JPS59226352A

JPS59226352A - 感光体

Info

Publication number: JPS59226352A
Application number: JP10142283A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Mizuno; 博水野
Original assignee: Minolta Co Ltd
Current assignee: Minolta Co Ltd
Priority date: 1983-06-06
Filing date: 1983-06-06
Publication date: 1984-12-19
Also published as: JPH0582573B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】技術分野本発明は少なくともアモルファスシリコンヲ含む光導電
層を有する感光体に関する。

従来技術ここ数年、クロー放電分解法やスパッタリンク法によっ
て生成されるアモルファスシリコン（ａ＋ｎｏｒｐｈｏ
ｕｓ　５ｉｌｉｃｏｎ　、以Ｆａ−５ｉと略す）の感光
体′＼の応用か注目されてきている。また同様に長波長
１１１１域の感度を向」ニジて半導体レーザによる作４
Ｒヲ”Ｊ　能とするアモルファスシリコンーケルマニウ
ム（以上ａ−５ｉ：Ｇｅ）の応用も注目されている。こ
れはａ−３ｉ　、ａ−５ｉ　：Ｇｃか従来のセレンやＣ
ｄｓ感光体き比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光
感度特性等において一段と優れているためである。

しかしながら、ａ　−５ｉ　、　ａ　−５ｉ　：Ｇｃ　
　は暗抵抗か不充分に低くそのままでは電荷保持層を兼
ねた光導電層として使用てきないという欠点がある。こ
のため、酸素や窒素を含有させてその暗抵抗を向］二さ
ぜることが提案されているか、逆に光感度が低ドすると
いう欠点かあり、その含有量も制限かある。

このことより、例えば特開昭５７−１１５５５１号公報
に示されるようにａ−５ｉ光等電層上に多量の炭素を含
むａ−５ｉ絶絶縁を形成して電荷保持の向上を図ること
か考えられる。しかしなから、このような感光体にあっ
ては炭素の含有量によってその電子写真特性かかなり変
動する。例えはａ−３ｉ雄絶縁におりる炭素含有量か比
較的少量であるときは高抵抗化か図れないはかりか光疲
労か大きく高湿度の条件下では画像流れか生しる。一方
、炭素含有用を大とすれは電荷保持率は向」ニし、また
透光性もある程度向」ニするか表面硬度か低下するとい
う欠点かある。史ｌこ高湿の条件下では膜欠陥による白
斑点か画像上に現われる。

また、一方、ａ　−５ｉ光導電層を桿電性へ坂」二に直
接形成した場合には画像上（こピンホールや白斑点模様
か発生する。これは膜欠陥に起因する電荷ソ担体のデータによるもので、導電性基板の表面状態、汚
れ等ζこより容易に発生ずる。また基板側からの電荷注
入により暗減衰か早くなり電イ゛術保持能か低下すると
いう問題かある。

発明の目的本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、その目的
とするところは、光疲労かなく光感度特性、電荷保持特
性、表面硬度を含む電子写真特性全般に優れ、１］、つ
ノｉ（板側からの電荷の注入を防止するとともに残留電
位の」１昇並び基板ノイズによる画像劣化もなく、高湿
条件下乃至は反復複写においても長期に渡り良好な画像
を得ることのできる感光体を提供するこ七にある。

発明の要旨本発明の要旨は、導電性基板上に少なくともアモルファ
スシリコン、酸素及び周期律表第１ＩＩ　Ａ族不純物乃
至はアモルファスシリコン、炭素及び酸素を含有してな
る障壁層と、少なくともアモルファスシリコンを含む光
導電層と、少なくともアモルファスシリコン、炭素及び
酸素を含有してなる透光絶縁性オーバコート層を順次積
層してなる感光体にある。

