JPS5963742A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS5963742A JPS5963742A JP57173837A JP17383782A JPS5963742A JP S5963742 A JPS5963742 A JP S5963742A JP 57173837 A JP57173837 A JP 57173837A JP 17383782 A JP17383782 A JP 17383782A JP S5963742 A JPS5963742 A JP S5963742A
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- JP
- Japan
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- chip
- sheet
- wafer
- hole
- semiconductor chip
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ＩＣ等として用いられる半導体素子の製造方
法に関し、特にウェハに形成される半導体チップの分離
方法に関する。
法に関し、特にウェハに形成される半導体チップの分離
方法に関する。
今日ＩＣ，ＬＳＩ等半導体技術の進歩によシ、エレクト
ロニクス産業が飛躍的に発展し、産業の高度化や豊かな
経済社会の形成に大いに寄与している。これらＩＣ−？
ＬＳＩ等は、電子計算機に用いられるばかシでなく、身
近な例ではテレビ、ラジオ、時計、オーディオ装置から
カメラ、自動車等にも利用されている。さらに、これら
の応用のされ方もいろいろであシ、ロジック（論理回路
ンとして、メモリ（記憶素子〕として、イメージヤ（撮
像素子）として、増幅用として、さらにはマイクロコン
ピュータとしてシステム機能を持たせて総合的に機器を
制御するため等に用いられている０ ところで、これらＩＣやＬＳＩ等として用いられる半導
体素子は、種々の製造工程を経て製造されている。すな
わち、基鈑となるウェハの製造、このウェハ土にエノチ
ンダ、不純物拡散、イオン注入、気相酸化膜被着や電極
用金属蒸着を施すことによる半導体チップの形成、上記
半導体チップのタイシングによる分離及びボンディング
やモールデイング等の組立工程等である。
ロニクス産業が飛躍的に発展し、産業の高度化や豊かな
経済社会の形成に大いに寄与している。これらＩＣ−？
ＬＳＩ等は、電子計算機に用いられるばかシでなく、身
近な例ではテレビ、ラジオ、時計、オーディオ装置から
カメラ、自動車等にも利用されている。さらに、これら
の応用のされ方もいろいろであシ、ロジック（論理回路
ンとして、メモリ（記憶素子〕として、イメージヤ（撮
像素子）として、増幅用として、さらにはマイクロコン
ピュータとしてシステム機能を持たせて総合的に機器を
制御するため等に用いられている０ ところで、これらＩＣやＬＳＩ等として用いられる半導
体素子は、種々の製造工程を経て製造されている。すな
わち、基鈑となるウェハの製造、このウェハ土にエノチ
ンダ、不純物拡散、イオン注入、気相酸化膜被着や電極
用金属蒸着を施すことによる半導体チップの形成、上記
半導体チップのタイシングによる分離及びボンディング
やモールデイング等の組立工程等である。
ここで、特に上記半導体チップの分離工程について着目
してみると、上記分離工程では、ウェハをタイヤモンド
カノタ等を用いてタイシンク、すなわち切断して各半導
体チップを分離し、この半導体チップを個々に取出して
リードフレームの所定の位置に移送し固定する必要があ
った。このため、従来では、タイシンクにょシ中途部ま
で切込みを入れたウェハを、２枚のシート内に包装した
後にローラをかけて分割し、上記上側のシートを剥して
分割された各半導体チップを真空ピンセクト等を用いて
リードフレームへ移送するという手段が用いられている
。
してみると、上記分離工程では、ウェハをタイヤモンド
カノタ等を用いてタイシンク、すなわち切断して各半導
体チップを分離し、この半導体チップを個々に取出して
リードフレームの所定の位置に移送し固定する必要があ
った。このため、従来では、タイシンクにょシ中途部ま
で切込みを入れたウェハを、２枚のシート内に包装した
後にローラをかけて分割し、上記上側のシートを剥して
分割された各半導体チップを真空ピンセクト等を用いて
リードフレームへ移送するという手段が用いられている
。
しかしながら、上記従来の方法では、ウェハの厚みの中
途部まで切込みを入れ、残存都をローラの圧力により分
割するため、各半導体チップの外周縁が破損しやすく、
また分割時にウェハの成分である珪素の微粉末が発生し
て半導体チップの表面に月着して悪影響を及ばず虞れが
あった。さらに、上記分割時には、いちいちウェハを取
