JP3239981B2

JP3239981B2 - 処理装置および処理方法

Info

Publication number: JP3239981B2
Application number: JP29746995A
Authority: JP
Inventors: 勝人広瀬
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1995-10-20
Filing date: 1995-10-20
Publication date: 2001-12-17
Anticipated expiration: 2015-10-20
Also published as: JPH09115994A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置および処
理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体装置の製造においては、被
処理基板である半導体ウエハに成膜、酸化、拡散、アニ
ール、イオン注入等の処理を施す各種の処理装置が用い
られている。このような処理装置としては、上記ウエハ
を載置体（プラテンともいう）上に載置すると共に、上
記ウエハの周縁部を上記載置体に対して押圧可能な保持
体（クランプリングともいう）により保持した状態で上
記ウエハに所定の処理を施すようにしたものがある。

【０００３】また、別の処理装置としては、処理室を開
閉する蓋体に、周方向に複数のウエハを載置する載置体
を有する回転板（ディスク）を設け、この回転板に各ウ
エハの周縁部を載置体に対して押圧保持する保持体を設
けると共に回転板の裏側に上記保持体と一体連動する操
作板を設け、上記蓋体を開けた状態で上記被処理基板の
装填作業を行い、上記蓋体を閉じて上記回転板を回転さ
せながら上記被処理基板にイオン注入処理を施すように
したものがある。

【０００４】これらの処理装置においては、自動化およ
び信頼性の向上を図るために、上記載置体上のウエハの
有無を確認する手段として、ウエハに光を当てて検知す
る光センサ、或いはウエハの側面にピン様のものを当て
て検知する機械式センサを備えているものもある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記処
理装置においては、上記センサを備えていたとしても、
その検知の構造上、上記載置体上に誤動作でウエハを２
枚以上重ねて保持してしまった異常を生じた場合でも、
これを正常と認識してしまい、処理を続行して不良ウエ
ハを生じるなど信頼性の低下を招くことがある。また、
保持体と操作板を連結固定しているネジが緩んだり、或
いは保持体とウエハの間にウエハの破片等の異物が挟ま
った場合においても、これらの異常を上記センサで認識
することは困難である。また、狭隘なスペース等、処理
装置の構造上、上記光センサや機械式センサを使用でき
ない場合、ウエハの有無を確認することが困難となり、
自動化や信頼性の向上を図る上で限界がある。

【０００６】本発明は、上述した課題を解決すべくなさ
れたもので、載置体上の被処理基板の有無だけでなく、
被処理基板の重ね保持等の異常を認識することが可能
で、自動化および信頼性の向上が図れる処理装置および
処理方法を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のうちの請求項１に係る発明は、処理室を開
閉する蓋体に、周方向に複数の被処理基板を載置する載
置体を有する回転板を設け、この回転板に各被処理基板
の周縁部を載置体に対して押圧保持する保持体を設ける
と共に回転板の裏側に上記保持体と一体連動する操作板
を設け、上記蓋体を開けた状態で上記被処理基板の装填
作業を行い、上記蓋体を閉じて上記回転板を回転させな
がら上記被処理基板にイオン注入処理を施す処理装置に
おいて、上記保持体の位置は被処理基板の有無、被処理
基板の重ね保持等により載置体に対して変位し、この保
持体と一体連動する上記操作板の変位を検知する渦電流
センサを上記蓋体に設けたことを特徴としている。

【０００８】上記保持体の位置は、被処理基板の有無、
被処理基板を２枚以上重ねて保持した場合、被処理基板
と保持体との間に異物を挟んだ場合等に、載置体に対し
て変位する。この保持体と一体連動する上記操作板の変
位を上記蓋体に設けた渦電流センサにより検知すること
により、載置体上の被処理基板の有無だけでなく、被処
理基板の重ね保持等の異常を認識することが可能とな
り、自動化および信頼性の向上が図れる。上記渦電流セ
ンサは、上記操作板に渦電流を発生させて操作板との間
の隙間、すなわち保持体の変位を精度よく検知すること
が可能となり、特に真空雰囲気および狭隘なスペースを
有する処理装置に適合し、顕著な効果を発揮する。

