JPS595629A - 二重層表面安定化方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 発明の分野 本発明は一般的には改良された電子デバイス、特に半導
体デバイスおよび集積回路のための手段および方法に関
するものでアク、更に具体的に云、うと窒化物表面安定
化（ｐａａａ４ｖａｔａｄ　）基板上の表面安定化金属
層および多重表面安定化金属層を含む構造物のための改
良された製造方法およびその方法によって製造された構
造物、デバイスおよび回路に関する。

背景技術 半導体狭面および金属表面層を被覆誘電体で保護するの
は、半導体デバイス、集積回路、ならびにその他の電子
デバイスを製造するにおたりて一般的に用いられる方法
でるる。この誘電体は表面安定化（ｐａａａｉｖａｔ４
ｏ％）層又は金属表面安定化層と云われ、しはしはデバ
イスの最外部層となっている。表面安定化層には開口部
（ｏｐｍ％４％０）が備えラレテオル、コの開口部を通
してデバイスへノ外部接続を行なうことができる。こ＼
で用いられている“デバイス”という語は個々のデバイ
ス、デバイスの一部分、および例えば集積回路およびそ
の類似物におけるようなデバイス集合体（ｃｏｌｌｅｃ
ｔｉｏｎｓ　）の両方を含むことを意図している。

しばしばデバイスは多重金属層を必要とし、１つの層が
他の層と交差しておシ、層間誘電体により分離されてい
る。この場合には、層間誘電体は第１金属層の表面安定
化を行なうとともにその第１金属層をその上に重なって
いる第２金属層から絶縁し分離する役目をする。層間接
続点は、眉間誘電体として役立っている表面安定化層に
その目的のために作られた開口部を通して備えられてい
る。

半導体およびその他のデバイスが導電性基板を有する場
合には、基板と任意の金属層との間に主誘電体層もまた
必要となる。この誘電体は基板表面全安定化させるとと
もに、その基板表面を１つ又は複数の金属層から絶縁さ
せるのに役立つ。この場合にも接続点のだめの開口部を
備えることができる。誘電体上に重ねられ表面安定化層
によって覆われた１つ又は複数の金属層を含む構造物が
その後の製造段階１例えばアセンブリダイボンディング
の期間中に加熱されると、その１つの又は複数の金属層
に空所（隙）　（ｖｏｉｄｓ　）がしばしばできること
が発見されている。これらの空所（隙）は金属導体パス
の厚さおよび幅に比べてかなりの大きさとなりつる。こ
れらの空所（隙）は導体パスに欠陥をつくシ、その結果
生産歩どまシを低下させ、信頼性を低下させる。この現
象は、アルミニウム合金が１つ又は複数の金属層用に用
いられておｐｌいくつかの誘電体層のうちの１つが窒化
物材料を含む場合に特に重大である。従つて、１つ又は
複数の金属層が誘電体層の間にはさまれている層化構造
物において空所（隙）の形成を減少又は除去する材料お
よび製造方法の体系が必要とされている。それらが広く
用いられている故に、酸化シリコン−窒化物−アルミニ
ウム合金−ドーピングされた酸化物層構造物における空
隙形成を減少させる、支社なくすことが特に必要である
。

従って、本発明の目的は、金属層における空所形成が減
少されるか又は除去される金属−表面安定化層構造物を
作るための改良された製造法を提供することである。

本発明のもう１つの目的は、１つ又は両方の金属層にお
ける空所形成が減少されているか、又は除去されている
誘電体−第１金属−第１表面安定化−第２金属−＠２表
面安定化層構造物を作るための改良された製造法を提供
することである。

本発明のもう１つの目的は、１つの又は複数の表面安定
化層が二重層をなしている誘電体−金属一表面安定化層
構造物および／又は誘電体−第１金属−第１表面安定化
層−第２金属−第２表面安定化層構造物を製造するため
の改良された製造法を提供することである。

