JPS60240041A - サイクリック真空処理装置において熱伝達を制御するための装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景 本発明は、真空チェンバ内で半導体ウェーッーを処理す
ることに関し、特に、伝達媒体としてガスを利用するイ
オン注入装置において熱伝達するための方法及び装置に
関する。

集積回路の製造において、多数の処理が、真空中の半導
体ウェーハ上の高エネルギービームの適用を含むように
設定されている。これらの処理は、イオン注入、イオン
ビームミリング（ｍｉｌｌｉｎｇ）　及び反応性イオン
エツチングを含む。各々の場合に、イオンビームが、イ
オン源で発生して、ターグットへ向かって加速度を変化
させて進む。イオン注入が、半導体ウェーハ中に不純物
を導入するための標準的技術となっている。不純物が、
半導体材料の結晶格子中に不純物を埋め込む手段として
活性イオンの運動量を用いることによって半導体ウェー
ハの大部分中に導入される。

活性イオンが半導体ウェーッ・上に衝突してウェーハ中
に進むとき、熱が原子の衝突によって発生する。この熱
は、イオンビームのエネルギーレベル又は電流レベルが
増加するとき顕著となシ、既定の限界を越えて不純物の
無制御の拡散をもたらし得る。デバイス形状がよシ小さ
くなるとき、この無制御の拡散は、容認できなくなって
くる。熱に伴うより重大な問題が、処理前に半導体ウェ
ーハに用いられる、比較的低い融点を有する・母ターン
化されたフォトレゾスト層の劣化（ｄｅｇｒａｄａｔｉ
ｏｎ　）である。

商業ペースの半導体処理で、大きな目的が、単位時間毎
に処理されるウェーハに基づいて高い処理量を達成する
ことである。イオンビーム装置で高い処理量を達成する
ための一つの方法が、比較的高電流のビームを用いるこ
とである。しかしながら、大量の熱が、ウェーハで発生
するであろう。

従って、高温に達するのを防止するためにウェーハを冷
却することが必要である。

ウェーハの温度を既定の限界以下に保つための技術が、
入射力が多数のウェーハ上に広がるパッチ処理、ビーム
の時分割走査及びウェーッ１と熱だめとの間の固体対固
体直接接触による伝導冷却、を含んでいる。固体対固体
接触を使用する装置の冷却効率は、微細レベルで二つの
面の小さい領域（代表的に５チ以下）しか実際には接触
していないので、ウェーハの裏面が熱伝導面と接触する
程度によって制限される。

ガス伝導技術は、二つの向き合った面の間で熱結合を可
能にすることが周知であり、真空中での半導体処理に用
いられている。一つの方法で、ガスが、ウェーハと支持
グレートとの間の凹部内に導入される。しかしながら、
この方法を用いて達成できる熱伝達は、ウェーッ・の湾
曲が低いがス圧で起こるので制限される。

半導体ウェーハに関するガス補助の固体対固体熱伝達が
、１９８２年５月２５日に出願の米国特許出願筒３８１
，６６９号で開示されている。半導体ウェーハが、その
周縁で成形シラテン（ｐｌａｔ＠ｎ）上へ締付けられる
。圧力を加えられたガスが、プラテンとウェーハとの間
の微細空隙内に導入される。ガス圧力は、ウェーハとプ
ラテンとの間隔を少しも増加させることなくクランピン
グ予圧に近づく。

ガス圧はウェーハとプラテンとの間隙を全く増加させる
ことなく顕著に増加するので、熱残留は減少し、ガス補
助の固体対固体熱伝達が最適の結果を生じる。これらの
二つの方法では、がスは、圧力を調節するための手段を
含みウェーハの裏側の熱伝達領域に結合したがス源から
供給される。

処理量がより大きいイオン注入装置の需要の増加につれ
、より大きい電流を利用することが必要となシ、それに
よって、パッチ装置へがス冷却を使用することが必要と
なるであろう。代表的に、パッチ装置で、多数の、例え
ば２５個のウェーハが、イオン注入中に回転する大きな
円盤（ｄｉｓｃ）上に取り付けられる。イオンビームが
回転する円盤を横切って走査され、或いは円盤が回転中
に機械的に並進運動して、ウェーハの表面上に一様なイ
オン注入量をもたらすことができる。

