JPS5951505A - 磁気記録ヘツド用積層磁性材料の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明（Ｌ積層；１’ｌ磁性祠お１に係り、特に例えば
変圧器の二」）′、磁気縁８ヘツＩミ及び電場及び磁場
の遮蔽イ【どの交ｆＭｊ用に用いるに特に適した品質の
構造物を！ｊλる４４１’ｉ１を製造りるノミ法に係る
。

透磁率の高い軟磁性物質は、変圧器のコア及び磁気ヘッ
ド等にしばしば用いられる。ここに軟磁性物質とは磁化
率が低く残留磁気の保持力も低い物質を意味する。この
にうな場合、うザ電流損を減少させるために、透Ｉｎ率
の高い軟磁性物質を電気絶縁性有機化合物類どどもに保
持りる。本発明の目的は、この型の格造の改良品を提供
し、改良積層構造物を製造する方法を提供することであ
る。

透磁率の高い積層物を製造Ｊるために現在行なわれ−Ｃ
いる方法におい−では、軟磁性物質ｈ＋　＋ら成る個々
の層をＪ：ｆ約１０００℃で熱処Ｊ！！！　Ｌ／　”（
、所望する高い透磁性を与える。熱処理された軟磁ｉｊ
１の物質を手作業によっ（有機絶縁化合物で１８肴り゛
る。然し乍ら、熱処理ににつて磁性層が物理的に軟くな
り、接着工程中に磁性層が弯曲し易くなり、弯曲によつ
で個々の軟磁性層及び）ηられる構造体の磁性の不均一
化及び劣化が惹き起こされる。

更に、積層製品に中位の周波数及び高周波数作動時にお
ける良好な特性を与えるためには、磁性材料から成る一
層は極めて薄いことが望ましい３．即ち好ましい磁性材
料層の厚さは約０，０２５４ｎ＋＋＋＋　　（０，００
１インチ）のＡ−ダーである。、従って、軟磁性層は薄
くロールに巻きイ」けられた貯蔵物から引き出されるの
が１１．ｒＨ通であり、巻き付り工程に起因づ−る固有
の反り即も固、右の曲率を持つでいる。従っ゛Ｃ１磁性
層を積層するときに、これを平らにＪるのであるが、そ
うη”ることによって更に応力が加わりその結果構造体
の磁性の均−性及び特性が更に損なわれる。更に、接着
工程によっ−（も応力が更に加わり、ｆｉ層されたコア
（よイｊ（幾接盾剤中の泡又は接着不良に起因して屑々
多孔質（スポンジ状）になる。従って、均一な透１．１
１　ｆｔ及び保磁性をイｊし、上記の応力及び欠点を持
たｆ非常に優れた均一な磁性特性を右する製品を製造し
得る積層磁ｔ１１材１′３１を提供することが本発明の
目的である。

上記の千ｆｆ　２による接着工程の間に、柔い磁性層が
ひどく曲げられてしまうため、ＩＩられる積層品がその
用途に全く適さなくなることも多い。製造中にこの種の
曲りが検知された場合には、その薄膜層を破棄−リ−る
。これは幾分か−」ス１〜をｆ４めるけれども、曲った
層が製造後に検知され積層構造体を含む仕上り集合体全
部を破棄りることが必要となる場合に比較り−れば、そ
れほど用人な影響はない。更に、破棄しなくともよい積
層品の曲りは比較的少ないことが要求されＵＪ３す、従
って工業生産上スクラップ・１」ス率がノ１常に高い。

従って、手作業にＪ、る接着工程を省くことができ、Ｄ
つスクラップ・ｌｌス串の低い均一な積層磁性材１１を
製造する方法へ提供りることが本発明のもう−っの目的
である。

」−記の処理の困同性のノこめに、０．０２５４ｍｍ　
　（０，００１イン′））以下の薄い層は実際上使用ひ
きなかった。、然し乍ら、で−のためにＩＭ　３告体が
満足に作動し得る周波数領域が限定されることどなる。

従って、逼かに薄く柔い磁性層をイｊ？ｌる槓層磁竹４
４　ｆｉｌを提供し、そのような横道体を製造づ゛る方
法であって薄い層を処理する上での問題点をＭ決しｌ、
：方法を提供′リ−ることか本発明の今一つの目的であ
る。

本発明の付随的な目的は、勿論、優れたｒ１１周波作！
！Ｊｌ特ヤ１を右り°る記録ヘッド等に用いる積層構造
体を提供り−ることである。

他の目的は、電場及び磁揚辿蔽用として使用できる積層
磁性材料を提供することである。

二個又はそれ以Ｊｌの記録ヘッドが整合していることが
要求杢れる場合も多い。この種の用途に用いる場合には
、それらの作動特性間に相違があるために一対のヘッド
が良好な作動１ｊ１竹を右１−るだ４Ｊ　ｒは不充分で
ある。木光明の原理に従つ−Ｃ製造された構造体は均一
であるから、両方が整合し高作動への応用に驚異的に適
４゛る素子を１ｆ供することは、比較的簡単である。

本発明の他の利点は、絶縁層が磁性層より道かに硬度が
大きく従って摩耗特性が著しく改善されることである。

これは、特に磁性ヘッドに応用１゛る場合に利益がある
。実際、構造体の高周波応答特性を数円する必要のない
場合には、１ψ耗特竹を改善することがにり重要と４Ｔ
る１、特ｔこその種の構造体の製造が低廂で、ｊ；り均
一　Ｃ、スクラップ・Ｌ１スの比率が低いものぐあれ１
．Ｋ、この性質ｔま比當に重要’Ｃ゛；Ｉ−）る。従っ
て、通常１１ノられる装欝の高）ム１波応ろ１．’ｉ　
（！Ｉｇ　４−保持しＢつにり良（「な摩耗特性を有′
りる磁（１１積層品を提供するごとが本発明のもう一つ
の目的（：ある、。

上述の１−１的に適合し上）本の利点を右づる積層品を
、ｊ４さ減少］稈（Ｃｏｒｅｄｕｃｔｉｏｎ　　ｓｔｃ
＋＋）　、　ｆｌｈ着工稈又はｔ！’（ｉ”＋−Ｊ程を
要することなく、提供Ｊることが本発明の更にもう一つ
の［」的である。

木光明のｌｔ：ｊ埋にＪ、れば、軟轍（’ｌ金属層を軟
磁性金属よりも実質的に電気抵抗のにもい絶縁物質によ
っＣ分離し、積層品を形成しｌこ後に積層品を軟磁性金
属の焼鈍温度にまで加熱して軟磁性金属に最終製品どし
て最適の透磁性なイ」’ｊ　”Ｊる。

本発明の一実施例に、おい又は、夫々−）イ１又は複数
層の絶縁複合物質によつ°（分離されでい、る軟磁性物
質から成る層から押出しビレットを製３？ｊりる。

隣接りる層ど反応しＣ一層又はぞれ以、１−の電気絶縁
性のある金属間化合物を形成しｇｌる物質を用いる。ビ
レット月別の厚さを減少◇Ｕて所望厚さどし、熱処理に
よって絶縁性の金属間化合物を形成ｌしめ、軟ｒ、ｊ＆
　ｔ’ｌ物買に所望づる磁気性す！１を（Ｊ　’−３す
る。

本発明の特徴とする伯の原理によれば、槓層措遺体を熱
処理工程に先立って例えばブランク操１′［によって予
め製造すべき物体の形状に形成してＪ３く。このにうに
ずれば、積層品を最終製品の形にＪるどきにもたらされ
る内部応力が熱処理］二稈にＪ：って除去される。

本発明の特徴とづる原理によれば、軟磁性層間の物質の
少量が軟磁性物質中に拡散し１１１る。」、うに、熱処
理時間及び温度を選定覆る。斯くの如くになすことによ
っ（−１得られる構造体の周波数特性が改善されること
が幾つかの応用例にＪ３いで見い出された。

電場を遮蔽又は集中Ｊる部分を形成りることを望む場合
には、銅等の電導製の高い遮蔽材料を一層又はイれ以上
隣接する磁＋！１層間に配設りる。これは特に例えばマ
ルデイ・１へラック・テープ・ヘッドの場合に４１川で
あり、隣接Ｊるヘッド部が互いに電界遮蔽部によって分
離される。これにより、磁性層が磁場を遮蔽し、導電層
が電界を遮蔽Ｊるから、磁界及び電界の双方を遮蔽し、
隣接す゛るヘッド部間にＪハノる「漏話」を防止した複
合構造体を容易に製造りることかできる。これとは異な
り、積層遮蔽部分を個々に作り、記録ヘッド或いは変圧
器タイプの実施態様とは全く界なる態様で、遮蔽の目的
に応用Ｊることもある。

１−１本の本発明の特徴に関Ｊる要約から、従前におい
て必要とされ、コス１〜を畠め、均−ｔ＋を損ね、得ら
れる製品の総合作動特性を決定的に低下さμる手作業を
要さずに、高品位の積層品を形成−りる簡単な方ｖ１が
本発明により提供されることは明らかであろ−）。史に
、変圧器タイプゾの応用におい−Ｃは、特に磁Ｐ１月利
と絶縁材料との厚さの比率を変え、ビレットに加える１
９さ減少量を変化さける等の手段により、最終製品の周
波数応＠　１：′ｉ　ＰＩを容易に制Ｏ１１′？ｌるこ
とかできる。

上述の厚さ減少工程を避けることが望ましい場合もある
。従つ−Ｃ１本発明によれば、加熱されたどきに約１０
　　オーム・ｃｍ以上の高抵抗層を形成する一層又はそ
れ以上の層ににって転磁ｆｌ金屈層を分離づる。例えば
砒素又はアンチモン等の第Ｖ族元素をアルミニウム等の
第■Ｉ族金属の釣上に４いて軟磁性金属の層間に配設づ
る。得られる積層品に熱ど圧ノＪを印加し、＋Ａ　ｒｉ
ｔを完全に反応せしめて軟磁性金属の層間に硬質の半導
体層等の高抵抗層を形成さ−Ｉる。従前使用され（いた
有機物接６剤を使用していないから、軟磁性金属を焼鈍
して透磁率を同役ｕしめることがぐさる。この場合更に
厚さを減少さけて透磁率を更に高めることはできない。

