JPS6151740A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPS6151740A JPS6151740A JP59175581A JP17558184A JPS6151740A JP S6151740 A JPS6151740 A JP S6151740A JP 59175581 A JP59175581 A JP 59175581A JP 17558184 A JP17558184 A JP 17558184A JP S6151740 A JPS6151740 A JP S6151740A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- ion implantation
- impurity ion
- resist film
- stopper
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は半導体ウェーハ（以下「ウェーハ」と呼ぶ）
の主面部に不純物イオン注入層を形成するイオン注入装
置に関するものである。
の主面部に不純物イオン注入層を形成するイオン注入装
置に関するものである。
ウェーハの主面部に不純物イオン注入層を形成する場合
には、ウニｍ；・の主面の不純物イオン注入層を形成す
べき部分以外の部分上にレジスト膜を形成し、このレジ
スト膜をマスクとしウェーハの主面部に不純物イオンビ
ームを照射して不純物イオン注入層を形成する方法が用
いられづいる。
には、ウニｍ；・の主面の不純物イオン注入層を形成す
べき部分以外の部分上にレジスト膜を形成し、このレジ
スト膜をマスクとしウェーハの主面部に不純物イオンビ
ームを照射して不純物イオン注入層を形成する方法が用
いられづいる。
ところで、この方法では、不純物イオンビームの照射に
よってレジスト膜の温度が上昇するので。
よってレジスト膜の温度が上昇するので。
この温度上昇によって、レジスト膜の形状が変形して不
純物イオン注入層のパターン精度が悪くなったシ、レジ
スト膜からガスが放出され、この放出ガスによって不純
物イオンビームが中性化されて不純物イオン注入層の不
純物イオン注入量の精度が悪くなったりするなどの問題
点があった。
純物イオン注入層のパターン精度が悪くなったシ、レジ
スト膜からガスが放出され、この放出ガスによって不純
物イオンビームが中性化されて不純物イオン注入層の不
純物イオン注入量の精度が悪くなったりするなどの問題
点があった。
そこで、かかる問題点を除去するために、従来ウェーハ
の主面部への不純物イオンビーム照射ｔ−行う以前に、
あらかじめ１００〜２００℃程度の温度で３０〜６０分
間保持する加熱処理や遠紫外線を照射する遠紫外線照射
処理などの前処理をレジスト膜に施して、レジスト膜の
ガス出しおよび硬化を行っていた。
の主面部への不純物イオンビーム照射ｔ−行う以前に、
あらかじめ１００〜２００℃程度の温度で３０〜６０分
間保持する加熱処理や遠紫外線を照射する遠紫外線照射
処理などの前処理をレジスト膜に施して、レジスト膜の
ガス出しおよび硬化を行っていた。
しかしながら、このような前処理が施されたレジスト膜
が前処理後大気中に放置されると、レジスト膜の前処理
による効果は、レジスト膜の前処理後の大気中における
時間経過に伴う吸湿などによって減少するので、不純物
イオン注入層のパターン精度および不純物イオン注入量
の精度をよくすることは容易ではないという欠点があっ
た。
が前処理後大気中に放置されると、レジスト膜の前処理
による効果は、レジスト膜の前処理後の大気中における
時間経過に伴う吸湿などによって減少するので、不純物
イオン注入層のパターン精度および不純物イオン注入量
の精度をよくすることは容易ではないという欠点があっ
た。
この発明は、上述の欠点を除去するためになされたもの
で、ウェーハの主面上に形成され不純物イオン注入用マ
スクとして働くレジスト膜に遠紫外線照射処理を施す遠
紫外線照射部と、上記レジスト膜をマスクとしてウェー
ハの主面部に不純物イオンビームを照射して不純物イオ
ン注入層を形成する不純物イオン注入部と、ウェー−・
を遠紫外線照射部および不純物イオン注入部を順次通っ
て移送する移送手段とを同一の真空チャンバ内に設ける
ことによって、不純物イオン注入層のパターン精度およ
び不純物イオン注入量の精度をよくするることができる
