JP3427868B2 - 処理装置および処理方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置および処
理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体装置の製造においては、被
処理基板である半導体ウエハに成膜、酸化、拡散、アニ
ール、イオン注入等の処理を施す各種の処理装置が用い
られている。このような処理装置としては、処理室にウ
エハを保持する保持機構およびこの保持機構を操作する
操作シリンダを設け、減圧下で上記処理基板に所定の処
理を施すようにしたものがある。

【０００３】また、別の処理装置としては、処理室を開
閉する蓋体に、周方向に複数のウエハを保持する保持機
構を有する回転板および上記保持機構を操作する操作シ
リンダを設け、上記蓋体を開けて上記ウエハの装填作業
を行い、上記蓋体を閉じて減圧下で上記回転板を回転さ
せながら上記ウエハにイオン注入処理を施すようにした
ものもある。

【０００４】これらの処理装置においては、上記操作シ
リンダにより保持機構を操作してウエハの保持および解
放を自動機械的に行うことができ、生産性ないしスルー
プットの向上が図れる。上記操作シリンダは、ウエハの
装填作業時に作動され、処理中には非作動方向に作動流
体の圧力例えばエア圧が加えられて非作動位置に保持さ
れている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記処
理装置においては、処理室内を減圧ないし真空雰囲気に
して処理を行うようになっているため、処理中には上記
操作シリンダにそのピストンロッドを作動方向へ引っ張
ろうとする力が作用する。このため、上記エア圧が低く
なってしまった場合、エア圧を送る配管が外れてしまっ
た場合、或いは操作シリンダを操作するコントローラが
誤動作してしまった場合、処理中でも上記操作シリンダ
のピストンロッドが作動方向へ勝手に移動する恐れがあ
る。

【０００６】処理中に上記操作シリンダのピストンロッ
ドが作動方向へ移動すると、保持機構によるウエハの保
持が不完全になり、処理の不良を生じ易い。特に、保持
機構を有する回転板を高速回転させて処理を行う処理装
置においては、高速回転中の保持機構に上記ピストンロ
ッドが接触すると、これらが損傷ないし破壊したり、操
作シリンダにより押し出された保持機構が処理室の内壁
と接触して損傷ないし破壊したりすることが考えられ
る。

【０００７】本発明は、上述した課題を解決すべくなさ
れたもので、処理中における操作シリンダの勝手な作動
を確実に防止し、信頼性の向上が図れる処理装置および
処理方法を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうちの請求項１に係る発明は、処理室に被
処理基板を保持する保持機構およびこの保持機構を操作
する操作シリンダを設け、減圧下で上記被処理基板に所
定の処理を施す処理装置において、上記操作シリンダに
これを機械的に非作動状態にするストッパー機構を設
け、このストッパー機構が、上記操作シリンダのピスト
ンロッドにその作動方向側にある固定部と対向して設け
られた可動体と、上記固定部と非作動位置にある上記可
動体との間に進退可能に介在されて可動体の移動を阻止
するストッパー部材と、このストッパー部材を進退する
駆動部とを有していることを特徴とする。従って、上記
ストッパー機構により、処理中における操作シリンダの
勝手な作動を確実に防止することができ、被処理基板の
保持の不完全による処理の不良を防止することが可能と
なり、信頼性の向上が図れると共に、操作シリンダを簡
単な構成で機械的に非作動状態にすることが可能とな
る。

【０００９】請求項２に係る発明は、処理室を開閉する
蓋体に、周方向に複数の被処理基板を保持する保持機構
を有する回転板および上記保持機構を操作する操作シリ
ンダを設け、上記蓋体を開けて上記被処理基板の装填作
業を行い、上記蓋体を閉じて減圧下で上記回転板を回転
させながら上記被処理基板にイオン注入処理を施す処理
装置において、上記操作シリンダにこれを機械的に非作
動状態にするストッパー機構を設け、このストッパー機
構が、上記操作シリンダのピストンロッドにその作動方
向側にある固定部と対向して設けられた可動体と、上記
固定部と非作動位置にある上記可動体との間に進退可能
に介在されて可動体の移動を阻止するストッパー部材
と、このストッパー部材を進退する駆動部とを有してい
ることを特徴とする。従って、上記ストッパー機構によ
り、処理中における操作シリンダの勝手な作動を確実に
防止することができ、回転板と一緒に回転する保持機構
と操作シリンダのピストンロッドとの接触による損傷や
破壊等を防止することが可能となり、信頼性の向上が図
れると共に、操作シリンダを簡単な構成で機械的に非作
動状態にすることが可能となる。

