JPS5948448A - スレオ−３−（３，４−ジヒドロキシフエニル）セリンの製造法 - Google Patents
スレオ−３−（３，４−ジヒドロキシフエニル）セリンの製造法Info
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- JPS5948448A JPS5948448A JP57158870A JP15887082A JPS5948448A JP S5948448 A JPS5948448 A JP S5948448A JP 57158870 A JP57158870 A JP 57158870A JP 15887082 A JP15887082 A JP 15887082A JP S5948448 A JPS5948448 A JP S5948448A
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- threo
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、スレオ−３−（３，４−ジヒドロキ／フェニ
ル）セリン（スレオ−ＤＯＰＳ）の製造法に関するもの
である。 更に詳しくは、一般〔式中、Ｒ１およびＲ
３は水素原子まだはフェノール性水酸基の保護基を表わ
し、Ｒ３は水素原子１だはカルボン酸の保護基を表わす
。〕で表わされるケイ皮酸誘導体に、一般式（２） ％式％（２） 〔式中、 Ｒ４はアミン基の保護基を表わし、Ｘはハロ
ゲン原子を表わし、またＡはアルカリ金属原子を表わす
。〕で表わされる化合物を、酸化オスミウムを触媒とし
て付加することにより。
ル）セリン（スレオ−ＤＯＰＳ）の製造法に関するもの
である。 更に詳しくは、一般〔式中、Ｒ１およびＲ
３は水素原子まだはフェノール性水酸基の保護基を表わ
し、Ｒ３は水素原子１だはカルボン酸の保護基を表わす
。〕で表わされるケイ皮酸誘導体に、一般式（２） ％式％（２） 〔式中、 Ｒ４はアミン基の保護基を表わし、Ｘはハロ
ゲン原子を表わし、またＡはアルカリ金属原子を表わす
。〕で表わされる化合物を、酸化オスミウムを触媒とし
て付加することにより。
一般式（３）
〔式中、 Ｒ，、Ｒ２，Ｒ，、およびＲ４は前記のもの
を表わす。〕で表わされるスレオ−３−（３，４−ジヒ
ドロキ／フェニル）セリン誘導体を得、必要に応じて水
酸基を保護して一般式（４）〔式中、Ｒ□＋ Ｒ２＋
Ｒ３およびＲ４は前記と同じものを表わし、Ｒ５は水酸
基の保護基を表わす。〕で表わされる化合物とした後、
保護基をパラジウム−炭素などの重金属触媒による接触
還元、バーチ還元、酸処理、アルカリ処理など一般的に
よく知られた脱保護の方法を利用して保護基を除去する
ことによる。スレオ体を選択的に得ることができるため
にスレオ、エリスロ体の分離の操作を必要としないこと
を特長とするスレオ−３−（３，４−ジヒドロキンフェ
ニル）セリン（スレオ−ＤＯＰＳ）の製造方法に関する
。 ＤＯＰＳは、抗パーキンノン剤（特開昭５２−１
２５６３０号）。
を表わす。〕で表わされるスレオ−３−（３，４−ジヒ
ドロキ／フェニル）セリン誘導体を得、必要に応じて水
酸基を保護して一般式（４）〔式中、Ｒ□＋ Ｒ２＋
Ｒ３およびＲ４は前記と同じものを表わし、Ｒ５は水酸
基の保護基を表わす。〕で表わされる化合物とした後、
