JPH0555159A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
- Publication number
- JPH0555159A JPH0555159A JP21493491A JP21493491A JPH0555159A JP H0555159 A JPH0555159 A JP H0555159A JP 21493491 A JP21493491 A JP 21493491A JP 21493491 A JP21493491 A JP 21493491A JP H0555159 A JPH0555159 A JP H0555159A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- loader
- resist
- load lock
- cassette
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体ウエハへのイオン注入の際、注入マスク
として用いられるレジストからの放出ガスを低減するこ
とによって、注入ビームを中性化し不純物注入量に誤差
を生じないようにする。 【構成】ローダー側ロードロック９内を単独に排気する
為の真空ポンプ１２と、ローダー側ロードロック９内で
ローダー側カセット８にて保持されたウエハ３を加熱し
あらかじめレジストの脱ガスを行なう為のヒーター７と
を有している。
として用いられるレジストからの放出ガスを低減するこ
とによって、注入ビームを中性化し不純物注入量に誤差
を生じないようにする。 【構成】ローダー側ロードロック９内を単独に排気する
為の真空ポンプ１２と、ローダー側ロードロック９内で
ローダー側カセット８にて保持されたウエハ３を加熱し
あらかじめレジストの脱ガスを行なう為のヒーター７と
を有している。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハへの不純物
注入に用いられるイオン注入装置に関し、特に真空チャ
ンバー内へのウエハの導入機構に関する。
注入に用いられるイオン注入装置に関し、特に真空チャ
ンバー内へのウエハの導入機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオン注入装置は、図３の上面図
に示すように、複数枚のウエハ３を円周上に固定する為
のディスク２と、イオン注入を行なう為に真空に排気さ
れた注入チャンバー１と、真空側と大気側の間にあっ
て、ウエハ３の出し入れを行なう為のローダー側ロード
ロック９と、アンローダー側ロードロック１１と、注入
チャンバー１内でのウエハの搬送を行なう為のローダー
側アーム４とアンローダー側アーム５とローダー側ロー
ドロック９内で複数枚のウエハ３を保持する為のローダ
ー側カセット８と、アンローダー側ロードロック１１内
で複数のウエハ３を保持する為のアンローダー側カセッ
ト１０を有している。
に示すように、複数枚のウエハ３を円周上に固定する為
のディスク２と、イオン注入を行なう為に真空に排気さ
れた注入チャンバー１と、真空側と大気側の間にあっ
て、ウエハ３の出し入れを行なう為のローダー側ロード
ロック９と、アンローダー側ロードロック１１と、注入
チャンバー１内でのウエハの搬送を行なう為のローダー
側アーム４とアンローダー側アーム５とローダー側ロー
ドロック９内で複数枚のウエハ３を保持する為のローダ
ー側カセット８と、アンローダー側ロードロック１１内
で複数のウエハ３を保持する為のアンローダー側カセッ
ト１０を有している。
【０００３】ロード側ロードロック９内にローダー側カ
セット８にて保持されたウエハ３は、大気圧より粗引き
ポンプにて真空排気され、一定の真空度に達した後ハイ
バックバルブ６が開き、ローダー側アーム４にてディス
ク２へ搬送される。ディスク２へウエハ３が全てロード
された後イオンビーム１４により注入を行ない、注入終
了後、アンローダー側アーム５にて、アンローダー側ロ
ードロック１１内に置かれたアンローダー側カセット１
０に、ウエハ３をディスク２より搬送する。ディスク２
上の全てのウエハ３が回収された後、ハイバックバルブ
６を閉じ、アンローダー側ロードロック１１内をベント
し大気圧とする。
セット８にて保持されたウエハ３は、大気圧より粗引き
ポンプにて真空排気され、一定の真空度に達した後ハイ
バックバルブ６が開き、ローダー側アーム４にてディス
ク２へ搬送される。ディスク２へウエハ３が全てロード
された後イオンビーム１４により注入を行ない、注入終
了後、アンローダー側アーム５にて、アンローダー側ロ
ードロック１１内に置かれたアンローダー側カセット１
０に、ウエハ３をディスク２より搬送する。ディスク２
上の全てのウエハ３が回収された後、ハイバックバルブ
６を閉じ、アンローダー側ロードロック１１内をベント
し大気圧とする。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のイオン注入装置
では、注入用のマスク材としてレジストを使用する場
合、イオンビームのウエハへの注入の際、レジストから
発生するガスにより注入チャンバーの真空度が著しく悪
化し、イオンビームとガス分子との衝突によりイオンビ
ームが中性化され、不純物注入量に誤差を生じてしまう
という問題があった。また、発生ガスによる真空ポンプ
の負荷が増加し、真空ポンプのメンテナンス周期が短か
くなるという問題があった。
では、注入用のマスク材としてレジストを使用する場
合、イオンビームのウエハへの注入の際、レジストから
発生するガスにより注入チャンバーの真空度が著しく悪
化し、イオンビームとガス分子との衝突によりイオンビ
ームが中性化され、不純物注入量に誤差を生じてしまう