・々ツチ処理装置内でがス冷却を使用することは、２つ
の因子によって複雑化される。第１に、ウェ−ハの裏側
の熱伝達領域内にガスを導入するために必要な機械設備
は、各ウェーハの位置で繰り返されなければならない。

このことは、装置の複雑さとコストとを非常に増大させ
る。加えて、円盤外部の接続が、回転軸に沿って回転式
接続を通じて行なわれなければならない。従来技術の回
転円盤は、回転するシールを通じて円盤へ管によって送
られる冷却水を用いて水冷されている。ガス冷却のだめ
の接続を加えることは、この装置を更に複雑にするであ
ろう。

本発明の目的は、真空中の半導体ウェーッ・に関する熱
伝達のための新規な装置を提供することである。

本発明の他の目的は、イオン注入装置内の半導体ウェー
ハに関するがス伝導熱伝達のための新規な方法及び装置
を提供することである。

本発明の他の目的は、複数のウェー７１を取り付けるた
めの可動支持体を利用するイオン注入装置内でガス伝導
熱伝達を行うだめの新規な方法及び装置を提供すること
である。

本発明の他の目的は、処理サイクルの一部分の間に通気
する真空チェノ・ぐ内で半導体ウェーッ・に関する熱伝
達を行うだめの方法及び装置を提供することである。

発明の概要 本発明に従って、これらのまた他の目的及び利点が、処
理サイクルの一部分中に大気に通じサイクルの他の部分
中に低圧に真空吸引される真空処理チェンバ内で、被加
工物と熱だめとの間に熱伝達をもたらすだめの方法及び
装置で達成される。

この装置はグラテンを含み、被加工物は被加工物と熱だ
めとの間の熱伝達領域を画成するためにこのプラテンに
対して気密される。このグラテンは、チェンバと熱伝達
領域との間のガス流のための通路を含む。更にこの装置
は、通路を制御可能に開いたシ閉じたシするだめのパル
プ手段及びチェノ・ぐ内の圧力が予定の中間圧力に達す
るとき・ぐルブ手段を閉じるだめの制御手段を含む。中
間圧力でのガスが、真空処理中に熱伝達領域で閉じ込め
られて被加工物とプラテンとの間の熱エネルザーを伝導
する。

本発明の一実施例で、そのような複数のプラテンが、中
心軸のまわりで回転するようにされた円盤上に位置づけ
られている。各グラテンと結合したパルプ手段は、予定
速度以上の円盤の回転に対して、遠心力によって閉じる
。制御手段は、チェンバ内の圧力を感知するための手段
及びチェンバが中間圧力に達するとき予定速度以上に円
盤を回転させるだめの手段を含む。

好適実施例 パッチ処理イオン注入装置のだめの端部装置及びビーム
ライン（ｂｅａｍｌｉｎｅ　）の近接部分が、第１図に
簡単な形で図示されている。回転円盤組立体は、回転円
盤１０、円盤１０の上に設置された複数の半導体ウェー
ハ１２、チェンバドア１４及び回転円盤１０のための駆
動モータ１６を有する。

回転円盤１０は、チェンバドア１４を介して駆動軸１８
によってモータ１６に接続されている。注入の間、チェ
ンバドア１４は、注入チェンバ２２を形成するためにハ
ウジング２０に気密されている。ハウジング２０はまた
、ビーム真空チェノ・ぐ２４も形成し、それは）ｆ　−
）　／？ルブ２６によって注入チェノ・４２２から隔離
される。イオンビーム２８は、イオン源内で形成され、
適切な質量分析及びイオン光学素子（図示せず）を経て
、ダートパルプ２６を通ってウェーハ１２に適用される
。

真空ポンプ３０は、隔離・譬ルプ３２を介して注入チェ
ンバ２２に連結されている。注入チェンバ２２はまた、
排気の目的のために、隔離パルｆ３４を介して外部環境
に連結されている。ビームライン真空チェノ・４２４は
、真空ボン！（図示せず）に連結されている。

