JPS5952291A - ビデオram書込み制御装置 - Google Patents
ビデオram書込み制御装置Info
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- JPS5952291A JPS5952291A JP57163425A JP16342582A JPS5952291A JP S5952291 A JPS5952291 A JP S5952291A JP 57163425 A JP57163425 A JP 57163425A JP 16342582 A JP16342582 A JP 16342582A JP S5952291 A JPS5952291 A JP S5952291A
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- JP
- Japan
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- bit
- write
- memory
- video ram
- data
- Prior art date
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- Controls And Circuits For Display Device (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はグラフィック表示機能をもつ表示装置に用いら
れるビデオRAM書込み制御装置に関する。
れるビデオRAM書込み制御装置に関する。
従来、ダイナミック型メモリを使用したビデオRAMへ
の表示Δターンデータの書込みは、読出し→修飾→書込
みの各動作が必要となシ、修飾のためのグログラム処理
と数回のリフレ、シシメモリアクセスが伴う。従って、
従来では、書込み制御が非常に繁雑で、ソフトウェアに
かかる負担が大きく、又、書込み処理に多くの時間を必
要とすることから高速化が期待できないという問題があ
った〇 又、この種ビデオRAMを用いた表示装置において、グ
ラフィック画面の表示ドツト数を増し高分解能、高解像
度化を計ろうとすると、これに伴って上記ビデオRAM
のメモリ容量が増大し、処理すべきデータ量が増すこと
から、CPUの処理時間、及びメモリアクセス時間が増
大して、表示速度の低下を招くと言った問題が生じる。
の表示Δターンデータの書込みは、読出し→修飾→書込
みの各動作が必要となシ、修飾のためのグログラム処理
と数回のリフレ、シシメモリアクセスが伴う。従って、
従来では、書込み制御が非常に繁雑で、ソフトウェアに
かかる負担が大きく、又、書込み処理に多くの時間を必
要とすることから高速化が期待できないという問題があ
った〇 又、この種ビデオRAMを用いた表示装置において、グ
ラフィック画面の表示ドツト数を増し高分解能、高解像
度化を計ろうとすると、これに伴って上記ビデオRAM
のメモリ容量が増大し、処理すべきデータ量が増すこと
から、CPUの処理時間、及びメモリアクセス時間が増
大して、表示速度の低下を招くと言った問題が生じる。
更に、キャラクタ/?ターンを通常のキャラクタ区分の
表示位置よりずらせて表示きせる所謂ビットずらし処理
等の複雑な・母ターン処理を行なわせようとすると、C
PUの処理プログラムは更に繁雑となり、プログラムメ
モリ容量ア゛大幅な増加、更には処理速度の大幅な低下
等を招いてしまう。
表示位置よりずらせて表示きせる所謂ビットずらし処理
等の複雑な・母ターン処理を行なわせようとすると、C
PUの処理プログラムは更に繁雑となり、プログラムメ
モリ容量ア゛大幅な増加、更には処理速度の大幅な低下
等を招いてしまう。
このように、従来のダイナミック型メモリを用いたビデ
オRAMの制御手段においては種々の問題が生じていた
。
オRAMの制御手段においては種々の問題が生じていた
。
本発明は上記実情に鑑みなされたもので、グラフィック
表示機能をもつ表示装置において、ビデオRAM−1の
表示パターンの書込み制御を簡素化でき、処理を高速化
できるとともに、表示パターンのビットずらし処理等、
複雑な/ぐターン処理を容易に可能ならしめて、グラフ
ィック表示機能の拡充並びに装置の高性能化が計れるビ
デオRA、VI書込み制御装置を提供することを目的と
する。
表示機能をもつ表示装置において、ビデオRAM−1の
表示パターンの書込み制御を簡素化でき、処理を高速化
できるとともに、表示パターンのビットずらし処理等、
複雑な/ぐターン処理を容易に可能ならしめて、グラフ
ィック表示機能の拡充並びに装置の高性能化が計れるビ
デオRA、VI書込み制御装置を提供することを目的と
する。
本発明は、ダイナミック型メモリを使用したビデオRA
Mの書込み機構に、複数種のビットマスク・ぐターンを
格納し、外部のアドレス指定で任意のビットマスクパタ
ーンを取出すことのできるビットマスクパンクを設ける
とともに、このビットマスクパンクよシ取出されたビッ
トマスク/臂ターンを用いて前記ビデオRAMをビット
単位で選択的に書込み可能とするビットマスク回路を設
け、前記ビットマスクパンクに格納された複数種のビッ
トマスクツ4ターンを選択的に用いることによって、前
記ビデオRAM上にて、簡単な制御によシ、ビット単位
の表示ドツトの書込みを可能としたものである。
Mの書込み機構に、複数種のビットマスク・ぐターンを
格納し、外部のアドレス指定で任意のビットマスクパタ
ーンを取出すことのできるビットマスクパンクを設ける
とともに、このビットマスクパンクよシ取出されたビッ
トマスク/臂ターンを用いて前記ビデオRAMをビット
単位で選択的に書込み可能とするビットマスク回路を設
け、前記ビットマスクパンクに格納された複数種のビッ
トマスクツ4ターンを選択的に用いることによって、前
記ビデオRAM上にて、簡単な制御によシ、ビット単位
の表示ドツトの書込みを可能としたものである。
以下図面を参照して本発明の一実施例を説明、する。第
1図は本発明の一実施例における全体の構成を示すブロ
ック図である。図中、10はシステム全体の制御を司る
処理装置(以下CPUと称す)、20はCRTディスプ
レイ装置におけるダイナミ、り型メモリを使用したビデ
オRAM 。
1図は本発明の一実施例における全体の構成を示すブロ
ック図である。図中、10はシステム全体の制御を司る
処理装置(以下CPUと称す)、20はCRTディスプ
レイ装置におけるダイナミ、り型メモリを使用したビデ
オRAM 。
及びそのコントロール部でなるCRT表示回路、30は
CPU 10とCRT表示回路20との間のアドレス(
AD)、データ(DATA ) 、コントロール信号(
CTL )等の転送に供されるCPUパスである。2ノ
乃至26はCRT表示回路20の内部構成要素をなす機
能回路部である。ことで、21はダイナミック型メモリ
を使用したビデオRAM(以下V−RAMと称す)であ
り、1表示ドラトラ1ピツトとして、一画面分の表示ド
ツトデータを貯えるもので、ここでは表示画面を640
ドツ) X 200本とし、かつ取扱われるデータのビ
ット幅t−8ビツトとしていることから、全体のメ5− モリ容量ft16kB(キロパイト)とし、これを2k
BXgメモリブロック(MOe Ml m ・・’ M
7 )で構成している。22はCRT表示部の同期制御
を司るCRT表示制御部(以下CRT−Cと称す)であ
る。
CPU 10とCRT表示回路20との間のアドレス(