イオン注入装置を提供するものである。
で、ウェーハの主面上に形成され不純物イオン注入用マ
スクとして働くレジスト膜に遠紫外線照射処理を施す遠
紫外線照射部と、上記レジスト膜をマスクとしてウェー
ハの主面部に不純物イオンビームを照射して不純物イオ
ン注入層を形成する不純物イオン注入部と、ウェー−・
を遠紫外線照射部および不純物イオン注入部を順次通っ
て移送する移送手段とを同一の真空チャンバ内に設ける
ことによって、不純物イオン注入層のパターン精度およ
び不純物イオン注入量の精度をよくするることができる
イオン注入装置を提供するものである。
図はこの発明によるイオン注入装置の一実施例の主要構
成要素を模式的に示す要部断面図である。
成要素を模式的に示す要部断面図である。
図において、（１）は内部を１０−＠Ｔｏｒｒ程度の真
空度に排気できる真空チャンバ、（２）は真空チャンバ
（１）内に図示右端および左端が真空チャンバ（１）の
側壁の内周面に近接するように設けられ不純物イオン注
入用マスクであるレジスト膜（図示せず）を主面上に有
するウェーハ輪を右端側から左端側へ向って滑走させて
移送するように傾斜しておりこの実施例の移送手段を構
成する移送基板、（３ａ）は真空チャンバ（１）の側壁
の移送基板（２）の右端が近接するる部分にこの部分を
貫通して設けられ移送基板（２）の右端側の部分上ヘウ
エーハ員を挿入するためのウェーハ挿入孔、（３ｂ）は
真空チャンバ（１）の側壁の移送基板（２）の左端が近
接する部分にこの部分を貫通して設けられ移送基板（２
）の左端側の部分舎移送されたウェーハ関を真空チャン
バ（１）内から排出するだめのウェーハ排出孔、（４ａ
）および（４ｂ）はそれぞれ移送基板（２）の右端側の
部分および左端側の部分に先端が移送基板（２）の底面
に対して出入りできるように設けられ必要に応じて、移
送基板（２）の表面上を滑走するウェーハ輪を停止させ
、この実施例の移送手段を構成するウェーハストッパー
、（５）はウェーハストッパー（４ａ）によって停止さ
せられたウェーハ（７）の上方に設けられこのウェーハ
φの主面上に形成されている不純物イオン注入用マスク
であるレジスト膜に遠紫外線照射処理を施すための遠紫
外線を出力する遠紫外線ランプ、（６）はウェーバスト
ツバ−（４ｂ）によって停止させられたウェーバーの上
方に、このウェーハ（７）の主面部に不純物イオン注入
層を形成するだめの図示矢印Ｘ方向の不純物イオンビー
ムを取り囲むように設けられ７アラデ一箱を構成する筒
状体、（７）はウェーハ挿入孔（３ａ）に連通して設け
られ真空に排気された真空チャンバ（１）内ヘクエーハ
印を挿入するための予備排気室、（８）はウェーハ排出
孔（３ｂ）に連通して設けられ真空に排気された真空チ
ャンバ（１）内からウェーハ８０を排出するための予備
排気室である。
空度に排気できる真空チャンバ、（２）は真空チャンバ
（１）内に図示右端および左端が真空チャンバ（１）の
側壁の内周面に近接するように設けられ不純物イオン注
入用マスクであるレジスト膜（図示せず）を主面上に有
するウェーハ輪を右端側から左端側へ向って滑走させて
移送するように傾斜しておりこの実施例の移送手段を構
成する移送基板、（３ａ）は真空チャンバ（１）の側壁
の移送基板（２）の右端が近接するる部分にこの部分を
貫通して設けられ移送基板（２）の右端側の部分上ヘウ
エーハ員を挿入するためのウェーハ挿入孔、（３ｂ）は
真空チャンバ（１）の側壁の移送基板（２）の左端が近
接する部分にこの部分を貫通して設けられ移送基板（２
）の左端側の部分舎移送されたウェーハ関を真空チャン
バ（１）内から排出するだめのウェーハ排出孔、（４ａ
）および（４ｂ）はそれぞれ移送基板（２）の右端側の
部分および左端側の部分に先端が移送基板（２）の底面
に対して出入りできるように設けられ必要に応じて、移
送基板（２）の表面上を滑走するウェーハ輪を停止させ
、この実施例の移送手段を構成するウェーハストッパー
、（５）はウェーハストッパー（４ａ）によって停止さ
せられたウェーハ（７）の上方に設けられこのウェーハ
φの主面上に形成されている不純物イオン注入用マスク
であるレジスト膜に遠紫外線照射処理を施すための遠紫
外線を出力する遠紫外線ランプ、（６）はウェーバスト
ツバ−（４ｂ）によって停止させられたウェーバーの上
方に、このウェーハ（７）の主面部に不純物イオン注入
層を形成するだめの図示矢印Ｘ方向の不純物イオンビー
