JPS594041A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS594041A
JPS594041A JP57112931A JP11293182A JPS594041A JP S594041 A JPS594041 A JP S594041A JP 57112931 A JP57112931 A JP 57112931A JP 11293182 A JP11293182 A JP 11293182A JP S594041 A JPS594041 A JP S594041A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は半導体装置の製造方法に関し、特にダイシング
から素子マウントに至る工程の改良に係る。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕半導体装置の製
造工程には所謂ウニハーニ程を終了した半導体ウェハー
から個々の半導体素子を切シ出すためのダイシング工程
および切シ出された半導体素子を所定のステム上にマウ
ントする工程が含まれる。この素子マウント工程を自動
化するためにはダイシングにより切シ出された個々の素
子が所定の間隔でかつ所定の方向に整列されていること
が必要である。この条件を満たすために、従来法のよう
な、方法が用いられている。
まず、第１図に示すようにウェハ一工程を終了した半導
体ウェハー１を粘着シート２（以下グイシングシートと
いう）の粘着面に貼着し、この半導体ウェハー１を図示
のようにダイシングする。続いて、グイシングシート２
を所定方向に引き伸ばすことによシ、分割された個々の
半導体素子を相互に所定距離だけＲ１間させる。
この結果、総ての半導体素子は前記自動的にマウント工
程を行なうのに適した状態でダイシングシート２上に配
列される。なお、マウント工程を行なうに際しては個々
の半導体素子をダイシングシート２から抜き取らなけれ
ばなら々いから、ダイシングシート２として通常は粘着
強度の弱い（２Ｕｙ−／２５ｊｆｆｌ以下）熱圧着型の
粘着シートが用いられている。このようなダイシングシ
ート２を用いることによシダイシング工程から素子相互
の引き離し、更にマウント工程での素子の抜き取、ｂｔ
でを一つのシートを用いて作業す゛ることかできる。
ところが、例えば発光ダイオード（以下ＬＥＤという）
のようにダイシングを行なった後に何個の半導体素子の
化学的処理を必要とする場合には、化学的処理によシダ
イシングシート２の粘着力が低下し、化学的処理工程あ
るいはその後の水洗工程で各素子がダイシングシート２
から剥離さ、れてしまうため上記の方法を用いることが
できない。この剥離はダイシング後にシート２を引き伸
ばすことによって更に促進される。
ダイシングシート２の引き伸し比率を小さくして各素子
の剥離を防止する方法も考えられるが、素子間距離が小
さくなるとマウント時における素子抜き堆力の確実性が
低下する等の問題を生じることにガる（通常はマウント
性を向上させるために２００％程度のシート２の引き伸
ばしが必要とされている）。
そこで、とのような場合にはダイシングシート２を用い
ないでウェハー１に各素子が完全には分離されない程度
のダイシング溝を形成した後・　このウニパ−の状態で
化学的処理を行ない、続いてこれをダイシングシート２
上に貼着して素子の完全な分離とシート２の引伸ばしを
行なう方法が用いられている。しかし、この方法はダイ
シング溝を形成したウェハー１の機械的強度が小さいた
め、化学的処理および水洗工程で破損を生じ易く、量産
には適？ないという問題があった。
因みＩＩ（、、ＧａＰ赤色ＬＥＤ　ｉ子についてダイシ
ング後の化学的処理が必要とされる理由を説明すれば次
の通シである。
第２図はメサタイグのＧａＰ赤色ＬＥＤ素子ｔ７）　断
面図であシ、図示のようにｐｎ接合面が素子の側面（ダ
イシング面）に露出している。このダイシング而付近の
ｐｎ接合部にはダイシングによる歪が発生し、これが発
光効率を低下させる原因になる。従って、発光効率を改
善するために化学的処理を打力って素子表面の清浄化と
共に上記歪の除去を行なうことが不可欠と力る。そして
、ＧａＰ赤ｐ＝、　ＬＥＤの場合は素子形状が０，３闘
０の立方体で極めて小さい。このため第１図についてＮ
５？、　ａｌｌ：ｌ　ｔ、た従来の方法を用いた場合、
ダイシングシート２との接着面積が小さいこと、おまひ
所足のマウント性を確保するためには少なくとも素子間
隔が０．３１ＯＩ（ダイシングシート２の引き伸ばし率
にすれは２００％）必要であることから、上述した問題
が顕著に現れることになる。
〔発明の目的〕
本発８ＪＪは上記事情に鑑みてなされたもので、ダイシ
ングした後に個々の半導体素子の化学的処理が必要とさ
れる場合にも、ダイシングシート上でウェハーのダイシ
ングを行なった後、ダイシングシートの引き伸ばしによ
シ各素子をマウント作業に適した状態に離間させて化学
的処理を行ない、しかも従来と同様のマウント作業が可
能な半導体装部の製造方法を提供するものである。
〔発明の概零〕
本発明はダイシング後に化学的処理を行なっ１ても素子
の剥離を防止できる粘着強度の大きいダイシングシート
を用い、このダイシングシート上でウェハーのダイシン
グ、ダイシングシートの引き伸ばしによる素子相互の離
間および化学的処理を行なった後、ダイ７ングシート上
に配列されている素子をマウント作業に適した粘着強度
を有する新たな粘着シート上に移し替えてマウント作業
を行なうものである。
〔発明の実施例〕