AD)、データ(DATA ) 、コントロール信号(
CTL )等の転送に供されるCPUパスである。2ノ
乃至26はCRT表示回路20の内部構成要素をなす機
能回路部である。ことで、21はダイナミック型メモリ
を使用したビデオRAM(以下V−RAMと称す)であ
り、1表示ドラトラ1ピツトとして、一画面分の表示ド
ツトデータを貯えるもので、ここでは表示画面を640
ドツ) X 200本とし、かつ取扱われるデータのビ
ット幅t−8ビツトとしていることから、全体のメ5− モリ容量ft16kB(キロパイト)とし、これを2k
BXgメモリブロック(MOe Ml m ・・’ M
7 )で構成している。22はCRT表示部の同期制御
を司るCRT表示制御部(以下CRT−Cと称す)であ
る。
23はCRT−022よシ発生されるメモリアドレス(
MA)とCPU 10よシ送られてきたプロセッサアド
レス(PA)とを受けて、その何れか一万を選択し、V
−RAMアドレスデータ(VRAD)として出力するア
ドレスセレクタ(ADR−8EL ) ”t’ 6る。
MA)とCPU 10よシ送られてきたプロセッサアド
レス(PA)とを受けて、その何れか一万を選択し、V
−RAMアドレスデータ(VRAD)として出力するア
ドレスセレクタ(ADR−8EL ) ”t’ 6る。
24はV−RAMアクセスのためのタイミング制御を行
なうタイミングダートコントロール部(TIMG−CT
L )であシ、本発明の要旨とするところのビットマス
ク機能回路を有し1なるもので、その詳細は後述する。
なうタイミングダートコントロール部(TIMG−CT
L )であシ、本発明の要旨とするところのビットマス
ク機能回路を有し1なるもので、その詳細は後述する。
25はV−RAM 21のIJ −ド/ライトデータを
一時貯えるデータバッファ(DATA−BUF )であ
シ、26はV−RAM 21より読出されたデータをビ
ットシリアルのビデオ信号(VID )として出力する
シフトレジスタ(SHIFT−REG )である。
一時貯えるデータバッファ(DATA−BUF )であ
シ、26はV−RAM 21より読出されたデータをビ
ットシリアルのビデオ信号(VID )として出力する
シフトレジスタ(SHIFT−REG )である。
第2図は上記第1図に示すタイミンググート6一
コントロール部24の構成を示すブロック図である。図
中、2θ1はCPU 10との間”t’ V−RAMア
クセスのタイミングコントロールを行なうウェイトコン
トロール部(WAIT−CTL )であり、CPU 1
0より送出されたメモリリクエスト信号(MRQ )を
受け、キャラクタクロック(CH−CLK)に同期する
タイミングをもってV−RAMアクセス完了まで待ち信
号(WAIT ) f、 CPU 1 o ヘ送出する
。202はV−RAMアクセスのための各種制御信号を
発生するタイミングジェネレータ(TIW−GEN)で
あり、CPU I Dよシ送出されたメモリライト要求
信号(m )’1受けて、これに従うアドレスセレクト
信号(SEL ) ’e出力するとともに、ライトイネ
ーブル信号(WE)、・カラムアドレスセレクト信号(
CAS ) 、ロウアドレスセレクト信号(RAS )
等を出力する。203は、CPU 10より送出された
デートアドレス(PORT−ADH)を受けて、これを
デコードし、S−B#倍信号後述するビットマスクメモ
リ(BP/fM)ヘノライトストローブ信号)、8−H
MA信号(後述するビットマスクメモリアドレスレジス
タ(BAR)へのデータセットストローブ信号)等を得
るデコーダである。204は、V−RAM 21の書込
み動作を任意のビットへのみ特定して作用させ、V−R
AM 21上での任意のビット修飾を可能とするビット
マスク部であシ、その具体的な構成は第3図及び第4図
に示される。
中、2θ1はCPU 10との間”t’ V−RAMア
クセスのタイミングコントロールを行なうウェイトコン
トロール部(WAIT−CTL )であり、CPU 1
0より送出されたメモリリクエスト信号(MRQ )を
受け、キャラクタクロック(CH−CLK)に同期する
タイミングをもってV−RAMアクセス完了まで待ち信
号(WAIT ) f、 CPU 1 o ヘ送出する
。202はV−RAMアクセスのための各種制御信号を
発生するタイミングジェネレータ(TIW−GEN)で
あり、CPU I Dよシ送出されたメモリライト要求
信号(m )’1受けて、これに従うアドレスセレクト
信号(SEL ) ’e出力するとともに、ライトイネ
ーブル信号(WE)、・カラムアドレスセレクト信号(
CAS ) 、ロウアドレスセレクト信号(RAS )
等を出力する。203は、CPU 10より送出された
デートアドレス(PORT−ADH)を受けて、これを
デコードし、S−B#倍信号後述するビットマスクメモ
リ(BP/fM)ヘノライトストローブ信号)、8−H
MA信号(後述するビットマスクメモリアドレスレジス
タ(BAR)へのデータセットストローブ信号)等を得
るデコーダである。204は、V−RAM 21の書込
み動作を任意のビットへのみ特定して作用させ、V−R
AM 21上での任意のビット修飾を可能とするビット
マスク部であシ、その具体的な構成は第3図及び第4図
に示される。
第3図は上記ビットマスク部204の構成を示すブロッ
ク図である。図中、301は指定されたビットマスクツ
やターンの発生機能、及びそのビット・クターンの選択
的な反転出力機能を有してなるビットマスクパンク(B
IT−MASK−BANK)であり、具体的な構成は後
に第4図を参照して説明する。302,302.・・・
は上記ビットマスクパンク301よ多出力されるピット
マスクツやターン(BM6 m BMt e・・・BM
、 )をライトイネーブル信号(wE)に従うタイミン
グをもって出力し、予め対応付けされたV−RAM 2
1の各メモリブロック(M6 e Ml e・・・M)
)に個別に、ライトイネーブル信号(WEOg WEI
v・・・WE、)として供給する出力f−)である。
ク図である。図中、301は指定されたビットマスクツ
やターンの発生機能、及びそのビット・クターンの選択
的な反転出力機能を有してなるビットマスクパンク(B
IT−MASK−BANK)であり、具体的な構成は後
に第4図を参照して説明する。302,302.・・・
は上記ビットマスクパンク301よ多出力されるピット
マスクツやターン(BM6 m BMt e・・・BM
、 )をライトイネーブル信号(wE)に従うタイミン
グをもって出力し、予め対応付けされたV−RAM 2
1の各メモリブロック(M6 e Ml e・・・M)
)に個別に、ライトイネーブル信号(WEOg WEI
v・・・WE、)として供給する出力f−)である。
第4図は上記第3図に示すビットマスクパンク301の
構成を示すブロック図である。図中、401は複数種の
ビットマスク/’Pターン(各1バイト)を記憶するビ
ットマスクメモリ(以下BMMと称す)であり、ここで
は16バイトの記憶容量をもつRAM Kよって構成さ
れ、16種のビットマスクパターンを記憶可能としてい
る。
構成を示すブロック図である。図中、401は複数種の
ビットマスク/’Pターン(各1バイト)を記憶するビ
ットマスクメモリ(以下BMMと称す)であり、ここで
は16バイトの記憶容量をもつRAM Kよって構成さ
れ、16種のビットマスクパターンを記憶可能としてい
る。
402は上記BMM 401へのビットマスp aJ?
