JPS5927099B2 - 高密度配線方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規な高密度配線方法に関する。

ＬＳＩ等の製造に際し、高密度の配線が要求されるが、
従来技術によれば、近接する配線パターンを化学エツ千
シダにより形成するものであり、この時エッチングむら
によつて隣り合う配線が短絡してしまう確率が可成り大
きい。

ヌ、多層配線により配線密度を高めることも行なわれる
が、斯る場合、下層配線と上層配線との間に化学蒸着堆
積法（ＣＶＤ法）等の煩雑な手法を用いて絶縁層を形成
しなければならない。本発明は簡単な構造にして高密度
の得られる配線方法を提供するもので、以下実施例に於
て説明する。

第１図は本実施例製造方法の第１工程を示し、１は−平
面を有するシリコン基板、２は該基板上に複数列形成さ
れたシリコン酸化膜よりなる絶縁層にして、該絶縁層は
基板１の一平面より他の平面３に立ち上がる段部４を有
する。

５は基板１の一平面絶縁層２の平面３及び絶縁層２の段
部４に被着されたアルミニウムからなる金属層にして、
該金属層は蒸着により設けられ、而して、絶縁層２の段
部４にある金属層は他の部分の金属層より十分薄い厚み
を有している。

第２図は第２工程を示し、６は第１図の金属層５表面を
陽極酸化して得られたアルミナよりなる絶縁膜である。

該絶縁膜の厚みは絶縁層２の段部４上にある薄い金属層
の厚みより若干大なる大きさに設定されており、而して
上記金属層は基板１の一平面上の複数の下部金属層１、
１・・・・・・と絶縁層２の平面３上の複数の上部金属
層８、８・・・・・・とに互いに絶縁的に分離されるこ
とになり、これら分離された金属層は、配線用導電路と
なり、ヌその表面は絶縁膜６により永久に保護されるこ
とになる。第３図は第３の工程を示し、９、１０は絶縁
膜６の表面の一部に設けられた他の金属層である。

尚、第３図に示す如く下部又は上部金属層Ｔ、８と他の
金属層９″ｙ、は１０との電気的接続を図り度い場合に
は、第１図の金属層５表面を陽極酸化する際に、フォト
レジスト等の耐陽極酸化膜を金属層５表面に選択的に付
着しておけば、必要な電気的接続孔１１のみが酸化され
ることなく、而して両者の電気的接続がなされる。この
様に本発明によれば、多層の立体配線が可能となるので
高密度配線が可能となり、又そのための各層の配線分離
は、配線用導電路の蒸着形成時に絶縁層の段部に同時に
付着する薄い導電路用金属膜の絶縁化処理により行なわ
れるものであるから、従来の如き多層配線のための煩雑
な化学蒸着堆積法による絶縁層付着工程が不要となる。

１面の簡単な説明 第１図乃至第３図は本発明実施例の製造工程別１−面図
である。

１・・・・・・基板、２・・・・・・絶縁層、４・・・
・・・段部．６・・・．絶縁膜、７〜１０・・・・・・
金属層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 一平面上に設けられ該平面より他の平面上に立上が
   る段部を有する絶縁層を設ける工程、上記一平面上、段
   部及び他の平面上に連続的に付着され、上記段部にて薄
   い厚みを有する金属層を設ける工程、前記金属層の表面
   を、少なくとも上記段部にある金属層の厚み分だけ絶縁
   物に変化することにより、上記一平面上及び他の平面上
   の夫々の金属層の電気的絶縁分離をなす工程、上記絶縁
   物表面の少なくとも一部に他の金属層を設ける工程を具
   備することを特徴とする高密度配線方法。