【００１０】

【００１１】請求項３に係る発明は、処理室を開閉する
蓋体に、周方向に複数の被処理基板を保持する保持機構
を有する回転板および上記保持機構を操作する操作シリ
ンダを設け、上記蓋体を開けて上記被処理基板の装填作
業を行い、上記蓋体を閉じて減圧下で上記回転板を回転
させながら上記被処理基板にイオン注入処理を施す処理
方法において、上記処理中に上記操作シリンダを機械的
に非作動状態にしておくことを特徴とする。従って、処
理中に操作シリンダを機械的に非作動状態にしておくた
め、処理中における操作シリンダの勝手な作動を確実に
防止することができ、回転板と一緒に回転する保持機構
と操作シリンダのピストンロッドとの接触による損傷や
破壊等を防止することが可能となり、信頼性の向上が図
れる。

【００１２】

【実施の形態】以下に、本発明をバッチ式デュアルエン
ドステーション型イオン注入装置に適用した実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。

【００１３】処理装置であるイオン注入装置は、図３に
概略的に示すようにガスをプラズマ化するためのイオン
源１を有しており、このイオン源１にはイオン注入に必
要とされるドーパントガスを供給する図示しないガス源
が接続されている。上記イオン源１の出口側には、これ
よりプラズマイオンを引き出す引出電極２および引き出
されたイオンビームＢのイオンを加速する加速電極３が
設けられている。

【００１４】上記加速電極３の下流には、イオン注入に
必要な所定のイオンのみを選択する質量分析マグネット
（アナライザー）４が設けられている。この質量分析マ
グネット４の下流には、イオンビームＢを左右の何れか
一方に選択的に曲げると共に横方向に振らせるスキャン
マグネット５および注入角度が一定になるように補正す
る角度修正器（アングルコレクター）６を介してエンド
ステーション７が設けられている。

【００１５】上記エンドステーション７は、図２に示す
ように処理室である注入室８を一対（二つ）有するデュ
アルエンドステーションからなり、一方がイオン注入処
理を行っている間に他方がウエハの装填作業を行い、ス
ループットの向上が図れるようになっている。両注入室
８は左右対称に近接して配置され、同一構成であるた
め、一方の注入室について以下に説明する。

【００１６】図１ないし図２に示すように上記注入室８
は、後述する如く周縁部に複数枚例えば１３枚の被処理
基板である半導体ウエハＷを保持する直径が例えば１ｍ
程度と大きい回転板（ディスク）９を収容する後端の開
放された偏平な円形容器状のケーシング本体１０と、こ
のケーシング本体１０の後端開放部を気密に覆う開閉可
能な蓋体１１とから主に構成されている。これらケーシ
ング本体１０と蓋体１１の接合部にはシール手段例えば
Ｏリング１２が設けられ、注入室８内を気密に密閉可能
としている。上記ケーシング本体１０、蓋体１１および
回転板９は、加工性や軽量化等を考慮して例えばアルミ
ニウムにより形成されている。

【００１７】上記注入室８のケーシング本体１０は、前
方へ傾斜した起立状態で架台１３上に固定されている。
上記蓋体１１は、上記架台１３に支軸１４で垂直回動可
能に設けられた支持アーム１５を介して後方へ起倒可
能、すなわち開閉可能に支持されている。