ターンのライト時、及びリード時における4ビ。
ターンのライト時、及びリード時における4ビ。
トのアドレス(Al1 e ARl e kRs *
Al4 )、及び各1ビツトのBMMセレクト信号(小
)、ピットマスクツ’l?ターンの反転制御信号(Ex
o )等、計6ビツトのアドレス及び制御信号をラッチ
するビットマスクメモリアドレスレジスタ(以下BAR
と称す)である。403は上記BAR402より出力さ
れる反転制御信号(EXO)の″′1″出力を受けるこ
とにより、ライトイネーブル信号(wg )の出力タイ
ミングに伴いセット/リセット動作を繰返すマスクビッ
トパターン反転制御9− 用のフリップフロップである。404は上記7リツゾフ
ロツプ403よ多出力される自動反転切換信号(以下E
XDT信号と称す)に従い、8MM401より出力され
るビットマスクパターy’1反転/非反転出力する排他
的論理和ゲートアレイ(以下EX−OR回路と称す)で
ある。405はBMM 401 (7)非アクセス時(
1=”l’)においてEX−OR回路404の各出力ビ
ット(BM(12BMt 。
Al4 )、及び各1ビツトのBMMセレクト信号(小
)、ピットマスクツ’l?ターンの反転制御信号(Ex
o )等、計6ビツトのアドレス及び制御信号をラッチ
するビットマスクメモリアドレスレジスタ(以下BAR
と称す)である。403は上記BAR402より出力さ
れる反転制御信号(EXO)の″′1″出力を受けるこ
とにより、ライトイネーブル信号(wg )の出力タイ
ミングに伴いセット/リセット動作を繰返すマスクビッ
トパターン反転制御9− 用のフリップフロップである。404は上記7リツゾフ
ロツプ403よ多出力される自動反転切換信号(以下E
XDT信号と称す)に従い、8MM401より出力され
るビットマスクパターy’1反転/非反転出力する排他
的論理和ゲートアレイ(以下EX−OR回路と称す)で
ある。405はBMM 401 (7)非アクセス時(
1=”l’)においてEX−OR回路404の各出力ビ
ット(BM(12BMt 。
・・・BMy ) 値1: ”1# レベルとし、ビッ
トマスク機能を無効化するためのプルアップ抵抗モジュ
ールである。
トマスク機能を無効化するためのプルアップ抵抗モジュ
ールである。
第5図乃至第8図はそれぞれ一実施例における動作を説
明するための図であり、第5図はBMM 401に書込
まれたビットマスクパターンの一例を示す図、第6図は
パターン処理されるノやイチャートの一例を示す図、第
7図及び第8図はそれぞれV−RAM 21上における
A?ターン処理動作を説明するための図である。
明するための図であり、第5図はBMM 401に書込
まれたビットマスクパターンの一例を示す図、第6図は
パターン処理されるノやイチャートの一例を示す図、第
7図及び第8図はそれぞれV−RAM 21上における
A?ターン処理動作を説明するための図である。
ことで第1図乃至第8図を参照して一実施例の動作を説
明する。CRT表示回路20のV−RAM10− 21へのアクセスは、CPU J o、及びCRT−C
22よシ選択的に行なわれる。通常時におけるCRT画
面のリフレッシュを行なうタイミングでは、タイミング
ダートコントロール部24のタイミングジェネレータ2
02よυ発生されるアドレスセレクト信号(SEL )
が、CRT−C2Zのメモリアドレス(MMi選択指定
しておシ、従ってこのメモリアドレス(MA )がアド
レスセレクタ23によシ選択され、V−RAMアドレス
データ(VRAD )としテV−RAM z 2に与え
られる。この際は、V−RAM 21よシ読出された表
示ドツトデータがシフトレジスタ26にロードされた後
、シフトアウトされ、ビットシリアルのビデオ信号(V
ID )としてCRT表示部に送られる。一方、CPU
10からのV−RAMアクセス要求は、タイミングダ
ートコントロール部240ウェイトコントロール部20
1にメモリリフニスF信号(MRQ )が与えられるこ
とによってなされる。この際は、V−RAM 21への
メモリアドレスとしてプロセッサアドレス(PA)が供
給され、更には、ライトデータがデー・タパッファ25
に用意される、又はリードデータがデータバッファ25
を介してCPUノ々ス30に導かれる等の動作が伴う。
明する。CRT表示回路20のV−RAM10− 21へのアクセスは、CPU J o、及びCRT−C
22よシ選択的に行なわれる。通常時におけるCRT画
面のリフレッシュを行なうタイミングでは、タイミング
ダートコントロール部24のタイミングジェネレータ2
02よυ発生されるアドレスセレクト信号(SEL )
が、CRT−C2Zのメモリアドレス(MMi選択指定
しておシ、従ってこのメモリアドレス(MA )がアド
レスセレクタ23によシ選択され、V−RAMアドレス
データ(VRAD )としテV−RAM z 2に与え
られる。この際は、V−RAM 21よシ読出された表
示ドツトデータがシフトレジスタ26にロードされた後
、シフトアウトされ、ビットシリアルのビデオ信号(V
ID )としてCRT表示部に送られる。一方、CPU
10からのV−RAMアクセス要求は、タイミングダ
ートコントロール部240ウェイトコントロール部20
1にメモリリフニスF信号(MRQ )が与えられるこ
とによってなされる。この際は、V−RAM 21への
メモリアドレスとしてプロセッサアドレス(PA)が供
給され、更には、ライトデータがデー・タパッファ25
に用意される、又はリードデータがデータバッファ25
を介してCPUノ々ス30に導かれる等の動作が伴う。
とれらの動作はタイミングゲートコントロール部24よ
υ出力される信号にもとづいて行なわれる。タイミング
ダートコントロール部24のウェイトコントロール部2
01は、CPU J oに対して、V−RAM 21の
メモリアクセスが完了するまで待ち信号(WAIT )
を送出する。又、タイミングダートコントロール部24
のタイミングジェネレータ202は、CPU 1075
E V−RAM71y セス可能なタイミングになると
、アドレスセレクタ23に対し、プロセッサアドレス(
PA)を選択指定する内容のアドレスセレクト信号(5
EL)を出力する。更に、タイミングゲートコントロー
ル部24は、V−RAM 21 e制御するためのロウ
アドレスセレクト信号(RAS ) 、カラムアドレス