【０００９】

【００１０】

【００１１】

【００１２】また、請求項２に係る発明は、請求項１に
記載の処理装置において、上記渦電流センサにより被処
理基板の重ね保持等の異常を認識したときに上記基板装
填作業若しくは処理を停止する制御装置を備えているこ
とを特徴としている。ここで、上記変位検知手段により
認識される異常とは、主として、載置体上にあるべき被
処理基板が無い場合、被処理基板が２枚以上重ね保持さ
れている場合、保持体と操作板を連結固定しているネジ
が緩んだ場合、および保持体と被処理基板の間に被処理
基板の破片等の異物が挟まった場合をいう。上記制御装
置が渦電流センサにより上記異常を認識したときに、基
板装填作業若しくは処理を停止するため、不良被処理基
板の発生や装置の損傷等を未然に防止でき、処理装置の
更なる自動化および信頼性の向上が図れる。

【００１３】請求項３に係る発明は、処理室を開閉する
蓋体に、周方向に複数の被処理基板を載置する載置体を
有する回転板を設け、この回転板に各被処理基板の周縁
部を載置体に対して押圧保持する保持体を設けると共に
回転板の裏側に上記保持体と一体連動する操作板を設
け、上記蓋体を開けた状態で上記被処理基板の装填作業
を行い、上記蓋体を閉じて上記回転板を回転させながら
上記被処理基板にイオン注入処理を施す処理方法におい
て、上記装填作業中および処理中に上記蓋体側から上記
操作板の変位を検知し、被処理基板の重ね保持等の異常
を認識したときに、上記装填作業若しくは処理を停止す
ることを特徴としている。これにより、処理の自動化お
よび信頼性の向上が図れる。

【００１４】

【実施の形態】以下に、本発明をバッチ式デュアルエン
ドステーション型イオン注入装置に適用した実施の形態
を添付図面に基づいて詳述する。

【００１５】処理装置であるイオン注入装置は、図３に
概略的に示すようにガスをプラズマ化するためのイオン
源１を有しており、このイオン源１にはイオン注入に必
要とされるドーパントガスを供給する図示しないガス源
が接続されている。上記イオン源１の出口側には、これ
よりプラズマイオンを引き出す引出電極２および引き出
されたイオンビームＢのイオンを加速する加速電極３が
設けられている。

【００１６】上記加速電極３の下流には、イオン注入に
必要な所定のイオンのみを選択する質量分析マグネット
（アナライザー）４が設けられている。この質量分析マ
グネット４の下流には、イオンビームＢを左右の何れか
一方に選択的に曲げると共に横方向に振らせるスキャン
マグネット５および注入角度が一定になるように補正す
る角度修正器（アングルコレクター）６を介してエンド
ステーション７が設けられている。

【００１７】上記エンドステーション７は、図２に示す
ように処理室である注入室８を一対（二つ）有するデュ
アルエンドステーションからなり、一方がイオン注入処
理を行っている間に他方がウエハの装填作業を行い、ス
ループットの向上が図れるようになっている。両注入室
８は左右対称に近接して配置され、同一構成であるた
め、一方の注入室について以下に説明する。

【００１８】図１ないし図２に示すように上記注入室８
は、後述する如く周縁部に複数枚例えば１３枚の被処理
基板である半導体ウエハＷを保持する直径が例えば１ｍ
程度と大きい回転板（ディスク）９を収容する後端の開
放された偏平な円形容器状のケーシング本体１０と、こ
のケーシング本体１０の後端開放部を気密に覆う開閉可
能な蓋体１１とから主に構成されている。これらケーシ
ング本体１０と蓋体１１の接合部にはシール手段例えば
Ｏリング１２が設けられ、注入室８内を気密に密閉可能
としている。上記ケーシング本体１０、蓋体１１および
回転板９は、加工性や軽量化等を考慮して例えばアルミ
ニウムにより形成されている。

