JP4513229B2 - 固体撮像素子及びその検査方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数のセンサ列によって被写体の撮像を行なう固体撮像素子に関し、特に全てのセンサ列の信号を出力する動作モードと、一部のセンサ列の信号を掃き捨てて残りのセンサ列の信号だけを出力する動作モードとを有する固体撮像素子の各動作モードにおける特性検査を行なうための検査方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、それぞれ等ピッチで一方向に配列される複数の画素センサよりなる2本のセンサ列を互いに近接して並列に配置するとともに、その外側に各センサ列から信号電荷を読み出して転送する2本のCCDレジスタを設けたCCDリニアセンサが提供されている。
このCCDリニアセンサでは、一方のセンサ列の各画素センサが他方のセンサ列の各画像センサに対して配列方向に1/2ピッチ分だけずれた状態で配置されており、各センサ列からの信号電荷をCCDレジスタの終端部に設けた合流部で合成し、その信号電荷をFD(フローティングデフュージョン)部より交互に取り出して出力回路で電圧信号に変換することにより、各センサ列の画素センサ数に対して2倍の解像度を有する撮像信号を得るようになっている。
なお、このようなCCDリニアセンサを画素ズラシ型リニアセンサというものとする。
【0003】
また、このようなCCDリニアセンサにおいて、一方のセンサ列のCCDレジスタにオーバーフローバリアと、このオーバーフローバリアからオーバーフローした信号電荷を排出するオーバーフロードレインとを設けたものが知られている。
このCCDリニアセンサでは、2本のセンサ列の信号電荷を合成して撮像信号を得る高解像度モードと、一方のセンサ列の信号電荷をオーバーフローバリアを介してオーバーフロードレインに掃き捨て、他方のセンサ列の信号電荷だけから撮像信号を得る低解像度モードとを選択することが可能となっている。
なお、この場合、高解像度モードと低解像度モードの両方で用いるセンサ列及びCCDレジスタをメインチャネルといい、高解像度モードだけで用いるセンサ列及びCCDレジスタをサブチャネルというものとする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述のような従来の画素ズラシ型リニアセンサにおいては、その動作特性を確認するための検査として、高解像度モードでメインチャネルとサブチャネルの両方の信号電荷を出力した場合の動作特性を確認するための通常の検査(以下、第1の検査という)に加えて、オーバーフローバリア及びドレインによってサブチャネルの信号電荷を掃き捨てた場合の動作特性を確認するための専用の検査(以下、第2の検査という)が別途必要となる。
したがって従来は、2種類の検査が必要となり、作業効率が悪く、生産性の低下につながるという問題があった。
特に画素数の大きいCCDリニアセンサの場合には、1回の検査で信号の読み出し時間が大きくなるため、2回の検査を別途行なうと、合計の検査時間が大きくなり、極めて作業効率の悪いものとなる。
【0005】
そこで本発明の目的は、複数のセンサ列を作動させた場合の第1の検査と、一部のセンサ列の信号を掃き捨てた場合の第2の検査とを1回の信号読み出し動作によって行なうことができ、検査作業の効率化を達成することが可能な固体撮像素子及びその検査方法を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するため、それぞれ等ピッチで一方向に配列される複数の画素センサよりなり、互いに並列に設けられた複数のセンサ列と、各センサ列の画素センサより信号電荷を読み出して転送する複数の電荷転送部と、各電荷転送部によって転送されてきた信号電荷を合成して撮像信号に変換して出力する出力部と、前記出力部に転送される複数のセンサ列のうち少なくとも1つのセンサ列の信号電荷を掃き捨てる電荷掃き捨て手段とを有し、前記複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設けたことを特徴とする。
【0007】
また本発明は、それぞれ等ピッチで一方向に配列される複数の画素センサよりなり、互いに並列に設けられた複数のセンサ列と、各センサ列の画素センサより信号電荷を読み出して転送する複数の電荷転送部と、各電荷転送部によって転送されてきた信号電荷を合成して撮像信号に変換して出力する出力部と、前記出力部に転送される複数のセンサ列のうち少なくとも1つのセンサ列の信号電荷を掃き捨てる電荷掃き捨て手段とを有する固体撮像素子の検査方法であって、前記複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設け、前記電荷掃き捨て手段を作動させない状態で前記複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、前記電荷掃き捨て手段を作動させて前記少なくとも1つのセンサ列の前記検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列の前記検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行なうようにしたことを特徴とする。
【0008】
