JPS5946010A - 積層磁性材料 - Google Patents
積層磁性材料Info
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- JPS5946010A JPS5946010A JP5938383A JP5938383A JPS5946010A JP S5946010 A JPS5946010 A JP S5946010A JP 5938383 A JP5938383 A JP 5938383A JP 5938383 A JP5938383 A JP 5938383A JP S5946010 A JPS5946010 A JP S5946010A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は積層磁性材料に係り、特に例えば変圧器のコア
、磁気録音ヘッド及び電場及び磁場の遮蔽などの交流用
に用いるに特に適した品質の構造物を勺える祠ｆＨｌを
製造する方法に係る。 透磁率の高い軟磁性物質は、変圧器のコア及びｆ．１１
気ヘッド等にしばしば用いられる。ここに軟磁ｆ１物質
どは磁イヒ率が低く残留磁気の保゛持力も低い物質を意
味Ｊる。このような場合、うず電流損を減少させるため
に、透磁率の高い軟磁性物質を雷気絶縁性有機化合物類
とともに保持づる。本発明の目的は、この型の構造の改
良品を提供し、改良積層構造物を製造する方法を捏供Ｊ
るこどである。 透磁率の高い積層物を製造づるために現在行なわれてい
る方法においては、軟磁１１物質から成る個々の層をま
ず約ｉｏｏｏ℃で熱処理して、所望する高い透磁性を与
える。熱処埋された軟磁１’ｌの物質を手作業によって
有機絶縁化合物で接看η−る。然し乍ら、熱処理によっ
て磁＋１層が物即的に軟くなり、接着Ｔ程中に磁性層が
弯曲し易＜１．１つ、弯曲によって個々の軟磁性層及び
１！７られる｛１４）告｛４−の磁↑１の不均一化及び
劣化が惹ぎ起こされる。 更に、積層製品に中位の周波数及び高周波数作動時にお
４Ｊる良好な特性を与えるためには、磁Ｐ」材お１から
成る層は極めて薄いこどが望ましい。即ち好ましい磁性
祠料層の厚さ（ｊ２約０．０２！ｉ４ｍｍ（０．００１
インチ）のオーダーである。従って、軟磁ｉｌｌ層は薄
くロールに巻き付りられた貯蔵物から引き出されるのが
普通であり、巻ぎ倒け工程に起因する固有の反り即ち固
有の曲率を持っている。従つて、磁性層を積層りるとき
に、これを平らにするのであるが、そうすることによっ
て更に応力が；｝０わりその結東横）告体の磁性の均−
性及び特す１が更に１ｔＡ１，’；ねれる。更に、接着
工程によってち応力が史１こｉｌＩＩわり、偵層された
コアは有機接着剤中の泡又は接着不良に起因して屡々多
孔貿（スポンジ状．（こなる。従っー（、均−な透磁性
及び′保ｉｉｌ＆ｔ’Ｊを有し、上記の応力及び欠点を
持たず非常に優れた均−な｛｛目’ＬＩｊｉ｛ノｌを右
するγ１品を製造し得る積層磁１ノロ：Ａ）’１を捉洪
りるこどが本発明の目的である。 Ｌ記の千作業による接着二Ｆ稈の間に、柔い磁１！１層
がひどく曲げられてしまうため、得られる積層品がイの
用途に全く適さなくなることも多い。製ｊ告中にこの種
の曲りが検知ざれた場合には、その薄膜層を破！７！覆
る。これは幾分かコストを高める（Ｊれども、曲りだ層
が製造後に検知ざれ積庖横造１本を含む｛▽１十り集合
１本全部を破棄Ｊることが必要どなる場合に比較すれば
、それほど重大な影響はない。川に、破東しｈくどし」
、い積層品の曲り（ま比較的少ないことが要求ざれ−Ｃ
おり、従って工業生産上スクラップ・ロス率が非常に高
い。従一）（、手作業による接看工程を痛くことができ
、月つスクラップ・［１ス率の低い均−＜ｒ積層Ｕｉｋ
ｆノｌ祠オ′：１を装造する方法を提供ずることか本発
明のムう−つの目的で゛ある。 上記の処即の困難性のために、０，０２５４Ｉｎｍ（０
．００１インチ）以下の薄い層は実際−１−使用できイ
τかった１，然し乍ら、そのために）ｉ”ｉｉ青１ホが
１１１１犀に作φ１１し得る周波数領域が限定されるこ
とどなる。従一）で，道かに訃く柔い磁ｆｌｌ層を右′
！１る積居｛φ目ノＩ祠Ｊ”１を提供し、そのＪ；うな
４Ｍ造体を製造り−る方法であって薄い肋を処ｌ！１）
寸る上で゛の問題点を解決した１ノ法を提供することが
本発明の今一つの目的である。 本発明の付随的な目的は、勿論、優れた高周波１１動特
性を有する記録ヘッド等に用いる積層構造体を提供する
ことである。 他の目的は、電場及び磁場遮蔽用どして使用できる積層
Ｉｎｋ性月料を提供することである。 二個又はそれ以上の記録ヘッドが整合していることが要
求される場合ら多い。この種の用途に川いる場合に（、
１、てれらの作動ｆｉ性間に相違があるために−対のヘ
ッドが良好な作動特性を有するだ（−』では不充分−（
・ある、．木発明の原理に従って製造され／ｊＲｌｊｊ
告体は均−であるから、両方が整合し高１′Ｖ動ｌ＼の
応用に驚異的に適ずる素子を提供寸ること（．１、比較
的簡単である。 本発明の他の利点は、絶縁層が磁性層より道かに｛α１
弱か大きく従って摩耗特性が著しく改善ざれろことて′
ある。これは、特に磁竹ヘッドに応用づる揚合に利益が
ある。実際、構造体の高周波応答’Ｂｉｔ’Ｌを改ｐ１
り゛る必要のない！易合には、厚耗特性を改善すること
がより重要となる。特にその種の横）古休の製造が低１
正で、より均一で、スクラップ・ロスの比率が低いしの
であれば、この１７Ｆ質は比常に小要である。従って、
通常得られる装瞭の高周波応答特性を保持し１つより良
好な厚耗特性を右りる磁牲積層品を提供することが本発
明のもう−っの目的である・ １述の目的に適合しト述の利点を有づる稍層品を、厚さ
減少工稈（Ｃｏｒｅ（ＩｕＣｔｉＯｎＳｔｏｐ）、蒸着
工程又は電着工稈を要づることなく、提供−りることが
本発明の更にもう−つの１月的である。 本発明の原理によれば、軟｛姓士Ｉ１金屈ハηを軟｛チ
目ノ１金屈よりも実質的に電気低抗の高い絶紅物質によ
って分離し、積層品を形成した喪にＩＩＸ′１層品を軟
１４シ１♂１金属の焼鈍温度にまで加熱して軟磁竹金属
に最終製品どして最適の透磁↑ノ１をｆ・ｊ勺りる．，
本発明の一実施例ｌこおいて｛Ｊ５、人々−層又は複数
層の絶縁複合物７１によって分頗１されている軟１６性
物質から成る層から押出しビレツ１−を製造づる。 隣接ずる層と反応して−層又はでれ以」の電気絶縁性の
ある金属間化合物を形成し｛ｑる物質を用いる。ヒレッ
１・材わ１の厚さを減少させて所望厚さどし、熱処理に
よって絶縁性の金属間化合物を形成Ｖしめ、軟仔｝ｔ！
ｌ物買１こ所望Ｊ６磁気特十！１を１」ｈタる。 本発明の特徴どりる他の原理によれば、ＴＩ’ＪＥ４１
４造体を熱処理■稈に先９つて例えばブフンク操作によ
って予め製造すべき物体の形状に形成してａ５く。この
ようにすれば、積層品を最終製品の形にリるどさにしｌ
、＝らされる内部Ｉ１ｔ、力が熱処理二Ｆ稈によって除
去される。 本発明の１７Ｉ微どする原理によれば、軟磁性層間の物
′ほの少早が軟磁性物質中に拡散し得るように、熱処理
時間及び温度を選定する。斯くの如くにイ丁すこどによ
って、得られる構造体の周波数特性が改善されろことが
幾つかの応用例において見い出された。 電場を遮蔽又は集中覆る部分を形成づ−ることを望む揚
合に（１，、銅等の雷導製の高い遮蔽材石を−層父（Ｉ
ぞれ以１−隣接する磁ＩＩｌ層間に配設する。これは特
に１ケ１えげマルデイ・］・ラック・テープ・ヘッドの
場合にイＪ川であり、隣接するヘッド部が万いに電界遮
蔽部によって分離される。これにより、＋ａ１４１ｆｒ
が＋＋ｉ腸を遮蔽し、導電層が？ｂＷを遮蔽で−るから
、磁界及び電界の双方を遮蔽し、隣接するヘッド部間に
（１゛ヌリる「漏話」を防止した複合構造体を容易に製
）告りることができる。これとは異なり、積層）１↓Ｉ
ｉ父部分を涸ノ７に作り、記録ヘッド或いは変圧器タイ
プの実施態様とは全く異なる態様で、遮蔽のＩＩ的に応
川りることしある，， 上述の本発明の特徴に関する要約から、従前において必
升どされ、コス１・を高め、均｛’ｌを損ね、得られる
製品の総合作動特性を決定的に１１（１・ざける手作業
を要さずに、高晶イ＼“ｌの積層品を形成りる簡単な方
法が本発明により｛：？供ざれることは明らかであろう
。更に、変１］器タイプの応用におい（は、特に磁性材
利と絶縁祠）’ｉｔどの１゛７さの比率を変え、ビレッ
トに加える厚さ減少８７）を変化さＩ！る等の手段によ
り，最終製品の周波故応答特竹を容易に制御づるこどが
できる。 上述の厚さ減少］−程を避けることが望Ｊ、しい場合も
ある。従って、本発明にＪ、れ（、１、加熱されたとぎ
に約１０Ａ−ム・Ｃｌｌｌ以−１−の高抵抗層を形成す
る−（３）又はそれ以−１−の層によって軟罎ｔ！ｌ金
属１ｆ／ｉを分離する。例えば砒素又（：１、アン・１
トン等の第■族元素をアルミニウム等の第Ｉｌｌｌｒχ
金屈の９１゛１トに防いて軟磁性金属の肋間に配設りる
。得られる積層品に熱と圧力を印加し、祠｛′｛１を完
全に反応１！シめ−て軟磁性金属の層間に硬質の半心体
層等の高低抗層を形成さぼる３，従前使用されていた４
１機物接着剤を使用していないから、軟磁性金属を焼鈍
して透罎率を回復ｕしぬることｈ’ｉできる。この場合
史に１９さ庖減少さけて透磁率を更に高めることはでき
石゛い，．ｉ．′Ｌ−）−（、この実施例に（１３いて
は、厚さを減少さけたものを用いで得られる非富に薄い
軟磁性金属層によってしたらされる高周波応答特性は改
善ざれていないが、均一な高い透磁性と良好’．ｒＩｇ
耗特性を右づ−る｛１４ｊ青体が得られる。 −１述の実施例の変更物は、セレン等の半導体又はｆｌ
ク化シリ−１ン等の絶縁体を、積層品に積み士けるに先
マ１つで、軟磁｛？ｌ金属の層に沈積させることによっ
て得られる。次いで構造体を加圧下で加だ１して積層品
を結合づ−れば、透磁率の高い良好な摩耗’ｌ、冒’ｌ
’ｅイＪ−ｄる積層品が冑られる。 この実施例（ごａ５いては、軟磁性金属又は分頗｛金屈
箔１に、これらの金屈と結合して約１０−Ａ−Ｌ，・Ｃ
ｎｌ以上の抵抗を石する連続層を形成する元素をメッ−
１りるか又は沈積さゼる工稈を右刀る。本允明の’ｌＦ
ｒ徴によれば、これらの工程をはふくことができ、その
場合においては軟！｛ｉ１Ｉｌ金属の層４分ＩＱＩ１し
ている絶縁化合物材わ１の層をガラスの層にｈ′き換え
る。ガラス層の熱膨服係数が軟｛硅１（１祠ｌ′＋１の
熱膨服係数と同等で、ガラスの焼鈍湿度から冷７Ｊ＋を
行なう際に熱応力にＪ、一）（透磁率が低十Ｊろのを防
止するだけでよい。この方法を用いる場合には、厚さ減
少を用いなくてＪ−むほかりでなく、−１ス１〜の嵩む
蒸着工程や電着工秤は不要である。ぞして所望づる主た
る特徴が耐摩耗１：１の向−１である場合には、得られ
る積層品を軟磁性金屈の焼鈍温亀にまで加熱覆る必要も
ない。何故なら、積層品をノノラスの軟化貞以上に加熱
するた（ノで、ガラスと軟磁性金属どの間に適当／丁結
合力が得られるからである。 積層品の内部にガス状の几索を含右（＼けるこどもでき
る。例えば、絶縁層の硬１良を更に改良ηるこどを望む
どきには、−１）ホの各／１法のいずれか４行なった１
リに、積層品をガスに冨む雰囲気下で加熱覆ることによ
り高抵抗層中に万スを１１／、敗させる。 ガス拡散工程前に、得られるイ１６告休を？ｔｌｌ１９
．１，てもＪ、い。 本発明の目的、特徴及び利点は、添附の図面に承り−θ
ｆ）凶な実施例に関するより詳細な説明から明１うかに
／，ｚ７，’）。図中において、同一の構成要素は同−
の参照句弓で゛示す。図面は設計図として比例しで１１
′１゜Ｉかｈ／．：ｂのではなく、本発明の原理を明ｊ
ｉｆ〔な形で示づために提示ざれたものである。 本発明の第−の特徴点は第２図に示ざれる。図中におい
て、軟ト｝ｋ性物質の層１０は適当な絶縁化合物形成材
別の層１２によって分朋ざれ、絶縁化一合物形成材オ′
３１は加熱ざれると軟磁性材料と反応して、化学吊論的
な割合で共有結合した元素から成る電気絶縁性のある化
合物、言い換えれば電気絶縁性の金属間化合物と呼ばれ
る化合物を形成する。所望づ−る数の層１０及び１２を
ザンドイツチ構）告休１４に１′［りｌ−Ｖ）”．第１
図に示（１耐エッグＰｌのケーシング１Ｇ内に入れる。 グーシング１６及びでれに囲まれたリンドイップＪ：ｅ
ｉ告体１４を押出罐１８内に入れ、磁性拐石と同じ機械
的′ｉｊｉ１４１をイ１する充填物質２０を罐１８の側
部とケーシング１６との間に入れる。端部キＶツブ（図
示けず）を罐に熔接して罐の端部を閉鎖り−る。Ｉ二ｖ
ツブの一方に排気管が配設されてＡ３り、喘部：１ｌ・
ツプを所定の位置に熔接した後に罐を真空にする（二と
ができる。罐を真空にし／＝後に刊気管を締６！）ｌ・
１けて熔接し閉鎖しＣ罐１８内部の減ハ−を保持づる。 １１Ｊｉ＜シて得られる第１図に示り｛１♂！）責体２
２をｊ凶当な方法で加熱し、層流タイを介して押出すこ
とにより、層１０及び１２の厚さが減少し拡１１（に，
．Ｊ二Ｖｌ結合する。 押出し俊、罐１８及び充填物部分２０を、例えば−１ッ
チングにより取り除く。十ツチング時にはｒ１寸丁ッヂ
ング性のケーシング１Ｇが）早さを減少（長しめられた
サンドイッヂ構造体１４を保護づる、，第４図は、実際
に押出されたビレツ１〜の積層部分のη真であるが、そ
の詳細については１資）！ｈづる。 簡単に説明すると、軟ｑｔ性＋ＡＪ’ｉｌ２４の層を石
し、この層は後ｊ！１｛ずる熱処理工稈にＪｊい（磁性
４４１１Ｎ＋２’ｌど金属間化合物を形成する物゛ｄか
ら成る介在１１４２６とともに厚さを減少ゼしぬられる
。ここで・、府２４及び２Ｇは黒線２８で示ざれるよう
に、拡散結合していることに？主口ざれたい。 第４図に小刀積層品を次いで最終製品の形状に形づくる
ことが好ましい。例えば、断面方形の円ｆｆｌｌ曲線面
を押出された平らな原月から機械加工するか又｛ま削り
出づ。形状を与えられた片から突起部を■１！りノ、り
、槓層品の縁部を汚染している可能性のある金属を除ム
するためにエッチングを行なう。押出された原材又は形
成ざれた構成片を、公知の力法とはどんと同じ方法で熱
処理して、所望の旨い透磁率ど低侃磁特ヤ１を付５ざせ
る。磁ヤＩ４４料のＱＨ１’ｌを向上させるために行な
う磁性材料の熱処理については、既に文献に記載ざれて
いる。従って、この熱処理については、ここで゛は詳し
＜ｔ．Ｉ．ｊホヘ４ｆい。然し′［″ら、この熱処理Ｔ
程中に、本発明においては第４図の線２８で示づ拡散物
が第５図にゾラクッ１へ３０によって示される金属間化
台物を形成り−るこどに汀怠すべきである。第４図の磁
性）．ＡＩ！ｌ２４は焼鈍されて第５図中の人き４丁粒
子群３２を形成し、ガ′１４図中の層２Ｇは第５図中で
はブラケツ１〜３０を付した層の中心層３４に位置りる
。第！′）図中の他の層、例えば層３６．３８及び４０
は、軟磁性｛Ａ石と絶縁性化合物形成拐η’ｊｌとから
成る第，第−及び第三金属間化合物である。 ここ（こおりる木発明の重要イｔ１？１徴は、各）し素
か真の化学的な化合物と同様に−定の原了比ヰで結合し
て、１社竹材料間で絶縁↑ｚ１の金属間化合物を形成す
るｔプれども、共有結合に関する単純な規則には従わな
いことである。第２図の層１２は、例えば二Δブ、タン
タル、ジルコニウム、チタン、ハフニウム又はバナジウ
ム等の溶融しにくい金１１式から成るものであることが
望ましい。然し乍ら、薄膜の選定に当たって｛Ｊ使用す
る磁性Ｈ利のタイプを考虜する必要があり、ザンドイツ
チ｛Ｒ迄体１４がグ１３図に承り実施例に関し′Ｃ後ｊ
ｒ！ｉりるイ−１加層を含むべきか台かについてもＩＩ
３１川づる磁性１Ａ１１のクイブを考庫に入れることが
必廿がある。即ら、リンドイッチ構造体内部の池の物質
によって、層１（）及び１２を選定して熱処理二１稈中
に少なくとも−層の絶縁性金属間化合物を形成させる。 −［■述した溶融しにくい金属類は、融点が高く成形ｆ
１が良ｔｊｒであるために好ましいのではなく、それら
自Ｉホの間で又は隣接する層の軟磁竹材料との間で多く
の絶縁竹金属間化合物を形成するからＱ？ましいのでｉ
ｔリる。１ζ１えばマグネシウム、アルミニウム、曲鉛
及びカドミウム等の金属も絶縁性化合物を形成りるから
適していろりれどし、これらの金属から形成される絶縁
性金症間化合物の数は少ない。或る｛ＩＥの稀士類元素
も適当なものである。 この点に関）やする二成分系の金属間化合物の状態図ｆ
、’ｉｔ−１−：１−クのマックグ［］ウ・ヒル出版ネ
１（ｌｙｊｃＱｒａｗ−ｌ−｛ｉｌ１［３ｏｏｋＣｏ．
）から１９５８１↑に１１ｊ打されたマックス・ハン亡
ン（Ｍａｘ１１ａｎｓｅｎ）著の［二元合金の組成Ｊ（
ＣｏｎｓｊｉｔｕｔｉｏｎｏｆＤｉｎａｒｙＡｌｌｏｙ
ｓ＞第２版及び゛同じく二コー］一クのマツクグロウ・
ヒル出版社から１９ｉｉ！＋Ｑｌご川イ−Ｊされた「１
ドニイ・ピー・エリＡツ１〜（Ｒｏ（ｌｎｃｙＰ．［−
１ｌｉｏｔ）Ｋ（１）ｒＺ元合金（７）８１１成１第１
’４ｊ（１袖版に記載され（いる３，勿論、金属間化合
物が三元及び四元合金を形成することもある、、然し乍
ら、この秤の合金の形成（：１１りｆ１１（あ（′）、
二元系の状態図がより複着ｔ’．ｓ：合金において明侍
されるものに対する強ノノな指標を！ｊえるどいうこど
以外は述べないでｄ−３＜。金属間化合物及びぞれらの
特性についての論議についでは、二−ｒ−−１−’／の
ウイレイ・アンド・ザンズネｌ’＜Ｗｉｌｃｙ＆Ｓｏｎ
ｓ）からのジ１イ・］一ツチ・ウ［ストプルツク（、Ｊ
．ｌ−１．Ｗｅｓｔｂｒｏｏｋ）著の［金属間化合物Ｊ
（Ｉｎｔｅ「ｍｅｔａｌｌｉｃＣｏＩｎｐｏｕｎｄｓ）
を参照されたい。 第３図に示す実施例は、溶接しにくい金屈１２の層ど磁
性月＄＋ｌ１０の層どの間にイ｛１加層４４を配設した
以外の点においては前述の例と同じである。層１２の物
質と金属間化合物を形成し、物質１００通常の磁気特性
を損なわない物質をＦｉ４／ｌの物質として選定する。 特定の金属類に′つい゜Ｃは後述づる
、磁気録音ヘッド及び電場及び磁場の遮蔽などの交流用
に用いるに特に適した品質の構造物を勺える祠ｆＨｌを
製造する方法に係る。 透磁率の高い軟磁性物質は、変圧器のコア及びｆ．１１
気ヘッド等にしばしば用いられる。ここに軟磁ｆ１物質
どは磁イヒ率が低く残留磁気の保゛持力も低い物質を意
味Ｊる。このような場合、うず電流損を減少させるため
に、透磁率の高い軟磁性物質を雷気絶縁性有機化合物類
とともに保持づる。本発明の目的は、この型の構造の改
良品を提供し、改良積層構造物を製造する方法を捏供Ｊ
るこどである。 透磁率の高い積層物を製造づるために現在行なわれてい
る方法においては、軟磁１１物質から成る個々の層をま
ず約ｉｏｏｏ℃で熱処理して、所望する高い透磁性を与
える。熱処埋された軟磁１’ｌの物質を手作業によって
有機絶縁化合物で接看η−る。然し乍ら、熱処理によっ
て磁＋１層が物即的に軟くなり、接着Ｔ程中に磁性層が
弯曲し易＜１．１つ、弯曲によって個々の軟磁性層及び
１！７られる｛１４）告｛４−の磁↑１の不均一化及び
劣化が惹ぎ起こされる。 更に、積層製品に中位の周波数及び高周波数作動時にお
４Ｊる良好な特性を与えるためには、磁Ｐ」材お１から
成る層は極めて薄いこどが望ましい。即ち好ましい磁性
祠料層の厚さ（ｊ２約０．０２！ｉ４ｍｍ（０．００１
インチ）のオーダーである。従って、軟磁ｉｌｌ層は薄
くロールに巻き付りられた貯蔵物から引き出されるのが
普通であり、巻ぎ倒け工程に起因する固有の反り即ち固
有の曲率を持っている。従つて、磁性層を積層りるとき
に、これを平らにするのであるが、そうすることによっ
て更に応力が；｝０わりその結東横）告体の磁性の均−
性及び特す１が更に１ｔＡ１，’；ねれる。更に、接着
工程によってち応力が史１こｉｌＩＩわり、偵層された
コアは有機接着剤中の泡又は接着不良に起因して屡々多
孔貿（スポンジ状．（こなる。従っー（、均−な透磁性
及び′保ｉｉｌ＆ｔ’Ｊを有し、上記の応力及び欠点を
持たず非常に優れた均−な｛｛目’ＬＩｊｉ｛ノｌを右
するγ１品を製造し得る積層磁１ノロ：Ａ）’１を捉洪
りるこどが本発明の目的である。 Ｌ記の千作業による接着二Ｆ稈の間に、柔い磁１！１層
がひどく曲げられてしまうため、得られる積層品がイの
用途に全く適さなくなることも多い。製ｊ告中にこの種
の曲りが検知ざれた場合には、その薄膜層を破！７！覆
る。これは幾分かコストを高める（Ｊれども、曲りだ層
が製造後に検知ざれ積庖横造１本を含む｛▽１十り集合
１本全部を破棄Ｊることが必要どなる場合に比較すれば
、それほど重大な影響はない。川に、破東しｈくどし」
、い積層品の曲り（ま比較的少ないことが要求ざれ−Ｃ
おり、従って工業生産上スクラップ・ロス率が非常に高
い。従一）（、手作業による接看工程を痛くことができ
、月つスクラップ・［１ス率の低い均−＜ｒ積層Ｕｉｋ
ｆノｌ祠オ′：１を装造する方法を提供ずることか本発
明のムう−つの目的で゛ある。 上記の処即の困難性のために、０，０２５４Ｉｎｍ（０
．００１インチ）以下の薄い層は実際−１−使用できイ
τかった１，然し乍ら、そのために）ｉ”ｉｉ青１ホが
１１１１犀に作φ１１し得る周波数領域が限定されるこ
とどなる。従一）で，道かに訃く柔い磁ｆｌｌ層を右′
！１る積居｛φ目ノＩ祠Ｊ”１を提供し、そのＪ；うな
４Ｍ造体を製造り−る方法であって薄い肋を処ｌ！１）
寸る上で゛の問題点を解決した１ノ法を提供することが
本発明の今一つの目的である。 本発明の付随的な目的は、勿論、優れた高周波１１動特
性を有する記録ヘッド等に用いる積層構造体を提供する
ことである。 他の目的は、電場及び磁場遮蔽用どして使用できる積層
Ｉｎｋ性月料を提供することである。 二個又はそれ以上の記録ヘッドが整合していることが要
求される場合ら多い。この種の用途に川いる場合に（、
１、てれらの作動ｆｉ性間に相違があるために−対のヘ
ッドが良好な作動特性を有するだ（−』では不充分−（
・ある、．木発明の原理に従って製造され／ｊＲｌｊｊ
告体は均−であるから、両方が整合し高１′Ｖ動ｌ＼の
応用に驚異的に適ずる素子を提供寸ること（．１、比較
的簡単である。 本発明の他の利点は、絶縁層が磁性層より道かに｛α１
弱か大きく従って摩耗特性が著しく改善ざれろことて′
ある。これは、特に磁竹ヘッドに応用づる揚合に利益が
ある。実際、構造体の高周波応答’Ｂｉｔ’Ｌを改ｐ１
り゛る必要のない！易合には、厚耗特性を改善すること
がより重要となる。特にその種の横）古休の製造が低１
正で、より均一で、スクラップ・ロスの比率が低いしの
であれば、この１７Ｆ質は比常に小要である。従って、
通常得られる装瞭の高周波応答特性を保持し１つより良
好な厚耗特性を右りる磁牲積層品を提供することが本発
明のもう−っの目的である・ １述の目的に適合しト述の利点を有づる稍層品を、厚さ
減少工稈（Ｃｏｒｅ（ＩｕＣｔｉＯｎＳｔｏｐ）、蒸着
工程又は電着工稈を要づることなく、提供−りることが
本発明の更にもう−つの１月的である。 本発明の原理によれば、軟｛姓士Ｉ１金屈ハηを軟｛チ
目ノ１金屈よりも実質的に電気低抗の高い絶紅物質によ
って分離し、積層品を形成した喪にＩＩＸ′１層品を軟
１４シ１♂１金属の焼鈍温度にまで加熱して軟磁竹金属
に最終製品どして最適の透磁↑ノ１をｆ・ｊ勺りる．，
本発明の一実施例ｌこおいて｛Ｊ５、人々−層又は複数
層の絶縁複合物７１によって分頗１されている軟１６性
物質から成る層から押出しビレツ１−を製造づる。 隣接ずる層と反応して−層又はでれ以」の電気絶縁性の
ある金属間化合物を形成し｛ｑる物質を用いる。ヒレッ
１・材わ１の厚さを減少させて所望厚さどし、熱処理に
よって絶縁性の金属間化合物を形成Ｖしめ、軟仔｝ｔ！
ｌ物買１こ所望Ｊ６磁気特十！１を１」ｈタる。 本発明の特徴どりる他の原理によれば、ＴＩ’ＪＥ４１
４造体を熱処理■稈に先９つて例えばブフンク操作によ
って予め製造すべき物体の形状に形成してａ５く。この
ようにすれば、積層品を最終製品の形にリるどさにしｌ
、＝らされる内部Ｉ１ｔ、力が熱処理二Ｆ稈によって除
去される。 本発明の１７Ｉ微どする原理によれば、軟磁性層間の物
′ほの少早が軟磁性物質中に拡散し得るように、熱処理
時間及び温度を選定する。斯くの如くにイ丁すこどによ
って、得られる構造体の周波数特性が改善されろことが
幾つかの応用例において見い出された。 電場を遮蔽又は集中覆る部分を形成づ−ることを望む揚
合に（１，、銅等の雷導製の高い遮蔽材石を−層父（Ｉ
ぞれ以１−隣接する磁ＩＩｌ層間に配設する。これは特
に１ケ１えげマルデイ・］・ラック・テープ・ヘッドの
場合にイＪ川であり、隣接するヘッド部が万いに電界遮
蔽部によって分離される。これにより、＋ａ１４１ｆｒ
が＋＋ｉ腸を遮蔽し、導電層が？ｂＷを遮蔽で−るから
、磁界及び電界の双方を遮蔽し、隣接するヘッド部間に
（１゛ヌリる「漏話」を防止した複合構造体を容易に製
）告りることができる。これとは異なり、積層）１↓Ｉ
ｉ父部分を涸ノ７に作り、記録ヘッド或いは変圧器タイ