動作中、第１図に示されたイオン注入装置は、サイクリ
ック（ｃｙａｌｌａ）方式で半導体ウェーッ・を処理す
る。そのサイクルは、概して、装置内でのウェーハの配
置、それに続くイオン注入及びその後の装置からのウェ
ーハの除去を含む。よシ特徴的なことには、注入サイク
ルの最後で、ビームライン真空チェンバ２４を隔離する
ためにダートパルプ２６が閉じられ、パルプ３２を閉じ
、パルプ３４を開くことによって注入チェンバ２２が排
気される。これは注入チェンバ２２を大気圧まで上げる
。

チェンバドア１４が開かれ、ウェーハ１２が取り除かれ
、ウェーハの新しい組が回転円盤ｌｏ上に置かれる。ウ
ェーハ１２の交換は、自動又は手動で為される。次にチ
ェノ・クトーア１４は、ハウジング２０に気密される。

パルプ３４が閉じられ、真空ボン７’３０へのパルプ３
２が開かれる。注入チェンバ２２の真空吸引は、所望の
圧力レベルが得られるまで続く。チェノ・４２２の真空
吸引の間に、円盤の回転が始められる。適切な圧力レベ
ルが得られるとダートパルプ２６が開かれ、ウェーハ１
２の注入が始まる。第１図の実施例において、ウェーハ
１２の一様なイオン注入量を確保するために１イオンビ
ーム２８は、回転円盤１０の一部に一次元の走査がされ
る。従来技術で知られる他の装置において、イオンビー
ム２８は固定して保持され、回転円盤は、ウェーハの一
様なイオン注入を達成するために回転されるだけでなく
、−次元の往復運動をさせられる。注入が完了した後、
注入チェンバ２２は上記のように排気され、工程が繰シ
返される。

回転円盤１０及びチェンバドア１４の部分断面斜視図が
第２図で図示されている。回転円盤ＩＯは駆動軸１８に
取り付けられた滑車４０及び駆動ベルト４２を介して駆
動モータに連結されている。

駆動軸１８はフェロフルイディクシール（ｆＢｙｏｆｌ
ｕ−ｉｄｉａ　５ｅａｌ　）　４４を通っており、それ
は回転運動が注入チェンバ２２の真空領域内に伝達され
ることを可能にする。回転円盤１０は複数のウェーハ締
付位置４６を有し、それは後に詳細に記載される。

回転円盤１０は、任意に水冷され得る。この特色が含ま
れるとき、水又は他の適切な冷却流体が、円盤１０内の
内部通路を通って各ウェーハ締付位置４６に循環される
。円盤内の通路は、駆動軸１８内の同心の通路を介して
外部の循環及び冷却装置５０に接続されている。

回転円盤１０上のウェーハ締付位置４６の１つの簡単な
断面図が、第３Ａ図及び第３Ｂ図に図示されている。円
盤１０に取り付けられたプラテン６０及びプラテン６０
に対してウェーハ１２を締付けるだめの手段が含まれる
。ウェーハ締付手段は締付リング６２を有し、それは、
ウェーハの周囲の端を！ラテン６０に対して締付けるよ
うにされている。締付リング６２は、支柱６４によって
プラテン６０内の穴を通して円盤１０の裏側のノＬ／　
−トロ　６に連結されている。グレート６６、！ニア’
ラテン６０の裏側との間にはスプリング６８が置かれて
おシ、それは、ウェーハ１２に対して締付リング６２を
引っ張如、ウェーハ１２をしっかりと適所に締付ける。

ウェーハ１２が取り去られるト、！ランジャ（図示せず
）は、プレート６６を上方へ押し、それによってスプリ
ング６８を押し付け、締付リング６２を持ち上げる。ウ
ェーハ１２は、手動で取シ除くことができる。変形的に
、ウェーハは、自動ウェーハ取シ扱い装置のそばに近づ
けるために、一連の保持支柱又は真空チャック（図示せ
ず）によって持ち上げられてもよい。

