CN1256716C - 磁复录方法和磁复录装置 - Google Patents

Abstract

利用磁复录的磁复方法，不管磁图形的位置如何，可利用磁复录从磁复录用主载体向从属介质复录高品位的复录图形。在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质磁复录介质相接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，从属磁复录介质的保磁力Hcs和该复录用磁场的关系为0.6≤复录用磁界≤1.3XHcs。

Description

磁复录方法和磁复录装置

技术领域

本发明是关于在磁复录介质上一次复录很多情报的方法，特别是关于向大容量、高复录密度的磁复录介质上复录记录情报的方法。

背景技术

在数字图像应用的进展中，以个人电脑等处理情报的数量飞速地增加，随着情报量的增加，则要求一种能以大容量并廉价地复录情报、而且复录和读取时间极短的磁复录介质。

在硬盘等高密度复录介质和以ZIP(アイオメガ社)为代表的高密度软盘型的磁场复录介质中，其构成是与一般的软盘比较，以狭窄的磁道构成情报复录区域，为了能使磁头准确地扫描狭窄磁道的宽度，和以较高的S/N比进行信号的记录和再生，需要使用跟踪伺服技术进行准确的扫描。

因此，在像硬盘，可再移动的(Removable)型磁复录介质一类的大容量磁复录介质中，在盘中以1周的间隔复录着跟踪用的伺服信号、地址情报信号和再生时钟信号等，所谓形成予格式化。

磁头在读取予格式化的信号时，可修正自己的位置，准确地在磁道上移动。

现在的予格式化是使用专门的伺服复录装置，在盘上进行制作，每一张，每1个磁道地进行复录。从而产生的问题是，伺服复录装置昂贵，由于予格式化制作需要很长时间，所以制造需要很长时间，并对制造费用产生影响。

因此，也提出了用磁复录方式，每1个磁道地进行予格式化的方案，例如，特开昭63-183623号公报，特开平10-40544号公报，和特开平10-269566号公报中介绍的复录技术。然而，在该磁复录方法中，主要是着重于复录时施加磁场的条件和产生该磁场的具体装置，但实际上该提案并没有执行。

作为解决这种老问题的复录方法，在特开昭63-183623号公报和特开平10-40544号公报中提出了一种方法，即在基板表面上形成与情报信号相对应的凹凸形状，凹凸形状中，至少在凸部表面上形成强磁性薄膜，将这样的磁复录用主载体的表面与形成强磁性薄膜或强磁性粉涂布层的片状或盘状磁复录介质的表面接触，或者进一步施加交流偏置磁场或直流磁场，将构成凸部表面的强磁性材料进行激磁，将与凹凸形状相对应的磁化图形复录在磁复录介质上。

该方法的特征是将磁复录用主载体的凸部表面与予格式化的整个磁复录介质，即从属介质紧密接触，同时对构成凸部的强磁性材料进行激磁，通过复录在从属介质上形成规定格式的方法，不使磁复录用主载体和从属介质的相对位置发生变化，而是在静止下进行复录，可准确地进行予格式化复录，而且还有复录所用时间极短的特征。即在上述用磁头进行复录的方法中，通常需要数分钟到数十分钟，而且存在复录所用时间与复录容量成比例地增加的问题，而这种磁复录方法，具有的特征，可以说是与复录容量和复录密度没有任何关系，仅在1秒以内就可完成复录。

参照图1对复录磁复录用主载体中予格式化用的图形进行说明。图1(A)是对磁复录用主载体的磁性层面进行模式说明的平面图，图1(B)是说明复录过程的断面图。

在磁复录用主载体1的磁道规定区域内形成予格式化区域2和数据区域3，在予格式化区域2中形成有全部复录跟踪用的伺服信号和地址信号的图形，通过将磁复录用主载体1和从属介质4紧密接触，沿磁道方向5与施加复录用外部磁场6，由于能将予格式化情报作为复录情报7复录在从属介质一侧上，所以可高效地制造从属介质。