【００１９】上記注入室８のケーシング本体１０は、前
方へ傾斜した起立状態で架台１３上に固定されている。
上記蓋体１１は、上記架台１３に支軸１４で垂直回動可
能に設けられた支持アーム１５を介して後方へ起倒可
能、すなわち開閉可能に支持されている。

【００２０】上記支持アーム１５には、上記蓋体１１を
上記注入室８を閉じた状態から図１の仮想線で示すよう
に後方へ水平に開いた状態になるように開閉操作する例
えばエアシリンダからなる開閉駆動シリンダ１６が連結
されている。上記架台１３には、蓋体１１が水平に開い
たことを検知するセンサ１７が設けられている。また、
上記蓋体１１が水平に開けられた状態で、後述する基板
装填機構であるオートローダ５２により回転板９に対す
るウエハＷの装填作業が行われるようになっている。

【００２１】上記ケーシング本体１０の前面一側部に
は、上記イオンビームＢを注入室８内に導入するイオン
導入管１８が接続されると共に口径がウエハＷの直径よ
りも大きいイオン導入口１９が形成されている。このイ
オン導入口１９近傍のイオン導入管１８内には、イオン
注入時にウエハ表面から飛び出した二次電子をウエハ側
へ戻すためのファラデー２０が設けられている。上記イ
オンビームＢが通過する経路および注入室８は、例えば
拡散ポンプやクライオポンプ等の減圧ポンプにより高真
空例えば１０^-6Ｔｏｒｒ程度に減圧されるように構成さ
れている。

【００２２】また、上記イオン導入管１８には、上記蓋
体１１を開けて注入室８内を大気圧に開放する際にイオ
ンビームＢの経路を気密に遮断するためのゲートバルブ
２１が設けられている。上記イオン注入装置は、高真空
にされた上記注入室８内において、回転板９を高速で回
転させ、その回転方向と直交する横方向にイオンビーム
ＢをスキャンさせてウエハＷに照射することにより、イ
オンをウエハＷに面内均一で注入できるようになってい
る。

【００２３】一方、上記回転板９は、蓋体１１に回転可
能に設けられている。回転板９の回転軸２２は、蓋体１
１のほぼ中央部を例えば磁気シール機構等の軸封手段を
介して気密に貫通し、蓋体１１の後部に設けられた軸受
２３に回転可能に支持されている。上記回転軸２２には
ベルト２４を介してモータ２５が連結され、このモータ
２５の駆動により上記回転板９が高速例えば毎分１，０
００回転で回転駆動されるようになっている。

【００２４】上記回転板９上にウエハＷを保持するため
に、回転板９には図４ないし図６に示すように複数のウ
エハＷを個々に載置する載置体であるプラテン２６が設
けられると共に各ウエハＷの周縁部をプラテン２６に対
して押圧保持する環状の保持体であるクランプリング２
７が設けられている。上記プラテン２６は、ウエハＷと
ほぼ同じ直径の円板状に形成され、上記回転板９に形成
された円形の凹部２８に嵌合されると共に、後述するガ
イドロッド２９，３０のネジ部２９ａ，３０ａにより回
転板９に固定されている。

【００２５】上記回転板９の裏側には、上記クランプリ
ング２７と平行に一体連動する操作板３１が複数、図示
例では４本の連結ロッド３２を介して設けられ、これら
連結ロッド３２は回転板９に穿設されたガイド孔３３に
摺動可能に挿通されている。上記クランプリング２７お
よび操作板３１は、連結ロッド３２の端部に図示しない
ネジで固定されている。

