JPS633449B2 - - Google Patents
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- JPS633449B2 JPS633449B2 JP14635382A JP14635382A JPS633449B2 JP S633449 B2 JPS633449 B2 JP S633449B2 JP 14635382 A JP14635382 A JP 14635382A JP 14635382 A JP14635382 A JP 14635382A JP S633449 B2 JPS633449 B2 JP S633449B2
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- Japan
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- ion implantation
- wafer
- chamber
- photoresist
- vacuum
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- Expired
Links
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- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 21
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- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体ウエーハのイオン注入方法及び
その装置にかかり、特にフオトレジストの吸湿を
おさえ良好なイオン注入を行う方法及びその装置
に関する。
その装置にかかり、特にフオトレジストの吸湿を
おさえ良好なイオン注入を行う方法及びその装置
に関する。
従来のイオン注入は酸化膜、フオトレジスト、
ポリシリコン、アルミニウムなど種々の材料をマ
スクとして行われているが、プロセスの容易さと
いう点からはフオトレジストをマスクとして行う
のが最も好適である。
ポリシリコン、アルミニウムなど種々の材料をマ
スクとして行われているが、プロセスの容易さと
いう点からはフオトレジストをマスクとして行う
のが最も好適である。
従来のレジストをマスクとしたイオン注入方法
はまず前処理された半導体ウエーハに回転塗布法
によりフオトレジストを塗布し、90〜100℃で前
焼きされ、次に露光・現像され、次に120℃、30
分加熱により焼きしめされる。一般にこの焼きし
められたウエーハは保管され、遂次イオン注入さ
れる。
はまず前処理された半導体ウエーハに回転塗布法
によりフオトレジストを塗布し、90〜100℃で前
焼きされ、次に露光・現像され、次に120℃、30
分加熱により焼きしめされる。一般にこの焼きし
められたウエーハは保管され、遂次イオン注入さ
れる。
第１図は従来のイオン注入装置の説明用の概略
断面図である。図に示されているようにイオン注
入装置は真空予備室１、イオン注入室２、真空予
備室３より構成され、３室共に減圧され、かつイ
オン注入室２はイオン注入用のガス導入口が設け
られている（図面には表示されていない）。イオ
ン注入にあたつては、まず前記ポストベークされ
たウエーハ５をキヤリアに充填し真空予備室２に
配置する。ウエーハはベルト６により一枚づつイ
オン注入室におくられ、イオン銃７（点線で囲ま
れた部分）から放射されるイオンが注入される。
なお５′はウエーハである。イオン注入が終ると
ベルト６によりウエーハは真空予備室に移動しキ
ヤリア４にウエーハ５″として収納される。
断面図である。図に示されているようにイオン注
入装置は真空予備室１、イオン注入室２、真空予
備室３より構成され、３室共に減圧され、かつイ
オン注入室２はイオン注入用のガス導入口が設け
られている（図面には表示されていない）。イオ
ン注入にあたつては、まず前記ポストベークされ
たウエーハ５をキヤリアに充填し真空予備室２に
配置する。ウエーハはベルト６により一枚づつイ
オン注入室におくられ、イオン銃７（点線で囲ま
れた部分）から放射されるイオンが注入される。
なお５′はウエーハである。イオン注入が終ると
ベルト６によりウエーハは真空予備室に移動しキ
ヤリア４にウエーハ５″として収納される。
以上の工程においてイオン注入室に入るウエー
ハは別の加熱装置により予めポストベークにより
焼きしめられているが、一般には焼きしめ後、時
間と共に吸湿する。吸湿するとフオトレジスト膜
はイオン注入時、イオンによる脱ガスが多くなり
イオン注入装置を汚染するばかりでなく、イオン
注入によるフオトレジストの変質が大きくなり、
マスクとしての効果が小さくなるという問題が発
生した。
ハは別の加熱装置により予めポストベークにより
焼きしめられているが、一般には焼きしめ後、時