保護基をパラジウム−炭素などの重金属触媒による接触
還元、バーチ還元、酸処理、アルカリ処理など一般的に
よく知られた脱保護の方法を利用して保護基を除去する
ことによる。スレオ体を選択的に得ることができるため
にスレオ、エリスロ体の分離の操作を必要としないこと
を特長とするスレオ−３−（３，４−ジヒドロキンフェ
ニル）セリン（スレオ−ＤＯＰＳ）の製造方法に関する
。 ＤＯＰＳは、抗パーキンノン剤（特開昭５２−１
２５６３０号）。
抗うつ剤（特開昭５５−２０’７４’７号）、抗高血圧
剤として有用であり、抗パーキンノン作用および抗うつ
作用については、スレオ−ＤＯＰＳが特に強いことが知
られている。
剤として有用であり、抗パーキンノン作用および抗うつ
作用については、スレオ−ＤＯＰＳが特に強いことが知
られている。
従来、 ＤＯＰＳは３．４−ンベ／ジルオギ／ベノズ
アルテヒトとグリ／ノの縮合により３−（３゜４−ジベ
ノンルオキ／フェニル）セリンを経て合成する方法が知
られているが、この合成法で生成するＤＯＰＳは、立体
異性体であるスレオ体とエリスロ体の混合物として得ら
れる。
アルテヒトとグリ／ノの縮合により３−（３゜４−ジベ
ノンルオキ／フェニル）セリンを経て合成する方法が知
られているが、この合成法で生成するＤＯＰＳは、立体
異性体であるスレオ体とエリスロ体の混合物として得ら
れる。
従ってスレオあるいはエリスＩ−Ｊ −ＤＯＰＳ ′ｆ
：得るためには、いずれかの段階でスレオ体とエリスロ
体の分離が必要であり、医薬として有用であるスレオ体
のみを得る方法は、工業的にもきわめて有用である。
：得るためには、いずれかの段階でスレオ体とエリスロ
体の分離が必要であり、医薬として有用であるスレオ体
のみを得る方法は、工業的にもきわめて有用である。
本発明者らは鋭意研究した結果、スレオ・エリス１７体
の分離を必要とせずスレオ型の３−（、’３．４−シヒ
ト［１キンフエニル）−ヒリノｎｈ 櫛体ノ、トを選択
的に得る方法を開発し、保護基を除去してスレオ−ＤＯ
ＰＳを容易に製造することができた。
の分離を必要とせずスレオ型の３−（、’３．４−シヒ
ト［１キンフエニル）−ヒリノｎｈ 櫛体ノ、トを選択
的に得る方法を開発し、保護基を除去してスレオ−ＤＯ
ＰＳを容易に製造することができた。
本発明者らは、酸化オスミウムを触媒として。
トランス−α、β−不飽和エステルであるケイ皮酸誘導
体の二重結合にアミン基と水酸基をシス付加することに
より選択的にスレオ型の３−（３，４−ジヒド［」ギン
フェニル）セリン誘Ｊ 体が得られることを発見した。
体の二重結合にアミン基と水酸基をシス付加することに
より選択的にスレオ型の３−（３，４−ジヒド［」ギン
フェニル）セリン誘Ｊ 体が得られることを発見した。
つまり一般式（１）で表わされるケイ皮酸誘導体を
一般式（２）で表わされる化合物・水・硝酸銀および触
媒量の酸化オスミウムを用いてオキ／アミネー７ヨ／を
行なうと一般式（３）で表わされるスレオ体だけを生成
し、エリスロ体を捷つたく生成せず。
一般式（２）で表わされる化合物・水・硝酸銀および触
媒量の酸化オスミウムを用いてオキ／アミネー７ヨ／を
行なうと一般式（３）で表わされるスレオ体だけを生成
し、エリスロ体を捷つたく生成せず。
スレオ合成法として非常に有用なりＯＰＳの合成法であ
ることを発見し１本発明を完成した。
ることを発見し１本発明を完成した。