而且，在利用这种方法进行复录时，会产生情报信号品位低劣的现象，也有时产生伺服工作不准确的现象，但对这种情况还不明确。

发明内容

本发明的课题提供一种稳定的复录方法和装置，即将磁复录用主载体和从属介质紧密接触，施加外部磁场，通过复录予格式化图形制作成从属介质，从而可防止伺服工作不准确的现象。

本发明的磁复录方法，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，沿从属介质的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，再将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。

上述磁复录方法中，磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcs为47.7KA/m(600Oe)以下。

上述磁复录方法中，接受复录的从属介质保磁力Hcs为143KA/m(1800Oe)以上。

上述磁复录方法中，在从属介质上沿磁道方向施加磁场形成初期直流磁化的方向与为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上必须是反向。

上述的磁复录方法中，在磁道方向位置上至少有1处以上的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生的磁场为高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

上述磁复录方法中，在磁道方向位置上只在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上是低于从属介质保磁力Hcs的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生反方向的磁场强度的磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

上述磁复录方法中，在任何一个磁道方向上都不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在任何一个磁道方向位置上是低于最适宜复录磁场强度范围最小值的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生与其相反磁道方向的磁场强度的磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁场，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

在上述磁复录方法中，在从属介质的上面或下面，以磁极轴垂直从属介质面的方向配置永久磁铁，沿磁道方向施加与磁极轴对称的磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向将从属介质进行初期直流磁化。

在上述磁复录方法中，以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，在磁道方向上形成非对称的磁场强度分布，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。

在上述磁复录方法中，以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，在磁道方向上形成非对称的磁场强度分布，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁铁，沿磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。

上述磁复录方法中，相对于从属介质的保磁力Hcs，最适宜复录的磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

一种磁复录装置，是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。

上述磁复录装置中，磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcm在47.7KA/m(600Oe)以下。

上述磁复录装置中，接受复录的从属介质保磁力Hcs，在143KA/m(1800Oe)以上。

上述磁复录装置中，在从属介质上施加磁道方向磁场形成初期直流磁化的方向和为进行磁复录施加复录用磁场，在从属介质面上为相反方向。

上述磁复录装置中，初期直流磁化装置包括在磁道方向位置上至少有1处以上的磁场强度分布，在磁道方向的一部分上产生高于从属介质保磁力Hcs磁场强度部分的磁场，沿磁道方向旋转从属介质或磁场的装置。

初期直流磁化装置，具有在磁道方向位置上，仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何磁道方向位置上相反向磁场强度低于从属介质保磁力Hcs的磁场强度分布的磁场，沿磁道方向旋转从属介质或磁界的装置，沿磁道方向上施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

上述磁复录装置，具有以下装置，即在任何一个磁道方向位置上不存在超过最适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少具有1处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何磁道方向位置上与基相反磁道方向的磁场强度低于最适宜复录磁场强度范围最小值的磁场强度分布的磁场的装置，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的状态下，沿磁道方向旋转的装置，或沿磁道方向旋转磁场的装置，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

上述磁复录装置，具有在从属介质上面或下面，以磁极轴垂直于从属介质面设置，可沿磁道方向施加与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁的初期直流磁化装置，和具有沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁的旋转装置，具有沿磁道方向将从属介质进行初期直流磁化的功能。

上述磁复录装置，具有以磁极轴斜对从属介质面配置，在磁道方向上形成非对称化磁场强度分布的单一永久磁铁的初期直流磁化装置，和具有沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁的旋转装置，具有沿磁道方向予先将从属介质形成初期直流磁化的功能。

上述的磁复录装置，复录磁场施加装置上有相对于从属介质面在垂直方向上磁化，在从属介质上面或下面，斜对从属介质面配置，沿磁道方向形成非对称磁场强度分布的单一永久磁铁，具有在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁场的旋转装置，沿磁道方向施加复录用磁场，进出口行磁复录。

上述磁复录装置，最适宜复录的磁场强度为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

在将磁复录用载体和从属介质紧密接触，由外部施加录用磁场时，由于复录不稳定，产生信号品位降低的部分，本发明者们发现了原因，是由于复录时施加磁场不当和造成信号品位降低，并由此想到了本发明。