本発明のもう１つの目的は、下にある金属と接触してい
るプラズマ形成酸化物（ｐｌａｓｍａ　ｆｏｒ慣ａｄｏ
ｚｔｄａ　）の第１層部分と第１層部分の上にあるドー
ピングされた酸化物の第２層部分とによって二重層を提
供することである。

気相成長（ｐｌａｓｍａ　ｅｎｈａ％ｃａｄ　ｅｈｅｍ
４ｅａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によっ
て第１層部分を提供することである。

本発明のもう１つの目的は、圧縮応力を示している酸化
物の第１層部分と圧縮応力を示していない酸化物の第２
層部分によシニ重層を提供することである。

本発明のもう１つの目的は、本発明の方法によシ作られ
た改良された電子デバイスを提供することである。

発明の要約 本発明の第１実施例においては、先づ最初に基板が主表
面安定化（誘電体）層によって被覆される。この主表面
安定化層は窒化物を含む外表面を有することが望ましい
。次に金属層がこの外表面上に形成され、プラズマ形成
酸化物＜ｐｔαａｍａ　ｆｏｍａｄｏｘｉｄｅ　）の第
１部分と他の方法で形成されたドーピングされた酸化物
の第２部分とを含む金属弐面安定化層によυ被覆される
。基板と金属層との間の任意選択の接触は、主表面安定
化層においてその目的のために切られた開口部によって
行われる。

プラズマ形成酸化物（ｐｌａｓｍａ　ｆｏｒｒｎｅｄ　
ｏｔａｉｄｅ　）は、便宜上プラズマ強化学的気相成長
（ｐｌａｍｍ　ｍｔＪＬａｎｃｇｄｅｈａｒｎｉｃａｌ
　ｖａｐｏｒ　ｄｇｐｏａｉＮｏｎ　）により作られる
・本発明の第２実施例においては、基板が先づ主表面安
定化層によって被覆される。次に金属層が外表面上に形
成され、それから圧縮応力を示している酸化物の第１部
分と圧縮応力を示していない酸化物の第２部分を含む第
１金属表面安定化層によって覆われる。基板と金属層と
の間の任意選択の接触は主表面安定化層においてその目
的のために切られた開口部によって行われる。

第３実施例では、多層金属構造物が第１又は第２実施例
において作られた構造物を取シその後に第１金属表面安
定化層を第２金属層によりて被覆することによりて見ら
れる。第２金属を第１金属表面安定化層と同じ組成の第
２金属表面安定化層で更に被覆し、第２金属層に空所が
形成されるのを抑止することが望ましい。金属層間の任
意選択の接触は第１金属表面安定化層においてその目的
のために切られた開口部によって行われる。

このプロセスを用いて作られたデバイスはデノくイスの
加熱中における１つ又は複数の金属層における空所形成
に対して著しく大きい抵抗力を有し、生産費は安くなシ
信頼性は高くなる。

下記の説明においては、構造および材料は、その上に種
々のシリコン酸化物および窒化物層が形成されているシ
リコン半導体基板の場合について説明されている。その
他の基板材料も使用できることは商業者には容易に明ら
かであろう。後述するように、その他の種々の酸化物お
よび窒化物、ならびに他の誘電体材料も有用と考えられ
る。

第１図Ａおよび第１図Ｂは、例えば緩衝酸化物層１０２
ａおよび窒化物層１０２ｂでできている主表面安定化層
１０２によって覆われた基板１０１ｆ、含む先行技術デ
バイス１００の一部を示す。第１金属層１０４は、窒化
物層１０２ｂの上に形成され、その上に第１表面安定化
層１０５によシ覆われている。単一金属層デバイスでは
、第１表面安定化層１０５がデバイスの最外部層となシ
、層１０６−１０７は存在しない。多層金属デバイスで
杜、第１表面安定化層１０５は層間誘電体としての役目
をし、第２金属層１０６および第２表面安定化層１０７
によってその上が被覆されている。層１０２〜１０７を
形成する方法は技術上周知である。例えば、表面安定化
層１０５および１０７は、３５０〜５５０°Ｃの範囲、
代表的な場合には４５０°Ｃの温度で酸化シリコンの化
学的気相成長（ＣＶＤ　）によフ形成するのが便利でお
る。

