０．００５％未満では効果が少なく、０
．０５％を越えても大幅な効果が期待できないためであ
る。尚Ｔｉの添加はＡｌ−Ｔｉ母合金又は／及びＡｌ−
Ｔｉ−Ｂ母合金とＵ。
Ｔｊは鋳造組織を微細均一な等軸晶とするために必要な
元素であるが、０．００５％未満では効果が少なく、０
．０５％を越えても大幅な効果が期待できないためであ
る。尚Ｔｉの添加はＡｌ−Ｔｉ母合金又は／及びＡｌ−
Ｔｉ−Ｂ母合金とＵ。
て添加すればよい。
Ｓｉ含有量を０．３％以下と限定したのは、５ｉＨＡｌ
に対する固溶度が犬きぐ、圧延硬化を促進させるため、
できるだけ少ない方が良いためである。即ちＳｉ含有量
を０．０１％以下に抑えることができればそれだけでピ
ンボール数が少なく、圧延性の優れた箔地の製造が可能
となる。
に対する固溶度が犬きぐ、圧延硬化を促進させるため、
できるだけ少ない方が良いためである。即ちＳｉ含有量
を０．０１％以下に抑えることができればそれだけでピ
ンボール数が少なく、圧延性の優れた箔地の製造が可能
となる。
しかしＳｌはＡ７地金に不可避的に含まれるところから
後工程においてＡｌ−Ｆｅ−８ｉ系化合物として固溶Ｓ
ｉ量を減少させることができる量から０．３％以下に抑
えたもので、０．３％を越えると固溶Ｓｉ量が増加し、
ピンボール数を増大するばかりか、圧延性も劣化する。
後工程においてＡｌ−Ｆｅ−８ｉ系化合物として固溶Ｓ
ｉ量を減少させることができる量から０．３％以下に抑
えたもので、０．３％を越えると固溶Ｓｉ量が増加し、
ピンボール数を増大するばかりか、圧延性も劣化する。
Ｃｕ含有量’ｒ０．０３％以下、Ｍｇ含有量を０．０１
係以下、Ｍｎ含有量を０６０１％以下と限定したのは、
これ等元素はＳｉ同様Ａｌ地金に不可避的に含捷れ、Ａ
ｌＫ対する固溶度が大きく、圧延硬化を促進させるため
、できるだけ少なく抑える必要があるためである。しか
してこれ等元素は箔地にある程度の強度を持たせるため
に多少含有させる必要があり、この面からＣｕを０．０
３チ以下、Ｍｇを０．０１％以下、Ｍｎを０．０１％以
としたものである。
係以下、Ｍｎ含有量を０６０１％以下と限定したのは、
これ等元素はＳｉ同様Ａｌ地金に不可避的に含捷れ、Ａ
ｌＫ対する固溶度が大きく、圧延硬化を促進させるため
、できるだけ少なく抑える必要があるためである。しか
してこれ等元素は箔地にある程度の強度を持たせるため
に多少含有させる必要があり、この面からＣｕを０．０
３チ以下、Ｍｇを０．０１％以下、Ｍｎを０．０１％以
としたものである。
上記組成の鋳塊を４７０〜５８０℃で２〜２４時間均熱
処理するのは、鋳塊中の固溶不純物量の低減、特に固溶
Ｓｉ量をＡｌ−Ｆｅ−８ｉ系化合物として減少させるた
めで、４７０℃未満では効果が少なく、５８０℃を越え
ると鋳塊中のＡｌｇＦｅ晶出物が安定なＡムＦｅ化合物
とな５．Ａｌ−１；”ｅ−８ｉ系化合物へと変化しない
ため、固溶Ｓｉを減少させることができないためである
。また処理時間が２時間未満では均熱効果が少なく、２
４時間を越えても固溶Ｓｉ量の減少が望めないためであ
る。
処理するのは、鋳塊中の固溶不純物量の低減、特に固溶
Ｓｉ量をＡｌ−Ｆｅ−８ｉ系化合物として減少させるた
めで、４７０℃未満では効果が少なく、５８０℃を越え
ると鋳塊中のＡｌｇＦｅ晶出物が安定なＡムＦｅ化合物
とな５．Ａｌ−１；”ｅ−８ｉ系化合物へと変化しない
ため、固溶Ｓｉを減少させることができないためである
。また処理時間が２時間未満では均熱効果が少なく、２
４時間を越えても固溶Ｓｉ量の減少が望めないためであ
る。
次に均熱処理後、３８０〜４７０℃まで冷却して熱間圧
延を開始するが、この冷却において５０℃／時以下の冷
却速度で冷却するか又に／及び３８０〜４７０℃の温度