一般认为在从磁复录用主载体向从属载体进行磁复录中，当施加高于从属介质保持力Hcs的外部磁场时，在施加方向上整个从属介质形成磁化状态下，因此，不能复录原本应该复录的整个图形。例如在特开平10-40544号公报0064号段落中记载的，最好与磁复录介质保持力同等程度以下。

因此，根据本发明者们的研究可知，本方式中的磁复录原理，如图1所示，磁复录用主载体1与从属介质4实际接触的凸状磁性层部分，复录用外部磁场6向该凸状部分吸收的磁场为6a，在接触的从属介质4的磁性层上不能形成可复录的磁场强度，但在与磁复录用主载体1与从属介质4没有接触的凹状部分相对应的从属介质4的磁性层上，形成可复录的磁场强度，如图中7所示，沿复录用外部磁场6的方向进行磁化，可将磁复录用主载体1的予格式化用的图形作为复录情报7，向从属介质4上进行复录。

因而，在从磁复录用主载体向从属介质复录时，与从属介质接触部分，由于大量的磁场进入磁复录用主载体的图形部分内，在从属介质上施加了高于保磁力Hcs的复录磁场，而不会颠倒，和从属介质的保磁力Hcs比较，通过使用具有特定关系强度的复录用磁场，从而可得到信号品位很高的从属介质。

为了对任何图形实现明了的复录，首先在一个方向上用足够大的磁场，高于保磁力Hcs，最好用1.2倍以上Hcs的磁场对从属介质进行初期直流磁化，再施加特定强度的复录用磁场，即是适宜复录磁场强度范围内的磁场，最好的复录用磁场为0.6×Hcs≤复录用磁场≤1.3×Hcs，施加方向为与初期直流磁化的方向相反

复录用磁场更好为0.8～1.2Hcs，尤其好为1～1.1Hcs。

伺服用进行予格式化的磁复录介质是圆盘状的复录介质，沿着从旋转中心开始描绘成同心圆状的磁道复录情报。在这样的圆盘状磁复录介质上施加复录放射状图形的磁场，其方法是在从属介质面的磁道方向，即任意的磁道方向位置上，以圆弧切线的方向施加磁场，沿磁道方向，予先将从属介质形成初期直流磁化。

接着，将磁复录用主载体和上述初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录，予先在从属介质上沿磁道方向施加磁场，初期直流磁化的方向和为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上必须是反向。

为了在整个圆盘状介质面上施加上述施加磁场条件的磁场，在磁道方向的一部分上产生像在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分那样的磁场强度分布的磁场，通过将从属介质或磁场沿磁道方向旋转1周，可实现初期直流磁化。

在磁道方向位置上，仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生像在任何磁道方向位置上反方向磁场强度低于从属介质保磁力Hcs那样的磁场强度分布的磁场，通过沿磁道方向将从属介质或磁场旋转1周，可施加沿磁道方向予先将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

在任何一个磁道方向位置上不存在超过最大适宜复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在一处以上形成最适宜复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生像在任何磁道方向位置上与其相反磁道方向的磁场强度低于最适宜复录磁场强度范围最小值那样的磁场强度分布的磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属载体紧密接触的状态下，通过沿磁道方向旋转，或者通过沿磁道方向旋转磁场，可实现沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

本发明的方法中，将永久磁铁的磁极轴斜对从属介质面，以倾斜状付与复录磁场，这时磁极轴倾斜的最适宜值，虽然根据磁铁的形状变化，但在长方体的永久磁铁时，磁极轴垂直面和从属介质面形成的夹角角度θ，最好为5°～70°，更好为20°～55°。

初期直流磁化和磁复录中用的永久磁铁，大小最好和从从属介质一端的磁道到另一端磁道的距离同等大小，或者大于该距离。当为圆盘状从属介质时，最好和从从属介质最外周磁道到最内圆磁道的半径方向距离同等大小，或大于该距离的磁铁，通过使用这样大小的磁铁，将从属介质和磁复录用主载体的紧密接触体，和永久磁铁中的任何一个，在磁道总长中沿一个方向移动或仅旋转1周，就可以在从属介质面上付与均匀的磁场。

