JPS5935427A - イオン注入方法及びその装置 - Google Patents
イオン注入方法及びその装置Info
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- JPS5935427A JPS5935427A JP14635382A JP14635382A JPS5935427A JP S5935427 A JPS5935427 A JP S5935427A JP 14635382 A JP14635382 A JP 14635382A JP 14635382 A JP14635382 A JP 14635382A JP S5935427 A JPS5935427 A JP S5935427A
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- Japan
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- ion implantation
- wafer
- chamber
- vacuum preliminary
- photoresist
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウェーハのイオン注入方法及びその装置
にかかシ、特にフォトレジストの吸湿をおさえ良好なイ
オン注入を行う方法及びその装置に関する。
にかかシ、特にフォトレジストの吸湿をおさえ良好なイ
オン注入を行う方法及びその装置に関する。
従来のイオン注入は酸化膜、フォトレジスト。
ポリシリコン、アルミニウムなど種々の材料をマスクと
して行われているが、プロセスの容易さという力、から
はフォトレジストをマスクとして行うのが最も好適であ
る。
して行われているが、プロセスの容易さという力、から
はフォトレジストをマスクとして行うのが最も好適であ
る。
従来のレジストをマスクとしたイオン注入方法はまず前
処理された半導体ウェーハに回転塗布法により７オトレ
ジストを塗布し、９０〜１００”０ で前焼きされ、
次に露光・現像され、次に１２０°α３０分加熱によシ
焼きしめされる。一般にこの焼きしめられたウェーノ１
は保管され、遂次イオン注入される。
処理された半導体ウェーハに回転塗布法により７オトレ
ジストを塗布し、９０〜１００”０ で前焼きされ、
次に露光・現像され、次に１２０°α３０分加熱によシ
焼きしめされる。一般にこの焼きしめられたウェーノ１
は保管され、遂次イオン注入される。
第１図は従来のイオン注入装置の説明用の概略断面図で
ある。図に示されているようにイオン注入装置は真空予
備室１、イオン注入室２、真空予備室３よシ構成され、
３室共に減圧され、かつイオン注入室２はイオン注入用
のガス導入口が設けられている（図面には表示されてい
ない）。イオン注入にあたっては、まず前記ポストベー
ククされたウェーハ５をキャリアに充填し真空予備室２
に設置する。ウェーハはベルト６によ勺一枚づつイオン
−注入室におくられ、イオン銃７（点線で囲まれた部分
）から放射されるイオンが注入される。
ある。図に示されているようにイオン注入装置は真空予
備室１、イオン注入室２、真空予備室３よシ構成され、
３室共に減圧され、かつイオン注入室２はイオン注入用
のガス導入口が設けられている（図面には表示されてい
ない）。イオン注入にあたっては、まず前記ポストベー
ククされたウェーハ５をキャリアに充填し真空予備室２
に設置する。ウェーハはベルト６によ勺一枚づつイオン
−注入室におくられ、イオン銃７（点線で囲まれた部分
）から放射されるイオンが注入される。
なお５′はウェーハである０イオン注入が終るとベルト
６によりウェーハは真空予備室に移動しキャリア４にウ
ェーハ５“とじて収納される。
６によりウェーハは真空予備室に移動しキャリア４にウ
ェーハ５“とじて収納される。
以上の工程においてイオン注入室に入るウェーハは別の
加熱装置によシ予めボストベークによシ焼きしめられて
いるが、一般には焼きしめ後、時間と共に吸湿する。吸
湿すると７オトレジスト膜はイオン注入時、イオンによ
る脱ガスが多くなフイオン注入装置を汚染するばか夛で
なく、イオン注入によるフォトレジストの変質が大きく
なシ、マスクとしての効果が小さくなるという問題が発
生した〇 本発明は以上の問題点に対処してなされたもので、フォ
トレジストの加湿をおさえ、良好なイオン注入が行なえ
るイオン注入方法及びその装置を提供するにある。
加熱装置によシ予めボストベークによシ焼きしめられて
いるが、一般には焼きしめ後、時間と共に吸湿する。吸
湿すると７オトレジスト膜はイオン注入時、イオンによ
る脱ガスが多くなフイオン注入装置を汚染するばか夛で
なく、イオン注入によるフォトレジストの変質が大きく
なシ、マスクとしての効果が小さくなるという問題が発
生した〇 本発明は以上の問題点に対処してなされたもので、フォ
トレジストの加湿をおさえ、良好なイオン注入が行なえ
るイオン注入方法及びその装置を提供するにある。
また他の目的は工程を簡略化したイオン注入方法及びそ
の装置を提供するにある。
の装置を提供するにある。
木簡１の発明の要旨は、フォトレジストを塗布現像した
