JP2002330359A - 固体撮像素子及びその検査方法 - Google Patents

固体撮像素子及びその検査方法

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JP2002330359A
JP2002330359A JP2001135293A JP2001135293A JP2002330359A JP 2002330359 A JP2002330359 A JP 2002330359A JP 2001135293 A JP2001135293 A JP 2001135293A JP 2001135293 A JP2001135293 A JP 2001135293A JP 2002330359 A JP2002330359 A JP 2002330359A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数のセンサ列を作動させた場合の第1の検
査と、一部のセンサ列の信号を掃き捨てた場合の第2の
検査を1回の読み出し動作によって行なう。 【解決手段】 2本のセンサ列10A、10BとCCD
レジスタ20A、20Bとを有する画素ズラシ型リニア
センサであり、図1では省略しているが、片側のセンサ
列10BのCCDレジスタ20Bの転送段に信号電荷掃
き捨て用のゲートを設けるとともに、各センサ列10
A、10Bの後段に検査用画素センサD7〜D10、D
7’〜D10’を追加した。まず、両方のセンサ列10
A、10Bの撮像画素センサの出力を検出し、高解像度
モードの特性検査を行なった後、検査用画素センサD7
〜D10、D7’〜D10’についてはサブチャネルの
信号電荷を掃き捨てた状態でメインチャネルの出力を検
出し、掃き捨て用のバリア50やドレイン52等の動作
を確認する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数のセンサ列に
よって被写体の撮像を行なう固体撮像素子に関し、特に
全てのセンサ列の信号を出力する動作モードと、一部の
センサ列の信号を掃き捨てて残りのセンサ列の信号だけ
を出力する動作モードとを有する固体撮像素子の各動作
モードにおける特性検査を行なうための検査方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より、それぞれ等ピッチで一方向に
配列される複数の画素センサよりなる2本のセンサ列を
互いに近接して並列に配置するとともに、その外側に各
センサ列から信号電荷を読み出して転送する2本のCC
Dレジスタを設けたCCDリニアセンサが提供されてい
る。このCCDリニアセンサでは、一方のセンサ列の各
画素センサが他方のセンサ列の各画像センサに対して配
列方向に1/2ピッチ分だけずれた状態で配置されてお
り、各センサ列からの信号電荷をCCDレジスタの終端
部に設けた合流部で合成し、その信号電荷をFD(フロ
ーティングデフュージョン)部より交互に取り出して出
力回路で電圧信号に変換することにより、各センサ列の
画素センサ数に対して2倍の解像度を有する撮像信号を
得るようになっている。なお、このようなCCDリニア
センサを画素ズラシ型リニアセンサというものとする。
【0003】また、このようなCCDリニアセンサにお
いて、一方のセンサ列のCCDレジスタにオーバーフロ
ーバリアと、このオーバーフローバリアからオーバーフ
ローした信号電荷を排出するオーバーフロードレインと
を設けたものが知られている。このCCDリニアセンサ
では、2本のセンサ列の信号電荷を合成して撮像信号を
得る高解像度モードと、一方のセンサ列の信号電荷をオ
ーバーフローバリアを介してオーバーフロードレインに
掃き捨て、他方のセンサ列の信号電荷だけから撮像信号
を得る低解像度モードとを選択することが可能となって
いる。なお、この場合、高解像度モードと低解像度モー
ドの両方で用いるセンサ列及びCCDレジスタをメイン
チャネルといい、高解像度モードだけで用いるセンサ列
及びCCDレジスタをサブチャネルというものとする。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
な従来の画素ズラシ型リニアセンサにおいては、その動
作特性を確認するための検査として、高解像度モードで
メインチャネルとサブチャネルの両方の信号電荷を出力
した場合の動作特性を確認するための通常の検査(以
下、第1の検査という)に加えて、オーバーフローバリ
ア及びドレインによってサブチャネルの信号電荷を掃き
捨てた場合の動作特性を確認するための専用の検査(以
下、第2の検査という)が別途必要となる。したがって
従来は、2種類の検査が必要となり、作業効率が悪く、
生産性の低下につながるという問題があった。特に画素
数の大きいCCDリニアセンサの場合には、1回の検査
で信号の読み出し時間が大きくなるため、2回の検査を
別途行なうと、合計の検査時間が大きくなり、極めて作
業効率の悪いものとなる。
【0005】そこで本発明の目的は、複数のセンサ列を
作動させた場合の第1の検査と、一部のセンサ列の信号
を掃き捨てた場合の第2の検査とを1回の信号読み出し
動作によって行なうことができ、検査作業の効率化を達
成することが可能な固体撮像素子及びその検査方法を提