使用永久磁铁施加的磁场强度，要求在整个磁道位置上是均匀的，它的偏差大小，在整个磁道位置上最好在±5％以内，更好在±2.5％以内。

附图说明

以下参照附图对复录方法和复录装置进行说明。

图2是使用相对于从属介质面具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁的复录方法和复录说明图。

图2(A)为一示例，在从属介质4上面用永久磁铁付与磁场状态下，旋转从属介质。

图2(B)所示，相对于从属介质面，从设在从属介质4上面的单一永久磁铁8施加平行磁道方向的磁场9，在此状态下，沿相对于从属介质中心轴的磁道方向旋转从属介质或永久磁铁。如图2(C)所示，相对于从属介质面，付与具有超过从属介质保磁力Hcs峰值10的磁场，进行初期直流磁化。图2所示实例，虽然示出设在从属介质上面的实例，但也可以设在下面。

将从属介质和磁复录用主载体紧密接触，通过付与与初期直流磁化方向相反的磁场，可以将磁复录用主载体的图形复录到从属介质上。

在从属介质上面或下面任一面上，斜对从属介质面配置相对从属介质面在垂直方向上进行磁化的单一永久磁铁，使磁道方向的磁场强度分布形成非对称化，沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向予先将从属介质形成初期直流磁化，或者从磁复录用主载体向从属介质复录图形。

图3是另一种施加磁场方法的说明图。

图3(A)是施加倾斜磁场的说明图，图3(B)是通过施加图3(A)的磁场付与磁场强度说明图。

图3是说明使用相对于从属介质4表面倾斜的永久磁铁11，付与初期直流磁场的方法，向从属介质4付与倾斜磁场12，通过沿相对于从属介质中心轴的磁道方向旋转从属介质4或倾斜永久磁铁11，付与非对称磁场进行初期直流磁化。

另一方面，强度小的峰值13对从属介质的初期直流磁化不会产生任何影响，只有强度大的峰值14才会对初期直流磁化起作用。

图4是另一种施加复录磁场方法的说明图。

图4(A)是施加倾斜磁场方法的说明图，图4(B)是通过施加图4(A)的磁场，付与磁场强度的说明图。

图4是说明将从属介质4和磁复录用主载体1紧密接触，相对于紧密接触体15表面，使用倾斜永久磁铁付与复录磁场的方法。向紧密接触体15付与倾斜磁场12，沿相对于其中心由的磁道方向旋转倾斜永久磁铁11或紧密接触体15，付与初期直流磁化的磁化方向相反向的磁场。

非对称磁场中，强度小的峰值16对于从磁复录用主载体向从属介质复录图形不会产生任何影响，只有强度大的峰值17才会进行磁复录。

通过付与最适宜复录磁场强度范围的磁场，强度大的峰值17才能够从磁复录用主载体向从属介质形成良好的图形，而与图形的形状无关。

通过这种适当大小强度的初期直流磁场和复录磁场，可形成很好的复录图形。

在使用图2～图4所示磁复录方法的装置中，设有可任意调整从属介质面和永久磁铁之间距离的机构，通过调整从属介质和永久磁铁之间的距离，可在从属介质面上获得所要求的磁场强度。

在图3和图4所示装置中，除了距离调整机构外，还设有可任意调整永久磁铁倾斜角度的机构，从而可将与初期直流磁化和磁复录用磁场相反向的磁场强度调整到所要求的磁场强度。

图3和图4所示方法，实际上，只不过示出了使用一个永久磁铁在磁道方向位置上形成非对称化磁场分布的一个实例，通过变更永久磁铁在从属介质面侧的形状，或将数个小永久磁铁组合成一个整体块，或者使永久磁铁中使用的磁性材料非均匀化等方法，同样也能使磁场分布形成非对称化，也能形成和图3～图4所示实例相同的非对称强度分布的磁场图形。