プの実施態様とは全く異なる態様で、遮蔽のＩＩ的に応
川りることしある，， 上述の本発明の特徴に関する要約から、従前において必
升どされ、コス１・を高め、均｛’ｌを損ね、得られる
製品の総合作動特性を決定的に１１（１・ざける手作業
を要さずに、高晶イ＼“ｌの積層品を形成りる簡単な方
法が本発明により｛：？供ざれることは明らかであろう
。更に、変１］器タイプの応用におい（は、特に磁性材
利と絶縁祠）’ｉｔどの１゛７さの比率を変え、ビレッ
トに加える厚さ減少８７）を変化さＩ！る等の手段によ
り，最終製品の周波故応答特竹を容易に制御づるこどが
できる。 上述の厚さ減少］−程を避けることが望Ｊ、しい場合も
ある。従って、本発明にＪ、れ（、１、加熱されたとぎ
に約１０Ａ−ム・Ｃｌｌｌ以−１−の高抵抗層を形成す
る−（３）又はそれ以−１−の層によって軟罎ｔ！ｌ金
属１ｆ／ｉを分離する。例えば砒素又（：１、アン・１
トン等の第■族元素をアルミニウム等の第Ｉｌｌｌｒχ
金屈の９１゛１トに防いて軟磁性金属の肋間に配設りる
。得られる積層品に熱と圧力を印加し、祠｛′｛１を完
全に反応１！シめ−て軟磁性金属の層間に硬質の半心体
層等の高低抗層を形成さぼる３，従前使用されていた４
１機物接着剤を使用していないから、軟磁性金属を焼鈍
して透罎率を回復ｕしぬることｈ’ｉできる。この場合
史に１９さ庖減少さけて透磁率を更に高めることはでき
石゛い，．ｉ．′Ｌ−）−（、この実施例に（１３いて
は、厚さを減少さけたものを用いで得られる非富に薄い
軟磁性金属層によってしたらされる高周波応答特性は改
善ざれていないが、均一な高い透磁性と良好’．ｒＩｇ
耗特性を右づ−る｛１４ｊ青体が得られる。 −１述の実施例の変更物は、セレン等の半導体又はｆｌ
ク化シリ−１ン等の絶縁体を、積層品に積み士けるに先
マ１つで、軟磁｛？ｌ金属の層に沈積させることによっ
て得られる。次いで構造体を加圧下で加だ１して積層品
を結合づ−れば、透磁率の高い良好な摩耗’ｌ、冒’ｌ
’ｅイＪ−ｄる積層品が冑られる。 この実施例（ごａ５いては、軟磁性金属又は分頗｛金屈
箔１に、これらの金屈と結合して約１０−Ａ−Ｌ，・Ｃ
ｎｌ以上の抵抗を石する連続層を形成する元素をメッ−
１りるか又は沈積さゼる工稈を右刀る。本允明の’ｌＦ
ｒ徴によれば、これらの工程をはふくことができ、その
場合においては軟！｛ｉ１Ｉｌ金属の層４分ＩＱＩ１し
ている絶縁化合物材わ１の層をガラスの層にｈ′き換え
る。ガラス層の熱膨服係数が軟｛硅１（１祠ｌ′＋１の
熱膨服係数と同等で、ガラスの焼鈍湿度から冷７Ｊ＋を
行なう際に熱応力にＪ、一）（透磁率が低十Ｊろのを防
止するだけでよい。この方法を用いる場合には、厚さ減
少を用いなくてＪ−むほかりでなく、−１ス１〜の嵩む
蒸着工程や電着工秤は不要である。ぞして所望づる主た
る特徴が耐摩耗１：１の向−１である場合には、得られ
る積層品を軟磁性金屈の焼鈍温亀にまで加熱覆る必要も
ない。何故なら、積層品をノノラスの軟化貞以上に加熱
するた（ノで、ガラスと軟磁性金属どの間に適当／丁結
合力が得られるからである。 積層品の内部にガス状の几索を含右（＼けるこどもでき
る。例えば、絶縁層の硬１良を更に改良ηるこどを望む
どきには、−１）ホの各／１法のいずれか４行なった１
リに、積層品をガスに冨む雰囲気下で加熱覆ることによ
り高抵抗層中に万スを１１／、敗させる。 ガス拡散工程前に、得られるイ１６告休を？ｔｌｌ１９
．１，てもＪ、い。 本発明の目的、特徴及び利点は、添附の図面に承り−θ
ｆ）凶な実施例に関するより詳細な説明から明１うかに
／，ｚ７，’）。図中において、同一の構成要素は同−
の参照句弓で゛示す。図面は設計図として比例しで１１
′１゜Ｉかｈ／．：ｂのではなく、本発明の原理を明ｊ
ｉｆ〔な形で示づために提示ざれたものである。 本発明の第−の特徴点は第２図に示ざれる。図中におい
て、軟ト｝ｋ性物質の層１０は適当な絶縁化合物形成材
別の層１２によって分朋ざれ、絶縁化一合物形成材オ′
３１は加熱ざれると軟磁性材料と反応して、化学吊論的
な割合で共有結合した元素から成る電気絶縁性のある化
合物、言い換えれば電気絶縁性の金属間化合物と呼ばれ
る化合物を形成する。所望づ−る数の層１０及び１２を
ザンドイツチ構）告休１４に１′［りｌ−Ｖ）”．第１
図に示（１耐エッグＰｌのケーシング１Ｇ内に入れる。 グーシング１６及びでれに囲まれたリンドイップＪ：ｅ
ｉ告体１４を押出罐１８内に入れ、磁性拐石と同じ機械
的′ｉｊｉ１４１をイ１する充填物質２０を罐１８の側
部とケーシング１６との間に入れる。端部キＶツブ（図
示けず）を罐に熔接して罐の端部を閉鎖り−る。Ｉ二ｖ
ツブの一方に排気管が配設されてＡ３り、喘部：１ｌ・
ツプを所定の位置に熔接した後に罐を真空にする（二と
ができる。罐を真空にし／＝後に刊気管を締６！）ｌ・
１けて熔接し閉鎖しＣ罐１８内部の減ハ−を保持づる。 １１Ｊｉ＜シて得られる第１図に示り｛１♂！）責体２
２をｊ凶当な方法で加熱し、層流タイを介して押出すこ
とにより、層１０及び１２の厚さが減少し拡１１（に，
．Ｊ二Ｖｌ結合する。 押出し俊、罐１８及び充填物部分２０を、例えば−１ッ
チングにより取り除く。十ツチング時にはｒ１寸丁ッヂ
ング性のケーシング１Ｇが）早さを減少（長しめられた
サンドイッヂ構造体１４を保護づる、，第４図は、実際
に押出されたビレツ１〜の積層部分のη真であるが、そ
の詳細については１資）！ｈづる。 簡単に説明すると、軟ｑｔ性＋ＡＪ’ｉｌ２４の層を石
し、この層は後ｊ！１｛ずる熱処理工稈にＪｊい（磁性
４４１１Ｎ＋２’ｌど金属間化合物を形成する物゛ｄか
ら成る介在１１４２６とともに厚さを減少ゼしぬられる
。ここで・、府２４及び２Ｇは黒線２８で示ざれるよう
に、拡散結合していることに？主口ざれたい。 第４図に小刀積層品を次いで最終製品の形状に形づくる
ことが好ましい。例えば、断面方形の円ｆｆｌｌ曲線面
を押出された平らな原月から機械加工するか又｛ま削り
出づ。形状を与えられた片から突起部を■１！りノ、り
、槓層品の縁部を汚染している可能性のある金属を除ム
するためにエッチングを行なう。押出された原材又は形
成ざれた構成片を、公知の力法とはどんと同じ方法で熱
処理して、所望の旨い透磁率ど低侃磁特ヤ１を付５ざせ
る。磁ヤＩ４４料のＱＨ１’ｌを向上させるために行な
う磁性材料の熱処理については、既に文献に記載ざれて
いる。従って、この熱処理については、ここで゛は詳し
＜ｔ．Ｉ．ｊホヘ４ｆい。然し′［″ら、この熱処理Ｔ
程中に、本発明においては第４図の線２８で示づ拡散物
が第５図にゾラクッ１へ３０によって示される金属間化
台物を形成り−るこどに汀怠すべきである。第４図の磁
性）．ＡＩ！ｌ２４は焼鈍されて第５図中の人き４丁粒
子群３２を形成し、ガ′１４図中の層２Ｇは第５図中で
はブラケツ１〜３０を付した層の中心層３４に位置りる
。第！′）図中の他の層、例えば層３６．３８及び４０
は、軟磁性｛Ａ石と絶縁性化合物形成拐η’ｊｌとから
成る第，第−及び第三金属間化合物である。 ここ（こおりる木発明の重要イｔ１？１徴は、各）し素
か真の化学的な化合物と同様に−定の原了比ヰで結合し
て、１社竹材料間で絶縁↑ｚ１の金属間化合物を形成す
るｔプれども、共有結合に関する単純な規則には従わな
いことである。第２図の層１２は、例えば二Δブ、タン
タル、ジルコニウム、チタン、ハフニウム又はバナジウ
ム等の溶融しにくい金１１式から成るものであることが
望ましい。然し乍ら、薄膜の選定に当たって｛Ｊ使用す
る磁性Ｈ利のタイプを考虜する必要があり、ザンドイツ
チ｛Ｒ迄体１４がグ１３図に承り実施例に関し′Ｃ後ｊ
ｒ！ｉりるイ−１加層を含むべきか台かについてもＩＩ
３１川づる磁性１Ａ１１のクイブを考庫に入れることが
必廿がある。即ら、リンドイッチ構造体内部の池の物質
によって、層１（）及び１２を選定して熱処理二１稈中
に少なくとも−層の絶縁性金属間化合物を形成させる。 −［■述した溶融しにくい金属類は、融点が高く成形ｆ
１が良ｔｊｒであるために好ましいのではなく、それら
自Ｉホの間で又は隣接する層の軟磁竹材料との間で多く
の絶縁竹金属間化合物を形成するからＱ？ましいのでｉ
ｔリる。１ζ１えばマグネシウム、アルミニウム、曲鉛
及びカドミウム等の金属も絶縁性化合物を形成りるから
適していろりれどし、これらの金属から形成される絶縁
性金症間化合物の数は少ない。或る｛ＩＥの稀士類元素
も適当なものである。 この点に関）やする二成分系の金属間化合物の状態図ｆ
、’ｉｔ−１−：１−クのマックグ［］ウ・ヒル出版ネ
１（ｌｙｊｃＱｒａｗ−ｌ−｛ｉｌ１［３ｏｏｋＣｏ．
）から１９５８１↑に１１ｊ打されたマックス・ハン亡
ン（Ｍａｘ１１ａｎｓｅｎ）著の［二元合金の組成Ｊ（
ＣｏｎｓｊｉｔｕｔｉｏｎｏｆＤｉｎａｒｙＡｌｌｏｙ
ｓ＞第２版及び゛同じく二コー］一クのマツクグロウ・
ヒル出版社から１９ｉｉ！＋Ｑｌご川イ−Ｊされた「１
ドニイ・ピー・エリＡツ１〜（Ｒｏ（ｌｎｃｙＰ．［−
１ｌｉｏｔ）Ｋ（１）ｒＺ元合金（７）８１１成１第１
’４ｊ（１袖版に記載され（いる３，勿論、金属間化合
物が三元及び四元合金を形成することもある、、然し乍
ら、この秤の合金の形成（：１１りｆ１１（あ（′）、
二元系の状態図がより複着ｔ’．ｓ：合金において明侍
されるものに対する強ノノな指標を！ｊえるどいうこど
以外は述べないでｄ−３＜。金属間化合物及びぞれらの
特性についての論議についでは、二−ｒ−−１−’／の
ウイレイ・アンド・ザンズネｌ’＜Ｗｉｌｃｙ＆Ｓｏｎ
ｓ）からのジ１イ・］一ツチ・ウ［ストプルツク（、Ｊ
．ｌ−１．Ｗｅｓｔｂｒｏｏｋ）著の［金属間化合物Ｊ
（Ｉｎｔｅ「ｍｅｔａｌｌｉｃＣｏＩｎｐｏｕｎｄｓ）
を参照されたい。 第３図に示す実施例は、溶接しにくい金屈１２の層ど磁
性月＄＋ｌ１０の層どの間にイ｛１加層４４を配設した
以外の点においては前述の例と同じである。層１２の物
質と金属間化合物を形成し、物質１００通常の磁気特性
を損なわない物質をＦｉ４／ｌの物質として選定する。 特定の金属類に′つい゜Ｃは後述づる
【ノれども、士記
の特性を備えた多数の金属類及び合金類についー（は文
献を利用（゛さるから、本明細出にｉｌ５いては詳細に
は説明１ノない。 本発明の一実施例におい゜（は、軟磁竹祠利１０はハイ
・ミュー８００＜ト１ｙＭ（＋８００）から成る。 これ（ま乃−ペンター・スグーＪレ・］一ボレイション
（ＣａｒｐｅｎｔｅｒＳｔｅｅｌＣｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ）の商品名であり、７９％のニツクルと１６％の鉄と
４％のモリゾフーンから成る。この合金は単相の、即ち
固溶１本合金であっー（、ニッケルの結晶構造を右し、
適当イ１熱処１！ｌ！を加えれば高い透磁率と低い保磁
力を示すしのである。層１０は、厚さ０．０１７８ｒｏ
ｍ（０．００７インチ）、幅約５，ｏｇｃｍ（２インチ
）、良さ約１２．７０ｃｍ（５インチ）である。 本発明の一実施例（こお＋−＋る層１２は、厚さ約０．
０（１１７８ｍｍ（（１，０（Ｈｌ７インチ）の山販ざ
れている等級のジルニ１ンである。層１０及び１２の相
対的な厚ざは｝硅１ノ１材利の！ｌ？１牲を高め、しか
も化合物金属に最終製品にＴ１する所望作動周波数範囲
内にＬ１’３いて良好／．ｃ電気絶縁特廿を′ｊえるＪ
：うに選定づる。１０：１乃至２０：１の厚さ比シ卓′
が好ましい。厚ざ比率は５０１，１、で変えることがで
きるＧＪれども、ｙ７さ減少を強く行なわねばならなく
なり製造コストが高くなる．，＋Ｉｐさ比亭を３＝１に
まで低めても通常得られる製品よりは良好な結果が得ら
れるけれども、このように比較的厚さ比率が低い１易合
に１１．ｉ（通な範囲内の厚さ比率である場合よりも結
果が相当劣る。 更に、厚さ比率を低くした場合には、カン．鈍されＩＣ
製品の第５図中において層３４で示ざれる絶縁化合物形
成物質層が相λｊ的にＩ！；Ｉ＜’．ｒる。大ぎざを名
慮に入れると、絶縁化合物形成物質層の全部父（３１人
部分が反応して絶縁刊の金属間１ヒ合物を形成覆ること
が望ましく、その場合に（ま第５図中の層３４Ｉこ相当
する層は存在しない。 」二記のハイ・ミュー８００／′ジノレ薯ンのリ−ンド
イッヂ｛［η）告体１４を、耐Ｊツヂング１酌１６どじ
で動くｆタニウムの層で蔽った。サンドイツチＩＭ８体
ど酎−「ツチング層とを、低炭素ｆａ製の鮒１８中に人
ね、充填金属どしてハイ・ミ−１．−８００と今ｌｎｊ
学的にＰ１質が類似している低炭素鋼充ｊ眞金屈２０を
川いＩこ。 ハイ・ミコー８００と金属学的性質が５工１叙するイの
他の適当な充填金屈は、銅ニッケル合金である１，勿論
、他の型の磁１／１祠利を使用づ゛る揚合には、他の型
の充填金Ｒ類を使用する。一匠しＣ１軟磁性祠斜であれ
ば何でも使用し百るこどに＞ＴＱすべきＣある，，適当
／．Ｉ一軟１６↑（１拐オ′≧１の他の例は、二］．−
Ｔ３−クのハン・ノストランド（ＶａｎＮｏｓｔｒａｎ
ｄ）礼から１！）．’ｉ１’４に刊匂されたリチャード
・エム・ボゾルス（Ｒ：Ｃｌ１ａｌ’（ｌＭ，Ｄｏｚｏ
ｒｔｈ）著の［強１ａｉ’ＬＪ（ｌ’ｆ！ｒｌ’（ｌｎ
ｌｉｌｎ旧Ｈｔｉｓｍ）．及びアメリカ金属学会（ＡＳ
Ｎ．？ｉ）から１９６１仝｛″に刊行ざれたアメリカ金
属学会金ｆｌＪｔ．ハンドブック委０会（Ｉｖ’ｌｃｔ
ａｌｓＩｔａｎｔｌｂ００ｋＣｏｍｉｔｔｅｅｏｆＡＳ
Ｍ）編の［金属ハン１”７／ツクＪ（ＭｅｔａｌｓＨａ
ｎｄｂｏｏｋ）の第７８５頁乃至第７９７ｙ１から明ら
かになろう。 装置２２を滅Ｖ１にした後、７００゜Ｃに加熱し、１．
２７ｃｎ＋（１／’２イン゛１−）の積層物流動ダイを
介して押出し（各層の厚さを減少ざＶ拡散１８合した。 押出されたビレツ１へに１福化第二鉄エッチング溶液を
吹さｆ・ｌＩ：Ｊ’（、低疾索鋼の罐及び充填部分を除
去Ｊる。ブクニウムは塩化第二鉄に侵ざれず、従ってブ
クニウム及びリンドイツブ｛角）古体がイの倫残るから
、チタニウＬ、を選定したのである。エッチング］▽稈
の結果物は、方形の列状に並／Ｖだものであり、ダｉ／
ｌ図の顕微鏡写真に示す断面を有する。次いで童ナンド
イッヂ｛１４造体を史に圧延しｃ，０，！１０８ｍｍ（
０．０．２０インチ勺厚とする。 押出された平らイ１貯蔵品を問械加Ｔ−Ｌ（、＋１−．
７）形の断面を有する１・ロ１イドどじ、１・１１イ１
・の凹凸を取り、＋Ｉ′ｌｈ１品の娼：部を汚染・シ（
いる金屈を除去するために弗化水累一硝酸溶液で−１−
ツチングした。 次に、幾つかの１〜［１イドを９００゜０に２１１ｊｉ
間加熱し、加熱か中に保持したまま敢冷した。ごの結Ｌ
１．！、磁性層３２が完全に焼鈍された状態ど４１つ、
第！：）図に示されるように人ぎ１．１粒ｒどなり、［
熱的双晶１（粒了の幅が広い）に４ｆる１，倍率１３！
｝Ｏの第［）図の顕微れｌ？７′真ｒ＋ま完全には示さ
れ℃はいないが、ジルー］ン及びハイ・ミ：．＋−８０
０の層の間の内部１１Ｉ＋ｔｉｅにＪ、り、Ｎｉ−Ｚｒ
系の状態図に示されている金属間化合物のはとんど全（
が形ｙ戊された、，γｉし乍ら、第５図の層４０は、恐
らくジルコン及びハイ・ミコー８００の第−の雷気絶縁
ｔ１金属間化合物Ｃあり、従ってハイ・ミｉ−８００と
比較すると遥かに抵抗が高い。 押出ざれた平らな貯蔵品から作った加Ｊ．物のいくつか
には熱処埋を加えなかった。この熱処理を加えイ，一か
った１〜１］イドと焼鈍したト日イドの双方を変１『器
の形状に巻線して、公知の技術により同−の構成どして
比較に供した。所与の周波数の既９，［１の父流’ｊ’
ａ’７Ｑを各変珪器の一次側に流し、変圧器の二次側か
らの出力電圧をインピーダンスの高い電月ｉｉ＋＜１０
メ万Ａ−ム）で測定した。特に高周波領域において、本
発明の焼鈍した１・［１イドを有する変１ｒ器の二次側
の起電力は、同−駆動電流にお（Ｊる力２鈍しイｆかー
）た１・ロイドに表われる起電力よりｔＪ遥かに人きか
ー）た。更に、本発明の焼鈍した１〜［Ｉイドを石り−
る変Ｊ１：器（ユ、熱鷺理ｌラに１ｑられることが明ら
かになー）た絶縁すノ１の金属間化合物の増大した容量
’Ｍ果によって鋭い共鳴周波数を示した史にΦ・Σ２イ
ｆこど【４１、本発明の焼鈍した構）告体より成る弯汀
器は、通常の構造の変圧器よりも、数次１−の−ａ−グ
ーのマグニヂコードでｆｍ好４１結架を１−）たらづこ
どでｄ６る。［２Ｉ１ノ’＞、本発明の構造体の周！Ｉ
Ｒ９ｙタ１０メガヘルツにお（Ｊる応答特性は通常の変
ｒ『−器の−Ｊ）７−が６０−ｉ：ｃ１ヘルツにおいて
示す応答特性よりも良好Ｃ′ある。更に本弁明の構ｊ告
休の応ｈ１寺性は著しく−定しており、方公知の１１−
１造１ホＪζり成る変Ｌ「器の応答特↑（１は人力周波
数が１０−１１１７１ヘルツに達づると係数で５稈度下
がる，， 本発明の曲の二つの実施例に（１ノいて（、１、第３３
図に従ってサンドイッヂ構）告体１４をＩｆ？＋成した
、、での＝一つにおいては、０．０１７８ｍｍ（０．０
０７｛ンブ）ｊ７のハイ・ミ］一８００の層１０が０．
００１７８ｍｎ＋（０．０００７インチ）厚のブタン層
（第３図の１２）とこれに隣接するヂタンどほば同じ１
！ＩＩさの酸化されてい２ｉい導電１ノ１の高い銅（０
［１１ｃ）とから成る複合ト呂によって分１！１１１さ
れている。ハイ・ミｔ−８（１（ｌがら成るＩ！ｋ性材
利中に拡散しｌごどさに、これに害を綬ぽざないことが
わかっており、銅ＩＪブタンど絶縁性の金属間化合物を
形成Ｊるこどもねかつ（いたので、銅を選定したのであ
る。｛１１シの実施例において｛ま、ｆクン層１２をカ
ドミウムにｉｊｌ．ｌさ１伸えた。シ１造ブフ法はその
１１ｊ！の点において【ｊ、、上記と同じであり、試験
の結果も同じく｝＾冒１リベさしのであー）た。 従って、金属間化合物が磁性祠Ｊ’ｌ自身から形成ざれ
わｔ．Ｋ’＜Ｅらイ１いどいう必要牲は認めらＦ′Ｌな
かった。 史に、銅のような介在する金属が磁性金属中に分１１タ
ｚｊれｉ，１、ｉｌられる構ｊ告体の周波故応答特性が
改舊ヒ｛′シるこども刊明した。勿論、ある点以上に強
い分散が一」｝これば、磁性月利自身の！４ｉ気特性を
損″″ｌ（ノれどし、ｔの点に達づるまでにおいて（Ｌ
ぞの種の分１｝（を助１％（するどＪ；いこどが判明し
た。１クｌえば、ハイ・ミー＋−８００／’銅−ヂクン
の例においてＬｔ、６％木ｉ５；ノ銅カハイ・ミ−７．
−８００中ｉＣ分散シてＬ）ｉ６：＋足すぺきＣ１果が
得られることがわかった。 第３図の銅４４の層は、絶縁性化合物形成｝Ａ￥２１層
の即き３Ｊ、り柁しく厚くてはいけない。実際上、変１
１−器へ応答１る揚合、高導電性の介在層は焼鈍１−稈
中に実質的に完全に反応して頭初の介在層の代りに金属
間化合物が形成される程度に薄いものであることか望ま
しい。結果物である変圧器用の実ｆｒｉｐ形か介白金屈
の未反応層を保持し（いＣはならイ，−いことを愈昧Ｊ
るちのではイ了く、このよう＜’ｒ未反１，ｉ−、層の
Ｐ：！さが増加《ＪればうｊＪ’電流にｊ、るｊ（−）
久が１曽加づることを危味する。そして、介在層の１９
ざが軟磁性４３利層の１９さに達刀れば、介（１層をｉ
ｉＬ’ｌ’Ｊた利点がイｊくなってしＪ、う。更に｛［
１の実ＩＩｉＩ例においては、銅をニッグルにｉ宛模し
た以ク！は１記ど′ノ；質的に同じであり、結果もほぼ
同じ（゛ある。 本発明の他の実施例を、第（ｊ図に；曳蔽ＩＭ造１本に
ついて概略的に示刀。遮蔽」ノンドＹツ−ｆｌｉ／＋’
ｒ’ｅｉＩホ１４ｓＬｊ，第３同の実施例の介イ＋’）
ｆ’ｉ４４と比φ☆りるど，１（１い銅層４６を有づる
。この層４６は隣接カる−１タン居４８ど軟磁Ｐ１祠利
１０との間に配設されく冫、１５１４層と軟磁性祠わ１
層との厚さｌｊＯ．０１７８ｍｍ（０．００７インブ）
であり、ブタン層のＩｔ７ｃ３は０，（ｌ旧７８ｎ＋ｍ
（０．０００７インチ）である。その他の点につい−（
は、−１述した実施例と同様にして製造した。然し乍ら
、Ｃの場合にはヂタン層４８は軟｛６↑ノ１｛イオ゛≧
１１０及びＩ′７い銅層４６の双方ど絶縁性の金属間化
合物を形成りる。これらの金属間化合物は、第５）図の
５ｊ３Ｇ，３Ｂ及び４ｏと同様の化合物であり、１１１
られる，ｔｋ４層（、１電１リ；摩蘭に働くに充分な稈
痕にＩ′Ｐい。７＋’ｌ′・）で、ビレッ１〜の厚ざ減
少を行ない削り出Ｌ，を行イ『・〕た後にＬｌ：，ｆｆ
ＩＪ層４６が電界遮蔽層どして動き、第５図の１１１３
２に相当刀るｌ姓↑ノＩｒＶｉ１０／Ｊ＜磁界遮蔽層ど
して勤く。 高》９電慴層４Ｇを電界遮蔽に用いる場合には、焼鈍１
稈中（Ｓの全部が反応してしまう稈薄いもの（゛あつて
はならない。実際上、絶縁１７１の化合物物゜（゛Ｉの
ｂ’う４８の少／．ｆくとも３倍の厚さでな（プれば４
１らイ＾′い。金屈間化合物の生成反応終了後に残存づ
る１’；！ｊ４Ｇが、残存する軟磁１ノ１月オ′｛１の
層とほぼ同じ厚さであることが好ましい。然し乍ら、遮
蔽１′ｒ用に関ザる限り、１易所的な制限に合う限り、
高導電性層は所望（こよりもつと厚くするこどもでぎる
。ある｛中の；川蔽に川いるどきには、導電層４Ｇを軟
｝６↑！Ｆ．ｂ！′ｉ１０と絶縁する必要がｔｉい場合
もある。従って、この場合にはト１〆１４８をはぶく。 ；鳴Ｉ敗用に用いる実施例においては、第２図及び第３
図の変月器用の］１へ造林と遮蔽用の｛１４）古休とを
絹み合わせる。即ら、第７図に示すように、押出しヒレ
ソト（．Ｉ，、第２図に示Ｊ第−のリン１こイツブＲ／
ｉｊｉｔｊ本の層１４ど、第６図に示す如ぎ遮蔽層から
成る第二−のリンドイッヂｉ’ｌ’ｉ３告休１４Ｓどを
右する。厚さ減少及び造形後、サンドイツチ構造体１４
によつて得られる変圧器用の部分をＮ４１κＩＥＩＪ又
（Ｊ−受容｝乞目１二回路に接続ずるけれども、ザンド
イッチ４；，：ｉ青１ホ１４３にＪ、って１″．＃られ
ろ鴻ｉｉ１川の部分ＩＪｔ．ｌ）７続しイ「い。ＩｉＩ
ｉくの如くにｌＪづ−ことにより、攻蔽部が変１１器用
の部分をｎいに；膜蔽１るがら、第７図に示《Ｊ複含４
／，ｊ造ｆ４−はマルチ・１・フック記録ｌ＼ツドど（
，（使川りるの茗しく適したものであり、礎汀器用の部
分（３１夫々］・ラックとして働き、でれに隣接りる遮
蔽部が他の変！［器用の部分／）目）の［漏話」を防１
１りる、，当該技術に通１！ＩＩＬＬ，ｋ者であれ（』
、回路ＭｆＪＩ：＋〜く眼略的に示ざれたもの−（”あ
ることを認めるデ（１リ／一う。 例えば、図中のＬ（ｔ線によー）（部分１４が体に接続
されているこどを示リ−わ＆：Ｊ−（（．１イ−１＜、
ｌＩｊＩ路Ｍは電気回路部を有し｛［１るのである。 上記の方法は公知の技１・ｊｉＪ、りｔ）遥がにｊ［Ｊ
：５．’（Ｊ．７ＪぺきＩ）のであることは明らかであ
る。伺故Ｉ．Ｊ゛１）、千作業による接合が必要で”４
Ｃ＜、スクノッｌ・１−１ス率が無祝し得る程疫だから
である。勿論、本発明の特徴による構造体におりる周波
数応答特１ノ１の増加は驚異的である．、更に、押出さ
れた平らな貯蔵品から製造された多くの累了は、均−＝
であるから、令（のヌ−．ｌ”ｌ：Ｉ整合１る。従って
、整合した素了を１１１るための費川ど困勤が除去され
る。又、金属間化合物ｔＪ，Ｉｌ″富゛にＷｊいから、
寄られる積層品はＩＩｉ４１’ｊ粍１ノ１が高く、この
１ノ［買は磁気記録ヘッドに応用７ｖるｊ易合に中サな
利魚となる。 イ（発明のこの特徴は、好適イｆ丈施例に関連して訂し
く記載されているから、本発明の思想及び範囲を逸１１
（２することイＴく、細部や形状について種々の変史を
加え１１７るこど（Ｊ、、当該技術に通賄した者に理解
されＪ、う。例えば、軟｝］１ｋ竹月利の層間にｆ＝１
加祠わ層を配設することもできる。押出し夕一ｒど関連
して最初の拡１１（１ざ゜着工程を記載した（ノれども
、月延又は力旧１によって同様の接着を得ることがでさ
イ》。１力に、絶縁１ノ１化合物物′ｉ′ａｔＬｔガス
状の成分を含有し１１ｊ、千作業でリ−ンドイップ４７
．５造体にづる代４′）１つ（こ軟！ｉｎ１’．ｌ伺利
上に電盾、蒸着又はぞの他のノノ法（・配設することも
できる。又、厚さ減少を行なー）た層を押出し罐から分
離する際に他の技術を用いることで）でき、ザンドイッ
ヂ構造体ビレツｌ−に何加層を加えるこど１）できる。 リンドイッヂ構迄体素了の寸法を特定し７ｋが、−・１
法ｔｊ．＝１法比’￥｛’Ｃｌど市要な点ではない。多
数の層の最終的／．１厚ざは、周波数応答１Ｓ性に１シ
ワしＣ車要で・あり、こね（ｊ几』さ減少によって制御
でき０．０（１２！ｉ／１ｍｍ（（１．０（１０１イン
チ）にまで薄くすることがぐきる。 ｊ−．５ｒ’６の如く、反応しー（金屈間化合物を−形
成りイ〉物質の代りに、高抵抗の曲の物′Ｃ″Ｉを用い
ることしできる。−実施例においては、０．００１７８
ｎ＋ｍ（０４１００７イ＞％）ｌｊ；ｆ（ｒ）７）（．
ｒミニ’：／ムｆｉ’Ｔｈ上Ｌ約０．（１０４２７ｍｍ
（０．０００！１インチ）のＩ一！さ（こ砒ＸミをｒＡ
．’（ｌｔＩさＬＪ−ＩＣ。 第２図の梢層品と同様のＩＩ″１層品か軟｛６１１金屈
〈ハイ・ミ−＋８００）及’Ｏｉｌｌ：累被ｍｉｉ”Ｉ
ｌに形成された。 次いで積層物に斤力を印加し、軟磁１ノ１金属の焼鈍渇
