JPS5925270A - 半導体集積回路の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法Info
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- JPS5925270A JPS5925270A JP13488082A JP13488082A JPS5925270A JP S5925270 A JPS5925270 A JP S5925270A JP 13488082 A JP13488082 A JP 13488082A JP 13488082 A JP13488082 A JP 13488082A JP S5925270 A JPS5925270 A JP S5925270A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は半導体層積回路の製造方法に関し、詳しくはベ
ース領域へのエミッタ領域もしくはコレクタ領域の形式
１程を改良したパイ、Ｉ？−ラ型半心体集積回路の製造
方法に係る。
ース領域へのエミッタ領域もしくはコレクタ領域の形式
１程を改良したパイ、Ｉ？−ラ型半心体集積回路の製造
方法に係る。
近年課導体集禎回路の進歩は舊しく、この中で微細加工
技術、イメン注入技術、ドライエツチング技術、酸化膜
分離技術等がこれに大きく寄与しているが、１時にバイ
ポーラ型集積回路においては、高集積度、高速度化をは
かるのに、酸化膜分離技術（たとえば埋込み選択酸化法
やソセヌオギサイド法）は、必要べからざる技術であり
、バイポーラ集積回路の中で１２Ｌ、 ｒｒＣＬにとっ
て寸法の縮少化寄生容量の低減化をはかる為に最近使用
されつつある。上述した酸化膜分離技術たとえば選択酸
化法には、利点ばかりでなく欠点も存在する。即ち、一
つにはポワイトリ・げンといわれる選択酸化時に発生ず
るオギシナイトライド膜（文献ＪＨＥ、Ｃ，Ｓ、１９７
６ Ｖｏ乙１２３）ｉＦｘ ７ ＰＰ１１１７ Ｅ Ｋ
ＯＯＩ ）によるＭＯ３型集積回路におけるケ゛−ト酸
化膜の耐圧不良が挙り“られる。二つには選択酸化時に
バーズビーク直下にディスロケーションやＯ８Ｆ （Ｏ
ｘｌｄａｔｌｏ＋＋ｉｎ −ｄｕｃ ｅ ｄ旦ｔａｃｌ
ｃｉｎｇ ｌｉ’ａｕｌ Ｌｓ）によるエミッタの異常
拡散９選択酸化時におけるリンの・？・イルアノノによ
るコレクターエミッタ間の耐圧不良等などで歩留り低下
が観測され１９％集植度化がすすめばこの傾向かまま一
ノーまず顕著になってくる。従来よりＥＣＬ、Ｉ２Ｌ等
に酸化膜分離技術を最適につかうには、ベース及びエミ
ッタ開口時にフィールドのｌ’７い酸化膜をマスクとし
て１吏用するのが一般的であり、かつ１ｆｆｃＬを考え
た場合、高性能化をはかるだめに、ベース、エミッタの
拡散深さは、通常のものに比較して浅くなり（たとえば
エミッタのＸｊ＝ ０．１〜０．２μｍ）、トランノス
タの＝Ｊ法も微細化しなければならない。この場合エミ
ッタ開口時にベースちかくのフィールド［’＆化膜がオ
ーバーエツチングされコレクターエミッタ間の耐圧不良
が発生しやすい。かかるエミッターコレクタ間の耐圧不
良を第１図〜ｔ１１４図図示の従来のＥＣＬの基本トラ
ンノスタ構造を参照して駅、明する。図中の１はｐ型シ
リコン基板であり、この基板１表面には選択的しこｎ型
埋込み）Ｃ゛ｉ ２が設けられている。この基板１表面
にはフィールド酸化膜４により分離づれた２つの高部３
ａ 、 ３ｂからなる素子形へ領域を有するｎ Ｂ（ｑ
エピタキシャル層３が設けられている。
技術、イメン注入技術、ドライエツチング技術、酸化膜
分離技術等がこれに大きく寄与しているが、１時にバイ
ポーラ型集積回路においては、高集積度、高速度化をは
かるのに、酸化膜分離技術（たとえば埋込み選択酸化法