という問題があった。また、発生ガスによる真空ポンプ
の負荷が増加し、真空ポンプのメンテナンス周期が短か
くなるという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明のイオン注入装置
は、ローダー側ロードロック内にカセットにて保持され
たウエハを加熱しあらかじめレジストの脱ガスを行なう
為のヒーターと、ローダー側ロードロック内を単独に排
気する為の真空ポンプとを有している。
は、ローダー側ロードロック内にカセットにて保持され
たウエハを加熱しあらかじめレジストの脱ガスを行なう
為のヒーターと、ローダー側ロードロック内を単独に排
気する為の真空ポンプとを有している。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の実施例１の上面図である。ローダー
側ロードロック９内に設置されたローダー側カセット８
に保持されたレジストをマスクとするウエハ３は、粗引
きポンプにより大気圧からある一定の真空度に排気され
た後、真空ポンプ１２にて排気される。この状態でロー
ダー側ロードロック９内に設置されたヒーター７により
ウエハ３は加熱され、レジストに含まれているガスをレ
ジスト外へ放出させ、真空ポンプ１２により排気させ
る。これを一定時間行なった後ハイバックバルブ６が開
き、注入チャンバー１内のローダー側アーム４にてディ
スク２にウエハ３を搬送し、イオンビーム１４により注
入を行なう。
る。図１は本発明の実施例１の上面図である。ローダー
側ロードロック９内に設置されたローダー側カセット８
に保持されたレジストをマスクとするウエハ３は、粗引
きポンプにより大気圧からある一定の真空度に排気され
た後、真空ポンプ１２にて排気される。この状態でロー
ダー側ロードロック９内に設置されたヒーター７により
ウエハ３は加熱され、レジストに含まれているガスをレ
ジスト外へ放出させ、真空ポンプ１２により排気させ
る。これを一定時間行なった後ハイバックバルブ６が開
き、注入チャンバー１内のローダー側アーム４にてディ
スク２にウエハ３を搬送し、イオンビーム１４により注
入を行なう。
【０００７】図２は本発明の実施例２に用いるローダー
側カセット８の断面図である。ローダー側カセット８の
各ウエハ保持プレート１５上に保持されたウエハ３は、
ウエハ保持プレート１５内に埋め込まれたヒーター７に
て個別に加熱され、レジスト内のガスを放出させる。実
施例１と比べてヒーターの熱をウエハに直接加えられる
のでより効果的にガス出しが行える利点を有する。
側カセット８の断面図である。ローダー側カセット８の
各ウエハ保持プレート１５上に保持されたウエハ３は、
ウエハ保持プレート１５内に埋め込まれたヒーター７に
て個別に加熱され、レジスト内のガスを放出させる。実
施例１と比べてヒーターの熱をウエハに直接加えられる
のでより効果的にガス出しが行える利点を有する。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ローダー
側ロードロック内に保持されたウエハをヒーターにて加
熱すると共に、ローダー側ロードロック内を単独に排気
することにより、ウエハのマスク材であるレジスト中の
ガスを前もって放出させ、イオンビームの照射時におけ
るレジストからのガスの放出量を低減させたので、イオ
ンビームとレジストからの放出ガス分子との衝突による
イオンビームの中性化を減少させ、不純物注入量の誤差
を減少させるという効果を有する。また、レジストから
の放出ガスの減少により、真空ポンプの負荷が軽減され
る為、真空ポンプのメンテナンス周期を長くするという
効果を有する。
側ロードロック内に保持されたウエハをヒーターにて加
熱すると共に、ローダー側ロードロック内を単独に排気
することにより、ウエハのマスク材であるレジスト中の
ガスを前もって放出させ、イオンビームの照射時におけ
るレジストからのガスの放出量を低減させたので、イオ
ンビームとレジストからの放出ガス分子との衝突による
イオンビームの中性化を減少させ、不純物注入量の誤差
を減少させるという効果を有する。また、レジストから
の放出ガスの減少により、真空ポンプの負荷が軽減され
る為、真空ポンプのメンテナンス周期を長くするという
効果を有する。
【図１】本発明の実施例１の上面図である。
【図２】本発明の実施例２に用いるローダー側カセット
の断面図である。
の断面図である。
【図３】従来のイオン注入装置の上面図である。
１ 注入チャンバー ２ ディスク ３ ウエハ ４ ローダー側アーム ５ アンローダー側アーム ６ ハイバックバルブ ７ ヒーター ８ ローダー側カセット ９ ローダー側ロードロック １０ アンローダー側カセット １１ アンローダー側ロードロック １２ 真空ポンプ １３ バッファカセット １４ イオンビーム １５ ウエハ保持プレート
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウエハにイオン注入を行なう真空
チャンバーと、カセットに保持された注入前ウエハを前
記真空チャンバー内に導入するための真空引きを行なう
ロードロックとを有するイオン注入装置において、前記
ロードロック内でカセットにて保持された複数枚のウエ
ハを加熱しあらかじめレジストの脱ガスを行なうヒータ
ーと、ロードロック内部を単独排気する為の真空ポンプ
とを有することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21493491A JPH0555159A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21493491A JPH0555159A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | イオン注入装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555159A true JPH0555159A (ja) | 1993-03-05 |