以下、本発明につき詳細に説明する。

第１図は本発明に係る感光体の構成を示し、（１）は導
電性基板で、その」−に少なくともａ−５ｉ、酸素及び
周期律表第１ＩＩ　Ａ族不純物あるいはａ−３ｉ、炭素
及び酸素を含有してなる障壁層（２）と、少なくともａ
−５ｉを含む光導電層（３）と、少なくともａ−５ｉ、
炭素及び酸素を含有してなる透光絶縁性のオーバコート
層（４）を順次積層してなるものである、。

該障壁層（２）は例えはクロー放電分解法によって最適
には１００乃至２００ＯＡの厚さに生成される。この障
壁層（２）は上記の通り、その−態様おして少なくとも
ａ−３ｉ、酸素並ひに周ＪＩＪ］律表第１１１Ａ族不純
物を含有してなるものて、ａ−３ｉｘＯ＋−ｘまたは水
素を含むａ　−（ＳｉｘＯ＋−ｘ）ｙＨ＋　−ｙ　ｌこ
第１１１Ａ族不純物を添加してなるものである。酸素の
含有量は約５乃至５Ｑ　ａｔｏ＋ｎｉｃ％て含有により
障壁層の暗抵抗を著しく向上して基板（１）からの電荷
注入を有効（こ１力止する。また基板（１）との被覆性
とレペリンク効果にも有効で基板ノイズによる弊害も防
止する。但し酸素のみの含有では残留電位か上昇する。

このため本発明では酸素に加えて周期律表第１Ｉ　Ａ族
不純物、好ましくは硼素を約２００１）Ｐｉｌｌまで含
有している。硼素の含有は光導電層（３）て発±するチ
ャージキャリアの基板（１）側への移動を許容し残留電
位の−１−昇を防止する。酸素含有量を約５乃至５Ｑａ
Ｌｏｍｉｃ％とするのは、５　ａＬＯｎｌｉｃ％以下て
は障壁層の高抵抗化か図れず、また６０　ａｔｏｍｉｃ
％以上ては硼素含有にかかわらず画像カブリか生じ、ま
た残留電位も」二昇するためである。また硼素含有量を
２００円）１１）までとするのはそれ以」−では感光体
の帯電能か急激に低下するためである。尚、３−５１は
ａ　−３ｉ：ｃｅてもよい。

次に障壁層（２）として少なくともａ−５ｉ、炭素及び
酸素を含有した場合、つまりａ−３ｉｘＣ＋−λに酸素
を含有した場合についても同様の効果か得られる。この
場合、炭素の含有量は約５乃至６０ａ　ｔｏ＋ｎｉｃ％
、酸素は微量から約１６　ａｔｏｍｉｃ％まて含有する
ことかできる。ここで炭素と酸素の含有は障壁層の暗抵
抗を著しく向」ニして基板（１）からの電荷のｆｌＥ入
を有効に防止し、両者の含有はまた障壁層（２）の基板
に対する被覆性とレベリング効果に有効であるとともに
、光導電層（３）で発生するチャージキャリアの基板側
・＼の移動を許容して残留電位の］二昇を防止する。炭
素含有喰を約５乃至６０　ａｔｏｍｉｃ％とするのは、
５　ａｔｏｍｉｃ％以ドては障壁以上高抵抗化か図れず
基板からの電荷注入を防止できす、また６ｇ　ａｔｏｍ
ｉｃ％以−Ｊ二では画像カブリか生しるためである。史
に酸素の含有量はＩＱ　ａｔｏｍｉｃ％す、」二となる
と残留電位か上昇し画像カブリか発生する。

障壁層（２）は史に望ましくは周期律表第１１１Ａ族不
純物、特に好ましくは硼素を約２００１）ｐＨ１まで含
有してもよい。硼素の添加は障壁層におけるチャージキ
ャリアの移動をより容易として残留電位の」二昇防止に
より一層有効である。

