JPS5945782A - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JPS5945782A JPS5945782A JP57157728A JP15772882A JPS5945782A JP S5945782 A JPS5945782 A JP S5945782A JP 57157728 A JP57157728 A JP 57157728A JP 15772882 A JP15772882 A JP 15772882A JP S5945782 A JPS5945782 A JP S5945782A
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- JP
- Japan
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- Pending
Links
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 24
- 230000001934 delay Effects 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
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- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、１ｊ！−ｊ体撮像装敢において、欠陥画素か
らの出力をその近傍の画素の出力で１６き換え、撮像時
の欠陥を軽減するようにした固体撮像装置に関するもの
である。
らの出力をその近傍の画素の出力で１６き換え、撮像時
の欠陥を軽減するようにした固体撮像装置に関するもの
である。
一般に固体撮像装置においては、その解像度を上げるた
めに、５００ｘ５００個程度の光電変換素子と、その読
出回路とを同一基板上に集積している。ここで光電変換
素子としては、フォトダイオードやフォトトランジスタ
が用いられ続出回路としては、ＭＯＳ）ランジスタ（以
下ＭＯ５”ｌ’■（と略記する）をマトリクス状に配列
し、走査回路を用いて各々の画素を読出すＭＯ５方式、
あるいは電荷結合素子（ＣＣＤ ）を用いて画素を読出
すＣＣＤ方式等があげられる。
めに、５００ｘ５００個程度の光電変換素子と、その読
出回路とを同一基板上に集積している。ここで光電変換
素子としては、フォトダイオードやフォトトランジスタ
が用いられ続出回路としては、ＭＯＳ）ランジスタ（以
下ＭＯ５”ｌ’■（と略記する）をマトリクス状に配列
し、走査回路を用いて各々の画素を読出すＭＯ５方式、
あるいは電荷結合素子（ＣＣＤ ）を用いて画素を読出
すＣＣＤ方式等があげられる。
このような固体撮像装置の一例としてＭＯ５型撮像装置
の朽成を第１図に示す。この装置を概略説明すると、
（１１１、（１２１は水平、垂直用の走査回路であシ、
これらの走査回路の垂直走査Ｈａ６＋と垂直（０号線（
１貨選ばれた垂直Ｍ ＯＳ ７１’ ＲＱηが導通状
態となると、光電変換素子（１５）からの信号は、水平
読出Ｍ ＯＳ Ｔ Ｒ（１３）を介して出力信号ｆ＃
、＋１４１に読み出される。
の朽成を第１図に示す。この装置を概略説明すると、
（１１１、（１２１は水平、垂直用の走査回路であシ、
これらの走査回路の垂直走査Ｈａ６＋と垂直（０号線（
１貨選ばれた垂直Ｍ ＯＳ ７１’ ＲＱηが導通状
態となると、光電変換素子（１５）からの信号は、水平
読出Ｍ ＯＳ Ｔ Ｒ（１３）を介して出力信号ｆ＃
、＋１４１に読み出される。
ところで前述のように、固体撮像装置の解像度を上げる
ためには、その集積度をさらに高密度化することが考え
られ、それにともなつ′Ｃ製造時の都′細パクーンの損
傷や、結晶の微細な欠陥が起こり、千ノ１による撮像時
の画像欠陥がま寸ます大きな問題と在ってくる。例えば
、仲、曲走査線（１６）の一部が切断していると、撮像
時には、これが水平方向にのひる黒い糺）状のキズとな
って画１（１１にあられれる。甘だ、光電変換部の暗電
流が結語欠陥によりで異常に大きい箇所は、白い点ある
いは両面の縦方向に走る白い線状のキズとなってあられ
れる。
ためには、その集積度をさらに高密度化することが考え
られ、それにともなつ′Ｃ製造時の都′細パクーンの損
傷や、結晶の微細な欠陥が起こり、千ノ１による撮像時
の画像欠陥がま寸ます大きな問題と在ってくる。例えば
、仲、曲走査線（１６）の一部が切断していると、撮像
時には、これが水平方向にのひる黒い糺）状のキズとな
って画１（１１にあられれる。甘だ、光電変換部の暗電
流が結語欠陥によりで異常に大きい箇所は、白い点ある
いは両面の縦方向に走る白い線状のキズとなってあられ
れる。
彷来の固体撮像装置では、これらの画像欠陥に対して救
済方法を有しておらず、画像欠陥のある素子は不良とし
て使用されていなかった。従って製造時の歩留が悪く、
１だ使用中に不良となった画素は撮像素子をとりかえな
ければならない等の欠点があった。
済方法を有しておらず、画像欠陥のある素子は不良とし
