JPS5845098B2 - 静電容量値の変化検出型再生素子の再生針の製作方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 情報信号と対応するピットが渦巻状あるいは同心円状に
配列されることによって形成された記録跡を備えている
情報記録媒体円盤（ディスク）における記録跡上に再生
素子（ピックアップ）の再生針を摺接し、記録跡中の情
報信号の状態に従って生じる静電容量値の変化を電気量
の変化として検出することにより、ディスクに高密度で
記録されている情報信号を再生するようにしたいわゆる
静電容量値の変化検出型の情報記録再生方式は、ディス
クにおける記録跡中の情報信号の読取りが、再生針に設
けた電極によって静電容量値の変化の検出によって行な
われるから、前記した再生針に設ける電極の厚さ寸法を
情報信号と対応するピットの長さく記録跡が延びている
方向におけるピットの大きさ）寸法に比べて充分に小さ
くして分解能を高めることができ、したがって、ディス
クの回転数を低くしても情報信号の記録再生が可能とな
るという特長を有する他に、例えばディスクに記録され
た情報信号の読取りを光学的に行なうようにした光学的
な情報記録再生方式に比べて、いわゆるフォーカス・サ
ーボ系が不要であって再生系の構成が簡単になる、その
他多くの利点を有するために、その実用化研究が推進さ
れて来ているのである。

ところで、情報信号が高密度記録されているディスクは
、記録跡間隔（トラックピッチ）が小さく、かつ、ディ
スク面上での記録波長が著るしく短いものとなされてい
るから、ディスクからの情報信号の読出しに使用される
再生素子の再生針は、その先端部の形状寸法が微細なも
のであり、また、ディスクは高い回転数で回転している
から、ディスクと摺接して使用される再生針は、それが
摩耗によって使用に耐えなくなる迄の時間（寿命時間）
が著るしく短いものとなる。

本出願人会社では、長期間の使用によっても良好な再生
結果が得られるような再生針を提供するべ〈従来から引
続いて研究を重ねて来ており、今迄にも、例えば特願昭
５１−１３７２１６号、特願昭５２−２００６５号、特
願昭５２−２２７６４号、その他において研究成果を明
らかにして来ている。

さて、第１図ｄ図及び第２図り図は、それぞれ上記した
既提案の再生針の内の代表例のものの斜視図であって、
第１図ａ〜Ｃ図あるいは第２図ａ〜ｇ図はそれぞれ、前
記した第１図ｄ図あるいは第２図り図示の構成態様を有
する再生針の製作過程を示す図である。

まず、第１図ａ〜ｄ図を参照して第１図ｄ図示の構成態
様を有する再生針の製作過程や問題点の所在などの概略
について説明すると次のとおりである。

第１図ｄ図は再生針の素材となる耐摩耗性を有する高硬
度材料の細棒Ａであり、この細棒Ａは例えばサファイア
インゴットにスライス加工及び研磨加工（本明細書中で
はラッピング加工をも含めて研磨加工と記載している）
を施こして作られたものであり、完成された再生針にお
ける耐摩耗性を考慮して、特定な結晶軸方向に沿ってサ
ファイアインゴットから切り出されているものであり、
細棒Ａの横寸法１と縦寸法２とはそれぞれ完成時の再生
針の横寸法及び縦寸法となるようなものとされている。

前記した細棒Ａにおける面Ａａは、再生針における電極
材料が付着形成されるべき面であって、この面Ａａには
特にケミカルボリジングを行なって表面のスクラッチ等
が除去されている。

ケミカルボリジングは砥粒として２酸化シリコ／砥粒を
用いて行なうとよい。

前記の面Ａａがサファイア結晶のＣ面となされていると
、再生針における摺接面の耐摩耗性が向上する。

前記したサファイアの細棒Ａの面Ａａに＋ｉ、第１図す
図示のように電極材料の薄膜Ｂが被着形成される。

電極材料としては例えばタンタル、チタン、ハフニウム
などが使用できる。

電極材料の薄膜Ｂは、それの一部が完成品の再生針にお
ける電極部となされるものであるから、薄膜Ｂの厚さ３
は完成された再生針の電極部で必要とされる電極の厚さ
となるようにされる。