障壁層（２＋１に形成さａ−Ｌるａ−５ｉを含む光導電
層（３）はやはり同様に例えはクロー放電分解法によっ
て５乃至１００　ミクロン、好ましくは１０乃至６０ミ
クロンに生成される。−例としてＳｉ＋＋＋＋　、５ｉ
ｚＨｓガス等をＨ２、Ａｒ等をキャリアーカスとして用
い威圧可能な反応室内に送り込み、高周波電力印加のＦ
にグロー放電を起こして基板上に水素を含むλ−３ｉ光
導電層であってもよく、史にはＧｃＨ４カスを並行して
送り込み形成したａ−３ｉ：Ｇｅ　　光導電層でもよい
。もっともこのようにして得られる光導電層は暗抵抗か
不充分に低いので、暗抵抗の向」二の目的のために周期
律表第１ＩＩ　Ａ族不純物（好ましくは硼素）、機端の
酸素、炭素、窒素等を含有させてもよい。

光導電層（３）」−に形成されるオーバコート層（４）
はやはり同様に例えはクロー放電分解法によって厚さ０
．０１　乃至３ミクロンに生成される。このオーバコー
ト層（４）はその抵抗値か光導電層（３）より高く、層
全体を通してその抵抗値か略一定であるか或（１は光導
電層（３）との界面より厚さ方向に順次旨くなるよう形
成される。具体的に上記オーバコート層（４）は前述し
た通りａ−５ｉ乃至はａ、−５ｉ：Ｇｅに炭素と酸素を
含有してなり、これにより抵抗の向］−はもとより表面
硬度、史には光感度特性と耐環境性を著しく向上してい
る。即ち、ａ−５ｉに炭素のみを含有してなるオーバコ
ート層は炭素含有附の増大にしたかつて表面硬度か次第
に低下し長期の反復の使用には適さないという欠点があ
る。また炭素のみの含有では充分な高抵抗化か図れす商
況条件のドて画像−にに白斑点模様か発生し画像滲みが
生しる。

本発明のオーバコート層（４）は炭素に加えて酸素を含
有せしめることにより上記の問題点を解決したものであ
る。酸素の含有はオー／＼コー［層（４）の透光性を著
しく改善し、現に実馴によ、Ｉ″Ｌはａ−５ｉオ一バコ
ート層に炭素のみを約４０　ａｔｏ＋ｎｉｃ％含有する
ものと、４０　ａｔｏｍｉｃ％の炭素に加え約５　ａ　
ｔ　ｏｍｉ　ｃ％の酸素を含有するオー７・コート層の
感光体とては後者の方か光感度か約１．８倍も商い。ま
た表ａ■］硬度も低下はなくむしろ向」−となっている
。史に高湿条件下、反復複写においても画像流れや白斑
点はなく長期に渡り良好な画像を形成することかできる
。オーバコート層（４）に含有される炭素と酸素の量は
それらか層全体に渡って略均−に含有される場合と厚さ
方向に勾配をもって含有される場合とで異なるが、均一
に含有するときはａ　−Ｓ　ｉに対し約５乃至５Ｑ　ａ
ｔ　ｏｍｉ　ｃ％の炭素と微１ｉ′）から約１０ａｊＱ
＋１１！（％の酸素であることか望ましい。炭素の含有
量を最低ても５　ａｔｏｍｉｃ％、酸素を徴用（約０．
１ａＬｏｍｉｃ％以上）とするのはそれ以−ドてはオー
バコ−ト層の高抵抗化が図れず光疲労も大きく透光性も
不充分であるためて、また最大で約６０　ａｔｏ＋ｎｉ
ｃ％の炭素々団ａｔｏｍｉｃ％の酸素とするのはそれ以
上では画像流れか生じるためである。一方、厚さ方向に
勾配をもって含有するときはオーバコート層の厚さ方向
に含有量が徐々に増大するようにし、約１乃至６０ａ【
ｏｍｉｃ％の炭素と微量から最大約２５ａ　ｔｏｍｉ　
ｃ％の酸素を含有することかできる。尚、炭素の含有）
仕を一定として酸素含有量を徐々に増大するようｌこし
てもよいし、またその逆でもよい。