庶にまで加熱した１，砒素とアルミニウｌ１が反応して
軟磁性舎屈の各層間に、丁｝り１４・又は７ｌ．’ｅ′
ｆ的に電気絶縁１’ｌの層が形成され！、：。１１１ら
れた情層品を仙磨し、試験に先ウ．ってつや出しを行く
しろ。 アルミニウＬ９Ｉｉを用いる他の実施例にａ３い（は、
０．００１７８ｍｍ（０．０００７インチ）のアルミニ
ウムｈ１に０．０（１１（ｉ０ｌ１１ｍ（０．０００６
３インチ）のアンブ｛ン層を沈積さけ、これを軟磁性金
属と積層した。この積層品を軟磁１ノＦ金屈の焼鈍温度
にまで１ｊ［１熱した。 これにより、アンヂモンと軟磁性金属どの間に拡散接着
が？１なり机、アルミニウｌ１がアンヂモンど及応しで
１′｝９体又は本質的に絶縁性の層が形成ざれる１，拡
散接着部分ｌｉｔ恐らく絶縁１ノ１ではないが、百られ
た崖》Ｒ体層が充分に電気的に絶縁性であるｈ目）、１
！．１られた積層品は仝イホとしＣ、例えば磁気ヘッド
と｛ノで用いるために総合的に優れた特＋１を右りる。 軟磁１ノ１金属ｋｒｉ（約０．０２５４ｍ＋ｎｌＯ．Ｏ
Ｏ１インチ１厚）は厚さ減少されていないから、１！１
られろ｛１゜ｌｊＡｌ！体の高周波応答特性は、上記の
厚さ減少を行／ｆつだ実施１ケ１にあ（プる稈顕箸には
向上しない。 然し乍ら、同じ厚さの公知の積層品の高周波応答特１１
１（ご比べれば、幾らか高周波応る特竹が向」一づる。 で゛の理由は、公知の積層品の構造におい−Ｃは除去さ
れていなかった製造時に生ずる内部応力を除六Ｊ−るＩ
ごめに、積層接に焼鈍を行なったからである。更に、公
知の積層品のスクラップ・ロス率は大きく、本発明のｆ
ｒ徴【こＪ．イ目ζ゛１層品（、１虎かに均一であり、
高抵抗層のｌｉ’ｌ！度が大きいため本発明の積層品の
−１摩耗性【、Ｌ茗じ＜ｉ’；：：１’い。 本発明のこの特徴による他の実施例におい（は、抵抗す
ノ１の高い物質を直１８に軟４．１目リ１金屈ｈ６．１
−ｔｗ沈積さぜたから、これらの層がｆシｂ１・１、ｌ
，？Ｔξ；１低抗のＲ・″ｊを形成１る必要がな＜＜Ｋ
つた．．ｌ’／ＩＩえばＩＹレンを軟＋４ｋ性金属上に
沈積させＣ、砒素ｊ′ルミニウｌ１の実施例についＣ記
載したと同様の竹質をイ’ｉ’−！１１る偵層品を１１
？るために、十述ど同じ方法でＦ１み重ね（積ｈ′つ品
を形成ざせる。−酸化シリニ」ン４一用いて１〕同様の
結果が得られる。実際上、高周波応凱Ｑ’ｒ竹が積層品
を配設づる特定のシ２品に・乃求さｌ’ｌる手要ノ『性
質でむい揚合には、複含柏層品を軟磁性金屈の焼鈍温度
にまで加熱づる必要し／Ｉ一い３，半＞９体Ｎ’ｔ．１
その他の１！′も抵抗層の硬庶にＪ．−１でもたらされ
る所望の耐摩耗性を１１１るためには、構造体に適切イ
「接着を５える程度に加熱するだ（ＪでＪ＝い。 半導イホ又はでの他の高抵抗の結合物をｆ＝１加成分と
して用いることもでき−る。第２図の軟磁性金属問の層
は、例λば１｛）、錫又はハフニウム上にｔｌノンを沈
積さけて成るものであってもよい。その他σ）０のを例
小りるど、硫化力ドミウム、硫化釣、配化力１・ミウム
、ｌｊｔ化亜鉛、酸化亜鉛、酸化ニッケル、Ｉｌｌｌｉ
ｌ化ゲル冫ニウノ＼、硫化錫等であり、詞ハイＡ州クリ
ーノンンドのケミカノレ・ラバー・カンパＬ−（Ｃｈｏ
ｌｎ：ＣｉｌｌＲＬＩＮ’ｌｅｒＣＯｍｐａｎｙ）から
刊行ざれた「物理及び化学ハンドブックＪ（ｌｉａｎ旧
１００ｋｏｆＣｌＩＱｍ：ＳＬｌ’ｌ７ａｌ’ｌｄＰｌ
ＩＶｓｌｃ３）に記されＣいるものと同程摩の１ネルギ
ー・ギャップへイｊ（Ｊろぞの他の化合物を用いること
らできる。 １９７２−．１’１１７３η′版（５３版）では、この
種の半導体免了は「８１）貞乃？ｉ’［０２貞に列挙さ
れている。 半導ＩＡを用いる実施１９１は、メッキ、蒸着等の或る
タイプの沈積を必要どする＋１Ａ）ａＩ−／乍ら、今説
明している本発明の特徴にＪ；れば、そのような沈枯Ｆ
稈イ，一はふくこどｈ＜できる。同様の物質の層を焼結
又＋ＪＣの他の方γ人で−体に結含して磁性積層品を）
１２成１ｊイ）こどｔま既に示唆さ−１′１５でいる。 シコバルツ（Ｓｃｈｖ＋ａｒｚ）に与えられた米国特８
′［第３，４７８．３４０月明細Ｊ１はぞのＪ、うイ『
力法を記載し（いる。１然し乍ら、この場合にＬＪ．，
．Ｊｌ常に抵抗の高いしごラミック型の粉末状フ１ライ
１〜ノ）＜、杉）末状１！ラミック自体によって結合ざ
れてヒシうリシス・ループの人さな高透磁１′！［の槓
層品を形成寸る。即ら、シ７バルツは、１０２乃〒１０
オ一ノ、・Ｃｍの範囲の抵抗を有づるフＴライ１〜を用
いたのにス１１シ、ホ発明の軟磁性金属類は１０′Ａ−
ム・Ｇｌｉｌ稈庶である，．本発明の目的の一つは、相
Ｕに類似し４『い物ｖ′ｊ、｛９１えば透ｆａｔ＋Ｉが
低く、ヒシデリシス・ループが小ざく、抵抗の低い軟１
社１ｌ１↑属と相対的に電気的に絶縁性の物質とを、製
造１１２に１１／ｉ間の１η合を破壊づるこどなく軟磁
１ノ［金屈を力’Ｉ＋鈍？ｊるどいうｈ法（・１８着す
ることである。従前にａ５いては軟磁ｆ’Ｊ金届１ζ・
ｊは、例えば−■ポキシの如き｛−ｉ’ｌ；．１！接名
剤で１８合されており、右機接着剤による接合は温度を
少しｔノ，めた場合にも破壊されて偵岡品が分顛してし
まう。 条件が合いざえすれば、ガラスと軟磁１／４金属とを積
層し″（加熱し、それらの間ｌｍ接合を形成さ１！るこ
どにより上ｊ小の目的を）ヱ成リるこどもぐきることか
Ｉ；Ａい出された、，原理的に必要なことは、焼鈍後に
軟磁１１１金属の高い透磁率を保持させ、各層が適当に
接合していることたけである。従って、ガ−ノス及び軟
ｔｉｌｌ１′！ｌ金屈の熱膨川ｔ係数が、ガラスの歪！
：λ渇度から１町１られる横造体の使川温ｍに至る温＋
（ｉ領戚内において｛』ぼ同程度であるように、ガラス
及び斬（｝公１？１金屈を）欽定する。 上）ホの魚に関して、刀゜シスは実際には結晶物′δＴ
ではない０れども、ガラスの粘磨を指数として定められ
る数詞の中要な臨界温度を右Ｊる、、上記の［作動温Ｉ
Ｉ−ｌ以−１−のガラスを流動カラスという。 この｝晶１ｆｔＪ、り梢／２低い液，酊内に［軟化｝１
１λ度１がａ白し、軟化温庶以王が１焼鈍温１α−１で
ある。カラスの１−歪渇Ｉａ］又は「硬化温度−１（ｊ
、、更に低い温庶て′ある。歪温磨以下においては、ガ
ラスは内部応力を補償することがでぎ゛ず、内部応力が
ガラス中に導入される。然し乍ら、ガラスを焼鈍温度（
こ、１、′（加熱一づることによって内部応力を除広す
ることかでさる，．歪温度以上では内部応力は導入され
ることは／７い。従って、軟磁性物質とカラスの膨服係
数が＝一致すべぎ温度領戚は、刀′ノスの歪湿■良から
室温く即ち、得られる＋：ｎｉ告体の作動７！Ｉａｌａ
）までの間である。 本発明のこの特徴による−天ｈ１！例におい（、軟磁性
金属はハイ・ミｑ．−８００であり、カシスは１９６５
年刊の［−カーク・Ａスマー・−「ンリイク［１ペーｉ
イア・オブ・グミカノレ・テクノ１了１ジー１（Ｋｉｒ
ｋ−ＱｔｈｍｅｒＩ丁ｎｃｙｃｌｏｐｅｒｌｉａｏｆＣ
Ｉ＋ｃｍｉｃａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｏｙ）の第２版に［
］一ニング１９０（ｊｌ（Ｃｏｒ旧Ｈｉ９９０）どじで
ｆｉ定されイ′（る３，コノガラスの軟化点は５００℃
、焼鈍温度は３７０゜Ｃ．歪点は３４０゜Ｃであり、４
１％の酸化シリ−ｌン、４０９６の酸化鉛、１２％の酸
化カリウｌ１、ｊ）％の酸化づ１−・リウム及び２％の
酸化リザウｌいから成る。 第８図に関して、フレツ１・（ｉ０の１台はガラス６２
の層と交Ｎに重ね合わされている。フレツ１−は、ｉＭ
通の軟磁性祠わ１シ一トから成り、その中に光学エッヂ
ングされた索了６４をイｊ引るｎｊｌ’ｑｒ６６は５”
−’７・ヘッド部であり、カラスは例えば米日、ｌ特５
′［第３，３７１，００１Ｆ−３ｎＪｉ細”Ｊ’＋ニ記
ａノｌ）ｆ’ｌ＋ＬＪ．”Ｊ揮発１ｌｌ’７）イ」聞拐
着剤によりｊ−ゾ］ノク侶）青（，＋Ｖ４）＜に形成さ
れた粉末カラスシー１〜から成る。 φ欠（：ｉ目’ｌ１７）−）ｌ／ットは、約０．０２５
４ｍｎ＋（０．００１インＦ）（ハ（９さ（゛ある。清
冫了ｌこしｌζ１リ｛こ、Ｉｌ反７０から１１ノに延仲
づるｉＣ／買決めピン６８と孔部６６とにより所定の位
置にフレットを置く。これと交互に配設されるカラス１
曽のＰ；！さけ約０．００５０７ｍｍ（０．０００２イ
ン丁）であり、第９図に示ずような積層品が形成される
。ここで層６０は第２図の層１０（こ相当し、層６２！
Ｊ第２図の層１２に相当Ｊる。 ｕｇ状の集含｝Ａ＼ム・力）中にｉδさ、酸素を含イ」
４る゛雰囲気中で加熱りる。有機接着剤は揮散じて、望
二トし＜４１′い残泊を銭さｌｒい。次いで軟磁↑ノ１
金属の層を接着づ−るに充分な稈磨にガラスを加熱する
。即ｌ）刀二ノスを軟化貞、この場合には５００゜０、
以十に加だ｝り−る。 次い（接合した（ｉ！７層品６１及び厚ざ制御ブ［１ツ
ク７Ｇ−１−に，１５もり７２を鷹く。おムリ７２の位
置きめは、ビン６８と孔部７Ｇとにより行ｔｆう。構造
体全体を｝）．＆１−１１ノ１・ル１．又はぞの他の酸
素を含有しない容器内（，（：ｇ（き、続いて行イ７う
軟｛φ目ノｉ金１ｉバの焼鈍加熱二１稈（ハイ・ミュー
８００の場合には約６００℃乃至１２００℃）間に酸化
が起こらない６１、うにりる。］！Ｉｉ＜の如くにして
、ゲーシ・ブロック７６の１．１さ（こよー）で決まる
所望厚さによで゛積層品をお６り７２にＪ、りｎ幅し、
軟磁性金属を完全に焼鈍して製）も時の内部応力を除去
する。 焼鈍した積層品を、用いた軟厳目４１金属に応じｉｔ冷
２ＪＩ：ｌ［程に供する。例えばハイ・ミ］一８００の
場合には、その−Ｉ＋−り−ｆｆｉ八麿（ハイ・ミ＋−
８０（１の揚合約４６０℃）からキコーリーｄ１配１宸
Ｊ、り稍Ｑｆｌ（い｝晶Ｙσ（この例一（は３７０゜Ｏ
）｛こ′Ｉ＜る，１、（、焼１屯｝晶度からの冷１１ｌ
１速痕は、１時間当たり約１９５゜Ｃ乃争２８０゜Ｃ（
・゛ある。湿度勾配によー）で起（二１ツｊ！ｑる内部
応力を防市するために、３７０℃から４０℃に〒るＪ、
で１時間当たり１００゜Ｃて積Ｋ（１品を冷７．１１Ｌ
／．二１リ、炉から出す。 最後に、完全に焼鈍した積層品を公知のｔｉ法（Ｊより
所望形状に切断し、｛１月ＩＰ．づる。 １二記の方法で製Ｊｉ’ｉＬ／こ６ｔ，層品の透｝姓率
は非常に優れたしのであった。次に、同じ厚ざ（０，０
２！ｉ４ｎｌｎ１［０．ＯＯ１インチ１）ノ軟ｖＡ＋ｉ
金ＵＡＥを有する市町の右苛物で１ａ合ざれた積層品と
の比較を示Ｊ０本介明の万法にＪ：れば、明らかに透磁
率が改善され、史に厚耗１ｌ１↑ノ１が非゛謂に優れた
均−な４Ｍ５貴体を低いスクラップ・「１ス率で得るこ
とが（゛きる。 然し乍ら、ＩＴ！にΦ要なこどは、４′ｉｔｉ物接着剤
を右刀る市販の積層品の場合には製造後に焼鈍すること
がで２〜／ｆいから、超薄層の軟磁性金属箔を槓層ざぜ
て満足すべき一積層品が１ｑられむいこどであるＩ見１
人（こおい゛ては、０．０２５４ｍｍ（０．００１イン
チ）の箔が実際１−の最小厚さである。これｔ，７ｓ−
１シて、本発明によれば、これより道かに薄い箔を出発
ＩＩｉｔＪｉｉｌどずることができる。何’／ｆ！’．
ｊ：ら、！！ｒＪｉｌ干．’Ｔ．’程後に行なう焼鈍工
程中に、製造に起因覆る内部応力を取り除くことができ
るｈ目）である。木ブＬ明のｊｊ法にＪ；り超ａｌ層の
箔を使用すれば、厚さに大略逆比例１ノで積層品の高周
波応答特ｆ１が増加りる。 現在のところ市販に供されでいるイ４｛幾物接＠ｆ＋’
ｉ層品Ｃ゛、ぞれ稈イ埠い軟磁１ノ１金属層から成る０
の（３１ないから、比較データを出刀こどはできｌＩ′
い。然し乍ら、本発明のｈ法は標ｉＪＩ的な几Ｊさの軟
磁１７［祠料から成るｖ４層品の透磁律”を増し、１ｆ
耗特性を大幅に改良覆るばかりでなく、本発明の１ノ法
により軟磁１／１祠別の厚さを驚ＷＮ的に減少させるこ
とが可能となり、従って高周波透磁率を増加ざｌるこど
ができる。 金属とガラスがほぼ同じ熱膨脹係数を持っている限り、
上記と同様の結果を得るために仙のガラス類と他の軟磁
性金屈プ：口とを組み含けるこどもでぎる。例えば、上
述の例においては、］一ニング１９９０刀ラスどハイ・
ミｒ．−８００の熱膨服係数は、゜ｆ温及び歪点（Ｉｉ
！Ｐ化点どｌｌ’ｌ’ばれることもある）１品度に（１
ノいて実買上同−である。コーニング１９９０ガラスの
２５゜Ｃ乃Ｔ３００゜Ｃにおける熱膨脹係数は、約１３
７Ｘ１０Ｃｍ，’Ｃ…・℃であり、ハイ・ミコー８００
の熱１１Ｙｊ１１１５係数は約１３６Ｘ１０ｃｍ／ｃｍ
Ｈ’ｃである。 ２Ｓ”Ｃから歪』１゛ＪミＲＷｌα（３４（＋’Ｃ）ま
での間のｌ’＋ｆｉｔ艮さにス・１する力うスの変化は
４３３ｘ１０てあり、ハイ・ミｑ８００の同じ湿度範囲
にお（づる弯化は４３０×１０−５であり、この両物質
間の最大偏差は約２００゜Ｃにお（Ｊろ約００Ｘ１０−
６ＣＩｎ／ＣｍＦある。膨脹１σに１００力分の５００
以上の相違があっても、これを泊容（．さる揚合１）あ
り、ｉｏｏｈ分の１００程度の４１１違によって急き起
こされる問題は比較的小さい。従って、本発明の［１的
に則しで考えれば、ＩＩ？Ｊ月ＩＮ率に１００万分の，
５００程度の相違がある場合には、膨脹率か実７゛Ｉ的
には同一であると考えることがでさる。 万ノスど軟｛６性金屈どの他の多くの組合けち同様に；
１）″４足Ｊべさ結果を勾える。例えば、ハイ・ミ：］
．−８００を］一ニング０１１０又は９７７Ｇと組合せ
て用いることができる。 ：ｌ：ｌ−ニン’ｊ０４１０（７）１１１Ｍハ、８１０
２５０９ｒＩ、［＜２０１９．５％、Ｎａ２０６９６、
ｉ３ａＱ１０％、△１，０３５．５％、ＣａＱ７．２％
、Ｖ１，８’Ｘｌ−Ｔ：アル。−１−二：／ク９７７Ｇ
（ｆ）組成（、１、Ｐｌ１０１１８’，３ｒ＋，Ｉ−３
２０３１２’，３｛＋である。然し乍ら、軟化点のＪｌ
常に低いカ−ノス７Ｃｉを用いたどきには、カラスの晶
買をｆ代十さ口４ｆいために積層品を軟磁１イ１層の焼
鈍？１１４庶に、１、Ｃ’１＋１１熱しないことが望ま
しい．，叉、１−ニング（’＋８１０カフスを４２％の
ニッケルと５８％の鉄とから成る軟Ｖａｆ’ｌ金属と積
層さゼてもよい。このガラスの組成は、−酸化珪素５６
％、酸化アルミニウム１０″）６、ニニ酸化ｔｉｌｌ累
１％、酸化ナ］〜リウム７％、酌化）Ｊり『“／！ｚ１
％、酸化カルシウム１％、酸化ｊ４ｆ３９ｉｌ−（：ｄ
うり、０゜Ｃ乃至３００゜Ｃの｝６１１囲内に（１’ｉ
ｌる平均熱膨服係教が６９×１０−７ｃｍ／ｃｍ・℃で
ある。この゛３ｒｈｌｌ！！例にＡｊい（用いた軟磁性
金属の平均熱膨服係数も、２５゜Ｃ乃至４５０゜Ｃの範
囲内にＪ３いて約６９ｘＨＩＣｍ，／ｃｍ・℃である。 池のθｒ）内な積層品は、＝１−ニング８８７１カラス
ど、５０．５％のニッケルと／１９．５％の鉄とから成
る軟１４１１ノｌ金属合金とから陵る。ガラスの組成は
、二酸化１１Ｚ々４２％、酸｛ヒリヂウム１％、酸化ナ
］〜リウム２゛兄、酸化カリウ２８ＧｌＸ＋．酸化鉛４
９％である。 Ｏ″Ｃ乃’ｉ艷３００゜Ｃの範囲内にＪ３けるガラスの
平均ｐ＜ＨｌｌｊｉＩＩＩ、１系故はＨｌ２ｘ１０−７
ｃｍ／ｃｍ−’Ｃｔｌ’あり、Ｉ司じ｝ムシ１良範囲内
にある合金の平均熱膨脹係数は１０１×１０−７０１ｌ
′（：１ｎｌ０Ｃで゛ある。 曲の物質の熱膨服係数は、前述のボゾルス（Ｂｏ／ｏｒ
ｌｂ）文献の第６４３頁以下に列挙されーＣいる。 リーア′ング（ｒ’＜Ｏａｄｉｎ（］）市のカーペンク
ー・デクノＩ１ジー１］一ボレ・イション（Ｃａｒｐｏ
ｎｌ’ｏｌ１ＴｅＣｈｎｏｌｏｇｙＱＯｒｐ，）から１
９６５年に刊行された「カルｊツク・ｊ′［１イス・フ
ォー・Ｔレクｈ口ニック・−、ノグ冫デイック・フ′ン
ド・エレク１・リノＪ）レ・アグリケーションズｌ（Ｃ
ａｒｔｅｃｈ△ｌｌｏｙｓｆｏｒｉｌｅｃＮ１０ｎｌｃ
，Ｍａｇｎｅｔｉｃ，ａｎｄ［Ｅｌｅｃ［ｒ：（ｉａｌ
Ａｐｌ’ｌｌ！（；ｎＬ！ＯＩ］Ｓ）に更に他の例が挙
げられており、り！（こεの曲の命令の膨脹係数は、例
えばビッツパーグの）′レジ工ニイ・ラドラム鉄鋼会礼
（△１１Ｃ９ｈｅｎｙｌ−＋１（ｌｌｔ＋ｍＳＦｅｅｌ
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から出ざれた［ｊノルジ土二
イ・ラドラｌ１・ブルー・シー１へ番シリーズ」（△ｌ
ｌｅｇｈｅｎｙｌ−旧１ｌｕｎｔ１３１＋１ｃ３１１０
０１Ｓｅｒ！ＯＳ）の如き［業出ＩＶｍ物に１９１１示
され′Ｃいる。同様に、種々の型のカラスの熱膨服係故
は、１９６５年に刊行ざれた１カーク・Ａス−、・−・
１ンリイク［１ペディア・オブ・ケミカノレ・−ｌ勺ノ
１−１ジー１（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ「ｎｃｙｃｌｎ
ｐｃｒｌｉａｏ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ王ｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）第２ｒＪｌの第！＋３．’）〔ｊＩス下、特に第５
７３頁に示されている、，二ーｔ−−１−タのオグデン
出版社（０リｄｅｎＰ１１１１１ｉｓｔ＋ｉｎｇＣｏｍ
ｐａｎｙ）から１９６１年に出された１ハンドノック・
Ａブ・グラス・マニファクブコ’．１（ｌｌａｎ旧ｌｏ
ｏｋＯｆＧｌａｓｓ．ＭａｎｌｌｆａｃＨＩｒｆ’！）
又は、１９１１えばー−ノー゛］一クの−］−ニングの
］一ニング・ガラス会え！若しくはトレド（−［ｏ１ｅ
ｄｏ）の′Ａ−１−ンス・−ｒリノイ・ガラス（ＱＷｅ
ｎＳ−１１ｌｌｎｏ！ＳＱｌａｓｓ）舌の力゛ラス製）
市業者の｛票準カタ］−１グ、’＜ｌ．Ｊジープ・力゛
ラスエ揚（ＬＪＯｎａＧｌａｓＳＷＯｒｋＳ）のス−１
ツ１ヘ・カタ１」グ（３Ｃｌ１０ｔｔＣｎｌａｌ（ｌｑ
）”Ｑを参照され１こい。 １記のシ＋ｈｌｔ＋、１、多くの磁１１１合金煩の熱膨
１１１８係教が約１２ｘｉＦ７Ｃｎｌ，−’ｃｍ−℃か
ら約１３０ｘｉｏＣｍ／Ｃｍ・℃の間に分／ＩｒＩＪ’
ｉｌ：いるこどを示しーＣいる。一力、カラスｆＩ″１
の〃｝１影服係数は平均熱膀服係数約５．５×１０Ｃｎ
１７′（］ｍ・゜０の純粋ので）英（一酸化１１素）、
゛［’均熱＋ｙｇｎ艮１４故１＜Ｊ１５０Ｘ１０−７ｃ
ｍ／ｃｍ１℃ノＥｍ’Ｕ化ｒｌｌｌＡミ（ｆｉ２０３）
’ＩＬに（ｊ熱膨服係数が８００ｘ１０ｃｍ”ｃｍ・゛
Ｃに及ぶ｛Ｉｌｉ黄系のガラスに至る範囲に分イロし−
Ｃいる。 従一）（、本発明を実ＩＡ’ａづ−る揚合、種ノＺＯ′
）骨各１１横１３のガラス’ｆ：（！ど標準磁ｔ’ｌ合
金類とを組合わせることができろ。更に、標ゴｖ合金類
の各温度或いは−定濡度釦囲にお（づる熱膨服係数を増
減して調整ずイ》ために種／２の合金要素を添加するこ
としＣ′さ、熱膨１１１％服係数を調整するためにガラ
スに｛Φ々の変１ノ１剤４一添加゛ｊ＋−るこどしでき
る、，１シ１１えば、ｉ’ｊＦｒｉ！ｉのカーク・Δス
マー文献の第５３８頁及び第５８０頁以下をネさ照され
たい１， ｉ記の′Ｉ′導イホ又はその１１！２の高抵抗層を、第
ε３図に示すと同様のテープ状の形になすこともできる
。 例えば、ハノニウｌいン（４１、Ｌりｆｌ”ンの）分木
３１／レン粉末及び揮発性の接礼剤どｌ：’＋：合し、
テーノ゛１ノ（どじで＾抵抗層を形成さけるイニど０（
さる。これ（、二関する詳■１は、例えば米田特八′［
クｉ３，２！１３，０７２ｒ３明細Ｕ：にｈ己−１戊ざ
れているノン《、！！Ｉｉ＜の如く（こりるこＪ二によ
り、加熱によって右１穴物１８行剤が揮１１（（ノしレ
ンが金属と反応して所望の高抵抗層１）＜形成される。 アンプモン又は砒素の粉末をアルミーウｌＸ粉末と混合
して同様の−１−１を′）クり、Ｉ７られるｉ；１１抵
抗層を半導体どづるこどもでさろ．６ １−記の実施例に（１月プる（リゾデ〕／ヒ１ノン化合
物の抵抗は約／１０００７１−ム・ＣＩｌ＋−（あり、
ハノニウム−セレン化合物の抵抗は約４００００７１−
ム・０１１１である。多くの他の元累５ｉ！＋を−ｊ−
ブ形状にし、ｆＩ１．！層し、反応さｌ！（；’ｃｊ１
抵抗５１ｔｔ橢ｈ・７を形成さ氾るこどが【゛さる。二
種の金屈を反応ざ１↓て金屈間化合物又は８１′導体を
形成させるこどｔ）できる。例えば、しりｆデン又｛ユ
ハフニウムの如き金属は、例えばｌ＆ｉ黄の如き非金属
と反応して高抵抗の無機化合物１１゛４を形成し得る。 例えばセレンの如ぎ粉末状半ラ９体又は１に訂記したＪ
、うに力ウスの如き絶縁物から成るテ一ｆをつくるこど
もできる。 本発明のりコにしう一一）の特徴によれば、積層品を伸
／，／のガスに冨む雰囲気下において加熱しガス４絶打
、層内｛Ｊ拡散させるか若しくは他の１ｊ法にＪ、リカ
スを絶縁層内に尋入づるこどにＪ；り、各絶縁層の硬度
を更に改善り−ることもでぎる。 本発明のこの特徴による好適な実施例においでは、｛１
゜Ｉ層品を製造りる乃υ、は上記と全く同様のｈ法によ
る。ｆＩ！ｉ層品を先ず組込み、削り出し、焼鈍し、！
；Ｉｔｌ臂し、洗浄りる１，次いでこれを水素に冨むソ
目ＩＩ＋気中に［１’ｉいて加熱して、水素を絶縁層内
に拡ｆｉ父１↓しめ、水｛・，を拡１１（ざＵていない
絶縁層」、り０５リ！い水索化金属を形成させる。同時
に、焼鈍にＪ、・）て軟眼１（１材オ゛１１にＩυ適の
磁気特性をｆ］与することができる。この種の適当な水
素化金属類の多くの１列ＩＬＬ”１−▽１−クのアカア
゛ミツク出版（Δｃａ（１０ｎ＋ｉｃ｛’）目！３Ｓ）
から１９６８年に刊行されたミューラ−（１’ｖ１ｕｌ
ｌｃｒ），７ラツクレツジ（ＩＩｌａｃｋｌｃｄｇｅ）
及ひリボウィッツ（Ｌｉｂｏｗｉｔｚ）著の［水素化金
屈類Ｊ（Ｍｃｔａｌｌ−１ｙｄｒｉｄｅｓ）に示されＣ
いろ。 他のガス類を金属類中に拡散ざＵるか冫：Ｌ／＜＋．Ｌ
金屈類ど結合ざｌ′Ｃ、良クＹな結宋を１ｓ１“るＪど
ｂ（゛きる。例えば、酌糸ヤ〕窒素を絶縁層に拡散又（
１．１ζ１４合２”’ＩＡるこどもできるか、これらの
ガスは水木と比較すれば拡散させ鈍い。 叙十の如く、本発明にＪ、イノ’＋Ｍ’Ａ”ｒ捧ｉ；Ｉ
．ｌ！’，！耗１″１１ノ１が改善ざれるばかりでイｆ
く、信頼ｆ’ｌが高く、均１ノ１が｛◎れたＪｆｉ，Ｘ
４ｉ体であることは明らかである。然し乍ら、史に重要
なことは、木允明により軟磁Ｆｌ金属に史に好ましい１
４１気狛｛’ＩをｉｉえくνｌこＵ）ｌこ製造後に焼鈍
で゛さる軟磁性積層品が得られることである。 金属間化合物にＪ、る実施例は、１Ｊ■異イ〔刊点を右
している（Ｊれども、その他の天／＋ｆＧ例｛ｊ、押出
しを゛川さない利点があり、ガラスを使用！１る実施｛
ウ１１はｈｈ看等の操作をも必要どしない刊貞がある１
，従って、ガラスを使川づる実施例（、１、押出し装『
ｊ及び蒸♀゛１装置を利用でぎない小規模の製造業晋に
１！１に適しＩＣ方と人Ｃ′あるといえる。 以下に、本発明の特許請求の範囲内に包介さるべき−ノ
ミｆＪＩｕ例を・万に訂細に列挙する。 （１）１り散層の軟磁性金属層と、ｎいに隣接づる而記
軟｛君１１１金属層の間に配設され該金属層に加熱接盾
した１０Ａ′？−ム・ｃｍ以」−の抵抗を有する少イｆ
くどしＩｎの無｛幾物質層とから成ることを１４１牧ど
Ｊ゛る積層軟磁性拐判。 （２）前記無機物７１層が電気絶縁竹の金属間化ｉ′ｌ
７物で・゛あることを特徴とずる第（１）項に記載の｛
」一層｛Ａ刊。 （ご３）少／．Ｉ：くどし−層の絶縁竹化合物形成物質
をＺ！いに隣１とりる軟磁竹金属層間に配設したことを
特徴とする第（２）項に記載の積層材￥＋１。 〈／Ｉ）軟磁性金属層と絶縁性化合物形成物質層どの間
に介で｝金屈１脅が振１設され、前記介（［金屈層ど前
１）【１絶肩１／１化合物形成物’ｔｌ層間に絶１イ、
性金ｊｈ）間イ１二合物が形成されることを特徴どＪる
第（３）拍（こ八ピ小父の積層材才ｚ１。 （５）’ｌＩＦＩｒｉｌ２軟磁↑ノ１金属層がニッケル
、鉄及び５［リブ−アン合一含イ−１することを特徴ど
する第（１）ｑｉに記載の梢１１ぐ伺オ゛４１． 〈６）前記無機物７４ｉが半々ｆＡ（−あることを特徴
とする第（１）項に記載の１（′ｊ尼ｊ｛，１￥ｊ＋．
（７）前記半導体が第Ｉｎｈ’＞、元素と反応した第＼
ｌ欣元素を含有することを特徴どりる第（６）項に記載
の積層祠別。 （８）前記半導体が−４４Ｆの？１′税１ホズ・ミ了ｌ
》日）成ることを特徴とで−る第（６）頂に記載の積層
相１’ｉｌ．，（９）前記無機物質の層がガ−２ノスの
判から成ることを特徴どする第（１）頂に記載の積層祠
利。 （１０）前記軟磁１１１金属及び高抵抗無｝幾物質の熱
膨服係数が実υ［的にき７しいことを特徴どづる第（１
）項又は第（９）工ｒｉに記載のれ゛１グｉ４Ｊ牢；１
、，（１１〉前記軟１１Ｍｉ性金属の熱膨服係数どＫｊ
ｊ抵抗ｌ（（（機物質の然膨■良係数のＫ５゜（がｈＯ
（ＩＩＴい１１１以１・−Ｃあることを特徴と（Ｊる第
（１）瑣又（、Ｌ第（０）狛に記載の積層材オＩ１．， （１２）前記軟磁性金属が実質的に完全に焼鈍されでい
るこどを特徴どずる第（１）■ｉ’ｉ、第（６）Ｔｉ又
Ｌ；Ｌ第（９）ＴｎＩｃ記Ｎ（７）積Ｆ？１４１１’ｌ
．，（１３）萌記ガラスの熱膨服係数を前記軟磁ｆ１金