従っＣ１この実施例に（１３いては、厚さを減少さＵた
ものを用いて得られる非常に薄い軟磁性物質中によって
ｂたらされるＩｒｂ周波応谷特竹は改善されていないが
、均一な高い透磁性と良好な摩耗特性を右する構造体が
１ｑられる。

上述の実施例の変更物は、セレン等の半導体又は−酸化
シリコン等の絶縁体を、積層品に積み上げるに先Ｓ’Ｌ
つ゛（、軟磁性金属の層に沈積させることにＪ、っ（４
！ｌられる。次いで１１４込体を加Ｊｊ下で加熱して積
層品を結合すれば、透磁率の高い良好な摩耗性ｆ’ｌを
右りる積層品が得られる。

この実施例においＣは、軟ｔｉｆｉｉ性金属又は分離金
属箔上に、これらの金属と結合して約１０　′Ａ−ム・
Ｃｌｌ１以上の抵抗を有する連続層を形成づる元素をメ
ツ−りるか又は沈積さける１］程を右りる。木）で明の
特徴ににれば、これらの工程をはぶくことがぐき、−で
のｊす合においては転磁１り金属の層、を分離している
絶村、化合物材料の層をガラスの層に置き換える１、ガ
ラス層の熱膨服係数が転磁１（［材料の熱膨服係数と同
ａ（ｊで、ガラスの焼鈍温度から冷却を行ｈ゛う際に熱
１．Ｌ、力によつ（透磁率が低下りるのを防止り−るだ
ｔＪＣよい。この方法を用いる場合には、厚さ減少を用
いなくＣりむぽかり′Ｃなく、＝１ス１−の嵩む蒸着Ｊ
−程や電着工程は不要である。そして所望づるまたる特
徴が耐摩耗↑１の白土〇ある場合には、得られる積層品
を軟磁性金属の焼鈍温度にＪ、で加熱Ｊる必要もない。

何故なら、１９層品をガラスの軟化点以上に加熱りるだ
りで、ガラスと軟脅艮性金属どの間に適当な結合力が得
られるからである。

積層品の内部にガス状の元素を含有さμることｂできる
。例えば、絶縁層の硬度を更に改良することを望むどぎ
には、上述の各方法のいり゛れかを行なった後に、ｆｔ
′１層品をガスに富む雰囲気十で加熱りることにＪζり
高抵抗層中にガスを拡散さける。

カス拡散工程前に、１！１られる構造体をｒｌｌ＋磨し
てもＪ、い。

本発明の目的、特徴及び利点は、添ＦＩＪの図面に承り
好適な実施例に関するより訂細む説明から明らかになろ
う。図中におい゛（、同一の４１り成要素は同一の参照
符号で示づ。図面は設計図どして比例しＣ描かれた“ｂ
のＣはなく、木ｇ５明の原理を明（１１「な形で示すた
めに提示されたものである。

本発明の第一の特徴点は第２図に示される９９図中にお
いて、軟磁性物質の層１０は適当な絶縁化合物形成材料
の層１２によって分離され、絶縁化合物形成材料は加熱
されるど転磁す１１祠斜ど反応して、化学帛論的ｌ、、
　；１，１１合（゛共有”結合し１．：元素から成る電
気絶縁性のある化合物、言い換えれば電気絶縁ｆ！１の
金属間化合物と呼ばれる化合物を形成する。所望Ｊる故
の層１０及び１２をリーントイツブ構造体１４に作り上
げ、第１図に承り耐エッチ性のケーシング１６内に入れ
る。

ケーシング１６及びそれに囲まれたリーントイツブ構造
体１４を押出片１８内に入れ、磁性材料と同じ機械的特
性をイ１りる充填物質２０を罐１８の側部とケーシング
１６どの間に入れる。端部キ＋７ツプ（図示せず）を罐
に熔接して罐のＩｇＨ部を閉鎖りる３、キＩＩツブの一
１ノに拮気色・が配設され’ＣＪ５す、端部：１：　ｐ
ツブを所定の位置に熔接した後にｊｌｊｆを真空にりる
ことができる。耀を真空にした後に排気管を締め（Ｊり
て熔接し閉鎖して罐１８内部の減バーを保持りる。

斯くして１謙１られる第１図に示す構造体２２を適当な
ｈ法Ｃ加熱し、層流ダイを介しＣ押出りことににす、Ｋ
！４１０及び１２の厚さが減少し拡散にＪ、り結合りる
。

押出し俊°、罐１８及び充填物部分２０を、例えばエッ
ｆ−ングにより取り除く。］ニツチング時には耐エツチ
ング１（１のケーシング１６が厚さを減少せしめられた
サントイッチ４ｊ４造体１４を保護りる。

第４図は、実際に押出されたビレットのＩｆｌｉ　ＩＭ
部分の写真であるが、その訂細については後）ホする。

筒中に説明りると、軟磁性材料２４の層を右し、この層
は後述づる熱処理工程においＣ磁性材わ１２４と金属間
化合物を形成づ”る物質から成る介在層２６とともに厚
さを減少せしめられる。ここで、層２４及び２Ｇは黒線
２８で示されるＪ、うに、拡散結合し−Ｃいることに注
目されたい。

第４図に示′ｔｌ積層品を次いＣ最終製品の形状に形づ
くることがｌＩｆましい。例えば、断面方形の円相曲線
面を押出された３１）らな原Ｉから機械加」−りるか又
は削り出′？ｌｏ形状を勺えられた片から突起部を取り
去り、積層品の縁部を汚染している可能性のある金属を
除去りるために二しツチングを行なう。押出された原材
又は形成されたＩｆ／ｉ成）１を、公知の方法とほとん
ど同じ方法ぐ熱処理して、所望の高い透磁率と低保磁１
４性を句ｊｊさｌる３、磁性材料の特ｖ１を向上ざける
ために行なう磁性月利の熱処理については、既に文献に
記載されている。従って、この熱処理については、ここ
では詳しくは述べない。然し乍ら、この熱処理工程中に
、本弁明においては第４図の線２８で示づ拡散物が第５
図にブラウン１−３０によって示される金属間化Ω物を
形成１Ｊることに注意−リベきである。第４図の磁性材
料２４は焼鈍されて第５図中の大きな粒子群３２を形成
し、第１１図中の層２６は第５図中ではブラウン１〜３
０をイ・１した層の中心層３４に位置りる。、第５図中
の他の層、例えば層３（１，３８及び４０は、軟ｋｋ性
祠料と絶縁４ｊ１化合物形成材別とから成る第一、第−
及び第三金属１１１化合物である。

ここにお（Ｊる本発明の重要な！１５徴は、各元素が真
の化学的（２化合物と同様に一定の廂ｒ−比率で結合し
て、１４１　ｉ’ｌ　１４　ｉ’ｌ　１ｉｉｌ　ｃ絶縁
性の金ｋｌＡ　ｌ１ｉｌ　４Ｂ　Ｏ物’ｉ　形成りるｔ
−Ｊれど０、共イコ結合に関Ｊる」１１純な規則には従
わシ多いこと〔（−）る。第２図の層１２　ｔ；Ｌ、例
えばニオブ、タンタル、ジルコニウム、チタン、ハフニ
ウム又はバナジウム等の溶州１しにくい金属から成るも
のであることが望ましい。然し乍ら、薄膜′０））パ定
に当たっては使用−りる磁（！１４４石のタイプを考慮
Ｊる必要があり、サンドインチＪＭ　Ｊ置体１４が第ご
３図に承り実施例に関しＣ後述りるイ→加Ｒ１ｉを含む
べきか否かについても使用Ｊる磁性材わ１のタイプを考
慮に入れる゛ことが必要がある。即ち、゛リンドイッヂ
構造体内部の他の物質によって、層１０及び１２を選定
して熱処理工程中に少なくとも一層の絶縁性金属間化合
物を形成させる。

」−述した溶融しにくい金属類は、融点が高く成形性が
良好であるために９ｒましいのではなく、それら自体の
間で又は隣接りる層の軟磁性４／Ｊ″１３＋との間で多
くの絶縁性金属間化合物を形成づるから好ましいのであ
る１１例えばマグネシラ１１、アルミニ「クム、亜鉛及
びカドミウム等の金属も絶縁１と１化合物を形成Ｊるか
ら適している（Ｊれども、これらの金属から形成される
絶縁性金属間化合物の数は少、ない。成る種の稀土類元
素も適当なしのＣ′ある。

この点に関連する二成分系の金属間化合物の状態図は、
ｌ−、：＋　−−−−１−りのマツクグロつ・ヒル出版
社（Ｍｃｅｒａｗ　　１ｌｉｌｌ　　１ｌｏｏｋ　　Ｃ
ｏ、）から１９５８４Ｉに１１０ｊされたンツクス・ハ
ンレン（Ｍａｘ　　Ｉｔａｎｓｃｎ　）　＆の１−一元
合金の組成Ｊ　　（Ｃ０ｎ５ｔｉＬｕ口Ｏｎ　　ｏｒ　
　１３　ｉ＋＋ａｒｙ　　Δ１ｌｏｙｓ　）第２版及び
同じくニューと１−夕のマツフグロウ・ヒル出版社から
１９６５年にｌ’ｌ　ｉｊされたＬ１ドニイ・ピー・丁
りＡツ１〜（ＲＱ（Ｉｎ＋３Ｖ　　Ｐ　、　　Ｅ　１ｌ
ｉｏｔ　）　％のに元合金の組成ｊ第１増補版に記載さ
れている。勿論、金属間化合物が二元及び四元合金を形
成りることもある。然し乍ら、この種の合金の形成は複
刹であり、二元系の状態図がより複雑な合金にＪ３いＣ
期待されるーｂのに苅りる強力な指標をｔｊえるという
こと以外は述べくｊいＣ′おく。金属間化合物及びそれ
らの特性に゛）いての論議（ンついＣは、ニー７−」−
りのライレイ・アンド・ザンズ社（Ｗ　ｉ　ｌｃｙ＆　
Ｓ　ｏＩ）ｓ　）からのジ１−　（・」ラグ−・ターし
ス１−プルツク（、〕。

