JPS593093A - 単結晶の製造方法 - Google Patents
単結晶の製造方法Info
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- JPS593093A JPS593093A JP11053582A JP11053582A JPS593093A JP S593093 A JPS593093 A JP S593093A JP 11053582 A JP11053582 A JP 11053582A JP 11053582 A JP11053582 A JP 11053582A JP S593093 A JPS593093 A JP S593093A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- raw material
- material powder
- powder
- alumina
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/04—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
- C30B11/08—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt every component of the crystal composition being added during the crystallisation
- C30B11/10—Solid or liquid components, e.g. Verneuil method
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はペルヌイ法卑結晶製造において、単結晶原料粉
末を球状に造粒することにより、原料の流動性を増し、
酸水素炎の中を落下する原料粉末の落下量を正確に制御
して得られる単結晶の品質、生産性および収率を飛謬的
に向上させる単結晶の製造法に関するものである。
末を球状に造粒することにより、原料の流動性を増し、
酸水素炎の中を落下する原料粉末の落下量を正確に制御
して得られる単結晶の品質、生産性および収率を飛謬的
に向上させる単結晶の製造法に関するものである。
従来より単結晶の製造法は種々の方法が専業され実用化
されている。これらの単結晶製造法の一つにベルヌイ（
Ｖｅｒｎｅｕｉｌ）法または火炎熔融（ｆｌａｍｅ ｆ
ｕｓｉｏｎ）法と呼ばれる方法がある。
されている。これらの単結晶製造法の一つにベルヌイ（
Ｖｅｒｎｅｕｉｌ）法または火炎熔融（ｆｌａｍｅ ｆ
ｕｓｉｏｎ）法と呼ばれる方法がある。
この方法は原料粉末を入れた容器の如部をバイブレータ
−で打・ち、酸水素炎中に原料粉末を少量ずつ落下させ
熔融した原料を受器台上につもらせ、これを徐々に成長
させることＫより単結靜を製造するものである。この方
法はルツボを使用しないので結晶育成中に不純物が混入
しづらく、シかも大きい単結晶を他の製造法に比べて短
時間で得ることができる特徴をもっている。
−で打・ち、酸水素炎中に原料粉末を少量ずつ落下させ
熔融した原料を受器台上につもらせ、これを徐々に成長
させることＫより単結靜を製造するものである。この方
法はルツボを使用しないので結晶育成中に不純物が混入
しづらく、シかも大きい単結晶を他の製造法に比べて短
時間で得ることができる特徴をもっている。
このためこの方法でアルミナ（Ａｆｆ１２０３）系、ス
ピネル（ＭｇＡｎ２０４）系、ルチル（ＴｉＯ２）系、
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）系、イツトリ
ウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙ３届、０□２）系
、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＢＧ＆５
０□２）肋 どの単結晶が人造宝石としてだけでｋく、
軸受・腕時計用窓材料などの耐摩耗材料やレーザー材料
などの工業材料として多量に製造されている。
ピネル（ＭｇＡｎ２０４）系、ルチル（ＴｉＯ２）系、
チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）系、イツトリ
ウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙ３届、０□２）系
、ガドリニウム・ガリウム・ガーネット（ＧｄＢＧ＆５
０□２）肋 どの単結晶が人造宝石としてだけでｋく、
軸受・腕時計用窓材料などの耐摩耗材料やレーザー材料
などの工業材料として多量に製造されている。
しかしベルタイ法単結晶製造方法には原料粉末が容器頭
部に加えられるわずかな振動によってブロッキングをお
こさずに答缶底部の篩を通して均一に落下しないと単結
晶がイ０られないという欠点があった。そのため原料粉
末磐造に当たりては高純度で熔融させやすいということ
の他にブロッキングを起こさず篩を目詰首りさせない流
動性の良い粉末が要求されている。このような要求に対
して従来は熔融させやすくするために粉末の一次粒子径
が７８ｍ以下と細かく流動性を良くするために嵩密度の
低い粉末が使用されていた。流動性の良い原料粉末とし
ては例えばアルミナ系単結晶の場合にはアンモニウムミ
ョウバンを約／θθθ℃で熱分解して得られる鱗片状の
γ−アルミナ粉末が使用されている。
部に加えられるわずかな振動によってブロッキングをお
こさずに答缶底部の篩を通して均一に落下しないと単結
晶がイ０られないという欠点があった。そのため原料粉
末磐造に当たりては高純度で熔融させやすいということ
の他にブロッキングを起こさず篩を目詰首りさせない流
動性の良い粉末が要求されている。このような要求に対
して従来は熔融させやすくするために粉末の一次粒子径
が７８ｍ以下と細かく流動性を良くするために嵩密度の
低い粉末が使用されていた。流動性の良い原料粉末とし
ては例えばアルミナ系単結晶の場合にはアンモニウムミ
ョウバンを約／θθθ℃で熱分解して得られる鱗片状の
γ−アルミナ粉末が使用されている。
この粉末は鱗片状をしているため容鮨内でブロッキング
を起こしづらく流動性が良いという特徴をもっている。
を起こしづらく流動性が良いという特徴をもっている。
しかし粉末の嵩密度が非常に小さいので容器が大きくな
υすぎ振動を与えづする際に周囲に吹き飛んでしまう粉
末が相当多く高価な原料から単結晶を得る収率が悪いと
いう問題点があった。またアンモニウムミョウバンの熱
分解で得られる粉末は粒度分布の幅が広いため一定の粒
径以上の粉末は予め篩で分級して取除いてから単結晶製
造に使用している。このためこの工程でも原料粉末の収
率が悪いという問題があった。このように高価な原料粉
末の収率が悪いことや、嵩密度が低すぎて扱いづらいと
いう点を犠牲にして流動性を確保しようとしている。し
かし流動性についても従来のアンモニウムミョウバンの
熱分解法では原料粉末の形状を常に一定にすることは非
常に困難で装造単位ごとに流動性が大きく変化し安定し
た単結晶を製造することが困難であった。
υすぎ振動を与えづする際に周囲に吹き飛んでしまう粉
末が相当多く高価な原料から単結晶を得る収率が悪いと
いう問題点があった。またアンモニウムミョウバンの熱
分解で得られる粉末は粒度分布の幅が広いため一定の粒
径以上の粉末は予め篩で分級して取除いてから単結晶製
造に使用している。このためこの工程でも原料粉末の収
率が悪いという問題があった。このように高価な原料粉
末の収率が悪いことや、嵩密度が低すぎて扱いづらいと
いう点を犠牲にして流動性を確保しようとしている。し
かし流動性についても従来のアンモニウムミョウバンの
熱分解法では原料粉末の形状を常に一定にすることは非
常に困難で装造単位ごとに流動性が大きく変化し安定し
た単結晶を製造することが困難であった。
結晶製造方法を見出し本発明を完成した。
本発明は従来より知られている鱗片状をした原料粉末を
使用するベルタイ法単結晶製造法に比べ、球状に造粒し
た原料粉末を使用するため原料粉末の嵩密度が高く、シ
かも極めて流動性に優れておシ単結晶製造時の収率を大
幅に向上させることができ、また流動性が安定している
ため良質な単結晶を容易に得ることができる単結晶製造
法を提供するものである。
使用するベルタイ法単結晶製造法に比べ、球状に造粒し
た原料粉末を使用するため原料粉末の嵩密度が高く、シ
かも極めて流動性に優れておシ単結晶製造時の収率を大
幅に向上させることができ、また流動性が安定している