Family
ID=16663997
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21493491A Pending JPH0555159A (ja) | 1991-08-27 | 1991-08-27 | イオン注入装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0555159A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033604A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Applied Materials Inc. | Procédé d'implantation ionique et appareil correspondant |
| JP2004146581A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
| JP2008021974A (ja) * | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
| US7615473B2 (en) | 2002-01-17 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of introducing ion and method of manufacturing semiconductor device |
| JP4935987B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2012-05-23 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入機と共に使用するための移送装置及びその方法 |
| CN106298585A (zh) * | 2015-06-03 | 2017-01-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室及半导体加工设备 |
-
1991
- 1991-08-27 JP JP21493491A patent/JPH0555159A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001033604A1 (fr) * | 1999-10-29 | 2001-05-10 | Applied Materials Inc. | Procédé d'implantation ionique et appareil correspondant |
| US7615473B2 (en) | 2002-01-17 | 2009-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of introducing ion and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2004146581A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
| US7405111B2 (en) | 2002-10-24 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods for manufacturing an active matrix display device |
| US7683372B2 (en) | 2002-10-24 | 2010-03-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor apparatus and method for manufacturing the same |
| JP4627964B2 (ja) * | 2002-10-24 | 2011-02-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JP4935987B2 (ja) * | 2003-05-22 | 2012-05-23 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオン注入機と共に使用するための移送装置及びその方法 |
| JP2007173275A (ja) * | 2005-12-19 | 2007-07-05 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
| JP4718989B2 (ja) * | 2005-12-19 | 2011-07-06 | 三菱重工業株式会社 | 真空処理システム及び基板予備加熱方法 |
| JP2008021974A (ja) * | 2006-05-26 | 2008-01-31 | Cree Inc | 高温イオン注入装置、および高温イオン注入を用いて半導体デバイスを製造する方法 |
| CN106298585A (zh) * | 2015-06-03 | 2017-01-04 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 腔室及半导体加工设备 |
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