以下本発明をＧａＰ赤色ＩＪＤランプの製造に適用した
一実施例について説明する。
（１）　　まず、ウニハーニ程を終了したＧａＰ赤色Ｌ
ＥＤウェハーをダイシングシート上に貼着してダイシン
グを行々う。このとき、グイシングシ−トとしては粘着
力１００　Ｐ／２５ＴＡｍ以上（ＪＩＳ−Ｚ−１５２９
）の耐酸性シート（シート厚０．１±０．０５１１＋Ｉ
Ｌ、伸び率２００％以上）を用いる。続いて、ダイシン
グシートを２００％引き伸ばすことにより、個々の素子
をマウント作業に適した間隔で規則的にダイシングシー
ト上に配列させる。
（１１）　　次に、ダイシングシート上に配列したまま
でＨ３Ｐ０．　＋　Ｈ２混液、ＨＮＯ３液およびＨＣ４
液によるＬＥＤ素子の化学的処理を行なった後、充分に
水洗し、更に乾燥を行なう。ダイシングシートの粘着力
はこの化学的処理によシ低下するが、粘着力の大きいダ
イシングシートを用いたことによシこの間の素子の剥離
を充分に防止することができる。
Ｑｌｌ）次に、マウント作業における個々のＬＥＤ素子
の抜き取シが可能な適当な粘着力（２０〜５０、　Ｓ’
／　２５ｍｍ　）を有する別の粘着シート（以下マウン
トシートという）を用意し、該マウントシート上に前記
ダイシングシート上に配列されているＬＥＤ素子をそっ
〈シ移し替える。この工程を第３図を参照して説明すれ
ば次の通シである。
まず、用意した１ウントシート１１をその粘着層１２を
上にしてマウント用リングに固定する。続イて、前記ダ
イシングシート１３の粘着層１４上に配列粘着されてい
る化学的処理を終えたＬＥＤ素子をマウントシー）ＩＩ
の粘着層１２上に押し付けて接着させる。そして、図示
のようにダイシングシート１３の端部をそのシート面に
対して１８００の方向に引くと、前６ＬＩ化学的処理に
よってダイシングシート１３の粘着力が低下しているた
めダイシングシート１．９７３Ｅ　ＬＥＤ素子１５から
剥離される。この結果、ＬＥＤ素子１５はダイシングシ
ート１３上での配列を保ったままマウントシート１１上
に移し替えられる。
ただし、ＬＥＤ素子１５は裏返しの状態で移し替えられ
ることになる。
４ｖ　　次処、前記マウントシート１ノと同じ粘着強度
を有する第２のマウントシートを周章シ、上記と同様の
方法でマウントシート１１上に配列されたＬＥＤ素子１
５をｍ２のマウントシート上に移し替える。これによっ
てＬＥＤ素子は前記ダイシングシート１３上に配列され
ていた状態と全く同じ状態で第２のマウントシート上に
配列されることになる。
このときの移し替え精度を上げるためには、移し替え時
に第２のマウントシートを最高１００℃までの範囲で加
熱してその粘着強度を増大させる。もちろん、この場合
には第２のマウントシートとして温度的に可逆性のある
ものを用いる。
（Ｖ）　　その後、従来の製造方法と同様の方法によシ
前記第２のマウントシート上に配列された夫々のＬＥＤ
素子を自動的にステム上にマウントし、ワイヤポンディ
ングおよび樹脂封止等を行なってＬＥＤランプを製造す
る。
このとき、第２のマウントシート上にはマウントされる
ＬＥＤ素子がマウント作業を自動的に行なうに適した状
態で配列されているため、化学的処理を行なわない従来
の製造方法と同様の良好なマウント性が得られる。また
、第２のマウントシートは化学的処理液の影譬を伺等受
けていないから、素子物件、素子の取扱いおよびマウン
ト時の素子抜き取シのための光学的検出においても優れ
た効果を得ることができる。
なお、例えはウェハーを裏返しにしてダイン、ングを行
なう等、場合によっては上記実施例における第２のマウ
ントシート上への移し替え（工８１Ｖ）を省略してもよ
いし、必要々場合にはこの移し替えを何回でも行なうこ
とができる。
また、本発明はＧａＰ　ＬＥＤ素子による半導体装置だ
けでなく、ＧａＡｓ＋　ＧａＡｓＰ、　ＧａＡｔＡｓの
ＬＥＤ累子素子る半導体装置、その他同様な化学的処理
を必要とする半導体装置の製造に適用することができる
。
〔発明の効果〕
以上詳述したように、本発明によれはダイシング後に個
々の半導体素子の化学的処理がビ１な場合にも、化学的
処理を打力ゎない場合と同様の良好な状態でダイシング
から素子マウントまでの工程を行ｄうことができる半導
体装置の製造方法を挾供できるものであＺ。
【図面の簡単な説明】
第１図はダイシングシートを用いたウェハーのダイシン
グ方法を示す説明図、第２図はＧａＰ赤色ＬＥＤ素子の
構造を示す断面図、第３図は本発明の製造方法における
主要な工程を説明するだめの断面図である。 １１・・・マウントシート、１２．１４・・・粘着層、
１３・・・ダイシングシート、１５・・・ＧａＰ赤色Ｌ
ＥＤ素子。 出願人代理人　　弁理士　鈴　江　武　彦矛２図 ３ＩＰ３　図１ Ｌ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 所望の粘着力を有するシート上に半導体ウェハーを貼着
    した後、この半導体ウェハーを個々の半導体１子に分館
    する工程と、前記シートを引き伸すことによシ半導体素
    子を所定距離離間させる工程と、前記シート上に半導体
    素子を貼着した状態で化学的処理を施す工程と、その後
    前記シートよシ粘着力の弱い別のシート、上に半導体素
    子を所定距離離間させた状態のまま移し替える工程とを
    具備した半導体装置の製造方法。
JP57112931A 1982-06-30 1982-06-30 半導体装置の製造方法 Granted JPS594041A (ja)

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