ため良質な単結晶を容易に得ることができる単結晶製造
法を提供するものである。
本発明は球状に造粒した単結晶原料を用いることを特徴
とするベルタイ法単結晶の製造方法である。
とするベルタイ法単結晶の製造方法である。
単結晶原料を球状に造粒する方法としては原料粉末と水
または有機溶剤などの溶媒からなるスラリーを噴霧乾燥
機または流動乾燥機を用いて行なう方法があげられる。
または有機溶剤などの溶媒からなるスラリーを噴霧乾燥
機または流動乾燥機を用いて行なう方法があげられる。
特にＩ＊霧乾燥機による造粒が得られる造粒体の粒径の
点から好ましい。造粒体の粒径は原料粉末の流動性と熔
融しやすさによって任意に選ぶことができる。だだ造粒
体の粒径がｊメガ下だと酸水素炎の中を落下させる時に
飛び散りやすく収率が悪くなる場合があることと、３０
μｍ以上になると単結晶成長部に落下した後熔融するの
に時間のかかる場合があるので粒径としてはｊ−３θμ
ｍの間にあることが望ましい。
点から好ましい。造粒体の粒径は原料粉末の流動性と熔
融しやすさによって任意に選ぶことができる。だだ造粒
体の粒径がｊメガ下だと酸水素炎の中を落下させる時に
飛び散りやすく収率が悪くなる場合があることと、３０
μｍ以上になると単結晶成長部に落下した後熔融するの
に時間のかかる場合があるので粒径としてはｊ−３θμ
ｍの間にあることが望ましい。
造粒するための原料粉末のスラリーは攪拌機ボールミル
、超音波分散機などを用いてｋＷすることかできる。
、超音波分散機などを用いてｋＷすることかできる。
本発明の適用できる単結晶原料としては従来ベルタイ法
単結晶製造に使用されていた原料粉末だけでなく流動性
のみが問題でベルタイ法に適用できなかった原料粉末を
使用することができる。単結晶原料粉末には着色または
その他の機能の付与を目的として本発明の効果を損なわ
ない範囲で種々の添加物を使用することができる。ただ
し良質な結晶を得るためには添加物の量はＳ重量−未満
に留めることが望ましい。これら原料粉末のうちで主成
分の含有率が９３重量％ｖ上のアルミナ（Ｉ％Ｊ３２０
ａ）系、スピネルＣＭｇ届２０４）系、ルチル（Ｔ、１
０２） 糸、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ１０３
） 系、イツトリウム・アルミニウム・ガーネット
（Ｙ３Ａ＃５０ｔｚ）系、カドリニウムΦガリウム・ガ
ーネット（ＧｄａＧａｓＯｘ２）系に本発明は適してい
る。特に好ましくは原料調整の容易さの点からアルミナ
単結晶用原料粉末に本発明を適用するとその効果を第も
発揮することができる。捷た使用する原料粉末および添
加物の純度は得られる結晶の品質に大きく影響するので
できるだけ高純度品を使用することが望ましい。特に主
成分となる原料粉末は少なくともソ２．７重量−以上の
純度でなければならない。これらの原料粉末のうちアル
ミナでは９９．９９重量％以上の高純度品を用いると特
に良質な単結晶を得ることができる。
単結晶製造に使用されていた原料粉末だけでなく流動性
のみが問題でベルタイ法に適用できなかった原料粉末を
使用することができる。単結晶原料粉末には着色または
その他の機能の付与を目的として本発明の効果を損なわ
ない範囲で種々の添加物を使用することができる。ただ
し良質な結晶を得るためには添加物の量はＳ重量−未満
に留めることが望ましい。これら原料粉末のうちで主成
分の含有率が９３重量％ｖ上のアルミナ（Ｉ％Ｊ３２０
ａ）系、スピネルＣＭｇ届２０４）系、ルチル（Ｔ、１
０２） 糸、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴ１０３
） 系、イツトリウム・アルミニウム・ガーネット
（Ｙ３Ａ＃５０ｔｚ）系、カドリニウムΦガリウム・ガ
ーネット（ＧｄａＧａｓＯｘ２）系に本発明は適してい
る。特に好ましくは原料調整の容易さの点からアルミナ
単結晶用原料粉末に本発明を適用するとその効果を第も
発揮することができる。捷た使用する原料粉末および添
加物の純度は得られる結晶の品質に大きく影響するので
できるだけ高純度品を使用することが望ましい。特に主
成分となる原料粉末は少なくともソ２．７重量−以上の
純度でなければならない。これらの原料粉末のうちアル
ミナでは９９．９９重量％以上の高純度品を用いると特