第１図Ａは、第１金属層１０４が垂直導体１０４ａに形
成され、第２金属層１０６が２つの水平導体１０６ａ−
ｂに形成されている状況を示す、導体１０４６と１０６
ａ−ｈとの間の相互接続（図示されていない）は、適当
な交差点における第１表面安定化層の開口部〔“パイプ
（’Ｓ’４ｉｇ）”〕によって任意選択的に行われる。

基板１０１と導体１０４８および／又は１０６ａ−ｈと
の間の任意選択的相互接続は、所望する位置におりる層
１０２および１０５の他のバイアにより行われる。導体
パスを描きバイア（１’＜ａｓ）を形成する方法は技術
上周知である。

第１図Ａは、金属層１０４および表面安定化層１０５の
形成後に、又はその代わシに金属層１０４および１０６
および表面安定化層１０５および１０７の形成後にデバ
イスを（例えば４５０°Ｃ以上の温度に）加熱した結果
として導体１０４８および／又は１０６Ｇ−ｂにできた
空所１０８を示す。第１図Ａに図式的に示されている空
所１０８は典型的な場合に線導体１０４ａおよび１０６
ａ−−の厚さをつきぬける。これらの空所は導体Ｉ　Ｑ
　４　ａ　＋導体１０６ｅＬ＆＋又はその両方の側断面
のかなシの部分を占めることがしばしはある。空所１０
８は導体１０４ｇおよび１０６ａ−ｈを完全に破壊し、
その結果光全品デバイスは動作しなくなる。たとえ最初
に空所が導体１０４ａおよび／又は１０６ａ−ｈｔ−破
壊しなくても、デノくイスが付勢されると導体１０４ａ
および／又は１０６ｇ−６の電流密度は設計値以上に増
加する。これは電気移動効果（ａｌａｅｔｒｏ　ｔｎｉ
ｇｒａｔｉｏｎ　ｅｆｆａｅｔ　）を加速させ１これら
の効果は導体１０４ａおよび／又は１０６ａ−ｂが最終
的に遮断されるまで空所１０８ｆ、更に大きくし、或い
線断たな空所を成長させる。従って、最初の生産歩どま
シが低下するだけでなく、最初機能していたデバイスも
信頼性が低下した〕、有効寿命が短かくなったルする。

第２図Ａは、本発明によるデバイス部分２００の平面図
でめシ、第２図Ｂは層配列を示す同じデバイスの交差部
分の概略的断面図である。第２図Ａにおいて、第１金属
層２０４は垂直導体２０４ａ内に形成されておシ、第２
金属層２０６は水平導体２０６ａ　−６内に形成されて
いる。第１図Ａおよび第１図Ｂの先行技術デバイス部分
の場合と同様に、金属層間および金属層と基板との間の
任意選択的相互接続（図示されていない）は、適当な位
置において表面安定化層２０５および／又は２０２に置
かれたバイア（Ｖ４ａｍ）によって行うことができる。

第２図Ａにおける導体通路の側面形状は第１図Ａにおけ
るのと同じであるが、空所は存在しない。

第２図Ｂにおいて、基板２０１は、代表的な場合には緩
衝酸化物層２０２ａおよび窒化物層からなる主表面安定
化層２０２によって覆われている。緩衝酸化物層２０２
ａは、基板２０１がシリコンのような半導体である場合
にはおることが望ましいが必要ではない。基板はセラミ
ック、ガラス、　半導体。

金属、プラスチック、又はそれらの組合せのような任意
の適当な材料でよく、単結晶、多結晶、無定形、又それ
らの組合せでもよい。金属層を受ける表面は金属層の厚
さに比べて適当に平滑であることが望ましい。