供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、それぞれ等ピッチで一方向に配列される複数
の画素センサよりなり、互いに並列に設けられた複数の
センサ列と、各センサ列の画素センサより信号電荷を読
み出して転送する複数の電荷転送部と、各電荷転送部に
よって転送されてきた信号電荷を合成して撮像信号に変
換して出力する出力部と、前記出力部に転送される複数
のセンサ列のうち少なくとも1つのセンサ列の信号電荷
を掃き捨てる電荷掃き捨て手段とを有し、前記複数のセ
ンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電
荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを
設けたことを特徴とする。
【0007】また本発明は、それぞれ等ピッチで一方向
に配列される複数の画素センサよりなり、互いに並列に
設けられた複数のセンサ列と、各センサ列の画素センサ
より信号電荷を読み出して転送する複数の電荷転送部
と、各電荷転送部によって転送されてきた信号電荷を合
成して撮像信号に変換して出力する出力部と、前記出力
部に転送される複数のセンサ列のうち少なくとも1つの
センサ列の信号電荷を掃き捨てる電荷掃き捨て手段とを
有する固体撮像素子の検査方法であって、前記複数のセ
ンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電
荷の掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを
設け、前記電荷掃き捨て手段を作動させない状態で前記
複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力
した場合の出力信号を検出する第1の検査と、前記電荷
掃き捨て手段を作動させて前記少なくとも1つのセンサ
列の前記検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、
それ以外のセンサ列の前記検査用画素センサからの信号
電荷を出力部から出力した場合の出力信号を検出する第
2の検査とを連続して行なうようにしたことを特徴とす
る。
【0008】本発明の固体撮像素子では、複数のセンサ
列に前記電荷掃き捨て手段によるセンサ列の信号電荷の
掃き捨て状態を確認するための検査用画素センサを設け
たことから、電荷掃き捨て手段を作動させない状態で複
数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して出力し
た場合の出力信号を検出する第1の検査と、電荷掃き捨
て手段を作動させて一部のセンサ列の検査用画素センサ
からの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列の検査
用画素センサからの信号電荷を出力部から出力した場合
の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行なうこ
とが可能となる。したがって、第1の検査と第2の検査
を1回の信号読み出し動作によって行なうことができ、
検査作業の効率化を達成することができる。この結果、
固体撮像素子における製造コストの低減を図ることが可
能となる。
【0009】また、本発明の固体撮像素子の検査方法で
は、複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセン
サ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用
画素センサを設け、電荷掃き捨て手段を作動させない状
態で複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して
出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、電荷
掃き捨て手段を作動させて一部のセンサ列の検査用画素
センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列
の検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力し
た場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行
なう。したがって、第1の検査と第2の検査を1回の信
号読み出し動作によって行なうことができ、検査作業の
効率化を達成することができる。この結果、固体撮像素
子における製造コストの低減を図ることが可能となる。
【0010】
【発明の実施の形態】以下、本発明による固体撮像素子
及びその検査方法の実施の形態について説明する。な
お、以下に説明する実施の形態は、本発明の好適な具体
例であり、技術的に好ましい種々の限定が付されている
が、本発明の範囲は、以下の説明において、特に本発明
を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限定さ
れないものとする。
【0011】図1は本発明の実施の形態による固体撮像
素子の概要を示す平面図である。本実施の形態による固
体撮像素子は、2本のセンサ列10A、10BとCCD
レジスタ20A、20Bとを有する画素ズラシ型リニア