セレクト信号(CAS ) 、ライトイネーブル信号(
WE)等を出力する。これら信号のうち、ロウアドレス
セレクト信号(RAS ) 、及びカラムアドレスセレ
クト信号(CAS )は、そのままのタイミングでV−
RAへ(21に供給される。又、ライトイネーブル信号
(WE )は、CPU10からメモリライト要求(石)
が発生し、V−RAM21へのCPUアクセスがなれる
際に、V−RAM21が必要するタイミングで出力され
、ビットマスク部204に供給される。ビットマスク部
2040ビットマスクバンク301に設けられたBMM
401はCPU 10からみると一つのアドレスレジ
スタ部と[7て定義されていて、任意のデータを1込み
読出すことができるようになっており、デコーダ203
よ多出力されるS−BMW信号、S−HMA信号等を制
御信号とし1書込み読出し制御される。この際のビット
マスク部204の具体的な動作については後に第4図乃
至第8図を参照して詳述する。而して上記したライトイ
ネーブル信号(WE)はビットマスク部2040ビット
マスクツぐンク301、及び各出力y −) 302
、Jθ2.・・・に共通に供給され、このライトイネー
ブル信号(WE)のタイミングで、13− ビットマスクパンク301より出力されたビットマスク
パターン(BM、 I BMIS ・8M7 )のセッ
ト出力(′1″)に対応するV−RAM RJ上のビッ
ト位置即ちメモリブロック(Mi)にのみライトイネー
ブル信号(西)を出力する。このようにすることによっ
て、V−RAM 21への書込みは、V−’RAM 2
1上において、所望のビットに対してのみ行なうことが
できる。例えばV−RAM 21の成るアドレスへのデ
ータライト時において、ビットマスクパンク301の出
力(8M7 、 BMl、・・・BM、 )が0000
1000”であれば、ライトイネーブル信号(WEs)
が“0″レベルとなって、V−RAM 21のメモリブ
ロックM3のみが選択され、書込み可能となる。との際
、書込みデータとして、aat″′1#(データ゛FF
’HgX )を与えることによシビット3をオンすると
とができ、又、&tt″′0”(データ@′00”□z
x)を与えることによシビット3をオフすることができ
る。
υ出力される信号にもとづいて行なわれる。タイミング
ダートコントロール部24のウェイトコントロール部2
01は、CPU J oに対して、V−RAM 21の
メモリアクセスが完了するまで待ち信号(WAIT )
を送出する。又、タイミングダートコントロール部24
のタイミングジェネレータ202は、CPU 1075
E V−RAM71y セス可能なタイミングになると
、アドレスセレクタ23に対し、プロセッサアドレス(
PA)を選択指定する内容のアドレスセレクト信号(5
EL)を出力する。更に、タイミングゲートコントロー
ル部24は、V−RAM 21 e制御するためのロウ
アドレスセレクト信号(RAS ) 、カラムアドレス
セレクト信号(CAS ) 、ライトイネーブル信号(
WE)等を出力する。これら信号のうち、ロウアドレス
セレクト信号(RAS ) 、及びカラムアドレスセレ
クト信号(CAS )は、そのままのタイミングでV−
RAへ(21に供給される。又、ライトイネーブル信号
(WE )は、CPU10からメモリライト要求(石)
が発生し、V−RAM21へのCPUアクセスがなれる
際に、V−RAM21が必要するタイミングで出力され
、ビットマスク部204に供給される。ビットマスク部
2040ビットマスクバンク301に設けられたBMM
401はCPU 10からみると一つのアドレスレジ
スタ部と[7て定義されていて、任意のデータを1込み
読出すことができるようになっており、デコーダ203
よ多出力されるS−BMW信号、S−HMA信号等を制
御信号とし1書込み読出し制御される。この際のビット
マスク部204の具体的な動作については後に第4図乃
至第8図を参照して詳述する。而して上記したライトイ
ネーブル信号(WE)はビットマスク部2040ビット
マスクツぐンク301、及び各出力y −) 302
、Jθ2.・・・に共通に供給され、このライトイネー
ブル信号(WE)のタイミングで、13− ビットマスクパンク301より出力されたビットマスク
パターン(BM、 I BMIS ・8M7 )のセッ
ト出力(′1″)に対応するV−RAM RJ上のビッ
ト位置即ちメモリブロック(Mi)にのみライトイネー
ブル信号(西)を出力する。このようにすることによっ
て、V−RAM 21への書込みは、V−’RAM 2
1上において、所望のビットに対してのみ行なうことが
できる。例えばV−RAM 21の成るアドレスへのデ
ータライト時において、ビットマスクパンク301の出
力(8M7 、 BMl、・・・BM、 )が0000
1000”であれば、ライトイネーブル信号(WEs)
が“0″レベルとなって、V−RAM 21のメモリブ
ロックM3のみが選択され、書込み可能となる。との際
、書込みデータとして、aat″′1#(データ゛FF
’HgX )を与えることによシビット3をオンすると
とができ、又、&tt″′0”(データ@′00”□z
x)を与えることによシビット3をオフすることができ
る。
ここで第4図乃至第8図を参照しながら、ビットマスク
処理による書込み動作を更に具体的14− に説明する。先ずV−RAM 、? Jヘパイト単位で
表示ドラトノ4ターンヲ書込む際は、ビットマスク機能
を無効化すべく、CPU100BARデータセ、トによ
シ、BAR402のビット4(Q4)に′1”がセット
される。これによりBMMセレクト信号(爾)が“1″
となシ、BMM 401のアクセスが禁止される。この
際は、BMM40ノの各ビット出力がプルアップ抵抗モ
ジュール405の作用によってすべて″′1#1#とな
る。この値は、その−1まビットマスクバンク出力(B
M6eBM1、−BM7 )となっテ、出力ff−ト3
02゜302、・・・302を介し有意レベル(MOl
ルベル)のライトイネーブル信号(WE6 # WEt
*・・・WE7)として、V−RAM 21の各メモ
リブロック(M(1s Ml m・・・MY)に供給さ
れる。従ってV−RAM 21の各メモリブロック(M
(1、Ml、−M7)が書込み可能な状態となり、ビッ
トマスク機能は無効化された状態となる。