Ｉｔ　、　Ｗｅｓｔｌ）ｒｏｏｋ）　’４の「金属間化
合物Ｊ　　（Ｉ　ｎＬｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ　　Ｃｏｍ
ｐｏｕｎｄｓ）　ヲ参照すレタイ。

第３図に丞Ｊ実施例は、溶接しにくい金属１２の層と磁
性材Ｆ４１０の層どの間にイ］加層４４を配設し１９以
外の点にＪ５いては前述の例と同じである。Ｆｉ１２の
物質ど金属間化合物を形成し、物質１０の通常の磁気特
性を損なわない物質４層４４の物質どして選定りる。特
定の金属類については後）ホするりれども、上記の特性
を備えた多数の金属類及び合金類につい−（は文献を利
用できるから、不明ｍ円にＪ３いＣは詳細には説明しな
い１゜ 本弁明の一実施例に（１３いＣは、転磁１！Ｉ１判１０
はハイ・ミューａｏｏ（ｔｌｙ　　Ｍｕ　　８００）か
ら成る。

これはカーベンター・スチール會コーポレー（ジョン（
Ｃａｒｐａｎｔｃｒ　　３ｔｅｃｌ　　Ｃｏｒｐｏｒａ
ｔｉｏ＋））の商品名であり、７９％のニッケルと１６
％の鉄と４％のモリブデンから成る。この合金は単相の
、即ら固溶体合金であって、ニッケルの結晶構造をイイ
し、適当な熱処理を加えれば高い透磁率と低い保磁力を
示づものである。層１０は、厚さ０．０１７８ｍｍ　　
（０，００フインチ）、幅約５．０８ｃｍ　　（２イン
チ）、長さ約１２．７０ｃｍ　　（５インブー）である
。

本弁明の一実施例における層１２は、厚さ約０．００１
７８＋＋＋ｍ　（０，０００フインヂ）の市販されでい
る等級のジルＴ１ンである。層１０及び１２の相対的な
厚さは、磁性（４わ１の特性を１１め、しか−〇化合物
金属に最終製品に対する所望作動周波数範囲内にａ３い
て良好な電気絶縁特性を勺えるように選定ケる。１０：
１乃至２０：１の厚さ比率が好ましい。厚ざ比率は５０
：１まで変えることができる（〕れど６１厚さ減少を強
く行なわねばならなくなり製造」ストが高くなる。１ワ
さ比率を３＝１にまＣ低め（も通常４１ｊられる製品３
Ｊ、りは良好な結果が１！７られるけれども、このＪ、
う（、−比較的θさ比率が低い場合には好適な範囲内の
）Ｉノさ比率ひある場合よりム結果が相当劣る。

更に、ｊＩ／さ比率を低くした場合には、焼鈍された製
品の一層（ン図中において層３４で示される絶縁化合物
形成物質層が相対的に厚くなる３１人きさを考慮に入れ
ると、絶縁化合物形成物質層の全部又は大部分が反応し
一４絶縁す１１の金属間化合物を形成りることか望まし
く、（の場合には第５図中の層３４に相当りる層は存在
しない。

上記のハイ・ミュー８００／ジル］ンのリンドイッチ構
造体１４を、耐］−ツチング層１Ｇとし−（＠＜チタニ
ウムの層で蔽った。サンドインチ構造体と耐、■ツチン
グ層とを、低炭素鋼製の罐１８中に入れ、充填金属とし
Ｌハイ・ミュー８００と金属学的に性質が類似している
低炭素鋼充填全屈２０を用いた。１ハイ・ミニＬ−８０
０ど金属学的性質が類似づるその他の適当な充填金属は
、銅−−ツクル合金ぐある。

勿論、他の型のＩｎ性材料を使用する場合には、他の型
の充填金属類を使用する。でしく、軟磁性材料であれば
何Ｃも使用し１）ることに注意りべきＣある。適当な転
磁↑ｊ［材＃１の他の例は、二ｔ　−Ｅ＋　−りのパン
・メス１−ランド（■旧）Ｎｏｓｔｒａｎｄ　＞礼から
１９５１年に刊行されたりｙ−１１−ド・二［ム・ボゾ
ルス（Ｒｉｃｔ＋ａｒｄ　　Ｍ　、　　８　ｏｚｏｒＬ
ｈ）著の「強磁性」（１”　ｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉｓ
ｍ　）　、及びメメリカ金属学会（ＡＳＭ）から１９６
１年に刊行されたアメリカ金属学会金（ｉｆ、　Ａ　ン
ドブック委員会（ｌｙｌｅｔａｌｓ　　１ｌａｎｄｌ）
ｏｏｋ　　Ｃｏｍ１ｔｔｅｅ　　ｏｒ　　ＡＳＭ）編の
［金属ハンドブックＪ　　（Ｍｃｔａｌｓ　　＋−１８
１１ｄｂ００ｋ　）の第　７８５頁乃至第７９７頁から
明らかになろう。

）ム買２？を減１［にした俊、７００℃に加熱し、１．
２７ｃｍ　　（Ｌ／２　　（ンヂ）の積層物流動ターｒ
を介して押出しく間層の１９さを減少さけ拡散接合した
。押出されＩこじレットｋＪｇ化第二鉄上ツヂング溶液
を吹さ（−１１（、ｔｉｃ炭素鋼の罐及び充填部分を除
去りる。・１タ−ウ１１は塩化第二鉄に侵されず、従っ
てヂターウノ１及びリンドイツブー構造体がξの法外る
から、−１タニウムを選定したのである。エツチング１
稈のＩｌ’１里物は、ｈ形の列状に並ｌυだしのぐあり
、第４図の顕微鏡写真に示Ｊ断面を右りる。次いでサン
ドインチ構造体を史に圧延しＣ１０，５０８ｍｍ　（０
，０２０インチ）厚どする。

押出された平らな貯蔵品を機械加工し゛（、正方形の断
面を右り“る１ヘロイドとし、ｌ・ロイドの凹凸を取り
、積層品の端部を汚染し−Ｃ−いる金属を除去りるため
に弗化水素−１ｉ１′４酸溶液で」−ツブングした。

次に、幾つかの１−１１イドを９００℃に２１１￥間加
熱し、加熱炉中に保持したまま放冷した。この結果、磁
性層３２が完全に焼鈍された状態どなり、第５図に示さ
れるＪ、うに大きな粒子となり、「熱的双晶」（粒子の
幅が広い）になる。イ８率１３５０の第５図の顕微鏡写
真で【、１完全には示されてはいないが、ジル」ン及び
ハイ・ミュー８００の囮の間の内部拡散により、Ｎ＋−
７ｒ系の状態図に示されている金属間化合物のほとＩυ
ど全てが形成された。然し乍ら、第５図の層４０は、恐
らくジルコン及びハイ・ミュー８００の第一の電気絶縁
性金属間化合物であり、従ってハイ・ミュー８００と比
較すると通かに抵抗が商い。

押出された平らな貯蔵品から作った加工物のいくつかに
は熱処理を加えなかった。この熱処理を加えなかった１
−Ｌ１イドと焼鈍したトロイドの双方を変圧器の形状に
巻線して、公知の技術にＪ、り同一の構成として比較に
供した。所与の周波数の既知の交流電流を各変圧器の一
次側に流し、変圧器の二次側からの出力電圧をインピー
ダンスの＾い電圧計（１０メガオーム）で測定した。特
に高周波領域において、本発明の焼鈍したトｌ」イドを
右りる変圧器の二次側の起電力は、同一駆動電流にお（
）る焼鈍しなかったトロイドに表われる起電力よりも通
かに大きかった。更に、本発明の焼鈍したトロイドを右
する変圧器は、熱処耶時に得られることが明らかになっ
た絶縁性の金属間化合物の増大した容量効果ににって鋭
い共鳴周波数を示した。

更にｉＩ′Ｉ要４にことは、本発明の焼鈍した構造体よ
り成る変１−１器は、通常の構造の変圧器よりも、数次
上のＡ−ターのマグニブ１−ドで良好な結果をもたら１
ことである。即ち、本発明の構造体の周波数１０メガヘ
ルツにｊＪＨノる化６特性は通常の変圧器のコアーが６
０キロヘルツにおいて示す応答特性にりも良好である。

更に本発明の構造体の応答特性は茗しく一定しており、
一方公知の構造体Ｊ、り成る変圧器の応答特性は人力周
波数が１０キロヘルツに達すると係数で５程度下がる。

本発明の他の二つの実施例におい（は、第３図に従って
サンドインチ構造体１４を構成した。その一つにおい°
Ｃは、０．０１７８ｍｍ　　（０，００フインチ）厚の
ハイ・ミュー８００の層１０が０．００１７８ｍｍ　（
０，０００１インチ）厚のチタン層（第３図の１２）と
これに隣接するチタンとほぼ同じ厚さの酸化され一ηい
ない・導電性の高い銅（０１：ＩＩｃ）どがら成る複合
層にＪ：って分ｍされている。ハイ・ミュー８００から
成る磁性材１１中に拡散したとぎに、これに害を及ぼさ
ないことがわかっており、銅はチタンと絶縁性の金属間
化合物を形成りることもゎがっ−（いたので、銅を選定
したのである。他の実施例においては、チタン層１２を
カドミウノ、に置き換えた。製造方法はその仙の点にお
いては、上記と同じであり、試験の結果も同じく満足リ
ベさものであっｌｃ０従って、金属間化合物が磁性材料
自身から形成されねばならないという必要性は認められ
なかった。

更に、銅のような介在りる金属が１ｌｉｊ性金属中に分
散すれば、得られる構造体の周波数応答特性が改善され
ることも判明した。勿論、ある点以上に強い分散が起こ
ｉば、磁性材１３１自身の磁気特性を損うけれども、そ
の点に達りるまでに＋５いではその種の分散を助長する
どにいことが判明した。例えば、ハイ・ミュー８００／
銅−ブータンの例においては、６％未満の銅がハイ・ミ
ュー８ｏｏ中に分散しても満足り°べぎ結果が得られる
ことがわかった。