センサであり、図1では省略しているが、片側(サブチ
ャネル側)のセンサ列10BのCCDレジスタ20Bの
転送段に信号電荷掃き捨て用のゲートを設けるととも
に、各センサ列10A、10Bの後段に検査用画素セン
サを追加したものである。この画素ズラシ型リニアセン
サでは、それぞれ複数の画素センサを等ピッチで一方向
に配列した2本のセンサ列10A、10Bが互いに近接
して並列に配置され、その外側に各センサ列10A、1
0Bから信号電荷を読み出して転送する2本のCCDレ
ジスタ20A、20Bが設けられている。なお、各セン
サ列10A、10BとCCDレジスタ20A、20Bと
の間には、読み出しゲート22A、22Bを有する。そ
して、センサ列10Aの各画素センサとセンサ列10B
の各画像センサとが、その配列方向に1/2ピッチ分だ
けずれた状態で配置されており、各センサ列10A、1
0Bからの信号電荷をCCDレジスタ20A、20Bの
終端部に設けた合流部30で合成し、その信号電荷をF
D(フローティングデフュージョン)部32より交互に
取り出して出力回路40で電圧信号に変換することによ
り、各センサ列10A、10Bの画素センサ数に対して
2倍の解像度を有する撮像信号を得る。
【0012】図2は、CCDレジスタ20A、20Bの
合流部における各転送段の構成を示す拡大平面図であ
る。図示のように、サブチャネル側のCCDレジスタ2
0Bのセンサ列10Bと合流部30との間の転送段に
は、ポテンシャルバリアによるオーバーフローバリア5
0と、このオーバーフローバリア50からオーバーフロ
ーした信号電荷を排出するオーバーフロードレイン52
が設けられており、例えば後述するようなクロックの制
御によってCCDレジスタ20Bの信号電荷をオーバー
フローバリア50よりオーバーフロードレイン52に排
出するようになっている。したがって、このCCDリニ
アセンサでは、2本のセンサ列10A、10Bの信号電
荷を合成して撮像信号を得る高解像度モードと、オーバ
ーフローバリア50及びオーバーフロードレイン52を
用いることにより、サブセンサ列10Bの信号電荷をC
CDレジスタ20Bで掃き捨て、センサ列10Aの信号
電荷だけから撮像信号を得る低解像度モードとを選択す
ることが可能となる。
【0013】図3は、メインチャネルとサブチャネルの
両方を用いた高解像度モード時におけるクロックタイミ
ングを示すタイミングチャートであり、図4は、メイン
チャネルだけを用いた低解像度モード時におけるクロッ
クタイミングを示すタイミングチャートである。本例の
リニアセンサでは、各CCDレジスタ20A、20Bの
各転送段を2相のクロックφ1、φ2で駆動し、CCD
レジスタ20Bの最終転送段をクロックφ2Lで駆動す
る。また、合流部30の各転送段を2相のクロックφ
3、φ4で駆動し、FD部32のリセット動作をクロッ
クφRSによって行なう。
【0014】図3に示すように、メインチャネルとサブ
チャネルの両方を用いた高解像度モード時においては、
メインチャネルとサブチャネルの信号電荷を混色なく転
送させるために、クロックφ3、φ4は、クロックφ
1、φ2に対して倍速で転送する。また、このモードで
は、クロックφ2Lはクロックφ2と同じ動作となる。
それに対して、図4に示すメインチャネルだけを用いた
低解像度モード時においては、クロックφ2Lをlow
にすることにより、サブチャネル側で発生した使用しな
い信号電荷を合流部30の転送段へは転送させず、クロ
ックφ2Lを印加する最終転送段に電荷を蓄える構成と
なる。そして、この最終転送段に蓄えられた電荷が、オ
ーバーフローバリア50を超えてオーバーフロードレイ
ン52に掃き捨てられる構成となる。
【0015】すなわち、本例では、クロックφ2Lがオ
ーバーフローバリア50による信号電荷のオーバーフロ
ーを制御する制御手段として機能するものである。この
ように本例では、クロックφ2Lでオーバーフローバリ
ア50を制御する構成により、高解像度モードと低解像
度モードとを迅速に切り換えることができる。したがっ
て、1回の読み出し動作中に動作モードの切り換え動作
を行ない、高解像度モードの動作状態を検査する第1の
検査と、低解像度モードの動作状態を検査する第2の検
査とを連続的に行なうことができる。なお、オーバーフ
ローを制御する構成としては、本例のようにクロックφ
2Lによる方法の代わりに、例えばオーバーフローバリ
アに対するバイアス電圧を切り換えるような方法を用い
てもよい。
【0016】以上のような構成において、メインチャネ
ルの信号電荷のみを使用した低解像度モードによる動作
時に、サブチャネルの電荷掃き捨て用のオーバーフロー
バリア50等が動作不良を起し、適正に電荷の掃き捨て
ができない場合には、クロックφ2Lによる最終転送段
の許容電荷量を越えて、合流部30側にサブチャネルの
信号電荷が漏れ出し、メインチャネルの出力に加算さ
れ、メインチャネルの出力に異常を来す恐れがある。そ
こで、このような動作不良がないかどうかを確認する必
要が生じるが、従来は、メインチャネルとサブチャンネ
ルの全画素を読み出す出力検査(第1の検査)と、メイ
ンチャンネルのみの画素を読み出す出力検査(第2の検
査)とを別々に行なっていた。これに対し、本例では、
メインチャネルとサブチャネルの各センサ列10A、1
0Bの後段に検査用画素センサを追加し、この検査用画