処理による書込み動作を更に具体的14− に説明する。先ずV−RAM 、? Jヘパイト単位で
表示ドラトノ4ターンヲ書込む際は、ビットマスク機能
を無効化すべく、CPU100BARデータセ、トによ
シ、BAR402のビット4(Q4)に′1”がセット
される。これによりBMMセレクト信号(爾)が“1″
となシ、BMM 401のアクセスが禁止される。この
際は、BMM40ノの各ビット出力がプルアップ抵抗モ
ジュール405の作用によってすべて″′1#1#とな
る。この値は、その−1まビットマスクバンク出力(B
M6eBM1、−BM7 )となっテ、出力ff−ト3
02゜302、・・・302を介し有意レベル(MOl
ルベル)のライトイネーブル信号(WE6 # WEt
*・・・WE7)として、V−RAM 21の各メモ
リブロック(M(1s Ml m・・・MY)に供給さ
れる。従ってV−RAM 21の各メモリブロック(M
(1、Ml、−M7)が書込み可能な状態となり、ビッ
トマスク機能は無効化された状態となる。
次にBMM 401を使用する場合について説明する。
初期設定時において、CPU 10は、BMM401に
、第5図に示すようなビットマスクパターンを書込む必
要がある。このビットマスクパターンの書込みは、先ず
、BM&ポートに対するOUT命令の実行で、BAR4
02のビット4(D4)を10′(で1=10′)にし
、ビットO〜3(D・〜Ds ) K BMM 9イト
アドレスをセットする。その後、BMWポートに対する
OUT命令の実行で、そのアドレスに対するビットマス
クパターン? ByfM401 K ’B込む。このよ
うな動作を繰返し実行して、第5図に示すよりなADR
= 1〜15の各番地圧それぞれ固有のビットマスク/
lターンを書込む、ここでは、第5図に示される如(、
ADH−1〜7の番地まで、そのアドレス値と同じ数(
ビット数)だけ、上位のビットをマスクするパターンと
し、ADR=8〜150番地は、上位ビットよシ順次1
ビ、ト単位で′1”全文て、各1ピツ)−毎にマスクを
解除し工、それぞれ1ドツト書込み用マスク/母ターン
としている。ここで、ADH=0の番地は、値が定めら
れておらず、ADH=1〜150番地にない値でマスク
する必要が生じた際に、その値(ビットマスク/lター
ン)を書込むための番地として用いられる。
、第5図に示すようなビットマスクパターンを書込む必
要がある。このビットマスクパターンの書込みは、先ず
、BM&ポートに対するOUT命令の実行で、BAR4
02のビット4(D4)を10′(で1=10′)にし
、ビットO〜3(D・〜Ds ) K BMM 9イト
アドレスをセットする。その後、BMWポートに対する
OUT命令の実行で、そのアドレスに対するビットマス
クパターン? ByfM401 K ’B込む。このよ
うな動作を繰返し実行して、第5図に示すよりなADR
= 1〜15の各番地圧それぞれ固有のビットマスク/
lターンを書込む、ここでは、第5図に示される如(、
ADH−1〜7の番地まで、そのアドレス値と同じ数(
ビット数)だけ、上位のビットをマスクするパターンと
し、ADR=8〜150番地は、上位ビットよシ順次1
ビ、ト単位で′1”全文て、各1ピツ)−毎にマスクを
解除し工、それぞれ1ドツト書込み用マスク/母ターン
としている。ここで、ADH=0の番地は、値が定めら
れておらず、ADH=1〜150番地にない値でマスク
する必要が生じた際に、その値(ビットマスク/lター
ン)を書込むための番地として用いられる。
ここで、BAR402のビット5(Qs)より出力され
る反転制御信号(gxo )とフリップフロップ4θ3
とによるノやターンの自動反転処理(補数発生)動作に
ついて説明する。BAR402のビット5(Ql+)が
“1”になると、BMM 401よ多出力されるビット
マスクツ母ターンをBMM書込み動作に伴って交互に反
転、非反転出力する所謂自動反転処理が可能となる。即
ち、BAR402のビット5(Qs)より出力される反
転制御信号(EXO)が1#になると、フリップフロッ
プ403は動作可能となり、ライトイネーブル信号(W
E)が出力される度にそのノクルスの後縁で反転する。
る反転制御信号(gxo )とフリップフロップ4θ3
とによるノやターンの自動反転処理(補数発生)動作に
ついて説明する。BAR402のビット5(Ql+)が
“1”になると、BMM 401よ多出力されるビット
マスクツ母ターンをBMM書込み動作に伴って交互に反
転、非反転出力する所謂自動反転処理が可能となる。即
ち、BAR402のビット5(Qs)より出力される反
転制御信号(EXO)が1#になると、フリップフロッ
プ403は動作可能となり、ライトイネーブル信号(W
E)が出力される度にそのノクルスの後縁で反転する。
このフリップフロップ403よ多出力される、V−RA
M書込み動作毎に反転(セット/リセット)するEXD
T信号は、EX−OR回路404に供給される。EX
−OR回路404は、EXDT =″1”のとき、BF
11IM401の各ビット出17− カを反転し、又、ExDT=″0″のとき反転せずに、
これをビットマスク・々ンク出力(BMo、BMl。
M書込み動作毎に反転(セット/リセット)するEXD
T信号は、EX−OR回路404に供給される。EX
−OR回路404は、EXDT =″1”のとき、BF
11IM401の各ビット出17− カを反転し、又、ExDT=″0″のとき反転せずに、
これをビットマスク・々ンク出力(BMo、BMl。
・・・BM、 )とする。このEX−OR回路404よ
多出力されるビットマスクバンク出力(BMo、 BM
l。
多出力されるビットマスクバンク出力(BMo、 BM
l。
・・・BM、 )は出力ダート302.302 、・・
・を介し、ライトイネーブル信号(WE6 g WE
11・・・可)として、V−RAM 21の対応するメ
モリブロック(M、 、 M、 、’、・・My )に
供給される。このように、V−RAM 2 Jの書込み
動作に伴って、ビットマスク/ぐターンを交互に反転、
非反転処理し出力する機能は、後述のビットずらし書込
み処理において有効に使用される。
・を介し、ライトイネーブル信号(WE6 g WE
11・・・可)として、V−RAM 21の対応するメ
モリブロック(M、 、 M、 、’、・・My )に