やソセヌオギサイド法）は、必要べからざる技術であり
、バイポーラ集積回路の中で１２Ｌ、 ｒｒＣＬにとっ
て寸法の縮少化寄生容量の低減化をはかる為に最近使用
されつつある。上述した酸化膜分離技術たとえば選択酸
化法には、利点ばかりでなく欠点も存在する。即ち、一
つにはポワイトリ・げンといわれる選択酸化時に発生ず
るオギシナイトライド膜（文献ＪＨＥ、Ｃ，Ｓ、１９７
６ Ｖｏ乙１２３）ｉＦｘ ７ ＰＰ１１１７ Ｅ Ｋ
ＯＯＩ ）によるＭＯ３型集積回路におけるケ゛−ト酸
化膜の耐圧不良が挙り“られる。二つには選択酸化時に
バーズビーク直下にディスロケーションやＯ８Ｆ （Ｏ
ｘｌｄａｔｌｏ＋＋ｉｎ −ｄｕｃ ｅ ｄ旦ｔａｃｌ
ｃｉｎｇ ｌｉ’ａｕｌ Ｌｓ）によるエミッタの異常
拡散９選択酸化時におけるリンの・？・イルアノノによ
るコレクターエミッタ間の耐圧不良等などで歩留り低下
が観測され１９％集植度化がすすめばこの傾向かまま一
ノーまず顕著になってくる。従来よりＥＣＬ、Ｉ２Ｌ等
に酸化膜分離技術を最適につかうには、ベース及びエミ
ッタ開口時にフィールドのｌ’７い酸化膜をマスクとし
て１吏用するのが一般的であり、かつ１ｆｆｃＬを考え
た場合、高性能化をはかるだめに、ベース、エミッタの
拡散深さは、通常のものに比較して浅くなり（たとえば
エミッタのＸｊ＝ ０．１〜０．２μｍ）、トランノス
タの＝Ｊ法も微細化しなければならない。この場合エミ
ッタ開口時にベースちかくのフィールド［’＆化膜がオ
ーバーエツチングされコレクターエミッタ間の耐圧不良
が発生しやすい。かかるエミッターコレクタ間の耐圧不
良を第１図〜ｔ１１４図図示の従来のＥＣＬの基本トラ
ンノスタ構造を参照して駅、明する。図中の１はｐ型シ
リコン基板であり、この基板１表面には選択的しこｎ型
埋込み）Ｃ゛ｉ ２が設けられている。この基板１表面
にはフィールド酸化膜４により分離づれた２つの高部３
ａ 、 ３ｂからなる素子形へ領域を有するｎ Ｂ（ｑ
エピタキシャル層３が設けられている。
このエビタギシャル層３の一方の０４ （ＳＢ ａ ａ
ニに一１平行する２１１す面が前記フィールド酸化膜
４に接触するようにｐ型の内部ベース領域５が選択的に
設けられ、かつこれらベース領域５の両［１１１１の高
部３ａにはｐ″石すの外部ベース領域、５ｔ、５１が設
けられている。また、前記内部ベース領域５内にはれ４
＋型のエミ、り領域６がその平行する２ １１１１１面
が前記フィールド酸化膜４に接触うるように設りられて
いる。更に、ＴＪ’ｌ記エピタキシャル層３の他方の高
部３ｂにはｎ半型埋込ミ層２（！： ｙ”ｌ 結するｄ
ｅｅｐ ｎ土層７が設けられ、このｎ拘置７にはｒｌ−
１−型のコレクタ取出し領域８が設けられている。
ニに一１平行する２１１す面が前記フィールド酸化膜
４に接触するようにｐ型の内部ベース領域５が選択的に
設けられ、かつこれらベース領域５の両［１１１１の高
部３ａにはｐ″石すの外部ベース領域、５ｔ、５１が設
けられている。また、前記内部ベース領域５内にはれ４
＋型のエミ、り領域６がその平行する２ １１１１１面
が前記フィールド酸化膜４に接触うるように設りられて
いる。更に、ＴＪ’ｌ記エピタキシャル層３の他方の高
部３ｂにはｎ半型埋込ミ層２（！： ｙ”ｌ 結するｄ
ｅｅｐ ｎ土層７が設けられ、このｎ拘置７にはｒｌ−
１−型のコレクタ取出し領域８が設けられている。
そしてエミッタ領域６及びコレクタ取出し領域８に対応
する部分が開口した熱酸化膜９が設けられ、かつ該熱酸
化膜９上にはその開［１部を介して前記エミッタ領域６
．コレクタ取出し領域８に夫々接触する砒素ドーグ多結
晶シリコンパターン１０ ａ 、 １０ ｂが選択的に
股Ｉｔ）られている。更に、全面Ｋ ＣＶＩＩＳ １（
Ｊ２膜１１が被覆されて：Ｉ；−１） 、かつこのＳ
ｉｏ ２膜１ノ」二にはコンタクトホール１２・・定介