ウェーハをイオン注入装置の真空予備室に送入する工程
と、前記ウェーハを加熱しフォトレジストを焼きしめる
工程と、前記焼きしめたウェーハをイオン注入室に送入
する工程と、送入されたウェーハにイオン注入する工程
とを含むことを特徴とするウェー７・のイオン注入方法
にある。
ウェーハをイオン注入装置の真空予備室に送入する工程
と、前記ウェーハを加熱しフォトレジストを焼きしめる
工程と、前記焼きしめたウェーハをイオン注入室に送入
する工程と、送入されたウェーハにイオン注入する工程
とを含むことを特徴とするウェー７・のイオン注入方法
にある。
また木簡２の発明の要旨は、真空予備室、イオン注入室
を備えたイオン注入装置において、前記真空予備室に設
けられたウェーハの７オトレジストの焼きしめ手段と、
焼きしめ後のウエーノ・を外部に出すことなく真空予備
室よシイオン注入室に送入しイオン注入終了後真空予備
室に送出する手段とを含むことを特徴とするイオン注入
装置にある〇 以下図面を参照し本発明の詳細な説明 第２図は木簡１及び第２の発明の説明のための一実施例
によるイオン注入装置の概略断面図である。
を備えたイオン注入装置において、前記真空予備室に設
けられたウェーハの７オトレジストの焼きしめ手段と、
焼きしめ後のウエーノ・を外部に出すことなく真空予備
室よシイオン注入室に送入しイオン注入終了後真空予備
室に送出する手段とを含むことを特徴とするイオン注入
装置にある〇 以下図面を参照し本発明の詳細な説明 第２図は木簡１及び第２の発明の説明のための一実施例
によるイオン注入装置の概略断面図である。
図において焼きしめ前のウェーハ９はベルト６により真
空予備室２に搬入され、そこでボストベーク用加熱ヒー
タ１０によクボストベークされる。
空予備室２に搬入され、そこでボストベーク用加熱ヒー
タ１０によクボストベークされる。
このボストベークによシフォトレジストは初めて焼きし
められ清浄で強固なフォトレジストパターンが得られる
。次にこのポストベークされたフォトレジストパターン
を持つウェーハはイオン注入室に通じるベルト６によシ
イオン注入室に搬入される。次いで搬入されたウエーノ
・はイオン銃７（点線で囲まれた部分）よ少放射される
イオンによ）イオン注入される。このようにウェーハは
真空中でベークされ引続きイオン注入されるため、イオ
ン注入室に搬入されたウェーハ９“ のフォトレジスト
のパターンは大気に触れて起る吸湿はなく、従ってそれ
によってひき起される脱ガスやフォトレジストの劣化は
なく、またその結果として生ずるマスク性の劣化も生じ
ない。
められ清浄で強固なフォトレジストパターンが得られる
。次にこのポストベークされたフォトレジストパターン
を持つウェーハはイオン注入室に通じるベルト６によシ
イオン注入室に搬入される。次いで搬入されたウエーノ
・はイオン銃７（点線で囲まれた部分）よ少放射される
イオンによ）イオン注入される。このようにウェーハは
真空中でベークされ引続きイオン注入されるため、イオ
ン注入室に搬入されたウェーハ９“ のフォトレジスト
のパターンは大気に触れて起る吸湿はなく、従ってそれ
によってひき起される脱ガスやフォトレジストの劣化は
なく、またその結果として生ずるマスク性の劣化も生じ
ない。
そのため目的とする良好なイオン注入が実施できる。
なお第２図の焼きしめ用のヒーターは抵抗加熱方式であ
るが、赤外線加熱方式、又は高周波加熱方式を採用すれ
は装置の稼動条件の制御，保守等よ）効果を発揮できる
。
るが、赤外線加熱方式、又は高周波加熱方式を採用すれ
は装置の稼動条件の制御，保守等よ）効果を発揮できる
。
また以上の実施例からわかるとおり木簡１及び第２の発
明ではフォトレジスト膜のボストベークを別の加熱装置
によフ行う必要はなく工程の短縮設備の簡略化の効果も
顕著である。
明ではフォトレジスト膜のボストベークを別の加熱装置
によフ行う必要はなく工程の短縮設備の簡略化の効果も
顕著である。
以上説明から明らかなように本発明によればフォトレジ
ストの加湿をおさえ良好なイオン注入ができると共に工
程並びに装置の簡略化をはかることが可能である。
ストの加湿をおさえ良好なイオン注入ができると共に工
程並びに装置の簡略化をはかることが可能である。
第１図は従来のイオン注入方法並びに装置の説明用の装
置の概略断面図、第２図は本発明の一実施例によるイオ
ン注入方法並びに装置の説明用の装置の概略断面図であ
る。 １．３・・・・・・真空予備室、２・・・・・・イオン
注入室、４・・・・・・キャリア、５・・・・・・ポス
トベークされたつ工−ハ、５′・・・・・・イオン注入
中のウェーハ、５“・・・・・・イオン注入済のウェー
ハ、６・・・・・・ベルト、７・・・・・・イオン銃（
点線内）、９・・・・・・ポストベーク前のウェーハー
ｑ・・・・・・ボストベーク中のウェーハ ｃｌ／・・
・・・・イオン注入中のウェーハ、 ｆ−・・・・・イ
オン注入済のウェーハ、１０・・・・・・ボストベーク
用のヒーター。 代理人 弁理士 内 原 晋 寮１圀 寮２図
置の概略断面図、第２図は本発明の一実施例によるイオ
ン注入方法並びに装置の説明用の装置の概略断面図であ
る。 １．３・・・・・・真空予備室、２・・・・・・イオン