供給される。このように、V−RAM 2 Jの書込み
動作に伴って、ビットマスク/ぐターンを交互に反転、
非反転処理し出力する機能は、後述のビットずらし書込
み処理において有効に使用される。
次に、円ノ4ターンを書込む場合の動作について第7図
を参照して説明する。円を書込む場合、プログラムによ
シ円周の位置座標を計算し、1ドツト毎にグロットする
。今、第7図のラスクアドレスRA=7.左側のキャラ
クタポジションのドツト座標DP=2(座標の原点は画
面の左上におかれることから、座標値は左から右、上か
ら下の順になる)にグロットする場合を例18− にとる。円周の計算によりX、Y座標が得られ、このX
、Y座標を8で割った商よりキャラクタポジションが得
られる。余りの部分はそれぞれそのキャラクタにおける
ドツト位置(DP)とラスターアドレス(RA)k示す
。ここでは上記計算の結果、左側キャラクタポジション
のRA=7 。
を参照して説明する。円を書込む場合、プログラムによ
シ円周の位置座標を計算し、1ドツト毎にグロットする
。今、第7図のラスクアドレスRA=7.左側のキャラ
クタポジションのドツト座標DP=2(座標の原点は画
面の左上におかれることから、座標値は左から右、上か
ら下の順になる)にグロットする場合を例18− にとる。円周の計算によりX、Y座標が得られ、このX
、Y座標を8で割った商よりキャラクタポジションが得
られる。余りの部分はそれぞれそのキャラクタにおける
ドツト位置(DP)とラスターアドレス(RA)k示す
。ここでは上記計算の結果、左側キャラクタポジション
のRA=7 。
DP=2となった場合を例にとっている。この際、BM
M 401には上述の如く、第5図に示すビットマスク
パターンが予め書込まれている。CPU10はDP=2
であることから、この値(”0010”)に、8MMア
ドレス生成のためのデータ″001000”を論理和加
算し、001010 ’のBARデータを得る。尚上記
した001000”のデータは、下位4ビツト(”10
00”)がADH= 8すなわち1ドツト書込みのため
の最初のビットマスクパターンが記憶されたBMMアド
レスヲ衣わし、上位の2ビツトが、EXO=“0”(自
動反転動作の禁止)、C8=″′θ″(BMM動作動作
色することを表わしている。而して上記論理和加算によ
って得られた”ooiooo”のデータは、BAR40
2にセットされる。このBAR402へのデータセット
は、CPU 10が上記データ(xxOO1000”
)をCPUパス30に含まれるデータバス上に出力し、
BMAポートに対するOUT命令でS−HMA信号を出
力させることによりなされる。とのBAR402にセッ
トされたデータにもとづいてBMM 401からは第7
図に示すADH= 10のビットマスクツ臂ターン″0
0100000”が出力される。これによってV−RA
M 21のビット5に相当するメモリブロック(Ms)
のみが書込み可能な状態となシ、CPU J Oが単に
*LL ” 1”(データ″’FfF”HICX)をV
−RAM 21の相当番地に書込むことによって第7図
のRA=7 、 DP=2の座標位置に相当する1ドツ
トをオンにすることができる。このようにして順次隣接
するドラ)Th書込んでゆくことにより円パターンの書
込みが行なえる。
M 401には上述の如く、第5図に示すビットマスク
パターンが予め書込まれている。CPU10はDP=2
であることから、この値(”0010”)に、8MMア
ドレス生成のためのデータ″001000”を論理和加
算し、001010 ’のBARデータを得る。尚上記
した001000”のデータは、下位4ビツト(”10
00”)がADH= 8すなわち1ドツト書込みのため
の最初のビットマスクパターンが記憶されたBMMアド
レスヲ衣わし、上位の2ビツトが、EXO=“0”(自
動反転動作の禁止)、C8=″′θ″(BMM動作動作
色することを表わしている。而して上記論理和加算によ
って得られた”ooiooo”のデータは、BAR40
2にセットされる。このBAR402へのデータセット
は、CPU 10が上記データ(xxOO1000”
)をCPUパス30に含まれるデータバス上に出力し、
BMAポートに対するOUT命令でS−HMA信号を出
力させることによりなされる。とのBAR402にセッ
トされたデータにもとづいてBMM 401からは第7
図に示すADH= 10のビットマスクツ臂ターン″0
0100000”が出力される。これによってV−RA
M 21のビット5に相当するメモリブロック(Ms)
のみが書込み可能な状態となシ、CPU J Oが単に
*LL ” 1”(データ″’FfF”HICX)をV
−RAM 21の相当番地に書込むことによって第7図
のRA=7 、 DP=2の座標位置に相当する1ドツ
トをオンにすることができる。このようにして順次隣接
するドラ)Th書込んでゆくことにより円パターンの書
込みが行なえる。
次に第6図乃至第8図を参照して、文字のドツトずらし
書込みの動作につき説明する。このようなドツトずらし
書込みの機能は、例えば第6図に示されるようなノ等イ
チャートの書込み時において有用とされる。図中のIJ
K等の文字は境界線のため少しずつずらさないとその領
域内に収まらない。その他の文字もその領域の中心部に
表示しようとすると上下左右のずらし書込みが必要とな
る。ここで、上下のずらし書込みは通常の書込み操作に
マスク位置の考慮を加えるだけで簡単に実行できる。し
かし左右方向のずらし書込みはプログラム操作が非常に
複雑となる。即ち、書込もうとするキャラクタのt+タ
ーンより、必要なピット数をずらした左右2キャラクタ
の・母ターンを作り、その各々を以前に書込まれている
・ぐターンを消さないように書込まなければならないか
らである。このような複雑な操作を本発明では簡単な処
理により実行することができる。第8図は円周と文字B
の間に文字Aのパターンを書込む途中の状態を示してい
る。以下この手順を説明する。先ずCPU J Oは、
BAR402にセットする値(データ)を準備した後、
OUT命令の実行によりBAR402にセットする。こ
の値はビット7〜ビツトOが21− “XX100011”である。ことで、ビット5=“1
”は反転制御信号EXOを′1″として上述の自動反転
処理を有効とし、ビット4=″0”はBMM40ノを動