素センサを用いることにより、1回の読み出し動作で2
つの出力検査を連続的に行なえるようにしたものであ
る。
【0017】図5は、本例における各センサ列10A、
10Bの画素配列を従来の画素配列と対比して示す説明
図であり、図5(A)は従来の画素配列を示し、図5
(B)は本例の画素配列を示している。従来の画素配列
では、各センサ列11A、11Bは、まず3つの遮光さ
れたダミー画素D1〜D3、D1’〜D3’が設けら
れ、次に撮像画素センサS1〜S10000、S1’〜
S10000’(すなわち図示の例では1万画素)が設
けられている。そして、その後段に3つの遮光されたダ
ミー画素D4〜D6、D4’〜D6’が設けられてい
る。なお、画素数は一例である。これに対して本例で
は、ダミー画素D6、D6’までは従来と共通の画素配
列であるが、その後段に、検査用画素センサD7〜D1
0、D7’〜D10’を設けたものである。この検査用
画素センサD7〜D10、D7’〜D10’は、遮光さ
れたダミー画素ではなく、撮像画素センサと共通の構造
及び特性を有し、遮光膜に形成した開口部から光を受光
し、この受光量に応じた信号電荷に変換するフォトセン
サである。
【0018】以上のような構成の画素ズラシ型リニアセ
ンサにおいて、各動作モードにおける検査を行なう場合
には、まず、図3に示す動作タイミングで駆動し、各撮
像画素センサS1〜S10000、S1’〜S1000
0’の出力を検出し、高解像度モードの特性検査を行な
った後、後段の検査用画素センサD7〜D10、D7’
〜D10’については、図4に示す動作タイミングに切
り換え、サブチャネルの信号電荷を掃き捨てた状態で、
メインチャネルの出力を検出することにより、掃き捨て
用のオーバーフローバリア50やオーバーフロードレイ
ン52の動作を確認することができる。もし、オーバー
フローバリア50やオーバーフロードレイン52の動作
不良があれば、このサブチャネル側の検査用画素センサ
D7’〜D10’の信号電荷がメインチャネル側の検査
用画素センサD7〜D10による出力に漏れ込むため、
そのレベルから動作確認を行なうことができる。このよ
うな検査方法により、従来なら、例えば1万画素の出力
を2回取り込む必要があり、検査時間がかかったが、本
発明の検査方法により、1回の取り込みでよいため、検
査時間を約1/2に短縮できる。また、このように検査
時間を短縮することにより、製品の製造効率を改善で
き、コストダウンを図ることも可能となる。
【0019】なお、以上の例は、本発明を画素ズラシ型
リニアセンサに適用した場合について説明したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えば、より多く
のセンサ列の間にCCDレジスタを設けた2次元イメー
ジセンサおいても同様に適用し得るものである。このよ
うな2次元イメージセンサにおいても、一部のCCDレ
ジスタに信号電荷掃き捨て用の電荷掃き捨て手段を設
け、全てのセンサ列を用いた高解像度モードとセンサ列
を間引いて用いる低解像度モードとを使い分けるような
構成において、各センサ列の後段に検査用画素センサを
設け、2つの検査を連続的に行なうようにすることが可
能である。
【0020】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
素子では、複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によ
るセンサ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための
検査用画素センサを設けたことから、電荷掃き捨て手段
を作動させない状態で複数のセンサ列による信号電荷を
出力部で合成して出力した場合の出力信号を検出する第
1の検査と、電荷掃き捨て手段を作動させて一部のセン
サ列の検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、そ
れ以外のセンサ列の検査用画素センサからの信号電荷を
出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検
査とを連続して行なうことが可能となる。したがって、
第1の検査と第2の検査を1回の信号読み出し動作によ
って行なうことができ、検査作業の効率化を達成するこ
とができる。この結果、固体撮像素子における製造コス
トの低減を図ることが可能となる。
【0021】また、本発明の固体撮像素子の検査方法で
は、複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセン
サ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用
画素センサを設け、電荷掃き捨て手段を作動させない状
態で複数のセンサ列による信号電荷を出力部で合成して
出力した場合の出力信号を検出する第1の検査と、電荷
掃き捨て手段を作動させて一部のセンサ列の検査用画素
センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以外のセンサ列
の検査用画素センサからの信号電荷を出力部から出力し
た場合の出力信号を検出する第2の検査とを連続して行