第３図の銅４４の層は、絶縁性化合物形成ｔｒ）＋１１
層の厚さＪ、り苫しく厚くではい（）ない。実際上、変
圧器へ応答する場合、＾シ９電１（１の介在層は焼鈍：
Ｖ程中に実質的に完全に反応して頭初の介在層の代りに
金属間化合物が形成される程度にイ９いものであること
が望ましい。結果物である変圧器用の実施形が介在金属
の未反応層を保持してぃＣはならないことを意味゛りる
ものではなく、このような未反応層の厚さが増加すれば
うず電流にＪ：るｊ０矢が増加する（ことを意味する。

そして、介在層の厚さが転磁１７１４Ａ　＋１層の１９
さに達すれば、介在層を設りだ利息が＜Ｃ＜　＜Ｋっ（
しよう。更に他の実施例においては、銅を″−ツリルに
１／′７模した以外は上記と実質的に同じぐあり、結果
もほぼ同じである。

本発明の他の実施例を、第６図に遮蔽４１４３ｉ’体に
ついＣ概略的に承り。遮蔽ザンドイッヂ構造体１４Ｓは
、第３λ図の実施例の介在層４４ど比較すると薄い銅層
４Ｇを（ｇりる。この層４Ｇは隣接りるチタン層４８ど
軟磁性）ｔＡ　ｌ’ｌ　１０どの間に配設される。銅層
ど軟ＩＮ　性Ｎ　＄３１　Ｂ　トノ厚さ１．ｉ　０．０
１７８　ｍｍ　（０，００フィンｆ−）であり、チタン
層の厚さは０．００１７Ｊ１ｍｍ　（０，０（＋０フイ
ンチ）である。その他の点については、上述しｌこ実施
例と同様にして製造した。然し乍ら、この場合にはチタ
ン層４８は軟磁性材料１０及び厚い銅層４６の双方と絶
縁性の金属間化合物を形成Ｊる。これらの金属間化合物
は、第５図の層３６．３８及び４０ど同様め化合物ぐあ
り、得られる銅層は電！／Ｉ！遮蔽に動くに充分な程度
に厚い。従って、ビレットの厚さ減少を行ない削り出し
を行なった後には、銅層４６が電界遮蔽層どして１ｆ）
ｊぎ、第５図のＦｉ３２に相当りる磁性層１０が磁界遮
１ｉｌｉ層どして動く。

高導電性層４６を電界遮蔽に用いる場合には、焼鈍］−
程中′Ｃその全部が反応してしまう稈簿いものであって
はならない。実際上、絶縁性の化合物物質の層４８の少
なくと−ｔ＞　３　（＋３の；９さでなりれ【３ｒむら
ない。金属間化合物の生成反応終了後に残存する層４Ｇ
が、残存する軟磁性材料の層とほぼ同じ１ｔさであるこ
とが好まじい。然し乍ら、遮蔽作用に関りる限り、場所
的な・制限に合う限り、１も導電性層は所望によりもつ
と厚くりることもできる。ある種の１Ｍ１Ｉｉｋに用い
るときには、啓電層４６を軟磁性層１０と絶縁する必要
がない場合もある。従って、この場合にはＶＩ４８をは
ふく。

遮蔽用に用いる実施例においでは、第２図及び第３図の
変圧器用の構造体ど遮蔽用の構造体とを組み合わせる。

即ら、第７図に示すにうに、押出しビレッＩ・は、第２
図に示り第一のリンドイッチ構造体の層１４と、第６図
に示１如き遮蔽層から成る第二のリンドイツブー４ｔＰ
Ｊ造体１４Ｓとを右する１、厚さ減少及び造形後、１ナ
ンドイツヂも゛ＩＳ造体トイによって得られる変圧器用
の部分を駆動又は受容磁化回路に接続リ−る【プれども
、ザンドイッヂ構造体１４Ｓによって得られる遮蔽用の
部分は接続しない。斯くの如くになり−ことにより、遮
蔽部が変圧器用の部分をＬｌいに鴻ｗｉす゛るから、第
７図に示り複合構造体はマルチ・トラック記録ヘッドと
して使用するの著しく適しＩＣものであり、変Ｊ１［器
用の部分は夫々トラックとして馳き、それに隣接づる遮
蔽部が伯の変圧器用の部分からの「漏話」を防止りる。

当該技術に通暁した音であれば、回路Ｍは撞く概略的に
示されたちのＣあることを認めるであろう。

例えば、図中の点線ににつ−Ｃ部分１４が一体に接続さ
れＣいることを示りわ１ノＣは４１り、回路Ｍは電気回
路部をイｊし得るのである。

上記のツノ法は公知の技術Ｊ、す〜し）氏かに満足リベ
きものであることは明らかである。何故なら、手作業に
よる接合が必要でなく、スクラップ・［１ス率が無祝し
１ｑる程度だからである。勿論、本発明の特徴にＪ、る
４１４造体にＪｊ４）る周波数応答特性の増加は驚異的
である。更に、押出された平らな貯蔵品から製造された
多くの素子は、均一’ｃあるから、全て＋７）索子は整
合づる。従つ（、整合し／ｊ克「−を得るための費用と
困ｔ、Ｉｌが除去される。又、金属間１ヒ合物は非常に
硬いから、１ｑられる積層品は耐摩耗性が高く、この性
質は磁気記録ヘッドに応用Ｊる場合に重要な利貞どなる
。

本発明のこの特徴は、好適な実施例に関連して詳しく記
載されているから、本発明の思想及び範囲を逸脱りるこ
となく、細部や形状につい−Ｃ種々の変更を加え得るこ
とは、当該技術に通暁した者に理解されにう１１例えば
、転磁ｆ’１月料の層間にイ］加材判層を配設りること
もぐきる。押出しグイと関連し’ＣＪｉａ　４）Ｉの拡
１１（接？？１：稈を記載した【）れどム、圧延又１．
Ｉ加圧によつＣ同様の接着を１１することができる。１
史に、絶縁１１化合物物賀はガス状の成分を含有１ノＩ
Ｌ１、手作業でり′ンド・ｒツブーイ１４造体にＪる代
わりに軟１１１目１１祠）’ｌ−Ｌに電着、蒸着又は−
ぞの他の方法で配設りること６できる。又、厚さ減少を
行なった層を押出し３．１ｔから分ば１りる際に他の技
術を用いることしでき、す゛ンドイツチ構造体ビレツＩ
−にイ１加層を加Ｒることｂできる。リントイツブ構造
体素子の３１法を１ｊ１定したが、寸法（３（用法比片
・′−はど重要な八ＩＣはない。多数の層の最終的な厚
さは、周波数応答特性に関して車数であり電これはｌｌ
−１さ減少にＪ、つ（制御で’ａ　Ｏｏ（＋０２！１４
ｍｍ　（０，００（１１インチ）にまで、１９りりるこ
とができる。

−し述の如く、反応して金属間化合物を形成りる物質の
代り【に、／’４　＋１を抗の他の物質を用いることも
でさる１、一実施例にｄ３い（は、０．００１７８ｍｍ
　（０，０００フィンｔ−＞ｒｐのアルミニウム箔上に
約０．００１２７ｍ１　（０，０００５インブー）の厚
さに砒素を）尤槓させた。

第２図の積層品と同様の積層品が軟１叡性金屈（ハイ・
ミ］−８００）及び砒素被覆ｆｉゞｉ−ｌに形成された
。

次いで積層物に圧力を印加し、軟引餞１’Ｊω属の焼２
１１！温ＫＬにまで加熱した。砒素どアルミニウム＼が
反応して軟磁性金属の各層間に、半導体又は木質的に電
気絶縁性の層が形成された。ｊｉＪられた積層品を研磨
し、試験に先立ってつや出しを行なう。

ｊフルミニラム１１６１を用いる他の実施例にｉｌｊい
Ｃは、０．０Ｏ１７８＋ｎｍ　（０，０００７−ｒ’ン
ブ）のアルミニウム箔、］二【こ０．０（＋１（ｉｏｌ
ｎｌｌ＋　（０，０００（３３インブ）のアンプ＝モン
層を沈積させ、これを軟磁性金属と積層した。このｔ１
′ｉ層品を軟磁性金属の焼鈍温度にまで加熱した。

これににす、アンチモンと軟磁性金属との間に拡ｆｉｌ
（接着が行なわれ１．アルミニウムがアンケー七ンと反
応して半導体又は本質的に絶縁性の層が形成される。拡
散接着部分は恐らく絶縁性で（Ｊ、ないが、得られた半
導体層が充分に電気的に絶縁性であるから、得られた積
層品は全体どして、例えば磁気ヘッドとして用いるため
に総合的に優れた１“ｆ性を右する。軟１１１０＋１・
６ンＩＭ層（約０．０２５４１１１＋１１　　［０，０
０１インヂ］　Ｉ’；ｉ　）　１．１刀Ｎ、３さ減少さ
れていないから、１ｑられる構）；５ｆ小イハ高周波応
ｒ）特性は、」−記の１７さ減少を行なった実／ｉｔ！
＋例（、二おりる程顕著には向−１しない。

然し１１ら、同じＩ’／さの公知の積層品の＾周波応答
特性に比べ［シ゛ぽ、幾らか高周波応答特性が向上り−
る１、その押出は、公知の積層品の構ン貨にｉｊ＞い−
（は除去されＣいなかった製造時に生ずる内部応力を除
去するｌこめに、積層後に焼鈍を行４１つ／ｊからＣあ
る。更に、公知の積層品のスクラップ・ロス率は大きく
、本発明の特徴にＪ：る積層品は逃かに均一であり、高
抵抗層の硬度が人ぎいため本発明のＶ１層品の＋４）？
耗１１１．４ま名しく高い。

本発明のこの特徴ににる他の実施例においては、抵抗性
の高い物”ｔｌを直接に転磁４１１金１１を層−１，に
沈積さけたから、これらの層が反応しＣ高抵抗の層を形
成Ｊる心太が４１りなった。例えばしリンを軟磁性金属
上に沈積さＬ！　Ｃ，砒素−ラ′ルミニウムの実施例に
つい（記載したと同様の性質を右りる積層品を得るため
に、十ｊホと同じ方法で゛積み重ねＣ積層品を形成さＵ
る。−酸化シリコンを用いても同様の結果が得られる。