本反応は１反応溶媒としてアセトニトリル。
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホび冷却
して反応の促進および抑制を行うことができる。
して反応の促進および抑制を行うことができる。
本発明の一般式（１）お・よひ（３）で表わされる３４
−ジヒドロキンケイ皮酸誘導体のうち、ＨｌおよびＲ２
が示すフェノール性水酸基の保護基とは、フェノール性
水酸基を保護するために一般的に用いられる保護基を意
味し、メチル ：ｒ、チル等の低級アルキ乞 アリル等
の低級アルり：一ル基、べ／ンル基等のアルアルギル基
舌のエーテル性保護基、ア七チル等の゛ノ′ルカノイル
ノ昌ベノゾイル等のア［ｊイル基、ベノジル調キ／カル
ボニル基等アルアルキルオキ／カルボニル基等のアンル
性保護基あるいは−まだ、Ｉ（、とＲ２にまたかるメチ
レン等の低級アルキレフ基、ジメチルメチレフ等のジ低
級アルキルメチレ／、シフエニルメチレン等のジアリー
ルメチレン、カルボニル基、ホウ酸エステル等の環状保
護基等が好適例として挙げられる。 また、 Ｒ３が
示すカルボン酸の保護基とは、カルボン酸を保護するた
めに一般的に用いられる保護基を意味し。
−ジヒドロキンケイ皮酸誘導体のうち、ＨｌおよびＲ２
が示すフェノール性水酸基の保護基とは、フェノール性
水酸基を保護するために一般的に用いられる保護基を意
味し、メチル ：ｒ、チル等の低級アルキ乞 アリル等
の低級アルり：一ル基、べ／ンル基等のアルアルギル基
舌のエーテル性保護基、ア七チル等の゛ノ′ルカノイル
ノ昌ベノゾイル等のア［ｊイル基、ベノジル調キ／カル
ボニル基等アルアルキルオキ／カルボニル基等のアンル
性保護基あるいは−まだ、Ｉ（、とＲ２にまたかるメチ
レン等の低級アルキレフ基、ジメチルメチレフ等のジ低
級アルキルメチレ／、シフエニルメチレン等のジアリー
ルメチレン、カルボニル基、ホウ酸エステル等の環状保
護基等が好適例として挙げられる。 また、 Ｒ３が
示すカルボン酸の保護基とは、カルボン酸を保護するた
めに一般的に用いられる保護基を意味し。
メチル拳エチル等の低Ｒアルキルエステル、ベンジルお
よび芳香環置換ベンジル等のエステルおよび七−ブチル
エステル等が好適例として挙げられる。
よび芳香環置換ベンジル等のエステルおよび七−ブチル
エステル等が好適例として挙げられる。
一方、一般式（２）および（３）で表わされるＲ４が示
すアミノ基の保護基とはペンジルオキシカルホニル基、
芳”ｌＪ置換ベンジルオキシカルボニル基、ｔ−ブチ
ルオキソカルボニル基なトノ’／ レノ７ 型保ｍ ＆
、 ｐ ｌ・ルエンスルホニル基。
すアミノ基の保護基とはペンジルオキシカルホニル基、
芳”ｌＪ置換ベンジルオキシカルボニル基、ｔ−ブチ
ルオキソカルボニル基なトノ’／ レノ７ 型保ｍ ＆
、 ｐ ｌ・ルエンスルホニル基。
ベンゼンスルホニル基環ノスルホニル型保護基等が、好
適例として挙げられる。
適例として挙げられる。
寸だ、一般式（２）に表わされるＸが示ずハロゲノ原子
はフッ素・塩素・臭素・ヨウ素を表わし、Ａが示すアル
カリ金属原子とはリチウム・すトリウム・カリウムを表
わす。
はフッ素・塩素・臭素・ヨウ素を表わし、Ａが示すアル
カリ金属原子とはリチウム・すトリウム・カリウムを表
わす。
また、必要に応じて行なわれる水酸基の保護とは他のＲ
，、、Ｒ２，Ｒ３およびＲ４が示す保護基の除去が、バ