前記の薄膜Ｂは例えばスパッタリングの手段によって容
易にそれを形成させることが可能である。

第１図す図のように面Ａａに電極材料の薄膜Ｂが被着形
成された細棒は、次に第１図Ｃ図示のように、細棒Ａの
面Ａ と、その面Ａａに隣接する面とにわたって研磨加
工を施こして、面Ａａ上に頂角がθであるような電極部
４と、面Ａａの中心線５に対して対称な傾斜面６，７と
が形成されるようにする。

次に、第１図ｄ図示のように面Ａａの中心線５に対して
対称に傾斜面８，９を研磨加工によって形成して第１図
ｄ図示のように摺接面１０が５角形の再生針が完成する
。

第１図ｄ −ｄ図を参照して説明した製作法に従って作
られた再生針は、細棒Ａの面Ａａ上に形成される電極部
４の形状が研磨加工による傾斜面６゜７の形成と同時に
形成されるので、摺接面１０に現われる電極端部の巾が
再生針の摩耗によっても変化しないようにすることはで
きず、第１図ｄ図示の再生針では電極部４の巾が再生針
の摩耗に従って次第に大きくなって行（、再生針の摩耗
に従つてクロストークが増加するなどの再生特性の悪化
をもたらすのである。

再生針の摩耗によっても摺接面に現われる電極巾が一定
となるようにするためには、電極部４の先端付近におい
て一定巾の電極部が形成されるように、傾斜面６，７を
研磨加工によって形成するようにすればよいのであるが
、ディスクに対する情報信号の記録密度が高度化されて
、再生針の電極部４の電極巾が例えば０．８μｍ前後と
いうような微細な寸法のものとなされた場合には、前記
のような傾斜面６，７の研磨加工による形成と同時に一
定巾の電極が形成されるように加工を行なうことは非常
に困難であり、実用には適し難いのである。

また、第１図示の再生針の製作法において、所定の電極
巾が得られるようにすると共に、摺接面の長さと巾とが
それぞれ所定の大きさのものとなるようにするためには
、傾斜面６〜９に対する研磨量を制御することが必要と
されるから、第１図示の再生針の製作法は極めて生産性
に乏しいという欠点がある。

さらに、第１図ｄ図示の再生針では、電極部４の形成が
、既述のようにサファイアの細棒に対する研磨加工によ
る傾斜面の形成と同時に行なわれるのであるが、サファ
イアと電極材料とでは、両者間に極めて大きな硬度差や
熱膨張係数の差があり、また、電極巾が狭く付着面積が
少ないために、電極部の縁部に欠けや剥離、及び電極部
の側面にだれなどが生じることがある。

第１図ａ −ｄ図について説明した再生針の製作法に従
って作られた再生針における諸問題点を解決するために
、従来第２図り図示のような再生針が提案された。

第２図ａ−ｈ図は、第２図り図示のような構成を有する
再生針の製作過程を示すための斜視図であって、第２図
ａ図は再生針の素材となる耐摩耗性を有する高硬度材料
の薄板Ｄ（例えばサファイアの薄板Ｄ）である。

サファイアの薄板りにおける電極材料が付着されるべき
面Ｄａに対しては極めて良好にポリシング加工が施こさ
れる。

サファイアの薄板りは完成された再生針における摺接面
の耐摩耗性が良好なものとなるように、前記の面Ｄａが
サファイア結晶の０面となるようになされている。

また、サファイア薄板りの厚さは、完成された再生針の
厚み寸法（例えば０．２ ｍｍ ）に相当するようにな
されている。

第２図ａ図示のサファイア薄板りの面Ｄａ上には、光ビ
ームまたは電子ビーム等に感応するビーム感応剤（例え
ばフォトレジスト）の層１１が均一な厚さで付着される
（第２図す図）。

次に、電極部のパターンを有するマスク部材を用いて、
ビーム感応剤の層１１上に光ビームまたは電子ビームを
照射して、ビーム感応剤の層１１に電極部のパターンを
露光する。

第２図ｅ図にはビーム感応剤の層１１上に露光された１
個の電極部パターンだけが例示されているが、ビーム感
応剤の層１１には、露光時に使用されるマスク部材にお
けるパターンと対応する多数の電極部のパターンが同時
に露光されるのである。