具体实施方式

对本发明磁复录中使用的磁复录用主载体的制造方法进行说明。

作为磁复录用主载体用的基板，是硅、石英板、玻璃、铝等非磁性金属或合金，陶瓷、合成树脂等表面光滑的板状体，可以使用在腐蚀，成膜工序中的温度等处理环境具有耐性的板材。

在表面光滑的基板上涂布光致抗蚀膜，根据予格式化的图形使用光掩膜进行曝光，显像，或对光致抗蚀膜直接画线等方法，根据予格式化的情报在光致抗蚀膜上形成图形。

接着，在腐蚀工序中，根据反应性腐蚀，使用氩等离子体的物理腐蚀，使用液体的腐蚀等基板腐蚀装置，依照图形对基板进行腐蚀。

利用腐蚀形成穴的深度，其形成深度相当于作为复录情报复录部分形成的磁性层厚度，最好在20～1000nm，当过厚时，由于形成宽幅度的大磁场，所以不理想。

形成的穴最好是在底面与基板表面平行的平面上，形成深度均等的穴。

穴的形状最好是垂直于面的磁道方向的断面为长方形形状。

接着将磁性材料用真空蒸镀法、喷溅法、镀敷法等真空成膜装置形成磁性材料膜，以与利用电镀法形成穴相对应的厚度，直达基板表面。复录情报部分的磁特性，抗磁力(Hc)在199KA/m(2500Oe)以下，最好为0.4～119KA/m(5-1500Oe)，作为饱和磁束密度(Bs)在0.3T(特斯拉)以上，最好在0.5T以上。

接着用起飞法(lift-off)除去光致抗蚀膜、研磨表面，存在毛刺时，除去，形成光滑的表面。

在以上说明中，虽然对在基板上形成穴，在形成穴上形成磁性材料的方法进行了描述，利用光制造法(平版照相法)在基板上规定部位形成磁性材料，在形成复录情报的凸形部分后，在凸形部分之间形成非磁性材料膜或进行填充，最好使复录情报部分和非磁性材料部分的表面形成同一平面。

作为磁性层中可用的磁性材料，可使用磁束密度大的钴、铁或它们的合金，具体可以举出有Co，CoPtCr，CoCr，CoPtCrTa，CoPtCrNbTa，CoCrB，CoNi，Fe，FeCo，FePt等。

作为磁性层的厚度为20～1000nm，最好为30～500nm。太厚时会降低复录分解能力。

为了进行明了的复录，最好使用磁束密度大的，和从属介质同方向，例如面内复录时，在面内方向，垂直复录时，在垂直方向具有磁异向性的磁性材料，从可形成锐利边缘考虑，最好是具有细微磁粒子或非晶形结构的磁性材料。

为了使磁性材料形成磁异向性，最好设置非磁性底层，其结晶结构和晶格常数必须和磁性一样。具体讲，作为这样的底层，可以利用喷溅法将Cr，CrTi，CoCr，CrTa，CrMo，NiAl，Ru等形成膜。

在磁性层上也可以设置金刚石状碳膜等保护膜，也可设置润滑剂作为保护膜，最好是存在5-30nm的金刚石状碳膜和润剂。在其上必须设置润滑剂的理由，是因为在修正和从属介质接触过程中产生偏离时，要产生磨擦，当没有润滑剂层时，耐久性就显得不足。

本发明的磁复录主载体，不仅对硬盘、大容量可再移动的(Removable)型磁复录介质等盘型磁复录介质可进行复录磁复录情报，而且也可能性对磁卡型磁复录介质，磁带型磁复录介质进行复录磁复录情报。

以下示出实施例说明本发明。

实施例1和比较例1

(磁复录用主载体的制作)

在真空成膜装置中，室温下减压到1.33×10^-5Pa(10^-7托)的条件下，通入氩气，在形成0.4Pa(3×10^-3托)的条件下，在硅基板上形成200nm厚的FeCo膜，制成3.5型圆盘状的磁复录用主载体。

保磁力Hc为8KA/m(100Oe)，磁束密度Ms为28.9T(23000Gauss)。

从圆盘中心到半径方向20～40mm的位置以10μm宽的间隔，形成放射线状的圆盘状图形，在半径方向20mm的最内周位置，线间隔为10μm间隔。

(从属介质的制作)