し、て「）１ｊ記外部ベース領域５Ｚ５Ｚ砒素ドーノ０
多結晶ソリコンパターンＪ Ｏａ ’。
する部分が開口した熱酸化膜９が設けられ、かつ該熱酸
化膜９上にはその開［１部を介して前記エミッタ領域６
．コレクタ取出し領域８に夫々接触する砒素ドーグ多結
晶シリコンパターン１０ ａ 、 １０ ｂが選択的に
股Ｉｔ）られている。更に、全面Ｋ ＣＶＩＩＳ １（
Ｊ２膜１１が被覆されて：Ｉ；−１） 、かつこのＳ
ｉｏ ２膜１ノ」二にはコンタクトホール１２・・定介
し、て「）１ｊ記外部ベース領域５Ｚ５Ｚ砒素ドーノ０
多結晶ソリコンパターンＪ Ｏａ ’。
ＩＣ）ｂと接続したベース、エミッタ、コレクタのＡ４
電極Ｊ ３． ｌ ４ 、 Ｊ 、５が設けられでいる
。
電極Ｊ ３． ｌ ４ 、 Ｊ 、５が設けられでいる
。
上述した第１図〜８１！３図図示のＥＣＬの製造におい
ては、外１３ベース領域５Ｌ 、 ５／を形成するには
ン１ｑい熱酸化膜（５０（１〜１０す（ｌ Ａ’ ）を
通してｙ！？ロン等をイオン注入する方法が採用され、
その後該熱酸化膜にエミッタとコレクタの開ｃ−＋ Ｑ
９ｉを形成するのが一般的でおる。この場合、エミッタ
の開口マスクとフィールド酸化膜とのｌ”＋；］ Ｋ余
裕をとれば何んら問題はないが、高性能化を図りたい場
合には、第２Ｍに示す如くフィールド酸化１摸４を−ｊ
”ｉｔ！−スフとし°Ｃエミッタの開口部を形成しなけ
ればならない。つ寸す、平行する２ １１１１１ ｉ７
ｎがフィールド酸化膜４に接触するようにエミッタ領域
６を形成するには、上記の如くフィールド２化膜４を一
部マスクとじてエミッタのし１］口を行なわなければな
ら右い。しかしながら、この」、うなエミッタの開Ｌ１
を行なうと、第４図に示す如く、フィールド酸化膜４の
Ａ ７ｘ１＋分がエッチングされて後退し、エミ、り領
域６の形成後において８部分で実質的にベース幅が狭く
なり、コレクターエミッタ間の面］几−不良が発生し易
くなる。しかも、ベース′１ｉｊｊ域上に熱酸化膜を形
成する際、ｄｅｅｐｎ’一層ｚ上には該ベース領域上の
それよりも厚く形成さり、るため、エミッタの開口のと
きに、フィール１′酸化膜４のＡ部分でのエツチングが
より大きくなり、ｆ’ｌｆｌ ＷＣコレクターエミッタ
の耐圧不Ｊ１が上り萌著となる。
ては、外１３ベース領域５Ｌ 、 ５／を形成するには
ン１ｑい熱酸化膜（５０（１〜１０す（ｌ Ａ’ ）を
通してｙ！？ロン等をイオン注入する方法が採用され、
その後該熱酸化膜にエミッタとコレクタの開ｃ−＋ Ｑ
９ｉを形成するのが一般的でおる。この場合、エミッタ
の開口マスクとフィールド酸化膜とのｌ”＋；］ Ｋ余
裕をとれば何んら問題はないが、高性能化を図りたい場
合には、第２Ｍに示す如くフィールド酸化１摸４を−ｊ
”ｉｔ！−スフとし°Ｃエミッタの開口部を形成しなけ
ればならない。つ寸す、平行する２ １１１１１ ｉ７
ｎがフィールド酸化膜４に接触するようにエミッタ領域
６を形成するには、上記の如くフィールド２化膜４を一
部マスクとじてエミッタのし１］口を行なわなければな
ら右い。しかしながら、この」、うなエミッタの開Ｌ１
を行なうと、第４図に示す如く、フィールド酸化膜４の
Ａ ７ｘ１＋分がエッチングされて後退し、エミ、り領
域６の形成後において８部分で実質的にベース幅が狭く
なり、コレクターエミッタ間の面］几−不良が発生し易
くなる。しかも、ベース′１ｉｊｊ域上に熱酸化膜を形
成する際、ｄｅｅｐｎ’一層ｚ上には該ベース領域上の
それよりも厚く形成さり、るため、エミッタの開口のと
きに、フィール１′酸化膜４のＡ部分でのエツチングが
より大きくなり、ｆ’ｌｆｌ ＷＣコレクターエミッタ
の耐圧不Ｊ１が上り萌著となる。
本発明ｔよコレクターエミッタ１１）１の耐圧を改善し
たバイポーラ型の半？、惨体集■、／（回路の製造方法