露光されたビーム感応剤の層１１は現像処理によって、
電極部のパターンと対応する部分のビーム感応剤が除去
されることにより、その部分のサファイア薄板りの面Ｄ
ａが露出した状態となされる。

第２図ｄ図は、現像処理された後のビーム感応剤の層１
１の断面図（第２図ｅ図におけるＸ−Ｘ位置における断
面の一音目である。

第２図ｅ図は、例えばチタン、タンタル、ハフニウムの
ような電極材料をスタッタリング等の手段によって付着
させた状態を示す図であって、第２図ｅ図において、１
２は電極材料による付着層である。

第２図ｆ図は、ビーム感応剤の層１１及びその上に付着
されている電極材料を除去して、サファイアの薄板り上
に電極材料の付着層１２による電極部のパターンだけが
残された状態を示す断面図である。

次いで、サファイアの薄板りをスライスして、１個づつ
の電極部パターンが付着された状態、すなわち、第２図
ｇ図示のような形態の再生針の素材を得る。

次に、摺接面が２等辺三角形となるように第２図ｇ図示
の再生針の素材の両側面を斜めに研磨して、第２図り図
示のような構成態様を有する再生針とするものである。

第２図ａ −ｈ図を参照して説明した再生針は、サファ
イア薄板りに付着形成させる電極部の形状を、所定の電
極部パターンを備えたマスクパターンによるビーム感応
材の層１１に対するパターンニングによって定めること
ができるために、電極部として再生針の摩耗によっても
電極巾が変化しないような形状のものとすることが容易
であり、また、電極部の形成に際してサファイア薄板り
に対する研磨加工と同時に電極巾が定められるようにな
されている既述した第１図ａ−ｄ図示の再生針の製作方
法とは異なり、電極部の形成時にはサファイアの薄板り
に対する研磨加工が必要とはされないから、電極部の形
成時に電極部に欠けや剥離を生じさせることがなく、長
寿命の再生針を容易に得ることが可能となるが、この第
２図ａ −ｈ図に示す再生針の製作方法にも次のような
欠点がある。

すなわち、再生針を作る場合には母材料として細長棒状
材料を用いる方が好ましいのであるが、母材料が細長棒
状材料の場合に＋３それにビーム感応剤を均一に塗布す
ることが困難であり、また、マスクパターンをビーム感
応剤の層の表面に密着させることが難かしく、それによ
ってパターンの露光時にフォーカスずれが生じるから、
母材料として細長棒状材料を用いた場合には、ビーム感
応剤の層を母材料上に付着形成させるのに、スパッタリ
ング、あるいは蒸着等の手段を用い、かつ、パターンニ
ングを電子ビームまたはレーザで行なうことが必要とさ
れるから、それを実施するのに大掛りな設備が要求され
る他、使用されるべきビーム感応剤にも制限が加えられ
るということが問題となるために、母材料としては薄板
状のものを用いざるを得ないのであり、また、第２図ａ
−ｈ図示のような製作法による再生針の製作に当って
は、パターン現像処理とエツチング処理との２工程を経
て電極部の縁部が決定されるものであるから、電極部の
巾寸法にばらつきが生じたり、縁部にサイドエツチング
による凹凸が生じ易いなどの欠点がある。

本発明は、従来の再生針の製作法、及び、それに従って
製作された再生針に生じていた諸問題点のない再生針の
製作方法を提供することを目的としてなされたものであ
り、以下、本発明の再生針の製作方法の具体的な内容に
ついて詳細に説明する。

本発明の再生針の製作方法による再生針の製作は概路次
のような諸工程を経て得なわれる。

すなわち、本発明の再生針の製作方法は再生針本体とな
る耐摩耗性を有する高硬度材料の表面に、電極材料とな
る物質のエツチングレートよりもエツチングレートの高
い物質による薄膜を被着する工程と、所定の電極巾と対
応する先端巾寸法を有する高硬度材料製の刃物を用いて
、前記した再生針本体とよりなる耐摩耗性を有する高硬
度材料の表面に被着形成された薄膜における所定個所の
薄膜を切削除去して、その部分の高硬度材料表面を露出
させる工程と、前記の露出された高硬度材料の表面に所
定の電極厚さの電極材料層が付着形成されうるように電
極材料を付着させるよ程と、選択エツチングによって前
記した電極材料よりもエツチングレートの高い材料によ
る薄膜を除去する工程と、所定形状の再・生計となるよ
うに耐摩耗性を有する高硬度材料よりなる再生針本体を
研摩加工する工程とからなるものであり、本発明の再生
針の製作方法では、従来の既述したような再生針の製作
方法における諸問題点が生じないのである。