Ｉ１バの熱膨ＩＩＩ，係数と実＋，＋ｙＨ的に等しく１
るために、ＷＦｉ記ガラス中に変性剤が添加ざれている
こどを特徴どリる第（９〉頂（Ｊ記載の積層材ＩＩ。 （１４）絶約すノ１の無機物質が少なくとも一種のガス
を含イ」りるこどを’４ｊｔ徴どする第（１）Ｉｎ又は
第＜６）ｒ（’ｌＩ：二記載の積層Ｈ料。 （１５）７’７いに隣接り−る軟磁１ノ］金屈１１ηの
間に少なくとし層のり電性の高い介在金属層が配設され
、前記介（１金屈層に隣接ケる軟磁↑ノ１金属層と介在
金屈１（；どの間に前記無檄物質層が配設され、瓦いに
１［裔１ｒＪる前記軟磁１７１金属層が磁界を遮蔽し、
前記介在金属層が電界を遮蔽ηることを特徴どづるダ１
（１）１！”Ｊに記載の積層材オ′々１ｏ（１Ｇ）第（
１）ＩＩに記載の特徴を右ヴ−る積層｛Ａ１゜】１から
成る復故の１４１気区画ど、隣接づる｝］餞気区画の間
に配設ざｆ１た遮ｉｆｉＸ区画とを有する積層構造体（
・あっ（前記臨ｌｉｉ！！区画が少なくとも一層の軟磁
↑Ｉ１金１１’ｊ％Ｉｉりと、少なくとも−層の高導電
性金属層と、前記鴻蔽１メ両内の前記軟磁性金属層と前
記高導電性↑Ｉ；ｉｊ．Ｉｉゴとの間に配設された絶縁
Ｐ１金属間化合物どから成ることを特徴どりる積１ｊ・
′．Ｕ横漬体，，（１７）回路手段と、該回路千［９の
選定部分に前記磁気１ヌ両を接続づる丁段どｌ〕目）成
り第（Ｈｉ）ｌＩ′１に記載の特徴を右づる積層構造体
ぐあって、前記遮蔽区両ど前記回路手段の接続を…ｉつ
ど前記鴻蔽区両内の前記軟Ｖｌ１１竹金屈物覧か−１０
）曲のｌＪ％気ド両の磁界から所定の磁気１ヌ両を鴻Ｉ
！ｆ！ｉＬ、前記高ｉ：，’ｊ電性金属層が他の磁気区
画の電界から所定の磁気区画を辿蔽りることを１４徴ど
ηる（ｔ’Ｊ層横ｊも１本，１（１８）加熱覆ると軟磁
性４７属と結合して該軟１．！ｉ性金屈まりｔ）電気抵
抗の人，＼な無桟１１（１を゛−１ノえる無機物質から
成る層の少なくと６−層に上って絶ま１、されている軟
磁性金属層から成ろ｛１゜１層品ＡＬ：ｆｆｌ；ｌｋ’
ｉ’１てるＴ稈ど、該積層品を加熱しη前記軟１４１ｆ
’ｌ金屈よりも電気抵抗の人さ｛ｊ前記％Ｂｊ９１５物
ｖ゜１に」、一）（絶縁され月つ該無機物質と結合して
いろり数の軟磁性金属層を右りる構漬体を形成さける−
１−稈とをイコすることを特徴どづる積層材刊の装ｊΔ
方法。 （１９）加熱］−程時に前ｎｌシ拍層品に月−力を印加
りることを特徴どする第（１８）■．ｉ′ｉに記載の方
法。 ＜２０）！’ｌ’！ｎ（：ｆｉｌｌ熱二Ｆ稈か、少４〔
＜とら前記軟限１！１金属の焼鈍記暖に」、Ｃ７ＩＩ′
ｌ熱Ｊる］−稈を包含寸るこど’ｗ’ｌ’ｊｉ徴どＪろ
第（１８）稍又は第（１９）頂に記載のｊノ，ム？， （２１）１１１１熱及び１１力を印７１＋１７Ｉるこど
により前配無１代１ｔｙ＋’ζ′１の層が・前記軟銀慴
金屈と反応して前記軟＋１１１’ｌ金属に隣接Ｊ６絶縁
竹金属間化合物が形成せしめられろことを特徴とする第
（１９）ＴＪ’ｌに配載のＩＪ冫ノ．， ク２２）前記無機物貿が、絶縁性化合物形成！＋１７１
費であろこどべ１７１微どづる第（１８）珀に記載の方
法。 （？３）前記無尋）■物ＪｊＴの層と前記軟｛丑・ｉノ
１金属とが１１７，’ｉｆタ結合＜ｉｊＩ威づることを
特徴とする第（１８）項又【コ第（２？）瑣にｔ；１｝
載の方法。 （２４）前記軟磁性金属層と前記無機物質の層との間（
゛二介存↑属閤を１ｊ［［える丁稈を右し、前記軟舟Ｉ
Ｊ１−金属層と前記無｛幾物質とが結合Ｔ程中に前配介
γ１金屈ど結合りるこどを狛徴どづ−る第（１８〉項又
は第（２２）瑣（こ記載の方法。 （２！＋）結合工程に先立って前記無機物質の層に接触
覆る高導電竹介（ｉ金１ｉ八層’ａｊｌｌｌえる１稈４
イ１じ、前記軟磁ｔ’ｌ金属層と前記高｝停電１゛１介
（１金１ｉＪ．ｊＩＩ”ｉとの間に前記無機物ｖＩＩの
層か配設さ１１るこどをＱ．’ｒ’６１どする第（１８
）項又｛Ｊ、第（２２）■１′Ｈに記載の方法。 （２Ｇ）積層品を加熱９Ｌ１埋し（軟目灸すノ１金屈’
ｃ７３；己鈍し隣接づる軟磁１’ｌ層間に配設された絶
縁１７１の金１ｉｉ：Ｈ間化合物を牛成ｌ！シめる十稈
を，１１り４）こと’ａ−ＩＩ＋ｉ牧とずる従ｉ（２２
）工自に記載の方ｔ人，，（２７）前記無賎物τ゜１の
抵抗が１０刊Δ−ム・ｃ１１１以十Ｃ′あるこどを待ｉ
歎どηる第（１１ｉ＞１Ｑ（，二八己・ト（のノ′ｊγ
人。 （２Ｂ）高１１ｔ抗（／）前記無ＩＮ’ＩＱ’ｉ’ｉカ
丁導体イ４Ｊ”ｌ（，ｋ＋ることをｑｂｍどづる第（２
７）ｒ｛ｊに記載の方法１、（２９）高抵抗の前記無１
幾物冒か刀−ノス（ｄリることを特徴とする第〈２７）
頂に記載の力法。 （３０）前記カラスが揮発１（１の接イ”ｌ剤中に分散
した粒了状形状であり、結合した粒ｒ状力′ノスを前記
ＩＸ着剤の揮発冫昌度以十に７１１１＃！−！Ｊるこど
を特微どサる第（２つ）頂に記載の方法３， 〈３１〉前記積層品を、少右゛くどし前記軟｛．｛目ｌ
１金屈の焼鈍温度に；１：で加熱Ｊることを１１徴と１
１−る第（２７）Ｉｉに記載の方法。 （３２Ｎ）κ１１ア１稈を・酸崇を含イ１しイ１い雰囲
気中で７Ｙなうことを１２１徴ど｛る第（３１）項に記
載の方法。 （３３）前記積層品を前記焼鈍温度に加熱した後に、萌
記軟磁１１金屈のギ」−−り一温度を通じて制ｉ卸され
７ｊ速度Ｃ″前記積層品を冷却することを特徴とりる第
（３１）ｒ『ｊに記載の方法。 （３４）高抵抗の無債物質にガスを加える．■ｌ稈を荀
するこど４′ｌ）徴とりる第（２７）項又は第（２８）
ｊ自（こ八己４・又のブノ冫人。
の特性を備えた多数の金属類及び合金類についー（は文
献を利用（゛さるから、本明細出にｉｌ５いては詳細に
は説明１ノない。 本発明の一実施例におい゜（は、軟磁竹祠利１０はハイ
・ミュー８００＜ト１ｙＭ（＋８００）から成る。 これ（ま乃−ペンター・スグーＪレ・］一ボレイション
（ＣａｒｐｅｎｔｅｒＳｔｅｅｌＣｏｒｐｏｒａｔｉｏ
ｎ）の商品名であり、７９％のニツクルと１６％の鉄と
４％のモリゾフーンから成る。この合金は単相の、即ち
固溶１本合金であっー（、ニッケルの結晶構造を右し、
適当イ１熱処１！ｌ！を加えれば高い透磁率と低い保磁
力を示すしのである。層１０は、厚さ０．０１７８ｒｏ
ｍ（０．００７インチ）、幅約５，ｏｇｃｍ（２インチ
）、良さ約１２．７０ｃｍ（５インチ）である。 本発明の一実施例（こお＋−＋る層１２は、厚さ約０．
０（１１７８ｍｍ（（１，０（Ｈｌ７インチ）の山販ざ
れている等級のジルニ１ンである。層１０及び１２の相
対的な厚ざは｝硅１ノ１材利の！ｌ？１牲を高め、しか
も化合物金属に最終製品にＴ１する所望作動周波数範囲
内にＬ１’３いて良好／．ｃ電気絶縁特廿を′ｊえるＪ
：うに選定づる。１０：１乃至２０：１の厚さ比シ卓′
が好ましい。厚ざ比率は５０１，１、で変えることがで
きるＧＪれども、ｙ７さ減少を強く行なわねばならなく
なり製造コストが高くなる．，＋Ｉｐさ比亭を３＝１に
まで低めても通常得られる製品よりは良好な結果が得ら
れるけれども、このように比較的厚さ比率が低い１易合
に１１．ｉ（通な範囲内の厚さ比率である場合よりも結
果が相当劣る。 更に、厚さ比率を低くした場合には、カン．鈍されＩＣ
製品の第５図中において層３４で示ざれる絶縁化合物形
成物質層が相λｊ的にＩ！；Ｉ＜’．ｒる。大ぎざを名
慮に入れると、絶縁化合物形成物質層の全部父（３１人
部分が反応して絶縁刊の金属間１ヒ合物を形成覆ること
が望ましく、その場合に（ま第５図中の層３４Ｉこ相当
する層は存在しない。 」二記のハイ・ミュー８００／′ジノレ薯ンのリ−ンド
イッヂ｛［η）告体１４を、耐Ｊツヂング１酌１６どじ
で動くｆタニウムの層で蔽った。サンドイツチＩＭ８体
ど酎−「ツチング層とを、低炭素ｆａ製の鮒１８中に人
ね、充填金属どしてハイ・ミ−１．−８００と今ｌｎｊ
学的にＰ１質が類似している低炭素鋼充ｊ眞金屈２０を
川いＩこ。 ハイ・ミコー８００と金属学的性質が５工１叙するイの
他の適当な充填金屈は、銅ニッケル合金である１，勿論
、他の型の磁１／１祠利を使用づ゛る揚合には、他の型
の充填金Ｒ類を使用する。一匠しＣ１軟磁性祠斜であれ
ば何でも使用し百るこどに＞ＴＱすべきＣある，，適当
／．Ｉ一軟１６↑（１拐オ′≧１の他の例は、二］．−
Ｔ３−クのハン・ノストランド（ＶａｎＮｏｓｔｒａｎ
ｄ）礼から１！）．’ｉ１’４に刊匂されたリチャード
・エム・ボゾルス（Ｒ：Ｃｌ１ａｌ’（ｌＭ，Ｄｏｚｏ
ｒｔｈ）著の［強１ａｉ’ＬＪ（ｌ’ｆ！ｒｌ’（ｌｎ
ｌｉｌｎ旧Ｈｔｉｓｍ）．及びアメリカ金属学会（ＡＳ
Ｎ．？ｉ）から１９６１仝｛″に刊行ざれたアメリカ金
属学会金ｆｌＪｔ．ハンドブック委０会（Ｉｖ’ｌｃｔ
ａｌｓＩｔａｎｔｌｂ００ｋＣｏｍｉｔｔｅｅｏｆＡＳ
Ｍ）編の［金属ハン１”７／ツクＪ（ＭｅｔａｌｓＨａ
ｎｄｂｏｏｋ）の第７８５頁乃至第７９７ｙ１から明ら
かになろう。 装置２２を滅Ｖ１にした後、７００゜Ｃに加熱し、１．
２７ｃｎ＋（１／’２イン゛１−）の積層物流動ダイを
介して押出し（各層の厚さを減少ざＶ拡散１８合した。 押出されたビレツ１へに１福化第二鉄エッチング溶液を
吹さｆ・ｌＩ：Ｊ’（、低疾索鋼の罐及び充填部分を除
去Ｊる。ブクニウムは塩化第二鉄に侵ざれず、従ってブ
クニウム及びリンドイツブ｛角）古体がイの倫残るから
、チタニウＬ、を選定したのである。エッチング］▽稈
の結果物は、方形の列状に並／Ｖだものであり、ダｉ／
ｌ図の顕微鏡写真に示す断面を有する。次いで童ナンド
イッヂ｛１４造体を史に圧延しｃ，０，！１０８ｍｍ（
０．０．２０インチ勺厚とする。 押出された平らイ１貯蔵品を問械加Ｔ−Ｌ（、＋１−．
７）形の断面を有する１・ロ１イドどじ、１・１１イ１
・の凹凸を取り、＋Ｉ′ｌｈ１品の娼：部を汚染・シ（
いる金屈を除去するために弗化水累一硝酸溶液で−１−
ツチングした。 次に、幾つかの１〜［１イドを９００゜０に２１１ｊｉ
間加熱し、加熱か中に保持したまま敢冷した。ごの結Ｌ
１．！、磁性層３２が完全に焼鈍された状態ど４１つ、
第！：）図に示されるように人ぎ１．１粒ｒどなり、［
熱的双晶１（粒了の幅が広い）に４ｆる１，倍率１３！
｝Ｏの第［）図の顕微れｌ？７′真ｒ＋ま完全には示さ
れ℃はいないが、ジルー］ン及びハイ・ミ：．＋−８０
０の層の間の内部１１Ｉ＋ｔｉｅにＪ、り、Ｎｉ−Ｚｒ
系の状態図に示されている金属間化合物のはとんど全（
が形ｙ戊された、，γｉし乍ら、第５図の層４０は、恐
らくジルコン及びハイ・ミコー８００の第−の雷気絶縁
ｔ１金属間化合物Ｃあり、従ってハイ・ミｉ−８００と
比較すると遥かに抵抗が高い。 押出ざれた平らな貯蔵品から作った加Ｊ．物のいくつか
には熱処埋を加えなかった。この熱処理を加えイ，一か
った１〜１］イドと焼鈍したト日イドの双方を変１『器
の形状に巻線して、公知の技術により同−の構成どして
比較に供した。所与の周波数の既９，［１の父流’ｊ’
ａ’７Ｑを各変珪器の一次側に流し、変圧器の二次側か
らの出力電圧をインピーダンスの高い電月ｉｉ＋＜１０
メ万Ａ−ム）で測定した。特に高周波領域において、本
発明の焼鈍した１・［１イドを有する変１ｒ器の二次側
の起電力は、同−駆動電流にお（Ｊる力２鈍しイｆかー
）た１・ロイドに表われる起電力よりｔＪ遥かに人きか
ー）た。更に、本発明の焼鈍した１〜［Ｉイドを石り−
る変Ｊ１：器（ユ、熱鷺理ｌラに１ｑられることが明ら
かになー）た絶縁すノ１の金属間化合物の増大した容量
’Ｍ果によって鋭い共鳴周波数を示した史にΦ・Σ２イ
ｆこど【４１、本発明の焼鈍した構）告体より成る弯汀
器は、通常の構造の変圧器よりも、数次１−の−ａ−グ
ーのマグニヂコードでｆｍ好４１結架を１−）たらづこ
どでｄ６る。［２Ｉ１ノ’＞、本発明の構造体の周！Ｉ
Ｒ９ｙタ１０メガヘルツにお（Ｊる応答特性は通常の変
ｒ『−器の−Ｊ）７−が６０−ｉ：ｃ１ヘルツにおいて
示す応答特性よりも良好Ｃ′ある。更に本弁明の構ｊ告
休の応ｈ１寺性は著しく−定しており、方公知の１１−
１造１ホＪζり成る変Ｌ「器の応答特↑（１は人力周波
数が１０−１１１７１ヘルツに達づると係数で５稈度下
がる，， 本発明の曲の二つの実施例に（１ノいて（、１、第３３
図に従ってサンドイッヂ構）告体１４をＩｆ？＋成した
、、での＝一つにおいては、０．０１７８ｍｍ（０．０
０７｛ンブ）ｊ７のハイ・ミ］一８００の層１０が０．
００１７８ｍｎ＋（０．０００７インチ）厚のブタン層
（第３図の１２）とこれに隣接するヂタンどほば同じ１
！ＩＩさの酸化されてい２ｉい導電１ノ１の高い銅（０
［１１ｃ）とから成る複合ト呂によって分１！１１１さ
れている。ハイ・ミｔ−８（１（ｌがら成るＩ！ｋ性材
利中に拡散しｌごどさに、これに害を綬ぽざないことが
わかっており、銅ＩＪブタンど絶縁性の金属間化合物を
形成Ｊるこどもねかつ（いたので、銅を選定したのであ
る。｛１１シの実施例において｛ま、ｆクン層１２をカ
ドミウムにｉｊｌ．ｌさ１伸えた。シ１造ブフ法はその
１１ｊ！の点において【ｊ、、上記と同じであり、試験
の結果も同じく｝＾冒１リベさしのであー）た。 従って、金属間化合物が磁性祠Ｊ’ｌ自身から形成ざれ
わｔ．Ｋ’＜Ｅらイ１いどいう必要牲は認めらＦ′Ｌな
かった。 史に、銅のような介在する金属が磁性金属中に分１１タ
ｚｊれｉ，１、ｉｌられる構ｊ告体の周波故応答特性が
改舊ヒ｛′シるこども刊明した。勿論、ある点以上に強
い分散が一」｝これば、磁性月利自身の！４ｉ気特性を
損″″ｌ（ノれどし、ｔの点に達づるまでにおいて（Ｌ
ぞの種の分１｝（を助１％（するどＪ；いこどが判明し
た。１クｌえば、ハイ・ミー＋−８００／’銅−ヂクン
の例においてＬｔ、６％木ｉ５；ノ銅カハイ・ミ−７．
−８００中ｉＣ分散シてＬ）ｉ６：＋足すぺきＣ１果が
得られることがわかった。 第３図の銅４４の層は、絶縁性化合物形成｝Ａ￥２１層
の即き３Ｊ、り柁しく厚くてはいけない。実際上、変１
１−器へ応答１る揚合、高導電性の介在層は焼鈍１−稈
中に実質的に完全に反応して頭初の介在層の代りに金属
間化合物が形成される程度に薄いものであることか望ま
しい。結果物である変圧器用の実ｆｒｉｐ形か介白金屈
の未反応層を保持し（いＣはならイ，−いことを愈昧Ｊ
るちのではイ了く、このよう＜’ｒ未反１，ｉ−、層の
Ｐ：！さが増加《ＪればうｊＪ’電流にｊ、るｊ（−）
久が１曽加づることを危味する。そして、介在層の１９
ざが軟磁性４３利層の１９さに達刀れば、介（１層をｉ
ｉＬ’ｌ’Ｊた利点がイｊくなってしＪ、う。更に｛［
１の実ＩＩｉＩ例においては、銅をニッグルにｉ宛模し
た以ク！は１記ど′ノ；質的に同じであり、結果もほぼ
同じ（゛ある。 本発明の他の実施例を、第（ｊ図に；曳蔽ＩＭ造１本に
ついて概略的に示刀。遮蔽」ノンドＹツ−ｆｌｉ／＋’
ｒ’ｅｉＩホ１４ｓＬｊ，第３同の実施例の介イ＋’）
ｆ’ｉ４４と比φ☆りるど，１（１い銅層４６を有づる
。この層４６は隣接カる−１タン居４８ど軟磁Ｐ１祠利
１０との間に配設されく冫、１５１４層と軟磁性祠わ１
層との厚さｌｊＯ．０１７８ｍｍ（０．００７インブ）
であり、ブタン層のＩｔ７ｃ３は０，（ｌ旧７８ｎ＋ｍ
（０．０００７インチ）である。その他の点につい−（
は、−１述した実施例と同様にして製造した。然し乍ら
、Ｃの場合にはヂタン層４８は軟｛６↑ノ１｛イオ゛≧
１１０及びＩ′７い銅層４６の双方ど絶縁性の金属間化
合物を形成りる。これらの金属間化合物は、第５）図の
５ｊ３Ｇ，３Ｂ及び４ｏと同様の化合物であり、１１１
られる，ｔｋ４層（、１電１リ；摩蘭に働くに充分な稈
痕にＩ′Ｐい。７＋’ｌ′・）で、ビレッ１〜の厚ざ減
少を行ない削り出Ｌ，を行イ『・〕た後にＬｌ：，ｆｆ
ＩＪ層４６が電界遮蔽層どして動き、第５図の１１１３
２に相当刀るｌ姓↑ノＩｒＶｉ１０／Ｊ＜磁界遮蔽層ど
して勤く。 高》９電慴層４Ｇを電界遮蔽に用いる場合には、焼鈍１
稈中（Ｓの全部が反応してしまう稈薄いもの（゛あつて
はならない。実際上、絶縁１７１の化合物物゜（゛Ｉの
ｂ’う４８の少／．ｆくとも３倍の厚さでな（プれば４
１らイ＾′い。金屈間化合物の生成反応終了後に残存づ
る１’；！ｊ４Ｇが、残存する軟磁１ノ１月オ′｛１の
層とほぼ同じ厚さであることが好ましい。然し乍ら、遮
蔽１′ｒ用に関ザる限り、１易所的な制限に合う限り、
高導電性層は所望（こよりもつと厚くするこどもでぎる
。ある｛中の；川蔽に川いるどきには、導電層４Ｇを軟
｝６↑！Ｆ．ｂ！′ｉ１０と絶縁する必要がｔｉい場合
もある。従って、この場合にはト１〆１４８をはぶく。 ；鳴Ｉ敗用に用いる実施例においては、第２図及び第３
図の変月器用の］１へ造林と遮蔽用の｛１４）古休とを
絹み合わせる。即ら、第７図に示すように、押出しヒレ
ソト（．Ｉ，、第２図に示Ｊ第−のリン１こイツブＲ／
ｉｊｉｔｊ本の層１４ど、第６図に示す如ぎ遮蔽層から
成る第二−のリンドイッヂｉ’ｌ’ｉ３告休１４Ｓどを
右する。厚さ減少及び造形後、サンドイツチ構造体１４
によつて得られる変圧器用の部分をＮ４１κＩＥＩＪ又
（Ｊ−受容｝乞目１二回路に接続ずるけれども、ザンド
イッチ４；，：ｉ青１ホ１４３にＪ、って１″．＃られ
ろ鴻ｉｉ１川の部分ＩＪｔ．ｌ）７続しイ「い。ＩｉＩ
ｉくの如くにｌＪづ−ことにより、攻蔽部が変１１器用
の部分をｎいに；膜蔽１るがら、第７図に示《Ｊ複含４
／，ｊ造ｆ４−はマルチ・１・フック記録ｌ＼ツドど（
，（使川りるの茗しく適したものであり、礎汀器用の部
分（３１夫々］・ラックとして働き、でれに隣接りる遮
蔽部が他の変！［器用の部分／）目）の［漏話」を防１
１りる、，当該技術に通１！ＩＩＬＬ，ｋ者であれ（』
、回路ＭｆＪＩ：＋〜く眼略的に示ざれたもの−（”あ
ることを認めるデ（１リ／一う。 例えば、図中のＬ（ｔ線によー）（部分１４が体に接続
されているこどを示リ−わ＆：Ｊ−（（．１イ−１＜、
ｌＩｊＩ路Ｍは電気回路部を有し｛［１るのである。 上記の方法は公知の技１・ｊｉＪ、りｔ）遥がにｊ［Ｊ
：５．’（Ｊ．７ＪぺきＩ）のであることは明らかであ
る。伺故Ｉ．Ｊ゛１）、千作業による接合が必要で”４
Ｃ＜、スクノッｌ・１−１ス率が無祝し得る程疫だから
である。勿論、本発明の特徴による構造体におりる周波
数応答特１ノ１の増加は驚異的である．、更に、押出さ
れた平らな貯蔵品から製造された多くの累了は、均−＝
であるから、令（のヌ−．ｌ”ｌ：Ｉ整合１る。従って
、整合した素了を１１１るための費川ど困勤が除去され
る。又、金属間化合物ｔＪ，Ｉｌ″富゛にＷｊいから、
寄られる積層品はＩＩｉ４１’ｊ粍１ノ１が高く、この
１ノ［買は磁気記録ヘッドに応用７ｖるｊ易合に中サな
利魚となる。 イ（発明のこの特徴は、好適イｆ丈施例に関連して訂し
く記載されているから、本発明の思想及び範囲を逸１１
（２することイＴく、細部や形状について種々の変史を
加え１１７るこど（Ｊ、、当該技術に通賄した者に理解
されＪ、う。例えば、軟｝］１ｋ竹月利の層間にｆ＝１
加祠わ層を配設することもできる。押出し夕一ｒど関連
して最初の拡１１（１ざ゜着工程を記載した（ノれども
、月延又は力旧１によって同様の接着を得ることがでさ
イ》。１力に、絶縁１ノ１化合物物′ｉ′ａｔＬｔガス
状の成分を含有し１１ｊ、千作業でリ−ンドイップ４７
．５造体にづる代４′）１つ（こ軟！ｉｎ１’．ｌ伺利
上に電盾、蒸着又はぞの他のノノ法（・配設することも
できる。又、厚さ減少を行なー）た層を押出し罐から分
離する際に他の技術を用いることで）でき、ザンドイッ
ヂ構造体ビレツｌ−に何加層を加えるこど１）できる。 リンドイッヂ構迄体素了の寸法を特定し７ｋが、−・１
法ｔｊ．＝１法比’￥｛’Ｃｌど市要な点ではない。多
数の層の最終的／．１厚ざは、周波数応答１Ｓ性に１シ
ワしＣ車要で・あり、こね（ｊ几』さ減少によって制御
でき０．０（１２！ｉ／１ｍｍ（（１．０（１０１イン
チ）にまで薄くすることがぐきる。 ｊ−．５ｒ’６の如く、反応しー（金屈間化合物を−形
成りイ〉物質の代りに、高抵抗の曲の物′Ｃ″Ｉを用い
ることしできる。−実施例においては、０．００１７８
ｎ＋ｍ（０４１００７イ＞％）ｌｊ；ｆ（ｒ）７）（．
ｒミニ’：／ムｆｉ’Ｔｈ上Ｌ約０．（１０４２７ｍｍ
（０．０００！１インチ）のＩ一！さ（こ砒ＸミをｒＡ
．’（ｌｔＩさＬＪ−ＩＣ。 第２図の梢層品と同様のＩＩ″１層品か軟｛６１１金屈
〈ハイ・ミ−＋８００）及’Ｏｉｌｌ：累被ｍｉｉ”Ｉ
ｌに形成された。 次いで積層物に斤力を印加し、軟磁１ノ１金属の焼鈍渇
庶にまで加熱した１，砒素とアルミニウｌ１が反応して
軟磁性舎屈の各層間に、丁｝り１４・又は７ｌ．’ｅ′
ｆ的に電気絶縁１’ｌの層が形成され！、：。１１１ら
れた情層品を仙磨し、試験に先ウ．ってつや出しを行く
しろ。 アルミニウＬ９Ｉｉを用いる他の実施例にａ３い（は、
０．００１７８ｍｍ（０．０００７インチ）のアルミニ
ウムｈ１に０．０（１１（ｉ０ｌ１１ｍ（０．０００６
３インチ）のアンブ｛ン層を沈積さけ、これを軟磁性金
属と積層した。この積層品を軟磁１ノＦ金屈の焼鈍温度
にまで１ｊ［１熱した。 これにより、アンヂモンと軟磁性金属どの間に拡散接着
が？１なり机、アルミニウｌ１がアンヂモンど及応しで
１′｝９体又は本質的に絶縁性の層が形成ざれる１，拡
散接着部分ｌｉｔ恐らく絶縁１ノ１ではないが、百られ
た崖》Ｒ体層が充分に電気的に絶縁性であるｈ目）、１
！．１られた積層品は仝イホとしＣ、例えば磁気ヘッド
と｛ノで用いるために総合的に優れた特＋１を右りる。 軟磁１ノ１金属ｋｒｉ（約０．０２５４ｍ＋ｎｌＯ．Ｏ
Ｏ１インチ１厚）は厚さ減少されていないから、１！１
られろ｛１゜ｌｊＡｌ！体の高周波応答特性は、上記の
厚さ減少を行／ｆつだ実施１ケ１にあ（プる稈顕箸には
向上しない。 然し乍ら、同じ厚さの公知の積層品の高周波応答特１１
１（ご比べれば、幾らか高周波応る特竹が向」一づる。 で゛の理由は、公知の積層品の構造におい−Ｃは除去さ
れていなかった製造時に生ずる内部応力を除六Ｊ−るＩ
ごめに、積層接に焼鈍を行なったからである。更に、公
知の積層品のスクラップ・ロス率は大きく、本発明のｆ
ｒ徴【こＪ．イ目ζ゛１層品（、１虎かに均一であり、
高抵抗層のｌｉ’ｌ！度が大きいため本発明の積層品の
−１摩耗性【、Ｌ茗じ＜ｉ’；：：１’い。 本発明のこの特徴による他の実施例におい（は、抵抗す
ノ１の高い物質を直１８に軟４．１目リ１金屈ｈ６．１
−ｔｗ沈積さぜたから、これらの層がｆシｂ１・１、ｌ
，？Ｔξ；１低抗のＲ・″ｊを形成１る必要がな＜＜Ｋ
つた．．ｌ’／ＩＩえばＩＹレンを軟＋４ｋ性金属上に
沈積させＣ、砒素ｊ′ルミニウｌ１の実施例についＣ記
載したと同様の竹質をイ’ｉ’−！１１る偵層品を１１
？るために、十述ど同じ方法でＦ１み重ね（積ｈ′つ品
を形成ざせる。−酸化シリニ」ン４一用いて１〕同様の
結果が得られる。実際上、高周波応凱Ｑ’ｒ竹が積層品
を配設づる特定のシ２品に・乃求さｌ’ｌる手要ノ『性
質でむい揚合には、複含柏層品を軟磁性金屈の焼鈍温度
にまで加熱づる必要し／Ｉ一い３，半＞９体Ｎ’ｔ．１
その他の１！′も抵抗層の硬庶にＪ．−１でもたらされ
る所望の耐摩耗性を１１１るためには、構造体に適切イ
「接着を５える程度に加熱するだ（ＪでＪ＝い。 半導イホ又はでの他の高抵抗の結合物をｆ＝１加成分と
して用いることもでき−る。第２図の軟磁性金属問の層
は、例λば１｛）、錫又はハフニウム上にｔｌノンを沈
積さけて成るものであってもよい。その他σ）０のを例
小りるど、硫化力ドミウム、硫化釣、配化力１・ミウム
、ｌｊｔ化亜鉛、酸化亜鉛、酸化ニッケル、Ｉｌｌｌｉ
ｌ化ゲル冫ニウノ＼、硫化錫等であり、詞ハイＡ州クリ
ーノンンドのケミカノレ・ラバー・カンパＬ−（Ｃｈｏ
ｌｎ：ＣｉｌｌＲＬＩＮ’ｌｅｒＣＯｍｐａｎｙ）から
刊行ざれた「物理及び化学ハンドブックＪ（ｌｉａｎ旧
１００ｋｏｆＣｌＩＱｍ：ＳＬｌ’ｌ７ａｌ’ｌｄＰｌ
ＩＶｓｌｃ３）に記されＣいるものと同程摩の１ネルギ
ー・ギャップへイｊ（Ｊろぞの他の化合物を用いること
らできる。 １９７２−．１’１１７３η′版（５３版）では、この
種の半導体免了は「８１）貞乃？ｉ’［０２貞に列挙さ
れている。 半導ＩＡを用いる実施１９１は、メッキ、蒸着等の或る
タイプの沈積を必要どする＋１Ａ）ａＩ−／乍ら、今説
明している本発明の特徴にＪ；れば、そのような沈枯Ｆ
稈イ，一はふくこどｈ＜できる。同様の物質の層を焼結
又＋ＪＣの他の方γ人で−体に結含して磁性積層品を）
１２成１ｊイ）こどｔま既に示唆さ−１′１５でいる。 シコバルツ（Ｓｃｈｖ＋ａｒｚ）に与えられた米国特８
′［第３，４７８．３４０月明細Ｊ１はぞのＪ、うイ『
力法を記載し（いる。１然し乍ら、この場合にＬＪ．，
．Ｊｌ常に抵抗の高いしごラミック型の粉末状フ１ライ
１〜ノ）＜、杉）末状１！ラミック自体によって結合ざ
れてヒシうリシス・ループの人さな高透磁１′！［の槓
層品を形成寸る。即ら、シ７バルツは、１０２乃〒１０
オ一ノ、・Ｃｍの範囲の抵抗を有づるフＴライ１〜を用
いたのにス１１シ、ホ発明の軟磁性金属類は１０′Ａ−
ム・Ｇｌｉｌ稈庶である，．本発明の目的の一つは、相
Ｕに類似し４『い物ｖ′ｊ、｛９１えば透ｆａｔ＋Ｉが