【００２６】上記回転板９の裏側には上記操作板３１を
回転板９の厚さ方向に摺動可能に案内する上記ガイドロ
ッド２９，３０がその一端のネジ部２９ａ，３０ａの捩
じ込みにより立設され、操作板３１には上記ガイドロッ
ド２９，３０を摺動可能に挿通するガイド孔３４ａ，３
４ｂが設けられている。上記プラテン２６、クランプリ
ング２７および操作板３１は、例えばアルミニウムによ
り形成されている。

【００２７】上記回転板９と操作板３１との間には、上
記クランプリング２７をプラテン２６に押圧する方向へ
付勢するためのコイルスプリング３５が上記ガイドロッ
ド２９，３０と同心状に配置されて介設されている。ま
た、上記操作板３１には、上記プラテン２６上からウエ
ハＷを押し上げたりウエハＷをプラテン２６上に降ろす
ための複数、図示例では３本のピック３６が立設され、
プラテン２６および回転板９にはこれらピック３６が挿
通する挿通孔３７が穿設されている。

【００２８】このような構成により、上記操作板３１を
後述のエアシリンダからなる操作シリンダ３８で上記コ
イルスプリング３５のバネ力に抗して押し上げることに
より、図６に仮想線で示すようにクランプリング２７お
よびピック３６をプラテン２６から押し上げ、プラテン
２６に対するウエハＷの装填作業が容易にできるように
なっている。

【００２９】上記操作板３１と蓋体１１の間の隙間ｓは
小さいため、蓋体１１のウエハ装填作業側の一部に開口
部３９を設け、この開口部３９を覆うように蓋体１１の
外側に蓋部４０を気密に設けることにより、操作板３１
の操作等に必要なスペース４１が確保されている。そし
て、上記蓋部４０には、上記操作シリンダ３８がピスト
ンロッド３８ａを貫通させた状態で気密に取り付けら
れ、そのピストンロッド３８ａの先端部には上記操作板
３１を押し上げる押上ブロック体４２が設けられてい
る。

【００３０】また、上記蓋部４０には、上記操作板３１
の変位（変位量）を検知する変位検知手段である変位セ
ンサ４３が設けられている。この変位センサ４３は、上
記操作板３１の表面部に渦電流を発生させて操作板３１
との間の隙間（距離）すなわち変位（変位量）ｄを測定
検知する渦電流センサ（渦電流形センサ）からなってい
る。上記蓋部４０に変位センサ４３を位置調節可能に設
けるために、蓋部４０には開口部４４が設けられ、この
開口部４４を覆うように蓋部４０の外側に補助蓋部４５
が気密に設けられている。

【００３１】そして、この補助蓋部４５に、図５にも示
すように第１ブラケット４６が水平位置調節可能にボル
ト４７で固定され、この第１ブラケット４６に第２ブラ
ケット４８が高さ調節可能にボルト４９で固定され、こ
の第２ブラケット４８に上記操作板４１と対向するよう
に上記変位センサ４３が固定されている。なお、図５お
よび図６において、符合５０は補助蓋部４５に設けられ
て真空側と大気側の間で変位センサ４３の信号をやり取
りするためのコネクタである。

【００３２】上記変位センサ４３の出力信号は、制御装
置５１に入力され、この制御装置５１が変位センサ４３
で検知された変位ｄに基づいて変動すなわち異常を認識
したときに、ウエハＷの装填作業中においてはその装填
作業を、イオン注入処理中においてはその処理を停止す
るように構成されている。上記異常とは、主として、プ
ラテン２６上にあるべきウエハＷが無い場合、ウエハＷ
が２枚以上重ね保持されている場合、クランプリング２
７と操作板３１を連結固定しているネジ（図示省略）が
緩んだ場合、およびクランプリング２７とウエハＷの間
にウエハＷの破片等の異物が挟まった場合をいう。