本発明の再生針の製作方法において再生針本体となる耐
摩耗性を有する高硬度材料としては、ダイヤモンド、サ
ファイアなどが使用できるが、以下の実施例の記載にお
いては、サファイアが使用されているものとして記述さ
れており、また、高硬度材料製の刃物としては、ダイヤ
モンド刃物が使用されるとしている。

さらに、本発明の再生針の製作方法において素材として
用いられる母材のサファイアは、それが薄板状のもので
あっても、あるいは細長棒状のものであってもよいので
ある。

また、母材のサファイアの面上に被着形成させるべき薄
膜の材料、すなわち、電極材料に比べてエツチングレー
トの高い材料としては、再生針本体に形成される電極部
の構成材料としてハフニウムが用いられた場合には、例
えば銅を用いることができ、以下の説明においては母材
のサファイアの面上には銅の薄膜が被着形成されるもの
とされている。

第３図は、ダイヤモンド刃物の一例構成を示す斜視図で
あって、この第３図において１３は刃先面、１４，１５
は開き角αを有するように形成された傾斜面、１６は２
等辺三角形状の底面である。

このダイヤモンド刃物は、例えば音響用再生針用の素材
として天然の８面体ダイヤモンドより８面体面１１１を
基準として約０．２ｍｍ角で長さが約１ｍ７ＩＬとなる
ように切出されたものを用いて作ることができる。

ダイヤモンド刃物は、その刃先面１３が充分に鏡面研磨
されており、傾斜面１４，１５によって稜線１７が形成
されるが、この稜線１７にはピッチングが生じないうな
に開き角αを選ぶ。

前記の開き角αは６００〜９０°程度に選ばれる。

底面１６は刃先面１３に対して所定の角度の面となるよ
うに研磨によって形成されるが、この底面１３の周囲の
各稜線にもチッピングが生じないようにする。

鏡面研磨された底面１６の前縁部１３ｅ（２等辺３角形
の底辺）と前縁部１３ｅの両端部などは、ダイヤモンド
刃物によってサファイア面に被着された薄膜の切削除去
作用に重要な役目を果す。

なお、傾斜面１４，１５と刃先面１３との境界をなす稜
線部分にもチッピング等の欠陥が存在しないようにする
ことが必要である。

第４図は、サファイア面上に被着形成されている薄膜を
、第３図示のような構成を有するダイヤモンド刃物によ
って切削除去している状態を説明する図であって、この
第４図においてＳはサファイアで作られた再生針本体で
あり、それの電極部の付着形成面上に被着形成された薄
膜（以下の説明では銅の薄膜であるとされている）は、
ダイヤモンド刃物の先端内と対応する巾で切削除去され
て、電極巾と対応する巾で再生針本体面が露出される。

電極部の付着形成面がサファイア結晶の０面となされて
いることは、摺接面の耐摩耗性の点から望ましいことは
既述したとおりである。

第４図において、ダイヤモンド刃物はシャンク１８に固
定され、刃物の底面１６が再生針本体Ｓの表面に密着す
るように位置決めされており、刃先面１３と再生針本体
Ｓの表面との間には適当なすくい角β（９００〜１３０
°程度）がとられていて、ダイヤモンド刃物が図中の矢
印１９の方向に適当な速度で進行されることによって再
生針本体に被着された銅の薄膜２０が上記のように切削
除去される。

それで、ダイヤモンド刃物における先端巾寸法、すなわ
ち、ダイヤモンド刃物の底面１６の前縁部１３ｅの長さ
を再生針ツ必要とされる電極巾寸法と等しくしておけば
、再生針本体Ｓに被着されている銅の薄膜がダイヤモン
ド刃物によって切削除去されることによって、再生針で
必要とされる電極巾に対応する巾の再生針本体面が露出
されることになるのである。