低く、ヒシデリシス・ループが小ざく、抵抗の低い軟１
社１ｌ１↑属と相対的に電気的に絶縁性の物質とを、製
造１１２に１１／ｉ間の１η合を破壊づるこどなく軟磁
１ノ［金屈を力’Ｉ＋鈍？ｊるどいうｈ法（・１８着す
ることである。従前にａ５いては軟磁ｆ’Ｊ金届１ζ・
ｊは、例えば−■ポキシの如き｛−ｉ’ｌ；．１！接名
剤で１８合されており、右機接着剤による接合は温度を
少しｔノ，めた場合にも破壊されて偵岡品が分顛してし
まう。 条件が合いざえすれば、ガラスと軟磁１／４金属とを積
層し″（加熱し、それらの間ｌｍ接合を形成さ１！るこ
どにより上ｊ小の目的を）ヱ成リるこどもぐきることか
Ｉ；Ａい出された、，原理的に必要なことは、焼鈍後に
軟磁１１１金属の高い透磁率を保持させ、各層が適当に
接合していることたけである。従って、ガ−ノス及び軟
ｔｉｌｌ１′！ｌ金屈の熱膨川ｔ係数が、ガラスの歪！
：λ渇度から１町１られる横造体の使川温ｍに至る温＋
（ｉ領戚内において｛』ぼ同程度であるように、ガラス
及び斬（｝公１？１金屈を）欽定する。 上）ホの魚に関して、刀゜シスは実際には結晶物′δＴ
ではない０れども、ガラスの粘磨を指数として定められ
る数詞の中要な臨界温度を右Ｊる、、上記の［作動温Ｉ
Ｉ−ｌ以−１−のガラスを流動カラスという。 この｝晶１ｆｔＪ、り梢／２低い液，酊内に［軟化｝１
１λ度１がａ白し、軟化温庶以王が１焼鈍温１α−１で
ある。カラスの１−歪渇Ｉａ］又は「硬化温度−１（ｊ
、、更に低い温庶て′ある。歪温磨以下においては、ガ
ラスは内部応力を補償することがでぎ゛ず、内部応力が
ガラス中に導入される。然し乍ら、ガラスを焼鈍温度（
こ、１、′（加熱一づることによって内部応力を除広す
ることかでさる，．歪温度以上では内部応力は導入され
ることは／７い。従って、軟磁性物質とカラスの膨服係
数が＝一致すべぎ温度領戚は、刀′ノスの歪湿■良から
室温く即ち、得られる＋：ｎｉ告体の作動７！Ｉａｌａ
）までの間である。 本発明のこの特徴による−天ｈ１！例におい（、軟磁性
金属はハイ・ミｑ．−８００であり、カシスは１９６５
年刊の［−カーク・Ａスマー・−「ンリイク［１ペーｉ
イア・オブ・グミカノレ・テクノ１了１ジー１（Ｋｉｒ
ｋ−ＱｔｈｍｅｒＩ丁ｎｃｙｃｌｏｐｅｒｌｉａｏｆＣ
Ｉ＋ｃｍｉｃａｌＴｅｃｈｎｏｌｏｏｙ）の第２版に［
］一ニング１９０（ｊｌ（Ｃｏｒ旧Ｈｉ９９０）どじで
ｆｉ定されイ′（る３，コノガラスの軟化点は５００℃
、焼鈍温度は３７０゜Ｃ．歪点は３４０゜Ｃであり、４
１％の酸化シリ−ｌン、４０９６の酸化鉛、１２％の酸
化カリウｌ１、ｊ）％の酸化づ１−・リウム及び２％の
酸化リザウｌいから成る。 第８図に関して、フレツ１・（ｉ０の１台はガラス６２
の層と交Ｎに重ね合わされている。フレツ１−は、ｉＭ
通の軟磁性祠わ１シ一トから成り、その中に光学エッヂ
ングされた索了６４をイｊ引るｎｊｌ’ｑｒ６６は５”
−’７・ヘッド部であり、カラスは例えば米日、ｌ特５
′［第３，３７１，００１Ｆ−３ｎＪｉ細”Ｊ’＋ニ記
ａノｌ）ｆ’ｌ＋ＬＪ．”Ｊ揮発１ｌｌ’７）イ」聞拐
着剤によりｊ−ゾ］ノク侶）青（，＋Ｖ４）＜に形成さ
れた粉末カラスシー１〜から成る。 φ欠（：ｉ目’ｌ１７）−）ｌ／ットは、約０．０２５
４ｍｎ＋（０．００１インＦ）（ハ（９さ（゛ある。清
冫了ｌこしｌζ１リ｛こ、Ｉｌ反７０から１１ノに延仲
づるｉＣ／買決めピン６８と孔部６６とにより所定の位
置にフレットを置く。これと交互に配設されるカラス１
曽のＰ；！さけ約０．００５０７ｍｍ（０．０００２イ
ン丁）であり、第９図に示ずような積層品が形成される
。ここで層６０は第２図の層１０（こ相当し、層６２！
Ｊ第２図の層１２に相当Ｊる。 ｕｇ状の集含｝Ａ＼ム・力）中にｉδさ、酸素を含イ」
４る゛雰囲気中で加熱りる。有機接着剤は揮散じて、望
二トし＜４１′い残泊を銭さｌｒい。次いで軟磁↑ノ１
金属の層を接着づ−るに充分な稈磨にガラスを加熱する
。即ｌ）刀二ノスを軟化貞、この場合には５００゜０、
以十に加だ｝り−る。 次い（接合した（ｉ！７層品６１及び厚ざ制御ブ［１ツ
ク７Ｇ−１−に，１５もり７２を鷹く。おムリ７２の位
置きめは、ビン６８と孔部７Ｇとにより行ｔｆう。構造
体全体を｝）．＆１−１１ノ１・ル１．又はぞの他の酸
素を含有しない容器内（，（：ｇ（き、続いて行イ７う
軟｛φ目ノｉ金１ｉバの焼鈍加熱二１稈（ハイ・ミュー
８００の場合には約６００℃乃至１２００℃）間に酸化
が起こらない６１、うにりる。］！Ｉｉ＜の如くにして
、ゲーシ・ブロック７６の１．１さ（こよー）で決まる
所望厚さによで゛積層品をお６り７２にＪ、りｎ幅し、
軟磁性金属を完全に焼鈍して製）も時の内部応力を除去
する。 焼鈍した積層品を、用いた軟厳目４１金属に応じｉｔ冷
２ＪＩ：ｌ［程に供する。例えばハイ・ミ］一８００の
場合には、その−Ｉ＋−り−ｆｆｉ八麿（ハイ・ミ＋−
８０（１の揚合約４６０℃）からキコーリーｄ１配１宸
Ｊ、り稍Ｑｆｌ（い｝晶Ｙσ（この例一（は３７０゜Ｏ
）｛こ′Ｉ＜る，１、（、焼１屯｝晶度からの冷１１ｌ
１速痕は、１時間当たり約１９５゜Ｃ乃争２８０゜Ｃ（
・゛ある。湿度勾配によー）で起（二１ツｊ！ｑる内部
応力を防市するために、３７０℃から４０℃に〒るＪ、
で１時間当たり１００゜Ｃて積Ｋ（１品を冷７．１１Ｌ
／．二１リ、炉から出す。 最後に、完全に焼鈍した積層品を公知のｔｉ法（Ｊより
所望形状に切断し、｛１月ＩＰ．づる。 １二記の方法で製Ｊｉ’ｉＬ／こ６ｔ，層品の透｝姓率
は非常に優れたしのであった。次に、同じ厚ざ（０，０
２！ｉ４ｎｌｎ１［０．ＯＯ１インチ１）ノ軟ｖＡ＋ｉ
金ＵＡＥを有する市町の右苛物で１ａ合ざれた積層品と
の比較を示Ｊ０本介明の万法にＪ：れば、明らかに透磁
率が改善され、史に厚耗１ｌ１↑ノ１が非゛謂に優れた
均−な４Ｍ５貴体を低いスクラップ・「１ス率で得るこ
とが（゛きる。 然し乍ら、ＩＴ！にΦ要なこどは、４′ｉｔｉ物接着剤
を右刀る市販の積層品の場合には製造後に焼鈍すること
がで２〜／ｆいから、超薄層の軟磁性金属箔を槓層ざぜ
て満足すべき一積層品が１ｑられむいこどであるＩ見１
人（こおい゛ては、０．０２５４ｍｍ（０．００１イン
チ）の箔が実際１−の最小厚さである。これｔ，７ｓ−
１シて、本発明によれば、これより道かに薄い箔を出発
ＩＩｉｔＪｉｉｌどずることができる。何’／ｆ！’．
ｊ：ら、！！ｒＪｉｌ干．’Ｔ．’程後に行なう焼鈍工
程中に、製造に起因覆る内部応力を取り除くことができ
るｈ目）である。木ブＬ明のｊｊ法にＪ；り超ａｌ層の
箔を使用すれば、厚さに大略逆比例１ノで積層品の高周
波応答特ｆ１が増加りる。 現在のところ市販に供されでいるイ４｛幾物接＠ｆ＋’
ｉ層品Ｃ゛、ぞれ稈イ埠い軟磁１ノ１金属層から成る０
の（３１ないから、比較データを出刀こどはできｌＩ′
い。然し乍ら、本発明のｈ法は標ｉＪＩ的な几Ｊさの軟
磁１７［祠料から成るｖ４層品の透磁律”を増し、１ｆ
耗特性を大幅に改良覆るばかりでなく、本発明の１ノ法
により軟磁１／１祠別の厚さを驚ＷＮ的に減少させるこ
とが可能となり、従って高周波透磁率を増加ざｌるこど
ができる。 金属とガラスがほぼ同じ熱膨脹係数を持っている限り、
上記と同様の結果を得るために仙のガラス類と他の軟磁
性金屈プ：口とを組み含けるこどもでぎる。例えば、上
述の例においては、］一ニング１９９０刀ラスどハイ・
ミｒ．−８００の熱膨服係数は、゜ｆ温及び歪点（Ｉｉ
！Ｐ化点どｌｌ’ｌ’ばれることもある）１品度に（１
ノいて実買上同−である。コーニング１９９０ガラスの
２５゜Ｃ乃Ｔ３００゜Ｃにおける熱膨脹係数は、約１３
７Ｘ１０Ｃｍ，’Ｃ…・℃であり、ハイ・ミコー８００
の熱１１Ｙｊ１１１５係数は約１３６Ｘ１０ｃｍ／ｃｍ
Ｈ’ｃである。 ２Ｓ”Ｃから歪』１゛ＪミＲＷｌα（３４（＋’Ｃ）ま
での間のｌ’＋ｆｉｔ艮さにス・１する力うスの変化は
４３３ｘ１０てあり、ハイ・ミｑ８００の同じ湿度範囲
にお（づる弯化は４３０×１０−５であり、この両物質
間の最大偏差は約２００゜Ｃにお（Ｊろ約００Ｘ１０−
６ＣＩｎ／ＣｍＦある。膨脹１σに１００力分の５００
以上の相違があっても、これを泊容（．さる揚合１）あ
り、ｉｏｏｈ分の１００程度の４１１違によって急き起
こされる問題は比較的小さい。従って、本発明の［１的
に則しで考えれば、ＩＩ？Ｊ月ＩＮ率に１００万分の，
５００程度の相違がある場合には、膨脹率か実７゛Ｉ的
には同一であると考えることがでさる。 万ノスど軟｛６性金屈どの他の多くの組合けち同様に；
１）″４足Ｊべさ結果を勾える。例えば、ハイ・ミ：］
．−８００を］一ニング０１１０又は９７７Ｇと組合せ
て用いることができる。 ：ｌ：ｌ−ニン’ｊ０４１０（７）１１１Ｍハ、８１０
２５０９ｒＩ、［＜２０１９．５％、Ｎａ２０６９６、
ｉ３ａＱ１０％、△１，０３５．５％、ＣａＱ７．２％
、Ｖ１，８’Ｘｌ−Ｔ：アル。−１−二：／ク９７７Ｇ
（ｆ）組成（、１、Ｐｌ１０１１８’，３ｒ＋，Ｉ−３
２０３１２’，３｛＋である。然し乍ら、軟化点のＪｌ
常に低いカ−ノス７Ｃｉを用いたどきには、カラスの晶
買をｆ代十さ口４ｆいために積層品を軟磁１イ１層の焼
鈍？１１４庶に、１、Ｃ’１＋１１熱しないことが望ま
しい．，叉、１−ニング（’＋８１０カフスを４２％の
ニッケルと５８％の鉄とから成る軟Ｖａｆ’ｌ金属と積
層さゼてもよい。このガラスの組成は、−酸化珪素５６
％、酸化アルミニウム１０″）６、ニニ酸化ｔｉｌｌ累
１％、酸化ナ］〜リウム７％、酌化）Ｊり『“／！ｚ１
％、酸化カルシウム１％、酸化ｊ４ｆ３９ｉｌ−（：ｄ
うり、０゜Ｃ乃至３００゜Ｃの｝６１１囲内に（１’ｉ
ｌる平均熱膨服係教が６９×１０−７ｃｍ／ｃｍ・℃で
ある。この゛３ｒｈｌｌ！！例にＡｊい（用いた軟磁性
金属の平均熱膨服係数も、２５゜Ｃ乃至４５０゜Ｃの範
囲内にＪ３いて約６９ｘＨＩＣｍ，／ｃｍ・℃である。 池のθｒ）内な積層品は、＝１−ニング８８７１カラス
ど、５０．５％のニッケルと／１９．５％の鉄とから成
る軟１４１１ノｌ金属合金とから陵る。ガラスの組成は
、二酸化１１Ｚ々４２％、酸｛ヒリヂウム１％、酸化ナ
］〜リウム２゛兄、酸化カリウ２８ＧｌＸ＋．酸化鉛４
９％である。 Ｏ″Ｃ乃’ｉ艷３００゜Ｃの範囲内にＪ３けるガラスの
平均ｐ＜ＨｌｌｊｉＩＩＩ、１系故はＨｌ２ｘ１０−７
ｃｍ／ｃｍ−’Ｃｔｌ’あり、Ｉ司じ｝ムシ１良範囲内
にある合金の平均熱膨脹係数は１０１×１０−７０１ｌ
′（：１ｎｌ０Ｃで゛ある。 曲の物質の熱膨服係数は、前述のボゾルス（Ｂｏ／ｏｒ
ｌｂ）文献の第６４３頁以下に列挙されーＣいる。 リーア′ング（ｒ’＜Ｏａｄｉｎ（］）市のカーペンク
ー・デクノＩ１ジー１］一ボレ・イション（Ｃａｒｐｏ
ｎｌ’ｏｌ１ＴｅＣｈｎｏｌｏｇｙＱＯｒｐ，）から１
９６５年に刊行された「カルｊツク・ｊ′［１イス・フ
ォー・Ｔレクｈ口ニック・−、ノグ冫デイック・フ′ン
ド・エレク１・リノＪ）レ・アグリケーションズｌ（Ｃ
ａｒｔｅｃｈ△ｌｌｏｙｓｆｏｒｉｌｅｃＮ１０ｎｌｃ
，Ｍａｇｎｅｔｉｃ，ａｎｄ［Ｅｌｅｃ［ｒ：（ｉａｌ
Ａｐｌ’ｌｌ！（；ｎＬ！ＯＩ］Ｓ）に更に他の例が挙
げられており、り！（こεの曲の命令の膨脹係数は、例
えばビッツパーグの）′レジ工ニイ・ラドラム鉄鋼会礼
（△１１Ｃ９ｈｅｎｙｌ−＋１（ｌｌｔ＋ｍＳＦｅｅｌ
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）から出ざれた［ｊノルジ土二
イ・ラドラｌ１・ブルー・シー１へ番シリーズ」（△ｌ
ｌｅｇｈｅｎｙｌ−旧１ｌｕｎｔ１３１＋１ｃ３１１０
０１Ｓｅｒ！ＯＳ）の如き［業出ＩＶｍ物に１９１１示
され′Ｃいる。同様に、種々の型のカラスの熱膨服係故
は、１９６５年に刊行ざれた１カーク・Ａス−、・−・
１ンリイク［１ペディア・オブ・ケミカノレ・−ｌ勺ノ
１−１ジー１（Ｋｉｒｋ−Ｏｔｈｍｅｒ「ｎｃｙｃｌｎ
ｐｃｒｌｉａｏ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ王ｅｃｈｎｏｌｏｇ
ｙ）第２ｒＪｌの第！＋３．’）〔ｊＩス下、特に第５
７３頁に示されている、，二ーｔ−−１−タのオグデン
出版社（０リｄｅｎＰ１１１１１ｉｓｔ＋ｉｎｇＣｏｍ
ｐａｎｙ）から１９６１年に出された１ハンドノック・
Ａブ・グラス・マニファクブコ’．１（ｌｌａｎ旧ｌｏ
ｏｋＯｆＧｌａｓｓ．ＭａｎｌｌｆａｃＨＩｒｆ’！）
又は、１９１１えばー−ノー゛］一クの−］−ニングの
］一ニング・ガラス会え！若しくはトレド（−［ｏ１ｅ
ｄｏ）の′Ａ−１−ンス・−ｒリノイ・ガラス（ＱＷｅ
ｎＳ−１１ｌｌｎｏ！ＳＱｌａｓｓ）舌の力゛ラス製）
市業者の｛票準カタ］−１グ、’＜ｌ．Ｊジープ・力゛
ラスエ揚（ＬＪＯｎａＧｌａｓＳＷＯｒｋＳ）のス−１
ツ１ヘ・カタ１」グ（３Ｃｌ１０ｔｔＣｎｌａｌ（ｌｑ
）”Ｑを参照され１こい。 １記のシ＋ｈｌｔ＋、１、多くの磁１１１合金煩の熱膨
１１１８係教が約１２ｘｉＦ７Ｃｎｌ，−’ｃｍ−℃か
ら約１３０ｘｉｏＣｍ／Ｃｍ・℃の間に分／ＩｒＩＪ’
ｉｌ：いるこどを示しーＣいる。一力、カラスｆＩ″１
の〃｝１影服係数は平均熱膀服係数約５．５×１０Ｃｎ
１７′（］ｍ・゜０の純粋ので）英（一酸化１１素）、
゛［’均熱＋ｙｇｎ艮１４故１＜Ｊ１５０Ｘ１０−７ｃ
ｍ／ｃｍ１℃ノＥｍ’Ｕ化ｒｌｌｌＡミ（ｆｉ２０３）
’ＩＬに（ｊ熱膨服係数が８００ｘ１０ｃｍ”ｃｍ・゛
Ｃに及ぶ｛Ｉｌｉ黄系のガラスに至る範囲に分イロし−
Ｃいる。 従一）（、本発明を実ＩＡ’ａづ−る揚合、種ノＺＯ′
）骨各１１横１３のガラス’ｆ：（！ど標準磁ｔ’ｌ合
金類とを組合わせることができろ。更に、標ゴｖ合金類
の各温度或いは−定濡度釦囲にお（づる熱膨服係数を増
減して調整ずイ》ために種／２の合金要素を添加するこ
としＣ′さ、熱膨１１１％服係数を調整するためにガラ
スに｛Φ々の変１ノ１剤４一添加゛ｊ＋−るこどしでき
る、，１シ１１えば、ｉ’ｊＦｒｉ！ｉのカーク・Δス
マー文献の第５３８頁及び第５８０頁以下をネさ照され
たい１， ｉ記の′Ｉ′導イホ又はその１１！２の高抵抗層を、第
ε３図に示すと同様のテープ状の形になすこともできる
。 例えば、ハノニウｌいン（４１、Ｌりｆｌ”ンの）分木
３１／レン粉末及び揮発性の接礼剤どｌ：’＋：合し、
テーノ゛１ノ（どじで＾抵抗層を形成さけるイニど０（
さる。これ（、二関する詳■１は、例えば米田特八′［
クｉ３，２！１３，０７２ｒ３明細Ｕ：にｈ己−１戊ざ
れているノン《、！！Ｉｉ＜の如く（こりるこＪ二によ
り、加熱によって右１穴物１８行剤が揮１１（（ノしレ
ンが金属と反応して所望の高抵抗層１）＜形成される。 アンプモン又は砒素の粉末をアルミーウｌＸ粉末と混合
して同様の−１−１を′）クり、Ｉ７られるｉ；１１抵
抗層を半導体どづるこどもでさろ．６ １−記の実施例に（１月プる（リゾデ〕／ヒ１ノン化合
物の抵抗は約／１０００７１−ム・ＣＩｌ＋−（あり、
ハノニウム−セレン化合物の抵抗は約４００００７１−
ム・０１１１である。多くの他の元累５ｉ！＋を−ｊ−
ブ形状にし、ｆＩ１．！層し、反応さｌ！（；’ｃｊ１
抵抗５１ｔｔ橢ｈ・７を形成さ氾るこどが【゛さる。二
種の金屈を反応ざ１↓て金屈間化合物又は８１′導体を
形成させるこどｔ）できる。例えば、しりｆデン又｛ユ
ハフニウムの如き金属は、例えばｌ＆ｉ黄の如き非金属
と反応して高抵抗の無機化合物１１゛４を形成し得る。 例えばセレンの如ぎ粉末状半ラ９体又は１に訂記したＪ
、うに力ウスの如き絶縁物から成るテ一ｆをつくるこど
もできる。 本発明のりコにしう一一）の特徴によれば、積層品を伸
／，／のガスに冨む雰囲気下において加熱しガス４絶打
、層内｛Ｊ拡散させるか若しくは他の１ｊ法にＪ、リカ
スを絶縁層内に尋入づるこどにＪ；り、各絶縁層の硬度
を更に改善り−ることもでぎる。 本発明のこの特徴による好適な実施例においでは、｛１
゜Ｉ層品を製造りる乃υ、は上記と全く同様のｈ法によ
る。ｆＩ！ｉ層品を先ず組込み、削り出し、焼鈍し、！
；Ｉｔｌ臂し、洗浄りる１，次いでこれを水素に冨むソ
目ＩＩ＋気中に［１’ｉいて加熱して、水素を絶縁層内
に拡ｆｉ父１↓しめ、水｛・，を拡１１（ざＵていない
絶縁層」、り０５リ！い水索化金属を形成させる。同時
に、焼鈍にＪ、・）て軟眼１（１材オ゛１１にＩυ適の
磁気特性をｆ］与することができる。この種の適当な水
素化金属類の多くの１列ＩＬＬ”１−▽１−クのアカア
゛ミツク出版（Δｃａ（１０ｎ＋ｉｃ｛’）目！３Ｓ）
から１９６８年に刊行されたミューラ−（１’ｖ１ｕｌ
ｌｃｒ），７ラツクレツジ（ＩＩｌａｃｋｌｃｄｇｅ）
及ひリボウィッツ（Ｌｉｂｏｗｉｔｚ）著の［水素化金
屈類Ｊ（Ｍｃｔａｌｌ−１ｙｄｒｉｄｅｓ）に示されＣ
いろ。 他のガス類を金属類中に拡散ざＵるか冫：Ｌ／＜＋．Ｌ
金屈類ど結合ざｌ′Ｃ、良クＹな結宋を１ｓ１“るＪど
ｂ（゛きる。例えば、酌糸ヤ〕窒素を絶縁層に拡散又（
１．１ζ１４合２”’ＩＡるこどもできるか、これらの
ガスは水木と比較すれば拡散させ鈍い。 叙十の如く、本発明にＪ、イノ’＋Ｍ’Ａ”ｒ捧ｉ；Ｉ
．ｌ！’，！耗１″１１ノ１が改善ざれるばかりでイｆ
く、信頼ｆ’ｌが高く、均１ノ１が｛◎れたＪｆｉ，Ｘ
４ｉ体であることは明らかである。然し乍ら、史に重要
なことは、木允明により軟磁Ｆｌ金属に史に好ましい１
４１気狛｛’ＩをｉｉえくνｌこＵ）ｌこ製造後に焼鈍
で゛さる軟磁性積層品が得られることである。 金属間化合物にＪ、る実施例は、１Ｊ■異イ〔刊点を右
している（Ｊれども、その他の天／＋ｆＧ例｛ｊ、押出
しを゛川さない利点があり、ガラスを使用！１る実施｛
ウ１１はｈｈ看等の操作をも必要どしない刊貞がある１
，従って、ガラスを使川づる実施例（、１、押出し装『
ｊ及び蒸♀゛１装置を利用でぎない小規模の製造業晋に
１！１に適しＩＣ方と人Ｃ′あるといえる。 以下に、本発明の特許請求の範囲内に包介さるべき−ノ
ミｆＪＩｕ例を・万に訂細に列挙する。 （１）１り散層の軟磁性金属層と、ｎいに隣接づる而記
軟｛君１１１金属層の間に配設され該金属層に加熱接盾
した１０Ａ′？−ム・ｃｍ以」−の抵抗を有する少イｆ
くどしＩｎの無｛幾物質層とから成ることを１４１牧ど
Ｊ゛る積層軟磁性拐判。 （２）前記無機物７１層が電気絶縁竹の金属間化ｉ′ｌ
７物で・゛あることを特徴とずる第（１）項に記載の｛
」一層｛Ａ刊。 （ご３）少／．Ｉ：くどし−層の絶縁竹化合物形成物質
をＺ！いに隣１とりる軟磁竹金属層間に配設したことを
特徴とする第（２）項に記載の積層材￥＋１。 〈／Ｉ）軟磁性金属層と絶縁性化合物形成物質層どの間
に介で｝金屈１脅が振１設され、前記介（［金屈層ど前
１）【１絶肩１／１化合物形成物’ｔｌ層間に絶１イ、
性金ｊｈ）間イ１二合物が形成されることを特徴どＪる
第（３）拍（こ八ピ小父の積層材才ｚ１。 （５）’ｌＩＦＩｒｉｌ２軟磁↑ノ１金属層がニッケル
、鉄及び５［リブ−アン合一含イ−１することを特徴ど
する第（１）ｑｉに記載の梢１１ぐ伺オ゛４１． 〈６）前記無機物７４ｉが半々ｆＡ（−あることを特徴
とする第（１）項に記載の１（′ｊ尼ｊ｛，１￥ｊ＋．
（７）前記半導体が第Ｉｎｈ’＞、元素と反応した第＼
ｌ欣元素を含有することを特徴どりる第（６）項に記載
の積層祠別。 （８）前記半導体が−４４Ｆの？１′税１ホズ・ミ了ｌ
》日）成ることを特徴とで−る第（６）頂に記載の積層
相１’ｉｌ．，（９）前記無機物質の層がガ−２ノスの
判から成ることを特徴どする第（１）頂に記載の積層祠
利。 （１０）前記軟磁１１１金属及び高抵抗無｝幾物質の熱
膨服係数が実υ［的にき７しいことを特徴どづる第（１
）項又は第（９）工ｒｉに記載のれ゛１グｉ４Ｊ牢；１
、，（１１〉前記軟１１Ｍｉ性金属の熱膨服係数どＫｊ
ｊ抵抗ｌ（（（機物質の然膨■良係数のＫ５゜（がｈＯ
（ＩＩＴい１１１以１・−Ｃあることを特徴と（Ｊる第
（１）瑣又（、Ｌ第（０）狛に記載の積層材オＩ１．， （１２）前記軟磁性金属が実質的に完全に焼鈍されでい
るこどを特徴どずる第（１）■ｉ’ｉ、第（６）Ｔｉ又
Ｌ；Ｌ第（９）ＴｎＩｃ記Ｎ（７）積Ｆ？１４１１’ｌ
．，（１３）萌記ガラスの熱膨服係数を前記軟磁ｆ１金
Ｉ１バの熱膨ＩＩＩ，係数と実＋，＋ｙＨ的に等しく１
るために、ＷＦｉ記ガラス中に変性剤が添加ざれている
こどを特徴どリる第（９〉頂（Ｊ記載の積層材ＩＩ。 （１４）絶約すノ１の無機物質が少なくとも一種のガス
を含イ」りるこどを’４ｊｔ徴どする第（１）Ｉｎ又は
第＜６）ｒ（’ｌＩ：二記載の積層Ｈ料。 （１５）７’７いに隣接り−る軟磁１ノ］金屈１１ηの
間に少なくとし層のり電性の高い介在金属層が配設され
、前記介（１金屈層に隣接ケる軟磁↑ノ１金属層と介在
金屈１（；どの間に前記無檄物質層が配設され、瓦いに
１［裔１ｒＪる前記軟磁１７１金属層が磁界を遮蔽し、
前記介在金属層が電界を遮蔽ηることを特徴どづるダ１
（１）１！”Ｊに記載の積層材オ′々１ｏ（１Ｇ）第（
１）ＩＩに記載の特徴を右ヴ−る積層｛Ａ１゜】１から
成る復故の１４１気区画ど、隣接づる｝］餞気区画の間
に配設ざｆ１た遮ｉｆｉＸ区画とを有する積層構造体（
・あっ（前記臨ｌｉｉ！！区画が少なくとも一層の軟磁
↑Ｉ１金１１’ｊ％Ｉｉりと、少なくとも−層の高導電
性金属層と、前記鴻蔽１メ両内の前記軟磁性金属層と前
記高導電性↑Ｉ；ｉｊ．Ｉｉゴとの間に配設された絶縁
Ｐ１金属間化合物どから成ることを特徴どりる積１ｊ・
′．Ｕ横漬体，，（１７）回路手段と、該回路千［９の
選定部分に前記磁気１ヌ両を接続づる丁段どｌ〕目）成
り第（Ｈｉ）ｌＩ′１に記載の特徴を右づる積層構造体
ぐあって、前記遮蔽区両ど前記回路手段の接続を…ｉつ
ど前記鴻蔽区両内の前記軟Ｖｌ１１竹金屈物覧か−１０
）曲のｌＪ％気ド両の磁界から所定の磁気１ヌ両を鴻Ｉ
！ｆ！ｉＬ、前記高ｉ：，’ｊ電性金属層が他の磁気区
画の電界から所定の磁気区画を辿蔽りることを１４徴ど
ηる（ｔ’Ｊ層横ｊも１本，１（１８）加熱覆ると軟磁
性４７属と結合して該軟１．！ｉ性金屈まりｔ）電気抵
抗の人，＼な無桟１１（１を゛−１ノえる無機物質から
成る層の少なくと６−層に上って絶ま１、されている軟
磁性金属層から成ろ｛１゜１層品ＡＬ：ｆｆｌ；ｌｋ’
ｉ’１てるＴ稈ど、該積層品を加熱しη前記軟１４１ｆ
’ｌ金屈よりも電気抵抗の人さ｛ｊ前記％Ｂｊ９１５物
ｖ゜１に」、一）（絶縁され月つ該無機物質と結合して
いろり数の軟磁性金属層を右りる構漬体を形成さける−
１−稈とをイコすることを特徴どづる積層材刊の装ｊΔ
方法。 （１９）加熱］−程時に前ｎｌシ拍層品に月−力を印加
りることを特徴どする第（１８）■．ｉ′ｉに記載の方
法。 ＜２０）！’ｌ’！ｎ（：ｆｉｌｌ熱二Ｆ稈か、少４〔
＜とら前記軟限１！１金属の焼鈍記暖に」、Ｃ７ＩＩ′
ｌ熱Ｊる］−稈を包含寸るこど’ｗ’ｌ’ｊｉ徴どＪろ
第（１８）稍又は第（１９）頂に記載のｊノ，ム？， （２１）１１１１熱及び１１力を印７１＋１７Ｉるこど
により前配無１代１ｔｙ＋’ζ′１の層が・前記軟銀慴
金屈と反応して前記軟＋１１１’ｌ金属に隣接Ｊ６絶縁
竹金属間化合物が形成せしめられろことを特徴とする第
（１９）ＴＪ’ｌに配載のＩＪ冫ノ．， ク２２）前記無機物貿が、絶縁性化合物形成！＋１７１
費であろこどべ１７１微どづる第（１８）珀に記載の方
法。 （？３）前記無尋）■物ＪｊＴの層と前記軟｛丑・ｉノ
１金属とが１１７，’ｉｆタ結合＜ｉｊＩ威づることを
特徴とする第（１８）項又【コ第（２？）瑣にｔ；１｝
載の方法。 （２４）前記軟磁性金属層と前記無機物質の層との間（
゛二介存↑属閤を１ｊ［［える丁稈を右し、前記軟舟Ｉ
Ｊ１−金属層と前記無｛幾物質とが結合Ｔ程中に前配介
γ１金屈ど結合りるこどを狛徴どづ−る第（１８〉項又
は第（２２）瑣（こ記載の方法。 （２！＋）結合工程に先立って前記無機物質の層に接触
覆る高導電竹介（ｉ金１ｉ八層’ａｊｌｌｌえる１稈４
イ１じ、前記軟磁ｔ’ｌ金属層と前記高｝停電１゛１介
（１金１ｉＪ．ｊＩＩ”ｉとの間に前記無機物ｖＩＩの
層か配設さ１１るこどをＱ．’ｒ’６１どする第（１８
）項又｛Ｊ、第（２２）■１′Ｈに記載の方法。 （２Ｇ）積層品を加熱９Ｌ１埋し（軟目灸すノ１金屈’
ｃ７３；己鈍し隣接づる軟磁１’ｌ層間に配設された絶
縁１７１の金１ｉｉ：Ｈ間化合物を牛成ｌ！シめる十稈
を，１１り４）こと’ａ−ＩＩ＋ｉ牧とずる従ｉ（２２
）工自に記載の方ｔ人，，（２７）前記無賎物τ゜１の
抵抗が１０刊Δ−ム・ｃ１１１以十Ｃ′あるこどを待ｉ
歎どηる第（１１ｉ＞１Ｑ（，二八己・ト（のノ′ｊγ
人。 （２Ｂ）高１１ｔ抗（／）前記無ＩＮ’ＩＱ’ｉ’ｉカ
丁導体イ４Ｊ”ｌ（，ｋ＋ることをｑｂｍどづる第（２
７）ｒ｛ｊに記載の方法１、（２９）高抵抗の前記無１
幾物冒か刀−ノス（ｄリることを特徴とする第〈２７）
頂に記載の力法。 （３０）前記カラスが揮発１（１の接イ”ｌ剤中に分散
した粒了状形状であり、結合した粒ｒ状力′ノスを前記
ＩＸ着剤の揮発冫昌度以十に７１１１＃！−！Ｊるこど
を特微どサる第（２つ）頂に記載の方法３， 〈３１〉前記積層品を、少右゛くどし前記軟｛．｛目ｌ
１金屈の焼鈍温度に；１：で加熱Ｊることを１１徴と１