で３０分以上加熱保持することにより、鋳塊中の固溶不
純物量を減少させ、中でも固溶ＳｉをＡＬ−Ｆｅ−８ｉ
の金属間化合物として析出させることができる。
延を開始するが、この冷却において５０℃／時以下の冷
却速度で冷却するか又に／及び３８０〜４７０℃の温度
で３０分以上加熱保持することにより、鋳塊中の固溶不
純物量を減少させ、中でも固溶ＳｉをＡＬ−Ｆｅ−８ｉ
の金属間化合物として析出させることができる。
このようにして３８０〜４７０℃で熱間圧延を開始し、
２１０〜２６０℃で終了するのは、熱間圧延中にも硬い
単体Ｓｉの析出が起るところから熱間圧延の際及び熱間
圧延後のコイル巻取りにおける単体Ｓｉの析出を抑える
ためであり、開始温度が３８０℃未満では変形抵抗が犬
きく生産性が劣り、４７０℃を越えると熱間圧延中に単
体Ｓｉが析出し易くなる。また終了温度が２１０℃未満
では圧延油の巻込みが生じ易（，２６０℃を越えると単
体Ｓｉの析出が起り易くなるためである。向上記温度範
囲で熱間圧延を行なえばＡＬ−Ｆｅ−８ｉ系化合物が積
極的に析出し、単体Ｓｉの析出を抑えることができる。
２１０〜２６０℃で終了するのは、熱間圧延中にも硬い
単体Ｓｉの析出が起るところから熱間圧延の際及び熱間
圧延後のコイル巻取りにおける単体Ｓｉの析出を抑える
ためであり、開始温度が３８０℃未満では変形抵抗が犬
きく生産性が劣り、４７０℃を越えると熱間圧延中に単
体Ｓｉが析出し易くなる。また終了温度が２１０℃未満
では圧延油の巻込みが生じ易（，２６０℃を越えると単
体Ｓｉの析出が起り易くなるためである。向上記温度範
囲で熱間圧延を行なえばＡＬ−Ｆｅ−８ｉ系化合物が積
極的に析出し、単体Ｓｉの析出を抑えることができる。
またその後の冷間圧延における圧下率全５０チ以上とし
たのは、素材にある臨界加工度以上の塑性変形を与えた
後、ある温度以上に加熱することにより転位密度の高い
領域から新たに転位密度の小さい結晶粒に成長させるた
めである。
たのは、素材にある臨界加工度以上の塑性変形を与えた
後、ある温度以上に加熱することにより転位密度の高い
領域から新たに転位密度の小さい結晶粒に成長させるた
めである。
即ちこの再結晶において結晶粒度が小さいほど、箔圧延
における重ね合せ圧延の合せ面が良好なものとなるため
、再結晶により平均粒径を５０μｍ以下とすることが望
まし、く、このためには圧下率を５０％以上とする必要
がある。
における重ね合せ圧延の合せ面が良好なものとなるため
、再結晶により平均粒径を５０μｍ以下とすることが望
まし、く、このためには圧下率を５０％以上とする必要
がある。
次に連続焼鈍炉により４００〜６００℃で１０分以内の
中間焼鈍を行なうのは、箔地を軟虻させて結晶粒を微細
均一にすると共に、単体Ｓｉを析出させることなく ％
Ａｌ−Ｆ ｅ−８ｉ系化合物を均一微細に析出させて
その後の冷間圧延を容易にするためであり、中間焼鈍温
度が４００℃未満では短時間で軟質化させることができ
ず、６００℃を越えると結晶粒が粗大となりやすぐ、更
に析出物のマド１１ツクスへの再固溶が進むようになる
ためである。！ｉ：た焼鈍時間が１０分を越えると結晶
粒が粗大となりやすぐ、析出物もマド１１ツクスへと再
固溶するようになり好ましくない。
中間焼鈍を行なうのは、箔地を軟虻させて結晶粒を微細
均一にすると共に、単体Ｓｉを析出させることなく ％
Ａｌ−Ｆ ｅ−８ｉ系化合物を均一微細に析出させて
その後の冷間圧延を容易にするためであり、中間焼鈍温
度が４００℃未満では短時間で軟質化させることができ
ず、６００℃を越えると結晶粒が粗大となりやすぐ、更
に析出物のマド１１ツクスへの再固溶が進むようになる