ーチ還元などのアルカリ条件にて行なわれる場合に使わ
れるものであり、続いて水酸基の保護基を除去すること
によりＤ ＯＰ Ｓを製造すするものである。 一般
式（４）で表わされるＲ１が示す水酸基の保護基とはへ
／／ル基、力香環置換ベノ／ル基、テトラヒト ベンジルオキ／カルボニル基，芳香環置換ペンジルオギ
／カルボニル基，ｔ−メチルオキ／カルボニル基などが
好適例として挙げられる。
，、、Ｒ２，Ｒ３およびＲ４が示す保護基の除去が、バ
ーチ還元などのアルカリ条件にて行なわれる場合に使わ
れるものであり、続いて水酸基の保護基を除去すること
によりＤ ＯＰ Ｓを製造すするものである。 一般
式（４）で表わされるＲ１が示す水酸基の保護基とはへ
／／ル基、力香環置換ベノ／ル基、テトラヒト ベンジルオキ／カルボニル基，芳香環置換ペンジルオギ
／カルボニル基，ｔ−メチルオキ／カルボニル基などが
好適例として挙げられる。
この様にして得られた一般式（３）および（４）の化合
物において，Ｒ，および１（２が意味するフェノール性
水酸基の保護基，Ｒｚが意味する１ツノ【ボン酸の保護
基，およびＲ４が意味するアミン基の保護基，およびＲ
，が意味する水酸基の保護基は前記した様に各種のもの
が挙げられ，これ等ｉｊ：これまでによく知られた通常
の方法の適用によって除去することが可能であり，それ
によりスレオ−ＤＯＰＳへ変換することができる。
物において，Ｒ，および１（２が意味するフェノール性
水酸基の保護基，Ｒｚが意味する１ツノ【ボン酸の保護
基，およびＲ４が意味するアミン基の保護基，およびＲ
，が意味する水酸基の保護基は前記した様に各種のもの
が挙げられ，これ等ｉｊ：これまでによく知られた通常
の方法の適用によって除去することが可能であり，それ
によりスレオ−ＤＯＰＳへ変換することができる。
以下に本発明化合物の製造例を実施例として掲げるがこ
れに限定されるものではない。
れに限定されるものではない。
５分間室温にて攪拌した。 続いて水３２４μｔ。
３、４−ジベンジルオキシケイ皮酸ベンジルニス？．１
） チル１．８５’，酸化オスミウム溶液 ２．０ｍｌをこ
の順序で加え，室温にて１日攪拌した。 飽和食塩水
１ ｍｌを加え，沈殿物を濾過して取り除き。
） チル１．８５’，酸化オスミウム溶液 ２．０ｍｌをこ
の順序で加え，室温にて１日攪拌した。 飽和食塩水
１ ｍｌを加え，沈殿物を濾過して取り除き。
Ｐ′ｏ．に２．５チ亜硫酸水素すトリウム水溶液１６ｒ
ｎＩ！を加え３時間還流した。 沈殿物をデカンテ
ーションにより取り除き，沈殿を少量のアセトニトリル
にて洗浄した。 上澄液および洗液をあわせ，アセト
ニトリルを留去した後，塩化メチレノ４０ ｍｌにて３
回抽出した。 抽出液を芒硝にて乾燥した後，濃縮乾
固した。 残渣をベンゼン−酢酸エチル（９：１）を
展開溶媒とするノリ力ゲル力ラムクロマトグラフイーに
よす精製を行ないスレオ−Ｎ−へ７ンルオキ７力割算値
： Ｃ ’７３．８９， Ｈ ５．’７１， ］（
２２．２７７％実測値： Ｃ ’７３．’７０， Ｈ
５．’７４， Ｎ ２．］］’ｉ’係スレオーＮべ／ジ
ルオキ／カルボニルー３−（ ３．４ − シベノジル
オキ／ノエー：ル）セリ／ヘンシルエステル５ ０１
ｍｇにエタノール２５７およびＩ Ｎ塩酸０．８１ｍｌ
！．を加え懸濁させ，さらに１０係・Ｚラジウム−炭素
