JPS5924963A - 情報信号再生用針の研摩基材 - Google Patents
情報信号再生用針の研摩基材Info
- Publication number
- JPS5924963A JPS5924963A JP13025582A JP13025582A JPS5924963A JP S5924963 A JPS5924963 A JP S5924963A JP 13025582 A JP13025582 A JP 13025582A JP 13025582 A JP13025582 A JP 13025582A JP S5924963 A JPS5924963 A JP S5924963A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- groove
- needle
- plate
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D18/00—Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、静電容量式情報ディスクに記録された情報
を再生するための電極針等の先端を所定形状に研摩する
ための情報信号再生用針の研摩基材に関する。
を再生するための電極針等の先端を所定形状に研摩する
ための情報信号再生用針の研摩基材に関する。
近年、各種の方式のビデオディスクやオーディオディス
ク（以下情報ディスクと称する）の開発が進み実用段階
に達しているが、その一方式として静電容量式がおる。
ク（以下情報ディスクと称する）の開発が進み実用段階
に達しているが、その一方式として静電容量式がおる。
この方式はビデオ信月等の情報を導電性を有するディス
クに凹凸の形で記録し、再生はこのディスク上を相対的
に移動する電極針によってディスク上の凹凸による静電
容量の変化を検出することにより行なうものである。こ
の場合、電極針としては第１図に示すようにダイヤモン
ドやサファイヤなどの高硬度の材料からなる針状の絶縁
性基体１の側面に静電容量検出用の金属膜２あるいは誘
電体膜を被着したものが用いられる。
クに凹凸の形で記録し、再生はこのディスク上を相対的
に移動する電極針によってディスク上の凹凸による静電
容量の変化を検出することにより行なうものである。こ
の場合、電極針としては第１図に示すようにダイヤモン
ドやサファイヤなどの高硬度の材料からなる針状の絶縁
性基体１の側面に静電容量検出用の金属膜２あるいは誘
電体膜を被着したものが用いられる。
ところで、静電容量式情報ディスクには、再生時におけ
る電極針のドラッギング方式に関して、ディスク表面に
記録トラックに沿ってトラッキング用の案内溝を設け、
これに沿って電極針を走行させる方式と、トラッキング
用信号を記録しておき、電気的なサーボ制御によって電
極針の位散を制御する方式とがある。ここで前者の案内
晶を設ける方式では、電極針が溝ケトレースする関４ｆ
で摩耗が問題となる。このため、電極１１としては第１
図に示すように先端部３を船底と同様な細長い形状（キ
ール状）に加工したものを使用することが横１されてい
る。この場合、キール状に加工された先端部の寸法は幅
ａが２〜３μ、長さｂが３〜５μ程度という極めて小さ
いものであり、その加工には細心の注意が必要である。
る電極針のドラッギング方式に関して、ディスク表面に
記録トラックに沿ってトラッキング用の案内溝を設け、
これに沿って電極針を走行させる方式と、トラッキング
用信号を記録しておき、電気的なサーボ制御によって電
極針の位散を制御する方式とがある。ここで前者の案内
晶を設ける方式では、電極針が溝ケトレースする関４ｆ
で摩耗が問題となる。このため、電極１１としては第１
図に示すように先端部３を船底と同様な細長い形状（キ
ール状）に加工したものを使用することが横１されてい
る。この場合、キール状に加工された先端部の寸法は幅
ａが２〜３μ、長さｂが３〜５μ程度という極めて小さ
いものであり、その加工には細心の注意が必要である。
従来、電極針の先端をこのような形状に加工するための
手段として、ラッカー盤または金属盤にダイヤモンド等