ためである。！ｉ：た焼鈍時間が１０分を越えると結晶
粒が粗大となりやすぐ、析出物もマド１１ツクスへと再
固溶するようになり好ましくない。
実施例（１）
第１表に示す組成のアルミニウム合金を常法により鋳造
し、これらを５３０℃で６時間均熱処理した後、４３０
℃壕で４０℃／時の冷却速度で冷却し、４００℃で熱間
圧延を開始し、２２０〜２５０℃で圧延を終了するよう
にして、 この間に厚さ４瓢に圧延した。これを厚さ０
．８ Ｗｖｎまで冷間圧延した後、連続焼鈍炉により５
００℃で９０秒の中間焼鈍を行ない、しかる後厚さ０．
４２ｍｍまで冷間圧延し、これを箔圧延により厚さ５．
０μｍの箔に仕上げた。
し、これらを５３０℃で６時間均熱処理した後、４３０
℃壕で４０℃／時の冷却速度で冷却し、４００℃で熱間
圧延を開始し、２２０〜２５０℃で圧延を終了するよう
にして、 この間に厚さ４瓢に圧延した。これを厚さ０
．８ Ｗｖｎまで冷間圧延した後、連続焼鈍炉により５
００℃で９０秒の中間焼鈍を行ない、しかる後厚さ０．
４２ｍｍまで冷間圧延し、これを箔圧延により厚さ５．
０μｍの箔に仕上げた。
これ等について圧延性を評価すると共に厚さ５．０μｍ
の箔についてピンホール数を測定した。
の箔についてピンホール数を測定した。
これ等の結果を第１表に併記した。
尚圧延性の評価は上記箔圧延工程において、厚さ０．２
ｔｒｍでサンプルを採取して引張強さを測定し、厚さ
０．２ ｔｔａｎから０．１ ｆｉｉでの圧延パス回数
を調べた。圧延は２段圧延機を用い、前方。
ｔｒｍでサンプルを採取して引張強さを測定し、厚さ
０．２ ｔｔａｎから０．１ ｆｉｉでの圧延パス回数
を調べた。圧延は２段圧延機を用い、前方。
後方張力なｌ−１潤滑油なしの条件で行なった。
捷た厚さ０．８ ＷｆＡから厚さ５．０μｍの箔、に仕
上げる才での間にサンプルを採取シフ、厚さ０．８霧か
ら厚さ５．０μｍの箔に仕上げるまでの加工硬化曲線を
作成した。その結果を第１図に示す。
上げる才での間にサンプルを採取シフ、厚さ０．８霧か
ら厚さ５．０μｍの箔に仕上げるまでの加工硬化曲線を
作成した。その結果を第１図に示す。
第１図及び第１表から明らか々ように、本発明法Ｎ［１
１〜２は加工硬化が比較的小さくピンホール数も少ない
のに対し、Ｓｉ含有量の多い比較法Ｎａ３、Ｍｎ及びＭ
ｇ含有量の多い比較法Ｎ［１４、Ｃｕ含有量の多い比較
法Ｎ（Ｌ５は何れも本発明法Ｎ［Ｌ１〜２と比較し、圧
延性が悪くピンホール数も非常に多くなっていることが
判る。
１〜２は加工硬化が比較的小さくピンホール数も少ない
のに対し、Ｓｉ含有量の多い比較法Ｎａ３、Ｍｎ及びＭ
ｇ含有量の多い比較法Ｎ［１４、Ｃｕ含有量の多い比較
法Ｎ（Ｌ５は何れも本発明法Ｎ［Ｌ１〜２と比較し、圧
延性が悪くピンホール数も非常に多くなっていることが
判る。
実施例（２）
Ｓｊｏ、１３％、Ｆｅｏ、４７％、Ｃ１１０，０１３％
、Ｍｎ０．００３チ、Ｍｇ０．００２％、Ｔｉ０．０１
３％、゛残部Ａ７からなる合金を常法により溶解鋳造Ｌ
７、鋳塊を５３０℃で６時間均熱処理した後、４０℃／
時の冷却速度で種々の熱間圧延温度捷で冷却し、種々の
条件で熱間圧延を行ない、これより透過電顕サンプルを
作成し、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナラ
イザー）により単体Ｓｉ析出の有無を調べた。その結果
を第２図に示す。
、Ｍｎ０．００３チ、Ｍｇ０．００２％、Ｔｉ０．０１
３％、゛残部Ａ７からなる合金を常法により溶解鋳造Ｌ
７、鋳塊を５３０℃で６時間均熱処理した後、４０℃／
時の冷却速度で種々の熱間圧延温度捷で冷却し、種々の
条件で熱間圧延を行ない、これより透過電顕サンプルを