外してシートに包装するというように作業性が極めて悪
いものであった〇 上面に貼着固定し、タイシンク時に各半導体チップ間を
完全に切断し、その後上記粘着シートを延伸して分割さ
れた各半導体チップ間に間隙を設け、これら各半導体チ
ップを真空ピンセクト等を用いて上記粘着テープから剥
すと同時に移送するという方法が知られている。上記方
法では、半導体チップに損傷を生ずることはなく、また
作業性も良好なものとなっている。ところで、この方法
では、粘着テープに貼着した各半導体チップをどのよう
に剥すかということが問題となった。そして、従来は、
粘着ソートの裏面をシボいて半導体チップと粘着７−ト
との接着力を弱めてからピンセット等でつまみ上げて剥
離し移送していた。しかし、上記ピンセントを用いる方
法では、半導体チップの表面や外周縁等に損傷を与えた
りチップ面を汚染したりする虞れがあり、また、工程も
繁雑であった。そこで、さらに、従来は真空吸引力によ
り吸い上げるコレットのようなものが用いられている。
途部まで切込みを入れ、残存都をローラの圧力により分
割するため、各半導体チップの外周縁が破損しやすく、
また分割時にウェハの成分である珪素の微粉末が発生し
て半導体チップの表面に月着して悪影響を及ばず虞れが
あった。さらに、上記分割時には、いちいちウェハを取
外してシートに包装するというように作業性が極めて悪
いものであった〇 上面に貼着固定し、タイシンク時に各半導体チップ間を
完全に切断し、その後上記粘着シートを延伸して分割さ
れた各半導体チップ間に間隙を設け、これら各半導体チ
ップを真空ピンセクト等を用いて上記粘着テープから剥
すと同時に移送するという方法が知られている。上記方
法では、半導体チップに損傷を生ずることはなく、また
作業性も良好なものとなっている。ところで、この方法
では、粘着テープに貼着した各半導体チップをどのよう
に剥すかということが問題となった。そして、従来は、
粘着ソートの裏面をシボいて半導体チップと粘着７−ト
との接着力を弱めてからピンセット等でつまみ上げて剥
離し移送していた。しかし、上記ピンセントを用いる方
法では、半導体チップの表面や外周縁等に損傷を与えた
りチップ面を汚染したりする虞れがあり、また、工程も
繁雑であった。そこで、さらに、従来は真空吸引力によ
り吸い上げるコレットのようなものが用いられている。
しかし、このように吸引力によシ吸い上げる方法では、
粘着ソートの接着力が強いため、各半導体チップを粘着
シートから容易に剥すことができなかった。特に、サイ
ズの大きなたとえば超ＬＳＩや半導体撮像素子等のいわ
ゆるＬａｒｇｅ ５ｅａｌＣｈｉｐでは、粘着シートと
の接触面積が約１００胡２と太きいために非常に剥れに
くいものであった０ 〔発明の目的〕 上記従来のものの有する欠点を解消するために、本発明
は、半導体チップに損傷を与えることなく、良好な作業
で上記半導体チップを分用ｔする方法を提供することを
目的とする。
粘着ソートの接着力が強いため、各半導体チップを粘着
シートから容易に剥すことができなかった。特に、サイ
ズの大きなたとえば超ＬＳＩや半導体撮像素子等のいわ
ゆるＬａｒｇｅ ５ｅａｌＣｈｉｐでは、粘着シートと
の接触面積が約１００胡２と太きいために非常に剥れに
くいものであった０ 〔発明の目的〕 上記従来のものの有する欠点を解消するために、本発明
は、半導体チップに損傷を与えることなく、良好な作業
で上記半導体チップを分用ｔする方法を提供することを
目的とする。
さらに本発明は、粘着シートから半導体チップを容易に
剥がすことができ、ウェハのタイシンクから半導体チッ
プのタイボンデインクまで−Ｊｊしたシステムとするこ
とができるような分離方法を提供することを目的とする
。
剥がすことができ、ウェハのタイシンクから半導体チッ
プのタイボンデインクまで−Ｊｊしたシステムとするこ
とができるような分離方法を提供することを目的とする
。
上述した目的を達成するために、本発明は、ウニへ内に
形成された複数の半導体チップのそれぞれのほぼ中心に
対向する位置に孔を有する粘着シートにウェハを載置し
、該ウェハをタイシンク”によシ完全に切断し、上記粘
着シートを延伸した後、上記孔を通じて突き上げ棒によ
シ上記半導体チップを押し上げ上記粘着シートから剥離
するようになしたことを特徴とするものである。
形成された複数の半導体チップのそれぞれのほぼ中心に
対向する位置に孔を有する粘着シートにウェハを載置し
、該ウェハをタイシンク”によシ完全に切断し、上記粘
着シートを延伸した後、上記孔を通じて突き上げ棒によ
シ上記半導体チップを押し上げ上記粘着シートから剥離
するようになしたことを特徴とするものである。
以下、本発明の具体的な実施例について、図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