実際上、高周波応答特性が積層品を配設゛りる特定の製
品に要求される重要’ｃＬ性質でない場合には、複合積
層品を軟磁性金属の焼鈍温度にまＣ加熱°りる必要すな
い。半導体又はその他のＱ抵抗層の硬度によってもたら
される所望の耐１ｒ１耗性を管るためには、構ｊ聞体に
適切な１（着をＬｙえる程度に加熱するだけでよい。

半導体又はその他の高抵抗の結合物をイ１加成分として
用いることもぐきる。第２図の軟磁性金属間の層は、例
えば鉛、錫又はハフニラ１１十にレリンを沈積さけて成
るものであってもよい。その他の６のを例示りるど、硫
化カドミウム、硫化１））、酸化カドミウム、硫化亜鉛
、酸化亜鉛、酸化ニッケル、硫化ゲルマニウム、硫化錫
等で（しり、ＡハイＡ州クリーブランドのケミカル・ラ
バー・カンパニー　（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　　Ｒｕｂｂｃ
ｒ　　（’、　ｏｍｐａｎｙ）から同行された「物理及
び化学ハンドブックＪ（ｌｌａｎｄｂｏｏｋ　’　　ｏ
ｆ　　ＣＣ１１ｅ！５Ｉｒｙｉｌｌｌｄ　　　ｐｌ＋ｙ
ｓｉｃｓ）に記されているものと同程度のエネルギー・
ギャップを右Ｊ−るｉ−の他の化合物を用いることもＣ
浮る。

１９７２−１’Ｊ７３イ］版（；）３版）では、この種
の半導体素子はＥ−８９ＣＡ乃至Ｅ−９２頁に列挙され
ている。

半導体を用いる実施例は、メッキ、蒸着等の成るタイプ
の沈積を必要とりる。然し乍ら、今説明しＣいる木冗叫
の特徴にＪ、れぽ、ぞのＪ、うな沈積：に程をはふくこ
とができる。同ね１の物質の層を焼結又はその他の方法
で一体に結合して磁性積層品を形成Ｊることは既に示唆
され゛（いる。シコバルツ（Ｓ　ｃｈｗａｒｚ）にりえ
ら−れた米国特Ｊ１第３，４７８，３４０号明＄１１＋
７ηはイのようなＺｊ法を記載し−（いる。然し乍ら、
この場合には、非常に抵抗の高いゼラミック型の粉末状
゛）１ライ１〜が、わ）木状レラミック自体にＪ、っ”
（結合されてヒシｊリシス・ループの大きなシ）透磁（
’Ｌの積層品を形成りる。即も、シ１１１ バルンは、１０２乃芋１０７Ｉ−ム・ｃｍの範囲の抵抗
を右する）、１ライトを用いたのに対し、本発明の軟磁
性金属類、は１（）Ａ−ム・ｃｍ程度である。

本発明のし１的の一つは、相！ｊに５Ｊ１似しない物質
、例えば’？Ｊ　１ｌｆｊ性が低く、ヒシデリシス・ル
ープが小さく、抵抗の低い軟磁性金属と相対的に電気的
に絶縁性の物質とを、製造後に居間の接合を破壊するこ
と’ｅＫ　＜転磁１１１金；Ｉバを焼シ１１°りるとい
う方法ぐ接ン１りることである。従前にＪ３い−（は軟
磁性金属層は、例えば１ポキジの如き有機接着剤で接合
されており、有機接着剤による接合は温度を少し高めＩ
Ｃ場合にも破壊されて積層品が分離してしまう。

条件が合いさえ寸れば、ガラスと軟磁性金属とを積層し
て加熱し、それらの間に接合を形成さけることにＪ：り
上述の目的を達成することもできることが見い出された
。１京理的に必１ｊ　’ｃＫことは、焼鈍後に軟磁性金
属の高い透磁率を保持させ、各層が適当に接合している
ことだ【）である。従っ（、ガラス及び軟磁性金属の熱
膨張係数が、ガラスの歪＋ｉｉ　、間痕から得られる構
造体の使用４痕に至る温度領域内におい−（はぼ同程瓜
であるにうに、ガラス及び軟磁性金属を選定Ｊる。

上述の点に関して、ガラスは実際には結晶物質Ｃはない
りれどム、ガラスの粘磨を指数どし゛（定められる数個
の東要な臨界温度を有づる。、上記の「作動温度１以−
りのガラスを流動ガラスという。

この温霞Ｊ、り稍／Ｚ低い温度内に１−軟化温度」が存
イｆし、軟化１！Ｉｌ！ｌ哀以十が１焼１Φ渇庶１（′
ある。ガラスの１−１１・Ｗ＋Ｘ　Ｉ良−１又はｌ硬化
温１良」ｔま、史に低い温度である。歪温磨以下にＪ３
いＣは、ガラスは内部応力を抽１シ１りることができず
、内部応力がガラス中に）９人される。然し乍ら、ガラ
スを焼鈍温度にまで加熱することによって内部応力を除
去ＪることがＣン覧る１、１渇１良以上では内部応ツノ
は尋人されることト１．ない。従って、軟磁性物質とガ
ラスの膨服係：故／ｌＸ一致すベさ温石領域は、ガラス
の歪温石から室＋ｔ＋ａ　（即ＩＩ、　４４７られる構
造体の作動温度）までの間ぐある。。

本発明のこの特徴にＪ、る−実施例において、転磁性金
１１１Ｇよバーｒ◆ミュー８００′ｃあり、ガラ、スは
１９６５年刊の「力・・り・Ａスマー・」−ン勺イクＩ
」ぺ）゛イｊ７・オブ・ケミカル・デクノ【」ジーＪ（
Ｋｉｒｋ−Ｏｔｌｌｍｅｒ　　［−’　ｎｃｙｃｌｏｐ
ｅｄｉａ　　ｏｆ　　Ｃｌ＋ｃｍｉｃａｌＴ　ｅｃｌｏ
ｌｏｌｏｕｙ　）の第２版に１’　：１１−　＝　ング
１９９０　Ｊ（Ｃｏｒｎｉｎｇ　　１９９０）どして特
定されい−でる３、このガラスの軟化点は５）００℃、
焼鈍温石は３７０℃、歪点は３４０℃であり、４１％の
酸化シリコン、４０％の酸化１（）、１２％の酸化カリ
ウム、５％の酸化す１〜リウム及び２％の酸化リヂウム
から成る。

第８図に関して、フレッＩ〜６０の層はガラスに２の層
と交Ｈに重ね合わされている。フレットは、酋通の軟磁
性材料シー１〜から成り、ぞの中に光学Ｉツヂングされ
た素子６４を右り−る。索子６４はｊ−ブ・ヘッド部で
あり、ガラスは例えば米国特清第３．３７１，００１ｊ
−Ｕ明ｌｌｌ書に記載の方法により揮発性の右１幾接着
剤によりテープ状構造体状に形成された粉末ガラスシー
トから成る。

軟磁性のフレッＩ・は、約０．０２５４ｍｍ　　＜　０
．０（１１インチ）の厚さである。清浄にした後に、板
７０から」ニ方に延伸づる位置決めピン６８と孔部６６
どにＪ：り所定の位置にフレッ１へを置く。これと交Ｔ
ｌに配設されるガラス層の厚さは約（１，００５０７ｍ
ｍ　（（１，（１００２インチ）であり、第９図に承り
ような積層品が形成される。ここで層６０は第２図の層
１０に相当し、層６２は第２図の層１２に相当Ｊる。

板状の集合体を炉中に置き、酸素を含有りる雰囲気中で
加熱りる。有機接着剤は揮敗しで、望ましく＜’にい残
漬を残さない。次いで軟４６１１１金属の層を接着する
に充分な程度にガラスを加熱りる。即ちガラスを軟化点
、この場合には５００℃、以十に加熱する。

次いで接合した積層品６１及び厚さ制御ブロック７６上
にＪｊらり７２を置く。おもり１２の位置ぎめは、ピン
６８ど孔部７ＧどにＪ、すｉＪなうａ　１１１！造休全
体を減圧しトルト又はその他の酸素を含有しない容器内
に置き、続い（ｆｊなう軟磁性金属の焼鈍加熱工程（ハ
イ・ミニ１．−８００の社会には約６００℃乃至１２０
０’Ｃ）ｌ！ｌに酸化が起こらないＪ、うにづる、、斯
くの如くにして、ゲージ・ブロック１６の高さによって
決まる所望厚さにまでＶｉ層品をおもり７２により圧縮
し、軟磁性金属を完全に焼鈍して製造時の内部応力を除
去゛りる。

焼鈍したＶｌＦ、’４品を、用いた転磁↑１１金属に応
じた冷２．ＩＩ工程に供り゛る。例えばバーｒ・ミコー
８００の場合には、−〔の：１−１−り一温瓜（ハイ・
ミーｔ−８００の場合的４６０℃）４ｊ）ら：に１−り
一温度Ｊ、り稍々低い温度（この例では３７０℃）に至
るまで、焼鈍湿頂からの冷ＪＪｌ速瓜は、１時間当たり
約１９！１℃乃至２８０℃である。温疫勾配によって起
こり得る内部応力を防止するために、３７０°０か５４
０℃ｉこ至るまで１時間当たり　１００℃で積層品を冷
ＩＪ１シた後、炉り目う出り。

最後に、完全に焼鈍した積層品を公知の方法ににり所望
形状に切断し、１σ１１訊りる。

上記の方法で製造した積層品の透磁率は非常に優れ！、
、Ｘものであった。次に、同じ厚さく　０．０２５４ｍ
ｍ　［０，００１−インブー］）の軟磁性金属層をイｉ
りる市販の有機物で接合された積層品との比較を示１Ｊ
。