を提供しようとするものである。
たバイポーラ型の半？、惨体集■、／（回路の製造方法
を提供しようとするものである。
本発明は８１￥１尋電型の半導体層に耐１１夕化性フス
クイ＋、１を選択的に形成し、該−スフ拐を用いて第２
導電型の不純物をイオン注入層等によりドーピングし、
更に半ｊ、ｌｊ’、体層の表層部分をエッチングして第
２導電型の不純物層をエツチング側面に一部に残存させ
た（２な、耐酸化性マスク七４を用いて選択酸化してフ
ィールド（１ス化１１１２を設けると共にその側面のベ
ースの一部となる第２へ１電型の不純物層を形成するこ
とによって、フィール１゛酸化膜１１１１面で実効的に
ベース幅を長くし、フィールド酸化膜の表面刊近でのオ
ーバエツチングによるエミッターコレクタ間、つ１りベ
ース幅の狭小化を防止し、もってエミッターコレクタ間
の耐圧不良を抑制することを骨子どするものである。
クイ＋、１を選択的に形成し、該−スフ拐を用いて第２
導電型の不純物をイオン注入層等によりドーピングし、
更に半ｊ、ｌｊ’、体層の表層部分をエッチングして第
２導電型の不純物層をエツチング側面に一部に残存させ
た（２な、耐酸化性マスク七４を用いて選択酸化してフ
ィールド（１ス化１１１２を設けると共にその側面のベ
ースの一部となる第２へ１電型の不純物層を形成するこ
とによって、フィール１゛酸化膜１１１１面で実効的に
ベース幅を長くし、フィールド酸化膜の表面刊近でのオ
ーバエツチングによるエミッターコレクタ間、つ１りベ
ース幅の狭小化を防止し、もってエミッターコレクタ間
の耐圧不良を抑制することを骨子どするものである。
上ＹＣｉｌ＋ｉ酸化性酸化性マス例月ばシリコン派化膜
ヌはＡｌ２Ｏ２膜等から形成される。
ヌはＡｌ２Ｏ２膜等から形成される。
−上記半導体層の表層部分のエツチングは等方性エツチ
ングもしくは異方性エツチングのいずれでも、しいが、
選択ｒ１夕化後のフィール１゛酸化膜が半導体層表面か
ら突出する抑制するだめには、異方性エツチングが好ま
しい。かかる異方性エツチングのエッチャントとしては
、例えばＫＯＩＩとイソプロピルアルコールの混合液を
挙げることができる。
ングもしくは異方性エツチングのいずれでも、しいが、
選択ｒ１夕化後のフィール１゛酸化膜が半導体層表面か
ら突出する抑制するだめには、異方性エツチングが好ま
しい。かかる異方性エツチングのエッチャントとしては
、例えばＫＯＩＩとイソプロピルアルコールの混合液を
挙げることができる。
次に、本発明をＥＣＬに用いるｎｐｎパイ醪−ラトラン
ノスタの製造に適用した例について第５図（ａ）〜（ｆ
）、第６図及び第７図を参照して説明する。
ノスタの製造に適用した例について第５図（ａ）〜（ｆ
）、第６図及び第７図を参照して説明する。
（１）１ず、ｐ型シリコン基板２１にＡ！Ｉを選択拡散
して、−１−理込み層２２を形成し、更に厚さ１５μｍ
のｎ ’ＩＪＱシリコンエピタキシャル層２３全２３成
長させた。つづいて、熱酸化処理をＭ！ｉ Ｌで／リコ
ン層２３全面に厚さ３００Ｘの熱酸化ｆｌｕ ２（を成
長させ、この上に厚−ＪｌｏｏｏＸのシリコン窒化膜を
堆積した後、写真蝕刻法に１リンリコン窒化１］（４の
素子形成予定部にレノストパターン２５１ ．２５□を
形成し、更にレノストパターン２．５１．２．５□を−
Ｊスクトシてシリコンｆｆｌ 化ＩＩＪ（をエツチング
してシリコン窒化膜、？ターン２６１．２６□を形成し
た。この後、レノス１． ／４’ターン２５ｒ＋２５２
にマスクとｂでｐ型不純物、例えばＴＷロンをイオン注
入してれ型シリコン層２３にボロンイオン注入層２７・
・全形成した（第５図（ａ）図示）。
して、−１−理込み層２２を形成し、更に厚さ１５μｍ
のｎ ’ＩＪＱシリコンエピタキシャル層２３全２３成
長させた。つづいて、熱酸化処理をＭ！ｉ Ｌで／リコ