のカッターで溝を機械的に切削してこれにダイヤモンド
ダス）６るいは５ｉ０２．７ｖ！ｔＯ％、ＷＣ等の微粉
末塗布したもの（これを針研摩盤という）が用いられて
いる。すなわち、第２図に示すように溝２２を例えばら
せん状若しくは同心円状に形成した針研摩盤２１を用意
し、これを回転させて電極針１の先端を溝２２に沿って
走行させることで研摩してゆくことにより、キール状に
力ｌ工するものである。しかしながら、従来の針ω１〜
盤の製造方法は、研摩のための溝を１枚１枚機械的に切
削するというものであるため量産が困離であり、延いて
は電極針の製造コストの上昇の原因ともなっていた。
手段として、ラッカー盤または金属盤にダイヤモンド等
のカッターで溝を機械的に切削してこれにダイヤモンド
ダス）６るいは５ｉ０２．７ｖ！ｔＯ％、ＷＣ等の微粉
末塗布したもの（これを針研摩盤という）が用いられて
いる。すなわち、第２図に示すように溝２２を例えばら
せん状若しくは同心円状に形成した針研摩盤２１を用意
し、これを回転させて電極針１の先端を溝２２に沿って
走行させることで研摩してゆくことにより、キール状に
力ｌ工するものである。しかしながら、従来の針ω１〜
盤の製造方法は、研摩のための溝を１枚１枚機械的に切
削するというものであるため量産が困離であり、延いて
は電極針の製造コストの上昇の原因ともなっていた。
そこで、このような針？υｆ Ｂｉ”Ｍ”を量産する方
法として、ガラス板等の表■１にフォトレジスト層を形
成し、これにレーザビーム等のエネルギービームで溝を
カッティングしたものを原ｒＨどしてメッキ法によりタ
ンパを作製し、ＩＪ縮成型、射出成型、注入成型等によ
って大量の複製針研摩盤を成型する方法が考えられてい
る。この際釧研摩盤の形状はディスクのみに限定されず
テープ状、ドラム形状、板状等も可能である。これら複
製盤の素材としては有機高分子材料が主に用いられる。
法として、ガラス板等の表■１にフォトレジスト層を形
成し、これにレーザビーム等のエネルギービームで溝を
カッティングしたものを原ｒＨどしてメッキ法によりタ
ンパを作製し、ＩＪ縮成型、射出成型、注入成型等によ
って大量の複製針研摩盤を成型する方法が考えられてい
る。この際釧研摩盤の形状はディスクのみに限定されず
テープ状、ドラム形状、板状等も可能である。これら複
製盤の素材としては有機高分子材料が主に用いられる。
例えばＰＶＣ（ポリ塩化ビニール） 、ＰＭＭＡ（ポリ
メタクリル酸）、ＰＳ（ポリスチレン） 、ＰＣ（ポリ
カーボネート）、ＰＶＡＣ（ポリ酢酸ビニール） 、Ｐ
Ｅ （ポリエチレン）、ＰＯＭ （ポリアセタール）
、ＰＰ （ポリプロピレン）、ポリスルフォンなどの樹
脂、あるいはこれらの混合系としてのＰＶＣ−ＰＶＡＣ
、Ｉ’ＶＣ−ＰＥ、 ＰＶＣ−ヒ＝−ｙスｆ−ｆ （ｙ
−）、ＰＶＣ−ＰＭＭＡエステル、ＰＶＣ−ＰＰ等の
ポリマーや、ＡＳ（アクリルニトリルスチレン） 、Ａ
１３Ｓ （アクリルニトリル、プタジエ／、スチレン）
等の２ポリマーその他の有機高分子材料を主成分として
形成され、さらに必要に応じ硬化剤として例えはカーボ
ン、セラミックの微粒粉（）Ｌｌ、Ｏ，，５１０２，８
ｉＣ，Ｓｉ、Ｎ４ ’４ ）あるいは金属の微粒粉を混
練りしたものである。
メタクリル酸）、ＰＳ（ポリスチレン） 、ＰＣ（ポリ
カーボネート）、ＰＶＡＣ（ポリ酢酸ビニール） 、Ｐ
Ｅ （ポリエチレン）、ＰＯＭ （ポリアセタール）
、ＰＰ （ポリプロピレン）、ポリスルフォンなどの樹
脂、あるいはこれらの混合系としてのＰＶＣ−ＰＶＡＣ
、Ｉ’ＶＣ−ＰＥ、 ＰＶＣ−ヒ＝−ｙスｆ−ｆ （ｙ
−）、ＰＶＣ−ＰＭＭＡエステル、ＰＶＣ−ＰＰ等の
ポリマーや、ＡＳ（アクリルニトリルスチレン） 、Ａ
１３Ｓ （アクリルニトリル、プタジエ／、スチレン）
等の２ポリマーその他の有機高分子材料を主成分として
形成され、さらに必要に応じ硬化剤として例えはカーボ
ン、セラミックの微粒粉（）Ｌｌ、Ｏ，，５１０２，８
ｉＣ，Ｓｉ、Ｎ４ ’４ ）あるいは金属の微粒粉を混
練りしたものである。
これらの要素、工程で作られた場合の問題点は、ラッカ
ー盤のような場合は精度の高いキール盤が形成されにく
いこと、量産性に欠けること、研摩効率が悪いことなど