第１金属層２０４は窒化物層２０２ｈの上に形成され、
その上部は第１表面安定化層２０５によって被覆されて
いる。単一金属層デバイスの場合には、第１表面安定化
層２０５はデバイスの最外部層を形成し、層２０６−２
０７は存在しない。多層金属デバイスの場合には、Ｍ１
表面安定化層２０５は眉間誘導体としての役目をし、そ
の上部は第２金属層２０６および第２表面安定化層２０
７によって被覆されている。層２０７は、層２０６、お
よび金属層２０６の部分が導体パス２０６ａ−ｂを作る
際に除去され露出された下の層の表面安定化を行い保賎
する。層２０７はあることが望ましいが必須ではない。

第１図Ａ−Ｅの先行技術デバイス構造に伴なう空所形成
は表面安定化層２０５およびできればまた層２０７をも
二重層として形成することによって避けうろことが見出
されている。二重層の使用が空所形成を阻止する正確な
機構は不明である。金属層１０４に大きな残留引張応力
が存在するものと考えられる。この応力は種々の温度で
形成され金属層および誘電体層の熱収縮又は膨張の差の
結果として起る。金属層１０４の上に追加の層（例えば
層１０５、および任意選択として層１０６および１ｏ７
）が加えられると、この応力は凍結される。通常の場合
層間底面安定化誘電体１０５として用いられるスパッタ
リング又は化学的気相成長によりて作られるドーピング
された、又はドーピ　グされてない酸化物はこの応力軽
減に寄与しないと考えられているので、その後デバイス
が加熱されると、残留応力は１つ又は複数の層における
空隙形成全加速させる。

しばしば眉間誘電体表面安定化層１０５は／ｌｔ　’ｘ
純粋な酸化シリコン、又鉱燐、硼素、又は材料安定化に
役立つその他の元素をドーピングされた酸化シリコンの
化学的気相成長（ｃｖｎ　）によシ作られる。アルミニ
ウム又はアルミニウム合金金属層をこれらの材料と一緒
に用いた場合に空所（隙）形成が観察される。金属層１
０４における空所（隙）形成は、第１部分２０５６をプ
ラズマ助成化学的気相成長（ＰＡＣＶＤ　）で形成し第
２部分２０５ｂ′ｔ−通常のＣＶＤなどの他の方法で形
成した二重層２０５で表面安定化層１０５を置き代える
ことによって阻止されることが見出されている。同様に
、層１０６における空所（隙）形成は、同様な方法によ
り表面安定化層１０７０代わシに二重層２０７を用いる
ことによって阻止される。

層部分２０５Ｇに用いられるＰＡＣＶＤ表面安定化層材
料の物理的性質は、層１０５又は層部分２０５ｈに用い
られるＣＶＤ表面安定化層材料の物理的性質と異なると
考えられる。“固体技術（Ｓｏｌｉｄ　５ｔａｔεＴ＠
ｅｈｓｏｌｏｇｙ　）”誌１９８１年４月号１６７頁に
Ｅ、バンプベンによｐ発表された“二酸化シリコンおよ
び窒化シリコｙのプラズマデボジショｙ″と題する論文
のなかで、ＰＡＣＶＤ　８４０２はシリコンに対し固有
の圧縮ら力を示し、一方従来のＣＶＤ　１１４（ｈは固
有の引張応力を示すと報告されている。燐などのドーパ
ントを添加すると通常の（Ａ’Ｄ酸化物の固有の引張応
力を減少させることができるので、シリコン基板に比較
して引張応力を殆んど又は全く持たないドーピングされ
た酸化物層を生産できることも知られている。種々の表
面安定化酸化物のこれらの、およびその他の特性が金属
層とどのように相互作用を及ぼして空所（隙）形成を減
らすかは明らかではないが、種々の固有の応力特性が重
要と考えられる。即ち、基板に比較して固有の圧縮応力
を有しない層部分２０５ｂと組合せられた場合には、基
板に比較して固有の圧縮応力を有する材料で層部分２０
５ａを作ると空所形成が減少する。