ン層２３全面に厚さ３００Ｘの熱酸化ｆｌｕ ２（を成
長させ、この上に厚−ＪｌｏｏｏＸのシリコン窒化膜を
堆積した後、写真蝕刻法に１リンリコン窒化１］（４の
素子形成予定部にレノストパターン２５１ ．２５□を
形成し、更にレノストパターン２．５１．２．５□を−
Ｊスクトシてシリコンｆｆｌ 化ＩＩＪ（をエツチング
してシリコン窒化膜、？ターン２６１．２６□を形成し
た。この後、レノス１． ／４’ターン２５ｒ＋２５２
にマスクとｂでｐ型不純物、例えばＴＷロンをイオン注
入してれ型シリコン層２３にボロンイオン注入層２７・
・全形成した（第５図（ａ）図示）。
１１ｉ） 次いで、レノストパターン２５１Ｈ２５□
を除去し、高温熱処理してボロンイオン注入層２７・・
を活性化した後、シリコン窒化膜パターン２６１ ＋
２６２ をマスクとしてシリコン層２３表層部分をＫ
（月Ｉとイソプロピルアルコールの混液にて選択的に異
方性エツチングした。この時、２ＪＥ ５図（ｂ）に示
す如く傾斜したエッチング１１１ト面のシリコン層２３
部分にｐ散拡散層２８が残存した。
を除去し、高温熱処理してボロンイオン注入層２７・・
を活性化した後、シリコン窒化膜パターン２６１ ＋
２６２ をマスクとしてシリコン層２３表層部分をＫ
（月Ｉとイソプロピルアルコールの混液にて選択的に異
方性エツチングした。この時、２ＪＥ ５図（ｂ）に示
す如く傾斜したエッチング１１１ト面のシリコン層２３
部分にｐ散拡散層２８が残存した。
（ｉｌｌ）次いで、シリコン窒化膜・ぐターン２６．２
６２を耐酸化性マスクとして１ｏｏｏ℃の高温ウェット
雰囲気中で選択酸化した。この時、第５図（ｃ）に示す
如く厚さ１．５ ノｔｍのフィールド酸化膜２９が形成
されると共に、フィールド酸化膜２９の側面にｐ型拡散
層２８′が形成はれた。
６２を耐酸化性マスクとして１ｏｏｏ℃の高温ウェット
雰囲気中で選択酸化した。この時、第５図（ｃ）に示す
如く厚さ１．５ ノｔｍのフィールド酸化膜２９が形成
されると共に、フィールド酸化膜２９の側面にｐ型拡散
層２８′が形成はれた。
このフィールド酸化膜２９により１１型シリコン層２３
が電気的に分離され、２つの高部３ｏ１ 。
が電気的に分離され、２つの高部３ｏ１ 。
３０２からなる素子領域が形成づれた。
（ｌψ 次いで、高部３０２にｎ型不純物、例えば砒素
をイオン注入してｎ十埋込み層２２ＶＣｊＪで達するｄ
ｅｅｐ ｎ土層３１を形成した。ひきつづき、熱酸化処
理を施して高部３Ｊ、３０２表面に薄い熱酸化膜３２．
．３２．を形成した後、該熱酸化膜を通してｐ型不純物
、例えば１」ゾロンを高部３θ、にイオン注入し、活性
化して前記ｐ型拡散層２８′とつながるｐ型の内部ベー
ス領域３３を形成した（＠５図（ｄ）図示）。
をイオン注入してｎ十埋込み層２２ＶＣｊＪで達するｄ
ｅｅｐ ｎ土層３１を形成した。ひきつづき、熱酸化処
理を施して高部３Ｊ、３０２表面に薄い熱酸化膜３２．
．３２．を形成した後、該熱酸化膜を通してｐ型不純物
、例えば１」ゾロンを高部３θ、にイオン注入し、活性
化して前記ｐ型拡散層２８′とつながるｐ型の内部ベー
ス領域３３を形成した（＠５図（ｄ）図示）。
Ｑ）次いで、内部ペース領域３３にゾロンを選択的にイ
オン注入し、活性化してｐ−ＦＢｑの外部ベース領域、
７４を形成した後、熱ｒＩ安化膜３２□の一部及び熱酸
化膜３２２を全て除去して開口窓３５１ ＋ ３５２
を形成した。つづいて、全面に多結晶シリコン膜を堆債
し、砒素をドーピングした後、・ξターニングして開口
窓３５１゜３５２刊近にｎ型多結晶シリコン・Ｐターン
３６１゜３６２を形成し、熱処理を施して該・Ｐターン
３６１．３６２からｔＵｔ：素を拡散させ、内部ベース
領域３３に、−トー１型のエミッタ領域３７を、ｄｅｅ
ｐ、−１一層のコレクタ取出し領域３８を、夫々形成し