作成し、ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線マイクロアナラ
イザー）により単体Ｓｉ析出の有無を調べた。その結果
を第２図に示す。
図に縦軸に熱間圧延終了温度、横軸に熱間圧延開始温度
を取り、単体Ｓｉの析出の有無を示したもので、図中○
印は単体Ｓｆの析出なし、Δ印は単体Ｓｉのわずがな析
出、Ｘ印に単体ｓｉの析出が多いものを示す。
を取り、単体Ｓｉの析出の有無を示したもので、図中○
印は単体Ｓｆの析出なし、Δ印は単体Ｓｉのわずがな析
出、Ｘ印に単体ｓｉの析出が多いものを示す。
図から明らかなように、熱間圧延開始温度が３８０〜４
７０℃、終了温度が２１０−２６０℃であれば単体Ｓｉ
の析出を抑制できることが判る。
７０℃、終了温度が２１０−２６０℃であれば単体Ｓｉ
の析出を抑制できることが判る。
実施例（３）
Ｓｉ０．１４％、Ｆｅ０．４６％、Ｃｕ０．０１３％、
Ｍｎ０．００３１％、Ｍｇ０．００１％、Ｔｉ０．０１
４％、残部Ａｌからなる合金を常法により溶解鋳造し、
鋳塊を第２表に示す製造条件で均熱処理、冷却、４、０
ａｍ 寸で熱間圧延、０．８ｆｒｎまで冷間圧延、中
間焼鈍、冷間圧延により厚さ０．４２ｍとし、これを箔
圧延により厚さ５，０μｍの箔に仕上げた。
Ｍｎ０．００３１％、Ｍｇ０．００１％、Ｔｉ０．０１
４％、残部Ａｌからなる合金を常法により溶解鋳造し、
鋳塊を第２表に示す製造条件で均熱処理、冷却、４、０
ａｍ 寸で熱間圧延、０．８ｆｒｎまで冷間圧延、中
間焼鈍、冷間圧延により厚さ０．４２ｍとし、これを箔
圧延により厚さ５，０μｍの箔に仕上げた。
これ等について実施例（１）と同様にして圧延回数とピ
ンホール数を測定すると共に、厚さ０．４２麺の箔地に
ついて単体ｓｉの析出量を調べた。
ンホール数を測定すると共に、厚さ０．４２麺の箔地に
ついて単体ｓｉの析出量を調べた。
これ等の結果を第２表に示す。
晋回二ニニ＝＝二＝瞑３
ｄ 、Ｄ ｔ−ω ■ 〇 −凶 の
寸 のｚ＋ ＋ ｖ−ｔ １−１ ？−１１−１ｉ
Ｊ！ｌ！！現 −汁 麻 謬 思 鯉 鄭
班第２表から明らかなように本発明法Ｎ１６〜１１は何
れも単体Ｓｉの析出が少なく、加工性も良好でピンホー
ル数も少ないことが判る。
寸 のｚ＋ ＋ ｖ−ｔ １−１ ？−１１−１ｉ
Ｊ！ｌ！！現 −汁 麻 謬 思 鯉 鄭
班第２表から明らかなように本発明法Ｎ１６〜１１は何
れも単体Ｓｉの析出が少なく、加工性も良好でピンホー
ル数も少ないことが判る。
これに対し均熱処理温度が高い比較法Ｎ［Ｌ１２、中間
焼鈍温度が低い比較法Ｎα１３、熱間圧延開始温度及び
終了温度が高い比較法Ｎ［Ｌ１４、中間焼鈍時間が長い
比較法Ｎα］５は何れもピンホール数が増大している。
焼鈍温度が低い比較法Ｎα１３、熱間圧延開始温度及び
終了温度が高い比較法Ｎ［Ｌ１４、中間焼鈍時間が長い
比較法Ｎα］５は何れもピンホール数が増大している。
発明の効果
このように本発明によればピンホールの少ない箔地を容
易に製造し得るもので、透過性（通気性）の少ないアル
ミニウム箔を提供することができる顕著な効果を奏する
ものである。
易に製造し得るもので、透過性（通気性）の少ないアル
ミニウム箔を提供することができる顕著な効果を奏する
ものである。
第１図は本発明法における箔地の加工硬化に及ぼすＳ
ｉ 、 Ｆｅ 、Ｍｎ 、Ｍｇ等の影響を示す説明図、
第２図は本発明法における単体Ｓｉの析出に及はす熱間
圧延開始温度と終了温度の影響を示す説明図である。 第２図 艶ｌ床延開始温度（０Ｃ） 手続補正書（自発） 昭和６０年１１月１９日 特許庁長官 タヨ賀ｊ＠口１３ 殿 喝 １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第９９０６９号 ６、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）発明の詳細な説明において、第３頁第３行に「前