の欠点があり、ガラス盤を使用しての複製盤では量産性
、精度ともに高いが、研摩効率が悪いことが問題点であ
る。
ー盤のような場合は精度の高いキール盤が形成されにく
いこと、量産性に欠けること、研摩効率が悪いことなど
の欠点があり、ガラス盤を使用しての複製盤では量産性
、精度ともに高いが、研摩効率が悪いことが問題点であ
る。
この発明の目的は、研摩加工能率、即ち針の先端を所望
の形状にするに要する研摩時間の短縮と基材の寿命特性
を大幅に向上させ得る情報信号再生用針の研摩基材を提
供することである。
の形状にするに要する研摩時間の短縮と基材の寿命特性
を大幅に向上させ得る情報信号再生用針の研摩基材を提
供することである。
この発明に係る情報信号再生用針の研摩層相は、電極針
の先端をキール状等の所定形状に加工するための溝を表
向に形成した有機高分子材料を主成分とする基盤上に、
高硬度セラミック利の破膜を形成したもので、このセラ
ミック被膜は高融点酸化物被膜から成るものでおる。ま
たこれらセラミック被膜は主にプラズマＣＶＩ）に代表
される低温薄膜形成技術によって所望のものか併られる
。
の先端をキール状等の所定形状に加工するための溝を表
向に形成した有機高分子材料を主成分とする基盤上に、
高硬度セラミック利の破膜を形成したもので、このセラ
ミック被膜は高融点酸化物被膜から成るものでおる。ま
たこれらセラミック被膜は主にプラズマＣＶＩ）に代表
される低温薄膜形成技術によって所望のものか併られる
。
このような酸化物被膜を形成した針研ν用層相は、５１
０７、Ａ７１Ｏ，、ＷＣなどの微粉を塗布した従来の基
材に比べ研摩ムラがなく研摩速度は５倍以上速くなりま
たその寿命も３〜１０倍程度にまで伸びることが確認さ
れた。また針の品質管理上にも有効であり、歩留りも大
幅に改善された。
０７、Ａ７１Ｏ，、ＷＣなどの微粉を塗布した従来の基
材に比べ研摩ムラがなく研摩速度は５倍以上速くなりま
たその寿命も３〜１０倍程度にまで伸びることが確認さ
れた。また針の品質管理上にも有効であり、歩留りも大
幅に改善された。
第３図はこの発明に係る釧研厚用基材の製造工程の一例
を示したものである。まず、第３図（ａ）に示すように
ガラス板３１上にクロム等の金属材料からなるあるいは
シリコーン樹脂糸の表面処理１−３２を必要に応じ形成
した後、フォトレジスト層３３をスピナー等により例え
ば４〜５μ程度の厚さに塗布する。そして全体を回転さ
せながら、レーザービームや電子ビーム、イオンビーム
のようなエネルギービーム３４をフォトレジスト層３３
に照射し、らせん状あるいは同心円状あるいは平行な直
線状に卜光した後、現像を行ない、さらにアフターベー
クを行なって定着し、第３図＜ｂ）に示すようにフォト
レジスト層３３にらせん状あるいは同心円状あるいは直
線状の溝３５を形成する。これまでが原盤の作製工程で
ある。
を示したものである。まず、第３図（ａ）に示すように
ガラス板３１上にクロム等の金属材料からなるあるいは
シリコーン樹脂糸の表面処理１−３２を必要に応じ形成
した後、フォトレジスト層３３をスピナー等により例え
ば４〜５μ程度の厚さに塗布する。そして全体を回転さ
せながら、レーザービームや電子ビーム、イオンビーム
のようなエネルギービーム３４をフォトレジスト層３３
に照射し、らせん状あるいは同心円状あるいは平行な直
線状に卜光した後、現像を行ない、さらにアフターベー
クを行なって定着し、第３図＜ｂ）に示すようにフォト
レジスト層３３にらせん状あるいは同心円状あるいは直
線状の溝３５を形成する。これまでが原盤の作製工程で
ある。
次に、この原盤の上に第３図（Ｃ）に示す如く例えばニ
ッケルメッキを所定厚さに行なって、原盤に対し反転し
たパターンを持つマスク盤３６を作製する。次に、この
マスク盤３６を剥離してその表面にメッキを行なって第
３図（ｄ）に示すような原盤と同様なパターンを持った
マザー盤３７を作製し、さらにこのマザー盤３７にメッ
キを行なって第３図（ｅ）に示すようなマスク盤３６と
同様なスタンノ＜３８を作製する。
ッケルメッキを所定厚さに行なって、原盤に対し反転し
たパターンを持つマスク盤３６を作製する。次に、この