ダイヤモンド刃物による銅の薄膜の切削除去によっても
、再生針本体面の露出の状態が完全でないような場合、
あるいは、切削除去によって形成された溝の側壁の縁部
が鋭るどさを欠いているような状態の場合には、ダイヤ
モンド刃物による銅の薄膜に対する切削加工の後に、補
助的な後処理としてエツチング処理を行なってもよい。

上記のようにして再生針本体Ｓに被着形成されている銅
の薄膜の所定の個所に再生針における電極部の電極巾と
対応する巾の切削加工が施こされることによって、再生
針本体Ｓとなるサファイア面に電極部の電極巾と対応す
る巾を有する露出面が形成された後に、前記したサファ
イアの露出面上に、電極材料（例えばハフニウム）によ
る所定の電極厚さと対応する厚さの電極材料層を、例え
ばスパッタリング手段の適用によって形成させるのであ
るが、この場合に、サファイアの露出面に付着形成させ
るべき電極材料層の厚さは、以後の工程における選択エ
ツチング処理で生じる電極材料層の厚さの減少分をも加
味してお（とよい。

スパッタリングによる電極材料層のサファイア面への付
着時において、電極材料は銅の薄膜上も付着されるが、
この銅の薄膜上に付着した電極材料層は、選択エツチン
グによって銅の薄膜の除去が行なわれた時に除去できる
のであるが、選択エツチングの適用に先立って、銅の薄
膜上に付着されている電極材料層をポリシングクロスと
１／４μｍのダイヤモンド砥粒とを用いて除去しておく
とより一層良い結果が得られる。

また、電極材料層の付着形成に当ってマスク部材を用い
て所要の部分近傍だけに電極材料層が付着形成されるよ
うにすることは、銅の薄膜の除去を容易に行なうことが
できるという点で有効である。

上記のようにサファイア面上に電極部が付着形成された
状態のものは、素材のサファイアが薄板状のものの場合
は、スライス加工によって個々の再生針の素材となされ
た後に研磨加工により完成された再生針となされ、また
、素材のサファイアが細長棒状のものの場合には、切断
によって個々の再生針となされた後に研磨加工により完
成された再生針となされるものである。

次に、本発明の再生針の製作方法の一実施例を、素材と
してサファイアの細長棒状のものを用いた場合を例にと
って第５図ａ−ｆ図を参照しながら説明する。

第５図ａ図は、素材となる細長棒状のサファイアであり
、これは例えば周知のＥＦＧ法または帯域溶融法などに
よって容易に得られるものである。

まず、ＥＦＧ法によって細長棒状のサファイアを作る場
合に、結晶の引上げ方向をａ軸に一致させると、結晶の
成長パターンがａ軸とＣ軸とにおいて異なるために、ダ
イを円形にしても得られる細長棒状のサファイアは、そ
の断面形状が略々小判型となり、断面形状における長手
寸法側に平坦な０面が現われる。

このことは実験的にも確認されているところである。

また、帯域溶融法により細長棒状のサファイアを作る場
合には、成長方向外形線に沿って極めて一定な巾寸法を
有する０面が連続的に成長する。

第５図ａ図は上述のような方法で作られた細長棒状のサ
ファイアの斜視図であって、この第５図ａ図において、
２１は結晶の引上げ方向２５と直交する断面であって、
断面２１？形状は長軸２２に関して、その左右が略々対
称形をなしており、断面２１における長手方向寸法を２
３、短手方向寸法を２４とすると、ＥＦＧ法では２３が
０．２５ｍｍ、２４が０．２ ｍｍ程度であるようなサ
ファイア細長棒を円形のダイを用いて作ることができ、
また、帯域溶融法において成長条件を充分に管理した場
合には、２３が０１２ｍｍ、２４が０．１５ｍｍ以下と
なるようなサファイア細長棒を得ることができる。

上記した細長棒状サファイアを作る場合には、それの断
面２１の結晶方法を、ａ軸と引上げ方向２５とが極めて
精度良く一致した状態のものとしておくことが重要であ
る。

断面２１のａ軸と引上げの方向２５とが精度良く一致し
た状態において、断面２１は平坦な縁部２６，２７と、
円弧状縁部２８．２９とによって囲まれた形状を呈し、
前記の平坦な縁部２６，２７と対応する結晶引上げ方向
の面３０と対面（符号を付していない）とは結晶学的に
０面となり、Ｃ軸方向は図中の矢印３１の方向となって
いる。