本発明の固体撮像素子では、複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設けたことから、電荷掃き捨て手段を作動させない状態で複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、電荷掃き捨て手段を作動させて一部のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行なうことが可能となる。
したがって、第1の検査と第2の検査を1回の信号読み出し動作によって行なうことができ、検査作業の効率化を達成することができる。この結果、固体撮像素子における製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0009】
また、本発明の固体撮像素子の検査方法では、複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設け、電荷掃き捨て手段を作動させない状態で複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、電荷掃き捨て手段を作動させて一部のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行なう。
したがって、第1の検査と第2の検査を1回の信号読み出し動作によって行なうことができ、検査作業の効率化を達成することができる。この結果、固体撮像素子における製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による固体撮像素子及びその検査方法の実施の形態について説明する。
なお、以下に説明する実施の形態は、本発明の好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において、特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定されないものとする。
【0011】
図1は本発明の実施の形態による固体撮像素子の概要を示す平面図である。
本実施の形態による固体撮像素子は、2本のセンサ列10A、10BとCCDレジスタ20A、20Bとを有する画素ズラシ型リニアセンサであり、図1では省略しているが、片側(サブチャネル側)のセンサ列10BのCCDレジスタ20Bの転送段に信号電荷掃き捨て用のゲートを設けるとともに、各センサ列10A、10Bの後段に検査用画素センサを追加したものである。
この画素ズラシ型リニアセンサでは、それぞれ複数の画素センサを等ピッチで一方向に配列した2本のセンサ列10A、10Bが互いに近接して並列に配置され、その外側に各センサ列10A、10Bから信号電荷を読み出して転送する2本のCCDレジスタ20A、20Bが設けられている。なお、各センサ列10A、10BとCCDレジスタ20A、20Bとの間には、読み出しゲート22A、22Bを有する。
そして、センサ列10Aの各画素センサとセンサ列10Bの各画像センサとが、その配列方向に1/2ピッチ分だけずれた状態で配置されており、各センサ列10A、10Bからの信号電荷をCCDレジスタ20A、20Bの終端部に設けた合流部30で合成し、その信号電荷をFD(フローティングデフュージョン)部32より交互に取り出して出力回路40で電圧信号に変換することにより、各センサ列10A、10Bの画素センサ数に対して2倍の解像度を有する撮像信号を得る。
【0012】
図2は、CCDレジスタ20A、20Bの合流部における各転送段の構成を示す拡大平面図である。
図示のように、サブチャネル側のCCDレジスタ20Bのセンサ列10Bと合流部30との間の転送段には、ポテンシャルバリアによるオーバーフローバリア50と、このオーバーフローバリア50からオーバーフローした信号電荷を排出するオーバーフロードレイン52が設けられており、例えば後述するようなクロックの制御によってCCDレジスタ20Bの信号電荷をオーバーフローバリア50よりオーバーフロードレイン52に排出するようになっている。
したがって、このCCDリニアセンサでは、2本のセンサ列10A、10Bの信号電荷を合成して撮像信号を得る高解像度モードと、オーバーフローバリア50及びオーバーフロードレイン52を用いることにより、サブセンサ列10Bの信号電荷をCCDレジスタ20Bで掃き捨て、センサ列10Aの信号電荷だけから撮像信号を得る低解像度モードとを選択することが可能となる。
【0013】
図3は、メインチャネルとサブチャネルの両方を用いた高解像度モード時におけるクロックタイミングを示すタイミングチャートであり、図4は、メインチャネルだけを用いた低解像度モード時におけるクロックタイミングを示すタイミングチャートである。
本例のリニアセンサでは、各CCDレジスタ20A、20Bの各転送段を2相のクロックφ1、φ2で駆動し、CCDレジスタ20Bの最終転送段をクロックφ2Lで駆動する。
また、合流部30の各転送段を2相のクロックφ3、φ4で駆動し、FD部32のリセット動作をクロックφRSによって行なう。
【0014】
図3に示すように、メインチャネルとサブチャネルの両方を用いた高解像度モード時においては、メインチャネルとサブチャネルの信号電荷を混色なく転送させるために、クロックφ3、φ4は、クロックφ1、φ2に対して倍速で転送する。
また、このモードでは、クロックφ2Lはクロックφ2と同じ動作となる。