圧」とあるを「箔厚」と訂正する。 （３）同第３頁第１（）行に学才いし斡−「Ｔｉ ０
．００３〜０．８％」とあるを「Ｔｉ ０．００３−
０．０８％」と訂正する。 （４）同第５頁第１１行〜第１２行に 「Ｔｉ ０．００５〜０．５％」とあるを「丁：
０．００５〜０．０５％」と訂正する。 （５）同第８頁第２０行に 「Ｍｎを０．０１％以」と必るを 「Ｍｎを０．四％以下」と訂正する。 （６）同第１４頁第１６行に「単体Ｓｌｊとあるを「単
体３ｉの」と訂正する。 （７）同第１７頁第１１行に「透過性」とあるを「透湿
性」と訂正する。 （別 紙） 特許７１請求の範囲 （１） Ｆｅ ０．１〜ｉ、ｏｗｔ％、Ｔｉ ０．００
５〜０．０５ｗｔ％、Ｓ ｉ ０．３ｗｔ％」ス下、
Ｃｕ ０．０３ｗｔ％以下、Ｍｇ０．０１ｗｔ％以下、
Ｍ ｎ ０．０１ｗｔ％以下、残部Ａ１からなる鋳塊を
４７０〜５８０°Ｃで２〜２４時間均熱処理した後、３
８０〜４７０°Ｃまて冷却し、３８０〜４７０’Ｃで熱
間圧延を開始し２１０〜２６０°Ｃて圧延を終了し、こ
れに圧下率５０％以上の冷間圧延と連続焼鈍による４０
０〜６００ ’Ｃで１（）分以内の中間焼鈍を施し、し
かる後冷間圧延を行なうことを特徴とするアルミニウム
箔地の製造法。 （２）均熱処理した後、５０℃／時以下の平均冷却速度
で３８０〜４７０°Ｃまて冷却する特許請求の範囲第１
項記載のアルミニウム箔地の製造法。 （３）均熱処理した後、３８０〜４７０°Ｃまて冷却し
、その温度で３０分以上加熱保持して熱間圧延を開始す
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載のアルミニウム
箔地の製造法。
ｉ 、 Ｆｅ 、Ｍｎ 、Ｍｇ等の影響を示す説明図、
第２図は本発明法における単体Ｓｉの析出に及はす熱間
圧延開始温度と終了温度の影響を示す説明図である。 第２図 艶ｌ床延開始温度（０Ｃ） 手続補正書（自発） 昭和６０年１１月１９日 特許庁長官 タヨ賀ｊ＠口１３ 殿 喝 １、事件の表示 昭和６０年 特許願 第９９０６９号 ６、補正の内容 （１）特許請求の範囲を別紙の通り訂正する。 （２）発明の詳細な説明において、第３頁第３行に「前
圧」とあるを「箔厚」と訂正する。 （３）同第３頁第１（）行に学才いし斡−「Ｔｉ ０
．００３〜０．８％」とあるを「Ｔｉ ０．００３−
０．０８％」と訂正する。 （４）同第５頁第１１行〜第１２行に 「Ｔｉ ０．００５〜０．５％」とあるを「丁：
０．００５〜０．０５％」と訂正する。 （５）同第８頁第２０行に 「Ｍｎを０．０１％以」と必るを 「Ｍｎを０．四％以下」と訂正する。 （６）同第１４頁第１６行に「単体Ｓｌｊとあるを「単
体３ｉの」と訂正する。 （７）同第１７頁第１１行に「透過性」とあるを「透湿
性」と訂正する。 （別 紙） 特許７１請求の範囲 （１） Ｆｅ ０．１〜ｉ、ｏｗｔ％、Ｔｉ ０．００
５〜０．０５ｗｔ％、Ｓ ｉ ０．３ｗｔ％」ス下、
Ｃｕ ０．０３ｗｔ％以下、Ｍｇ０．０１ｗｔ％以下、
Ｍ ｎ ０．０１ｗｔ％以下、残部Ａ１からなる鋳塊を
４７０〜５８０°Ｃで２〜２４時間均熱処理した後、３
８０〜４７０°Ｃまて冷却し、３８０〜４７０’Ｃで熱
間圧延を開始し２１０〜２６０°Ｃて圧延を終了し、こ
れに圧下率５０％以上の冷間圧延と連続焼鈍による４０
０〜６００ ’Ｃで１（）分以内の中間焼鈍を施し、し
かる後冷間圧延を行なうことを特徴とするアルミニウム
箔地の製造法。 （２）均熱処理した後、５０℃／時以下の平均冷却速度