したがって、上記の細長棒状サファイアを母材とし、そ
の面３０を電極部の付着形成面とし、矢印３１の方向を
ディスクとの相対運動方向とすることにより、摺接面と
して極めて高い耐摩耗性を有する再生針を得ることが容
易に出きる。

再生針本体Ｓとなる第５図ａ図示の細長棒状サファイア
（符号としてＳを使用する）には、その周面に電極材料
として使用される物質のエツチングレートよりもエツチ
ングレートの大きな物質による薄膜２０が被着される（
第５図す図）電極材料としてハフニウムが用いられる場
合における前記した薄膜の構成材料としては銅を用いる
のが好適である。

そして、細長棒状サファイアＳの局面に対する銅の薄膜
２０の付着は、例えばスパッタリング法あるいは蒸着法
の適用によって簡単に行なうことができる。

前記した細長棒状サファイアＳの周面に対する銅の薄膜
２０の付着範囲は、細長棒状サファイアＳの全周面であ
っても、あるいはその一部であってもよく、要するに、
完成された再生針における不必要な部分に対して電極材
料が付着されていない状態となされ得るような範囲であ
ればよい。

また、前記した銅の薄膜２０の厚さは適当でよく、かつ
、その被着時における厚さのコントロールを厳密に行な
う必要はない。

第５図す図示のように、局面に銅の薄膜２０が付着され
た細長棒状サファイアＳにおける銅の薄膜２０に対し、
既述した第３図示のようなダイヤモンド刃物によって切
削加工が行なわれる。

第５図Ｃ図には、ダイヤモンド刃物を用いて所定の電極
巾と対応する巾に銅の薄膜２０が切削除去された状態の
ものが示されている。

前記したダイヤモンド刃物によって切削除去された銅の
薄膜２０の除去部３２（第５図Ｃ図）は、再生針におい
てそれの摺接面に現われる電極端部における横巾と対応
するものである。

ダイヤモンド刃物による切削除去によりサファイアの表
面が良好な露出状態となされていない場合、及びまたは
切削除去部分における縁部が鋭るどくないような場合に
は、ダイヤモンド刃物による切削除去工程の後に後処理
としてエツチング処理を行なえばよい。

次に、第５図Ｃ図示の状態のものに、スパッタリングに
よって電極材料（ここではハフニウムを用いるとしてい
る）の付着層３３を付着形成させるのであるが、付着層
３３の厚さは完成された再生針における電極の厚さく１
例として１５００オングストローム）と同じにする（第
５図ｄ図）。

次いで、第５図ｄ図示の状態のものに対して銅とハフニ
ウムとの選択エツチングを行ない、銅の薄膜２０をエツ
チングによって除去し、また、サファイアの露出面上に
付着されているハフニウムの付着層以外のハフニウムの
層を除去して、第５図ｅ図示のように細長棒状のサファ
イアＳの面上に所定の電極巾３２と、所定の電極厚さ３
４とを有するハフニウムの付着層３５が付着された状態
のものが得られる。

第５図ｅ図示のものには、それの先端部に研磨加工を施
こして２つの傾斜面３６．３７を形成させると共に、２
等辺３角形状の底辺３８を形成させ、また、所定の長さ
３９となるように切断して完成された再生針が得られる
のである（第５図ｆ図）。

上記のようにして作られた再生針において、その摺接面
に現われる電極の断面形状寸法は再生針の摩耗によって
も変化することがなく、また、所定の巾寸法を有する電
極部を再生針本体上に付着形成させるのに、従来例のよ
うにマスク部材やビーム感応剤層などを使用せず、所定
の電極巾と対応する先端巾寸法を有するダイヤモンド刃
物を用いてサファイアＳの面上に付着された銅の薄膜を
切削除去して、そこに付着させたハフニウムの付着層を
再生針の電極部とするものであるから、本発明の再生針
の製作方法においては、既述した従来法における諸問題
点がすべて良好に解決されることは明らかである。

さて、前記した第５図ａ＝ｆ図を参照して説明した本発
明による再生針の製作法の一実施例のものにおいては、
第５図ｆ図示のように再生針本体Ｓ上に付着形成された
電極部は、その全長にわたって所定の電極巾３２と所定
の電極巾厚さ３４とを有するような構成形態のものとな
されている。