１−る第（２７）Ｉｉに記載の方法。 （３２Ｎ）κ１１ア１稈を・酸崇を含イ１しイ１い雰囲
気中で７Ｙなうことを１２１徴ど｛る第（３１）項に記
載の方法。 （３３）前記積層品を前記焼鈍温度に加熱した後に、萌
記軟磁１１金屈のギ」−−り一温度を通じて制ｉ卸され
７ｊ速度Ｃ″前記積層品を冷却することを特徴とりる第
（３１）ｒ『ｊに記載の方法。 （３４）高抵抗の無債物質にガスを加える．■ｌ稈を荀
するこど４′ｌ）徴とりる第（２７）項又は第（２８）
ｊ自（こ八己４・又のブノ冫人。
リ１〕１図は１１７さ減少前の積層ビレットの｛１叉略
断面１図、第２図は第１図の２−２線に沿って切断した
一部拡大図、第３図１４１第２図に示した構造体の変史
例を示暫ｊ｛既ｌｌ’８図、第４図は第２図に示づ−と
同じ｛１Ｉ１造体の１′，ｊさ減少後の顕微鏡７ｌ真、
第５図は第４図に示づＩ：／＋’ｒ古鉢の熱処理後の顕
微鏡写真、第６図｛、１木允明の原理によつ−Ｃ製造し
た遮蔽積層品の概略ＩＪＩｉ面図、第７図は第２図又は
第３図に示す積層品と第６図に示Ｊ積ｊ（ｉ’ｉ品とか
１）成るｆ’Ｊｒ’；ｌ１１１’＋：’＝（１＼のＪＰ
，Ｋ略断而図、第８図１．＋本発明の実ｆ＋Ｉｌ！例の
′つの絹立℃を展聞し（概略的に承り図、第０図は第Ｅ
３図の９−４）線に治って切ＩｊＩｉシた部１ｑｉ面図
（あぺ》１，１０・・・軟磁竹物質層１２・・・絶縁４
ノ１化合１クｊ形成＋ＡＭ’ｊｌ層１４・・・４ノ−ン
ドイツチ梯旨古ｆ４；１ｅ・・／７−−−シング１８・
・・鯖↑２０・・・充填物’ｉｊ２４・・・ＪＩｉ目１
１＋４４″＋１４４・・・ｆ”４１１１１層４６・・・
高導電性層４８・・・絶肩、性化合物ｈ・１６３− 手続補正書 昭和郭年ｔ月ｆ日 特許庁長官若杉和夫殿 １．事件の表示 ゛５″ ＢＳ和！？＋９月６ｌ↑出渚を９対粁邊を（り２．発明
の名称積層磁性材料 ３，補正をする者 事件どの関係特許出願人 住所アメリカ合衆国，べ〜ンヒア州ｌ５２３５，ビツツ
パニグ，ペンセンタープールパード１ｌ００Ｉアノ−一
トメント１１■７ 氏名クレイトン●エヌ・ウエットストーン４．代理人 東京都新宿区下落合二丁目１４番１号 〒１６１電話’７５１−１１８１ （５’？６０）弁理士吉村，１４−ヨ１・一）′？ ５．補正命令の日付出願審査の請求と同時にする補正６
．補正の対象願書に添附した明細書の全文倦礁顛く７′
特許斤 ７．補正の内容別紙の通り．５８．５．１〔補正の内容
〕 （１）願書に添附した明細書を別紙の通υ補正し、（２
）願書に添附した図面の第８図及び第９図を削除します
。 明細出 １．発明の名称積層磁性Ｈ料 ２．特許請求の範囲 句数層の軟磁性材料と、隣接づる軟磁性材料層間に配設
された少なくとも一層の電気絶縁層とを含む積層磁性材
料であって、前記絶縁層が焼鈍の間に前記軟様蚤性材料
層に熱結合し、且つ前記絶縁層が半導体層から成ること
を特徴とする積層磁性祠わｌ。 ３．発明の詳細な説明 本発明は積層磁竹材利に係り、特に例えば変圧器のコア
、磁気録音ヘッド及び電場及び磁揚の遮ｉｆｆ！ｉｌＪ
どの交流用に用いるに特に適した品質の｛ｔ〕ら物を与
える月利に係る。 透磁率の高い軟磁性物質は、変圧器の］ア及び磁気ヘッ
ド等にしばしば用いられる。ここに軟磁↑Ｉｉ物ｖ１と
は磁化率が低く残留磁気の保持力も低い物質を意味づ−
る。このような場合、うず電流損を減少さ１！るために
、透磁率の高い軟磁性物質を電気絶縁Ｐ１有機化合物類
とともに保持する。本発明の目的は、この型の構ｊ青の
改良品を提供し、改良積層構造物を製造するための仙層
磁竹拐利を提供することである。透磁率の高い積層物を
製造゛りるために現在行なわれている方法においては、
軟磁性物質から成る個々の層をまず約１０（１（１゜０
て熱処理して、所望づる高い透磁性を与える。熱処理さ
れた軟磁竹の物質を手作業によって有｛代絶信、化合物
で接着する。然し乍ら、熱処Ｉク！によって磁性層が物
理的に軟くなり、接着１二稈中に磁ｉノ１層がダタ曲し
易くなり、弯曲によって個々の軟磁１（１層及び百られ
る構造体の磁１Ｑの不均−化及び劣化が惹２＼起こされ
る。 更に、積層製品に中１イｌの周波数及び高周波数作動時
における良θＹな特性を与えるためには、磁１イ１材１
１１から成る層は極めｒ’ＡＤいこどが望ましい。即ち
好ましい磁性材料層の厚さは約０，０２５４ｎｌＩｌｌ
（０．００１インチ）のＡ−グーである。祥一）で、軟
磁↑Ｉ１層は薄く［１−ルに巻き付けられた貯蔵状態か
ら引き出されるのが普通であり、巻きｆ」り■稈に起因
する固有の反り即ち固有の曲率を持っている。従って、
仔｝Ｍ層を梢層Ｊ−るときに、これを平らにするのであ
るが、そうすることによって更に応力が加わりその結果
構造体の磁↑４の均−ｆ！ｔ及び１４性が更にＪ＋ｊな
われる。更に、接着工程によっても応カが更に加わり、
積層されたコアは有機接看剤中の泡又｛；１接着不良に
起因して屑々多孔質（スポンジ１ノ０になる。従って、
本発明の目的は、均一な透磁慴及び保磁竹を有し、上記
の応カ及び欠点を持たづ゛非常に１０れた均−な磁性特
性を有する製品を製造し得る積層磁性材料を提供するこ
とである。 ｛”Ｋｌ＋の手作業による接着工程の間に、柔い磁＋′
ｔ層がひどく曲げられてしまうため、得られる積層品が
ぞの用途に全く適さなくなることも多い。製造中にこの
種の曲りが検知された場合には、その薄：摸層を破６ト
する。これは幾分がコストを高めるけれども、曲った層
が製造後に検知ざれ積層構造体を含む仕上り集合体全部
を破棄することが必要となる場合に比較すれば、それほ
ど重大な影響はない。更に、破東しｔＴ＜どもよい積層
品の曲りは比較的少ないことが要求されており、従って
工業生産一Ｖスクラップ・「ｌス率が非１３゛に高い。 ４−’（−＞て、手作業による接着工程を省くことかて
ぎ、目っスクラップ・ロス率の低い均−な積層長目ＩＩ
４Ａ￥＋１色提供ずることが本発明のもう−っの目的で
ある。 上記の処理の困勤竹のために、０，０２５４ｎｖ（０．
００１インチ）以下の薄い層は実際上使用できなかった
。そのために構造体が満Ｗに作動し１！１る周波数領域
が限定ざれることとなる。ｂＹって、本発明の今一つの
目的は、雇がに薄く柔い磁竹層を右づる積層磁性材料を
提供することである。本発明の付随的な「１的は、勿論
、優れた高周波作ＵＪ特何を有する記録ヘッド等に用い
る積層構造体を提供覆ることである。 二個又はそれ以上の記録ヘッドが整合していることが要
求される場合も多い。この種の用途に用いる場合には、
それらの作動特１１間に相違があるために一対のヘッド
が良好な作動特性を有するだけでは不充分である。本発
明に係る積層磁ｆノ１月利から製造された構造体は均一
であるから、両方が整合し高品質な作動への応用に驚賃
的に通りる素了を提供りることは、比較的簡単である。 本発明のイ■の利点は、絶縁層が磁性層より追かに硬度
か人ざく従って摩耗特↑ノ［が著しく改善ざれることで
ある。これは、特に磁気ヘッドに応用する場合に利益が
ある。実際、構造体の高周波応答特１ウ１を改善づる必
要のない場合には、摩耗特性を改善づるこどがより重要
となる。特にその種の構造体の製造が低廉で、より均一
で、スクラップ・［１スの比率が低いものであれば、こ
の性質は非常に重要である。従って、通常得られる装置
の高周波応答！ｌｊｉ１ノｌを保持しロつより良好な摩
耗特竹を有づる磁｛／Ｊ槓層品を提供することが本発明
のもう一つの目的で《）る。 −１二述の目的に適合し上述の利貞を右寸る槓層品を、
厚さ減少工程（（；ＯｒｅｄｌＪＣｔｉＯｎｓｔｅｐ）
、蒸着Ｉ−稈又は雷希］稈を要−することなく、提供す
ることが本発明の更にもう一つの目的である。 本発明の原理にＪ、れば、軟磁性金屈層を軟磁↑イ１金
属よりも実質的に電気抵抗の高い絶縁物質によっで分１
履１シ、積層品を形成した後に積層品を軟磁哲金属の力
２鈍渦１αにまで加熱してＶζＩａｆノｌ金屈に眉終製
品どして最適の透磁性をｆ’Ｊ”）する。 Ａ発明ＣＤ特ｍトＭル他（７）ｒｇｒ埋ニＪ．ｎ＋：ｒ
、ｈｌｂ”？（１’ｊ造体を熱処理工程に先立って例え
ばブランク操１／１にＪ；つて予め製造Ｊ“べき物体の
形状に形成し−（おく。このようにすれば、｛＾層品を
最終製品の形に覆るときにもたらざれる内部応力が然処
理１−稈にＪ；って除去ざれる。 電場を遮蔽又は集中寸る部分を形成りるこどを望む場合
には、銅等の導電性の高い連蔽材１１を−居又はイれ以
上隣接覆る磁すノｌ：ｋ’ｌ間に配説７１る。これは特
に例えばマルティ・１へラック・テープ・ヘッドの場合
に有用であり、隣接りるヘッド部が７７いに電界遮蔽部
によって分離される。これにより、磁性層が磁場を遮蔽
１ノ、導電層が電界を鴻蔽刀るから、磁界及び電界の双
方を鴻蔽し、隣接するヘッド部間にお（づる［漏話−１
を防１１−シた複合）ｆ６造体を容易に製造するこどが
できる。これとｔ、１胃なり、積層遮蔽部分を個々に作
り、記録ヘッド或い（Ｊ変圧器タイプの実施態様とは全
＜ｒ＋なる態様で、鴻融の１」的に応用づるこどもある
。 上）小の本発明の特徴に関する要約から、従前において
必四とされ、］ス］〜を高め、均−竹を損ね１１７られ
る製品の総合作ｆ）＋特ｆ１を決定的に低下させる丁作
業を要さずに、高品位のｖ＃４層品を形成づる簡ｎ１な
ｈ法が本発明により提供されることは明らかで一あろう
１，更に、変圧器タイプのＩ芯用にａ３いて１ｊ．，特
に磁ｆ’ｌ材利と絶縁材籾との厚さの比率を変える等の
手段により、最終製品の周波数応答特↑（［を容易に制
舅１することができる。 本発明にＪ、れば、厚さ減少工稈を除くことができる。 即ら、加熱されたときに約１０オーム・ｃｍ以１−の高
抵抗層を形成する一層又はそれ以上の層（こよって軟磁
性金属層を分離覆る。例えば砒素又はアンＪ七ン等の第
■族元索をアルミニウム等の第ｍ旗金屈の箔」一に１６
いて軟磁性金ｊ．がの層間に配設Ｊ−る。１１）られる
槓層品に熱と圧力を印加し、祠Ｆｌを完全に反応せしめ
て軟磁性金属の層間に硬質の？ｌ’＞４＞体層等の高抵
抗層を形成させる。従６ｉｔ使用されていた有椴物接着
剤を使用していないから、軟磁↑１金屈を焼鈍しＣ透磁
率を回｛υｕしぬることができる。この場合史に厚さを
減少ざ１！て透りｌキを更に高めるこどはでき４ｆい。 従っｃ１この実施例においては、Ｄざを減少さｕノ、＝
ものを用いｃ１【１られる非常に薄い軟磁１ノ１金属＋
ｘ−１ｉこＪ、−）−（ｂたら，＼れる高周波応答特１
ノ１は改善ざれてい２ｉ−．Ｌ’が、均−４１高い透ｌ
ｆｌ竹ど良好イＴ摩耗’Ｌ’ｉｌ’ｌを右りる４１４）
貴体が得られる。 十述の実施例の変史物は、レ１ノンＱ９の半埒１ホを′
、積層品に積み士けるに先ｒｔって、軟磁１７１金属の
層に沈積さけることによって１（１られる。次いｃ４″
４ｊ告体を加圧下で加熱して積層品を結合Ｊれぽ、）６
磁率の高い良好Ｗ７摩耗特ｆＩ１を右Ｊる積層品か冑ｔ
）れる。この実施例においては、これらの金屈ど結合し
て約１ＯＡ−ｌ＼・Ｃｎｌ以−１の抵抗を右覆る連μ・
層を形成する元素は、軟磁竹金属又は金屈３）１−にメ
ッキ又は沈積によりイ・１着さｉ−！る。 本発明の目的、特徴及び利点は、添削の図而を参照づ゛
る以下の説明から明らか（こイ１ろう。図中において、
同一の構成要素は同−の塔照？’４８で゛示づ。 ／−ＷＪｉ、図面ＣＬｉｙｉｆ図どしＣ化例して描かれ
たものではなく、！１ｉに説明用に描いたもので゛ある
。 本発明に係る積層磁性材わ）について説明する前に本発
明の塁となる、金属間化合物形成層により軟【イ目Ｊ１
＋，Ｉ別層を絶縁して形成した積層磁↑イ１祠利につい
て説明する。第２図において、軟磁性物質の層ｉｏＩ．
Ｌ適当＜ｒ絶縁化合物形成材料の層１２にＪ；って分凹
１され、絶縁化合物形成ロ利は加熱されると軟隅１ノ１
祠利と反応して、化学最論的な割合で共有結合した元素
から成る電気絶縁性のある化合物、言い換えれば電気絶
縁性の金属間化合物と呼ばれる化合物を形成する。所望
する数の層１０及び１２をサン１・イッヂｔｌ’Ｊ造体
１４に作り上げ、第１図に示す耐エッチ性のケーシング
１Ｇ内に入れる。 クーシング１６及びそれに囲まれたサンドイツブ構造体
１４を押出罐１８内に入れ、磁性材料と同じ｛幾械的特
↑Ｉ１を右りる充填物質２０を罐１８の側部とケーシン
グ１６との間に入れる。端部キャップ（図示せり゛）を
罐に熔接して罐の端部を閉鎖ずる。キＶツブの−方に排
気管が配設されており、端部キャツプを所定の位首に熔
接した１わに罐を真空に寸ることができる。罐を真空に
した後に排気管を締めｆ−１（プて熔接し閉鎖して甜１
８内部の減１丁を保持１る。 斯くして得られる第１図に示づ構造体２２を適当な方法
で加熱し、層流ダイを介して押出リこどにより、層１０
及び同１２はその〜ざが減少し拡散に」；り結合する。 押出し後、罐１８及び充填物８１１分２０を、例λ（５
１［ッチングにより取り除く。エツヂング０，￥には耐
エッチング性のケーシング１Ｇ、が厚さを８表少ｌしぬ
られたサンドイッヂ構造体１４を保１ｊｉ−ｄる，第４
図は、実際に押出されたビレッ１への積層部分の写真で
゛あるが、簡単に説明するど、軟磁１り祠牢３１２４の
層を有し、この層は後述１るｘｉ＋ｗ！Ｊ−ｑｉ：ｒ稈
において磁性材利２４と金属間化合物を形成づる物質か
ら成る介在層２６どどしにＰ２さを減少（！シめられる
。ここで、層２４及び２６は黒線２８で小されるように
、拡散結含している。 第４図に示す積層品を次いで最終製品の形状に加工する
。加工片から突起部を取り去り、ｈ一層品の縁部を汚染
している可能性のある金属を除去するためにエッヂング
を行なう。押出された原材又は形成ざれた構成片を、公
知の方法とはどんと同じブｊ法で・熱処理して、所望の
高い透磁率と低保磁ｆｉ↑ノ１をＨ’ｊりる。この熱処
理工稈中に、第１図の線２８で示づ拡散物が第５図にブ
ラケット３０によっ【示される金属間化合物を形成する
。第４図の磁性祠料２４ば焼鈍され−Ｃ第５図中の大き
な粒子群３２を形成し、第４図中の層２６は第５図中で
はブラケッ１−３０を（＝ＴＬた層の中心層３４に位置
覆る。第５図中の他の層、例えば層３６．３８及び４０
は、軟磁性材オ′）１ど絶縁１１化合物形成材別とから
成る第−，第：二及び第ヨ金属間化合物である。 この積層磁性月オ′」の重要な特徴は、軟磁性月オ３１
間で甲純な共有結合の規制には従わずに各元素が真の化
学的な化合物と同様に一定の原子比率で結合して絶縁１
４１の金属間化合物を形成することである。第２図の層
１２は、例えば二オブ、タンタル、ジル−１ニウム、ヂ
クン、ハフニウム又はパナジウム等の溶融しにくい金属
から成るものであることが望ましい。然し乍ら、薄膜の
選定に当たって（３１使用する磁性材利のタイプを考慮
する必要があり、サンドイッヂ４？ｌｆｆ造体１４が第
３図に示Ｊ−例に関ｌノで後述づる付加層を含むべきか
否かについでｌ〕、１史用する磁性＋Ａｌｌのタイプを
名虞に入れるＪどが必要がある。 上述した溶融しにくい金属類は、融魚が高く成形性が良
好であるためにクｆましいのではなく、それら自体の間
で又は隣接り−る層の軟磁性）ｔＡ利どの間で多くの絶
縁性金属間化合物を形成づるがら好ましいのである。二
成分系の金属間止合物の状ｆ劇図は、ニコーヨ１−クの
マックグ１」ウ・ヒル出版拐（ＭｃＧｒａｗ−Ｌｌｉｌ
ｌｌｌ＋ｏｋＣＯ，）から１９５８年に刊行ざれたマッ
クス・ハンけン（ＭａＸＩＩａｎｓｅｎ）著の「二元合
金の絹成Ｉ（ＣｏｎｓｌｉＮ＋ＩｉｏｎｏｆＢｉｎａｒ
ｙＡｌｌｏｙｓ）第２ｒＪｌ及び同じくニコーヨークの
マックグ［１ウ・ヒル出版ネ１から１９６５年に刊行さ
れたロドニイ・ビー・エリΔツ１〜（１（ｏｄｎｅｙｐ
．［ｌｌｉｏｔ）ｆ，の「丁元合金の組成」第１増補版
に記載されている。金属間化合物及びぞれらの特ｆ１に
ついては、ニコーヨークのウイリイ・アンド・ザンズ礼
（Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ）からのジ１−イ・王ツブ・ウ
エス］〜ブルック（，１．１−１．Ｗ（！Ｓｔｌ）ｒ０
０ｋ）著の［金属間化合物Ｊ（Ｉｎｔｅｒｍｅｒａｌｌ
ｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄｓ）を参照されたい。 第３３図に示す例は、溶接しにくい金属の層１２ど磁性
祠石１０の層との間にイリ加層４４を配設した以外の点
にｄ５いては前述の例と同じである。層１２の物υ１と
金属間化合物を形成し、物質１０の通常の磁気特ｆＪを
１員なわない物質を層４４の物質として選定する、， 軟磁ｉｆ祠利１０は例えばハイ・ミコー８００（ＨＶＭ
ｌｌ８００＞から成る。これはカーペンター・ス｛−ル
・ｒ−ボレイシＢ７（Ｃａｒｐｅｎｔｅｒ３ｆｅｅｌＣ
ｏｒｐｏｒａｔｌｏｎ）の商品名であり、７０％のニツ
ケノレと１６％のｖ１ど４％の１−リブデンから成る。 この合金ｆｊｉｌｌｉ相の、ａＯち固溶体合金であって
、ニッケルの結品４；４逍を有し、適当な熱処理を加え
れば高い透磁率と低い保磁力を示づ−ものである。層１
０は、）９さ０，１７８ｍｍ（０，（１０７インチ）、
幅約５．０８ｃｍ（２インチ）、長さ約１２．７０ｃｍ
（５インチ）である。 金属間化合物による悄１１’！７磁ｔ／目ＪｊＦｌのこ
の例にＪける層１２は、厚さ約０．０１７８ｍｍ（０．
（１００７インチ）の市販ざれている等級のジル−１ニ
ウムぐある。ＫＱ１０及び１２の相対的な厚さは、磁性
Ｈ利のｆｉｆｔを高め、しかも化合物金属に最終製品に
対りる所望１′１動周波数範囲内において良好な電気絶
縁１ヒｒ性を与えるように選定する。１０：１乃〒２０
：１の厚さ比率が１）Ｔましいが、即ざ比率を低くした
場合には、焼鈍された製品の第５）図中に，１３い−Ｃ
Ｉ１′！ｉ３４ぐ示ざれる絶縁化合物形成物質層が相対
的に厚く【ｒる。大きさを考ｂｉｔに入れると、絶縁化
合物形成物負ｈηの全部又は大部分が反応して絶縁性の
金属間化合物を形成することが望ましく、その揚合には
第５図中の層３４に相当する層は存在しない。 上記のハイ・ミコー８００／ジル］ニウムの１Ｊンドイ
ツヂ横造体１４を、耐エッチング層１６として動くヂタ
ニウムの層で蔽った。号ンドイップ横造体と耐エツヂン
グ層とを低炭素＃Ａ製の罐１８中に入れ、充ｊｎ金属と
しＣハイ・ミュー８ｏｏど金属学的に性質が類似してい
る低炭素鋼充填金Ｒ２ｏを用いＩご。 ハイ・ミ：１−−８００と金属学的性質が頬似するその
他の適当な充填金属は、銅−ニッケル合金である勿論、
他の型の磁性材オ；３１を使用する場合には、他の苧の
介屓金属類を使用覆る。ｊ名当な軟磁性月＄ｉｌの他の
例は、ニコー」一夕のバン・ノス１〜ランド（ＶａｎＮ
ｏｓｔｒａｎｄ）ネＬがら１９５１年に刊行されたリブ
１冫−ド・−［−ム・ボゾノレス（ｒ＜ｉｃｈａｒｄＭ
，ｒ３０ＺＯｒｔｈ）Ｗの「強磁性Ｊ（Ｆｅｒｒｏｍａ
ｇｎｅｔｉｓｍ）及びアメリカ金屈学会（△ＳＭ）から
１９６１年に刊行されたアメリカ金属学会金属ハンドブ
ック委員会（Ｎ’１（！Ｉ（ＩｌｓｌＩｄｎ（Ｉｌ１０
０ｋＣＯｍ日ｔｅｅｏｒΔ〔ブで、低炭素鋼の甜及び充
填部分を除去・Ｉる。チタニウムは塩化第二鉄に１安ざ
れず、｛Ｉｒってブクニウム及びリンドイップ構）告イ
ホがｔの個残るがら、チタニウムを選定しｌζので゛あ
る。エッチングＴ稈の結宋物は、方形の列状に並んだも
のであり、第／Ｉ図の顕微鏡写真に示づ”断面を有りる
。次いで１ノンドイッヂ構造体を更に圧延し（、０．５
０８１１１１１１（０．０２０インチ）厚とづ−る。 押出された平らな貯蔵品を機械７１１．ｒ＋，て、＋１
’ｌｊ形の断面を有する１〜［１イドとし、ｌ−ｒ＋イ
ドの凹凸を取り、積層品の端部を汚染しＣいる金属を除
去するために弗化水索−硝酸溶液で−■−ツチングづ−
る。 次に、幾つがの１〜アイド’６−９００Ｔ；ｋ２１１：
＋Ｉｍｌ７７１１鼎Ｌ、ヘッドどして用いるために総合
的に則れた特ｆ１をイ１づろ。軟１６すノ１金属層（約
０．０２５４ｍｍ［０．００１インブ］厚）は厚さ減少
ざれていないから、１１１られる６゜４）古体の高周波
応答特性は、上記の厚さ減少を行イ廖′一）た鳴合にお
りる程顕著には向１−シない。然し乍ら、同じ厚さの公
知の積層品の高周波応答特″１ノ１に比べれば、幾らか
高周波応答特↑１が向上する。 その理由１ユ、公知の積層品の構造においては除去され
（いなかった製造時に生ずる内部応力を除去覆るｌ、＝
めに、積層後に焼鈍を行なったからである。 更に、公知の積層品のスクラップ・ロス率は大ぎく、本
発明に係る積ＩＦｉｆａ性材料から作った積層品は道か
に均−てあり、高抵抗層の硬度が大さいため、ｆｊ層品
の耐摩耗性は著しく高い。 本発明のこの特徴による他の実施例に（１メいては、抵
抗性の高い物質を直接に軟磁性金属層上に沈積さＩＩた
から、これらの層が反応して高抵抗の層を形成リ゛る必
要がなくなった。例えばセレンを軟磁ヤ１金屈．１に沈
積さＶて、砒素−アルミニウムの実施１９口こついて記
載したと同様の性質を有する積層品をｉｒＩるために、
十′ＪΔｉとｌｉｉｌじｌｙｒ）ｓで積みルねζｈ゜！
層品を形成させる。一酸化シリ］ンを用い−（０同様の
結果が得られる。実際１−、高周波１＋１，＋答Ｆｔ’
ｌが積層品を配設する特定の製品に要求される小要な１
（ｌ質でない場合には、複合積層品を軟１．ｆｉｌ１１
金属の焼鈍温度にまで加熱１る必要もない。＞１’々７
体又（まその他の高抵抗層の硬度によって−ｂたらされ
る所望の耐摩耗性を得るためには、｛１４造体に適切な
接着を与える稈度に加熱Ｊるだ１ｊ’−Ｃ：Ｊ、い１、
半導体又はその他の高抵抗の結合物をＲＪ加成分として
用いるこどもできる。第２図の軟磁１ノ１金属間の層は
、例えば鉛、錫又｛まハフニウム十にｌ＝レンを沈積さ
けて成るものであってもよい３，その仙のものを例示Ｊ
るど、硫化カドミウム、硫化１｛）、酸化カドミウム、
硫化亜鉛、酸化ｒｌｌ＋鉛、ｌ１■化ニッケル、硫化ゲ
ルマニウム、硫化錫等ぐあり、オハイオ州クリーブラン
ドのケミカル・ラバー・ノノンパ＝−（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌＲｕｂｂｅｒＯｏｍｐａｎｙ）から刊行された［物理
及び化学ハンドブックＩ（ｌｌａｎｄｂｏｏｋｏｆＣｈ
ｅｍｉｓｔｒｙａ面Ｐｈｙｓｉｃｓ）に記され（いるＩ
ｊのと同稈度のエネルギー・ギャップを何するその他の
化合物を用いることもできる。 １！）７２−１９門年版（５３版）では、この種の半導
体素ｒは「一８９頁乃至Ｅ−９２頁に列挙ざれている。 −１記の半導体又はその他の高抵抗層をテープ状の形に
ナすことしでぎる。例えば、ハフニウｌ１又はしリブｊ
′ンの粉末をセレン粉末及び揮発性の接糖剖工・辿ム１
千−プ」★）とｌ，Ｔ高紙抗國を形成六反応させて高抵
抗層を形成さけることが（さる。 二種の金属を反応ざぜで半尋体を形成させるこどもでき
る。例えば、モリブデン又はハフニウｊ１の如き金属は
、例えば硫黄のＯｉｌぎ非金属と反応して高抵抗の無機
化合物層を形成し１！Ｉる。例えｆ．１シＩノンの如き
粉末状半導体から成るテープをつくるこどもできる。 本発明の積層磁竹柵利にあつ（は、積層品を｛ΦのＰ２
さＪ；り茗しく厚くてはいけイアい。これは、このよう
な未反応層の厚さが増加すればうず電流による損失が増
加覆るからである。銅をニッケルに貿換した場合も上記
と実質的に同じであり、結果もほぼ同じでｄうる。 遮蔽ＩＮｊ告体について積層磁性材料の使用例を第６図
に１１略的に示す。遮蔽ザンドイップ構）２！体１４Ｓ
（」、第３図の実施例の介在層４４と比較すると厚い銅
層４６を右Ｊ−る。この銅層４６は、隣接する両チタン
層４８に秋Ｊ：れ、更に軟磁性材利１０の間に配設され
る。１１１１層とｉｌｌ５ζ磁性材１１層との厚さは０
．１７８ｍｍ（０．００７インチ）であり、チタン層の
厚さはｏ．０１７８ｎｕｎ（０，０００７インブ）であ
る。その他の点については、上述した例と同様にして製
造した。然し乍ら、この場合にはヂタン層４８は軟磁性
材利１０及びｒ２い銅層４６の双方と絶縁性の金居間化
合物を形成リる。これｌうの金属間化合物は、第５図の
層３６．３８及び４０ど同様の化合物であり、得られる
銅層は電界遮蔽に働くに充分な程度に厚い。従って、ビ
レッｌ〜の厚さ減少を行ない削り出しを行なった棲には
、銅層４６が電界；庶蔽層とし−ｃ＠Ｉさ、第５〕１ζ
１の層３２に相当する磁性層１ｏが磁界遮蔽層どじ−Ｃ
廟く。 高導電１ｌ１層４６を電弄遮蔽に用いる腸合に（３１、
焼鈍工程中でその全部が反応しでしＪ１：う稈薄いＬ）
のであっては４Ｔらない。実際１、絶縁１ノ１の化合物
物質の層４８の少むくども３｛ｉ″１のｊ，−１さ（・
な【−ノればイ１らない。金属間化合物の生成反応終γ
１ねに残存りる層４６が、残存する軟磁性材１′３１の
層とほば同ｌじ厚さであることが好ましい。然し乍ら、
遮蔽作用に関する限り、場所的な制限に合う限り、高導
電１’１層は所望によりもっど厚く刀るこどｂｃｉ：＼
ろ。ある種の疏蔽に用いるどぎには、導電層４Ｇを軟磁
性層１０ど絶縁する必要がない場合もある．，ｑ：ｔ−