なう。したがって、第1の検査と第2の検査を1回の信
号読み出し動作によって行なうことができ、検査作業の
効率化を達成することができる。この結果、固体撮像素
子における製造コストの低減を図ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態による固体撮像素子の概要
を示す平面図である。
【図2】図1に示す固体撮像素子のCCDレジスタの合
流部における各転送段の構成を示す拡大平面図である。
【図3】図1に示す固体撮像素子においてメインチャネ
ルとサブチャネルの両方を用いた高解像度モード時にお
けるクロックタイミングを示すタイミングチャートであ
る。
【図4】図1に示す固体撮像素子においてメインチャネ
ルだけを用いた低解像度モード時におけるクロックタイ
ミングを示すタイミングチャートである。
【図5】図1に示す固体撮像素子の各センサ列の画素配
列を従来の画素配列と対比して示す説明図であり、
(A)は従来の画素配列を示し、(B)は図1に示すリ
ニアセンサの画素配列を示す。
【符号の説明】
10A、10B……センサ列、20A、20B……CC
Dレジスタ、22A、22B……読み出しゲート、30
……合流部、32……FD部、40……出力回路、50
……オーバーフローバリア、52……オーバーフロード
レイン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H04N 17/00 H01L 27/14 Z Fターム(参考) 4M118 AA09 AB01 BA13 FA08 FA24 5C024 CY44 GY16 GZ42 5C051 AA01 BA03 DA03 DA06 DB01 DB07 DB18 DC03 DC07 DE02 EA00 5C061 BB01 CC01 CC09

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 それぞれ等ピッチで一方向に配列される
    複数の画素センサよりなり、互いに並列に設けられた複
    数のセンサ列と、 各センサ列の画素センサより信号電荷を読み出して転送
    する複数の電荷転送部と、 各電荷転送部によって転送されてきた信号電荷を合成し
    て撮像信号に変換して出力する出力部と、 前記出力部に転送される複数のセンサ列のうち少なくと
    も1つのセンサ列の信号電荷を掃き捨てる電荷掃き捨て
    手段とを有し、 前記複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセン
    サ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用
    画素センサを設けた、 ことを特徴とする固体撮像素子。
  2. 【請求項2】 前記複数のセンサ列は第1センサ列と第
    2センサ列とからなり、前記第2センサ列の各画素セン
    サが前記第1センサ列の各画像センサに対して配列方向
    に1/nピッチ分だけずれた状態で配置されていること
    を特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
  3. 【請求項3】 前記電荷掃き捨て手段は、前記第2セン
    サ列の信号電荷を転送する電荷転送部に設けられている
    ことを特徴とする請求項2記載の固体撮像素子。
  4. 【請求項4】 前記電荷掃き捨て手段は、電荷転送部に
    設けられたオーバーフローバリアと、前記オーバーフロ
    ーバリアからオーバーフローした信号電荷を排出するオ
    ーバーフロードレインと、前記オーバーフローバリアに
    よる信号電荷のオーバーフローを制御する制御手段とを
    有することを特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
  5. 【請求項5】 前記検査用画素センサは、センサ列の最
    後段に設けられていることを特徴とする請求項1記載の
    固体撮像素子。
  6. 【請求項6】 前記センサ列は、撮像信号を得るための
    有効画素センサと、前記有効画素センサの前後に設けら
    れたダミー画素とを有し、前記検査用画素センサは、前
    記有効画素センサの後段に設けられたダミー画素の後段
    に設けられていることを特徴とする請求項1記載の固体
    撮像素子。
  7. 【請求項7】 前記検査用画素センサは、撮像信号を得
    るための有効画素センサと共通の構造を有することを特
    徴とする請求項1記載の固体撮像素子。
  8. 【請求項8】 それぞれ等ピッチで一方向に配列される
    複数の画素センサよりなり、互いに並列に設けられた複
    数のセンサ列と、 各センサ列の画素センサより信号電荷を読み出して転送
    する複数の電荷転送部と、 各電荷転送部によって転送されてきた信号電荷を合成し
    て撮像信号に変換して出力する出力部と、 前記出力部に転送される複数のセンサ列のうち少なくと
    も1つのセンサ列の信号電荷を掃き捨てる電荷掃き捨て
    手段とを有する固体撮像素子の検査方法であって、 前記複数のセンサ列に前記電荷掃き捨て手段によるセン
    サ列の信号電荷の掃き捨て状態を確認するための検査用