ところで、既述もしたように高い記録密度で情報信号が
記録されたディスクからの情報信号の再生に当って必要
とされる電極の電極巾は、例えばＱ、８μ静以下という
ように微細なものとなるが、このような微細な巾寸法で
電極部の全体が構成されていた場合には、電極部自体の
電気抵抗値が大きなものとなって、信号の再生動作を悪
化させることが問題となることがある。

第６図ａ、ｂ図を東上記の問題点を生じさせることのな
い再生針を本発明方法に従って作る場合の一例を説明す
るためのものであって、第６ 図ａ図は、第５図ａ図示
のような細長棒状サファイアＳの表面に、所定の間隔４
０を隔てて所定の巾４１で銅の薄膜２０ ａ ｙ ２０
ｂを被着させた状態のものを示している。

この第６図ａ図示の状態のものに対して、第５図ｃ −
ｆ図について既述したような各工程による加工を順次に
施こすと、第６図す図示のように所定の長さ４１にわた
って一定の巾３２の電極材料層を有すると共に、所定の
長さ４００部分には広い面積の電極材料層が形成されて
いる如き電極部を備えている如き再生針が得られるので
ある。

この第６図す図示の構成を有する再生針で）Ｌ４１の長
さの範囲における摩耗があっても、摺接面に現われる電
極端部の形状寸法には変化がなく、また、電極部の基部
には充分に広い面積にわたって電極材料層が存在してい
るために、電極部の電気抵抗値も低いものとなるのであ
る。

第６図示の例では、素材として細長棒状のサファイアＳ
を用いているが、素材として薄板状のサファイアを用い
た場合でも、薄板状のサファイアに対して被着させるべ
き銅の薄膜の付着個所を、マスク部材を用いて間隔を置
いたものとすることにより、基部の電極面積が広くなさ
れている電極部を備えた再生針を第６図示の場合と同様
に得ることができることはいうまでもない。

さて、既述した本発明による再生針の製作方法において
、第５図ｄ図示の状態のものから第５図ｅ図示の状態の
ものを得るのに、銅とハフニウムとの選択エツチングを
行なうとしたが、この場合に採用できる選択エツチング
としては湿式のケミカルエツチングに依存せざるを得な
い。

そして、前記したケミカルエツチングにより銅の薄層を
完全に溶解させてエツチングが完了される迄には、第５
図ｄ図示の状態のものを長い時間にわたってエツチング
液中に浸漬させておくことが必要とされる。

前記したエツチング時間の短縮法としては、銅の薄膜上
に付着されるハフニウムの付着範囲が極力電極部付近の
みに限定されるように、ハフニウムの付着工程において
マスキングを行なうことが望ましい。

次に、第Ｔ図ａ ”−ｅ図は、上記の問題を解決するた
めの解決手段の一例を図示説明したものであって、この
第７図ａ ”−ｅ図はすべて断面図で示されている。

第７図ａ図は細長棒状のサファイアＳの表面に銅の薄膜
２０を被着させた状態を示す断面図であり、この場合の
銅の薄膜２０はその厚さが例えば１０μ扉というように
比較的に厚いものとなされている。

そして、第７図す図は、銅の薄膜２０をダイヤモンド刃
物によって切削除去した状態を示す断面図、第７図Ｃ図
はハフニウムの付着層３３を付着させた状態を示す断面
図である。

第７図Ｃ図示のものに対して、ポリシングクロスと１／
４μｍのダイヤモンド砥粒とを用いて、ハフニウムの付
着層３３の一部と銅の薄膜２０の一部とをポリシングに
よって除去すると第７図ｄ図示の状態のものが得られる
。

すなわち、ポリシングクロスは表面が極めて柔かいため
に、ポリシング時に変形して素材の周辺部に対するポリ
シング量が大きく、一種のだれ現象を示す。

それで、予め銅の薄膜２０の厚さを厚くしておけば、電
極部として残しておくことが必要とされるハフニウムの
付着層の存在する中央部に比べて素材の周辺部に対する
ポリシング量が多くなって、第７図ｄ図示のように周辺
部におけるハフニウムの付着層が良好に除去されて銅の
薄膜が表面に現われる。