【００１８】上記支持アーム１５には、上記蓋体１１を
上記注入室８を閉じた状態から図１の仮想線で示すよう
に後方へ水平に開いた状態になるように開閉操作する例
えばエアシリンダからなる開閉駆動シリンダ１６が連結
されている。上記架台１３には、蓋体１１が水平に開い
たことを検知するセンサ１７が設けられている。また、
上記蓋体１１が水平に開けられた状態で、後述する基板
装填機構であるオートローダ５２により回転板９に対す
るウエハＷの装填作業が行われるようになっている。

【００１９】上記ケーシング本体１０の前面一側部に
は、上記イオンビームＢを注入室８内に導入するイオン
導入管１８が接続されると共に口径がウエハＷの直径よ
りも大きいイオン導入口１９が形成されている。このイ
オン導入口１９近傍のイオン導入管１８内には、イオン
注入時にウエハ表面から飛び出した二次電子をウエハ側
へ戻すためのファラデー２０が設けられている。上記イ
オンビームＢが通過する経路および注入室８は、例えば
拡散ポンプやクライオポンプ等の減圧ポンプにより高真
空例えば１０^-6Ｔｏｒｒ程度に減圧されるように構成さ
れている。

【００２０】また、上記イオン導入管１８には、上記蓋
体１１を開けて注入室８内を大気圧に開放する際にイオ
ンビームＢの経路を気密に遮断するためのゲートバルブ
２１が設けられている。上記イオン注入装置は、高真空
にされた上記注入室８内において、回転板９を高速で回
転させ、その回転方向と直交する横方向にイオンビーム
ＢをスキャンさせてウエハＷに照射することにより、イ
オンをウエハＷに面内均一で注入できるようになってい
る。

【００２１】一方、上記回転板９は、蓋体１１に回転可
能に設けられている。回転板９の回転軸２２は、蓋体１
１のほぼ中央部を例えば磁気シール機構等の軸封手段を
介して気密に貫通し、蓋体１１の後部に設けられた軸受
２３に回転可能に支持されている。上記回転軸２２には
ベルト２４を介してモータ２５が連結され、このモータ
２５の駆動により上記回転板９が高速例えば毎分１，０
００回転で回転駆動されるようになっている。

【００２２】上記回転板９上にウエハＷを保持するため
に、回転板９には図４ないし図５に示すように複数のウ
エハＷを個々に載置する載置体であるプラテン２６が設
けられると共に各ウエハＷをプラテン２６に着脱可能に
保持するための保持機構２７が設けられている。上記プ
ラテン２６は、ウエハＷとほぼ同じ直径の円板状に形成
され、上記回転板９に形成された円形の凹部２８に嵌合
されると共に、後述するガイドロッド２９，３０のネジ
部２９ａ，３０ａにより回転板９に固定されている。

【００２３】上記保持機構２７は、上記ウエハＷの周縁
部を上記プラテン２６との間で挟持する環状の保持体で
あるクランプリング３１および上記回転板９の裏側で上
記クランプリング３１と平行に一体連動する操作板３２
を有している。上記クランプリング３１および操作板３
２は、複数本図示例では４本の連結ロッド３３を介して
連結されており、これら連結ロッド３３は回転板９に穿
設されたガイド孔３４に摺動可能に挿通されている。

【００２４】上記回転板９の裏側には上記操作板３２を
回転板９の厚さ方向に摺動可能に案内する上記ガイドロ
ッド２９，３０がその一端のネジ部２９ａ，３０ａの捩
じ込みにより立設され、操作板３２には上記ガイドロッ
ド２９，３０を摺動可能に挿通するガイド孔３５ａ，３
５ｂが設けられている。上記プラテン２６、クランプリ
ング３１および操作板３２は、例えばアルミニウムによ
り形成されている。

【００２５】上記回転板９と操作板３２との間には、上
記クランプリング３１をプラテン２６に押圧する方向へ
付勢するためのコイルスプリング３６ａ，３６ｂが上記
ガイドロッド２９，３０と同心状に配置されて介設され
ている。また、上記操作板３２には、上記プラテン２６
上からウエハＷを押し上げたりウエハＷをプラテン２６
上に降ろすための複数、図示例では３本のピック３７が
立設され、プラテン２６および回転板９にはこれらピッ
ク３７が挿通する挿通孔３８が穿設されている。