５０ｍｆを加え，常圧水素気流下にて１．５時間攪拌し
た。 反応液を濾過し少量の水で洗浄し，Ｐ洗液を濃
縮乾固した。 残渣をエタノール５ ｍｌに溶解し，
水冷攪拌千−にで１７％ンエチルアミンエタノール溶液
にて中和すると，沈殿物が生じた。 冷凍純に一晩放
置後濾過し，少量のエタノールにて洗浄し，減圧乾燥し
て，スレオ−３−（３．４−／ヒト「ツキ／フェニル）
セリン１２９ ｍｙ ヲ得ｆｃ−。
ｎＩ！を加え３時間還流した。 沈殿物をデカンテ
ーションにより取り除き，沈殿を少量のアセトニトリル
にて洗浄した。 上澄液および洗液をあわせ，アセト
ニトリルを留去した後，塩化メチレノ４０ ｍｌにて３
回抽出した。 抽出液を芒硝にて乾燥した後，濃縮乾
固した。 残渣をベンゼン−酢酸エチル（９：１）を
展開溶媒とするノリ力ゲル力ラムクロマトグラフイーに
よす精製を行ないスレオ−Ｎ−へ７ンルオキ７力割算値
： Ｃ ’７３．８９， Ｈ ５．’７１， ］（
２２．２７７％実測値： Ｃ ’７３．’７０， Ｈ
５．’７４， Ｎ ２．］］’ｉ’係スレオーＮべ／ジ
ルオキ／カルボニルー３−（ ３．４ − シベノジル
オキ／ノエー：ル）セリ／ヘンシルエステル５ ０１
ｍｇにエタノール２５７およびＩ Ｎ塩酸０．８１ｍｌ
！．を加え懸濁させ，さらに１０係・Ｚラジウム−炭素
５０ｍｆを加え，常圧水素気流下にて１．５時間攪拌し
た。 反応液を濾過し少量の水で洗浄し，Ｐ洗液を濃
縮乾固した。 残渣をエタノール５ ｍｌに溶解し，
水冷攪拌千−にで１７％ンエチルアミンエタノール溶液
にて中和すると，沈殿物が生じた。 冷凍純に一晩放
置後濾過し，少量のエタノールにて洗浄し，減圧乾燥し
て，スレオ−３−（３．４−／ヒト「ツキ／フェニル）
セリン１２９ ｍｙ ヲ得ｆｃ−。
融点 ２３２〜２３５Ｕ（分解）
１９９ ｍｌとｔ−プチルヒド口バーオギ７ドｌ ｍｌ
の混液に溶かした溶液。
の混液に溶かした溶液。
６４０ ｍｇと硝酸銀１０２２をアセトニトリル２０−
に溶解し、５分間室温にて攪拌した。 続いて水１６
２μｔ、 ３．４−ジベンジルオキンケイ皮酸ベノジル
エステル９００ ｍｑ 、 酸化オスミウム溶液（実
施例１に記載のもの）１．０５ｍ１をこの順序で加え、
１日攪拌した。 沈殿物を濾過して取シ除き、Ｐ液に
２５係亜硫酸水素すトリウム水溶液４−０ｍ１を加え３
時間還流した。 沈殿物をデカンチー／ジンにより取
り除き、沈殿を少量のアセト二１−リルにて洗浄した。
に溶解し、５分間室温にて攪拌した。 続いて水１６
２μｔ、 ３．４−ジベンジルオキンケイ皮酸ベノジル
エステル９００ ｍｑ 、 酸化オスミウム溶液（実
施例１に記載のもの）１．０５ｍ１をこの順序で加え、
１日攪拌した。 沈殿物を濾過して取シ除き、Ｐ液に
２５係亜硫酸水素すトリウム水溶液４−０ｍ１を加え３
時間還流した。 沈殿物をデカンチー／ジンにより取
り除き、沈殿を少量のアセト二１−リルにて洗浄した。
上澄液および洗液をあわせアセトニトリルを留去し
た後。
た後。
す精製を行ない、スレオ−Ｎ −ｔ−ブチル羽ギ／カル
ボニル−３−（３，４−ジヘノ／ルオキ／フェニル）セ
リノへノン用エステル３フ３元素分析： Ｃ３５Ｈ３
７０−、 Ｎとして訓算値： Ｃ ７２．０２， Ｈ
６．３９， Ｎ ２．４．０％実測値：Ｃ７２、２１
， Ｈ ６．４１， Ｎ ２．１９ ％スＬ’ オー
Ｎ − ｔ − ブチルオキ／カルホ゛ニル−３ −