前記した第７図ｄ図示の状態のものに対してケミカルボ
リジングを行なうと、第７図ｅ図示のようにサファイア
面上に電極部３５が付着された状態のものが短時間で得
られる。

なお、第１図ｅ図に示されているように、素材の両側部
には銅の薄膜やハフニウムの付着層などが残るが、この
部分は再生針本体に対する研磨工程によってディスクと
の接触面から大きく離されてしまうので、信号の検出動
作に悪影響を与えるものとはならない。

以上の説明から明らかなように、本発明の再生針の製作
方法では、電極部の形成加工に際して従来例の場合のよ
うに、研磨加工やエツチング処理ニヨるパターン形成加
工を用いていないために既述した従来例におけるような
諸問題点がすべて良好に解消されるのであり、本発明方
法により長寿命で再生特性に優れた再生針を少ない工程
数で、しかも、大損りな装置を必要とすることもなく容
易に製作することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図ａ−ｄ図及び第２図ａ −ｈ図は従来の再生針の
製作過程を説明するための図、第３図はダイヤモンド刃
物の一例のものの斜視図、第４図はダイヤモンド刃物に
よるす消ｌ加工の状態を説明するための図、第５図ａ
＝ ｆ図及び第６図ａ、ｂ図ならびに第７図ａ”−ｅ図
などは本発明の再生針の製作方法を説明するための図で
ある。 Ａ・・・・・・サファイアの細棒、Ｄ・・・・・・サフ
ァイアの薄板、Ｓ・・・・・・細長棒状のサファイア（
または再生針本体）、１３・・・・・・刃先面、１６・
・・・・・底面、２０・・・・・・銅の薄膜、３３・・
・・・・ハフニウムの付着層、３５・・・・・・電極部
。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 情報信号と対応するピットが西ヒ１］されることに
   よって形成された記録跡を有する情報記録媒体円盤にお
   ける記録跡に摺接して、前記の記録跡中の情報信号を静
   電容量値の変化に応じた電気量の変化として取出しうる
   ような電極部を備えている静電容量値の変化検出型再生
   素子の再生針を製作する方法であって、再生針本体とな
   る耐摩耗性を有する高硬度材料の表面に、電極材料と比
   較してエツチングレートの高い材料による薄膜を被着形
   成させる工程と、所定の電極巾と対応する先端巾寸法を
   有する高硬度材料製の刃物を用いて、前記した再生針本
   体となる耐摩耗性を有する高１材料の表面に被着形成さ
   れた薄膜における所定個所の薄膜を切削除去して、その
   部分の高硬度材料表面を露出させる工程と、前記の露出
   された高硬度材料の表面に所定の電極厚さの電極材料層
   が付着形成されうるように電極材料を付着させる工程と
   、選択エツチングによって前記した電極材料よりもエツ
   チングレートの高い材料による薄膜を除去する工程と、
   所定形状の再生針となるように耐摩耗性を有する高硬度
   材料よりなる再生針本体を研磨加工する工程とからなる
   静電容量値の変化検出型再生素子の再生針の製作方法。 ２ 情報信号と対応するピットが配列されることによっ
   て形成された記録跡を有する情報記録媒体円盤における
   記録跡に摺接して、前記の記録跡中の情報信号を静電容
   量値の変化に応じた電気量の変化として取出しうるよう
   な電極部を備えている静電容量値の変化検出型再生素子
   の再生針を製作する方法であって、結晶製造時における
   結晶の引上げ方向をａ軸として、周面に平坦な０面を備
   えている如きコランダム系の耐摩耗性を有する高硬度材
   料の細長棒状材料の周面に電極材料と比較してエツチン
   グレートの高い材料による薄膜を被着形成させる工程と
   、前記した細長棒材料の０面に被着形成されている薄膜
   における所定個所を、所定の電極巾と対応する先端寸法
   を有するダイヤモンド刃物を用いて切削除去して、その
   部分の高硬度材料の表面に所定厚さの電極材料層が付着
   形成されうるように電極材料を付着させる工程と、選択
   エツチングによって前記した電極材料よりもエツチング
   レートの高い材料による薄膜を除去する工程と、所定形
   状の再生針となるように耐摩耗性を有する高硬度材料よ
   りなる再生針本体を研摩加工する工程とからなる静電容
   量値の変化検出型再生素子の製作方法。