但し後者の場合は、酸素含有量を最大］　Ｑ　ａ　Ｌ　
０ＩＴＩ　ｉ　ｃ％としなけれはならない。

以上において、各層の形成用の原料ガスとして有効に使
用される。のは、ａ−５ｌを含むときはＳｌとＨとを構
成原子とするＳｉ＋１４、Ｓｉ２Ｈ６，５ｉ３）１ｓ、
Ｓ　ｉ　４　Ｈｓｏ等のシラン頚管水素化硅素ガス、炭
素を含有するときはＣとＨとを構成原子とする例えは炭
素数１〜５の飽和炭化水素、炭素数１〜５のエチレン系
炭化水素、炭素数２〜４のアセチレン系炭化水素等が挙
けられる。具体的には飽和炭化水素よしてメタン（ＣＨ
す、エタン（Ｃ２Ｈ６）　、　　プロパン（Ｃ，３Ｈ８
）、ｎ−ブタ７　（ｏ　−Ｃ４）（ｔｏ）　ｘチｌ／７
系炭化水素としてはエチレン（０２Ｈ４）、プロピレン
（Ｃ３Ｈ６人ブラン（Ｃ４）１Ｂ）　、アセチレン系炭
化水素としてはアセチレン（Ｃ２Ｈ２）　、メチルアセ
チレン（Ｃ３Ｈ４）、ブチン（Ｃ４Ｈ６）等が挙けられ
る。更に酸素系の原料カスとしては、酸素（０２）、オ
ソン（０３）、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭素（ＣＯ
２）、−酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、−
二酸化窒素（Ｎ２０）、三二酸化窒素（Ｎ２０３）、四
三酸化窒素（Ｎ２０４）、五二酸化窒素（Ｎ２０５）　
、三酸化窒素（ＮＯ３）等を挙けることかできる。尚、
水素硅素カスに加え各層にゲルマニウムを含有してもよ
いことは的述した通りで、このときはＧ　ｅ　Ｈ４、Ｇ
ｅ２Ｈ６ガス等を併用すれはよい。

次に本発明に係る感光体を製造するための容量結合型ク
ロー放電分解装置について説明する。第２歯において、
第１１第２、第３、第４、η５５タンク（５）、（６）
、（７）、（８）、（９）には夫々Ｈ２、ＳｉＨ４、Ｂ
２１−１６、Ｃ２Ｈ４，０２ガスが密封されている。こ
こで第１タンク（５）のＨ２ガスはＳｉＨ４ガスのキャ
リアーガスである。但しＨ２カスに代ってＡｒ、Ｈｅを
用いてもよい。またＢ２Ｈ６カスのキャリアーも水素で
ある。

尚各層にゲルマニウムを含むときは別途Ｇｅ）＋４ガス
のタンクを用意する。これら第１〜第５タンクのカスは
第１、第２、第３、＄４、第５調整弁・：１０）、（１
１）、（１２）、（１３）、（１４）を開放することに
より放出され、その流量かマスフローコントローラ（１
５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１９）により
規制され、第１乃至第４タンク（５）、（６）、（７）
、（８）からのカスは第１主管＋２０＋−Ｘさ、また第
５タンク（９）からの酸素ガスは第２主管（２１）へと
送られる。尚、（２２）、（２３）、（２４）、（２５
）、（２６）、（２７＋、（２８）は止め弁である。

第１及び第２１己管（２０）、（２１）を通して流れる
カスは反応室Ｃ９）（こおいて第３主管（３０）で合流
する。反応室（２９）内にはその表面に障壁層（２）が
形成されるアルミニウム、ステンレス　ＮＥＳＡカラス
のような導電性基板（３１）かモータ（３２）により回
転可能であるターンテーブル＋３３）上に載置されてお
り、該基板（３１）自体は電気的に接地されるとともに
適当な加熱手段により約１００乃至４００℃、好ましく
は１５０乃至３００°Ｃの温度に均一加熱されている。