に良質な単結晶を得ることができる。
本発明により球状に造粒した原料粉末を用いて単結晶を
製造するための装置としては従来からあるベルタイ法単
結晶製造装置を使用することができる。
製造するための装置としては従来からあるベルタイ法単
結晶製造装置を使用することができる。
以上述べたように原料粉末を球状に造粒することを特徴
とする本発明によって従来のベルタイ法単結晶製造のよ
うに調製の難しい鱗片状の原料粉末を使用しなくてすむ
ようになり、流動性確保のため犠牲にされていた粉末物
性の最適化が行なえるようになったことは良質な単結晶
邊 を容易に収率良く製造でき’１ｌｌＧｉＱという点で単
結晶製造技術において画期的なととである。
とする本発明によって従来のベルタイ法単結晶製造のよ
うに調製の難しい鱗片状の原料粉末を使用しなくてすむ
ようになり、流動性確保のため犠牲にされていた粉末物
性の最適化が行なえるようになったことは良質な単結晶
邊 を容易に収率良く製造でき’１ｌｌＧｉＱという点で単
結晶製造技術において画期的なととである。
以下に本発明の内容をさらに具体的に示すために実施例
、比較例を示すが、本発明はこれらの実施例に限られる
ものではない。なお実施例中の百分率はすべて重１によ
りている０実施例／ 一次粒子径θ、ｊμｍ、純度９９．９９％の高純度α−
アルミナ（住友化学工業株式会社製）／与と水／、Ｓ〜
をアルミナ製ボールミルで混合してスラリー状とした。
、比較例を示すが、本発明はこれらの実施例に限られる
ものではない。なお実施例中の百分率はすべて重１によ
りている０実施例／ 一次粒子径θ、ｊμｍ、純度９９．９９％の高純度α−
アルミナ（住友化学工業株式会社製）／与と水／、Ｓ〜
をアルミナ製ボールミルで混合してスラリー状とした。
このスラリーを回転円盤式噴霧乾燥機にて乾燥造粒を行
ない平均粒径６θμｍの球状造粒体θ、２に〜を得た。
ない平均粒径６θμｍの球状造粒体θ、２に〜を得た。
こうして得られた球状のα−アルミナ造粒体の嵩密度は
θ、ざＪＥ１０ｎ３と尚く舞い上ることもなく取扱いや
すくしかも非常に流動性に富んでいた。当該アルミナ造
粒体を原料として通常のベルタイ法単結晶製造装置にお
いて酸素ガスと水素ガスをそれぞれ０．３ ｍ３ ／）
（ｙ 、人Ｓｍ”／Ｈｒの割合で混合燃焼させながら、
ホワイトサファイア単結晶を一θｍ／Ｈｒの成長速度で
製造した。得られた単結晶は周囲に原料の付着も見られ
ず非常に良質であった。ａ−フルミナ造粒体から単結晶
を製造した時の収率は９Ａ％と高かった。
θ、ざＪＥ１０ｎ３と尚く舞い上ることもなく取扱いや
すくしかも非常に流動性に富んでいた。当該アルミナ造
粒体を原料として通常のベルタイ法単結晶製造装置にお
いて酸素ガスと水素ガスをそれぞれ０．３ ｍ３ ／）
（ｙ 、人Ｓｍ”／Ｈｒの割合で混合燃焼させながら、
ホワイトサファイア単結晶を一θｍ／Ｈｒの成長速度で
製造した。得られた単結晶は周囲に原料の付着も見られ
ず非常に良質であった。ａ−フルミナ造粒体から単結晶
を製造した時の収率は９Ａ％と高かった。
実施例２
水酸化アルミニウムを焼成して得られた一次粒子径Ｏ０
θｊμｍ１純度２２．ン７チの高純度ｒ−アルミナ（住
友化学工業株式会社ｆｆ）／ｌｋと水ｊ、ｊｌＩＰをア
ルミナ製ボールミルで混合してスラリー状とした。この
スラリーを二流体ノズル式ｐＪｊ楊乾燥機にて乾燥造粒
を行ない平均ヶθμｍの球状造粒体θ、？５ＫＰを得た
。こうして得られた球状のγ−アルミナ造粒体の嵩密度
は０．８９７ｃｍ３と高く舞い上ることもなく取扱いや
すく、シかも非常に流動性に富んでりた。γ−アルミナ
造粒体から単結晶を製造した時の収率は９Ｓチと高かっ
た〇 比較例／ アンモニウムミ目つバンを熱分解して一次粒子径θ、θ
Ｓμｍ１粉末凝集体の形状が鱗片状でその平均径がざθ
μｍ１嵩密度θ、、２ｆ／ｃｍ３純度？９．５Ｊ９％の
高純度ｒ−アルミナを製造した。このγ−アルミナ粉末
は容器を移し換える時などに舞い上シやすく非常に取シ
扱いにくかりた。このｒ−フルミナ粉末を使用して実施
例／と同一条件で単結晶を製造したが、得られた単結晶
は周囲−面にアルミナ粉末が付着していた。アンモニウ
ムミ目つバンを熱分解して得たγ−アルミナ粉末から単
結晶を製造した時の収率はにθチと低かった。
θｊμｍ１純度２２．ン７チの高純度ｒ−アルミナ（住