磁束密度　　周波数　本発明の４１６青　市販の構造（
ガウス）（ヘルツ）体の透磁率　　体の透磁率４０　　
１．０００　　　１３，０００　　　１１，０００４０
　　５０．０００　　　８，８００　　　７，２００２
．０００　　１，０００　　　３５，０００　　　３！
＋、０００２．０（１０！ｉ０，０００　　　　１０，
０００　　　　　９，４００木工と明の方法によれば、
明らかに透磁率が改善され、史に１７耗特性が非常に優
れ！、：均一な構造体を低いスクラップ・Ｏス率で１１
Ｖることかできる。

然し乍ら、史に重要なことは、イｉｆ幾物接着剤を有す
る市販の積層品の場合には製造後に焼鈍することができ
ないから、超薄層の軟１４１１１１金属箔を積層させて
満足リベぎ積層品が１４られないことである。

現状におい（は、０．０２５４　Ｗｉｌｌ（０，００１
インブー）の箔が実際上の１１１小厚さである。これに
対して、本発明にＪ、４シば、これＪ：り逃かに薄い箔
を出発原Ｉｔどづることがぐきる。何故なら、製造土工
稈後に行なうカニー鋪１−程中に、製造に起因Ｊる内部
応ツノを取り除（−ことができるからである。本発明の
方法にＪ、り超１１；１層の箔を使用り”れば、１９さ
に大略逆比例し’Ｃ４Ｉ′ｉ　Ｒり品のｌ′ｂ周波応答
特性が増加りる。

現有のところ市販に供され−（いる右Ｉ幾物接着積層品
Ｃ１−Ｃれ稈薄い軟磁性金属層から成るものはないｈ目
・）、比較データな出゛すことはできない。然し乍ら、
本発明の方払番。Ｌ標Ｗ的＜ＬＰノさの転磁１１１材石
から成る積層品の透磁率を増し、ｔｔＦ耗１！１性を大
幅に改良りるばかりでなく、本発明の方法にＪ、り軟（
鮭性材わ１の厚さを驚異的に減少させることが可能どな
り、従っ−ｃ高周波透磁率を増加さけることができる。

金属とガラスがほぼ同じ熱膨張係数を持っている限り、
上記ど同様の結果を得るために伯のガラス類と他の軟磁
性金属類どを組み含Ｕることもできる。例えば、十述の
例にＪ３い“Ｃは、」−ニック１９９０ガラスどハイ・
ミュー８００の熱風１３服係数は、室溜ｌ及び歪点（硬
化点と呼ばれることもある）温度においで実質上同一で
ある。コーニング１９９０ガラスの２５℃ノリ至３００
　℃におりる熱膨張係数は、約１３７Ｘ　１Ｏ−７ｃｌ
Ｉｌ／　ｃｍ　−℃であり、ハイ・ミｔ−８００の熱膨
張係数は約１３ＧＸ　１０　　Ｃ１１ｌ／Ｃｍ・℃であ
る。

２５℃から歪点温石（３４０℃）までの間の単位長さに
対づるガラスの変化は４３３ｘ　１０　　であり、ハイ
・ミコー８００の同じ温度範囲におりる変化は４３０×
１Ｏ−５Ｃあり、この両物質問の最大偏差は約２００℃
にＪ３りる約９０ｘ　１（１ａｍ／　ｃｍである。、Ｂ
ＩＧ度に　１００万分の！ｉ　（１（ｌ以１−の相違が
あっ−（も、これを９′１容できる場合１）あり、１０
０万分の１００程疫の相ｊｑによって惹き起こされる問
題は比較的小さい。従って、本発明の目的に則して考え
れば、ｒｐ、″３服率に　１００万分の５００程度の相
違がある場合には、膨張率が実質的には同一であると考
えることができる。

ガラスと軟磁性金属との他の多くの組合ｌｔ）同様に満
足リベき結果を与える。例えば、ハイ・ミュー８００を
＝１−ニック０１１０又は９１７６と組合せて用いるこ
とができる。

］−ニック１）１１０の組成は、３ｉＱ２５０％、）り
２０１９．５％、Ｎ１２０６％、１３８０１０％、Ａｌ
２０３５．５％、ＣａＯ７，２％、］−＝　１．８％テ
ｕ　ル。コーニング９７７６の組成は、１）ｂ０８８％
、＋３２０ａ　１２％である。然し乍ら、軟化点の非常
に低いガラス類を用いたどきには、ガラスの晶質を低ト
さＩ↓ないために積層品を軟磁性層の焼鈍温度にまで加
熱しないことが望ましい。又、：１−ニック６８１０万
ラスを４２％のニッケルと５８％の鉄とから成る軟磁性
金属ど（６層さＵてもｊ、い。このガラスのｍ１成（よ
、二酸化珪素５６％、酸化アルミニウム１０％、三酸化
硼素゛１％、酸化〕−Ｉ・リウム７％、酸化力ワウ１．
１％、酸化カルシウム４％、酸化鉛３％であり、０℃乃
至３００℃の範囲内にお（」る平均熟１１３Ｍ　１ｌｌ
ｉ係数がＧ’ＪＸ１０　　ｃｍ／　ｃｍ・℃である。こ
の実施例にＪ３いて用いた軟磁性金属の平均熱膨１１１
１係数６．２；１℃乃至４５０°Ｃの範囲内において約
Ｇ９ｘ　１０　　ｃｔｎ／　ｃｍ・°Ｃである。

他の好適な積層品は、」−−ング８８７１ガラスと、５
０．５％のニッケルと４９．５％の鉄とから成る軟磁性
金属合金とから成る。ガラスの組成は、二酸化ＬＬ素４
２％、酸化リチウム１％、酸化プ］・１戸シム２％、酸
化カリウム６％、酸化鉛４ミ）％で（１する。

０℃乃至３００℃の範囲内にお【）るガラスの平均熱ｗ
ｉｔｓ係数は１０２×１００ＩＩｌ／Ｃｍ・℃であり、
１ｒｔｌじ温度範囲内にある合金の平均熱膨張係数は１
０１×１０　　Ｃｎｌ／　Ｃｌ１ｌ　”　℃である。

他の物質の熱膨張係数ｔよ、前述のボゾルス（８０Ｚ０
１’ｔ１１）文献の第６４３頁以−１・に列挙されてい
る。

リーｆング（ＲＯａｄ　ｉ　ｎす）市のカーベンター・
テクノロジー・１−ボレイシコン（Ｃａｒｌｌｅｌｌｔ
ｏｌ”　　’ｌ”　ｅＣ１＋ｎｏｌｏｇｙ　　Ｃｏｒｌ
＋、）から１９６５年に刊行された［カルブ−ツク・ア
１］１イス・ノＡ−・１−レフｌ−Ｌ：ｌニック・マグ
ネアイツク・アンド・ｌレフ１−リカル・アブリケーシ
コンズＪ　（Ｃａｒｔｅｃｌ＋　　Δｌ１ｏｙｓ　　Ｆ
ｏｒＥ　１ｃｃｔｒｏ＋＋ｉｃ、Ｍ　ａｇｎａｔｉｃ、
ａｎｄ　　ｒ、、　１ｅｃｔｒｉｃａｌＡＩ）Ｉｌｌ°
１ｃａｔｉ０１１３　）に更に他の例が挙げられており
、更にその他の合金の膨賑係数は、例えばピッツバーグ
の）ルジ］ニーｆ・ラドラム鉄鋼会ネ１（Δｌｌｅす１
＋ｅｎｙ　　１．ｔ＋ｄｌｕｎ１３ｔｏｏｌ　　Ｃｏｒ
ｐｏ’ｒａｔｉｏｎ）から出されｌこ「アルジニ１ニイ
・ラドラム・ブル−・シー１〜・シリーズ１　（△ｌＩ
ｅｇｌ＋ｃｎｙ　　１．−　ｕｄｌｕｍ　　［３１ｕｅ
３ｂｅｃｔ　　５ｃｒｉｃｓ　）の如き工業出版物に例
示されている。間係に、種々の型のガラスの熱膨張係数
は、１９（１層１年に用持された［カーク・Ａスマー・
Ｊンリイクロベデ゛Ｃ）′・Ａブ・ケミカル・ｙクノロ
ジーＪ　　（Ｋ　ｉｒｋ　　Ｑ口１ｍ０ｒ　　　［１１
ｃｙｃｌＯｐｏ（ｌｉａ　　　ｏｒＣｈＱＩｌｌ　！　
Ｃ８１°１’　ｃｃｂｎｏｌＯＱＶ　）第２販の第５３
３員以下、特に第！＋７　：ｌ　ｇｌに示され（いる。

二ｌ−〕１−りのオグデン出版社（Ｏａｄａｎ　　Ｐ　
ｔ＋ｂｌ　１ｓｂｉｎｕ　　Ｃｏｍｐａｎｙ）から１９
６１年に出された１−ハンドブック・オブ・グラス・マ
ユノン２クチコノノＪ　　（１−１ａｎｄｂｏｏｋ（汀
　Ｇ　１ａｓｓ　、Ｍａｎｕｒａｃｔｕｌ’ｃ）　　又
は、例え１．；ｒ　’−，１，−ヨークの」−ニッグの
コーニング・ガラス会社若しくはトレド（’ｌ−ｏｌｅ
ｄｏ　）のオーエンス・イリノイ・ガラス（Ｑｗｅｎｓ
−１１１ｉ＋＋ｏｉｓ　　Ｑｌａｓｓ）等のガラス製造
業者の標５１（カタＩ−１グ、又はジープ・ガラスエ１
（Ｊｅｎａ　　Ｑｌａｓｓ　　ｗｏｒｋｓ）の、］］ツ
ｔ−・カタ１」グ（Ｓｃｌ＋ｏｔｔ　　Ｃａｔａｌｏｇ
）笠を参照されたい。

・℃の間に分イＩｊ　していることを小しＣいる。一方
、均熱膨張係数約１５０ｘ　ｉｏ　　ｃｍ、、’　Ｃ１
１ｌ・℃の三酸化同県Ｈ３２０ａ　）史には熱膨服係数
カ８００ｘ　１０−７にｍ／’ｃｍ・℃に及ぶ硫黄系の
ガラスに至る範囲に分布している。