ムを取り囲むように設けられ７アラデ一箱を構成する筒
状体、（７）はウェーハ挿入孔（３ａ）に連通して設け
られ真空に排気された真空チャンバ（１）内ヘクエーハ
印を挿入するための予備排気室、（８）はウェーハ排出
孔（３ｂ）に連通して設けられ真空に排気された真空チ
ャンバ（１）内からウェーハ８０を排出するための予備
排気室である。
この実施例における遠紫外線照射部は移送基板（２）の
表面のウェーハ句がウェーハストッパー（４ａ）の先端
部によって停止させられる部分でろ）、不純物イオン注
入部は移送基板（２）の表面のウェーハ句がウェーハス
トッパー（４ｂ）の先端部によって停止させられる部分
である。
表面のウェーハ句がウェーハストッパー（４ａ）の先端
部によって停止させられる部分でろ）、不純物イオン注
入部は移送基板（２）の表面のウェーハ句がウェーハス
トッパー（４ｂ）の先端部によって停止させられる部分
である。
以下、この実施例の作用について説明する。
まず、ウェーハストッパー（４ａ）、 （４ｂ）の１先
端部を移送基板（２）の表面上に突出させて真空チャン
バ（１）内を１０−’Ｔｏｏｒ程度の真空度に排気する
。次いで、予備排気室（７）を通してウェーハ挿入孔（
３ａ）から不純物イオン注入用マスクであるレジスト膜
が主面上に形成されたウェーハ輪を移送基板（２）の表
面の右端側の部分上に押し出しウェーハストッパー（４
ａ）の先端部によって停止させる。次に、このつニーバ
ストツバ−（Ｉｌａ）の先端部によって停止させられて
いるウェーハ（りの主面上のマスク用のレジスト膜に遠
紫外線ランプ（５）によって遠紫外線照射処理を施して
このレジスト膜のガス出しおよび硬化を行う。しかるの
ち、１クエーハストツパー（４ａ）の先端部を移送基板
（２）内に埋没ぜせると、遠紫外線照射処理が施された
レジスト膜が主面上に形成されているウェーハ曽が移送
基板（２）の表面上を滑走してウェーハストッパー（４
ｂ）の先端部によって停止させられる。次いで、ウェー
ハストッパー（４ｂ）の先端部によって停止させられて
いるウェーハ曽の主面部に、その主面上に形成され遠紫
外線照射処理が施されたレジスト膜をマスクとし図示矢
印Ｘ方向からの不純物イオンビームを照射して不純物イ
オン注入層を形成する。しかるのち、つニーバストツバ
−（４ｂ）の先端部を移送基板（２）内に埋没させると
、不純物イオン注入層が主面部に形成されているウェー
ハ閃が移送基板（２）の表面の左端側へ滑走しウェーハ
排出孔（３ｂ）から予備排気室（８）を通して外部に取
り出される０ このように、この実施列の装置を用いると、同一の真空
チャンバ（７）内において、ウェーハ（７）の主面上の
形成されている不純物イオン圧入用マスクであるレジス
ト膜のカス出しおよびｉＺ化を行う遠紫外線照射処理と
、この遠紫外線照射処理が施されたレジスト膜をマスク
゛にしてウェーハ司の主面部に不純物イオン注入層を形
成する不純物イオン注入処理とが真空を破ることなく連
続して行われルノで、レジスト膜の遠紫外線照射処理に
よるガス出しおよび硬化の効果が減少するようなことが
ない。従って、不純物イオン注入処理時に、マスク用の
レジスト膜が変形することがなく、かっこのレジスト膜
から不純物イオン注入層形成用の不純物イオンビームを
中性化するガスが放出されることがないので、不純物イ
オン注入層のパターン精度および不純物イオン注入量の
精度をよくすることができる。
端部を移送基板（２）の表面上に突出させて真空チャン
バ（１）内を１０−’Ｔｏｏｒ程度の真空度に排気する
。次いで、予備排気室（７）を通してウェーハ挿入孔（
３ａ）から不純物イオン注入用マスクであるレジスト膜
が主面上に形成されたウェーハ輪を移送基板（２）の表
面の右端側の部分上に押し出しウェーハストッパー（４
ａ）の先端部によって停止させる。次に、このつニーバ
ストツバ−（Ｉｌａ）の先端部によって停止させられて
いるウェーハ（りの主面上のマスク用のレジスト膜に遠
紫外線ランプ（５）によって遠紫外線照射処理を施して
このレジスト膜のガス出しおよび硬化を行う。しかるの
ち、１クエーハストツパー（４ａ）の先端部を移送基板
（２）内に埋没ぜせると、遠紫外線照射処理が施された
レジスト膜が主面上に形成されているウェーハ曽が移送
基板（２）の表面上を滑走してウェーハストッパー（４
ｂ）の先端部によって停止させられる。次いで、ウェー
ハストッパー（４ｂ）の先端部によって停止させられて