（３４）は導電性基板（３１）を包囲する関係に設けら
れた円豹状の電極板で高周波電源（３５）に接続される
とともに、その内部は空詞に形成され外壁部に第３、第
４主管（３０）、（ア）か接続されている。また電極板
（３４）の内壁面には図示しないガス放出孔か形成され
第３主管（３０）より尋人される生成ガスを導電性基板
（３１）表面に噴出させる。噴出孔より放出されたカス
は分解される一方、やはり内壁面に形成したガス吸引孔
より吸引されて第４主管伽）を介して排出されるように
なっている。

尚、高周波電源（３５）からは電極板＋３４＋　ｉこ約
０．０５乃至１５ｋｉｌｏｗａｒｔｓの高周波電力か印
加されるようになっており、その周波数は１乃至５ＱＭ
Ｈｚか心当である。

更に反応室（２９）の内部は障壁層光導電層及びオーバ
コート層形成時に高度の真空状聾（放電圧−０，５乃至
２．ＯＴｏｒｒ）を必要とすることによりｒｉ、ｉ　転
ポンプ（３７）と拡散ポンプ（３８）に連結されている
。

以」二の構成の容量結合型クロー放電分解装置において
、まずａ−３ｉ、酸素及び硼素を含有する障壁層（２）
を導電性基板（３１）上に形成するに際しては第■、第
２、＄３、第５調整弁（１０）、（１１）、（１２）、
（１４）を開放して適当な流量比で第ｌ、第２タンク（
５）、（６）よりＨ２，５ｉ１１．＋カスを、第３タン
ク（７）よりＢ２Ｈ６カス、第５タンク（９）より０２
カスを放出する。尚、炭素を史に含有するときは第４タ
ンク（８）よりＣ２Ｈ４ガスを放出する。放出用はマス
フローコントローラ（１５）、（１６）、（１７）、（
１８）、（１９）により規制され、ｌ（２をキャリアー
カスとするＳ　ｉＨ４ガス、＋３２Ｈ６カス乃至はＣ２
Ｈ４ガスか混合されたカスか’４３１主管（２０）を介
して、またそれとともにＳｉＨ＋に対し一定のモル比に
ある酸素カスか第２主管（２１）を介して送られ、反応
室内部の第３主肯’　（３０）て合流し電極板１：！Ａ
内に送られる。

そしてガス放出孔からカスか均一放出されることに加え
て、反応室（２５）内部か０．５乃至２．００　Ｔ　ｏ
　ｌゴ程度の真空状態、基板ｌ：１ｉ’ｒ度が１００乃
至４００℃、電極板（３０）−＼の尚周波電力が０．０
５乃至１．５　ｋｉｌｏｗａｔｔｓ、また周波数か１乃
至５９ＭＨｚに設定されてい′ることに相俟ってグロー
放電か起こり、ガスか分解して基板上に少なくともａ−
５ｉ、硼素、酸素乃至は炭素を含有した障壁層（２）が
約０．５乃至５ミクロン／６０分の早さで形成される。

所望の膜厚の障壁層（２）か形成されると、連続しであ
るいは一旦グロー放電を中断した後、光、９電層（３）
を形成する。これは第１乃至第３タンク（５）、（６）
、（７）及び第５タンク（９）よりガスを放出すること
により行われ、硼素と微量の酸素を含有した水素化ａ−
５ｉ光導電層（３）か形成される。

続いてａ−３ｉを含む光導電層ｔ３１−１−にオーツ・
コート層（４）を形成する。これは第１乃至第５タンク
（５）、（６）、（７）、（８）、（９）よりカスを放
出するこよにより１″ｊわれるか、第４、第５タンク（
８）、（９）からはＩＪり述の含有量となるようＣ２Ｈ
４と０２カスを放出する。