（ ３．４ − シヘ７ シルオキ／フェニル） −１
＝ １）ンベ／シルエステル１０ ０ ’５’ ＩＩＣ
水冷”Ｉ” ｌ・リフルオロ酢酸３ ｍｌを加え攪拌
した。 完全に溶解した後！・リフルオロ酢酸を３５
１Ｚ”以ト″にて濃縮乾固し，残漬をエタノール５ ｍ
ｅに溶解し，］］ｏ係パラジウムー炭素５０ｍを加え常
圧水素気流下にて接触還元を行なった。 ２時間後
反応液を沖過し，Ｐ液を濃縮乾固した後エタノール２−
に溶融点 ２３２〜２３５ｃ（分解） 元素分析： Ｃ９Ｈ１１ ０５Ｎとして計算値：
Ｃ ５０．７１， Ｈ ５．２０， Ｎ ６．５７％実
測値： Ｃ ５０．６５， Ｈ ５．２４， Ｎ ６
．４８％実施例３ クロラミンＴ４．３０ｒと硝酸銀５．１０Ｆをアセトニ
トリル１００ｍＡに加え，５分間室温にて攪拌した。
続いて水８１０μｔ， ３．４−ジベノジルオキソケ
イ皮酸ベンジルエステル４．４Ｍ， 酸化オスミウム
溶液（実施例１に記載のもの）５．ｚ７をこの順序で加
え，室温にて１日攪拌した。
ボニル−３−（３，４−ジヘノ／ルオキ／フェニル）セ
リノへノン用エステル３フ３元素分析： Ｃ３５Ｈ３
７０−、 Ｎとして訓算値： Ｃ ７２．０２， Ｈ
６．３９， Ｎ ２．４．０％実測値：Ｃ７２、２１
， Ｈ ６．４１， Ｎ ２．１９ ％スＬ’ オー
Ｎ − ｔ − ブチルオキ／カルホ゛ニル−３ −
（ ３．４ − シヘ７ シルオキ／フェニル） −１
＝ １）ンベ／シルエステル１０ ０ ’５’ ＩＩＣ
水冷”Ｉ” ｌ・リフルオロ酢酸３ ｍｌを加え攪拌
した。 完全に溶解した後！・リフルオロ酢酸を３５
１Ｚ”以ト″にて濃縮乾固し，残漬をエタノール５ ｍ
ｅに溶解し，］］ｏ係パラジウムー炭素５０ｍを加え常
圧水素気流下にて接触還元を行なった。 ２時間後
反応液を沖過し，Ｐ液を濃縮乾固した後エタノール２−
に溶融点 ２３２〜２３５ｃ（分解） 元素分析： Ｃ９Ｈ１１ ０５Ｎとして計算値：
Ｃ ５０．７１， Ｈ ５．２０， Ｎ ６．５７％実
測値： Ｃ ５０．６５， Ｈ ５．２４， Ｎ ６
．４８％実施例３ クロラミンＴ４．３０ｒと硝酸銀５．１０Ｆをアセトニ
トリル１００ｍＡに加え，５分間室温にて攪拌した。
続いて水８１０μｔ， ３．４−ジベノジルオキソケ
イ皮酸ベンジルエステル４．４Ｍ， 酸化オスミウム
溶液（実施例１に記載のもの）５．ｚ７をこの順序で加
え，室温にて１日攪拌した。
飽和食塩水２．５ｍｌを加え，沈殿物を沢過して取り除
き，Ｅ液に２５係亜硫酸水素すＩ・リウム水溶液？Ｏｍ
ｌを加え，３時間還流した。 沈殿物をデ出液を芒硝
にて乾燥した後，濃縮乾固した。
き，Ｅ液に２５係亜硫酸水素すＩ・リウム水溶液？Ｏｍ
ｌを加え，３時間還流した。 沈殿物をデ出液を芒硝
にて乾燥した後，濃縮乾固した。
メタノールにより再結晶を行ない，スレオ−Ｎ −トノ
ルー３ − （ ３．４−シヘ／ンルオキンノエニル）
セリノベ／ジルニスデル］．．２ ３ ｙ ｆ． ４１
だ。
ルー３ − （ ３．４−シヘ／ンルオキンノエニル）
セリノベ／ジルニスデル］．．２ ３ ｙ ｆ． ４１
だ。
融点 ］−４４〜１４５．５ｔｌ？
元素分析： Ｃ３７Ｈ３５０・７ＮＳとして計算値：
Ｃ ６９．６８， Ｈ ５．５３， Ｎ ２．２０
％実測値： ｃ ６９．８２， Ｈ ５．５８， Ｎ
２．０８％スレオ−Ｎ−１ツルー３ （３，４．
７ベノジルオキ／フエニル）セリノベノジルエステル