【００２６】このような構成により、上記操作板３２を
後述のエアシリンダからなる操作シリンダ３９で上記コ
イルスプリング３６ａ，３６ｂのバネ力に抗して押し上
げることにより、図５に仮想線で示すようにクランプリ
ング３１およびリフターピン３７をプラテン２６から押
し上げ、プラテン２６に対するウエハＷの装填作業が容
易にできるようになっている。

【００２７】上記操作板３２と蓋体１１の間の隙間ｓは
小さいため、蓋体１１のウエハ装填作業側の一部に開口
部４０を設け、この開口部４０を覆うように蓋体１１の
外側に蓋部４１を気密に設けることにより、操作板３２
の操作等に必要なスペース４２が確保されている。そし
て、上記蓋部４１の外側には、これに穿設された挿通孔
４３にピストンロッド３９ａを挿通させた状態で上記操
作シリンダ３９が気密に取り付けられており、そのピス
トンロッド３９ａの先端部には上記操作板３２を押し上
げる押上ブロック体４４が設けられている。この押上げ
ブロック体４４の上面部には、図６に示すように緩衝材
として例えばＯリング４５が設けられている。

【００２８】上記操作シリンダ３９は、上記蓋部４１に
取り付けられる取付体（磁性シールド機構付）４６を有
しており、この取付体４６の一端に上記蓋部４１にボル
ト止めにより固定される取付フランジ４７が形成され、
取付フランジ４７にシール手段例えばＯリング４８が取
り付けられている。上記取付体４６には、上記蓋部４１
の挿通孔４３と連通して上記ピストンロッド３９ａを挿
通させる挿通孔４９が形成され、この挿通孔４９にはピ
ストンロッド３９ａを摺動可能に軸封する軸風部材５０
が設けられている。

【００２９】上記取付体４６の他端には、両側に延出し
たフランジ５１が形成され、このフランジ５１にはこれ
より所定の距離を隔てて操作シリンダ３９のシリンダ本
体側を取り付けるための端板５２が側枠５３を介して平
行に設けられている。図示例の操作シリンダ３９は、後
端同士を接合した第１および第２の二つのエアシリンダ
５４，５５からなり、その第１のシリンダ５４のピスト
ンロッド５４ａが端板に固定され、第２のシリンダ５５
のピストンロッド３９ａが上述の如く取付体４６および
蓋部４１の挿通孔４９，４３に挿通されている。

【００３０】上記第１のシリンダ５４の下部および端板
５２には、第１のシリンダ５４の伸縮駆動に伴う昇降動
を案内するためのガイドロッド５６およびガイド孔５７
が設けられている。また、ピストンロッド５４ａ，３９
ａを収縮させて非作動状態の操作シリンダ３９における
第２のシリンダ５５と取付体４６の下面との間には、操
作シリンダ３９の伸張作動すなわち第１および第２のシ
リンダ５４，５５のピストンロッド３９ａ，５４ａの伸
張に伴う後述の可動体６０の移動を許容するスペース５
８が設けられている。

【００３１】そして、上記操作シリンダ３９には、これ
を上記イオン注入処理中（すなわち回転板９の回転中）
に機械的に非作動状態にするためのストッパー機構５９
が設けられている。このストッパー機構５９は、上記操
作シリンダ３９のピストンロッド３９ａにその作動方向
側にある固定部である取付体４６の下面と対向して設け
られた可動体６０と、上記取付体４６の下面と非作動位
置にある上記可動体６０との間にピストンロッド３９ａ
と直交する方向から進退可能に介在されて可動体６０の
移動を阻止するストッパー部材６１と、このストッパー
部材６１を進退する駆動部６２とから主に構成されてい
る。

【００３２】上記可動体６０は、図６ないし図７に示す
ように上記取付体４６の下面と平行な平板状に形成さ
れ、これを垂直に貫通した上記ピストンロッド３９ａの
基部側にネジ６２で一体的に取り付けられている。上記
可動体６０の一側部は、上記フランジ５０と端板５２と
の間に掛け渡されたガイドロッド６３にガイド孔６４を
介して平行移動可能に支持されている。また、可動体６
０の他側部に下方へ直角に形成された取付部６５には、
被検知板６６が取り付けられ、側枠５３にはその被検知
板６６を介して可動体６０の位置を検知するための接触
端子６７を有する位置検知器６８が取り付けられてい
る。