で３８０〜４７０°Ｃまて冷却する特許請求の範囲第１
項記載のアルミニウム箔地の製造法。 （３）均熱処理した後、３８０〜４７０°Ｃまて冷却し
、その温度で３０分以上加熱保持して熱間圧延を開始す
る特許請求の範囲第１項又は第２項記載のアルミニウム
箔地の製造法。
Claims (3)
- （１）Ｆｅ０．１〜１．０ｗｔ％、Ｔｉ０．００５〜０
．５ｗｔ％、Ｓｉ０．３ｗｔ％以下、Ｃｕ０．０３ｗｔ
％以下、Ｍｇ０．０１ｗｔ％以下、Ｍｎ０．０１ｗｔ％
以下、残部Ａｌからなる鋳塊を４７０〜５８０℃で２〜
２４時間均熱処理した後、３８０〜４７０℃まで冷却し
、３８０〜４７０℃で熱間圧延を開始し２１０〜２６０
℃で圧延を終了し、これに圧下率５０％以上の冷間圧延
と連続焼鈍炉による４００〜６００℃で１０分以内の中
間焼鈍を施し、しかる後冷間圧延を行なうことを特徴と
するアルミニウム箔地の製造法。 - （２）均熱処理した後、５０℃／時以下の平均冷却速度
で３８０〜４７０℃まで冷却する特許請求の範囲第１項
記載のアルミニウム箔地の製造法。 - （３）均熱処理した後、３８０〜４７０℃まで冷却し、
その温度で３０分以上加熱保持して熱間圧延を開始する
特許請求の範囲第１項又は第２項記載のアルミニウム箔
地の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9906985A JPS61257459A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | アルミニウム箔地の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9906985A JPS61257459A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | アルミニウム箔地の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61257459A true JPS61257459A (ja) | 1986-11-14 |
| JPH0585630B2 JPH0585630B2 (ja) | 1993-12-08 |
Family
ID=14237554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9906985A Granted JPS61257459A (ja) | 1985-05-10 | 1985-05-10 | アルミニウム箔地の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61257459A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02147107A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Furukawa Alum Co Ltd | アルミニウム箔地の製造方法 |
| JPH03271348A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-03 | Sky Alum Co Ltd | 板幅方向の機械的性質および耳率が均一なアルミニウム板の製造方法 |
| JPH04289143A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Furukawa Alum Co Ltd | 強度と成形性に優れたアルミニウム合金箔 |