２６９ｍ７を塩化メチレン１０ｍ１に溶解し，室温にて
ジヒドロピラン０．１３＋＋＋ｌトｐ − トルエノス
ルホ”酸３。
Ｃ ６９．６８， Ｈ ５．５３， Ｎ ２．２０
％実測値： ｃ ６９．８２， Ｈ ５．５８， Ｎ
２．０８％スレオ−Ｎ−１ツルー３ （３，４．
７ベノジルオキ／フエニル）セリノベノジルエステル
２６９ｍ７を塩化メチレン１０ｍ１に溶解し，室温にて
ジヒドロピラン０．１３＋＋＋ｌトｐ − トルエノス
ルホ”酸３。
ｍ２をこの順序で加えて攪拌した。 」時間後反応
溶液をシリカゲル力ラムクロマトグラノイー（へ／セノ
）ニカケ，ヘノゼア ： 酢Ｎ２ １しｆ−ル＝４：１
により展開した。 溶出液を濃縮乾固し、メタノール
により再結晶を行ない、スレ融点 １２５〜１２６Ｃ 元素分析： Ｃ４５Ｈ４３０ＢＮＳとして計算値：
Ｃ６９，８Ｂ、 Ｈ６，００，Ｎ １．９４％実測値
： Ｃ６９，９０，Ｈ５，９８，Ｎ １．８９係スレ
オ−〇−テトラヒドロピラニルーＮ −ト／ルー３−（
３，４−９ベンジルオキ／フエニル）セリンベンジルエ
ステル１．４２ヲ−５ｏｃＫ テＶｉａ気流下液体アン
モニア５０ｍ１．に懸濁し、金属ナトリウムの小片をす
こしづつ加えていき、生じた青色が４，５分間消えなく
なるまで加えた。
溶液をシリカゲル力ラムクロマトグラノイー（へ／セノ
）ニカケ，ヘノゼア ： 酢Ｎ２ １しｆ−ル＝４：１
により展開した。 溶出液を濃縮乾固し、メタノール
により再結晶を行ない、スレ融点 １２５〜１２６Ｃ 元素分析： Ｃ４５Ｈ４３０ＢＮＳとして計算値：
Ｃ６９，８Ｂ、 Ｈ６，００，Ｎ １．９４％実測値
： Ｃ６９，９０，Ｈ５，９８，Ｎ １．８９係スレ
オ−〇−テトラヒドロピラニルーＮ −ト／ルー３−（
３，４−９ベンジルオキ／フエニル）セリンベンジルエ
ステル１．４２ヲ−５ｏｃＫ テＶｉａ気流下液体アン
モニア５０ｍ１．に懸濁し、金属ナトリウムの小片をす
こしづつ加えていき、生じた青色が４，５分間消えなく
なるまで加えた。
反応終了後塩化アンモニウムを加えすトリウムを中和し
た。 液体アノモニアを蒸発させ。
た。 液体アノモニアを蒸発させ。
水およびエタノールを加えて生じた沈殿を濾過して取り
除き、Ｐ液を濃縮乾固し、残漬を酢酸：水：ＴＨＦ＝２
：１：ｌ溶液４０ｍ１に溶解し。
除き、Ｐ液を濃縮乾固し、残漬を酢酸：水：ＴＨＦ＝２
：１：ｌ溶液４０ｍ１に溶解し。
５０Ｕにて８時間加熱した。 反応液を濃縮乾固し、
熱水］、５ ｍｌにて溶解した。 不溶物は１パ一点
２３２〜２３５Ｃ（分解） 元素分析： ｃ９Ｈ，、ｏ５Ｎとして特許出願人 微
生物化学研究会 萬有製薬株式会社 東京都目黒区中目黒１丁目１番 ３２−３０２号 ０発 明 者 伊原正樹 川崎市多摩区南生田１丁目２９番 １５号 ■出 願 人 万有製薬株式会社 東京都中央区日本橋本町２丁目 ７番地８
熱水］、５ ｍｌにて溶解した。 不溶物は１パ一点
２３２〜２３５Ｃ（分解） 元素分析： ｃ９Ｈ，、ｏ５Ｎとして特許出願人 微
生物化学研究会 萬有製薬株式会社 東京都目黒区中目黒１丁目１番 ３２−３０２号 ０発 明 者 伊原正樹 川崎市多摩区南生田１丁目２９番 １５号 ■出 願 人 万有製薬株式会社 東京都中央区日本橋本町２丁目 ７番地８
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔式中、Ｒ１およびＲ２は水素原子またはフェノール性