【００３３】上記ストッパー部材６１は、その前進によ
り取付体４６と可動体６０との間に挿入される際にピス
トンロッド３９ａとの干渉をさけるために平面Ｕ字状に
形成されている。上記駆動部６２は、例えばエアシリン
ダからなり、上記取付体４６に取り付けられており、そ
のピストンロッド６２ａに上記ストッパー部材６１が取
り付けられている。

【００３４】一方、上記注入室８の後方には、図８に示
すように水平に開けられた蓋体１１上の回転板９に対す
るウエハＷの装填作業を行う上記オートローダ６９が設
置されている。図示例のオートローダ６９は、回転板９
の周縁部にプラテン２６の配列ピッチで形成されたノッ
チ溝（図４，図６参照）７０に着脱可能に係合して位置
決めする図示しない係止機構と、上記配列ピッチで間欠
的に回転される回転板９のプラテン２６から処理済みの
ウエハを搬出するアーム機構７１と、処理済みのウエハ
が搬出されて空になったプラテン２６に処理前のウエハ
を搬入するアーム機構７２とを備えている。

【００３５】これらアーム機構７１，７２の後方には、
複数枚例えば２５枚のウエハＷを収容可能なカセットを
設置する搬出用および搬入用のカセット設置部７３，７
４が設けられ、これらカセット設置部７３，７４の間に
はダミーウエハ用のカセット設置部７５が設けられてい
る。また、これらカセット設置部７３〜７５と上記アー
ム機構７１，７２との間には、これらの間でウエハＷの
受け渡しを行うベルト式の受渡機構７６が設置されてい
る。なお、上記受渡機構７６としては、アーム式のもの
であってもよい。図示例のイオン注入装置においては、
ウエハ搬出位置Ｅ１およびウエハ搬入位置Ｅ２の各操作
板３２の中央部に対応させて上記操作シリンダ３８が配
置されている。

【００３６】次に、上述のように構成されたイオン注入
装置の作用および処理方法を述べる。先ず、一方の注入
室８におけるイオン注入処理が終了すると、その注入室
８側のゲートバルブ２１が閉じられ、その注入室８内を
大気圧に戻し、蓋体１１を水平状態に開ける。

【００３７】次いで、この状態でオートローダ６９が作
動し、間欠的に回転される回転板９に対するウエハＷの
装填作業、すなわち処理済みウエハの搬出および処理前
ウエハの搬入が順次行われる。上記装填作業において
は、ウエハ搬出位置Ｅ１に至ったプラテン２６上から処
理済みウエハが搬出され、ウエハ搬入位置Ｅ２に至った
プラテン２６上に処理前ウエハが搬入される。

【００３８】上記装填作業においては、操作シリンダ３
９のストッパー機構５９がストッパー部材６１を後退さ
せて解除されており、操作シリンダ３９により保持機構
２７が昇降操作されてウエハＷの解放および保持が行わ
れる。そして、装填作業が終了すると、ストッパー機構
５９の駆動部６２によりストッパー部材６１が前進され
て取付体４６と可動体との間に挿入され、操作シリンダ
３９を機械的に非作動状態にする。次いで、上記蓋体１
１が閉じられ、注入室８内を所定の圧力まで減圧してゲ
ートバルブ２１を開き、回転板９を高速で回転させ、イ
オンビームＢを横方向にスキャンさせつつ回転板９上の
ウエハＷに照射してイオン注入処理を行う。