【００３３】上記注入室８の後方には、図７に示すよう
に水平に開けられた蓋体１１上の回転板９に対するウエ
ハＷの装填作業を行う上記オートローダ５２が設けられ
ている。図示例のオートローダ５２は、回転板９の周縁
部にプラテン２６の配列ピッチで形成されたノッチ溝
（図４，図６参照）５３に着脱可能に係合して位置決め
する図示しない係止機構と、上記配列ピッチで間欠的に
回転される回転板９のプラテン２６から処理済みのウエ
ハを搬出するアーム機構５４と、処理済みのウエハが搬
出されて空になったプラテン２６に処理前のウエハを搬
入するアーム機構５５とを備えている。

【００３４】これらアーム機構５４，５５の後方には、
複数枚例えば２５枚のウエハＷを収容可能なカセットを
設置する搬出用および搬入用のカセット設置部５６，５
７が設けられ、これらカセット設置部５６，５７の間に
はダミーウエハ用のカセット設置部５８が設けられてい
る。また、これらカセット設置部５６〜５８と上記アー
ム機構５４，５５との間には、これらの間でウエハＷの
受け渡しを行うベルト式の受渡機構５９が設置されてい
る。なお、上記受渡機構５９としては、アーム式のもの
であってもよい。

【００３５】また、図示例のイオン注入装置において
は、ウエハ搬出位置Ｅ１およびウエハ搬入位置Ｅ２の各
操作板３１の中央部に対応させて上記操作シリンダ３８
が配置され、ウエハ搬入位置Ｅ２の操作板３１の一部に
対応させて上記変位センサ４３が配置されている。従っ
て、上記ウエハ搬入位置Ｅ２の変位センサ４３によりプ
ラテン２６上にウエハＷが保持されていないとき、およ
びプラテン２６上に１枚のウエハＷが保持されていると
きの操作板３１の変位ｄを予め検知し、これを基準値と
して制御装置５１に設定しておけば、上記変位センサ４
３による検出値を上記基準値と比較することにより上述
した異常を判断ないし認識することができる。

【００３６】次に、上述のように構成されたイオン注入
装置の作用および処理方法を述べる。先ず、一方の注入
室８におけるイオン注入処理が終了すると、その注入室
８側のゲートバルブ２１が閉じられ、その注入室８内を
大気圧に戻し、蓋体１１を水平状態に開ける。次いで、
この状態でオートローダ５２が作動し、間欠的に回転さ
れる回転板９に対するウエハＷの装填作業、すなわち処
理済みウエハの搬出および処理前ウエハの搬入が順次行
われる。

【００３７】上記装填作業においては、ウエハ搬出位置
Ｅ１に至ったプラテン２６上から処理済みウエハが搬出
され、ウエハ搬入位置Ｅ２に至ったプラテン２６上に処
理前ウエハが搬入される。このウエハ搬入位置Ｅ２にお
いて、処理前ウエハを保持する前および保持した後の操
作板３１の変位ｄが変位センサ４３により検知され、そ
の変位量ｄに基いて制御装置５１により正常が否かが認
識される。正常と認識された場合には装填作業が続行さ
れる。

【００３８】上記プラテン２６上に処理済みウエハが残
っている場合、上記プラテン２６上に処理前ウエハが保
持されていない場合、プラテン２６上に処理前ウエハが
２枚以上重ねて保持された場合、クランプリング２７と
ウエハＷとの間に異物が挟まった場合、或いはクランプ
リング２７と操作板３１を連結しているネジが緩んでい
る場合（この場合、操作板３１がコイルスプリング３５
により押し出されている。）には、異常と認識される。

【００３９】例えば、プラテン２６上にウエハＷが２枚
以上重ねて保持された場合には、下側のウエハにはイオ
ン注入処理が施されない。また、上記クランプリング２
７と操作板３１を連結しているネジが緩んでいる場合に
は、クランプリング２７によるウエハＷの保持が不十分
となるためチャージ不良を生じやすく、また高速回転中
に操作板３１が蓋体１１に接触して損傷することが考え
られる。上記異常と認識された場合には上記装填作業が
停止される。従って、作業員が異常箇所を点検してメン
テナンスを行えばよい。これにより、不良ウエハの発生
やイオン注入装置の損傷等を未然に防止することが可能
となる。

