JPS5931983B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造方法、特にレーザスクライバ
による半導体ウェハ（以後単にウェハと呼ぶ）のスクラ
イピング方法に関するものである。

ウェハのスクライピング装置として、Ｎｄ：ＹＡＧレー
ザを用いたレーザスクライバが近年そのスクライブ歩留
りが高い点及び作業能率が高い点に着目され普及して来
た。しかし、その反面レーザスクライピング法は次の様
な欠点を持つている。それは、レーザスクライブピング
の際、飛び散るウェハ溶融くずがウェハ表面、特にスク
ライブ溝周辺に土手の様につもることである。すなわち
スクライブ溝周辺に土手の様にっもつた溶融くずは、ペ
レツタイズ後もそのままの状態で、とどまるため、外部
電極との結線（以後ボンディングと言う）の際、ボンデ
ィングに用いる線と接触し、短絡を起こすことがある。
この対策としてレーザスクライビングを真空中で行うこ
とによりウェハくずをより多く空間に飛散させるように
したり、或は酸素雰囲気中で行うことによりウェハくず
を酸化させて絶縁物に変えたりするなどのことが考えら
れているが、きわだつた効果は上がつていない。本発明
の目的は、スクライブ溝周辺に土手の様につもる溶融く
ずを取り去るレーザスクライビング法を提供することに
ある。すなわち本発明は、まず最初にウェハをペレツタ
イズするに必要な深さだけレーザ光線によりスクライブ
し、スクライビング後、同一スクライビング部とウェハ
くずが堆積された部分に照射強度を弱くしたレーザ光線
を照射して、最初のスクライビングの際に出来たスクラ
イブ溝周辺の溶融くずを溶かして、なだらかにし、溶融
くずの高さを低くするものである。

この方法を適用した場合、最初のスクライビングで発生
した溶融くずの高さは、二度目に照射されたレーザ光線
により溶融されて低くなり、従つて、ボンディング線と
の接触によつて生ずる短絡を防ぐことができる。

以下図面を参照して、実施例に基づき本発明を詳細に説
明する・第１図ａ及びｂは、従来のレーザスクライビン
グ方法を示すものである。

まず、ウェハ１をレザスクライビング装置にセットし（
第１図ａ）、レーザ装置２からレーザ光線４を照射する
ことによりウェハ表面にスクライブするのであるが（第
１図ｂ）、このスクライビングの際にウェハ１の溶融く
ずがスクライブ溝両側に３で示した様な土手状に堆積し
、ボンディング線との短絡を引き起こす。第２図ａ及び
ｂは、本発明を適用した場合を示すものである。

第１図に示した様に、まず、レーザ光線によりウエハ１
をペレツタイズ可能な深さだけスクライブした後（第２
図ａ）、、同一スクライピング部と土手状に堆積された
ウエハ溶融くず部３にその部分における照射強度を弱く
したレーザ光線４を照射し、ウエハ溶融くず部３を溶融
して平らにする（第２図ｂ）。

この際、レーザ光線の幅及び照射強度を調整する方法と
しては、レーザ装置のしぼりを調整したり、繰り返し周
波数を調整したり、或いはレーザ光線の焦点を移動させ
たりすればよい。このように最初のスクライピングで出
来た溶融くず３の土手を溶かしてその高さを低くするこ
とにより、ボンデイング線と半導体基板との短絡を無く
すことができ、従つて、製造歩留りを高くすることが可
能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来のレーザスタライピング法を示すウエハ
断面図、第２図は、本発明によるレーザスクライピング
法を示すウエハ断面図である。 １・・・・・・半導体ウエハ、２・・・・・ルーザ装置
、３・・・・・・溶融くず、４・・・・・ルーザビーム
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 半導体ウェハにレーザ光線でスクライブ溝を形成し
   た後、前記スクライブ溝に沿つたウェハ表面に照射強度
   を弱くしたレーザ光線を照射して、前記スクライブ溝を
   形成する際に堆積されたウェハの溶融くずを溶融せしめ
   ることを特徴とする半導体装置の製造方法。