珪素（シリコン）の単結晶よシ形成されたウェハ１の表
面には、エンチップ゛や不純物拡散、イオン注入、気相
酸化膜被着及び電極用金属蒸着等の工程を経て、第１図
のように多数の角形の半導体チップ２が形成されている
。このウェハ１は、ターイシングするために、延伸可能
な薄膜上面に接着剤を塗布したような粘着シート３の上
面に載置され、さらに、この粘着シート３の外周部がリ
ンク状のタイプフレーム４によシ支持されている。上記
粘Ｎ７−ト３には、上記ウェハ１上に形成された各半導
体チップ２のほぼ中央に対向する位置に円形の透孔５が
第２図に示す如く穿設されている。
面には、エンチップ゛や不純物拡散、イオン注入、気相
酸化膜被着及び電極用金属蒸着等の工程を経て、第１図
のように多数の角形の半導体チップ２が形成されている
。このウェハ１は、ターイシングするために、延伸可能
な薄膜上面に接着剤を塗布したような粘着シート３の上
面に載置され、さらに、この粘着シート３の外周部がリ
ンク状のタイプフレーム４によシ支持されている。上記
粘Ｎ７−ト３には、上記ウェハ１上に形成された各半導
体チップ２のほぼ中央に対向する位置に円形の透孔５が
第２図に示す如く穿設されている。
そして、この透孔５と各半導体チップ２の中央を一致さ
せてウニノー１が上記粘着シート３に貼Ｎされている。
せてウニノー１が上記粘着シート３に貼Ｎされている。
このウェハ１を取付けたタイ丈フレー゛ム４は、タイシ
ング装置に取付けられ、第３図に示す如く、タイヤセン
ト６を用いて各半導体チップ２間が完全に切断される。
ング装置に取付けられ、第３図に示す如く、タイヤセン
ト６を用いて各半導体チップ２間が完全に切断される。
その後さらに、各半導体チップ２は上記粘着シート３に
貼着したままの状態で延伸機に移される。この延伸機は
、フレーム受は台７及び上下自在な可動量は台８から構
成されている。
貼着したままの状態で延伸機に移される。この延伸機は
、フレーム受は台７及び上下自在な可動量は台８から構
成されている。
上記可動量は台８の上面にはリング状に凹溝が設けられ
ておシ、この凹溝内に上記ウニノー１よシやや大口径な
ウェハリンダ９が嵌合されている。
ておシ、この凹溝内に上記ウニノー１よシやや大口径な
ウェハリンダ９が嵌合されている。
このウェハリング９の土面は、可動量は台８の上面よ！
ｌｌも若干下がった位置となっておバ上記ウェハリング
９の土面には両面テープ１０が貼着されている。
ｌｌも若干下がった位置となっておバ上記ウェハリング
９の土面には両面テープ１０が貼着されている。
そして、上述した延伸機のフレーム受は台７に上記ウェ
ハ１を貼着したタイプフレーム４が固定されている。こ
のとき、上記延伸機のフレーム受は台１の上面と可動量
は台８の上面とは同一平面を形成しておシ、上記ウエノ
蔦１を貼着した粘着シート３は可動量は台８の上面に載
置されるようになっている。その後、上記可動量は台８
を第４図に示すように上昇させて粘着シート３を延伸す
る。
ハ１を貼着したタイプフレーム４が固定されている。こ
のとき、上記延伸機のフレーム受は台１の上面と可動量
は台８の上面とは同一平面を形成しておシ、上記ウエノ
蔦１を貼着した粘着シート３は可動量は台８の上面に載
置されるようになっている。その後、上記可動量は台８
を第４図に示すように上昇させて粘着シート３を延伸す
る。
これにより、上記粘着シート３が伸びるとともに、上記
タイジッダされたウェハ１の各半導体チップ２の間隔が
開き、各半導体チップ２の分割が完了する。
タイジッダされたウェハ１の各半導体チップ２の間隔が
開き、各半導体チップ２の分割が完了する。
さらに、上記延伸後、可動量は台８土の凹溝に配置され
たウェハリング９を空気圧によシ粘着シート３裏面に押
し付け、上記ウニツーリング９の上面に設けられた両面
テープ１０によシ貼着固定される。
たウェハリング９を空気圧によシ粘着シート３裏面に押
し付け、上記ウニツーリング９の上面に設けられた両面
テープ１０によシ貼着固定される。
そして、上記半導体チップ２を貼着した粘着シート３は
ウェハリング９に沿って切り取られ、水洗による洗浄工
程を経た後半導体チップ剥離装置に固定される。このと
き、粘着シート３の下方には水平方向に移動可能な突き
上げ棒１１がセントされている。さらに、上記突き上げ
棒１１に対向して、上記半導体チップ２の上方には四角
錐形のコレクト１２が配置され、このコレクト１２も上
記突き上げ棒１１に対応して水平方向に移動可能となっ
ている。上記突き上げ棒１１は中空のたとえば筒体とな
っておシ、一端部にゴムリンダ′１３が嵌挿されている
。一方、コレクト１２ＩＩ′ｉ、四角錐形とされ、その
開口部１２Ａは半導体チップ２の大ききよシもやや大き
くなされている。
ウェハリング９に沿って切り取られ、水洗による洗浄工
程を経た後半導体チップ剥離装置に固定される。このと