マスク盤３６を剥離してその表面にメッキを行なって第
３図（ｄ）に示すような原盤と同様なパターンを持った
マザー盤３７を作製し、さらにこのマザー盤３７にメッ
キを行なって第３図（ｅ）に示すようなマスク盤３６と
同様なスタンノ＜３８を作製する。
そして、スタンバ３８を用いてプレスあるいはインジェ
クション、キャスティング、フォトボリメリゼーション
（２−Ｐ）等の方法により第３図（ｆ）に示すような原
盤と同様々溝３９を有する基ＩＭ４０を成型し、次いで
この基盤４０の表面に酸化物被膜４１を形成する。
クション、キャスティング、フォトボリメリゼーション
（２−Ｐ）等の方法により第３図（ｆ）に示すような原
盤と同様々溝３９を有する基ＩＭ４０を成型し、次いで
この基盤４０の表面に酸化物被膜４１を形成する。
酸化物被膜は、Ｂｅ １ｈｉｇ 、 Ｃａ１Ｓｒ、 Ｂ
ａの少なくとも１和と８ｎ１Ｐｂ、 Ｐ、 Ａｓ１Ｓｔ
）、 １３ｉ、ｂｅｄ ’１ｅ１Ｖ、Ｈｆの少なくとも
１種とから成る金員酸化物である。
ａの少なくとも１和と８ｎ１Ｐｂ、 Ｐ、 Ａｓ１Ｓｔ
）、 １３ｉ、ｂｅｄ ’１ｅ１Ｖ、Ｈｆの少なくとも
１種とから成る金員酸化物である。
第４図は酸化物被膜４１の形成に用いる低温イオンスパ
ッタリング装置の構成を示すもので、チャンバー４２内
に例えば第１のガス尋人部４３よ＋） ／−ロゲン化ガ
ス、或いはトリメチル系有機金属をキャリアガス（Ｈ，
、Ｎ１、Ａｒ等）に乗せて導入し、第２のガス導入部４
４より酸累（０□、Ｎ、０、Ｎｏ等）を同様に導入する
。そして、電極４５．４６間に電圧を印加して、チャン
バー４２内のＡｌｏ（アルゴン）ガスをイオン放電させ
て、或いは光分解によ１ハこれら導入ガスを極めて低温
で反応させ所望酸化物被膜をターゲット４７に吸着させ
、これｉＡｒイオンでスパックして、第３図（ｆ）に示
したように満３９を有する基盤４０上に、酸化物被膜４
１として形成する。４８は〃ス排出部である。
ッタリング装置の構成を示すもので、チャンバー４２内
に例えば第１のガス尋人部４３よ＋） ／−ロゲン化ガ
ス、或いはトリメチル系有機金属をキャリアガス（Ｈ，
、Ｎ１、Ａｒ等）に乗せて導入し、第２のガス導入部４
４より酸累（０□、Ｎ、０、Ｎｏ等）を同様に導入する
。そして、電極４５．４６間に電圧を印加して、チャン
バー４２内のＡｌｏ（アルゴン）ガスをイオン放電させ
て、或いは光分解によ１ハこれら導入ガスを極めて低温
で反応させ所望酸化物被膜をターゲット４７に吸着させ
、これｉＡｒイオンでスパックして、第３図（ｆ）に示
したように満３９を有する基盤４０上に、酸化物被膜４
１として形成する。４８は〃ス排出部である。
これらの被膜はキール溝の表面に２０００〜３０００人
程度（高々５０００八まで）形成する。これにダイヤモ
ンド針の先端が第２図にあるように接触し、摩擦によっ
て研摩されることが大きな要因と考えられる。摩擦によ
って、破砕される部分を厚擦熱によって反応することが
考えられる。従ってダイヤモンドの燃焼あるいは膨張に
よる歪の発生を伴うに充分に耐える程度の酸化物被膜が
望ましい。
程度（高々５０００八まで）形成する。これにダイヤモ
ンド針の先端が第２図にあるように接触し、摩擦によっ
て研摩されることが大きな要因と考えられる。摩擦によ
って、破砕される部分を厚擦熱によって反応することが
考えられる。従ってダイヤモンドの燃焼あるいは膨張に
よる歪の発生を伴うに充分に耐える程度の酸化物被膜が
望ましい。
これらの要因から本発明では、尚融点アルカリ土類金属
酸化物を主体に、これだけでは燃焼が起こりにくい、即
ちｈＪｉ Ｍ効果が小さいので二成分系以上にすること
により、所望の要因を満たすことが可能となった。
酸化物を主体に、これだけでは燃焼が起こりにくい、即
ちｈＪｉ Ｍ効果が小さいので二成分系以上にすること
により、所望の要因を満たすことが可能となった。
以下本発明を具体的な実施例について説明する。
実施例（１）
ＣａＯ−Ｐ、０．被膜形成の例を示す。ディスク（盤）
はｐｖｅ （ポリ塩化ビニール）の圧縮成型したものを
用い、上記に説明した如く光分解−プラズマＣ’ＶＤ装
置により、極めて低温で被膜形成を行なった。Ｃａ源と
して、Ｃａ （Ｃ）ｌｘ）ｓ を同じくＰ源とじて（Ｃ
