JPH0296330A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0296330A JPH0296330A JP24833788A JP24833788A JPH0296330A JP H0296330 A JPH0296330 A JP H0296330A JP 24833788 A JP24833788 A JP 24833788A JP 24833788 A JP24833788 A JP 24833788A JP H0296330 A JPH0296330 A JP H0296330A
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- Japan
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- photoresist
- wafer
- ion implantation
- mask material
- impurity ions
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［概要コ
半導体装置の配線抵抗を低下させるための製造方法に関
し、 高ドーズ団の不純物をイオン注入して配線抵抗を低下さ
せながら、そのイオン注入時にマスク材となるフォトレ
ジストをイオン注入工程後に容易に剥離し得る製造方法
を提供することを目的とし、フォトレジストによりパタ
ーニングを行なったウェハを紫外線若しくは高熱に晒し
た後、そのウェハにフォトレジストをマスク材として不
純物イオンをイオン注入する構成とする。
し、 高ドーズ団の不純物をイオン注入して配線抵抗を低下さ
せながら、そのイオン注入時にマスク材となるフォトレ
ジストをイオン注入工程後に容易に剥離し得る製造方法
を提供することを目的とし、フォトレジストによりパタ
ーニングを行なったウェハを紫外線若しくは高熱に晒し
た後、そのウェハにフォトレジストをマスク材として不
純物イオンをイオン注入する構成とする。
［産業上の利用分野］
この発明は半導体装置の配線抵抗を低下させるための製
造方法に関するものである。
造方法に関するものである。
近年の半導体装置の高集積化にともないその配線抵抗の
低抵抗化が要請されている。配線抵抗を低下させるため
には電気的抵抗の低い材料で半導体装置の配線部分を構
成したり、あるいはイオン注入法等により配線部分に不
純物イオンを注入して抵抗を低下させる方法がある。
低抵抗化が要請されている。配線抵抗を低下させるため
には電気的抵抗の低い材料で半導体装置の配線部分を構
成したり、あるいはイオン注入法等により配線部分に不
純物イオンを注入して抵抗を低下させる方法がある。
［従来の技術］
半導体装置の配線抵抗を低下させるために高ドーズ量の
不純物イオンをイオン注入する場合にはウェハにフォト
レジストが塗布されてフォトエツチングにより所定のパ
ターンが開孔され、そのフォトレジストをマスク材とし
て開孔部に不純物イオンをイオン注入すると開孔部の電
気的抵抗が低下する。
不純物イオンをイオン注入する場合にはウェハにフォト
レジストが塗布されてフォトエツチングにより所定のパ
ターンが開孔され、そのフォトレジストをマスク材とし
て開孔部に不純物イオンをイオン注入すると開孔部の電
気的抵抗が低下する。
［発明が解決しようとする課題］
ところが、上記のような製造方法ではイオン注入にとも
なってフォトレジストが変質する。このため、プラズマ
アッシャ等の通常のレジスト剥離方法では充分に除去で
きない場合があり、このような場合には後工程で支障を
来たしたり、あるいは歩留りが低下するという問題点が
あった。この発明の目的は高ドーズ量の不純物イオンを
イオン注入して配線抵抗を低下させながら、そのイオン
注入時にマスク材となるフォトレジストをイオン注入工
程後に容易に剥離し得る製造方法を提供するにある。
なってフォトレジストが変質する。このため、プラズマ
アッシャ等の通常のレジスト剥離方法では充分に除去で
きない場合があり、このような場合には後工程で支障を
来たしたり、あるいは歩留りが低下するという問題点が
あった。この発明の目的は高ドーズ量の不純物イオンを
イオン注入して配線抵抗を低下させながら、そのイオン
注入時にマスク材となるフォトレジストをイオン注入工
程後に容易に剥離し得る製造方法を提供するにある。
［ｙ！題を解決するための手段］
上記問題点はフォトレジストによりバターニングを行な
ったウェハを紫外線若しくは高熱に晒した後、そのウェ
ハにフォトレジストをマスク材として不純物イオンをイ
オン注入する半導体装置の製造方法で解決される。
ったウェハを紫外線若しくは高熱に晒した後、そのウェ
ハにフォトレジストをマスク材として不純物イオンをイ
オン注入する半導体装置の製造方法で解決される。
［作用］
フォトレジストは紫外線若しくは高熱に晒すことにより
硬化するため、この状態でイオン注入してもフォトレジ
ストはイオン注入による変質が起こり難り、イオン注入
後のフォトレジストの除去が容易となる。
硬化するため、この状態でイオン注入してもフォトレジ
ストはイオン注入による変質が起こり難り、イオン注入
後のフォトレジストの除去が容易となる。
［実施例］
以下、この発明を具体化した一実施例を図面に従って説
明すると、第１図に示すウェハ１はフォトレジストによ
りパターンニングが施されたものである。すなわち、ウ
ェハ１表面にポジ形フォトレジストを塗布した後所定の
マスクを通して露光され、その後現像されて光の当たっ
ていない部分のフォトレジスト２が残り、その間に所定
のパターンが開孔部３として形成されている。
明すると、第１図に示すウェハ１はフォトレジストによ
りパターンニングが施されたものである。すなわち、ウ
ェハ１表面にポジ形フォトレジストを塗布した後所定の
マスクを通して露光され、その後現像されて光の当たっ
ていない部分のフォトレジスト２が残り、その間に所定
のパターンが開孔部３として形成されている。