ＰＡＣＴＩＤ酸化物だけを使用すること、即ち層２．０
５全体をＰＡＣＶＤ酸化物で作ることは実際的ではない
。これはエツチング速度には局所的差違がメジ、その結
果相互接続バイア（Ｆｉａｔ　）の精細度（ｄげ（％Ｎ
１ｏｎ　）が低下するからである。更に、ＰＡＣＶＤ酸
化物のエツチング速度および見掛は気孔率は、その酸化
物が金属の上にあるか又は窒化物の上にあるかによって
異なる。その見掛は気孔率は窒化物よシ高い。従って、
金属ストリップの縁を越えて窒化物表面上にまで延びて
いるバイア（７４ａｇ）は窒化物に比べて非常にでこぼ
こした縁を有している。パイプの精細度が低いと生産歩
どｔ、６が低下する。この問題は二重層構造によりて避
けられる。その理由は、バイア精細度は比較的厚い外側
のＣＶＤ材料によって制御され、一方では下にある金属
における空所形成を阻止する緩衝又は応力軽減機能は、
下にある金属層と接触して置かれている比較的薄いＰＡ
ＣＶＤ材料によって与えられるからである。

好ましい構造および製造法の下記の例は、２つの金属層
を有するシリコンペース半導体デバイスについて説明し
である。下記に説明する方法および構造は、広い選択範
囲の基板材料およびデバイス構成、特に金属に強い応力
状態を発生させることができる金属層の下にある窒化物
表面安定化層又はその他の誘電体材料を利用する基板材
料およびデバイス構成に適合することは当業者には容易
に明らかになるであろう。

シリコンウェー八基板２０１を１０〜２００％ｍの範囲
の厚さく１１００ｆｉの厚さが便利である）の酸化シリ
コンの薄い緩衝層２０２　ａで被覆し、次に１０〜１０
００　ｍｍの範囲の厚さく　９０−１１０　％ｆｎの厚
さが便利である）の窒化物（窒化シリコンが好ましい）
層２０２ｈで被覆する。アルミニウム、又は（アルミニ
ウム９６％Ｍ（シリコン４％）、又は（アルミニウム９
４チ）：（シリコン１．５饅）：（銅１．５チ）の第１
金属層が層２０２ｂ上に形成される。第１金属層２０４
の厚さは２０〜２０００％ｍの範囲にメジ、６００〜８
００％ｍの厚さが便利である。これらの、およびその他
の材料の金属層を形成する方法は技術上周知である。ス
パッタリングが便利なことが発見された。緩衝酸化物２
０２　ｇは代表的な場合には熱成長され（ｉｈｅｒｍａ
目Ｗ　ｆｌｒｏｔｔ１％　）　ｓ窒化物層２０２ｂ轢代
表的な場合には真空ｃｖｎ技術によって堆積（ｄａｐｏ
ａｉｉ　）される。そのような方法は技術上周知でめる
。スパッタリングおよびＰＡＣＶＤなどの他の方法もま
た有用である。

表面安定化層２０５は、１０−５００％ｆｉの範囲の厚
さく９０−１１０％ｍの厚さが便利でおる）のはソ純粋
なＰＡＣＶＤ酸化シリコンの第１層部分２０５ａを金属
層２０４に接触させて堆積（デポジット）することによ
シニ重層として形成される。次に第２層部分２０５ｂが
第１層部分２０５ａ上にデポジットされる。