間と共に吸湿する。吸湿するとフオトレジスト膜
はイオン注入時、イオンによる脱ガスが多くなり
イオン注入装置を汚染するばかりでなく、イオン
注入によるフオトレジストの変質が大きくなり、
マスクとしての効果が小さくなるという問題が発
生した。
本発明は以上の問題点に対処してなされたもの
で、フオトレジストの加湿をおさえ、良好なイオ
ン注入が行なえるイオン注入方法及びその装置を
提供するにある。
で、フオトレジストの加湿をおさえ、良好なイオ
ン注入が行なえるイオン注入方法及びその装置を
提供するにある。
また他の目的は工程を簡略化したイオン注入方
法及びその装置を提供するにある。
法及びその装置を提供するにある。
本第１の発明の要旨は、フオトレジストを塗布
現像したウエーハをイオン注入装置の真空予備室
に送入する工程と、前記ウエーハを加熱しフオト
レジストを焼きしめる工程と、前記焼きしめたウ
エーハをイオン注入室に送入する工程と、送入さ
れたウエーハにイオン注入する工程とを含むこと
を特徴とするウエーハのイオン注入方法にある。
現像したウエーハをイオン注入装置の真空予備室
に送入する工程と、前記ウエーハを加熱しフオト
レジストを焼きしめる工程と、前記焼きしめたウ
エーハをイオン注入室に送入する工程と、送入さ
れたウエーハにイオン注入する工程とを含むこと
を特徴とするウエーハのイオン注入方法にある。
また本第２の発明の要旨は、真空予備室、イオ
ン注入室を備えたイオン注入装置において、前記
真空予備室に設けられたウエーハのフオトレジス
トの焼きしめ手段と、焼きしめ後のウエーハを外
部に出すことなく真空予備室よりイオン注入室に
送入しイオン注入終了後真空予備室に送出する手
段とを含むことを特徴とするイオン注入装置にあ
る。
ン注入室を備えたイオン注入装置において、前記
真空予備室に設けられたウエーハのフオトレジス
トの焼きしめ手段と、焼きしめ後のウエーハを外
部に出すことなく真空予備室よりイオン注入室に
送入しイオン注入終了後真空予備室に送出する手
段とを含むことを特徴とするイオン注入装置にあ
る。
以下図面を参照し本発明の詳細につき説明す
る。第２図は本第１及び第２の発明の説明のため
の一実施例によるイオン注入装置の概略断面図で
ある。図において焼きしめ前のウエーハ９はベル
ト６により真空予備室２に搬入され、そこでポス
トベーク用加熱ヒータ１０によりポストベークさ
れる。このポストベークによりフオトレジストは
初めて焼きしめられ清浄で強固なフオトレジスト
パターンが得られる。次にこのポストベークされ
たフオトレジストパターンを持つウエーハはイオ
ン注入室に通じるベルト６によりイオン注入室に
搬入される。次いで搬入されたウエーハはイオン
銃７（点線で囲まれた部分）より放射されるイオ
ンによりイオン注入される。このようにウエーハ
は真空中でベークされ引続きイオン注入されるた
め、イオン注入室に搬入されたウエーハ９″のフ
オトレジストのパターンは大気に触れて起る吸湿
はなく、従つてそれによつてひき起される脱ガス
やフオトレジストの劣化はなく、またその結果と
して生ずるマスク性の劣化も生じない。
る。第２図は本第１及び第２の発明の説明のため
の一実施例によるイオン注入装置の概略断面図で
ある。図において焼きしめ前のウエーハ９はベル
ト６により真空予備室２に搬入され、そこでポス
トベーク用加熱ヒータ１０によりポストベークさ
れる。このポストベークによりフオトレジストは
初めて焼きしめられ清浄で強固なフオトレジスト
パターンが得られる。次にこのポストベークされ
たフオトレジストパターンを持つウエーハはイオ
ン注入室に通じるベルト６によりイオン注入室に
搬入される。次いで搬入されたウエーハはイオン
銃７（点線で囲まれた部分）より放射されるイオ
ンによりイオン注入される。このようにウエーハ
は真空中でベークされ引続きイオン注入されるた
め、イオン注入室に搬入されたウエーハ９″のフ
オトレジストのパターンは大気に触れて起る吸湿
はなく、従つてそれによつてひき起される脱ガス
やフオトレジストの劣化はなく、またその結果と
して生ずるマスク性の劣化も生じない。
そのため目的とする良好なイオン注入が実施で
きる。
きる。
なお第２図の焼きしめ用のヒーターは抵抗加熱
方式であるが、赤外線加熱方式、又は高周波加熱
方式を採用すれば装置の稼動条件の制御、保守等
より効果を発揮できる。
方式であるが、赤外線加熱方式、又は高周波加熱
方式を採用すれば装置の稼動条件の制御、保守等
より効果を発揮できる。
また以上の実施例からわかるとおり本第１及び
第２の発明ではフオトレジスト膜のポストベーク
を別の加熱装置により行う必要はなく工程の短縮
設備の簡略化の効果も顕著である。
第２の発明ではフオトレジスト膜のポストベーク
を別の加熱装置により行う必要はなく工程の短縮
設備の簡略化の効果も顕著である。
以上説明から明らかなように本発明によればフ
オトレジストの加湿をおさえ良好なイオン注入が
できると共に工程並びに装置の簡略化をはかるこ