従って、本発明を実施Ｊる場合、（φ々の骨紺構どがで
さる。更に、標準合金類の各湿度或いは一定温ＩＬｔ　
ｆＭ！曲にお【）る熱膨１１１易係数を増減して調整り
るために種々の合金要素を添加覆ることもでき、熱膨Ｉ
ＩＩ；　ｌ１ｌｖ係数を調整づるためにガラスに種々の
変性剤をｊ、ぺ加４ることしできる。例えば、前ｊホの
カーク・Ａスマー文献の第５３８貞及び第５８　（１頁
以下を参照されたい。

−に記の１′）９体又はその他の８抵抗層を、第（３図
に承りと同様の）−−ブ状の形になづこともＬきる。

例えば、ハフ−ラム又はｔリノγンのＶ）末をセレン粉
末及び揮ｉｔ性の接着剤と混合し、ラーブ状とし−Ｃ高
抵抗層イー形成さμることｂできる。これに関りる８■
細は、例えば米国特許第３，２９３，０７２月明ｔｉｌ
ｌ出に６ｉ！載されているが、斯くの刈１くにりること
により、加熱ににって右機物接査剤が揮散しセレンが金
属ど反応し”Ｃ所望の＋１°５抵抗層が形成される。

アンチモン又は砒素の粉末をｊ′ルミニウム粉末と混合
して同様のテープをつくり、ｌ！ノられるシ′ｂ抵抗層
を半導体とづることもぐきる。

上記の実施例にＪ３りるモリブデン−セレン化合物の抵
抗は約４０００オーム・ｃｍであり、ハノニウムーヒリ
ン化合物の抵抗は約４００００７ｊ゛−ム・Ｃ１１ｌで
ある。多くの他の元素類をテープ形状にし、積層し、反
応さＵて高抵抗無機層を形成させることができる。二種
の金属を反応さＵ、：Ｃ金属間化合物又は半導体を形成
さけることもできる。例えば、°しリブデン又はハフニ
ウムの如き金属は、例えば硫黄の如き非金属と反応して
高抵抗の無機化合物層を形成し１！する。例えばセレン
の如き粉末状半導体又は土に訂記したにうにガラスの如
き絶縁物から成るデ・−ブをつくることもできる。

本発明の更にもう一つの特徴にＪ、れば、積層品を種々
のガスに富む雰囲気下におい−（加熱しガスを絶縁層内
に拡散さＬるか名しくは他の方法にＪ、リガスを絶縁層
内に導入することにＪ：す、各絶縁層の硬度を更に改善
りることもできる。

本発明のこの特徴による好適な実施例において【、Ｌ、
積層品を製造゛りる方法は」−記と全＜　Ｉｉ’ｉ１様
の方法による。積層品を先ず組込み、削り出し、焼鈍し
、研磨し、ａ浄りる。次いｅこれを水素に富む雰囲気中
において加熱して、水素を絶縁層内に拡散せしめ、水素
を拡散さ１！−（いない絶縁層よりも硬い水素化金属を
形成さＵる。同時に、焼鈍によって転磁ｖ１月別に最適
の磁気特性を（＝Ｊりすることができる。この種の適当
な水素止金１．へ類の多くの例はニート−コークのアカ
デミツク出版（Ａ　ｃａｄｅｍ　ｉＣｐｌ’ｅｓｓ）か
ら１９６８年に刊行されたミューラ−（Ｍｕｌｌｃｒ　
）　、／ラックレッジ（［３１ａｃｋｌｃｄｇａ　）及
びリボウィツツ（Ｌ　ｉｂｏｗ目ｚ）茗の「水素化金属
類Ｊ　　（ｌｙｌｅｔａｌ　　１ｌｙｄｒｉｄｅｓ　）
に示されている。

他のガス類を金属類中に拡散させるか若しくは金属類ど
結合さＬＪニーｃ、良好な結果を１１ノることもできる
。例えば、酸素や窒素を絶縁層に拡散又は結合させるこ
と０でさるが、こ４′シらのガスは水素ど比較づれは拡
１１（させ辣い。

叙土の如く、本発明にＪ、る節１迄休は摩耗性ｆ（１が
改古されるばかりひなく、信頼性が高く、均一性が優れ
〕こ措乃体であることは明らかである。然し乍ら、更に
中東なことは、本ｆＦ、明により軟１６性金属に更にｋ
ｒましい磁気特性を、ｔｊえるために製造後に焼鈍で・
きる軟磁性積層品が１！′？られることである。

金属間化合物による実施例は、１Ｊｉ異な利点を有し−
Ｃいるけれども、その他の実施例は押出しを要さない利
点があり、ガラスを使用りる実施例は蒸着等の操作をも
必要どしない利点がある。Ｖ［っで、ガラスを使用り゛
る実施例は、押出し装置及び蒸盾装置を利用できない小
規模の製造業者に特に適し！ご方法（゛あるといえる。

以下に、木発叶の特許請求の範囲内に包含さるべさ実施
例を史に訂柵に列挙する。

（１）複数層の軟磁性金属層と、互いに隣接づる前記軟
磁性金属層の間に配；９され該金属層に加熱接着した１
０　　Ａ−ム・Ｃ１１１以上の抵抗を右づる少なくとも
一層の無１ｍ物質層どから成ることを特徴どする積層軟
磁性材料。

（２）前記１１１’　ｉ実物質層が電気絶縁性の金属間
化合物であることを特徴と覆る第（１）項に記載の積層
月利。

（３３）少なくとも一層の絶縁性化合物形成物質を互い
に隣１ｆｌ　！Ｊる軟磁性金属層間に配設したことを特
徴とりる第（２）項に記載の積層材料。

（４）転磁１ｊ１金屈１ヲ１と絶縁性化合物形成物質層
どの間に介在金属層が配設され、前記介在金属層と前記
絶縁性化合物形成物質層間に絶縁性金属間化合物が形成
さ１しることを特徴とする第（３）項に記載の積層材Ｎ
’！ｌ　。

（５）前記軟磁性金属層がニッケル、鉄及びモリブデン
をイ’？　’（ｉ　Ｊることを特徴とＪる第（１）項に
記載の偵Ｆｉ　ｋＡわ１゜ （６）萌；、１１２１１（１！ｌｔ物質が半導体ｒａう
ることを特徴どづる第（１）　Ｉｓｌに記載の積層材料
。

（７）前記！１′ンク体が第１１１族元素と反応した第
■族元素を、？ｆＩＩＩイ）ことを特徴とりる第（６）
項に記載のｆｉ’ｔ　ｋ＋’Ｊ　４Ａ　）ｌ’ｌ　、。

（８）１）ζｌ　Ｌｌ’、ゝｌ’　）！’Ｆ体が一種の
半導体素子から成ることを特徴どりる第（６）　ＪＪ′
ｌに記載の積層材料。

（９）前ｉ；ｉ、！　ｔｌｉｔ機物質の層がガラスの層
から成ることを１．５徴どり−る第（１）項に記載の積
層材わ１゜（１０）前記軟帆１１１金属及び昌抵抗照椴
物ｖ′１の熱膨張係数が実質的に等しいことを特徴とり
る第（１）項又は第（９）項に記載の積層月利。

（１１）前記軟鍼灸性金属の熱膨張係数ど晶゛５．抵抗
無機物質の熱膨張係数の差異が！ｉ　００　＋１１１　
＋ｎ以下であることを特徴どりる第（１）項又は第（９
）　Ｊｊ’ｉに記載の槓Ｆｉ月利。

（１２）前記転磁１（１金属が実質的に完全に焼鈍され
ていることを特徴とＪる第（１）　ｌｒｉ、第（６）項
又は第（９）項に記載の積層材料。

（１３）前記ガラスの熱Ｉｋ１服係数を前記軟磁性金属
の熱膨張係数と実質的に等しくづ−るために、前記ガラ
ス中に変性剤が添加されていることを特徴どする第（９
）項に記載の積層月利１゜（１４）絶縁性の無機物質が
少なくとも一種のガスを金石−りることを特徴どり゛る
第（１）　Ｊｎ又は第（６）項に記載の積層Ｕ　Ｆｌ　
。

（１５＞Ｚｉいに隣接りる軟４．１！竹金属層の間に少
なくども一層の導電性の高い介在金属層が配設され、前
記介在金属層に隣接り−る軟１４１ｔ！を金属層ど介在
金属層との間に前記無機物質層が配設され、ｎいに隣接
する前記軟Ｌ＋１　ｔ！ｌ金属層が磁界を遮蔽し、前記
介在金属層が電界を遮蔽する４ことを特徴とする第（１
）頂にＣＪ載の積層月利。

（１Ｇ）第（１）項に記載の特徴を右する積層材わ１か
ら成る複数の磁気区画と、隣接Ｊる磁気区画の間に配設
された遮蔽区画とを右りる積層構造体であって前記遮蔽
区画が少なくどし一層の軟磁性金属層と、少なくとも一
層の高導電性金属層と、前記遮蔽区画内の前記軟脅目り
金属層と前記＾導電性金属層との間に配設された絶縁性
金属間化合物とから成ることを１：１徴とりる積層４１
弓造体。

（１１）回路手段と、該回路手段の選定部分に前記磁気
ｌ区画を接続Ｊる手段とから成り第（１Ｇ）項に記載の
特徴を右するＩｆｉＩＦｉ　Ｍ／ｉ造体トイって、前記
遮蔽区画と前記回路１段の接続をｔｆＪｉつと前記遮蔽
区画内の前記軟磁性金属層″￥’、ｔ　ｈ＜ぞの他の磁
気区画の磁界から所定の磁気区画をｐ！、＋蔽し、前記
高導電性金属層が他の磁気区画の電界から所定の磁気区
画を遮蔽りることを特徴とづる積層４１１１造体。

（１８）加熱づると軟磁性金属と結合し−Ｃ該軟磁１！
１金属よりｔ）電気抵抗の人さな無機層を与える無機物
質から成る層の少なくとも一層にＪ、って絶縁されζい
る軟磁性金属層から成る積層品を組み立てる］］稈と、
該積層品を加熱して前記軟磁性金属Ｊ：すｂ電気抵抗の
大きな前記無１ＦＮ物質にょっ−Ｃ絶縁され且つ該無機
物質と結合している複数の軟磁性金属層を右りる構造体
を形成さｌる工程とを右すること４特徴どづる積層材料
の製造方法。