第２層部分２ｏ５ｂｌｄ、、５００−２０００　ｎｍの
範囲の厚さく　８１０−９９０％ｆｉの厚さが便利でお
る）で５チ〜６．５−の燐（５，７５％が好ましい）を
ドーピングされ九〇ＶＤ酸化シリコンからなる。層部分
２０５ａおよび２０５ｂの厚さは広い範囲にわたって変
えることがてきるが、化学的エツチングによるバイアの
作成を助長するため部分２０５６を部分２０５６よシ厚
くすることが望ましい。

層２０５ａ用の酸化シリコンのＰＡＣＶＤは、７ランお
よび亜酸化窒素を原料ガス（ソースガス）（＃傭デＣｓ
Ｕα８ａ＃）として用いて、米国カリフォルニア州、サ
ンタクララ、ボワーズアベニ具−３ｏｓｏ所在のアグラ
イド・マテリアルズ社が製造した商業用反応器、３００
０型ＰＬＡＳＭＡ−ＴＩ反応器内で行われている。その
他のシリコン含有ガスおよびオキシダントガスも役に立
ち、過剰のオキシダントがある限シ広い範囲にわたるソ
ース：オキシダント比を用いることができる。１００〜
５００ミクロｙ　（１３〜６６．５ｐａ）の範囲の圧力
、２５０〜５００°Ｃの範囲の温度、６〜６０〇−７分
の範囲のシラン流量、１：２〜１　：　１００の範囲の
シラン：オキシダント比、１０ワット以上の反応器電力
レベルが有用である。電力レベルが上昇し反応器流量が
増えるにつれて、堆積速度（ｄｍｐｏａ４ｔｉｏｎｒａ
ｔｅ　）は上昇する。反応器を圧力２５０ミクロン（３
３，５ｐａ　）　、電力レベル１５０ワツト、シラン流
量６０岱μ／分、温度５００°Ｃ，シラン：オキシダン
ト比１：１５で操作した場合、毎分的４０％ｆｉの厚さ
の堆積速度が得られた。これらの設定値が便利なことが
見出された。ＰＡＣＶＤ酸化シリコン層の屈折率は１．
５７〜１．６１の範囲にアシ、これに比べて燐をドーピ
ングした層、又ははｙ純粋なＣＶＤ酸化シリコン層の屈
折率は１．４５でめった。こ＼で使用したＰＡＣＶＤ酸
化シリコン層は（’　１ｏｏ　）シリコン基板に比べて
圧縮応力を示していることが見出された。

こ＼で使用した燐をドーピングされたＣＶＤ酸化シリコ
ンは（１００）シリコン基板に比べて圧縮応力を示して
いないことが見出された。

燐をドーピングされたＣＶＤ酸化シリコンは、３５０〜
５５０°Ｃの範囲の温度（４００〜５００°Ｃが好まし
く、４５０°Ｃが便利でおる）で操作する標準的なホッ
トウォールド（ｈｏｔ　ｗＬＬｌｌｅｄ　）　ＣＶＤ反
応器を用いて技術上周知の方法で作成した。所望する場
合にはフォトレジストおよびエツチングステップを用い
て層２０５にバイアを開けて金属層２０４と接触できる
ようにし、層２０２においては層２０４と基板２０１と
の間の接触を可能にした。単一金属層デバイスにおいて
は、層２０５は最終的な表面安定化層としての役目をし
、代表的な場合にはデバイスの最外部層となる。

多層金属デバイスにおいては、第２金属層が第１表面安
定化層２０５上に形成され、この層２０５は次に眉間誘
電体としての役目をする。金属層２０６は任意の適当な
材料のものでよい。第２金属層２０６には第１金属層２
０４と同じ材料および厚さの範囲金側いるのが便利であ
る。第２金属表面安定化層２０７が第２金属層２０６上
に形成される。層２０７は層２０５と同じ又は異なる誘
電体材料でよい。