て使用されていなかった。従って製造時の歩留が悪く、
１だ使用中に不良となった画素は撮像素子をとりかえな
ければならない等の欠点があった。
本発明は上記のような従来のものの欠点を除去するため
になされたもので、固体撮像部ｆｉｒＩ′において、欠
陥画素からの出力をその近傍の画素の出力で僅°き換え
ることにより、画像欠陥の影響を低減−［ることか可能
な固体撮像装置を提供することを目的としている。
になされたもので、固体撮像部ｆｉｒＩ′において、欠
陥画素からの出力をその近傍の画素の出力で僅°き換え
ることにより、画像欠陥の影響を低減−［ることか可能
な固体撮像装置を提供することを目的としている。
以−ト、この発明の−・実施例を図に一つい千活明−す
る。
る。
第２図げ不発ＩＪＩの一実施例による−・１体撮像装ｊ
！＋のブロック図を示し、図において、Ｃ２１）にＩ、
例えば第１図に示されている固体撮像部、（２２ｉ １
ｒＪ、 Ｆｌ、＜軸回路、１３１はプリアンプ、（２４
＋ ＆、ｉプリアンプ０３）の出力を遅ｐ■−する遅延
回路、（脳は不良画素の（Ｑ、 ｉｆ’−ｒを記憶して
おく記憶素子、（２５！ ｉｄ不良画素が読出されるタ
イミングを検知する一致回路、Ｃ７）は一致回路で制御
される切換スイッチである。
！＋のブロック図を示し、図において、Ｃ２１）にＩ、
例えば第１図に示されている固体撮像部、（２２ｉ １
ｒＪ、 Ｆｌ、＜軸回路、１３１はプリアンプ、（２４
＋ ＆、ｉプリアンプ０３）の出力を遅ｐ■−する遅延
回路、（脳は不良画素の（Ｑ、 ｉｆ’−ｒを記憶して
おく記憶素子、（２５！ ｉｄ不良画素が読出されるタ
イミングを検知する一致回路、Ｃ７）は一致回路で制御
される切換スイッチである。
本発明の固体撮像装置の動作を第２図に従って丘兄明す
る。
る。
あらかじめ不良画素の位１白を記憶素子（２６）にν１
込んでおく。撮像素子は駆動回路（２２）により駆動さ
れ、同時に一致回路婦）で不良画素の検出を行なう１）
不良画素近傍時には一致回路師）から制御イ？１刊が出
され、これに同期して切換スイッチ２７＋で不良画素の
出力信号を遅延回路（２４）から出力される不良画素近
傍のイハ号で陥き換える。
込んでおく。撮像素子は駆動回路（２２）により駆動さ
れ、同時に一致回路婦）で不良画素の検出を行なう１）
不良画素近傍時には一致回路師）から制御イ？１刊が出
され、これに同期して切換スイッチ２７＋で不良画素の
出力信号を遅延回路（２４）から出力される不良画素近
傍のイハ号で陥き換える。
ここで、点状の不良画素がある場合には、記憶素子（２
Ｇ）に、不良画素の位置を記憶させておき、また、線状
の不良画素がある場合には、該記憶素子（２Ｇ）に「行
」または「列」の位置を記憶させておく。
Ｇ）に、不良画素の位置を記憶させておき、また、線状
の不良画素がある場合には、該記憶素子（２Ｇ）に「行
」または「列」の位置を記憶させておく。
第３図は不良画素の置き換えの様子を模式的に示しだも
のである。図中（３１）ｌＩ′ｉ欠陥画素、θ２）は欠
陥画素にｆｆき換えられる画素である。同図（ａ）は点
状の画素欠陥がある場合、同図（ｂ）は縦方向に伸びる
線状の画素欠陥がある場合、同図（Ｃ）は横方向に伸び
る線状の画素欠陥がある場合であシ、それぞれ画素欠陥
は近傍の画素で置き換えることにより撮像時の欠陥を軽
減できる。
のである。図中（３１）ｌＩ′ｉ欠陥画素、θ２）は欠
陥画素にｆｆき換えられる画素である。同図（ａ）は点
状の画素欠陥がある場合、同図（ｂ）は縦方向に伸びる
線状の画素欠陥がある場合、同図（Ｃ）は横方向に伸び
る線状の画素欠陥がある場合であシ、それぞれ画素欠陥
は近傍の画素で置き換えることにより撮像時の欠陥を軽
減できる。
なお上記実施例はＭＯＳ型の固体撮像装置について説明
したが、ＣＣＤ型等の他の方式による撮像装置にも適用
できることはもちろんである。また第２図では一致回路
と記憶素子で欠陥画素の検出を行なっているが、記憶機
能をもったカウンター等の同じ働きをする別の回路を用
いでもよい。
したが、ＣＣＤ型等の他の方式による撮像装置にも適用
できることはもちろんである。また第２図では一致回路
と記憶素子で欠陥画素の検出を行なっているが、記憶機
能をもったカウンター等の同じ働きをする別の回路を用
いでもよい。
また、遅延回路のかわりに記憶素子のような遅延機能を
もったものを用いてもよい。さらに第２図では、記憶素
子にあらかじめ欠陥画素位置が引込まれている場合の動
作を活、明したが、付加回路として、欠陥画素位１１′
ｉの切込みをｎＪ訃とする回路をつけることもできる。
もったものを用いてもよい。さらに第２図では、記憶素
子にあらかじめ欠陥画素位置が引込まれている場合の動
作を活、明したが、付加回路として、欠陥画素位１１′
ｉの切込みをｎＪ訃とする回路をつけることもできる。
以上のように、この発、明によ−ｉ１ば、固体撮像装置
麿において、欠陥画素からの出力をその近傍の画素の出
力で置き換えるように［７たので、画素欠陥を含んだ固
体撮像装置の欠陥を低減することができ、今寸で不良と
して使えなかった素子でも使用できるようになシ、実効