た（第５図（ｅ）図示）。なお、ｎ１＋型エミツ′り領
域３７はその３つの［１１１面がフィールド酸化膜２９
に接して形成された。。
オン注入し、活性化してｐ−ＦＢｑの外部ベース領域、
７４を形成した後、熱ｒＩ安化膜３２□の一部及び熱酸
化膜３２２を全て除去して開口窓３５１ ＋ ３５２
を形成した。つづいて、全面に多結晶シリコン膜を堆債
し、砒素をドーピングした後、・ξターニングして開口
窓３５１゜３５２刊近にｎ型多結晶シリコン・Ｐターン
３６１゜３６２を形成し、熱処理を施して該・Ｐターン
３６１．３６２からｔＵｔ：素を拡散させ、内部ベース
領域３３に、−トー１型のエミッタ領域３７を、ｄｅｅ
ｐ、−１一層のコレクタ取出し領域３８を、夫々形成し
た（第５図（ｅ）図示）。なお、ｎ１＋型エミツ′り領
域３７はその３つの［１１１面がフィールド酸化膜２９
に接して形成された。。
＆ｉｌ 次いＴ、全面ｔ”” ＣＶ Ｄ−３Ｉ Ｏ２
膜、ＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜３９を堆Ｊ）’（Ｌ
％外部ベース領Ｊｄ ３４ 、 ｎ型多結晶シリコン・
やターン３６１ 。
膜、ＰＳＧ膜からなる層間絶縁膜３９を堆Ｊ）’（Ｌ
％外部ベース領Ｊｄ ３４ 、 ｎ型多結晶シリコン・
やターン３６１ 。
３６２の一部に対応する層間絶縁膜３９活にコンククト
ホール４０・・・を開孔し、ＡｔＩＩＩＡの蒸着。
ホール４０・・・を開孔し、ＡｔＩＩＩＡの蒸着。
バター三ングｆ 行１．っ′Ｃペース、エミッタ、コレ
クタのｈｔ電極４１，４２．４３を形成し、ｎｐｎパイ
ポーラトランノスタを製造した（第５図（ｆ）、第６図
及び第７図図示）。なお、第６図は第５図（ｆ）の平面
図、第７図は第６図の■−ＶｌｌＩ％ｌに沿う断面図で
ある。
クタのｈｔ電極４１，４２．４３を形成し、ｎｐｎパイ
ポーラトランノスタを製造した（第５図（ｆ）、第６図
及び第７図図示）。なお、第６図は第５図（ｆ）の平面
図、第７図は第６図の■−ＶｌｌＩ％ｌに沿う断面図で
ある。
しかして、本発明によればフィールド酸化膜２９の端部
の比較的ン（りいシリコン層２３部分の直下に予めｐ型
拡散層２８′をｐｍ内部ぺ・−ス領域３３よυ深く形成
し、その部分でのベース深さを深くできるだめ、ｎ型多
結晶ノリコンパターン３６１ を拡散源どしてｎ 型の
エミッタ領域３７を形成する際、前記フィールド酸化膜
２９’；ｔ：Ｗ部で砒素の異常拡散が起こっても実効的
なベース幅の狭小化を抑制でき、ひいてはエミ７ターコ
レクタ間の７ｇ−）を防止できる。また、ｐ型の内部ベ
ース３３と６１−理込み層２２とは十分な距離をおいて
はなれているため、リーチスルーモードによるコレクタ
ーベースｌＴｌ１ｌ’ＬＥ”ＣＩの低下を防止できる。
の比較的ン（りいシリコン層２３部分の直下に予めｐ型
拡散層２８′をｐｍ内部ぺ・−ス領域３３よυ深く形成
し、その部分でのベース深さを深くできるだめ、ｎ型多
結晶ノリコンパターン３６１ を拡散源どしてｎ 型の
エミッタ領域３７を形成する際、前記フィールド酸化膜
２９’；ｔ：Ｗ部で砒素の異常拡散が起こっても実効的
なベース幅の狭小化を抑制でき、ひいてはエミ７ターコ
レクタ間の７ｇ−）を防止できる。また、ｐ型の内部ベ
ース３３と６１−理込み層２２とは十分な距離をおいて
はなれているため、リーチスルーモードによるコレクタ
ーベースｌＴｌ１ｌ’ＬＥ”ＣＩの低下を防止できる。
なお、上記実施例ではｐ型拡散１〜をｐ型の内部ベース
領域より深く形成したが、同様に深くすると共に内部ベ
ースよυ高濃度化させたｐ 型拡散層を形成してｎ 型
のエミッタ領域の異常拡散によりベース深きが小さくな
らないようにしてもよい、寸だ、本発明は上記実Ｍｌｉ
例の如くＩＩ ｐ ｎ型パイｙｌｅ−ラＩＣの製造のみ
に限らず、Ｉ２Ｌ′Ｊｅこも同様に適用できる。