って、この場合には層４８をはふく。 遮蔽用に用いる場合においては、第２図及び第３図の変
圧器用の構造体と）廣ｍｌ用の構造体とを組み合わせる
。即ち、第７図に承り−Ｊ、うに、押出しビレットは、
第２図に示ず第一のザンドイッヂ荀１造体の層１４と、
第６図に示づ如き遮蔽層から成る第二丁の１Ｊンドイッ
プ構造体１４Ｓとを有する。厚さ減少及び造形後、サン
ドイツチ構造体１４によって得られる変圧器用の部分を
駆動又は受容磁化回路に１ａ続する（Ｊれども、｛ノ−
ンドイツヂ構造体１４８にＪ、一）（１５１られる鴻蔽
用の部分は接続しない。ｌＩＪｉ＜の如くになすことに
より、遮蔽部が変圧器用の部分をひいに鴻蔽ヰるから、
第７図に示す複合構造体は−冫ルヂ・トラック記録ヘッ
ドとして使用するのに署しく適したものであり、変圧器
用の部分は夫／？１−ラックどして廟ぎ、それに隣接す
る遮蔽部が他の変１１器用の部分からのｒｉｌｉｉｆ話
」を防山する。 当該技術に通晴．した者であれば、回路Ｍは極く概略的
に示されたものであることを認めるであろう。 例えば、図中の点線によって部分１４が一体に接続され
ていることを示づわけではなく、回路Ｍは電気回路部を
有し１１１るのである。 本発明は、上述の如く反応して金属間化合物を形成づる
物質の代りに、高抵抗の他の物質を用いるこどを１；？
案づ−る。ぞの−実施例においでは、０．０１７８ｍｍ
（０．０００７インチ）厚のアルミニウム箔」二に約０
．０１２７ｍｍ（０．０００５イン−１）の厚サニｆｉ
ｌｌ：素を沈積さけた。第２図の積層品と同様の積層品
が軟磁すＩ１，金属（ハイ・ミ］．−８００）及び砒崇
被苦箔上に形成された。次いで積層物に圧力を印加し、
軟磁↑ｌｌ金属の焼鈍温度によ−（加熱した．．｛ｄｌ
。んと）′ルミニウムが反応して軟磁性金属の各層間に
、半導体又は木質的に電気絶縁１′１の１１“１が形成
された。 得られた積層品を？ｉＪｌ磨し、試験に先立ってつや出
しを行なう。 アルミニウム箔を用いる仙の実施例におい（（、１、０
．０１７８ｍｍ（０．０００７イン゛ｆ）のｊ′ルミニ
ウム箔十に０．０１６０ｍＩｌｌ（０．０００６３イン
チ）のアンブ七ン層を沈積させ、これを軟磁１／ｌ金屈
ど積）ｔ！′ｉＬた１、この積層品を軟磁竹金属の力２
鈍：ＫＡＩσに」、で加熱しＩｃ．，これにＪ：り、ア
ンヂモンど軟’ｆｌｔｋ＋Ｉ金屈どの間に拡散接名が？
１１．’ｃわれ、アルミ，−ウｌ＼かアンｆ（ンと反応
して半導体又は本質的に絶縁ｆ１の層か形成される。拡
散接着部分は恐らく絶縁ｉｌｌｒはイ１′いか、得られ
た半導体層が充分に電気的に絶縁１ノｌ：’ｒ′あるか
ら、冑られた積層品は全体としＣ、例λば磁気ヘッドど
じて用いるために総合的に優れた１４↑Ｉ１をイ１ηろ
。軟磁すＩ１３属層（約０．０２５４＋１１１１１１０
．００１インチ１ｌ９）は厚さ減少されていないから、
１１７られるｈｌ／造体の高周波応答特性は、上記の厚
さ減少を行４ｌ：一）だ湯合にｉｌ’＋４−．１る稈顕
署には向ししない。然し乍ら、同じ厚さの公知の積層品
の高周波応答特・１ｌ１に比べれは、幾らか高周波応答
特矧が向−１−する。 その理由は、公知の積層品の構造においては除去され（
い＜ｉかった製造アＪＩに生ずる内部応力を除去覆るた
めに、積層後に焼鈍を行なったからである。 更に、公知の積層品のスクラップ・ロス率は大ぎく、本
発明に係る積層磁性材料から作った積府品は道かに均−
であり、高抵抗層の硬度が大きいため、積層品の耐摩耗
性は茗しく高い。 本発明のこの’ｆ？ｉ徴による他の実施例においては、
抵抗性の高い物質を直接に軟磁性金属層上に沈積さ１！
たｌ）曹）、これらの層か反応して高抵抗の層を形成づ
゛る必要がなくなった。例えばセレンを軟磁性金属十に
沈積さｌて、砒素−アルミニウムの実施例について記載
したと同様の性質を有する積層品を１５１６ために、上
述と同じ７−Ｉ法で積み中わで積層品を形成さゼる。一
酸化シリ」ンを用いでｂＩｉｉ１様の結果が１ｑられる
。実際１−、高周波応答１４↑ノ１が積層品を配設する
特定の製品に要求されるΦ要なｔｅｌ質でない場合には
、複合４１”１層品を軟磁１′１金属の焼鈍温度にまで
加熱１る必葭もイ１い。〉１′様体又（まぞの仙の高抵
抗層の硬度によって６たらされる所望の耐摩耗性を得る
ために”、Ｊｆシ告体に適切な接着をＬ−ｉえる稈度に
加熱ＪるだＩｉｊ−ＣＪ、い、，半導体又はその他の高
抵抗の結合物を１・」加成分として用いるこどもできる
。第２図の軟｛Ｉ★ｉｊ’ｌ金屈間の層は、例えば鉛、
錫又はハフニウｌい十ＭＩＹレンを｝メ［槓さけて成る
しのであって・ｂよい、３その｛ｌｊのものを例示Ｊ−
るど、硫化カドミウム、Ｖｌ１ｌ１化釣、酸化カドミウ
ム、硫化曲鉛、酸化用１！１）、酸化ニッケル、硫化ゲ
ルマニウム、硫化錫等ぐあり、オハイＡ州クリーブラン
ドのケミカル・ラバー・カンパニー（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｆで１．１旧）ｅｒＣＯｍｌｌｉｌｎｙ）から刊行され
た［物埋及び化学ハントブックＩ（ｌｌａｎｄｂｏｏｋ
ｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄｐｈｙｓｉｃｓ）に記さ
れ（いるＬ）のど同稈旧のエネルギー・ギャップを何す
るその他の化合物を用いることもできる。 Ｈ］７２１９７３年版（５３版）では、この種の半導１
ホ索ｒはＦ−８９頁乃至Ｅ−９２頁に列挙されている。 ．ｉ記の崖導体又（まその他の高抵抗層をテープ状の形
になづ−ことらでぎる。例えば、ハフニウム又（ましリ
ブｊ゛ンの粉末をセレン粉末及び揮発竹の接着剤と混合
し、テープ状として高抵抗層を形成さけることもてきる
。これに関する訂細は、例えば米国１７丁許第３，２９
３，０７２＠明細書に記載されているが、断くの如くに
りることにより、加熱によって有機物接着剤が揮散しセ
レンが金属と反応して所望の１１゛ラ抵抗層が形成され
る。アンチモン又は砒素の粕末をアルミニウム粉末と氾
含して同様のテープをつくり、１５１られる高抵抗層を
＝＋′ｍ体とづるこどもでぎろ。 土記の実施例におけるモリブデンーセレン化合物の抵抗
Ｉ５１、約４０００オーム・Ｃｌｌｌであり、ノ＼フニ
ウｌ１レレン化合１υｊの抵抗は約４００００オーム・
ｃｍで・ある。多くの他の元素類をテープ形状（こし、
積層し、反応させて高抵抗層を形成さけることが【さる
。 二種の金属を反応させて十尋体を形成させることもでき
る。例えば、モリブデン又はハノニウムの如き金属は、
例えば硫黄の如き・非金属と反応して高抵抗の無機化合
物層を形成し１艷１る。例えはレ１ノンの如ぎ粉末状半
導体から成るテープをつくるこどもできる、、 本発明の積層磁ｔ’ｌＩＪＰ＋にあつ−（は、積層品を
｛Φ々のガスに冨む雰囲気下において加熱しガスを絶縁
層内に拡散ざＵるか若しくは１１１の万｝人にＪ、り力
スを絶縁層内に導入Ｍることによ（′〕、各絶１ｆ＋層
の硬度を更に改善すること−してさる、、本発明のこの
特徴にＪ；るθｒ通な実ｈ１！例に．４３い（は、積層
品を製）へＪ−る方法｛、１、１記と全く回昔，１１０
１ｊ法による。積層品を先ず組込み、削り出し、焼鈍し
、研門し、洗２’ｆ＋”Ｊる、、次い【・これを水素に
冨む雰囲気中において加熱して、水素を絶ｉ層内ＩＪ４
１ｔ；散ｕしめ、水素を拡散さＬ！（いイ『い絶縁１ざ
ｊＪ、りｔ）硬い水素化金属を形成さける。同時に、焼
鈍によって軟ｊｉｆｆ１！Ｌ′ｖＪ利に最適の磁気１ビ
１↑ノ１をイＪ！）ＪることかＣ゛きる。この種の適当
な水素化金属類の多くの例は二」一丁』−クのアカデミ
ック出版（Δｃａｄｅｍｉｃｐｒｅ５ｓ）／）１１ら１
９６８年に刊行ざれたミＪＬ−／−（Ｎ４ｔ＋ｌｌ（！
ｒ）、ブラックレツジ（１３ｌａｃｋｌｅｄｇｅ）及び
リボウィツツ（ｌｉｈｏｗｉｔｚ）署の「水索化金属類
−ｌ（Ｍｅｔａｌｌｌｙｔｌｒｉｄｅｓ）に示されてい
る。 能のカス類を金屈類中に拡散させるか若しくは金属ｍど
結合ざせて、良クｒな結果を得ることもできる。例えば
、酸素や窒素を絶縁層に拡散又は結合させるこどムでき
るが、これらのガスは水素と比較？Ｊれば拡敗さぜグ・
１１い。 叙トの如く、本発明による構造体は磨耗特ｆ１が改善さ
れるばかりで４１＜、信頼性が高く、均−ＩＩ１が優れ
た構’）４４ｉＫで′あることは明らかである。然し乍
ら、史に重要なことは、本発明（Ｓより軟磁性金属に更
に好５１：シい磁気特性を与えるために製造後に焼！Ｉ
Ｉｉでぎる軟磁ＩＩ１積層品が１′．ノられることであ
る。 ４．図面の簡！１ｊな説明 第１図は厚さ減少前の積層ビレツＩ〜の１１■略断面図
、第２図は第１図の２−２線に沿って切断した一部拡大
図、第３図は第２図に示した１１゜１’ｈｊ：，Ｌ，体
の変更例を示す概略図、第４図は第２図に小刀と同じ構
造体の厚さ減少１わの顕微鏡７７ｊ’７、第５）図は第
１図に示す構造体の熱処理後の顕微窺７７″息、第６図
は遮蔽積層品の概略ｆｌＪｉ面図、第７図は第２図又は
第３図（こ示？Ｉ積層晶と第６図に示づｌｔ’ｉＲ（：
晶とから成る複合構造体の概略断面図である、，１０・
・・軟磁性物質層１２・・・絶縁性１１一合物形成１ｉ
ＡＮ’１層１４・・・ザンドイツヂ構造体１６・・・グ
ーシング１８・・・鮒２０・・・充填物’ｉ’Ｉｊ２４
・・・磁１’＋月才｛１４４・・・ｆ−１７ＩＩＩ１ｉ
＝Ｐ７４Ｇ・・・＾導電性］ｎ４８・・・絶縁１ノｌ化
台物層千続禎ｉｉｆ．ｉＬＵｉ式）（ｌ） 昭和３５８年１０月５口 ’４’ｒａＴ庁［〈官若杉和大Ｉ股 １゜ＩｉＩ’ｌの人示ｎｒ！和５８イ［特Ｙｒ願ｍ５９
ｙ＋：＊ｒ？．介明の名｛！ｊ１積層磁性材口 ｎ．ｔｔｌ！１１｛！Ｊる者 ｛ｔｌｌｔどの関１系１冗′１出１？ｆｉ人１１所１メ
リカ合衆国，ペンシルバニア州１５２３！’ｉ，ピッツ
ハーグ，ベンゼンターブールバード１１００，ｉ′パー
１へメン１・１１１７ ’ｎ；？２代俵考クレーｒ１−ン・エヌ・ウ■ツｉ〜ス
トーン１．代理人 中京！′ｌ１彎ＪｉＦｉ区下落合二丁［１１／′１番１
ｊ，４ベー゛ 〒１ｒｊ１電話！’）５１−１１８１．−−−− （！’＋！１６０）プｔ叩！’−ｌ’ｉ：’ｉ４”ｌ悟
：−霞’１（’ｒ？！・（・急，・ ′一′■ミ、．−１ ．．：／ ０．浦１１命令の１１１・ＩＩＩｒ＋−ｒｌ＋！ｍ年！
１ｆ１２７１．Ｔｌ←允）ス［１）０浦］１σＢ，Ｉ’
：会１（：ｆＬ’：（’添ｆ、１した１ｌＩ川｛１？（
：の１図１６１の簡甲イ，〜，況明ｌの析１７．ｔｌｌ
ｔｉｆの内ｆＹ別１ｉ（の通り［補正の内容Ｉ 願出に添｛；ｌシタ明ＩＩ；ｉｉノ第！ｉ３ｉ’（ク１
１７？−１ｆｌ）ｋヒ第１８行目に１顕微鏡写貞ｌとあ
るの４、ネ１′ｊ子ＪＭ造を示７ノ顕｛π＆Ｓｉε゛イ
ｉ゛自と補正しま１１， 丁続補ｒ丁］用（方式）（２ノ 昭和５８年１０月５「１ １ｊｊ几′１庁艮官才“１杉和大殿 １．串｛′１のと小昭ＩＩＩ！ｉ８イ１特許腐！第．’
ｉ９３８３弓２．介明の名称情Ｋ９磁性祠石 ３．？＋ｌｉｉｌ−をｊ１−る者 串１′１−どの関係特許出願人 告所アメリカｆ）衆［Ｃ１，ペンシルバニア州１！ｉ２
３５，ピッツバーグ，ペンセンクーブールバード１１０
０，，ノ′バー刊・メン１〜１１１７ （％Ａ代寺病クレイトン・エヌ・ウエットス１・−ン１
．代理人 ”″″′゛“゜“ｑ 〒１６１電話０！ｉ１−１１８１ ３，，１、１、３，、，、１．１、ｌ．’．’ｉ！ｉ４
”Ｉｆ７ｊｌｊ智フ′．）一側１：’，’ｉＱ ５．補ｉｒｉ♀令のｆｌ（ｄｌｌ．ｈ和５８１１９月２
７口（発）ス１］）６．ｉ＋ｌｉ＋ｌノｙ・Ｉｇｊ畦咄
テ嗣→己キ食イ申シεダタ西千若ｋ多？１行質贅告舊炙
４毘ｑ６９ウ雫脅漕イ）７じ｝振♀′７．冫山１■の１
人１１；Ｙ別組の）百り［補正の内容］ （１）昭和５′：Ｊｇイ［５月／ｌｌ−１ｆ＝Ｉ４ｊｉ
’出の丁続補１丁出に添何した明細刀の第２８頁第３行
目及び第７′１持１゜１｛こ１−顕微鏡写真」とあるの
を、 粒了措）告を小１ノ省ｉ微鏡７）゛貞 ど補ｉ「シま１ノ。
断面１図、第２図は第１図の２−２線に沿って切断した
一部拡大図、第３図１４１第２図に示した構造体の変史
例を示暫ｊ｛既ｌｌ’８図、第４図は第２図に示づ−と
同じ｛１Ｉ１造体の１′，ｊさ減少後の顕微鏡７ｌ真、
第５図は第４図に示づＩ：／＋’ｒ古鉢の熱処理後の顕
微鏡写真、第６図｛、１木允明の原理によつ−Ｃ製造し
た遮蔽積層品の概略ＩＪＩｉ面図、第７図は第２図又は
第３図に示す積層品と第６図に示Ｊ積ｊ（ｉ’ｉ品とか
１）成るｆ’Ｊｒ’；ｌ１１１’＋：’＝（１＼のＪＰ
，Ｋ略断而図、第８図１．＋本発明の実ｆ＋Ｉｌ！例の
′つの絹立℃を展聞し（概略的に承り図、第０図は第Ｅ
３図の９−４）線に治って切ＩｊＩｉシた部１ｑｉ面図
（あぺ》１，１０・・・軟磁竹物質層１２・・・絶縁４
ノ１化合１クｊ形成＋ＡＭ’ｊｌ層１４・・・４ノ−ン
ドイツチ梯旨古ｆ４；１ｅ・・／７−−−シング１８・
・・鯖↑２０・・・充填物’ｉｊ２４・・・ＪＩｉ目１
１＋４４″＋１４４・・・ｆ”４１１１１層４６・・・
高導電性層４８・・・絶肩、性化合物ｈ・１６３− 手続補正書 昭和郭年ｔ月ｆ日 特許庁長官若杉和夫殿 １．事件の表示 ゛５″ ＢＳ和！？＋９月６ｌ↑出渚を９対粁邊を（り２．発明
の名称積層磁性材料 ３，補正をする者 事件どの関係特許出願人 住所アメリカ合衆国，べ〜ンヒア州ｌ５２３５，ビツツ
パニグ，ペンセンタープールパード１ｌ００Ｉアノ−一
トメント１１■７ 氏名クレイトン●エヌ・ウエットストーン４．代理人 東京都新宿区下落合二丁目１４番１号 〒１６１電話’７５１−１１８１ （５’？６０）弁理士吉村，１４−ヨ１・一）′？ ５．補正命令の日付出願審査の請求と同時にする補正６
．補正の対象願書に添附した明細書の全文倦礁顛く７′
特許斤 ７．補正の内容別紙の通り．５８．５．１〔補正の内容
〕 （１）願書に添附した明細書を別紙の通υ補正し、（２
）願書に添附した図面の第８図及び第９図を削除します
。 明細出 １．発明の名称積層磁性Ｈ料 ２．特許請求の範囲 句数層の軟磁性材料と、隣接づる軟磁性材料層間に配設
された少なくとも一層の電気絶縁層とを含む積層磁性材
料であって、前記絶縁層が焼鈍の間に前記軟様蚤性材料
層に熱結合し、且つ前記絶縁層が半導体層から成ること
を特徴とする積層磁性祠わｌ。 ３．発明の詳細な説明 本発明は積層磁竹材利に係り、特に例えば変圧器のコア
、磁気録音ヘッド及び電場及び磁揚の遮ｉｆｆ！ｉｌＪ
どの交流用に用いるに特に適した品質の｛ｔ〕ら物を与
える月利に係る。 透磁率の高い軟磁性物質は、変圧器の］ア及び磁気ヘッ
ド等にしばしば用いられる。ここに軟磁↑Ｉｉ物ｖ１と
は磁化率が低く残留磁気の保持力も低い物質を意味づ−
る。このような場合、うず電流損を減少さ１！るために
、透磁率の高い軟磁性物質を電気絶縁Ｐ１有機化合物類
とともに保持する。本発明の目的は、この型の構ｊ青の
改良品を提供し、改良積層構造物を製造するための仙層
磁竹拐利を提供することである。透磁率の高い積層物を
製造゛りるために現在行なわれている方法においては、
軟磁性物質から成る個々の層をまず約１０（１（１゜０
て熱処理して、所望づる高い透磁性を与える。熱処理さ
れた軟磁竹の物質を手作業によって有｛代絶信、化合物
で接着する。然し乍ら、熱処Ｉク！によって磁性層が物
理的に軟くなり、接着１二稈中に磁ｉノ１層がダタ曲し
易くなり、弯曲によって個々の軟磁１（１層及び百られ
る構造体の磁１Ｑの不均−化及び劣化が惹２＼起こされ
る。 更に、積層製品に中１イｌの周波数及び高周波数作動時
における良θＹな特性を与えるためには、磁１イ１材１
１１から成る層は極めｒ’ＡＤいこどが望ましい。即ち
好ましい磁性材料層の厚さは約０，０２５４ｎｌＩｌｌ
（０．００１インチ）のＡ−グーである。祥一）で、軟
磁↑Ｉ１層は薄く［１−ルに巻き付けられた貯蔵状態か
ら引き出されるのが普通であり、巻きｆ」り■稈に起因
する固有の反り即ち固有の曲率を持っている。従って、
仔｝Ｍ層を梢層Ｊ−るときに、これを平らにするのであ
るが、そうすることによって更に応力が加わりその結果
構造体の磁↑４の均−ｆ！ｔ及び１４性が更にＪ＋ｊな
われる。更に、接着工程によっても応カが更に加わり、
積層されたコアは有機接看剤中の泡又｛；１接着不良に
起因して屑々多孔質（スポンジ１ノ０になる。従って、
本発明の目的は、均一な透磁慴及び保磁竹を有し、上記
の応カ及び欠点を持たづ゛非常に１０れた均−な磁性特
性を有する製品を製造し得る積層磁性材料を提供するこ
とである。 ｛”Ｋｌ＋の手作業による接着工程の間に、柔い磁＋′
ｔ層がひどく曲げられてしまうため、得られる積層品が
ぞの用途に全く適さなくなることも多い。製造中にこの
種の曲りが検知された場合には、その薄：摸層を破６ト
する。これは幾分がコストを高めるけれども、曲った層
が製造後に検知ざれ積層構造体を含む仕上り集合体全部
を破棄することが必要となる場合に比較すれば、それほ
ど重大な影響はない。更に、破東しｔＴ＜どもよい積層
品の曲りは比較的少ないことが要求されており、従って
工業生産一Ｖスクラップ・「ｌス率が非１３゛に高い。 ４−’（−＞て、手作業による接着工程を省くことかて
ぎ、目っスクラップ・ロス率の低い均−な積層長目ＩＩ
４Ａ￥＋１色提供ずることが本発明のもう−っの目的で
ある。 上記の処理の困勤竹のために、０，０２５４ｎｖ（０．
００１インチ）以下の薄い層は実際上使用できなかった
。そのために構造体が満Ｗに作動し１！１る周波数領域
が限定ざれることとなる。ｂＹって、本発明の今一つの
目的は、雇がに薄く柔い磁竹層を右づる積層磁性材料を
提供することである。本発明の付随的な「１的は、勿論
、優れた高周波作ＵＪ特何を有する記録ヘッド等に用い
る積層構造体を提供覆ることである。 二個又はそれ以上の記録ヘッドが整合していることが要
求される場合も多い。この種の用途に用いる場合には、
それらの作動特１１間に相違があるために一対のヘッド
が良好な作動特性を有するだけでは不充分である。本発
明に係る積層磁ｆノ１月利から製造された構造体は均一
であるから、両方が整合し高品質な作動への応用に驚賃
的に通りる素了を提供りることは、比較的簡単である。 本発明のイ■の利点は、絶縁層が磁性層より追かに硬度
か人ざく従って摩耗特↑ノ［が著しく改善ざれることで
ある。これは、特に磁気ヘッドに応用する場合に利益が
ある。実際、構造体の高周波応答特１ウ１を改善づる必
要のない場合には、摩耗特性を改善づるこどがより重要
となる。特にその種の構造体の製造が低廉で、より均一
で、スクラップ・［１スの比率が低いものであれば、こ
の性質は非常に重要である。従って、通常得られる装置
の高周波応答！ｌｊｉ１ノｌを保持しロつより良好な摩
耗特竹を有づる磁｛／Ｊ槓層品を提供することが本発明
のもう一つの目的で《）る。 −１二述の目的に適合し上述の利貞を右寸る槓層品を、
厚さ減少工程（（；ＯｒｅｄｌＪＣｔｉＯｎｓｔｅｐ）
、蒸着Ｉ−稈又は雷希］稈を要−することなく、提供す
ることが本発明の更にもう一つの目的である。 本発明の原理にＪ、れば、軟磁性金屈層を軟磁↑イ１金
属よりも実質的に電気抵抗の高い絶縁物質によっで分１
履１シ、積層品を形成した後に積層品を軟磁哲金属の力
２鈍渦１αにまで加熱してＶζＩａｆノｌ金屈に眉終製
品どして最適の透磁性をｆ’Ｊ”）する。 Ａ発明ＣＤ特ｍトＭル他（７）ｒｇｒ埋ニＪ．ｎ＋：ｒ
、ｈｌｂ”？（１’ｊ造体を熱処理工程に先立って例え
ばブランク操１／１にＪ；つて予め製造Ｊ“べき物体の
形状に形成し−（おく。このようにすれば、｛＾層品を
最終製品の形に覆るときにもたらざれる内部応力が然処
理１−稈にＪ；って除去ざれる。 電場を遮蔽又は集中寸る部分を形成りるこどを望む場合
には、銅等の導電性の高い連蔽材１１を−居又はイれ以
上隣接覆る磁すノｌ：ｋ’ｌ間に配説７１る。これは特
に例えばマルティ・１へラック・テープ・ヘッドの場合
に有用であり、隣接りるヘッド部が７７いに電界遮蔽部
によって分離される。これにより、磁性層が磁場を遮蔽
１ノ、導電層が電界を鴻蔽刀るから、磁界及び電界の双
方を鴻蔽し、隣接するヘッド部間にお（づる［漏話−１
を防１１−シた複合）ｆ６造体を容易に製造するこどが
できる。これとｔ、１胃なり、積層遮蔽部分を個々に作
り、記録ヘッド或い（Ｊ変圧器タイプの実施態様とは全
＜ｒ＋なる態様で、鴻融の１」的に応用づるこどもある
。 上）小の本発明の特徴に関する要約から、従前において
必四とされ、］ス］〜を高め、均−竹を損ね１１７られ
る製品の総合作ｆ）＋特ｆ１を決定的に低下させる丁作
業を要さずに、高品位のｖ＃４層品を形成づる簡ｎ１な
ｈ法が本発明により提供されることは明らかで一あろう
１，更に、変圧器タイプのＩ芯用にａ３いて１ｊ．，特
に磁ｆ’ｌ材利と絶縁材籾との厚さの比率を変える等の
手段により、最終製品の周波数応答特↑（［を容易に制
舅１することができる。 本発明にＪ、れば、厚さ減少工稈を除くことができる。 即ら、加熱されたときに約１０オーム・ｃｍ以１−の高
抵抗層を形成する一層又はそれ以上の層（こよって軟磁
性金属層を分離覆る。例えば砒素又はアンＪ七ン等の第
■族元索をアルミニウム等の第ｍ旗金屈の箔」一に１６
いて軟磁性金ｊ．がの層間に配設Ｊ−る。１１）られる
槓層品に熱と圧力を印加し、祠Ｆｌを完全に反応せしめ
て軟磁性金属の層間に硬質の？ｌ’＞４＞体層等の高抵
抗層を形成させる。従６ｉｔ使用されていた有椴物接着
剤を使用していないから、軟磁↑１金屈を焼鈍しＣ透磁
率を回｛υｕしぬることができる。この場合史に厚さを
減少ざ１！て透りｌキを更に高めるこどはでき４ｆい。 従っｃ１この実施例においては、Ｄざを減少さｕノ、＝
ものを用いｃ１【１られる非常に薄い軟磁１ノ１金属＋
ｘ−１ｉこＪ、−）−（ｂたら，＼れる高周波応答特１
ノ１は改善ざれてい２ｉ−．Ｌ’が、均−４１高い透ｌ
ｆｌ竹ど良好イＴ摩耗’Ｌ’ｉｌ’ｌを右りる４１４）
貴体が得られる。 十述の実施例の変史物は、レ１ノンＱ９の半埒１ホを′
、積層品に積み士けるに先ｒｔって、軟磁１７１金属の
層に沈積さけることによって１（１られる。次いｃ４″
４ｊ告体を加圧下で加熱して積層品を結合Ｊれぽ、）６
磁率の高い良好Ｗ７摩耗特ｆＩ１を右Ｊる積層品か冑ｔ
）れる。この実施例においては、これらの金屈ど結合し
て約１ＯＡ−ｌ＼・Ｃｎｌ以−１の抵抗を右覆る連μ・
層を形成する元素は、軟磁竹金属又は金屈３）１−にメ
ッキ又は沈積によりイ・１着さｉ−！る。 本発明の目的、特徴及び利点は、添削の図而を参照づ゛
る以下の説明から明らか（こイ１ろう。図中において、
同一の構成要素は同−の塔照？’４８で゛示づ。 ／−ＷＪｉ、図面ＣＬｉｙｉｆ図どしＣ化例して描かれ
たものではなく、！１ｉに説明用に描いたもので゛ある
。 本発明に係る積層磁性材わ）について説明する前に本発
明の塁となる、金属間化合物形成層により軟【イ目Ｊ１
＋，Ｉ別層を絶縁して形成した積層磁↑イ１祠利につい
て説明する。第２図において、軟磁性物質の層ｉｏＩ．
Ｌ適当＜ｒ絶縁化合物形成材料の層１２にＪ；って分凹
１され、絶縁化合物形成ロ利は加熱されると軟隅１ノ１
祠利と反応して、化学最論的な割合で共有結合した元素
から成る電気絶縁性のある化合物、言い換えれば電気絶
縁性の金属間化合物と呼ばれる化合物を形成する。所望
する数の層１０及び１２をサン１・イッヂｔｌ’Ｊ造体
１４に作り上げ、第１図に示す耐エッチ性のケーシング
１Ｇ内に入れる。 クーシング１６及びそれに囲まれたサンドイツブ構造体
１４を押出罐１８内に入れ、磁性材料と同じ｛幾械的特
↑Ｉ１を右りる充填物質２０を罐１８の側部とケーシン
グ１６との間に入れる。端部キャップ（図示せり゛）を
罐に熔接して罐の端部を閉鎖ずる。キＶツブの−方に排
気管が配設されており、端部キャツプを所定の位首に熔
接した１わに罐を真空に寸ることができる。罐を真空に
した後に排気管を締めｆ−１（プて熔接し閉鎖して甜１
８内部の減１丁を保持１る。 斯くして得られる第１図に示づ構造体２２を適当な方法
で加熱し、層流ダイを介して押出リこどにより、層１０
及び同１２はその〜ざが減少し拡散に」；り結合する。 押出し後、罐１８及び充填物８１１分２０を、例λ（５
１［ッチングにより取り除く。エツヂング０，￥には耐
エッチング性のケーシング１Ｇ、が厚さを８表少ｌしぬ
られたサンドイッヂ構造体１４を保１ｊｉ−ｄる，第４
図は、実際に押出されたビレッ１への積層部分の写真で
゛あるが、簡単に説明するど、軟磁１り祠牢３１２４の
層を有し、この層は後述１るｘｉ＋ｗ！Ｊ−ｑｉ：ｒ稈
において磁性材利２４と金属間化合物を形成づる物質か
ら成る介在層２６どどしにＰ２さを減少（！シめられる
。ここで、層２４及び２６は黒線２８で小されるように
、拡散結含している。 第４図に示す積層品を次いで最終製品の形状に加工する
。加工片から突起部を取り去り、ｈ一層品の縁部を汚染
している可能性のある金属を除去するためにエッヂング
を行なう。押出された原材又は形成ざれた構成片を、公
知の方法とはどんと同じブｊ法で・熱処理して、所望の
高い透磁率と低保磁ｆｉ↑ノ１をＨ’ｊりる。この熱処