的に歩留が大きく向上する効果がある。また欠陥画素位
置の、−（込みを行なう回路を設けｉｌば、使用中に発
生した欠陥を軽減することもでき、しかもこれらの軽減
回路は容易にＩＣ化でき、装置が安価にできる効（（己
がある。
麿において、欠陥画素からの出力をその近傍の画素の出
力で置き換えるように［７たので、画素欠陥を含んだ固
体撮像装置の欠陥を低減することができ、今寸で不良と
して使えなかった素子でも使用できるようになシ、実効
的に歩留が大きく向上する効果がある。また欠陥画素位
置の、−（込みを行なう回路を設けｉｌば、使用中に発
生した欠陥を軽減することもでき、しかもこれらの軽減
回路は容易にＩＣ化でき、装置が安価にできる効（（己
がある。
第１図は一般的な光電変換素子および走査回路からなる
ＭＯ５型固体撮伸部を示す構成図、第２図はこの発明に
係る固体撮像装置の一実施例を示すブロック図、第３図
はこの発明の動作原理を示す図である。 １．２１）・・・）、’ｉｉ体ノイｌ、像部、（２２）
・・・、駆動回ＷとＩ１２，１＋・・・遅延回路、（２
５） −−一致回Ｔｈｆ？、Ｉ２［ｉｌ−・−記４．ｆ
’？ ’、４□：子、Ｉ２：／ｌ ・・・ｔ、ＩＪ拡！
スイッチ−１ｃ３１１・・・欠陥内４１、田）・・・欠
陥画素のかわりに１１′１き以ｌえる画メ・０ 代 Ｊａｉｌ 人 葛 野 伯
−第 １ 図 第２図 第３図 （α） （ｃ）
ＭＯ５型固体撮伸部を示す構成図、第２図はこの発明に
係る固体撮像装置の一実施例を示すブロック図、第３図
はこの発明の動作原理を示す図である。 １．２１）・・・）、’ｉｉ体ノイｌ、像部、（２２）
・・・、駆動回ＷとＩ１２，１＋・・・遅延回路、（２
５） −−一致回Ｔｈｆ？、Ｉ２［ｉｌ−・−記４．ｆ
’？ ’、４□：子、Ｉ２：／ｌ ・・・ｔ、ＩＪ拡！
スイッチ−１ｃ３１１・・・欠陥内４１、田）・・・欠
陥画素のかわりに１１′１き以ｌえる画メ・０ 代 Ｊａｉｌ 人 葛 野 伯
−第 １ 図 第２図 第３図 （α） （ｃ）
Claims (1)
- （１） 複数の周体撮像素子を有する固体撮像部と、
該固体撮像部の撮像素子を駆動する駆動回路と、上記撮
像素子に含まれる欠陥画素の位置を記憶する記憶素子と
、上記欠陥画素が読出される瞬間を検知し制御用イ占号
を出力する一致回路と、上記固体撮像部からの出力信号
を遅延する遅延回路と、」二記一致回路の制御信号に同
期して上記固体撮像部からの欠陥画素の出力信号を上記
遅延回路から出力される欠陥画素近傍の出力４１１号で
置き換える切換スイッチとを備えたことを特徴とする固
体撮像装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157728A JPS5945782A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 固体撮像装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57157728A JPS5945782A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 固体撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5945782A true JPS5945782A (ja) | 1984-03-14 |
Family
ID=15656060
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57157728A Pending JPS5945782A (ja) | 1982-09-08 | 1982-09-08 | 固体撮像装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5945782A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249372U (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-26 | ||
| DE102004015876A1 (de) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Auslesen eines Flächendetektors |
-
1982
- 1982-09-08 JP JP57157728A patent/JPS5945782A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6249372U (ja) * | 1985-09-17 | 1987-03-26 | ||
| DE102004015876A1 (de) * | 2004-03-31 | 2005-10-27 | Siemens Ag | Verfahren zum Auslesen eines Flächendetektors |
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