注入室、４・・・・・・キャリア、５・・・・・・ポス
トベークされたつ工−ハ、５′・・・・・・イオン注入
中のウェーハ、５“・・・・・・イオン注入済のウェー
ハ、６・・・・・・ベルト、７・・・・・・イオン銃（
点線内）、９・・・・・・ポストベーク前のウェーハー
ｑ・・・・・・ボストベーク中のウェーハ ｃｌ／・・
・・・・イオン注入中のウェーハ、 ｆ−・・・・・イ
オン注入済のウェーハ、１０・・・・・・ボストベーク
用のヒーター。 代理人 弁理士 内 原 晋 寮１圀 寮２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１） フォトレジストを塗布、現像したウェーハを
イオン注入装置の真空予備室に送入する工程と、前記ウ
ェーハを加熱しフォトレジスＩｆ焼きしめる工程と、前
記フォトレジストを焼きしめたウェーハをイオン注入室
に送入する工程と、送入されたウェーハにイオン注入す
る工程とを含むこと全特徴とするウェーハのイオン注入
方法。 （２）真空予備室、イオン注入室を備えたイオン注入装
置において、前記真空予備室に設けられたウェーハの７
オトレジストの焼きしめ手段と、焼きしめ後のウェーハ
を外部に出すことなく真空予備室よりイオン注入室に送
入しイオン注入終了後真空予備室に送出する手段とを含
むことを特徴とするイオン注入装置。 （８）真空予備室のウェーハの焼きしめ手段が、高周波
加熱方式であることを特徴とする特許請求の範囲第（２
）項記載のイオン注入装置。 （４）真空予備室のウェーハの焼きしめ手段が、赤外線
加熱方式であることを特徴とする特許請求の範囲第（２
）項記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14635382A JPS5935427A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | イオン注入方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14635382A JPS5935427A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | イオン注入方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935427A true JPS5935427A (ja) | 1984-02-27 |
| JPS633449B2 JPS633449B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=15405789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14635382A Granted JPS5935427A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | イオン注入方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935427A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296330A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02295114A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Yamaha Corp | イオン注入方法と装置 |
| JPH054464U (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | 株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター | イオン注入装置 |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP14635382A patent/JPS5935427A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296330A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02295114A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Yamaha Corp | イオン注入方法と装置 |
| JPH054464U (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | 株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター | イオン注入装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS633449B2 (ja) | 1988-01-23 |
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