第２金属層２０６における空所形成を阻止するため、層
２０５と同じ材料および厚さ範囲を用い、層２０５と同
じ二重層構造で層２０７を形成するのが便利である。二
重層金属デバイスでは、表面安定化層２０７がデバイス
の最外部層となることがしばしばある。開口部（バイア
）が技術上周知の方法で層２０７に切られ、金属層２０
６に対する外部接続を可能にし、および／又は層２０６
と２０４との間の相互接続を可能にする。時には有機被
覆を層２０７上に行い、周囲環境から更に保護する。

上記の方法で作成し有機被覆のないデバイスを５００°
Ｃ以上の温度で長時間加熱した。同様な層厚さを有しは
ｙ同じ技術で作成したが表面安定化層に通常のＣＶＤ酸
化物を用い本発明の二重層表面安定化構造を有しない先
行技術デバイスを対照として用いて同様な試験を行った
。先行技術デバイスは第１および／又は第２金属層に有
意の空所形成を示したが、本発明によって作成したデバ
イスには空所はみられなかった。本発明によシ作成され
タテバイスの生産歩ど′１．シおよび信頼性は改善され
た。

二重層部分２０５（１，２０５６（および任意選択で２
０７（１，２０７６）をそれぞれはｙ純粋な酸化シリコ
ンおよび燐をドーピングした酸化シリコンで作成した場
合について本発明を説明した。結果として生じる膜がこ
れらの方法によって見られた膜と同様な性質を有し、層
２０５Ｇが固有の圧縮応力を示し、層２０５ｂが基本２
０１に比べて固有の圧縮応力を示さないならば、その他
の作成方法および材料も役にたつと考えられる。こ＼で
用いている“プラズマ誘導”又は“プラズマ助成”とい
う語は、プラズマ助成化学的気相成長（ＰＡＣＶＤ　）
のような、誘電体膜の形成にガスプラズマおよび／又は
ガス放電反応を用いる誘電体表面安定化層形成法につい
て云うが、ＰＡＣＶＤに限られてはいない。

金属被覆としてアルミニウム合金を用いた場合について
も本発明の説明を行った。他の金属も使用できることは
商業者には容易に明らかになるであろう。従って、本発
明の範囲および精神に含まれるこれらの、および他の変
形を含むことが意図されている。

以下本発明の実施の態様を示す。

１、特許請求の範囲第１項又は第２項によシ製作した電
子デバイス。

【図面の簡単な説明】

第１図Ａは、一方が他方と交差している２つの金属導体
層を有しそれらの金属層に形成された空所（ｖｏｉｄｓ
　）を示す先行技術デバイスの一部の平面図である。 第１図Ｂは、層の代表的な配置を示す第１図Ａの先行技
術デバイスの交差部分の簡略化した形の断面図である。 第２図Ａは、一方が他方と交差しておシしかも空所のな
い２つの金属層を有する本発明によるデバイスの一部の
平面図である。 第２図Ｂは、層の配置を示す第２図Ａのデバイスの交差
部分の簡略化した形の断面図である。 特許出願人　モトローラ・インコーボレーテツド代理人
　弁理士　玉蟲久五部

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、第１金属層が基板上の第１１１電体層上に形成され
   、眉間誘電体が前記第１金属層上に形成され、第２金属
   層が前記層間誘電体上に形成されている電子デバイス製
   造方法において、前記第１金属層上にプラズマ誘導酸化
   物を堆積し、燐をドーピングした酸化物により前記プラ
   ズマ誘導酸化物を覆うことによって前記層間誘電体を形
   成することを特徴とする二重層表面安定化方法。 ２、第１金属層が基板上の第１誘電体層上に形成され、
   層間誘電体が前記第１金属層上に形成され、第２金属層
   が前記層間誘電体上に形成されている電子デバイス製造
   方法において、前記基板に比べて固有の圧縮応力を示す
   嬉１酸化物層を第１金属層上に堆積し、前記基板に比べ
   て実質的に固有の圧縮応力を示さない第２酸化物層によ
   って前記第１酸化物層を覆うことによって前記層間誘電
   体を形成することを特徴とする二重層表面安定化法。