作可とし、♂アト3〜0(0011’)は3ビツトずら
し書込みのためのBMMアドレス(ADR=3)を示し
ている。とれにより、BMM40ノの出力は第7図から
明らかなように″”00011111”となり、V−R
AM 21 (7)下位5ビット分のデータに相当する
メモリブロック(MO。
書込みの動作につき説明する。このようなドツトずらし
書込みの機能は、例えば第6図に示されるようなノ等イ
チャートの書込み時において有用とされる。図中のIJ
K等の文字は境界線のため少しずつずらさないとその領
域内に収まらない。その他の文字もその領域の中心部に
表示しようとすると上下左右のずらし書込みが必要とな
る。ここで、上下のずらし書込みは通常の書込み操作に
マスク位置の考慮を加えるだけで簡単に実行できる。し
かし左右方向のずらし書込みはプログラム操作が非常に
複雑となる。即ち、書込もうとするキャラクタのt+タ
ーンより、必要なピット数をずらした左右2キャラクタ
の・母ターンを作り、その各々を以前に書込まれている
・ぐターンを消さないように書込まなければならないか
らである。このような複雑な操作を本発明では簡単な処
理により実行することができる。第8図は円周と文字B
の間に文字Aのパターンを書込む途中の状態を示してい
る。以下この手順を説明する。先ずCPU J Oは、
BAR402にセットする値(データ)を準備した後、
OUT命令の実行によりBAR402にセットする。こ
の値はビット7〜ビツトOが21− “XX100011”である。ことで、ビット5=“1
”は反転制御信号EXOを′1″として上述の自動反転
処理を有効とし、ビット4=″0”はBMM40ノを動
作可とし、♂アト3〜0(0011’)は3ビツトずら
し書込みのためのBMMアドレス(ADR=3)を示し
ている。とれにより、BMM40ノの出力は第7図から
明らかなように″”00011111”となり、V−R
AM 21 (7)下位5ビット分のデータに相当する
メモリブロック(MO。
Ml、・・・M4)が書込み可能と彦る。CPU 10
は、文字パターンをフェッチし、必要ビット数(この例
では3)ローティトした後、左側(表示位置n)のV−
RAM相当番地に書込む。この際、ビットマスク作用に
よシ、右側のノやターン5ビツトが書込まれる。このV
−RAM書込み時におけるライトイネーブル信号(WE
)の後縁で、フリ。
は、文字パターンをフェッチし、必要ビット数(この例
では3)ローティトした後、左側(表示位置n)のV−
RAM相当番地に書込む。この際、ビットマスク作用に
よシ、右側のノやターン5ビツトが書込まれる。このV
−RAM書込み時におけるライトイネーブル信号(WE
)の後縁で、フリ。
プフロッf403は反転し、これに伴ってビットマスク
・々ンク出力(BMo * BMt *・・・BMγ)
が“11100000 ”となる。ことでCPTJ 1
0は同じデータを次の番地(表示位置n+1)に書込む
。
・々ンク出力(BMo * BMt *・・・BMγ)
が“11100000 ”となる。ことでCPTJ 1
0は同じデータを次の番地(表示位置n+1)に書込む
。
22−
この際ビットマスク作用により左側の・母ターン3ビッ
トが書込まれる。この書込み時におけるライトイネーブ
ル信号(WE)の後縁でフリップフロッグ403は再び
反転し、ビットマスクパンク出力(BMo t BMt
e・・・BM、 )が再び非反転出力状態となる。こ
のような動作が繰返し行なわれ、ずらし書込みが達成さ
れる。このように、ずらし書込みを行なう際、そのビッ
ト数をBAR402に一度セットした後、キャラクタノ
ぐターンをローティトし寿から左右繰返して上から下(
RA=0→RA=7方向)へ書込んでゆくことによって
ビットすらし書込が行なえる。
トが書込まれる。この書込み時におけるライトイネーブ
ル信号(WE)の後縁でフリップフロッグ403は再び
反転し、ビットマスクパンク出力(BMo t BMt
e・・・BM、 )が再び非反転出力状態となる。こ
のような動作が繰返し行なわれ、ずらし書込みが達成さ
れる。このように、ずらし書込みを行なう際、そのビッ
ト数をBAR402に一度セットした後、キャラクタノ
ぐターンをローティトし寿から左右繰返して上から下(
RA=0→RA=7方向)へ書込んでゆくことによって
ビットすらし書込が行なえる。
このように、複数のビットマスクツやターンを用意し、
これを選択的に用いるととにより、V−RAM 21へ
の表示ドツトA?ターンの書込み、更にはノ4ターン操
作が能率良く行なえる。又、複数ノビットマスクパター
ンをアドレスと関連付けておくことによシブログラム操
作が容易となる。
これを選択的に用いるととにより、V−RAM 21へ
の表示ドツトA?ターンの書込み、更にはノ4ターン操
作が能率良く行なえる。又、複数ノビットマスクパター
ンをアドレスと関連付けておくことによシブログラム操
作が容易となる。
なお上記した実施例においては、すらし書込みを縦方向
に連続して書込む場合を例にとったが、例えば漢字パタ
ーンのように複数領域に書込む場合、更には横方向に連
続して書込む場合等においても容易に本発明を実現でき
る。又、BMM iキャラクタソエネレータとすること
によシ、文字と文字の重ね合わせ表示、文字とグラフィ
ックパターンの重ね合わせ表示等を同−V−RAM上で
実現可能となる。
に連続して書込む場合を例にとったが、例えば漢字パタ
ーンのように複数領域に書込む場合、更には横方向に連
続して書込む場合等においても容易に本発明を実現でき
る。又、BMM iキャラクタソエネレータとすること
によシ、文字と文字の重ね合わせ表示、文字とグラフィ
ックパターンの重ね合わせ表示等を同−V−RAM上で
実現可能となる。
以上詳記したように本発明によれば、ダイナミック型メ
モリにより構成されたビデオRAMをもつ表示装置にお
いて、前記ビデオRAMへの表示パターンの書込み制御
を簡素化でき、処理を高速化できるとともに、表示1?
ターンのビットずらし処理等、複雑なパターン処理を容
易に効率良く実行でき、これによってグラフィック表示
機能の拡充並びに高性能化を実現できるビデオRAM書
込み制御装置が提供できる。
モリにより構成されたビデオRAMをもつ表示装置にお
いて、前記ビデオRAMへの表示パターンの書込み制御
を簡素化でき、処理を高速化できるとともに、表示1?