き、粘着シート３の下方には水平方向に移動可能な突き
上げ棒１１がセントされている。さらに、上記突き上げ
棒１１に対向して、上記半導体チップ２の上方には四角
錐形のコレクト１２が配置され、このコレクト１２も上
記突き上げ棒１１に対応して水平方向に移動可能となっ
ている。上記突き上げ棒１１は中空のたとえば筒体とな
っておシ、一端部にゴムリンダ′１３が嵌挿されている
。一方、コレクト１２ＩＩ′ｉ、四角錐形とされ、その
開口部１２Ａは半導体チップ２の大ききよシもやや大き
くなされている。
上述した装置において、先ず、突き上げ棒１１を粘着シ
ート３に設けられた透孔５を通して半導体チップ２の裏
面中央部に密着させる。このとき、突き上げ棒１１は図
示し、ないポンプ等の手段によシ真空吸引され、上記ゴ
□ムリンク１３と相まって半導体チップ２の裏面に密着
させることができる。
ート３に設けられた透孔５を通して半導体チップ２の裏
面中央部に密着させる。このとき、突き上げ棒１１は図
示し、ないポンプ等の手段によシ真空吸引され、上記ゴ
□ムリンク１３と相まって半導体チップ２の裏面に密着
させることができる。
そして、上記突き上げ棒１１が密着した半導体チップ２
の上面に、真空吸引しながらコレクト１２を配置し、第
５図に示す如く半導体チップ２をコレクト１２及び突き
上げ棒、１１によシ挾持する如くなされている。この状
態で、上記ウニノーリンク゛９を下方に押し下げること
によシ、相対的に半導体チップ２が突き上げ棒１１にて
押し上げられ、上記半導体チップ２を粘着シート３から
剥離することができる。このとき、各半導体チップ２と
粘着シート３の接着面積は、透孔５の面積分だけ少なく
なっているため剥離が非常に容易となっている。さらに
、四角錐形のコレット１２によシ保持しているため、半
導体チップ２の表面に上記コレット１２が当接すること
もなく、上記チップ２０表面を損傷する虞れもなくなっ
ている。また、突き上げ棒１１は真空吸引によシ半導体
チップ２の裏面に密着するため、上記チップ２を平行に
保つことができ、上記コレクト１２への保持状態をより
確実なものとすることができる。
の上面に、真空吸引しながらコレクト１２を配置し、第
５図に示す如く半導体チップ２をコレクト１２及び突き
上げ棒、１１によシ挾持する如くなされている。この状
態で、上記ウニノーリンク゛９を下方に押し下げること
によシ、相対的に半導体チップ２が突き上げ棒１１にて
押し上げられ、上記半導体チップ２を粘着シート３から
剥離することができる。このとき、各半導体チップ２と
粘着シート３の接着面積は、透孔５の面積分だけ少なく
なっているため剥離が非常に容易となっている。さらに
、四角錐形のコレット１２によシ保持しているため、半
導体チップ２の表面に上記コレット１２が当接すること
もなく、上記チップ２０表面を損傷する虞れもなくなっ
ている。また、突き上げ棒１１は真空吸引によシ半導体
チップ２の裏面に密着するため、上記チップ２を平行に
保つことができ、上記コレクト１２への保持状態をより
確実なものとすることができる。
次に、上記突き上げ棒１１の真空吸引を解消して、半導
体チップ２をコレクト１２の吸引力により保持するよう
になし、このコレット１２を移動して上記半導体チレプ
２を移送し、タイボンデインク等の組立工程に移行する
。
体チップ２をコレクト１２の吸引力により保持するよう
になし、このコレット１２を移動して上記半導体チレプ
２を移送し、タイボンデインク等の組立工程に移行する
。
以上のように、上記実施例においては、半導体チップ２
を粘着シート３から剥離するのが容易となシ、また、ウ
ェハ１のタイシンクから半導体テップ２のタイボンデイ
ンク等の組立工程に移行するまでを粘着シート３に貼着
した状態のまま行なうことができるので、作業性が著し
く向上するとともに一貫した自動システムとすることも
可能となっている。
を粘着シート３から剥離するのが容易となシ、また、ウ
ェハ１のタイシンクから半導体テップ２のタイボンデイ
ンク等の組立工程に移行するまでを粘着シート３に貼着
した状態のまま行なうことができるので、作業性が著し
く向上するとともに一貫した自動システムとすることも
可能となっている。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば、上記突き上げ棒１１は単なる棒状のものを用い
ても可能である。
例えば、上記突き上げ棒１１は単なる棒状のものを用い
ても可能である。
上述した実施例の説明からも明らかなように、本発明に
おいては、半導体チップの表面を損傷するこ七なく、容
易に粘着シートから上記半導体チップを剥離することが
でき、良好な作業性で上記半導体チップを分離すること
が可能となって−る。
おいては、半導体チップの表面を損傷するこ七なく、容
易に粘着シートから上記半導体チップを剥離することが