（１９）加熱工程時に前記積層品に圧力を印加り−るこ
とを特徴とづる第（１８）項に記載の方法。

（２０）前記加熱Ｔ稈が、少なくとも前記軟磁性金属の
焼鈍温度にまで加熱ケる］二稈を包含づることを特徴ど
する第（１８）珀又【、１．第（１９）Ｊｉ’ｊに記載
の方法。

（２１）加熱及び圧力を印加覆ることにより前記無機物
質の層が前記軟磁性金属と反応して前記軟磁性金属に隣
接する絶縁性金属開化合物が形成μしめられることを特
徴とりる第（１９）項に記載の方法。

（２２）前記無１幾物質が、絶縁性化合物形成物質ひあ
ることを１Ｊ１徴どりる第（１８）項に記載の方法。

（２３）ｉ′Ｉ？）記無Ｉハ１物質の層と前記軟磁性金
属とが拡散＆Ｊ合を形成Ｊることを１＝′ｊ徴とＪる第
（１Ｂ）項又は第（２２＞Ｔｒｌに記載の方法。

（２４）前１．１［軟帆１′１．金属層と前記１１（ξ
１７１物質の層どの間に介在金属層を加える工程を右し
、前記軟磁性金属層と前記無機物質とが結合工程中に前
記介在金属と結合りることを特徴とり−る第（１８１ｆ
ｊ又は第（２２〉項（こ記載の方法。

〈２５）結合工程に先立つ１（前記前（幾物質の層に接
触りる高導電性介在金属層を加える工程をもし、前記軟
磁性金属層と前記高導電性介在金属層どの間に前記無機
物′１１の層が配設されることを１、′１徴どする第（
１８）項又１よ舘（２２）項に記載の方法。

（２６）積層品を加熱処理して軟磁性金属層焼鈍し隣接
する軟磁性層間に配設されたｔ１！！縁性の金属間化合
物を１１成ｌしめる工程をイ１りることを特徴とする第
（２２）偵に記載の方法。

（２７）前４，１１フｒｔｔ　＋幾物負の抵抗、が１（
１′）Ｉ−１，ｘ　・Ｇ１１１以上であることを特徴と
ツる第（１８）項に１．記載の方法。

（２８）烏抵抗の前記無機物質が半導体々７１Ｉ’ｌで
あることを特徴どりる第（２７）Ｉｊ’ｌに記載の方法
。

（２９）高抵抗の前記照Ｉ幾物質が刀ラスであることを
特徴ど−りる第（２１）項に記載の方法。

（３０）前記ガラスが揮発ｔｊｌの接着剤中に分散した
粒子状形状であり、結合した粒子状ガラスを前記接着剤
の揮発品位以上に加熱り゛ることを′４８徴と覆る第（
２９）項に記載の方法。

（３１）前記積層品を、少なくとも前記軟（鮭性金属の
焼鈍温度にまで加熱することを特徴どづる第（２７）Ｉ
ｎに記載の方法。

（３２）焼鈍工程を酸素を含有しない雰囲気中で行なう
ことを特徴とする第（３１）項に記載の方法。

（３３）前記積層品を前記焼鈍温度に加熱した後に、前
記軟磁性金属のキコーリー況度を通じて制御された速度
で前記ｖ４層品を冷ｆＪＩ　することを特徴とＪる第（
３１）項に記載の方法。

（３４）高抵抗の無機物質にガスを加える工程をイ２ｊ
りることを特徴どする第＜２７）ｊｒｊ又は第（２８）
項に記載の／Ｊ法、。

【図面の簡単な説明】

第１図は厚さ減少前の（１１層じレッ１〜の概略断面図
、第２図（，１，第′１図の２−２線に沿って切断した
一部拡人図、第３６図は第２図に示し！、：構乃体の変
更例を承り１ｉｔ（１８図、第４図は第２図に示゛りと
同じ構造体の１−３さ減少１ｐの顕微鏡写Ｖ（、第５１
図は第４図に示づ１苫）；一体の熱処理後の顕微鏡写真
、第６図は本発明のＩＧ＜埋にＪ、って製造した碗敲偵
層品の概略断面図、第７図は第２図又は第３３図に承り
積層品と第６図に示Ｊ積層品とから成る複合４Ｍ造体の
概略断面図、第８図は本発明の実施例の一つの組立てを
展開して概略的に示゛り図、第９図は第８図の９−９線
に沿って切断した一部断面図である。 １０・・・軟磁性物質層　１２・・・絶縁性化合物形成
材料層１４・・・１ノンドイツブ一構造体　１６・・・
ケーシング１８・・・瀘　２０・・・充填物Ｙ１２４・
・・磁性材料　４４・・・イ］加層　４Ｇ・・・高導電
性Ｆ１４８・・・絶縁性化合物層手続補正書 昭和５８年Ｉ月　を日 特許庁に官　　若　杉　和　美　殿 １、事件の表示 の製造方法 ３、補正をする者 事件どの関係　　　特許出願人 氏名　　クレイトン・エヌーウェットストーン４代理人 ５、補正命令の日付　　出願箒査の請求と同時にする補
正（１）　願書に添附した明細書の第５頁第７行乃至第
８行を削除し、 （２）同第６頁第４行目に［凡常Ｊとあるのを、非常 と補正し、 （３）同第６頁第１８行乃至第７頁第６行を削除し、１
４＋同第７頁第７行目に「他の」とあるのを削除し、 （５）同第７頁第１９行乃至第１０貞第５行を削除し、
（６）同第１０頁第６行乃至第１３行に［この実施例・
・・・・・・・・置キ換える。」とあるのを、本発明で
は、 と補正し、 （７）同第１１頁第１８行乃至第３２頁第１８行を削除
し、（８）同第３２員第１９行目に［本発明の目的の一
つは、」とあるのを、 本発明に係る方法の重要な点は、 と補正し、 （９）同第３２頁第ム）行目に「ヒステリシス」とある
のを、 ヒステリシス と補正し、 （Ｉ［ｌｉ同第３５日第５行目に「第８図」とあるのを
、第、・１図 と補正し、 ０１）同第３５頁第５行目に１フレツトωの層」とある
のを、 フレットの層６０ と補正し、 Ｏ２同第３５頁第１８行目に「第９図」とあるのを、第
２図 と補正し、 ＋１３同第３５貞第１９行乃至第か行に［層６ｏは・・
・・・・相当する。］とあるのを、 層６０は軟磁性材料層であシ、層６２はガラス絶縁層で
ある。 と補正し、 （１４１同脇３６頁第９行目に１孔部７６」とあるのを
、孔部７４ と補正し、 ０５１同第４３頁第Ｗ行目に［骨組Ｊとあるのを、組成 と補正し、 ０ｅ　同第４４員第９行乃至第４５頁第１２行を削除し
、住η同第４７頁第３行乃至第７行に［金属間化合物に
よる実Ｍ１例・・・・・・実施例は、」とあるのを、本
発明に係る方法は、蒸着等の操作をも必袈と１−ない利
点があシ、従って、 ・・・・・・絶縁性化合物層」とあるのを、ｉｔ図は本
発明の実施例の一つのアセンブリを展開して概略的に示
す図、第２図は第１図の９−９線に沿って切断（７た一
部断面図である。 ６０・・・軟磁性材料層 ６２・・・ガラス絶汀層 ６６・・・孔部′６８・・・位１ｉ′１７決めビンと補
正し、 １２１１９ｓ畳に添附した図面の第１図乃至第７図を削
除し、別紙朱書の通シ第８図を第１図とし、第９図を第
２図としまず。 以　　　上 丁　続　袖　＋１．　　ｔ’：　（）°１式）昭和！５
８づ１−１０月　夕「１ ｆｌｉｉ’ｌ庁１く官　若杉和夫１ｄＱ３、ン１１ｉｉ
１をりる者 ＝］Ｓ　Ｉ’ｌ−どのｌ１１１係　　特８′１出願人１
１　　所　アメリカ合衆国、ペンシルハ―）／州　１５
２３！ｉ。 ピッツバーグ、ペン　センター　ｊ−ルバード　１１０
０゜アバ−１〜メント　１１１７ 九ふ　傷＾壱　　クレイ１−ン・エメ・ウェッ１ヘス１
〜−ン４、代理人 東以都力ｉ（酊幻ｆ−落合−１目１４損′１１う＼１・
。 １・−一１．−２１ ５、補１１−命令の１］ｆ；Ｉ　　　＋＋ｉ、ｉ和５８
年９月２７１−１　（光〕ス１−１）６、補ｉ［の２Ｊ
象　　Ｍ１書に添（・１１．　／こ明■１１１：の１図
面の筒中な１１；２明」の１ｔＶＩ７、補１［の内容　
　別紙の通り Ｉｆ’ｌｌ　’ｉＱに誰（・ｌ　シ／、二明細Ｊｌ：の
第５４．Ｊ、ｉ第７行［」汝σ第８　＜−ｉ　ｌ　１１
、’−１”Ｍ１１′ＡＱ　３１１”）°貞」どあるのを
、１０　ｒ　、Ｒ，ｌ、　ｊｌｌ、イ！゛小りｌｉｄ！
　ｉ’ｉｂ　鏡”ｔ”！’！ど補ｄ−，シ、−１、＋１
゜。 以　　」

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 軟磁１’１月Ｆｌどガラスの相対膨張率差が当該ガラス
   の歪み点と積層体の作動温度との間の温度範囲に亘って
   ５００パーセン１−・バー・・ミリオンを越えない、ガ
   ラス層及び軟磁性材お１を選択する段階と、 当該軟磁＋１１４４料の隣接Ｊる層の間に当該ガラスの
   層を配置覆る段階と、 当該ガラスを当該軟磁性材１３１層に熱結合りるど共に
   当該軟磁性材料層を焼鈍して、当該軟磁性材料層間にガ
   ラスの連続中間層を形成′リ−る段階とからなり、もっ
   て、高い透過率と低い保磁力をｎ１る磁性積層体が形成
   され、磁気記録ヘッドが高い耐摩耗性を具備することを
   特徴とする磁気記録ヘッド用積層磁性月利の製造り法。