| WO2001004369A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Alliage d'aluminium, feuille en alliage d'aluminium, procede de fabrication de recipient et de feuille en alliage d'aluminium |
| CN114559014A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-05-31 | 龙口南山铝压延新材料有限公司 | 一种延伸率≥4.0锂电池用铝箔的制备方法 |
-
1985
- 1985-05-10 JP JP9906985A patent/JPS61257459A/ja active Granted
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02147107A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-06 | Furukawa Alum Co Ltd | アルミニウム箔地の製造方法 |
| JP2670324B2 (ja) * | 1988-11-29 | 1997-10-29 | 古河電気工業株式会社 | アルミニウム箔地の製造方法 |
| JPH03271348A (ja) * | 1990-03-19 | 1991-12-03 | Sky Alum Co Ltd | 板幅方向の機械的性質および耳率が均一なアルミニウム板の製造方法 |
| JPH04289143A (ja) * | 1991-03-18 | 1992-10-14 | Furukawa Alum Co Ltd | 強度と成形性に優れたアルミニウム合金箔 |
| WO2001004369A1 (fr) * | 1999-07-09 | 2001-01-18 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Alliage d'aluminium, feuille en alliage d'aluminium, procede de fabrication de recipient et de feuille en alliage d'aluminium |
| US6736911B1 (en) | 1999-07-09 | 2004-05-18 | Toyo Aluminium Kabushiki Kaisha | Aluminum alloy, aluminum alloy foil, container and method of preparing aluminum alloy foil |
| JP2011202283A (ja) * | 1999-07-09 | 2011-10-13 | Toyo Aluminium Kk | アルミニウム合金、アルミニウム合金箔および容器とアルミニウム合金箔の製造方法 |
| CN114559014A (zh) * | 2022-02-11 | 2022-05-31 | 龙口南山铝压延新材料有限公司 | 一种延伸率≥4.0锂电池用铝箔的制备方法 |
| CN114559014B (zh) * | 2022-02-11 | 2024-04-16 | 龙口南山铝压延新材料有限公司 | 一种延伸率≥4.0锂电池用铝箔的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0585630B2 (ja) | 1993-12-08 |
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