いるウェーハ曽の主面部に、その主面上に形成され遠紫
外線照射処理が施されたレジスト膜をマスクとし図示矢
印Ｘ方向からの不純物イオンビームを照射して不純物イ
オン注入層を形成する。しかるのち、つニーバストツバ
−（４ｂ）の先端部を移送基板（２）内に埋没させると
、不純物イオン注入層が主面部に形成されているウェー
ハ閃が移送基板（２）の表面の左端側へ滑走しウェーハ
排出孔（３ｂ）から予備排気室（８）を通して外部に取
り出される０ このように、この実施列の装置を用いると、同一の真空
チャンバ（７）内において、ウェーハ（７）の主面上の
形成されている不純物イオン圧入用マスクであるレジス
ト膜のカス出しおよびｉＺ化を行う遠紫外線照射処理と
、この遠紫外線照射処理が施されたレジスト膜をマスク
゛にしてウェーハ司の主面部に不純物イオン注入層を形
成する不純物イオン注入処理とが真空を破ることなく連
続して行われルノで、レジスト膜の遠紫外線照射処理に
よるガス出しおよび硬化の効果が減少するようなことが
ない。従って、不純物イオン注入処理時に、マスク用の
レジスト膜が変形することがなく、かっこのレジスト膜
から不純物イオン注入層形成用の不純物イオンビームを
中性化するガスが放出されることがないので、不純物イ
オン注入層のパターン精度および不純物イオン注入量の
精度をよくすることができる。
なお、この実施例では、移送基板（２）を傾Ｒさせてそ
の表面上をウェーハ（７）が滑走して移送される場合に
ついて述べたが、この発明はこれに限らず、ウェーハが
回転ベルトなどの移送手段によって移送される場合にも
適用することができる。
の表面上をウェーハ（７）が滑走して移送される場合に
ついて述べたが、この発明はこれに限らず、ウェーハが
回転ベルトなどの移送手段によって移送される場合にも
適用することができる。
以上、説明したように、この発明のイオン注入装置では
、ウェーハの主面上に形成され不純物イオ：ｙｉ５人用
マスクであるレジスト膜に遠紫外線照射処理を施す遠紫
外線照射部と、上記レジスト膜をマスクとしてウェーハ
の主面部に不純物イオンビームを照射して不純物イオン
注入層を形成する不純物イオン注入部と、ウエーノ・を
遠紫外線照射部および不純物イオン注入部を頴次通って
移送する移送手段とを同一の真空チャンバ内に設けたの
で、マスク用のレジスト膜のガス出しおよび硬化を行う
遠紫外線照射処理と、この遠紫外線照射処理が施された
レジスト膜をマスクにしてウェーハの主面部に不純物イ
オン注入層を形成する不純物イオン注入処理とを真空中
において連続して行うことができる。従って、レジスト
膜の遠紫外線照射処理によるガス出しおよび硬化の効果
が減少することがないので、不純物イオン注入処理時に
、マスク用のレジスト膜が変形することがなく、かつこ
のレジスト膜から不純物イオン注入層形成用の不純物イ
オンビームを中性化するガスが放出されることがないか
ら、不純物イオン注入層のパターン精度および不純物イ
オン注入量の精度をよくすることができる。
、ウェーハの主面上に形成され不純物イオ：ｙｉ５人用
マスクであるレジスト膜に遠紫外線照射処理を施す遠紫
外線照射部と、上記レジスト膜をマスクとしてウェーハ
の主面部に不純物イオンビームを照射して不純物イオン
注入層を形成する不純物イオン注入部と、ウエーノ・を
遠紫外線照射部および不純物イオン注入部を頴次通って
移送する移送手段とを同一の真空チャンバ内に設けたの
で、マスク用のレジスト膜のガス出しおよび硬化を行う
遠紫外線照射処理と、この遠紫外線照射処理が施された
レジスト膜をマスクにしてウェーハの主面部に不純物イ
オン注入層を形成する不純物イオン注入処理とを真空中
において連続して行うことができる。従って、レジスト
膜の遠紫外線照射処理によるガス出しおよび硬化の効果
が減少することがないので、不純物イオン注入処理時に
、マスク用のレジスト膜が変形することがなく、かつこ
のレジスト膜から不純物イオン注入層形成用の不純物イ
オンビームを中性化するガスが放出されることがないか
ら、不純物イオン注入層のパターン精度および不純物イ
オン注入量の精度をよくすることができる。
図はこの発明によるイオン注入装置の一実施例の主要構
成要素を模式的に示す要部断面図である。 図において、（１）は真空チャンバ、（２）は移送基板
（移送手段の構成要素）、（４ａ）および（４ｂ）はウ
ェーハストッパー（移送手段の構成要素Ｌ（５）は遠紫
外線ランプ（遠紫外線照射部の構成要素）、（６）は不