それに対して、図4に示すメインチャネルだけを用いた低解像度モード時においては、クロックφ2Lをlowにすることにより、サブチャネル側で発生した使用しない信号電荷を合流部30の転送段へは転送させず、クロックφ2Lを印加する最終転送段に電荷を蓄える構成となる。
そして、この最終転送段に蓄えられた電荷が、オーバーフローバリア50を超えてオーバーフロードレイン52に掃き捨てられる構成となる。
【0015】
すなわち、本例では、クロックφ2Lがオーバーフローバリア50による信号電荷のオーバーフローを制御する制御手段として機能するものである。
このように本例では、クロックφ2Lでオーバーフローバリア50を制御する構成により、高解像度モードと低解像度モードとを迅速に切り換えることができる。したがって、1回の読み出し動作中に動作モードの切り換え動作を行ない、高解像度モードの動作状態を検査する第1の検査と、低解像度モードの動作状態を検査する第2の検査とを連続的に行なうことができる。
なお、オーバーフローを制御する構成としては、本例のようにクロックφ2Lによる方法の代わりに、例えばオーバーフローバリアに対するバイアス電圧を切り換えるような方法を用いてもよい。
【0016】
以上のような構成において、メインチャネルの信号電荷のみを使用した低解像度モードによる動作時に、サブチャネルの電荷掃き捨て用のオーバーフローバリア50等が動作不良を起し、適正に電荷の掃き捨てができない場合には、クロックφ2Lによる最終転送段の許容電荷量を越えて、合流部30側にサブチャネルの信号電荷が漏れ出し、メインチャネルの出力に加算され、メインチャネルの出力に異常を来す恐れがある。
そこで、このような動作不良がないかどうかを確認する必要が生じるが、従来は、メインチャネルとサブチャンネルの全画素を読み出す出力検査(第1の検査)と、メインチャンネルのみの画素を読み出す出力検査(第2の検査)とを別々に行なっていた。
これに対し、本例では、メインチャネルとサブチャネルの各センサ列10A、10Bの後段に検査用画素センサを追加し、この検査用画素センサを用いることにより、1回の読み出し動作で2つの出力検査を連続的に行なえるようにしたものである。
【0017】
図5は、本例における各センサ列10A、10Bの画素配列を従来の画素配列と対比して示す説明図であり、図5(A)は従来の画素配列を示し、図5(B)は本例の画素配列を示している。
従来の画素配列では、各センサ列11A、11Bは、まず3つの遮光されたダミー画素D1〜D3、D1’〜D3’が設けられ、次に撮像画素センサS1〜S10000、S1’〜S10000’(すなわち図示の例では1万画素)が設けられている。そして、その後段に3つの遮光されたダミー画素D4〜D6、D4’〜D6’が設けられている。なお、画素数は一例である。
これに対して本例では、ダミー画素D6、D6’までは従来と共通の画素配列であるが、その後段に、検査用画素センサD7〜D10、D7’〜D10’を設けたものである。
この検査用画素センサD7〜D10、D7’〜D10’は、遮光されたダミー画素ではなく、撮像画素センサと共通の構造及び特性を有し、遮光膜に形成した開口部から光を受光し、この受光量に応じた信号電荷に変換するフォトセンサである。
【0018】
以上のような構成の画素ズラシ型リニアセンサにおいて、各動作モードにおける検査を行なう場合には、まず、図3に示す動作タイミングで駆動し、各撮像画素センサS1〜S10000、S1’〜S10000’の出力を検出し、高解像度モードの特性検査を行なった後、後段の検査用画素センサD7〜D10、D7’〜D10’については、図4に示す動作タイミングに切り換え、サブチャネルの信号電荷を掃き捨てた状態で、メインチャネルの出力を検出することにより、掃き捨て用のオーバーフローバリア50やオーバーフロードレイン52の動作を確認することができる。
もし、オーバーフローバリア50やオーバーフロードレイン52の動作不良があれば、このサブチャネル側の検査用画素センサD7’〜D10’の信号電荷がメインチャネル側の検査用画素センサD7〜D10による出力に漏れ込むため、そのレベルから動作確認を行なうことができる。
このような検査方法により、従来なら、例えば1万画素の出力を2回取り込む必要があり、検査時間がかかったが、本発明の検査方法により、1回の取り込みでよいため、検査時間を約1/2に短縮できる。
また、このように検査時間を短縮することにより、製品の製造効率を改善でき、コストダウンを図ることも可能となる。
【0019】
なお、以上の例は、本発明を画素ズラシ型リニアセンサに適用した場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、より多くのセンサ列の間にCCDレジスタを設けた2次元イメージセンサおいても同様に適用し得るものである。
このような2次元イメージセンサにおいても、一部のCCDレジスタに信号電荷掃き捨て用の電荷掃き捨て手段を設け、全てのセンサ列を用いた高解像度モードとセンサ列を間引いて用いる低解像度モードとを使い分けるような構成において、各センサ列の後段に検査用画素センサを設け、2つの検査を連続的に行なうようにすることが可能である。