このようなウェハ１に紫外線照射装置で約１分間紫外線
４を照射する。すると、フォトレジスト２は紫外線４に
照射されて硬化し、イオン注入による変質を起こし難い
状態となる。
４を照射する。すると、フォトレジスト２は紫外線４に
照射されて硬化し、イオン注入による変質を起こし難い
状態となる。
次に、このウェハ１をイオン注入装置で第２図に示すよ
うに高ドーズ量の不純物イオン５をフォトレジスト２を
マスク材として開孔部３に注入する。その不純物イオン
は例えば１６−当たり８×１ｏ１５個のＰ（リン）イオ
ンを７０ＫＶの電圧で加速して打込む。そして、この後
プラズマアッシャでフォトレジストを除去する。
うに高ドーズ量の不純物イオン５をフォトレジスト２を
マスク材として開孔部３に注入する。その不純物イオン
は例えば１６−当たり８×１ｏ１５個のＰ（リン）イオ
ンを７０ＫＶの電圧で加速して打込む。そして、この後
プラズマアッシャでフォトレジストを除去する。
このような工程により上記高ドーズ量のイオン注入後に
おいても通常のプラズマアッシャでフォトレジスト２を
確実に除去可能である。すなわち、例えば１ ｔａ当た
り４ Ｘ １０’個の低ドーズ量で不純物イオンを打込
む場合にはその前工程として紫外線４を照射しない場合
でもフォトレジストをプラズマアッシャで除去可能であ
るが、上記高ドーズ量ではその前工程として紫外線４を
照射した場合に限りフォトレジスト２を除去可能となる
結果が得られた。
おいても通常のプラズマアッシャでフォトレジスト２を
確実に除去可能である。すなわち、例えば１ ｔａ当た
り４ Ｘ １０’個の低ドーズ量で不純物イオンを打込
む場合にはその前工程として紫外線４を照射しない場合
でもフォトレジストをプラズマアッシャで除去可能であ
るが、上記高ドーズ量ではその前工程として紫外線４を
照射した場合に限りフォトレジスト２を除去可能となる
結果が得られた。
従って、上記工程を採用することにより注入された不純
物イオン５により開孔部３の電気的抵抗を低下させるこ
とができるとともに、そのイオン注入のマスク材として
の７オトレジスト２も容易に除去することができる。
物イオン５により開孔部３の電気的抵抗を低下させるこ
とができるとともに、そのイオン注入のマスク材として
の７オトレジスト２も容易に除去することができる。
また、紫外線４の照射に換えてフォトレジスト２に高熱
をかけても上記と同様な効果を得ることができる。すな
わち、イオン注入工程に先立ってバターニングされたウ
ェハ１を摂氏１４０〜１５０度の高温に晒すとフォトレ
ジスト２が硬化し、イオン注入工程後にフォトレジスト
２を容易に除去することができる。
をかけても上記と同様な効果を得ることができる。すな
わち、イオン注入工程に先立ってバターニングされたウ
ェハ１を摂氏１４０〜１５０度の高温に晒すとフォトレ
ジスト２が硬化し、イオン注入工程後にフォトレジスト
２を容易に除去することができる。
′［発明の効果］
以上詳述したように、この発明は高ドーズ量の不純物を
イオン注入して配線抵抗を低下させながら、そのイオン
注入時にマスク材となるフォトレジストを容易に剥離し
得る半導体装置の製造方法を提供することができる優れ
た効果を発揮する。
イオン注入して配線抵抗を低下させながら、そのイオン
注入時にマスク材となるフォトレジストを容易に剥離し
得る半導体装置の製造方法を提供することができる優れ
た効果を発揮する。
第１図はこの発明の紫外線照射工程を示す説明図、第２
図はイオン注入工程を示す説明図である。
図はイオン注入工程を示す説明図である。
Claims (1)
- １、フォトレジスト（２）によりパターニングを行なっ
たウェハ（１）を紫外線（４）若しくは高熱に晒した後
、そのウェハ（１）にフォトレジスト（２）をマスク材
として不純物イオン（５）をイオン注入することを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24833788A JPH0296330A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24833788A JPH0296330A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0296330A true JPH0296330A (ja) | 1990-04-09 |
Family
ID=17176589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24833788A Pending JPH0296330A (ja) | 1988-09-30 | 1988-09-30 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0296330A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935427A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Nec Corp | イオン注入方法及びその装置 |
| JPS6151740A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
-
1988
- 1988-09-30 JP JP24833788A patent/JPH0296330A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5935427A (ja) * | 1982-08-24 | 1984-02-27 | Nec Corp | イオン注入方法及びその装置 |
| JPS6151740A (ja) * | 1984-08-21 | 1986-03-14 | Mitsubishi Electric Corp | イオン注入装置 |
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