水酸基の保護基を表わし、Ｒ３は水素原子またはカルボ
ン酸の保護基を表わす。〕で表わさＯ■ れるケイ皮酸誘導体を、一般式、 Ｒ，−ＮＸ−Ａ
［式中、Ｒ４はアミン基の保護基を表わし、Ｘは・・ロ
ゲン原子、Ａは、アルカリ金属原子を表わす。〕で表わ
される化合物と反応させ、一般式〔式中、 Ｒ１、Ｒ２
、Ｒ３およびＲ４は前記のものを表わす。〕で表わされ
るスレオ−３−（３，４−ジヒドロキシフェニル）セリ
ン誘導体を得１次いで要すれば保護基を除去することを
特徴とするスレオ−３−（３，４−ジヒドロキ／フェニ
ル）セリンの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158870A JPS5948448A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | スレオ−３−（３，４−ジヒドロキシフエニル）セリンの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57158870A JPS5948448A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | スレオ−３−（３，４−ジヒドロキシフエニル）セリンの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5948448A true JPS5948448A (ja) | 1984-03-19 |
| JPH0244301B2 JPH0244301B2 (ja) | 1990-10-03 |
Family
ID=15681201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57158870A Granted JPS5948448A (ja) | 1982-09-14 | 1982-09-14 | スレオ−３−（３，４−ジヒドロキシフエニル）セリンの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5948448A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007204373A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Konica Minolta Chemical Co Ltd | 光学活性セリン誘導体の製造法 |
-
1982
- 1982-09-14 JP JP57158870A patent/JPS5948448A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007204373A (ja) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Konica Minolta Chemical Co Ltd | 光学活性セリン誘導体の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0244301B2 (ja) | 1990-10-03 |
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