このとき、オーバコート層にその厚さ方向均一に一定の
抵抗を持たせるとき、つまり含有量を等しくするときは
Ｃ２Ｈ４と０２カスの放出：１′Ｉヲー疋１こ保った状
態とすれはよい。また厚さ方向に抵抗を順次高くなるよ
うに形成するときは、Ｃ２Ｈ４七０２カス両方または何
れか一方の放出Ｗを次第に増加させる。

実施例第２図に示すクロー放電分解装置において、まず回転ポ
ンプ（３７）を、それに続いて拡散ポンプ（３８）を作
動させ反応室＋２９１の内部をＩＱ−６ＴＯｒｒ程度の
高真空にした後、第１乃至第３及び第５調整弁（１０）
、（１１）、（１２）、（１４）を開放し、第１タンク
（５）よりＨ２カス、ＹＪ２タンク（６）よりＨ２で３
０％に希釈されたＳｉＨ４ガス。

第３タンク（７）よりＨ２て２００　ＰＰｍに希釈され
たＢ２Ｈ６カス、史に第５タンク（９）より０２カスを
出力圧ケージ１％の下でマス７０−コントローラ（１５
）、（１６）、（１７）、（１９）内・＼流入させた。

そして各マスフローコントローラの目盛を調整して、■
（２の流量を３３３　Ｓ　ＣＣ１１ｌ、ＳｉＨ４を１５
Ｑ　ｓｃｃｍ　、　Ｂ２Ｈ６を２２．５　ｓｃｃｍ、０
２を４５ＳＣＣＩｎとなるように設定して反応室（２９
）内へ流入させた。夫々の流面か安定した後に、反応室
（２ｇ）の内圧がｌ　、ＱＴｏｒｒとなるように調整し
た。一方、導電性基板（３１）としては直径１２０ｍｍ
のアルミニウムトラムを用い２００°Ｃに予じめ加熱し
ておき、各ノｊスの流量か安定し内圧か安定した状態で
高周波電源（３５）を投入し電極板（３２）に３ＱＱ　
ｗａＬＬｓの電力（周波数１３．５６　ＭＨｚ　）を印
加してクロー放電を発生させた。

このグロー放電を３分間持続して行い、導電性基板（２
９）上に水素ａ−３ｉ　、２００　ＰＰ”の硼素、約２
５ａｔｏｍｉｃ％の酸素を含有してなる厚さ０．１ミク
ロ（３５）ンの障壁層（２）を形成した。この後、旨周波電源豊か
らの電力印加を一旦停止するとともに各マスフローコン
トローラの流量を０設定にし反応室（２９）内を十分脱
気した。次に第１乃至第３及び第５調整弁（１０）、（
１１）、（１２）、（１４）を開放し夫々のタンクより
Ｈ２、ＳｉＨ４、Ｂ２Ｈ６，０２カスをマスフローコン
トローラ（１５糺（１６）、（１７）、（１９）内へ流
入させた。そして各７スフローコントローラの目盛を調
整してＨ２の流量を２７４ｓｃｃｒｎ１ＳｉＨ４を３Ｑ
Ｑ　５ＣＣｎｌ、Ｂ２Ｈ６を２５５ＣＣＩＩＩ　、０２
をｌＳＣＣｍとなるように設定して反応室内・＼流入′
させた。そして電極板（３４）に３ＱＱｗａＬＬＳの誦
周彼電力を印加してグロー放電を発生させた。このクロ
ー放電を約７時間持続して行い、障Ｉ＋、を層＋２）　
Ｌに水素、硼素並ひに微量の酸素を含有する厚さ約２０
ミクロンのａ−５ｉ光導電層（３）を形成した。

続いて第１タンク（５）よりＨ２カスを３９Ｑ　ｓｃｃ
ｍ、第２タンク（６）よりＨ２て３０％に希釈されたＳ
　ｉ　ＩＩ　４カスを１５ＱＳｃｃｌｎ　、　第４タン
ク（８）よりＣ２Ｈ４カスを９（ｌ　ｓｃｃｍｌ　更に
第５タンク（９）より０２カスを１０１０５ｅ反応室内
部に流入させ、内圧を１．Ｑ　ＴＯｒｒに調整した下で
高周波電源（３５）を投入して３００Ｗａ　ｔ　ｔ　ｓ
の電力を印加した。３分間放電を続は約０．１ミクロン
のオーバコート層（３）を形成した。尚、このときの炭
素含有用は約４ｇ　ａ　ｉｏ＋ｎｉ　ｃ％、酸素は約５
ａ　【ｏＩｎ　Ｉ　Ｃ％である。