！ラテン６０の上端面７０は、ウェーハ１２の裏側と対
向している。その上端面７０は、平坦でもよく又はその
中央部分に空胴を有してもよい。

しかし、好適には上端面７０は、凸形状を有する。

ウェーハ１２は、凸形状によってプレストレス（ｐｒ＠
ａｔｒｅｓｍ）を与えられ、上端面７ｏと本質的な接触
がもたらされる。しかしながら、上端面の形状にもかか
わらず、ウェーハ１２とプラテン６゜との間の接触は、
微細規模で表面領域の５％で生じるに過ぎない。接触点
間の微細空隙が高真空であるとき、実際の接触点を除い
て殆んど熱伝達が起こらない。ウェーハ１２と！ラテン
６ｏの上端面７０との間の領域へのがスの導入は、熱伝
達を増加することが知られている。熱伝達領域は空胴で
あってもよく、又は、ウェーハとプラテンとが接触して
いるときは微細空隙であってもよい。圧力は、ウェーハ
の湾曲を引き起こすことなく、可能な限シ高くすべきで
ある。好適実施例において、ウェーハ１２は！ラテン６
０に対してプレストレスを与えられ、この圧力は約５乃
至１００　Ｔｏｒｒであって、好適には約２０乃至３０
　Ｔｏｒｒである。他の実施例においては、ガス圧力は
、０．５　Ｔｏｒｒはどに低くてもよい。

本発明に従って、ウェーハ１２と！ラテン６０の最上面
７０との間の熱伝達領域は、通路７４によって回転円盤
１０の裏面に接続される。従って、ウェーハ１２の裏側
の熱伝達領域と注入チェンバ２２との間には直線的通路
がある。熱伝達領域全体がほぼ同一圧力になるのを確実
にするために、ウェーハ１２より直径が小さい周回的溝
７６が、グラテン６０の上面７０で設けられる。好適実
施例で、通路７４は、溝７６に接続される。更に！ラテ
ン６０には、上面７０上に位置づけられウェーハ１２よ
シ直径がわずかに小さいエラストマーＯリング８８のよ
うな周回的シールが含まれる。

０リング８８は、ウェーハ１２の裏側の熱伝達領域を注
入チェンバ２２から気密する。グラテン６０は、第３Ａ
図及び第３Ｂ図で、水のような冷却流体の通路のだめの
導管９２を有して示される。

本発明に従う装置は、更に、通路７４を閉じ又は遮断す
るためのバルブ手段を含む。第３Ａ図及び第３Ｂ図の例
で、・々ルゾ手段は、遠心動作バルブ８０である。イオ
ン注入中の円盤１０の代表的回転速度は、１１０００ｒ
ｐである。遠心動作バルブ８０は、最終回転速度の例え
ば８０％の割合の予定速度で遠心力動作によって閉じる
ように設計される。バルブ８０は、軸８４に関して一端
で枢動し他端に平衡錘８３を取υ付けた＃１ぼＬ字形部
材８２を含む。Ｌ字形部材８２は、予定速度以上の円盤
１０の回転に対ｉ−て、遠心力が平衡錘８３に作用して
第３Ｂ図で示すように通路７４を遮断する位置へと部材
８２を移動するように、プラテン６０の裏面に放射上に
取シ付けられる。バルブ８０は、更に、円盤１０が回転
していないとき通路７４が開いているのを確実にするバ
ネ８６を含む。０リング９０が、バルブ８０が閉じてい
るとき通路７４を気密する。

第３Ａ図及び第３Ｂ図で示される遠心動作バルブ８０は
遠心動作・ぐルプの多くの可能な実施例のほんの一例で
あることを、当業者は理解するであろう。例えば、確実
なスナッゾ動作が、バルブを閉じるのに所望されてもよ
い。平衡錘８３は、バルブ８０の動作を明確に説明する
ために図示される。しかしながら、Ｌ字形部材８２は、
遠心力によって運動するようにされている如何なる形状
を本有することができる。バネ８６は、円盤１０が水平
位置で荷重を加えられたり除かれたりして、重力がバル
ブを開くのに十分であるとき、除去することができる。

遠心動作バルブ８０の動作を制御するための手段が、第
１図及び第２図で示される。例えばダイアフラム式の圧
力センサ１００が、注入チェンバ２２内に位置づけられ
て、回転円盤１００周辺で圧力を感知する。圧力センサ
１００の出力は、レベル検知器１０２に結合する。レベ
ル検知器１０２は、注入チェンバ２２内の圧力が注入中
の軽圧（代表的にＩ　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒ　又はそ
れ以下）以上の予定レベル（代表的に０．５乃至１００
　Ｔｏｒｒ　）以下であるとき出力信号をもたらす。第
２図を参照すれば、レベル検知器１０２からの出力信号
は、モータ速度制御部９８に印加される。モータ速度制
御部９８は、駆動モータ１６を制御する。