在真空成膜装置中，室温下减压到1.33×10^-5Pa(10^-7托)后，通入氩气，在形成0.4Pa(3×10^-3托)的条件下，将玻璃板加热到200℃，制作成CoCrPt 25nm，Ms：5.7T(4500 Gauss)，保磁力Hcs：199KA/m(2500Oe)的3.5型圆盘状磁复录介质。

(磁复录试验方法)

如图2所示，在从属介质的表面上配置永久磁铁，以峰值磁场强度为2倍从属介质保磁力Hcs 388KA/m(5000Oe)，在从属介质表面上进行初期直流磁化。

接着，将初期直流磁化的从属介质和磁复用主载体紧密接触，使用图4所示具有倾斜的永久磁铁的装置，与从属介质磁化相反方向施加磁场，进行磁复录。永久磁铁的倾斜角，在图4中以θ表示的与从属介质的夹角落角度为35°，磁复录用主载体和从属介质的紧密接触，是用橡胶板夹持，从铝板上加压。

(电磁变的换特性评价方法)

使用电磁变换特性测定装置(协同电制SS-GO)进行从属介质的复录信号评价。对于磁头，使用再生磁头间隙：0.24μm，再生磁道宽度：1.9μm，复录磁头间隙：0.4μm，复录磁道宽度：2.4μm的MR磁头。

使用光谱分析仪对读取信号进行频率分解，测定1次信号峰值强度(C)和外推介质噪音(N)之差值(C/N)，各磁场强度的C/N中，将最大值取为0dB，以相对值(ΔC/N)进行评价，示于表1。C/N值在-20dB以下时，由于磁复录的信号品位没有实用水平，所以用*号表示。         表1

从属介质的Hcs为199KA/m

复录用磁场的

峰值强度KA/m	和Hcs的比	ΔC/N(dB)
			59.799.5119159179199219239259279298318398	0.30.50.60.80.91.01.11.21.31.41.51.62.0	*-16.3-3.2-0.6-0.3-0.10.0-3.5-3.8-10.2-16.9**

实施例2和比较例2

对保磁力Hcs为199KA/m(2500Oe)的从属介质，以峰值磁场强度239KA/m(3000Oe)，即1.2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度，进行初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，除此之外，和实施例1一样，进行磁复录后，与实施例1中的评价方法一样，进行电磁变换特性评价，结果示于表2。            表2

从属介质的Hcs为199KA/m

复录用磁场的

峰值强度KA/m	和Hcs的比	ΔC/N(dB)
			59.799.5119159179199219239259279298318398	0.30.50.60.80.91.01.11.21.31.41.51.62.0	*-13.6-2.9-2.1-0.80.0-0.3-1.4-2.4-10.2-19.6**

对和实施例1一样制作的保磁力Hcs为199KA/m(2500Oe)的从属介质以峰值磁场强度为159KA/m(2000Oe)，即0.8倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度进行从属介质的初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图4所示装置进行磁复录，除此之外，和实施例1一样进行磁复录后，和实施例1中的评价方法一样，进行电磁变换特性的评价，结果示于表3。

               表3

从属介质的Hcs为199KA/m

复录用磁场的

峰值强度KA/m	和Hcs的比	ΔC/N(dB)
			59.799.5119159179199219239259279298318398	0.30.50.60.80.91.01.11.21.31.41.51.62.0	*************

实施例3和比较例4

对保磁力Hcs为199KA/m(2500Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为399KA/m(5000Oe)，239KA/m(3000Oe)，和159KA/m(2000Oe)，使用图3所示永久磁铁对从属介质进行初期直流磁化，将初期直流磁化的从属介质和磁复录取用主载体紧密接触，使用图4所示永久磁铁，施加磁场，进行磁复录。