でき、良好な作業性で上記半導体チップを分離すること
が可能となって−る。
さらに、上記半導体チップを粘着シートに貼着したま１
で取扱うことができるので、ウェハのタイシンクから半
導体チップのタイボンデインクまでを、簡単に一貫した
自動システムとすることが可能となっている。
で取扱うことができるので、ウェハのタイシンクから半
導体チップのタイボンデインクまでを、簡単に一貫した
自動システムとすることが可能となっている。
第１図ないし第５図は本発明の一実施例を示すものであ
シ、第１図はウニノーの平面図、第２図はタイプフレー
ムに取付けた粘着シートの平面図、第３図はタイシンク
を示す外観斜視図、第４図は延伸機を示す要部縦断面図
、第５図は半導体チップの剥離方法を示す要部縦断面図
である。 １・・・ ウェハ ２・・・半導体チップ ３・・・粘着シート ５・・・透孔 １１・・・突き上げ棒 特許出願人 ンニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見
シ、第１図はウニノーの平面図、第２図はタイプフレー
ムに取付けた粘着シートの平面図、第３図はタイシンク
を示す外観斜視図、第４図は延伸機を示す要部縦断面図
、第５図は半導体チップの剥離方法を示す要部縦断面図
である。 １・・・ ウェハ ２・・・半導体チップ ３・・・粘着シート ５・・・透孔 １１・・・突き上げ棒 特許出願人 ンニー株式会社 代理人 弁理士 小 池 見
Claims (1)
- ウェハ内に形成された複数の半導体チップのそれぞれの
ほぼ中心に対向する位置に孔を有する粘着シートにウェ
ハを載置し、該ウェハをタイシングにニジ完全に切断し
、上記粘着シートを延伸した後、上記孔を通じて突き上
げ棒によシ上記半導体チップを相対的に押し上げ上記粘
着シートから剥離するようになしたことを特徴とする半
導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173837A JPS5963742A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173837A JPS5963742A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963742A true JPS5963742A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15968070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173837A Pending JPS5963742A (ja) | 1982-10-05 | 1982-10-05 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963742A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5195922A (en) * | 1990-08-29 | 1993-03-23 | Intelligent Enclosures Corporation | Environmental control system |
| US5401212A (en) * | 1990-08-29 | 1995-03-28 | Intelligent Enclosures Corporation | Environmental control system |
| US5431599A (en) * | 1990-08-29 | 1995-07-11 | Intelligent Enclosures Corporation | Environmental control system |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712751B2 (ja) * | 1973-03-23 | 1982-03-12 |
-
1982
- 1982-10-05 JP JP57173837A patent/JPS5963742A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712751B2 (ja) * | 1973-03-23 | 1982-03-12 |
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| US5431599A (en) * | 1990-08-29 | 1995-07-11 | Intelligent Enclosures Corporation | Environmental control system |
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