Ｉ、）、 ＰＨ（ジメチルントスフィン）を月ｊい１：
１〜３：１のモル比で導入し、水録ランプの光で分解し
、酸拓ｌｌ！Ｊｊとして用いたＮ ２０ガスを用い、極
めて低い温匿でＣａ（１−Ｐ、０．の被膜、形成を行な
った。
はｐｖｅ （ポリ塩化ビニール）の圧縮成型したものを
用い、上記に説明した如く光分解−プラズマＣ’ＶＤ装
置により、極めて低温で被膜形成を行なった。Ｃａ源と
して、Ｃａ （Ｃ）ｌｘ）ｓ を同じくＰ源とじて（Ｃ
Ｉ、）、 ＰＨ（ジメチルントスフィン）を月ｊい１：
１〜３：１のモル比で導入し、水録ランプの光で分解し
、酸拓ｌｌ！Ｊｊとして用いたＮ ２０ガスを用い、極
めて低い温匿でＣａ（１−Ｐ、０．の被膜、形成を行な
った。
このようにして製作したディスクでＩｒｉ ６Ｊｔ Ｊ
！−ｉ（時間は従来タイプ（研貼剤塗布力式）に比べて
約３倍以上の効率が上がり、盤の寿命特性も約５倍以上
向上した。
！−ｉ（時間は従来タイプ（研貼剤塗布力式）に比べて
約３倍以上の効率が上がり、盤の寿命特性も約５倍以上
向上した。
実施例（２）
実施例（１）と同様にしてＣａＯ−８ｎＯ，系の例を示
す。
す。
Ｃａ ＃とじては（ＣＨｓ）、ＣａをＳｎ ｍｉ：とし
ては（ＣＨ，）、Ｓｎ（あるいは（Ｃ１Ｉ（、）、 Ｓ
ｎをその他（ＣＨ，） 、Ｓｎ Ｃ１あるいは（ＣＨｓ
） 、 ８ｎ Ｆ”々ど多々ある）を同様に光分解し、
実施例（１）と同様に被膜を生成した。こりようにして
製作したディスクでは研摩時間は従来方式に比べて効率
で約３倍、寿命で４侘以上であった。
ては（ＣＨ，）、Ｓｎ（あるいは（Ｃ１Ｉ（、）、 Ｓ
ｎをその他（ＣＨ，） 、Ｓｎ Ｃ１あるいは（ＣＨｓ
） 、 ８ｎ Ｆ”々ど多々ある）を同様に光分解し、
実施例（１）と同様に被膜を生成した。こりようにして
製作したディスクでは研摩時間は従来方式に比べて効率
で約３倍、寿命で４侘以上であった。
実施例（３）
ＭｇＯ−ＴｅＯの例を示す。実施例（１）、（２）と同
様に行いＭｇ ｉｆｆ、としてＣ１（、Ｍｇ ＢｒをＴ
ｅ ｌＢｉとしてはＣ’Ｈ，Ｔｅｌ３を用い、これを光
分解し実施例（１）、（２）と同様に、被膜形成を行力
った。このようにし、て作成したディスクの研摩時間は
従来方式に比べて効率で約２倍、寿命で４倍以上であっ
た。
様に行いＭｇ ｉｆｆ、としてＣ１（、Ｍｇ ＢｒをＴ
ｅ ｌＢｉとしてはＣ’Ｈ，Ｔｅｌ３を用い、これを光
分解し実施例（１）、（２）と同様に、被膜形成を行力
った。このようにし、て作成したディスクの研摩時間は
従来方式に比べて効率で約２倍、寿命で４倍以上であっ
た。
実施例（４）
上記実施例と同様にｈ４ｇｏ −ｖ２ｏ、の場合では萌
摩効串が従来例の平均４倍以上、寿命將性で平均５倍以
上であった。
摩効串が従来例の平均４倍以上、寿命將性で平均５倍以
上であった。
以上の如く特にダイヤモンド記録再生釦の研摩加工にお
いて、これの研摩過程に対して破砕による研削（摩）に
ル・擦熱による燃焼を加味した酸化物被服形成により、
効率の高い研摩加工か可能となった。本発明に基づく方
法は、例示した形状のみに適用されるものでなく、例え
は■迫力式の再生釦等にも充分活用できるものであり、
特にダイヤモンド基利に対しての研摩加工に最適である
。
いて、これの研摩過程に対して破砕による研削（摩）に
ル・擦熱による燃焼を加味した酸化物被服形成により、
効率の高い研摩加工か可能となった。本発明に基づく方
法は、例示した形状のみに適用されるものでなく、例え
は■迫力式の再生釦等にも充分活用できるものであり、
特にダイヤモンド基利に対しての研摩加工に最適である
。
第１図は案内溝付き静電容量式情報ディスクの再生に用
いられる電極針の先端形状を示す図、第２図は上記電極
針の先喘をキール状に加工する方法を説明するための図
、第３図はこの発明の情報信号再生用の０１摩基材の実
施例を製造工程順に説明するための図、第４図は本発明
において酸化物被膜を低温イオンスパッタリング法によ
り形成するための装置の概略構成を示す図である。 １・・針状絶縁性基体、２ ・金属膜、２１・・針研摩
用ディスク、２２・・・溝、３１・・ガラス板、３２・
表面処理層、３３・・・フオトレジス） ７Ｇ １．３