理工稈中に、第１図の線２８で示づ拡散物が第５図にブ
ラケット３０によっ【示される金属間化合物を形成する
。第４図の磁性祠料２４ば焼鈍され−Ｃ第５図中の大き
な粒子群３２を形成し、第４図中の層２６は第５図中で
はブラケッ１−３０を（＝ＴＬた層の中心層３４に位置
覆る。第５図中の他の層、例えば層３６．３８及び４０
は、軟磁性材オ′）１ど絶縁１１化合物形成材別とから
成る第−，第：二及び第ヨ金属間化合物である。 この積層磁性月オ′」の重要な特徴は、軟磁性月オ３１
間で甲純な共有結合の規制には従わずに各元素が真の化
学的な化合物と同様に一定の原子比率で結合して絶縁１
４１の金属間化合物を形成することである。第２図の層
１２は、例えば二オブ、タンタル、ジル−１ニウム、ヂ
クン、ハフニウム又はパナジウム等の溶融しにくい金属
から成るものであることが望ましい。然し乍ら、薄膜の
選定に当たって（３１使用する磁性材利のタイプを考慮
する必要があり、サンドイッヂ４？ｌｆｆ造体１４が第
３図に示Ｊ−例に関ｌノで後述づる付加層を含むべきか
否かについでｌ〕、１史用する磁性＋Ａｌｌのタイプを
名虞に入れるＪどが必要がある。 上述した溶融しにくい金属類は、融魚が高く成形性が良
好であるためにクｆましいのではなく、それら自体の間
で又は隣接り−る層の軟磁性）ｔＡ利どの間で多くの絶
縁性金属間化合物を形成づるがら好ましいのである。二
成分系の金属間止合物の状ｆ劇図は、ニコーヨ１−クの
マックグ１」ウ・ヒル出版拐（ＭｃＧｒａｗ−Ｌｌｉｌ
ｌｌｌ＋ｏｋＣＯ，）から１９５８年に刊行ざれたマッ
クス・ハンけン（ＭａＸＩＩａｎｓｅｎ）著の「二元合
金の絹成Ｉ（ＣｏｎｓｌｉＮ＋ＩｉｏｎｏｆＢｉｎａｒ
ｙＡｌｌｏｙｓ）第２ｒＪｌ及び同じくニコーヨークの
マックグ［１ウ・ヒル出版ネ１から１９６５年に刊行さ
れたロドニイ・ビー・エリΔツ１〜（１（ｏｄｎｅｙｐ
．［ｌｌｉｏｔ）ｆ，の「丁元合金の組成」第１増補版
に記載されている。金属間化合物及びぞれらの特ｆ１に
ついては、ニコーヨークのウイリイ・アンド・ザンズ礼
（Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ）からのジ１−イ・王ツブ・ウ
エス］〜ブルック（，１．１−１．Ｗ（！Ｓｔｌ）ｒ０
０ｋ）著の［金属間化合物Ｊ（Ｉｎｔｅｒｍｅｒａｌｌ
ｉｃＣｏｍｐｏｕｎｄｓ）を参照されたい。 第３３図に示す例は、溶接しにくい金属の層１２ど磁性
祠石１０の層との間にイリ加層４４を配設した以外の点
にｄ５いては前述の例と同じである。層１２の物υ１と
金属間化合物を形成し、物質１０の通常の磁気特ｆＪを
１員なわない物質を層４４の物質として選定する、， 軟磁ｉｆ祠利１０は例えばハイ・ミコー８００（ＨＶＭ
ｌｌ８００＞から成る。これはカーペンター・ス｛−ル
・ｒ−ボレイシＢ７（Ｃａｒｐｅｎｔｅｒ３ｆｅｅｌＣ
ｏｒｐｏｒａｔｌｏｎ）の商品名であり、７０％のニツ
ケノレと１６％のｖ１ど４％の１−リブデンから成る。 この合金ｆｊｉｌｌｉ相の、ａＯち固溶体合金であって
、ニッケルの結品４；４逍を有し、適当な熱処理を加え
れば高い透磁率と低い保磁力を示づ−ものである。層１
０は、）９さ０，１７８ｍｍ（０，（１０７インチ）、
幅約５．０８ｃｍ（２インチ）、長さ約１２．７０ｃｍ
（５インチ）である。 金属間化合物による悄１１’！７磁ｔ／目ＪｊＦｌのこ
の例にＪける層１２は、厚さ約０．０１７８ｍｍ（０．
（１００７インチ）の市販ざれている等級のジル−１ニ
ウムぐある。ＫＱ１０及び１２の相対的な厚さは、磁性
Ｈ利のｆｉｆｔを高め、しかも化合物金属に最終製品に
対りる所望１′１動周波数範囲内において良好な電気絶
縁１ヒｒ性を与えるように選定する。１０：１乃〒２０
：１の厚さ比率が１）Ｔましいが、即ざ比率を低くした
場合には、焼鈍された製品の第５）図中に，１３い−Ｃ
Ｉ１′！ｉ３４ぐ示ざれる絶縁化合物形成物質層が相対
的に厚く【ｒる。大きさを考ｂｉｔに入れると、絶縁化
合物形成物負ｈηの全部又は大部分が反応して絶縁性の
金属間化合物を形成することが望ましく、その揚合には
第５図中の層３４に相当する層は存在しない。 上記のハイ・ミコー８００／ジル］ニウムの１Ｊンドイ
ツヂ横造体１４を、耐エッチング層１６として動くヂタ
ニウムの層で蔽った。号ンドイップ横造体と耐エツヂン
グ層とを低炭素＃Ａ製の罐１８中に入れ、充ｊｎ金属と
しＣハイ・ミュー８ｏｏど金属学的に性質が類似してい
る低炭素鋼充填金Ｒ２ｏを用いＩご。 ハイ・ミ：１−−８００と金属学的性質が頬似するその
他の適当な充填金属は、銅−ニッケル合金である勿論、
他の型の磁性材オ；３１を使用する場合には、他の苧の
介屓金属類を使用覆る。ｊ名当な軟磁性月＄ｉｌの他の
例は、ニコー」一夕のバン・ノス１〜ランド（ＶａｎＮ
ｏｓｔｒａｎｄ）ネＬがら１９５１年に刊行されたリブ
１冫−ド・−［−ム・ボゾノレス（ｒ＜ｉｃｈａｒｄＭ
，ｒ３０ＺＯｒｔｈ）Ｗの「強磁性Ｊ（Ｆｅｒｒｏｍａ
ｇｎｅｔｉｓｍ）及びアメリカ金屈学会（△ＳＭ）から
１９６１年に刊行されたアメリカ金属学会金属ハンドブ
ック委員会（Ｎ’１（！Ｉ（ＩｌｓｌＩｄｎ（Ｉｌ１０
０ｋＣＯｍ日ｔｅｅｏｒΔ〔ブで、低炭素鋼の甜及び充
填部分を除去・Ｉる。チタニウムは塩化第二鉄に１安ざ
れず、｛Ｉｒってブクニウム及びリンドイップ構）告イ
ホがｔの個残るがら、チタニウムを選定しｌζので゛あ
る。エッチングＴ稈の結宋物は、方形の列状に並んだも
のであり、第／Ｉ図の顕微鏡写真に示づ”断面を有りる
。次いで１ノンドイッヂ構造体を更に圧延し（、０．５
０８１１１１１１（０．０２０インチ）厚とづ−る。 押出された平らな貯蔵品を機械７１１．ｒ＋，て、＋１
’ｌｊ形の断面を有する１〜［１イドとし、ｌ−ｒ＋イ
ドの凹凸を取り、積層品の端部を汚染しＣいる金属を除
去するために弗化水索−硝酸溶液で−■−ツチングづ−
る。 次に、幾つがの１〜アイド’６−９００Ｔ；ｋ２１１：
＋Ｉｍｌ７７１１鼎Ｌ、ヘッドどして用いるために総合
的に則れた特ｆ１をイ１づろ。軟１６すノ１金属層（約
０．０２５４ｍｍ［０．００１インブ］厚）は厚さ減少
ざれていないから、１１１られる６゜４）古体の高周波
応答特性は、上記の厚さ減少を行イ廖′一）た鳴合にお
りる程顕著には向１−シない。然し乍ら、同じ厚さの公
知の積層品の高周波応答特″１ノ１に比べれば、幾らか
高周波応答特↑１が向上する。 その理由１ユ、公知の積層品の構造においては除去され
（いなかった製造時に生ずる内部応力を除去覆るｌ、＝
めに、積層後に焼鈍を行なったからである。 更に、公知の積層品のスクラップ・ロス率は大ぎく、本
発明に係る積ＩＦｉｆａ性材料から作った積層品は道か
に均−てあり、高抵抗層の硬度が大さいため、ｆｊ層品
の耐摩耗性は著しく高い。 本発明のこの特徴による他の実施例に（１メいては、抵
抗性の高い物質を直接に軟磁性金属層上に沈積さＩＩた
から、これらの層が反応して高抵抗の層を形成リ゛る必
要がなくなった。例えばセレンを軟磁ヤ１金屈．１に沈
積さＶて、砒素−アルミニウムの実施１９口こついて記
載したと同様の性質を有する積層品をｉｒＩるために、
十′ＪΔｉとｌｉｉｌじｌｙｒ）ｓで積みルねζｈ゜！
層品を形成させる。一酸化シリ］ンを用い−（０同様の
結果が得られる。実際１−、高周波１＋１，＋答Ｆｔ’
ｌが積層品を配設する特定の製品に要求される小要な１
（ｌ質でない場合には、複合積層品を軟１．ｆｉｌ１１
金属の焼鈍温度にまで加熱１る必要もない。＞１’々７
体又（まその他の高抵抗層の硬度によって−ｂたらされ
る所望の耐摩耗性を得るためには、｛１４造体に適切な
接着を与える稈度に加熱Ｊるだ１ｊ’−Ｃ：Ｊ、い１、
半導体又はその他の高抵抗の結合物をＲＪ加成分として
用いるこどもできる。第２図の軟磁１ノ１金属間の層は
、例えば鉛、錫又｛まハフニウム十にｌ＝レンを沈積さ
けて成るものであってもよい３，その仙のものを例示Ｊ
るど、硫化カドミウム、硫化１｛）、酸化カドミウム、
硫化亜鉛、酸化ｒｌｌ＋鉛、ｌ１■化ニッケル、硫化ゲ
ルマニウム、硫化錫等ぐあり、オハイオ州クリーブラン
ドのケミカル・ラバー・ノノンパ＝−（Ｃｈｅｍｉｃａ
ｌＲｕｂｂｅｒＯｏｍｐａｎｙ）から刊行された［物理
及び化学ハンドブックＩ（ｌｌａｎｄｂｏｏｋｏｆＣｈ
ｅｍｉｓｔｒｙａ面Ｐｈｙｓｉｃｓ）に記され（いるＩ
ｊのと同稈度のエネルギー・ギャップを何するその他の
化合物を用いることもできる。 １！）７２−１９門年版（５３版）では、この種の半導
体素ｒは「一８９頁乃至Ｅ−９２頁に列挙ざれている。 −１記の半導体又はその他の高抵抗層をテープ状の形に
ナすことしでぎる。例えば、ハフニウｌ１又はしリブｊ
′ンの粉末をセレン粉末及び揮発性の接糖剖工・辿ム１
千−プ」★）とｌ，Ｔ高紙抗國を形成六反応させて高抵
抗層を形成さけることが（さる。 二種の金属を反応ざぜで半尋体を形成させるこどもでき
る。例えば、モリブデン又はハフニウｊ１の如き金属は
、例えば硫黄のＯｉｌぎ非金属と反応して高抵抗の無機
化合物層を形成し１！Ｉる。例えｆ．１シＩノンの如き
粉末状半導体から成るテープをつくるこどもできる。 本発明の積層磁竹柵利にあつ（は、積層品を｛ΦのＰ２
さＪ；り茗しく厚くてはいけイアい。これは、このよう
な未反応層の厚さが増加すればうず電流による損失が増
加覆るからである。銅をニッケルに貿換した場合も上記
と実質的に同じであり、結果もほぼ同じでｄうる。 遮蔽ＩＮｊ告体について積層磁性材料の使用例を第６図
に１１略的に示す。遮蔽ザンドイップ構）２！体１４Ｓ
（」、第３図の実施例の介在層４４と比較すると厚い銅
層４６を右Ｊ−る。この銅層４６は、隣接する両チタン
層４８に秋Ｊ：れ、更に軟磁性材利１０の間に配設され
る。１１１１層とｉｌｌ５ζ磁性材１１層との厚さは０
．１７８ｍｍ（０．００７インチ）であり、チタン層の
厚さはｏ．０１７８ｎｕｎ（０，０００７インブ）であ
る。その他の点については、上述した例と同様にして製
造した。然し乍ら、この場合にはヂタン層４８は軟磁性
材利１０及びｒ２い銅層４６の双方と絶縁性の金居間化
合物を形成リる。これｌうの金属間化合物は、第５図の
層３６．３８及び４０ど同様の化合物であり、得られる
銅層は電界遮蔽に働くに充分な程度に厚い。従って、ビ
レッｌ〜の厚さ減少を行ない削り出しを行なった棲には
、銅層４６が電界；庶蔽層とし−ｃ＠Ｉさ、第５〕１ζ
１の層３２に相当する磁性層１ｏが磁界遮蔽層どじ−Ｃ
廟く。 高導電１ｌ１層４６を電弄遮蔽に用いる腸合に（３１、
焼鈍工程中でその全部が反応しでしＪ１：う稈薄いＬ）
のであっては４Ｔらない。実際１、絶縁１ノ１の化合物
物質の層４８の少むくども３｛ｉ″１のｊ，−１さ（・
な【−ノればイ１らない。金属間化合物の生成反応終γ
１ねに残存りる層４６が、残存する軟磁性材１′３１の
層とほば同ｌじ厚さであることが好ましい。然し乍ら、
遮蔽作用に関する限り、場所的な制限に合う限り、高導
電１’１層は所望によりもっど厚く刀るこどｂｃｉ：＼
ろ。ある種の疏蔽に用いるどぎには、導電層４Ｇを軟磁
性層１０ど絶縁する必要がない場合もある．，ｑ：ｔ−
って、この場合には層４８をはふく。 遮蔽用に用いる場合においては、第２図及び第３図の変
圧器用の構造体と）廣ｍｌ用の構造体とを組み合わせる
。即ち、第７図に承り−Ｊ、うに、押出しビレットは、
第２図に示ず第一のザンドイッヂ荀１造体の層１４と、
第６図に示づ如き遮蔽層から成る第二丁の１Ｊンドイッ
プ構造体１４Ｓとを有する。厚さ減少及び造形後、サン
ドイツチ構造体１４によって得られる変圧器用の部分を
駆動又は受容磁化回路に１ａ続する（Ｊれども、｛ノ−
ンドイツヂ構造体１４８にＪ、一）（１５１られる鴻蔽
用の部分は接続しない。ｌＩＪｉ＜の如くになすことに
より、遮蔽部が変圧器用の部分をひいに鴻蔽ヰるから、
第７図に示す複合構造体は−冫ルヂ・トラック記録ヘッ
ドとして使用するのに署しく適したものであり、変圧器
用の部分は夫／？１−ラックどして廟ぎ、それに隣接す
る遮蔽部が他の変１１器用の部分からのｒｉｌｉｉｆ話
」を防山する。 当該技術に通晴．した者であれば、回路Ｍは極く概略的
に示されたものであることを認めるであろう。 例えば、図中の点線によって部分１４が一体に接続され
ていることを示づわけではなく、回路Ｍは電気回路部を
有し１１１るのである。 本発明は、上述の如く反応して金属間化合物を形成づる
物質の代りに、高抵抗の他の物質を用いるこどを１；？
案づ−る。ぞの−実施例においでは、０．０１７８ｍｍ
（０．０００７インチ）厚のアルミニウム箔」二に約０
．０１２７ｍｍ（０．０００５イン−１）の厚サニｆｉ
ｌｌ：素を沈積さけた。第２図の積層品と同様の積層品
が軟磁すＩ１，金属（ハイ・ミ］．−８００）及び砒崇
被苦箔上に形成された。次いで積層物に圧力を印加し、
軟磁↑ｌｌ金属の焼鈍温度によ−（加熱した．．｛ｄｌ
。んと）′ルミニウムが反応して軟磁性金属の各層間に
、半導体又は木質的に電気絶縁１′１の１１“１が形成
された。 得られた積層品を？ｉＪｌ磨し、試験に先立ってつや出
しを行なう。 アルミニウム箔を用いる仙の実施例におい（（、１、０
．０１７８ｍｍ（０．０００７イン゛ｆ）のｊ′ルミニ
ウム箔十に０．０１６０ｍＩｌｌ（０．０００６３イン
チ）のアンブ七ン層を沈積させ、これを軟磁１／ｌ金屈
ど積）ｔ！′ｉＬた１、この積層品を軟磁竹金属の力２
鈍：ＫＡＩσに」、で加熱しＩｃ．，これにＪ：り、ア
ンヂモンど軟’ｆｌｔｋ＋Ｉ金屈どの間に拡散接名が？
１１．’ｃわれ、アルミ，−ウｌ＼かアンｆ（ンと反応
して半導体又は本質的に絶縁ｆ１の層か形成される。拡
散接着部分は恐らく絶縁ｉｌｌｒはイ１′いか、得られ
た半導体層が充分に電気的に絶縁１ノｌ：’ｒ′あるか
ら、冑られた積層品は全体としＣ、例λば磁気ヘッドど
じて用いるために総合的に優れた１４↑Ｉ１をイ１ηろ
。軟磁すＩ１３属層（約０．０２５４＋１１１１１１０
．００１インチ１ｌ９）は厚さ減少されていないから、
１１７られるｈｌ／造体の高周波応答特性は、上記の厚
さ減少を行４ｌ：一）だ湯合にｉｌ’＋４−．１る稈顕
署には向ししない。然し乍ら、同じ厚さの公知の積層品
の高周波応答特・１ｌ１に比べれは、幾らか高周波応答
特矧が向−１−する。 その理由は、公知の積層品の構造においては除去され（
い＜ｉかった製造アＪＩに生ずる内部応力を除去覆るた
めに、積層後に焼鈍を行なったからである。 更に、公知の積層品のスクラップ・ロス率は大ぎく、本
発明に係る積層磁性材料から作った積府品は道かに均−
であり、高抵抗層の硬度が大きいため、積層品の耐摩耗
性は茗しく高い。 本発明のこの’ｆ？ｉ徴による他の実施例においては、
抵抗性の高い物質を直接に軟磁性金属層上に沈積さ１！
たｌ）曹）、これらの層か反応して高抵抗の層を形成づ
゛る必要がなくなった。例えばセレンを軟磁性金属十に
沈積さｌて、砒素−アルミニウムの実施例について記載
したと同様の性質を有する積層品を１５１６ために、上
述と同じ７−Ｉ法で積み中わで積層品を形成さゼる。一
酸化シリ」ンを用いでｂＩｉｉ１様の結果が１ｑられる
。実際１−、高周波応答１４↑ノ１が積層品を配設する
特定の製品に要求されるΦ要なｔｅｌ質でない場合には
、複合４１”１層品を軟磁１′１金属の焼鈍温度にまで
加熱１る必葭もイ１い。〉１′様体又（まぞの仙の高抵
抗層の硬度によって６たらされる所望の耐摩耗性を得る
ために”、Ｊｆシ告体に適切な接着をＬ−ｉえる稈度に
加熱ＪるだＩｉｊ−ＣＪ、い、，半導体又はその他の高
抵抗の結合物を１・」加成分として用いるこどもできる
。第２図の軟｛Ｉ★ｉｊ’ｌ金屈間の層は、例えば鉛、
錫又はハフニウｌい十ＭＩＹレンを｝メ［槓さけて成る
しのであって・ｂよい、３その｛ｌｊのものを例示Ｊ−
るど、硫化カドミウム、Ｖｌ１ｌ１化釣、酸化カドミウ
ム、硫化曲鉛、酸化用１！１）、酸化ニッケル、硫化ゲ
ルマニウム、硫化錫等ぐあり、オハイＡ州クリーブラン
ドのケミカル・ラバー・カンパニー（Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｆで１．１旧）ｅｒＣＯｍｌｌｉｌｎｙ）から刊行され
た［物埋及び化学ハントブックＩ（ｌｌａｎｄｂｏｏｋ
ｏｆＣｈｅｍｉｓｔｒｙａｎｄｐｈｙｓｉｃｓ）に記さ
れ（いるＬ）のど同稈旧のエネルギー・ギャップを何す
るその他の化合物を用いることもできる。 Ｈ］７２１９７３年版（５３版）では、この種の半導１
ホ索ｒはＦ−８９頁乃至Ｅ−９２頁に列挙されている。 ．ｉ記の崖導体又（まその他の高抵抗層をテープ状の形
になづ−ことらでぎる。例えば、ハフニウム又（ましリ
ブｊ゛ンの粉末をセレン粉末及び揮発竹の接着剤と混合
し、テープ状として高抵抗層を形成さけることもてきる
。これに関する訂細は、例えば米国１７丁許第３，２９
３，０７２＠明細書に記載されているが、断くの如くに
りることにより、加熱によって有機物接着剤が揮散しセ
レンが金属と反応して所望の１１゛ラ抵抗層が形成され
る。アンチモン又は砒素の粕末をアルミニウム粉末と氾
含して同様のテープをつくり、１５１られる高抵抗層を
＝＋′ｍ体とづるこどもでぎろ。 土記の実施例におけるモリブデンーセレン化合物の抵抗
Ｉ５１、約４０００オーム・Ｃｌｌｌであり、ノ＼フニ
ウｌ１レレン化合１υｊの抵抗は約４００００オーム・
ｃｍで・ある。多くの他の元素類をテープ形状（こし、
積層し、反応させて高抵抗層を形成さけることが【さる
。 二種の金属を反応させて十尋体を形成させることもでき
る。例えば、モリブデン又はハノニウムの如き金属は、
例えば硫黄の如き・非金属と反応して高抵抗の無機化合
物層を形成し１艷１る。例えはレ１ノンの如ぎ粉末状半
導体から成るテープをつくるこどもできる、、 本発明の積層磁ｔ’ｌＩＪＰ＋にあつ−（は、積層品を
｛Φ々のガスに冨む雰囲気下において加熱しガスを絶縁
層内に拡散ざＵるか若しくは１１１の万｝人にＪ、り力
スを絶縁層内に導入Ｍることによ（′〕、各絶１ｆ＋層
の硬度を更に改善すること−してさる、、本発明のこの
特徴にＪ；るθｒ通な実ｈ１！例に．４３い（は、積層
品を製）へＪ−る方法｛、１、１記と全く回昔，１１０
１ｊ法による。積層品を先ず組込み、削り出し、焼鈍し
、研門し、洗２’ｆ＋”Ｊる、、次い【・これを水素に
冨む雰囲気中において加熱して、水素を絶ｉ層内ＩＪ４
１ｔ；散ｕしめ、水素を拡散さＬ！（いイ『い絶縁１ざ
ｊＪ、りｔ）硬い水素化金属を形成さける。同時に、焼
鈍によって軟ｊｉｆｆ１！Ｌ′ｖＪ利に最適の磁気１ビ
１↑ノ１をイＪ！）ＪることかＣ゛きる。この種の適当
な水素化金属類の多くの例は二」一丁』−クのアカデミ
ック出版（Δｃａｄｅｍｉｃｐｒｅ５ｓ）／）１１ら１
９６８年に刊行ざれたミＪＬ−／−（Ｎ４ｔ＋ｌｌ（！
ｒ）、ブラックレツジ（１３ｌａｃｋｌｅｄｇｅ）及び
リボウィツツ（ｌｉｈｏｗｉｔｚ）署の「水索化金属類
−ｌ（Ｍｅｔａｌｌｌｙｔｌｒｉｄｅｓ）に示されてい
る。 能のカス類を金屈類中に拡散させるか若しくは金属ｍど
結合ざせて、良クｒな結果を得ることもできる。例えば
、酸素や窒素を絶縁層に拡散又は結合させるこどムでき
るが、これらのガスは水素と比較？Ｊれば拡敗さぜグ・
１１い。 叙トの如く、本発明による構造体は磨耗特ｆ１が改善さ
れるばかりで４１＜、信頼性が高く、均−ＩＩ１が優れ
た構’）４４ｉＫで′あることは明らかである。然し乍
ら、史に重要なことは、本発明（Ｓより軟磁性金属に更
に好５１：シい磁気特性を与えるために製造後に焼！Ｉ
Ｉｉでぎる軟磁ＩＩ１積層品が１′．ノられることであ
る。 ４．図面の簡！１ｊな説明 第１図は厚さ減少前の積層ビレツＩ〜の１１■略断面図
、第２図は第１図の２−２線に沿って切断した一部拡大
図、第３図は第２図に示した１１゜１’ｈｊ：，Ｌ，体
の変更例を示す概略図、第４図は第２図に小刀と同じ構
造体の厚さ減少１わの顕微鏡７７ｊ’７、第５）図は第
１図に示す構造体の熱処理後の顕微窺７７″息、第６図
は遮蔽積層品の概略ｆｌＪｉ面図、第７図は第２図又は
第３図（こ示？Ｉ積層晶と第６図に示づｌｔ’ｉＲ（：
晶とから成る複合構造体の概略断面図である、，１０・
・・軟磁性物質層１２・・・絶縁性１１一合物形成１ｉ
ＡＮ’１層１４・・・ザンドイツヂ構造体１６・・・グ
ーシング１８・・・鮒２０・・・充填物’ｉ’Ｉｊ２４
・・・磁１’＋月才｛１４４・・・ｆ−１７ＩＩＩ１ｉ
＝Ｐ７４Ｇ・・・＾導電性］ｎ４８・・・絶縁１ノｌ化
台物層千続禎ｉｉｆ．ｉＬＵｉ式）（ｌ） 昭和３５８年１０月５口 ’４’ｒａＴ庁［〈官若杉和大Ｉ股 １゜ＩｉＩ’ｌの人示ｎｒ！和５８イ［特Ｙｒ願ｍ５９
ｙ＋：＊ｒ？．介明の名｛！ｊ１積層磁性材口 ｎ．ｔｔｌ！１１｛！Ｊる者 ｛ｔｌｌｔどの関１系１冗′１出１？ｆｉ人１１所１メ
リカ合衆国，ペンシルバニア州１５２３！’ｉ，ピッツ
ハーグ，ベンゼンターブールバード１１００，ｉ′パー
１へメン１・１１１７ ’ｎ；？２代俵考クレーｒ１−ン・エヌ・ウ■ツｉ〜ス
トーン１．代理人 中京！′ｌ１彎ＪｉＦｉ区下落合二丁［１１／′１番１
ｊ，４ベー゛ 〒１ｒｊ１電話！’）５１−１１８１．−−−− （！’＋！１６０）プｔ叩！’−ｌ’ｉ：’ｉ４”ｌ悟
：−霞’１（’ｒ？！・（・急，・ ′一′■ミ、．−１ ．．：／ ０．浦１１命令の１１１・ＩＩＩｒ＋−ｒｌ＋！ｍ年！
１ｆ１２７１．Ｔｌ←允）ス［１）０浦］１σＢ，Ｉ’
：会１（：ｆＬ’：（’添ｆ、１した１ｌＩ川｛１？（
：の１図１６１の簡甲イ，〜，況明ｌの析１７．ｔｌｌ
ｔｉｆの内ｆＹ別１ｉ（の通り［補正の内容Ｉ 願出に添｛；ｌシタ明ＩＩ；ｉｉノ第！ｉ３ｉ’（ク１
１７？−１ｆｌ）ｋヒ第１８行目に１顕微鏡写貞ｌとあ
るの４、ネ１′ｊ子ＪＭ造を示７ノ顕｛π＆Ｓｉε゛イ
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３５，ピッツバーグ，ペンセンクーブールバード１１０
０，，ノ′バー刊・メン１〜１１１７ （％Ａ代寺病クレイトン・エヌ・ウエットス１・−ン１
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Claims (1)
- 複故層の軟磁性材わ１と、隣接する軟磁性材料層間に配
設された少なくとも一層の電気絶縁層とを含む積ｍｌ磁
性材斜であって、前記絶縁層が焼鈍の間に前記軟磁性材
料層に熱結合し、且つ前記絶縁層が半導体層から成るこ
とを特徴とする積層磁性材１′＋１ｏ
Applications Claiming Priority (2)
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|---|---|---|---|
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| US356893 | 1973-05-03 |
Publications (2)
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| JPS5946010A true JPS5946010A (ja) | 1984-03-15 |
| JPS6048887B2 JPS6048887B2 (ja) | 1985-10-30 |
Family
ID=23403403
Family Applications (3)
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| JP5938383A Expired JPS6048887B2 (ja) | 1973-05-03 | 1983-04-06 | 積層磁性材料 |
| JP5938283A Granted JPS5951505A (ja) | 1973-05-03 | 1983-04-06 | 磁気記録ヘツド用積層磁性材料の製造方法 |
Family Applications Before (1)
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|---|---|---|---|
| JP48084240A Expired JPS598050B2 (ja) | 1973-05-03 | 1973-07-27 | 積層磁性材料及びそれを用いた積層構造体 |
Family Applications After (1)
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| JP5938283A Granted JPS5951505A (ja) | 1973-05-03 | 1983-04-06 | 磁気記録ヘツド用積層磁性材料の製造方法 |
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- 1983-04-06 JP JP5938283A patent/JPS5951505A/ja active Granted
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