純物イオン注入層を形成するだめの不純物イオンビーム
を取り囲み７アラデ一箱を構成する筒状体（イオン注入
部の構成要素）、図は半導体ウェーハである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０
成要素を模式的に示す要部断面図である。 図において、（１）は真空チャンバ、（２）は移送基板
（移送手段の構成要素）、（４ａ）および（４ｂ）はウ
ェーハストッパー（移送手段の構成要素Ｌ（５）は遠紫
外線ランプ（遠紫外線照射部の構成要素）、（６）は不
純物イオン注入層を形成するだめの不純物イオンビーム
を取り囲み７アラデ一箱を構成する筒状体（イオン注入
部の構成要素）、図は半導体ウェーハである。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す０
Claims (2)
- （１）主面上に不純物イオン注入用マスクであるレジス
ト膜が形成された半導体ウェーハの上記レジスト膜に遠
紫外線照射処理を施すことができる遠紫外線照射部と、
上記レジスト膜をマスクとして上記半導体ウェーハの主
面部に不純物イオンビームを照射して不純物イオン注入
層を形成することができる不純物イオン注入部と、上記
半導体ウェーハを上記遠紫外線照射部および上記不純物
イオン注入部を順次通つて移送することができる移送手
段とが同一の真空チヤンバ内に設けられたことを特徴と
するイオン注入装置。 - （２）移送手段は半導体ウェーハが表面上を滑走するよ
うに傾斜した移送基板であることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175581A JPS6151740A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59175581A JPS6151740A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6151740A true JPS6151740A (ja) | 1986-03-14 |
Family
ID=15998584
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59175581A Pending JPS6151740A (ja) | 1984-08-21 | 1984-08-21 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6151740A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150684A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Agency Of Ind Science & Technol | レ−ザレ−ダ視覚センサ |
| JPH0296330A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02295114A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Yamaha Corp | イオン注入方法と装置 |
-
1984
- 1984-08-21 JP JP59175581A patent/JPS6151740A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63150684A (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-23 | Agency Of Ind Science & Technol | レ−ザレ−ダ視覚センサ |
| JPH0434112B2 (ja) * | 1986-12-16 | 1992-06-04 | Kogyo Gijutsuin | |
| JPH0296330A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02295114A (ja) * | 1989-05-10 | 1990-12-06 | Yamaha Corp | イオン注入方法と装置 |
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