こうして得られた感光体をミノルタカメラ（株）製粉像
転写型複写機Ｅｌ）−５２０にセソｌ−Ｌ、コピーした
ところ解像力に優れ、階調１１＋現性のよい鮮明な高濃
度の画像か得ら第１た。また２０万枚の連続複写を行っ
ても画像特性の低ドは認められず最後まで良好なコピー
が得られた。更に３０℃、８０％という副部、商況の条
件ての複写てもその電子写真特性、画像特性は室ｌＩ′
１１）条件ドと何ら変わるとおはなかった。

上記感光体を史に帯電し白色光２．Ｏ１ｕｘ−ｓｅｃの
下で露光して残留電位を測定したところ、初期てＯＶ、
２０万枚複写後も数ｔＯＶであった。

実施例実検例１と同一条件の下に、但し障壁層（２）形成時に
第１タンク（５）よりＢ２カスをその流（６，か２４５
ｓｃｃｍ、第２タンク（６）よりＳｉＨ４カスを３００
　ｓｅｃｍ。

第４タンク（８）よりＣ２１１４カスを９Ｑ　ｓｃｃｍ
　、　第５タンク（９）より０２カスをＩＱ　ｓｅｃｍ
となるよう反応室（２９）内・＼流入させ、グロー放電
を起こしａ　−５ｉ　　に加え、炭素を約４０　ａｔｏ
ｍｉｃ％、酸素を５　ａｔｏｍｉｃ　　％含有する障壁
層を形成した。次にこの障壁層」二に実験例１と同一の
光導電層とオーバコート層を形成した。

こうして得られた感光体を」１記Ｅｌ）−５２０にセッ
トし２０万枚の連続複写を行ったところ、ｌｉ’ｉｉ　
像カブリのない優れた画像か最後まで得られた。また残
留電位の−Ｌ昇もわずかであった。

実施例実験例２と同一条件の下に、但し障壁１１１形成時に更
に＠３タンク（７］よりＢ２１（６カスをその流量か４
５　ｓｅｃｍとなるよう流してａ−５ｉに炭素を　４０
ａｔｏｍｉ（％、酸素を約５　ａｔｏｍｉｃ％、＋１ｌ
ＩＩＩ素を２００１）Ｐｎｌ含有する１障壁層を形成し
、その上に同じ光導電層とオーバコート層を形成した。

この感光体をＥＰ−５２０にセットし２０万枚の連続複
写を行ったところ、最後まで画像カブリのない良好な画
像が得られた。また残留電位もほとんど」−昇か認めら
れなかった。

実施例実験例２と同一条件のドに障壁層と光導電層を順次形成
し、オルバコード層の形成を次のように行った。第１タ
ンク（５）よりＢ２カスを２１０　ｓｅｃｍ、第２タン
ク（６）よりＢ２て３０％に希釈された５ｉｕ４ガスを
３ＱＱ　５ＣＣｎｌ、弔４タンク（８）よりＣ２Ｈ４カ
スを９０ｓｅｃｍ、史に＄５タンク（９）より０２カス
をｌｓｃｃｍ反応室（２９）内部に流入させ、内圧をｌ
、ＱＴｏｒｒに調整したＦて高周波電源（３５）を投入
して３ＱＱ　ｗａｔＬｓの電力を印加した。これと同時
に第５タンク（９）からの０２ガスの流量を３分間でｌ
　ｓｅｃ＋ｎから４０　ｓｅｃｍまで等−シく変化する
ようマスフローコントローラ（１９）の目盛をあけ増加
させ、０２濃度に勾配をもった厚さ約０．１ミクロンの
オーバコート層を形成した。