    画素センサを設け、 前記電荷掃き捨て手段を作動させない状態で前記複数の
    センサ列による信号電荷を出力部で合成して出力した場
    合の出力信号を検出する第1の検査と、前記電荷掃き捨
    て手段を作動させて前記少なくとも1つのセンサ列の前
    記検査用画素センサからの信号電荷を掃き捨て、それ以
    外のセンサ列の前記検査用画素センサからの信号電荷を
    出力部から出力した場合の出力信号を検出する第2の検
    査とを連続して行なうようにした、 ことを特徴とする固体撮像素子の検査方法。
  9. 【請求項9】 前記複数のセンサ列は第1センサ列と第
    2センサ列とからなり、前記第2センサ列の各画素セン
    サが前記第1センサ列の各画像センサに対して配列方向
    に1/nピッチ分だけずれた状態で配置されていること
    を特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の検査方法。
  10. 【請求項10】 前記電荷掃き捨て手段は、前記第2セ
    ンサ列の信号電荷を転送する電荷転送部に設けられてい
    ることを特徴とする請求項9記載の固体撮像素子の検査
    方法。
  11. 【請求項11】 前記電荷掃き捨て手段は、電荷転送部
    に設けられたオーバーフローバリアと、前記オーバーフ
    ローバリアからオーバーフローした信号電荷を排出する
    オーバーフロードレインと、前記オーバーフローバリア
    による信号電荷のオーバーフローを制御する制御手段と
    を有することを特徴とする請求項8記載の固体撮像素子
    の検査方法。
  12. 【請求項12】 前記検査用画素センサは、センサ列の
    最後段に設けられていることを特徴とする請求項8記載
    の固体撮像素子の検査方法。
  13. 【請求項13】 前記第1の検査の後、第2の検査を行
    なうことを特徴とする請求項12記載の固体撮像素子の
    検査方法。
  14. 【請求項14】 前記センサ列は、撮像信号を得るため
    の有効画素センサと、前記有効画素センサの前後に設け
    られたダミー画素とを有し、前記検査用画素センサは、
    前記有効画素センサの後段に設けられたダミー画素の後
    段に設けられていることを特徴とする請求項8記載の固
    体撮像素子の検査方法。
  15. 【請求項15】 前記検査用画素センサは、撮像信号を
    得るための有効画素センサと共通の構造を有することを
    特徴とする請求項8記載の固体撮像素子の検査方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62286394A (ja) * 1986-06-04 1987-12-12 Fujitsu Ltd マルチプレクサの検査方法
JPH0661471A (ja) * 1992-06-18 1994-03-04 Eastman Kodak Co テスト構造を有するccdイメージャおよびccdイメージャのテスト方法
JP2000244819A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Toshiba Microelectronics Corp 固体撮像装置
JP2001054021A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Seiko Epson Corp 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2001094740A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法並びに画像入力装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62286394A (ja) * 1986-06-04 1987-12-12 Fujitsu Ltd マルチプレクサの検査方法
JPH0661471A (ja) * 1992-06-18 1994-03-04 Eastman Kodak Co テスト構造を有するccdイメージャおよびccdイメージャのテスト方法
JP2000244819A (ja) * 1999-02-17 2000-09-08 Toshiba Microelectronics Corp 固体撮像装置
JP2001054021A (ja) * 1999-08-12 2001-02-23 Seiko Epson Corp 固体撮像装置及びその駆動方法
JP2001094740A (ja) * 1999-09-24 2001-04-06 Sony Corp 固体撮像装置およびその駆動方法並びに画像入力装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9059064B2 (en) 2009-07-27 2015-06-16 Stmicroelectronics (Research & Development) Limited Sensor module with dual optical sensors for a camera

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