【００４０】装填作業が完了すると、蓋体１１が閉じら
れ、注入室８内を所定の圧力まで減圧してゲートバルブ
２１を開き、回転板９を高速で回転させ、イオンビーム
Ｂを横方向にスキャンさせつつ回転板９上のウエハＷに
照射してイオン注入処理を行う。この処理中においても
上記操作板３１の変位量が変位センサ４３により検知さ
れており、正常と認識されている場合には処理が続行さ
れるが、異常と認識された場合には上記回転板９の回転
を含む処理が停止される。この場合も、蓋体１１を開け
てから、作業員が異常箇所を点検してメンテナンスを行
えばよい。

【００４１】このように上記イオン注入装置および処理
方法によれば、注入室８を開閉する蓋体１１に操作板３
１の変位を検知する変位センサ４３を設けているため、
ウエハＷの装填作業中および処理中にプラテン２６上の
ウエハＷの有無だけでなく、ウエハＷの重ね保持等の異
常を認識することが可能となる。

【００４２】また、制御装置５１が上記変位センサ４３
により異常を認識したときに上記装填作業若しくは処理
を停止するように構成されているため、不良ウエハの発
生やイオン注入装置の損傷等を未然に防止でき、イオン
注入装置のより一層の自動化および信頼性の向上が図れ
る。更に、上記変位センサ４３が渦電流センサからなる
ため、真空雰囲気および狭隘なスペースで上記操作板３
１に渦電流を発生させて操作板３１との間の隙間、すな
わち操作板３１の変位を精度よく検知することができ、
特に真空雰囲気および狭隘なスペースを有するイオン注
入装置に適合し、顕著な効果を発揮する。

【００４３】以上、本発明の実施の形態を図面により詳
述してきたが、本発明は上記実施の形態に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲での種々の
設計変更等が可能である。例えば、上記制御装置におい
ては、上記変位センサにより異常を認識したときに上記
装填作業若しくは処理を停止すると当時に、制御装置に
より警報を発っしたり、異常の種類を表示するようにし
てもよく、これにより異常に対して迅速に対処すること
が可能となり、スループットの向上に寄与し得る。

【００４４】上記実施の形態では、注入室を２つ備え
た、いわゆるデュアル形式のイオン注入装置が例示され
ているが、イオン注入装置としては、単一の注入室を備
えた、いわゆるシングル形式のものであってもよい。ま
た、被処理基板としては、半導体ウエハ以外に、例えば
ＬＣＤ基板等が適用可能である。

【００４５】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果が得られる。

【００４６】

【００４７】（１）請求項１に係る発明によれば、処理
室を開閉する蓋体に、周方向に複数の被処理基板を載置
する載置体を有する回転板を設け、この回転板に各被処
理基板の周縁部を載置体に対して押圧保持する保持体を
設けると共に回転板の裏側に上記保持体と一体連動する
操作板を設け、上記蓋体を開けた状態で上記被処理基板
の装填作業を行い、上記蓋体を閉じて上記回転体を回転
させながら上記被処理基板のイオン注入処理を行う処理
装置において、上記保持体の位置は被処理基板の有無、
被処理基板の重ね保持等により載置体に対して変位し、
この保持体と一体連動する上記操作板の変位を検知する
渦電流センサを上記蓋体に設けているため、基板装填作
業中および処理中に載置体上の被処理基板の有無だけで
なく、被処理基板の重ね保持等の異常を認識することが
可能となり、処理装置のより一層の自動化および信頼性
の向上が図れる。

【００４８】

【００４９】（２）請求項２に係る発明によれば、上記
渦電流センサにより被処理基板の重ね保持等の異常を認
識したときに上記基板装填作業若しくは処理を停止する
制御装置を備えているため、不良被処理基板の発生や処
理装置の損傷等を未然に防止でき、処理装置の更なる自
動化および信頼性の向上が図れる。