尚、このときの炭素含有用は約４６　ａ【ｏ＋ｎｉｃ％
、酸素は約０．５から２０　ａｔｏｍｉｃ％テアル。

この感光体を実験例２と同様、ＥＰ５２０にセットし同
じ作像実験を行ったところ、画像特性の低下のない、解
像力に優れ階調再現性のよいｊＱ’（門な高濃度画像か
得られた。また、温度３０’Ｃ，湿度８０％の条件下で
連続複写したところ、やはり優れた画像か得られた。

比較例１実験例１て作成した感光体と同一のもの、但し障壁層に
硼素を一切含有しないものを作成し、ＥＰ−５２０にセ
ットして連続複写したところ、数１０００枚目から画像
カブリか認められ、繰り返し複写により顕著となった。

因に初期の残留′也位は５０　Ｖてあった。

比較例２実験例２て作成した感光体と同一のもの、但し障壁層の
酸素含有量を約２５　ａ　ｔ　ｏｍｉ　ｃ含有するもの
を作成し　ＥＰ　−５２０にセットし、連続複写したと
ころ、数１０００枚目位いから画像カブリか生した。

比較例３実験例３て作成した感光体と同一のもの、但しオーハコ
−４層における酸素含有社を約３９ａＬｏｍＩｃ％とし
たものを作成し、連続複写したところ数枚口からＩＪ像
流れか認められた。

【図面の簡単な説明】

Ｓ１図は本発明に係る感光体の構成を示す図、第２図は
本発明に係る感光体を製造するためのクロー放電分解装
置の概略構成を示す図である、３（２）・障壁層、　（
３）・・光導電層、　（４）　　オーバコート層、　（
５）〜（９）・第１−第５タンク、（２９）・・反応室
、　（３１）導電性基板、　（語）　　商周波電隙。出願人　　ミノルタカメラ株式会社

Claims

【特許請求の範囲】

（１）導電性基板」二に、少なくともアモルファスシリ
コン、酸素及び周Ｊυ］律表第■Ａ族不純物乃至はアモ
ルファスシリコン、炭素及び酸素を含有してなる障壁層
と、少なくともアモルファスシリコンを含む光導電層と
、少なくともアモルファスシリコン、炭素及び酸素を含
有してなる透光絶縁性オーバコートを順次積層してなる
ことを特徴とする感光体。
（２）　　ｎｉｌ記障壁層の厚さは約３０オンクストロ
ーム乃至２ミクロンで、ｉｉｊ記オーバコート層の厚さ
は約０．Ｏｌ乃至３ミクロンであることを特徴とする特
ｄ［に＾求の範囲第１項記載の感光体。
（３）前記障壁層は少なくともアモルファスシリコン、
酸素及び周期律表第１Ａ族不純物を含むとき、酸素は約
５乃至６ｇ　ａｃｏｍｉｃ％、不純物は約２００ＰＰｍ
まで含有されていることを特徴とする特１１［請求の範
囲第２項記載の感光体。
（４）　　前記障壁層は少なくともアモルファスシリコ
ン、炭素及び酸素を含むとき、炭素は約５乃至６０　ａ
ｔｏｍｉｃ％、酸素は約Ｉ　Ｑ　ａ　ｔｏｍｉ　ｃ％ま
て含有されていることを特徴とする特許請求の範囲第２
項記載の感光体。
（５）前記オーバコート層は約５乃至６０ａ【０１１１
６％の炭素と約ＩＱ　ａｔｏｍｉｃ％まての酸素を含有
し、それらか均一に含有されていることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の感光体。ｆ６１　　Ａｉｌ記オーバコート層に含有される炭素と
酸素は少なくとも一方か厚さ方向に含有量か増大するよ
う含有されていることを特徴とする特Ｉ１請求の範囲第
２項記載の感光体。