とが可能である。
オトレジストの加湿をおさえ良好なイオン注入が
できると共に工程並びに装置の簡略化をはかるこ
とが可能である。
第１図は従来のイオン注入方法並びに装置の説
明用の装置の概略断面図、第２図は本発明の一実
施例によるイオン注入方法並びに装置の説明用の
装置の概略断面図である。 １，３……真空予備室、２……イオン注入室、
４……キヤリア、５……ポストベークされたウエ
ーハ、５′……イオン注入中のウエーハ、５″……
イオン注入済のウエーハ、６……ベルト、７……
イオン銃（点線内）、９……ポストベーク前のウ
エーハ、９′……ポストベーク中のウエーハ、
９″……イオン注入中のウエーハ、９……イオ
ン注入済のウエーハ、１０……ポストベーク用の
ヒーター。
明用の装置の概略断面図、第２図は本発明の一実
施例によるイオン注入方法並びに装置の説明用の
装置の概略断面図である。 １，３……真空予備室、２……イオン注入室、
４……キヤリア、５……ポストベークされたウエ
ーハ、５′……イオン注入中のウエーハ、５″……
イオン注入済のウエーハ、６……ベルト、７……
イオン銃（点線内）、９……ポストベーク前のウ
エーハ、９′……ポストベーク中のウエーハ、
９″……イオン注入中のウエーハ、９……イオ
ン注入済のウエーハ、１０……ポストベーク用の
ヒーター。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ フオトレジストを塗布、現像したウエーハを
イオン注入装置の真空予備室に送入する工程と、
前記ウエーハを加熱しフオトレジストを焼きしめ
る工程と、前記フオトレジストを焼きしめたウエ
ーハをイオン注入室に送入する工程と、送入され
たウエーハにイオン注入する工程とを含むことを
特徴とするウエーハのイオン注入方法。 ２ 真空予備室、イオン注入室を備えたイオン注
入装置において、前記真空予備室に設けられたウ
エーハのフオトレジストの焼きしめ手段と、焼き
しめ後のウエーハを外部に出すことなく真空予備
室よりイオン注入室に送入しイオン注入終了後真
空予備室に送出する手段とを含むことを特徴とす
るイオン注入装置。 ３ 真空予備室のウエーハの焼きしめ手段が、高
周波加熱方式であることを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載のイオン注入装置。 ４ 真空予備室のウエーハの焼きしめ手段が、赤
外線加熱方式であることを特徴とする特許請求の
範囲第２項記載のイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14635382A JPS5935427A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | イオン注入方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14635382A JPS5935427A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | イオン注入方法及びその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5935427A JPS5935427A (ja) | 1984-02-27 |
| JPS633449B2 true JPS633449B2 (ja) | 1988-01-23 |
Family
ID=15405789
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14635382A Granted JPS5935427A (ja) | 1982-08-24 | 1982-08-24 | イオン注入方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5935427A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0296330A (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2782357B2 (ja) * | 1989-05-10 | 1998-07-30 | ヤマハ株式会社 | イオン注入方法 |
| JPH054464U (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-22 | 株式会社エヌ・エム・ビーセミコンダクター | イオン注入装置 |
-
1982
- 1982-08-24 JP JP14635382A patent/JPS5935427A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5935427A (ja) | 1984-02-27 |
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