領域より深く形成したが、同様に深くすると共に内部ベ
ースよυ高濃度化させたｐ 型拡散層を形成してｎ 型
のエミッタ領域の異常拡散によりベース深きが小さくな
らないようにしてもよい、寸だ、本発明は上記実Ｍｌｉ
例の如くＩＩ ｐ ｎ型パイｙｌｅ−ラＩＣの製造のみ
に限らず、Ｉ２Ｌ′Ｊｅこも同様に適用できる。
以上詳述した如く、本発明によればフィールド酸化膜の
形成＋１．’「にその側面にベースの一部となる不純物
層を形成することによっ１、コレクターエミッタ間の面
ｊ１上を向上でき、ひいては高信頼性のパイ、＋９−ラ
型半２ｊ、’Ｊ体集積回路を高、！Ｊヌ留りで製造でき
る等顕著な効↓１こを有する。
形成＋１．’「にその側面にベースの一部となる不純物
層を形成することによっ１、コレクターエミッタ間の面
ｊ１上を向上でき、ひいては高信頼性のパイ、＋９−ラ
型半２ｊ、’Ｊ体集積回路を高、！Ｊヌ留りで製造でき
る等顕著な効↓１こを有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＦ； ＣＬを示ず’１Ｌ−ｉｉ’ｉｉ図
、第２図は第１図のＩＩ −ＩＩ線に沿う［す１面図、
第３図は第１は１のＩｌｌ −Ｉｌｌ線に白う断面図、
第４図は従来のＩＤＣＬの問題点を説明する／ζめの１
（〕１而１膜犯５図（１１）〜（ｆ）ｉｌ、ｌ：本発明
の実施例におりるＦｏｃｉ、に用いられる＋１ｐ ｎ
へ’ｊパイ、＋５−ラトランジスタの製Ｊ貨工１呈を示
す１ＩＪｉ面図、第６図は第５図（ｆ）の平面図、第７
図は第ＯしＪＯ）シＩＩ−■ｌ ｉ線に沿う断面図であ
る。 ２ノ・・・ｐ型シリコン基板、２２ ・＋１ ”埋込み
層、２．７・・・ｎ型シリコンＪ＆ 、２６１ 、２
６２・・・シリコン審化膜パターン、２Ｂ’、２８’・
・・ｐ型拡散層、２９・・・フィールド酸化ｊ良、３０
．．３０．・・・高部、３３・・・１）型内部ベース領
域、３４・・βｌ−４１；Ｊ、外部ペース領域、Ｊ６１
．、．７１５□・・・１１型多ｒｒ＋′３品シリコンパ
ターン、３７・・・ｎ 型エミッタ＋」ｌＪ ＬＲ１３
８・・・＋ｉ’−″−型コレクタ取出し１「１域、４１
〜４，７・・・Ａｔ電極。 出願人代理人 弁理士 釦 江 武 ｇ第 １ 図 ＩＩ １’Ｄ 笛 ６ 図 館 ７ 図
、第２図は第１図のＩＩ −ＩＩ線に沿う［す１面図、
第３図は第１は１のＩｌｌ −Ｉｌｌ線に白う断面図、
第４図は従来のＩＤＣＬの問題点を説明する／ζめの１
（〕１而１膜犯５図（１１）〜（ｆ）ｉｌ、ｌ：本発明
の実施例におりるＦｏｃｉ、に用いられる＋１ｐ ｎ
へ’ｊパイ、＋５−ラトランジスタの製Ｊ貨工１呈を示
す１ＩＪｉ面図、第６図は第５図（ｆ）の平面図、第７
図は第ＯしＪＯ）シＩＩ−■ｌ ｉ線に沿う断面図であ
る。 ２ノ・・・ｐ型シリコン基板、２２ ・＋１ ”埋込み
層、２．７・・・ｎ型シリコンＪ＆ 、２６１ 、２
６２・・・シリコン審化膜パターン、２Ｂ’、２８’・
・・ｐ型拡散層、２９・・・フィールド酸化ｊ良、３０
．．３０．・・・高部、３３・・・１）型内部ベース領
域、３４・・βｌ−４１；Ｊ、外部ペース領域、Ｊ６１
．、．７１５□・・・１１型多ｒｒ＋′３品シリコンパ
ターン、３７・・・ｎ 型エミッタ＋」ｌＪ ＬＲ１３
８・・・＋ｉ’−″−型コレクタ取出し１「１域、４１
〜４，７・・・Ａｔ電極。 出願人代理人 弁理士 釦 江 武 ｇ第 １ 図 ＩＩ １’Ｄ 笛 ６ 図 館 ７ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （リフイールド酸化膜によ部分＾ＩＬされた２つの高部
から々る素子形べ領域を有する第１導電型半導体層と、
この半導体層の一方の高部表面に設けられた第２導電型
半導体領域と、この半導体領域に略平行する２側面が前
記フィールド酸化膜に接するように設けられた高濃度の