本発明に従う熱伝達装置の動作は、第４Ａ図を参照して
説明されており、注入チェンバ２２内の圧力及びウェー
ッ・１２の裏側の熱伝達領域中の圧力が時間の関数とし
てプロットされている。チェンバドア１４が閉じるとき
、真空ポンプ３０は、注入チェンバ２２を排気し始める
。この時、注入チェンバ２２は、大気圧又は７６０　Ｔ
ｏｒｒである。

円盤１０は回転しておらず、遠心動作パルプ８０は開い
ている。真空テンｆ３０の動作は、第４Ａ図で曲線１０
０によって示すように注入チェンバ２２内の圧力の減少
を引き起こす。この例の場合、ウェーハ１２の裏側の熱
伝達領域での予定中間圧力は２０　Ｔｏｒｒであると仮
定する。圧力センサ１００が時間ｔ０で注入チェンバ２
２内の２０　Ｔｏｒｒの圧力を感知するとき、レベル検
知器１０２は、制御信号をモータ速度制御部９８へもた
らす０モ一タ速度制御部９８は、駆動モータ１６を付勢
して円盤１０を回転させる。円盤１０の回転は、バルブ
８０を閉じた位置へ動作せしめ、通路７４を気密する。

この時、２０　Ｔｏｒｒの中間圧力は、熱伝達領域で閉
じ込められる。真空ポンプ３０は、動作し続け、第４Ａ
図で曲線１０２によって示すように、更に注入チェンバ
２２内の圧力の減少を引き起こす。

注入チェンバ２２の圧力がイオン注入のために適切なレ
ベル、例えばＩ　Ｘ　１０−’　Ｔｏｒｒに達するとき
、ｒ−トパルブ２６は開き、イオン注入が行なわれる。

この間、円盤１０は回転し続け、２０　Ｔｏｒｒの圧力
は、第４Ａ図で曲線１０４によって示されるように熱伝
達領域内に閉じ込められている。

第４Ａ図の説明で、予定圧力レベルの感知とバルブ８０
の動作との間で起とシ得る遅延は、無視した。遅延は、
主に円盤１０がバルブ８０を閉じるのに必要な速度に達
するのに必要な時間のために起こる。この遅延は、所望
の圧力がウェーハ１２の裏側の領域内に閉じ込められる
のを確実にするために補償され又は減少され得る。一方
法で、円盤１０は、バルブ８０を動作するのに必要な速
度のすぐ下の速度で回転する。中間圧力レベルに達する
とき、必要とされる円盤１０の速度は、より急速に達成
され得る。

第２の方法で、真空ポンプの特性が予測できるとき、遅
延が、装置の動作に組み込まれ得る。例えば、円盤１０
は、バルブ８０を閉じる速度に達するのに２０秒を要す
ると仮定する。更に、真空ポンプ３０は、圧力レベルを
６０　Ｔｏｒｒから２０　Ｔｏｒｒまで減少させるのに
２０秒を要すると仮定する。

そこで、レベル検知器１０２は、圧力レベルが６０Ｔｏ
ｒｒに達するとき駆動モータ１６を付勢すべく準備され
る。回転円盤がバルブ８０を動作するのに必要な速度に
達するまでに、チェンバ内の圧力は２０　Ｔｏｒｒまで
減少している。事実上、真空吸引が、円盤の回転速度が
増加する間継続する。

第３の方法を、第４Ｂ図で図示する。真空ポンプ３０は
、注入チェンバ２２内の圧力を曲線１０８によって示す
ように大気圧から２０　Ｔｏｒｒまで減少する。時間ｔ
、で、真空吸引が例えばバルブ３２を閉じることによっ
て一時的に停止し、駆動モータ１６の動作が開始する。

回転円盤１０がバルブ８０を動作するのに必要な速度に
達したとき、真空吸引は時間ｔ！まで遅延する。時間ｔ
、で、真空吸引は継続し、注入チェノ・々２２内の圧力
は、第４Ｂ図で曲線１１０によって示すように更に減少
する。