友化学工業株式会社ｆｆ）／ｌｋと水ｊ、ｊｌＩＰをア
ルミナ製ボールミルで混合してスラリー状とした。この
スラリーを二流体ノズル式ｐＪｊ楊乾燥機にて乾燥造粒
を行ない平均ヶθμｍの球状造粒体θ、？５ＫＰを得た
。こうして得られた球状のγ−アルミナ造粒体の嵩密度
は０．８９７ｃｍ３と高く舞い上ることもなく取扱いや
すく、シかも非常に流動性に富んでりた。γ−アルミナ
造粒体から単結晶を製造した時の収率は９Ｓチと高かっ
た〇 比較例／ アンモニウムミ目つバンを熱分解して一次粒子径θ、θ
Ｓμｍ１粉末凝集体の形状が鱗片状でその平均径がざθ
μｍ１嵩密度θ、、２ｆ／ｃｍ３純度？９．５Ｊ９％の
高純度ｒ−アルミナを製造した。このγ−アルミナ粉末
は容器を移し換える時などに舞い上シやすく非常に取シ
扱いにくかりた。このｒ−フルミナ粉末を使用して実施
例／と同一条件で単結晶を製造したが、得られた単結晶
は周囲−面にアルミナ粉末が付着していた。アンモニウ
ムミ目つバンを熱分解して得たγ−アルミナ粉末から単
結晶を製造した時の収率はにθチと低かった。
比較例コ
実施例−で用いた水酸化アルミニウムから製造したｒ−
アルミナ粉末を造粒することなくそのまま使用して実施
例／と同じベルタイ法単結晶製造装置を用いてサファイ
ア単結晶製造を試みた。しかし造粒しないこのｒ−フル
ミナ粉末は流動性に欠は酸水素炎の中に＃１とんど落下
しなかつたため単結晶が全く成長しなかった。
アルミナ粉末を造粒することなくそのまま使用して実施
例／と同じベルタイ法単結晶製造装置を用いてサファイ
ア単結晶製造を試みた。しかし造粒しないこのｒ−フル
ミナ粉末は流動性に欠は酸水素炎の中に＃１とんど落下
しなかつたため単結晶が全く成長しなかった。
実施例３
実施例／においてスラリー調整時に、高純度α−アルミ
ナ粉末に対して一次粒子径θ、ｊμｍのＣｒ２Ｏ３粉末
（日本化学工業株式会社製）を、２チ添加して回転円盤
式噴霧乾燥法によシ乾燥造粒を行ない平均粒径乙θμｍ
の球状造粒体を得た。こうして得られたＣｒ２Ｏ３添加
アルミナ造粒体の嵩密度はθ、ざＰ／ｃｍ３と高く舞い
上ることもなく取扱いやすく、シかも球状をしているた
め非常に流動性に富んでいた。
ナ粉末に対して一次粒子径θ、ｊμｍのＣｒ２Ｏ３粉末
（日本化学工業株式会社製）を、２チ添加して回転円盤
式噴霧乾燥法によシ乾燥造粒を行ない平均粒径乙θμｍ
の球状造粒体を得た。こうして得られたＣｒ２Ｏ３添加
アルミナ造粒体の嵩密度はθ、ざＰ／ｃｍ３と高く舞い
上ることもなく取扱いやすく、シかも球状をしているた
め非常に流動性に富んでいた。
この造粒体を原料として実施例／と同様の加熱条件と成
長速度／ｊｓｃｗ・／ Ｈｒでルビー単結晶を製造した
。得られた単結晶は非常に良質で単結晶製造時の収率も
９６チと高かった。
長速度／ｊｓｃｗ・／ Ｈｒでルビー単結晶を製造した
。得られた単結晶は非常に良質で単結晶製造時の収率も
９６チと高かった。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ／）球状に造粒した単結晶原料を用いることを特徴とす
るベルタイ法単結晶の製造方法０．２）単結晶原料粉末
を球状に造粒する方法が噴霧乾燥法である特許請求の範
囲第４項記載の単結晶の製造方法 ３）単結晶原料粉末造粒体の直径がｊ−Ｊθμｎ１であ
る特許請求の範囲第１）項記載の単結晶の製造方法 り）単結晶原料の２５重量％以上がアルミナ（ｕ２０３
） 、スピネル（ＭｇＡｌ３２０ａ ）、ルチル（’
Ｔｌ０２）、チタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉ０３）
イツトリウムΦアルミニウム・ガーネットる特許請求の
範囲第４項記載の単結晶の製造方法 ｊ）単結晶原料中のアルミナ含有率が９５重量−以上で
ある特許請求の範囲第４項記載の単結晶の製造方法 ６）純度が９９．２重量−以上のアルミナを使用し、か
つ単結晶原料中のアルミナ含有率がりＳ重量−以上であ
る特許請求の範囲第１）項記載の単結晶の製造方法
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11053582A JPS593093A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 単結晶の製造方法 |