ターンのビットずらし処理等、複雑なパターン処理を容
易に効率良く実行でき、これによってグラフィック表示
機能の拡充並びに高性能化を実現できるビデオRAM書
込み制御装置が提供できる。
図は本発明の一実施例を説明するためのもので、第1図
は本発明の一実施例における全体の構成を示すブロック
図、第2図は上記第1図に示すタイミングダートコント
ロール部の構成を示すブロック図、第3図は上記第2図
に示すビットマスク部の構成を示すブロック図、第4図
は上記第3図に示すビットマスクバンクの構成を示すブ
ロック図、第5図は上記実施例におけるビットマスクメ
モリの記憶パターンを示す図、第6図乃至第8図はそれ
ぞれ一実施例の動作を説明するための書込み・母ターン
例を示す図である。 10・・・処理装置(CPU )、20・・・CRT表
示回路、21−・・ビデオRAM (V−RAM )、
22 ・CRT表示制御部(CRT−C)、23・・・
アドレスセレクタ(ADH−8EL )、24・・・タ
イミングf−)コントロール部(TIM−G−CTL
)、25・・・データノ々。 ファ(DATA−BUF )、26・・・シフトレソス
タ(5HIFT−REG )、30・・・CPUパス、
201・・・ウェイトコントロール部(WAIT−CT
L )、202・・・タイS 7グシエネL/ −II
(TIM−GEN )、20325− ・・・、Je−)アドレスデコーダ(DEC)、2θ4
・・・ビットマスク部、301・・・ビットマスクバン
ク(BIT−MASK−BANK )、302,302
.・・・・・・出力ダート、401・・・ビットマスク
メモリ(BMM )402・・・ビットマスクメモリア
Pレスレゾスタ(BAR)、403・・・7リツゾフロ
ツゾ、404・・・排他的論理和f−)アレイ(EX−
OR)。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦26一 iJ 1 口 10 第2図 2ム 1139!f RAD 第 4 口 03 02
は本発明の一実施例における全体の構成を示すブロック
図、第2図は上記第1図に示すタイミングダートコント
ロール部の構成を示すブロック図、第3図は上記第2図
に示すビットマスク部の構成を示すブロック図、第4図
は上記第3図に示すビットマスクバンクの構成を示すブ
ロック図、第5図は上記実施例におけるビットマスクメ
モリの記憶パターンを示す図、第6図乃至第8図はそれ
ぞれ一実施例の動作を説明するための書込み・母ターン
例を示す図である。 10・・・処理装置(CPU )、20・・・CRT表
示回路、21−・・ビデオRAM (V−RAM )、
22 ・CRT表示制御部(CRT−C)、23・・・
アドレスセレクタ(ADH−8EL )、24・・・タ
イミングf−)コントロール部(TIM−G−CTL
)、25・・・データノ々。 ファ(DATA−BUF )、26・・・シフトレソス
タ(5HIFT−REG )、30・・・CPUパス、
201・・・ウェイトコントロール部(WAIT−CT
L )、202・・・タイS 7グシエネL/ −II
(TIM−GEN )、20325− ・・・、Je−)アドレスデコーダ(DEC)、2θ4
・・・ビットマスク部、301・・・ビットマスクバン
ク(BIT−MASK−BANK )、302,302
.・・・・・・出力ダート、401・・・ビットマスク
メモリ(BMM )402・・・ビットマスクメモリア
Pレスレゾスタ(BAR)、403・・・7リツゾフロ
ツゾ、404・・・排他的論理和f−)アレイ(EX−
OR)。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦26一 iJ 1 口 10 第2図 2ム 1139!f RAD 第 4 口 03 02
Claims (1)
- 1ピツ)XMワードの記憶容量を有するn個の記憶素子
から構成され、文字、或いは、図形などを構成するドツ
トパターンを1ドツトあたり少なくとも1ビツトの記憶
位置に記憶するドツトリフレッシュ型のビデオRAMと
、このビデオRAMに供給されるnビット幅の書き込み
データの特定ビットのデータのみを前記ビデオRAMに
書き込むため、前記特定のビット位置にフラグを立てた
nビット幅のビットマスク情報を複数個保持するメモリ
と、このメモリに対しアドレス情報を供給し、特定のビ
ットマスク情報を選択して出力せしめる手段と、前記ビ
デオRAMにnビット幅のデータが供給されたタイミン
グで前記ビデオRAMに対し書き込み許可信号を出力す
る書き込み制御回路と、この制御回路よシ出力される書
き込み許可信号と前記メモリよシ読み出されたビットマ
スク情報との論理積をとり、前記n個の記憶素子のうち
、前記特定のビット位置に対応する素子にのみ前記書き
込み許可信号を供給する手段とを具備することを特徴と
したビデオRAM書込み制御装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57163425A JPS5952291A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | ビデオram書込み制御装置 |
DE8383108835T DE3380465D1 (en) | 1982-09-20 | 1983-09-07 | Video ram write control apparatus |
EP83108835A EP0106121B1 (en) | 1982-09-20 | 1983-09-07 | Video ram write control apparatus |
US06/913,605 US4727363A (en) | 1982-09-20 | 1986-09-29 | Video ram write control apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57163425A JPS5952291A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | ビデオram書込み制御装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5952291A true JPS5952291A (ja) | 1984-03-26 |
JPS6330633B2 JPS6330633B2 (ja) | 1988-06-20 |
Family
ID=15773653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57163425A Granted JPS5952291A (ja) | 1982-09-20 | 1982-09-20 | ビデオram書込み制御装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5952291A (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6125188A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-02-04 | テクトロニツクス・インコーポレイテツド | 画像表示装置 |
JPS61107290A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | 株式会社東芝 | 描画制御装置 |
JPS61213890A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-22 | 株式会社日立製作所 | 文字・図形表示装置 |
JPS62246614A (ja) * | 1986-04-15 | 1987-10-27 | Mitsuboshi Belting Ltd | 耐摩耗性の優れた鋼管搬送用ロ−ル |
US7643023B2 (en) | 2003-02-25 | 2010-01-05 | Mitsubishi Electric Corporation | Matrix type display device and display method thereof |
WO2012060113A1 (ja) * | 2010-11-01 | 2012-05-10 | 三菱電機株式会社 | 描画装置及び描画方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0276957A (ja) * | 1988-09-12 | 1990-03-16 | Nippon Seiko Kk | オートテンショナ |
-
1982
- 1982-09-20 JP JP57163425A patent/JPS5952291A/ja active Granted
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6125188A (ja) * | 1984-06-27 | 1986-02-04 | テクトロニツクス・インコーポレイテツド | 画像表示装置 |
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