２０　Ｔｏｒｒの圧力は、第４Ｂ図で曲線１１２によっ
て示すように熱伝達領域で維持される。

以上で、熱伝達処理は、水冷として説明されている。本
発明は、加熱されたプラテンによる水の加熱が所望され
るとき等しく適用できることが、理解されるであろう。

ウェーッ・の裏側の熱伝達領域で予定圧力でガスを閉じ
込める技術は、円盤を回転させる多様なウェーッ・位置
に遠心動作バルブを用いて適用されるとき、非常に有利
である。しかしながら、この技術は、他のタイ！のバル
ブが利用されるとき１又はそれ以上のウェーッ・の位置
に適用できることが、理解されるであろう。必要とされ
ることの全てが、真空処理チェンバサイクルが大気圧又
は他の比較的高い圧力と低い処理圧力との間にあって、
ウェーッ・の裏側の熱伝達領域で中間圧力を閉じ込める
のを可能にすることである０ 本発明の好適実施例と現在考えられるものを示して説明
しているが、特許請求の範囲によって画成される本発明
の範囲から逸脱することなく種々の変更及び変形が可能
であることは、当業者に明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第１図は、パッチ処理イオン注入端部装置の簡略断面図
である。 第２図は、ウェーハを取り付けるための回転円盤の断面
斜視図である。 第３Ａ図及び第３Ｂ図は、第２図で示す回転円盤上のウ
ェーハ位置の部分断面図である。 第４Ａ図及び第４Ｂ図は、本発明の動作の変形的方式に
ついての圧力の時間の関数としてのグラフである。 〔主要符号〕 １０・・・回転円盤　１２・・・半導体ウェーハ１４・
・・チェンバドア　１６・・・駆動モータ１８・・・駆
動軸　２０・・・ハウジング２２・・・注入チェンバ　
２４・・・ビーム真空チェンバ２６・・・ｒ−）ノ９ル
ｆ　２８・・・イオンビーム３０・・・真空ポン７’　
３２．３４・・・隔離バルブ４６・・・ウェーハ締付位
置　５０・・・循環及び冷却装置６０・・・グラテン　
６２・・・締付リング７４・・・通路　７６・・溝 ８０・・・遠心動作・々ルブ　８２・・・Ｌ字形部材８
３・・・平衡錘　８８．９０・・・０リング９２・・・
導管　９８・・・モータ速度制御部１００・・・圧力セ
ンサ　１０２・・・レベル検知器特許出願人　・守りア
ン書アソシエイツ・インコーホレイテッド 代理人　弁理士竹内澄夫 一２７＝ 一１９只− ｃつ　。 ℃１　τ２　９問 手続補正書（方式・自発） 昭和６０年５月２４日 特許庁長官　志　賀　学　殿 １、　事件の表示　昭和６０年特許願第９１３２７号２
、　発明の名称　サイクリック真空処理装置において熱
伝達を制御するための方法及び装置 ３、　補正をする者 事件との関係　特許出願人 名　称　パリアン・アソシエイツ・ インコーホレイテッド ４、代理人 住　所　東京都港区西新′＠１丁目６番２１号大和銀行
虎ノ門ビルディング ６、　補正の対象　図　面（全　図）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、処理サイクルの一部分中に通気し、該サイクルの他
   の部分中に低圧まで真空吸引する真空処理チェンバにお
   いて、被加工物と熱だめ又は熱源との間に熱伝達をもた
   らすための装置であって： 前記被加工物が前記間の熱伝達領域を画成すべく気密さ
   れているプラテンであって、前記チェンバと前記熱伝達
   領域との間にがス流のための通路を含むプラテン； 前記通路を制御可能に開いたり閉じたりするためのバル
   ブ手段；並びに 前記チェンバ内の圧力が予定の中間圧力に達するとき前
   記・ぐルブ手段を閉じるだめの制御手段；から成り、 以て、前記中間圧力でのガスが、真空処理中−１−１ｎ
   １ に前記熱伝達領域で閉じ込められ、前記被加工物と前記
   プラテンとの間の熱エネルギーを伝導する、 ところの装置。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された装置であって： 前記制御手段は、前記チェンバ内の圧力を感知し、前記
   チェンバが前記中間圧力に達するとき制御信号をもたら