【００５０】（３）請求項３に係る発明によれば、処理
室を開閉する蓋体に、周方向に複数の被処理基板を載置
する載置体を有する回転板を設け、この回転板に各被処
理基板の周縁部を載置体に対して押圧保持する保持体を
設けると共に回転板の裏側に上記保持体と一体連動する
操作板を設け、上記蓋体を開けた状態で上記被処理基板
の装填作業を行い、上記蓋体を閉じて上記回転板を回転
させながら上記被処理基板にイオン注入処理を施す処理
方法において、上記保持体の位置は被処理基板の有無、
被処理基板の重ね保持等により載置体に対して変位し、
この保持体と一体連動する上記操作板の変位を上記装填
作業中および処理中に上記蓋体側から渦電流センサによ
り検知し、被処理基板の重ね保持等の異常を認識したと
きに、上記装填作業若しくは処理を停止するため、処理
の自動化および信頼性の向上が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明が適用されたバッチ式デュアルエンドス
テーション型イオン注入装置のエンドステーション側を
概略的に示す一部断面側面図である。

【図２】図１のイオン注入装置におけるデュアルエンド
ステーションの一方を概略的に示す背面図である。

【図３】イオン注入装置の基本的構成を概略的に示す斜
視図である。

【図４】エンドステーションを構成する回転板の部分的
平面図である。

【図５】エンドステーションを構成する蓋体に取り付け
られた変位センサの取付構造を示す平面図である。

【図６】図４のＡ−Ａ線拡大断面図である。

【図７】イオン注入装置におけるデュアルエンドステー
ションの一方のオートローダ側を概略的に示す平面図で
ある。

【符号の説明】

Ｗ半導体ウエハ（被処理基板）８注入室（処理室）９回転板１１蓋体２６プラテン（載置体）２７クランプリング（保持体）３１操作板４３変位センサ（変位検知手段）５１制御装置５２オートローダ（基板装填機構）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平６−249966（ＪＰ，Ａ) 実開平４−79043（ＪＰ，Ｕ) 実開平２−19440（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 B23Q 17/00 H01L 21/265 603

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室を開閉する蓋体に、周方向に複数
の被処理基板を載置する載置体を有する回転板を設け、
この回転板に各被処理基板の周縁部を載置体に対して押
圧保持する保持体を設けると共に回転板の裏側に上記保
持体と一体連動する操作板を設け、上記蓋体を開けた状
態で上記被処理基板の装填作業を行い、上記蓋体を閉じ
て上記回転板を回転させながら上記被処理基板にイオン
注入処理を施す処理装置において、上記保持体の位置は
被処理基板の有無、被処理基板の重ね保持等により載置
体に対して変位し、この保持体と一体連動する上記操作
板の変位を検知する渦電流センサを上記蓋体に設けたこ
とを特徴とする処理装置。
【請求項２】上記渦電流センサにより被処理基板の重
ね保持等の異常を検知したときに上記基板装填作業若し
くは処理を停止する制御装置を備えていることを特徴と
する請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】処理室を開閉する蓋体に、周方向に複数
の被処理基板を載置する載置体を有する回転板を設け、
この回転板に各被処理基板の周縁部を載置体に対して押
圧保持する保持体を設けると共に回転板の裏側に上記保
持体と一体連動する操作板を設け、上記蓋体を開けた状
態で上記被処理基板の装填作業を行い、上記蓋体を閉じ
て上記回転板を回転させながら上記被処理基板にイオン
注入処理を施す処理方法において、上記保持体の位置は
被処理基板の有無、被処理基板の重ね保持等により載置
体に対して変位し、この保持体と一体連動する上記操作
板の変位を上記装填作業中および処理中に上記蓋体側か
ら渦電流センサにより検知し、被処理基板の重ね保持等
の異常を認識したときに、上記装填作業若しくは処理を
停止することを特徴とする処理方法。