【００３９】上記イオン注入処理中においては、上記操
作シリンダ３９がストッパー機構５９により機械的に非
作動状態とされているため、上記操作シリンダ３９の収
縮用のエア圧が低くなってしまった場合、エア圧を送る
配管が外れてしまった場合、或いは操作シリンダ３９を
操作するコントローラが誤動作してしまった場合でも、
上記操作シリンダ３９のピストンロッド３９ａが注入室
内８側の作動方向へ勝手に移動することがない。このた
め、回転板９と一緒に高速回転する保持機構２７の操作
板３１に操作シリンダ３９の押上ブロック体４４が接触
してこれらが損傷ないし破壊したり、或いは操作シリン
ダ３９により押し出された保持機構２７のクランプリン
グ３１が注入室８のケーシング本体１０内壁と接触して
これらが損傷ないし破壊したりすることはなく、安全性
および信頼性の向上が図れる。

【００４０】また、上記ストッパー機構５９が、上記操
作シリンダ３９のピストンロッド３９ａにその作動方向
側にある固定部である取付体４６の下面と対向して設け
られた可動体６０と、上記取付体４６と非作動位置にあ
る上記可動体６０との間に進退可能に介在されて可動体
６０の移動を阻止するストッパー部材６１と、このスト
ッパー部材６１を進退する駆動部６２とを有しているた
め、操作シリンダ３９を簡単な構成で容易に機械的に非
作動状態にすることができる。

【００４１】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、上記操作シリンダ
は、２個のエアシリンダから構成されているが、１個の
エアシリンダからなっていてもよい。上記実施の形態で
は、注入室を２つ備えた、いわゆるデュアル形式のイオ
ン注入装置が例示されているが、イオン注入装置として
は、単一の注入室を備えた、いわゆるシングル形式のも
のであってもよい。また、本発明はイオン注入装置に限
られず、その他の処理装置例えば成膜、酸化、拡散、ア
ニール等の処理を施す処理装置にも適用可能である。ま
た、被処理基板としては、半導体ウエハ以外に、例えば
ＬＣＤ基板等が適用可能である。

【００４２】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。

【００４３】（１）請求項１に係る発明によれば、処理
室に被処理基板を保持する保持機構およびこの保持機構
を操作する操作シリンダを設け、減圧下で上記被処理基
板に所定の処理を施す処理装置において、上記操作シリ
ンダにこれを機械的に非作動状態にするストッパー機構
を設け、このストッパー機構が、上記操作シリンダのピ
ストンロッドにその作動方向側にある固定部と対向して
設けられた可動体と、上記固定部と非作動位置にある上
記可動体との間に進退可能に介在されて可動体の移動を
阻止するストッパー部材と、このストッパー部材を進退
する駆動部とを有しているため、上記ストッパー機構に
より、処理中における操作シリンダの勝手な作動を確実
に防止することができ、被処理基板の保持の不完全によ
る処理の不良を防止することが可能となり、信頼性の向
上が図れると共に、操作シリンダを簡単な構成で機械的
に非作動状態にすることが可能となる。

【００４４】（２）請求項２に係る発明によれば、処理
室を開閉する蓋体に、周方向に複数の被処理基板を保持
する保持機構を有する回転板および上記保持機構を操作
する操作シリンダを設け、上記蓋体を開けて上記被処理
基板の装填作業を行い、上記蓋体を閉じて減圧下で上記
回転板を回転させながら上記被処理基板にイオン注入処
理を施す処理装置において、上記操作シリンダにこれを
機械的に非作動状態にするストッパー機構を設け、この
ストッパー機構が、上記操作シリンダのピストンロッド
にその作動方向側にある固定部と対向して設けられた可
動体と、上記固定部と非作動位置にある上記可動体との
間に進退可能に介在されて可動体の移動を阻止するスト
ッパー部材と、このストッパー部材を進退する駆動部と
を有しているため、上記ストッパー機構により処理中に
おける操作シリンダの勝手な作動を確実に防止すること
ができ、回転板と一緒に回転する保持機構と操作シリン
ダのピストンロッドとの接触による損傷や破壊等を防止
することができ、信頼性の向上が図れると共に、操作シ
リンダを簡単な構成で機械的に非作動状態にすることが
可能となる。