４・・エネルギービーム、３５・・・溝、Ｉ・・・マス
ク盤、３７・・マザー盤、３８・・・スタンパ、３９・
・・溝、４０・・・基盤、４１・・・化合物被Ｂ！。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第１図 第２図 ３り （ｔ
いられる電極針の先端形状を示す図、第２図は上記電極
針の先喘をキール状に加工する方法を説明するための図
、第３図はこの発明の情報信号再生用の０１摩基材の実
施例を製造工程順に説明するための図、第４図は本発明
において酸化物被膜を低温イオンスパッタリング法によ
り形成するための装置の概略構成を示す図である。 １・・針状絶縁性基体、２ ・金属膜、２１・・針研摩
用ディスク、２２・・・溝、３１・・ガラス板、３２・
表面処理層、３３・・・フオトレジス） ７Ｇ １．３
４・・エネルギービーム、３５・・・溝、Ｉ・・・マス
ク盤、３７・・マザー盤、３８・・・スタンパ、３９・
・・溝、４０・・・基盤、４１・・・化合物被Ｂ！。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 （ほか１名）第１図 第２図 ３り （ｔ
Claims (1)
- （１）電極針の先端を所定形状に研摩するための溝を有
する針研摩用ディスクにおいて、溝を表面に形成した有
機高分子材料を主成分とする基盤上の少なくとも前記溝
表面に、Ｂｅ、 Ｍｇ１Ｃａ１８ｒ、Ｂａの少なくとも
１種とＳｎ、 ｐｂｌｐ、 Ａｓ１Ｓｂ、 Ｂｉ、Ｓｅ
。 Ｔｅ １Ｖ、 Ｈｆの少なくとも１種とからなる金属酸
化物被膜を形成してなることを特徴とする情報信号再生
用針の研摩基材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13025582A JPS5924963A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 情報信号再生用針の研摩基材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13025582A JPS5924963A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 情報信号再生用針の研摩基材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5924963A true JPS5924963A (ja) | 1984-02-08 |
Family
ID=15029876
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13025582A Pending JPS5924963A (ja) | 1982-07-28 | 1982-07-28 | 情報信号再生用針の研摩基材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5924963A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999058299A1 (en) * | 1998-05-08 | 1999-11-18 | Norton Company | Abrasive grinding tools with hydrated and nonhalogenated inorganic grinding aids |
-
1982
- 1982-07-28 JP JP13025582A patent/JPS5924963A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US6251149B1 (en) | 1998-05-08 | 2001-06-26 | Norton Company | Abrasive grinding tools with hydrated and nonhalogenated inorganic grinding aids |
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