第１導電型半導体領域とを備えた半導体層Ａ′ｌ′（回
路の製造において、第１導電型の半導体層の素子形成予
定部に耐酸化性マスク利を選択的に形成する工程と、こ
のマスク拐を用いて半導体層に第２２淳電型の不純物を
ドーピングした後、該マスタ月を用い゛Ｃ半導体層の表
面層を選択的にエツチング除去して該エツチング側面に
第２導電型の不純物層を一部残存させる工程と、ｂＩＪ
記而ｊ面化性マスク利を用いてｎｉＪ記半導体層を選択
酸化してフィールド酸化膜を形成し半導体層に高部から
なる素子形成“領域を形成すると共に、該フィールド酸
化膜の側面に前記第２導電型の不純物層を形成する工程
とを具備したことを特徴とする半導体集積回路の製造方
法。 Ｑ）耐酸化性−スフ４Ｊを用いて半導体層の表層部分を
異方性エツチングによシ選択的に除去し、傾斜したエツ
チング側面に第２導電型の不純物層を一部残存せしめる
ことを特徴とする特￥１請求の（１・１゛１．四相１項
記載の半導体集積回路の製造方法。 ｅ）第１導電型の半導体層がｎ型エピタキシャル層で、
第２導電型の半導体層がｐ型ベース領域で、かつ高濃度
の第１導電型半導体領域かｎ型エミッタ領域もｌ、 ＜
はコレクタ領域で、第２導電型の不純物層がペースの一
部となるｐ型不純物層であることを特徴とする特ｆｒ請
求の範囲第１項記載の半導体集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13488082A JPS5925270A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 半導体集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13488082A JPS5925270A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 半導体集積回路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5925270A true JPS5925270A (ja) | 1984-02-09 |
Family
ID=15138654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13488082A Pending JPS5925270A (ja) | 1982-08-02 | 1982-08-02 | 半導体集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5925270A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980967A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62229969A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | 相補型半導体装置の製造方法 |
-
1982
- 1982-08-02 JP JP13488082A patent/JPS5925270A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5980967A (ja) * | 1982-11-01 | 1984-05-10 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS62229969A (ja) * | 1986-03-31 | 1987-10-08 | Toshiba Corp | 相補型半導体装置の製造方法 |
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