结果是得到和具有图2所示永久磁铁装置时相同的结果。

实施例4和比较例5

对于和实施例1同样制作的保磁力Hcs为159KA/m(2000Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为318KA/m(4000Oe)，即2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度对从属介质进行初期直流磁化，将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图4所示装置进行磁复录，除此之外，和实施例1一样进行磁复录后，和实施例1中的评价方法一样，进行电磁变换特性的评价，结果示于表4；

从属介质的Hcs为199KA/m

复录用磁场的

峰值强度KA/m	和Hcs的比	ΔC/N(dB)
			47.779.695.5127143159175191207223239	0.30.50.60.80.91.01.11.21.31.41.5	*-18.2-4.8-3.2-0.10.0-0.2-0.8-2.3-9.6-16.3

实施例5和比较例6

对保磁力Hcs为159KA/m(2000Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为19KA/m(2400Oe)，即1.2倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度对从属介质进行初期直流磁化，除此之外，和实施例5一样，将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，进行磁复录，将同样得到的磁复录图形，和实施例1中评价方法一样，进行电磁变换特性的评价，结果示于表5。表5

从属介质的Hcs为159KA/m

复录用磁场的

峰值强度KA/m

和Hcs的比

ΔC/N(dB)

47.779.695.5127143159175191207223239255318

0.30.50.60.80.91.01.11.21.31.41.51.62.0

*-17.2-4.2-2.1-0.70.00.0-0.6-4.2-13.2-19.8**

实施例6和比较例7

对保磁力Hcs为159KA/m(2000Oe)的从属介质，以峰磁场强度为318KA/m(4000Oe)，191KA/m(2400Oe)和127KA/m(1600Oe)，使用图3所示永久磁铁，对从属介质进行初期直流磁化，将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，使用图4所示永久磁铁施加磁场，进行磁复录，得到和具有图2所示永久磁铁的装置相同的结果。

比较例8

对和实施例1同制作的保磁力Hcs为159KA/m(2000Oe)的从属介质，以峰值磁场强度为127KA/m(1600Oe)，即0.8倍从属介质保磁力Hcs的磁场强度对从属介质进行初期直流磁化，接着将初期直流磁化的从属介质和磁复录用主载体紧密接触，用图4所示装置，进行磁复录，和实施例1一样进行磁复录后，和实施例1中的评价方法一样，进行电磁变换特性的评价，结果示于表6：

从属介质的Hcs为199KA/m

复录用磁场的

峰值强度KA/m	和Hcs的比	ΔC/N(dB)
			47.779.695.5127143159175191207223239255318	0.30.50.60.80.91.01.11.21.31.41.51.62.0	*************

在从磁复录用主载体向从属介质进行磁复录中，通过相对于从属介质保磁力Hcs，付与特定强度的复录用磁场，不管图形的位置和形状如何，都能得到具有高品位复录图形的从属介质。

附图说明：

图1是对磁场复录用载体中图形复录的说明图。

图2是相对于从属介质面，使用具有与磁极轴对称磁场的单一永久磁铁的复录方法和复录装置说明图。

图3是另一种施加磁场方法的说明图。

图4是另种施加磁场方法的说明图。

Claims (22)

1.一种磁复录方法，特征是在将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录方法中，包括沿从属介质的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化后，再将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场，进行磁复录。

2.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcm在47.7KA/m以下。

3.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是接受复录的从属介质保磁力Hcs在143KA/m以下。

4.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在从属介质上沿磁道方向施加磁场形成初期直流磁化的方向和为进行磁复录而施加的复录用磁场，在从属介质面上是相反的方向。

5.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在磁道方向的一部分上产生在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分的磁场强度分布磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

6.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在磁道方向位置上仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何一个磁道方向位置上反方向磁场强度低于从属介质保磁力Hcs的磁场强度分布磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或磁场，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

7.根据权利要求1记载的磁复录方法，特征是在任何一个磁道方向上都不存在超过复录磁场强度范围最大值的磁场强度，在一个磁道方向上至少存在1处以上形成复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何一个磁道方向位置与其反方向磁道方向的磁场强度低于复录磁场强度范围最小值的磁场强度分布磁场，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触的状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向放置磁场，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