【００４５】

【００４６】（３）請求項３に係る発明によれば、処理
室を開閉する蓋体に、周方向に複数の被処理基板を保持
する保持機構を有する回転板および上記保持機構を操作
する操作シリンダを設け、上記蓋体を開けて上記被処理
基板の装填作業を行い、上記蓋体を閉じて減圧下で上記
回転板を回転させながら上記被処理基板にイオン注入処
理を施す処理方法において、上記処理中に上記操作シリ
ンダを機械的に非作動状態にしておくため、処理中にお
ける操作シリンダの勝手な作動を確実に防止することが
でき、回転板と一緒に回転する保持機構と操作シリンダ
のピストンロッドとの接触による損傷や破壊等を防止す
ることが可能となり、信頼性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されたバッチ式デュアルエンドス
テーション型イオン注入装置のエンドステーション側を
概略的に示す一部断面側面図である。

【図２】図１のイオン注入装置におけるデュアルエンド
ステーションの一方を概略的に示す背面図である。

【図３】イオン注入装置の基本的構成を概略的に示す斜
視図である。

【図４】エンドステーションを構成する回転板の部分的
平面図である。

【図５】図４のＡ−Ａ線拡大断面図である。

【図６】蓋体に設けられた操作シリンダの構成を示す断
面図である。

【図７】図６のＢ−Ｂ線断面図である。

【図８】イオン注入装置におけるデュアルエンドステー
ションの一方のオートローダ側を概略的に示す平面図で
ある。

【符号の説明】

Ｗ 半導体ウエハ（被処理基板） ８ 注入室（処理室） ９ 回転板 １１ 蓋体 ３９ 操作シリンダ ４６ 取付体（固定部） ５９ ストッパー機構 ６０ 可動体 ６１ ストッパー部材 ６２ 駆動部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/31 Ａ 21/324 21/324 Ｑ 21/68 21/68 Ｎ (56)参考文献 特開 平１−266737（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−110955（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−267271（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−28951（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−290788（ＪＰ，Ａ) 実開 平７−33973（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭62−168644（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−156170（ＪＰ，Ｕ) 実開 平３−78058（ＪＰ，Ｕ) 実開 平７−33972（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/00 H01J 37/30 - 37/36 C23C 14/50

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理室に被処理基板を保持する保持機構
   およびこの保持機構を操作する操作シリンダを設け、減
   圧下で上記被処理基板に所定の処理を施す処理装置にお
   いて、上記操作シリンダにこれを機械的に非作動状態に
   するストッパー機構を設け、このストッパー機構が、上
   記操作シリンダのピストンロッドにその作動方向側にあ
   る固定部と対向して設けられた可動体と、上記固定部と
   非作動位置にある上記可動体との間に進退可能に介在さ
   れて可動体の移動を阻止するストッパー部材と、このス
   トッパー部材を進退する駆動部とを有していることを特
   徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 処理室を開閉する蓋体に、周方向に複数
   の被処理基板を保持する保持機構を有する回転板および
   上記保持機構を操作する操作シリンダを設け、上記蓋体
   を開けて上記被処理基板の装填作業を行い、上記蓋体を
   閉じて減圧下で上記回転板を回転させながら上記被処理
   基板にイオン注入処理を施す処理装置において、上記操
   作シリンダにこれを機械的に非作動状態にするストッパ
   ー機構を設け、このストッパー機構が、上記操作シリン
   ダのピストンロッドにその作動方向側にある固定部と対
   向して設けられた可動体と、上記固定部と非作動位置に
   ある上記可動体との間に進退可能に介在されて可動体の
   移動を阻止するストッパー部材と、このストッパー部材
   を進退する駆動部とを有していることを特徴とする処理
   装置。
3. 【請求項３】 処理室を開閉する蓋体に、周方向に複数
   の被処理基板を保持する保持機構を有する回転板および
   上記保持機構を操作する操作シリンダを設け、上記蓋体
   を開けて上記被処理基板の装填作業を行い、上記蓋体を
   閉じて減圧下で上記回転板を回転させながら上記被処理
   基板にイオン注入処理を施す処理方法において、上記処
   理中に上記操作シリンダを機械的に非作動状態にしてお
   くことを特徴とする処理方法。