【0020】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の固体撮像素子では、複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設けたことから、電荷掃き捨て手段を作動させない状態で複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、電荷掃き捨て手段を作動させて一部のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行なうことが可能となる。
したがって、第1の検査と第2の検査を1回の信号読み出し動作によって行なうことができ、検査作業の効率化を達成することができる。この結果、固体撮像素子における製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0021】
また、本発明の固体撮像素子の検査方法では、複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設け、電荷掃き捨て手段を作動させない状態で複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、電荷掃き捨て手段を作動させて一部のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行なう。
したがって、第1の検査と第2の検査を1回の信号読み出し動作によって行なうことができ、検査作業の効率化を達成することができる。この結果、固体撮像素子における製造コストの低減を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による固体撮像素子の概要を示す平面図である。
【図2】図1に示す固体撮像素子のCCDレジスタの合流部における各転送段の構成を示す拡大平面図である。
【図3】図1に示す固体撮像素子においてメインチャネルとサブチャネルの両方を用いた高解像度モード時におけるクロックタイミングを示すタイミングチャートである。
【図4】図1に示す固体撮像素子においてメインチャネルだけを用いた低解像度モード時におけるクロックタイミングを示すタイミングチャートである。
【図5】図1に示す固体撮像素子の各センサ列の画素配列を従来の画素配列と対比して示す説明図であり、(A)は従来の画素配列を示し、(B)は図1に示すリニアセンサの画素配列を示す。
【符号の説明】
10A、10B……センサ列、20A、20B……CCDレジスタ、22A、22B……読み出しゲート、30……合流部、32……FD部、40……出力回路、50……オーバーフローバリア、52……オーバーフロードレイン。
Claims (15)
- それぞれ等ピッチで一方向に配列される複数の画素センサよりなり、互いに並列に設けられた複数のセンサ列と、
各センサ列の画素センサより信号電荷を読み出して転送する複数の電荷転送部と、
各電荷転送部によって転送されてきた信号電荷を合成して撮像信号に変換して出力する出力部と、
前記出力部に転送される複数のセンサ列のうち少なくとも1つのセンサ列の信号電荷を掃き捨てる電荷掃き捨て手段とを有し、
前記複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設けた、
ことを特徴とする固体撮像素子。 - 前記複数のセンサ列は第1センサ列と第2センサ列とからなり、前記第2センサ列の各画素センサが前記第1センサ列の各画像センサに対して配列方向に1/nピッチ分だけずれた状態で配置されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記電荷掃き捨て手段は、前記第2センサ列の信号電荷を転送する電荷転送部に設けられていることを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
- 前記電荷掃き捨て手段は、電荷転送部に設けられたオーバーフローバリアと、前記オーバーフローバリアからオーバーフローした信号電荷を排出するオーバーフロードレインと、前記オーバーフローバリアによる信号電荷のオーバーフローを制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記検査用画素センサは、センサ列の最後段に設けられていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記センサ列は、撮像信号を得るための有効画素センサと、前記有効画素センサの前後に設けられたダミー画素とを有し、前記検査用画素センサは、前記有効画素センサの後段に設けられたダミー画素の後段に設けられていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- 前記検査用画素センサは、撮像信号を得るための有効画素センサと共通の構造を有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
- それぞれ等ピッチで一方向に配列される複数の画素センサよりなり、互いに並列に設けられた複数のセンサ列と、
各センサ列の画素センサより信号電荷を読み出して転送する複数の電荷転送部と、
各電荷転送部によって転送されてきた信号電荷を合成して撮像信号に変換して出力する出力部と、
前記出力部に転送される複数のセンサ列のうち少なくとも1つのセンサ列の信号電荷を掃き捨てる電荷掃き捨て手段とを有する固体撮像素子の検査方法であって、
前記複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設け、