8.根据权利要求5记载的磁复录方法，特征是在从属介质上面或下面的一面上，沿磁极轴垂直方向配置永久磁铁，沿磁道方向施加与磁极轴对称磁场，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁场，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。

9.根据权利要求6记载的磁复录方法，特征是以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，沿磁道方向形成非对称的磁场强度分布，通过沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁，沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化。

10.根据权利要求7记载的磁复录方法，特征是以磁极轴斜对从属介质面配置永久磁铁，沿磁道方向形成非对称的磁场强度分布，在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向旋转磁场，施加磁道方向的复录用磁场，进行磁复录。

11.根据权利要求7或10记载的磁复录方法，特征是相对于从属保磁力Hcs，复录磁场强度范围为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

12.一种磁复录装置，特征是将与基板表面情报信号相对应部分形成磁性层的磁复录用主载体和接受复录的从属介质紧密接触，施加复录用磁场的磁复录装置中，包括沿从属介质面的磁道方向施加磁场，预先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的初期直流磁化装置，将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触，沿从属介质的磁道方向施加复录用磁场的复录磁场施加装置。

13.根据权利要求12记载的磁复录装置，特征是磁复录用主载体磁性层的保磁力Hcm在47.7KA/m以下。

14.根据权利要求12记载的磁复录装置，特征是接受复录的从属介质保磁力Hcs在143KA/m以上。

15.根据权利要求12记载的磁复录装置，其特征是在从属介质上施加磁道方向磁场的形成初期直流磁化的方向和为进行磁复录施加的复录用磁场，在从属介质面上为相反方向。

16.根据权利要求12记载的磁复录装置，特征是初期直流磁化装置具有在磁道方向的一部分上产生在磁道方向位置上至少有1处以上高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分的磁场强度分布磁场，沿磁道方向旋转从属介质或磁场的装置。

17.根据权利要求12记载的磁复录装置，特征是初期直流磁化装置具有在磁道方向位置上仅在一个方向上具有高于从属介质保磁力Hcs的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何磁道方向位置上反方向磁场强度低于从属介质保磁力Hcs的磁场强度分布磁场，沿磁道方向旋转从属介质或磁场的装置，沿磁道方向施加将从属介质形成初期直流磁化的磁场。

18.根据权利要求12记载的磁复录装置，特征是复录磁场施加装置具有在任何磁道方向位置上都不存在超过复录磁场强度范围最大值的磁场强度，而在一个磁道方向上至少有1处以上形成复录磁场强度范围内的磁场强度部分，在磁道方向的一部分上产生在任何磁道方向位置上与其相反磁道方向的磁场强度低于复录磁场强度范围最小值的磁场强度分布磁场的装置，具有在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状态下，沿磁道方向旋转的装置，或沿磁道方向旋转磁场的装置，沿从属介质面的磁道方向施加复录用磁场。

19.根据权利要求16记载的磁复录装置，特征是具有在从属介质上面或下面，任一面上，以磁极轴垂直方向配置单一永久磁铁，沿磁道方向施加与磁极轴对称磁场的初期直流磁化装置，具有沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁的旋转装置，具有沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的功能。

20.根据权利要求17记载的磁复录装置，特征是具有以磁极轴与从属介质面斜对配置单一永久磁铁，沿磁道方向形成非对称化磁场强度分布的初期限直流磁化装置，具有沿磁道方向旋转从属介质或永久磁铁的旋转装置，具有予先沿磁道方向将从属介质形成初期直流磁化的功能。

21.根据权利要求18记载的磁复录装置，特征是复录磁场施加装置具有相对从属介质面以垂直方向磁化，在从属介质上面或下面任一面上斜对从属介质面配置，沿磁道方向形成非对称化磁场强度分布的单一永久磁铁，具有在将磁复录用主载体和初期直流磁化的从属介质紧密接触状态下，沿磁道方向旋转，或沿磁道方向向旋转磁场的旋转装置，沿磁道方向施加复录用磁场进行磁复录。

22.根据权利要求18或21记载的磁复录装置，特征是复录的磁场强度范围为0.6×Hcs～1.3×Hcs。

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