| EP83303703A EP0098724A1 (en) | 1982-06-25 | 1983-06-27 | Single crystal production |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11053582A JPS593093A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593093A true JPS593093A (ja) | 1984-01-09 |
Family
ID=14538268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11053582A Pending JPS593093A (ja) | 1982-06-25 | 1982-06-25 | 単結晶の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0098724A1 (ja) |
| JP (1) | JPS593093A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02124757A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-14 | Dowa Mining Co Ltd | 酸化物系超伝導体の製造方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994021110A2 (en) * | 1993-03-22 | 1994-09-29 | Akzo Nobel N.V. | Use of hard, doped monocrystalline oxides in applications involving contact with fluid abrasives |
| CN1323194C (zh) * | 2004-03-16 | 2007-06-27 | 东北大学 | 一种可控气氛焰熔法制备金红石单晶体的工艺及装置 |
| KR102045890B1 (ko) | 2018-10-24 | 2019-12-04 | 비아로지스 주식회사 | 인조 보석 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR1432731A (fr) * | 1965-02-10 | 1966-03-25 | Procédé et dispositif de fabrication de rubis synthétique en particulier pour lasers | |
| FR2038158A7 (en) * | 1969-04-02 | 1971-01-08 | Ceskoslovenska Akademie Ved | Powder material for verneuil crystal - growth |
| FR2232361A1 (en) * | 1972-06-27 | 1975-01-03 | Preussag Ag | Powder for crystal prodn by the Verneuil process - obtd. by melting particulate matl. in furnace |
-
1982
- 1982-06-25 JP JP11053582A patent/JPS593093A/ja active Pending
-
1983
- 1983-06-27 EP EP83303703A patent/EP0098724A1/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02124757A (ja) * | 1988-10-31 | 1990-05-14 | Dowa Mining Co Ltd | 酸化物系超伝導体の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0098724A1 (en) | 1984-01-18 |
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