   すだめの手段から成る、ところの装置。 ３、特許請求の範囲第２項に記載された装置であって： 前記真空処理チェノ／４は、イオン注入チェンバである
   、 ところの装置。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された装置であって： 更に、前記チェンバが通気するとき前記パルプ手段を開
   くための手段を含むところの装置。 ５．４？許請求の範囲第４項に記載された装置であ　２
   − って： 前記被加工物は半導体ウェーハである、ところの装置。 ６、動作サイクルの一部分中に通気し、該サイクルの他
   の部分中に低圧まで真空吸引する真空チェンバを含むイ
   オン注入装置において、半導体ウェーハに関して熱伝達
   をもたらすための装置であって： 中心軸の回りで回転するようにされ、複数の半導体ウェ
   ーハを取り付けるための位置を有する円盤であって、前
   記位置の各々がウェーハが熱伝達領域を画成すべく気密
   されるプラテンを含み、該プラテンの各々が前記熱伝達
   領域と前記チェンバとの間にがス流をもたらす通路を含
   み、前記位置の各々が更に前記プラテン内の前記通路を
   制御可能に開いたシ閉じたシするためバルブ手段を含む
   、ところの円盤；並びに前記チェノ・９内の圧力が予定
   の中間圧力に達するとき前記バルブ手段の各々を閉じる
   だめの制御手段；から成り、 以て、前記中間圧力でのがスが、イオン注入中に前記熱
   伝達領域で閉じ込められ、前記ウェーハと前記プラテン
   との間の熱エネルギーを伝導する、 ところの装置。 ７、　特許請求の範囲第６項に記載された装置であって
   ： 更に、前記チェンバが通気するとき前記バルブ手段を開
   くための手段を含むところの装置。 ８、特許請求の範囲第７項に記載された装置であって： 前記パルプ手段の各々は予定速度以上の前記円盤の回転
   に対する遠心力の動作を通じて前記シラテン内の前記通
   路を閉じる遠心動作バルブから成り、 前記制御手段は前記チェンノ々内の圧力が前記中間圧力
   に達するとき前記予定速度以上で前記円盤を回転させる
   ための手段を含む、 ところの装置。 ９、特許請求の範囲第８項に記載された装置であって： 前記制御手段は更に、前記チェンバ内の圧力を感知し、
   前記チェンバが前記中間圧力に達するとき、前記円盤を
   回転させるだめの前記手段に制御信号をもたらす、 ところの装置。 １０、動作サイクルの一部分中に通気し、該サイクルの
   他の部分中に低圧まで真空吸引するようにされた真空チ
   ェンバを含むイオン注入装置において、被加工物と熱だ
   めとの間に高められた熱伝達をもたらす方法であって： 前記被加工物が熱伝達領域を画成すべく気密されるプラ
   テンを設ける工程であって、前記プラテンは前記チェン
   バと前記熱伝達領域との間にがス流のだめの通路を含む
   ところの工程；前記チェンバ内の圧力が真空処理中に予
   定の中間圧力に達するとき前記プラテン内の前記通路を
   閉じる工程；並びに 通気中に前記グラテン内の前記通路を開く工程：から成
   シ、 以て、前記中間圧力でのガスが、真空処理中に前記熱伝
   達領域で閉じ込められ、前記被加工物と前記プラテンと
   の間の熱エネルギーを伝導する、 ところの方法。 １１、　特許請求の範囲第ｉｏ項に記載された方法であ
   って： 前記通路を閉じる前記工程は、前記チェンバ内の圧力を
   感知し、該圧力が前記中間圧力に達するとき前記通路を
   閉じる工程を含む、ところの方法。 １２、特許請求の範囲第１１項に記載された方法であっ
   て： 前記プラテンを設ける前記工程は更に、前記プラテンが
   取シ付けられる円盤を設ける工程及び前記通路を閉じる
   ために遠心動作バルブを設ける工程を含み、 前記通路を閉じる前記工程は、前記中間圧力に達すると
   き前記遠心動作バルブを閉じるのに十分な速度で前記円
   盤を回転させる工程を含む、ところの方法。