前記電荷掃き捨て手段を作動させない状態で前記複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、前記電荷掃き捨て手段を作動させて前記少なくとも1つのセンサ列の前記検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列の前記検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行なうようにした、
ことを特徴とする固体撮像素子の検査方法。 - 前記複数のセンサ列は第1センサ列と第2センサ列とからなり、前記第2センサ列の各画素センサが前記第1センサ列の各画像センサに対して配列方向に1/nピッチ分だけずれた状態で配置されていることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の検査方法。
- 前記電荷掃き捨て手段は、前記第2センサ列の信号電荷を転送する電荷転送部に設けられていることを特徴とする請求項9記載の固体撮像素子の検査方法。
- 前記電荷掃き捨て手段は、電荷転送部に設けられたオーバーフローバリアと、前記オーバーフローバリアからオーバーフローした信号電荷を排出するオーバーフロードレインと、前記オーバーフローバリアによる信号電荷のオーバーフローを制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の検査方法。
- 前記検査用画素センサは、センサ列の最後段に設けられていることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の検査方法。
- 前記第1の検査の後、第2の検査を行なうことを特徴とする請求項12記載の固体撮像素子の検査方法。
- 前記センサ列は、撮像信号を得るための有効画素センサと、前記有効画素センサの前後に設けられたダミー画素とを有し、前記検査用画素センサは、前記有効画素センサの後段に設けられたダミー画素の後段に設けられていることを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の検査方法。
- 前記検査用画素センサは、撮像信号を得るための有効画素センサと共通の構造を有することを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の検査方法。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62286394A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Fujitsu Ltd | マルチプレクサの検査方法 |
JPH0661471A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-03-04 | Eastman Kodak Co | テスト構造を有するccdイメージャおよびccdイメージャのテスト方法 |
JP2000244819A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toshiba Microelectronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2001054021A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2001094740A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びに画像入力装置 |
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2001
- 2001-05-02 JP JP2001135293A patent/JP4513229B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62286394A (ja) * | 1986-06-04 | 1987-12-12 | Fujitsu Ltd | マルチプレクサの検査方法 |
JPH0661471A (ja) * | 1992-06-18 | 1994-03-04 | Eastman Kodak Co | テスト構造を有するccdイメージャおよびccdイメージャのテスト方法 |
JP2000244819A (ja) * | 1999-02-17 | 2000-09-08 | Toshiba Microelectronics Corp | 固体撮像装置 |
JP2001054021A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-02-23 | Seiko Epson Corp | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
JP2001094740A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Sony Corp | 固体撮像装置およびその駆動方法並びに画像入力装置 |
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