JPS59226352A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPS59226352A JPS59226352A JP10142283A JP10142283A JPS59226352A JP S59226352 A JPS59226352 A JP S59226352A JP 10142283 A JP10142283 A JP 10142283A JP 10142283 A JP10142283 A JP 10142283A JP S59226352 A JPS59226352 A JP S59226352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxygen
- layer
- carbon
- barrier layer
- photoreceptor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明は少なくともアモルファスシリコンヲ含む光導電
層を有する感光体に関する。
層を有する感光体に関する。
従来技術
ここ数年、クロー放電分解法やスパッタリンク法によっ
て生成されるアモルファスシリコン(a+norpho
us 5ilicon 、以Fa−5iと略す)の感光
体′\の応用か注目されてきている。また同様に長波長
1111域の感度を向」ニジて半導体レーザによる作4
Rヲ”J 能とするアモルファスシリコンーケルマニウ
ム(以上a−5i:Ge)の応用も注目されている。こ
れはa−3i 、a−5i :Gcか従来のセレンやC
ds感光体き比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光
感度特性等において一段と優れているためである。
て生成されるアモルファスシリコン(a+norpho
us 5ilicon 、以Fa−5iと略す)の感光
体′\の応用か注目されてきている。また同様に長波長
1111域の感度を向」ニジて半導体レーザによる作4
Rヲ”J 能とするアモルファスシリコンーケルマニウ
ム(以上a−5i:Ge)の応用も注目されている。こ
れはa−3i 、a−5i :Gcか従来のセレンやC
ds感光体き比して耐環境汚染性、耐熱性、摩耗性、光
感度特性等において一段と優れているためである。
しかしながら、a −5i 、 a −5i :Gc
は暗抵抗か不充分に低くそのままでは電荷保持層を兼
ねた光導電層として使用てきないという欠点がある。こ
のため、酸素や窒素を含有させてその暗抵抗を向]二さ
ぜることが提案されているか、逆に光感度が低ドすると
いう欠点かあり、その含有量も制限かある。
は暗抵抗か不充分に低くそのままでは電荷保持層を兼
ねた光導電層として使用てきないという欠点がある。こ
のため、酸素や窒素を含有させてその暗抵抗を向]二さ
ぜることが提案されているか、逆に光感度が低ドすると
いう欠点かあり、その含有量も制限かある。
このことより、例えば特開昭57−115551号公報
に示されるようにa−5i光等電層上に多量の炭素を含
むa−5i絶絶縁を形成して電荷保持の向上を図ること
か考えられる。しかしなから、このような感光体にあっ
ては炭素の含有量によってその電子写真特性かかなり変
動する。例えはa−3i雄絶縁におりる炭素含有量か比
較的少量であるときは高抵抗化か図れないはかりか光疲
労か大きく高湿度の条件下では画像流れか生しる。一方
、炭素含有用を大とすれは電荷保持率は向」ニし、また
透光性もある程度向」ニするか表面硬度か低下するとい
う欠点かある。史lこ高湿の条件下では膜欠陥による白
斑点か画像上に現われる。
に示されるようにa−5i光等電層上に多量の炭素を含
むa−5i絶絶縁を形成して電荷保持の向上を図ること
か考えられる。しかしなから、このような感光体にあっ
ては炭素の含有量によってその電子写真特性かかなり変
動する。例えはa−3i雄絶縁におりる炭素含有量か比
較的少量であるときは高抵抗化か図れないはかりか光疲
労か大きく高湿度の条件下では画像流れか生しる。一方
、炭素含有用を大とすれは電荷保持率は向」ニし、また
透光性もある程度向」ニするか表面硬度か低下するとい
う欠点かある。史lこ高湿の条件下では膜欠陥による白
斑点か画像上に現われる。
また、一方、a −5i光導電層を桿電性へ坂」二に直
接形成した場合には画像上(こピンホールや白斑点模様
か発生する。これは膜欠陥に起因する電荷ソ 担体のデータによるもので、導電性基板の表面状態、汚
れ等ζこより容易に発生ずる。また基板側からの電荷注
入により暗減衰か早くなり電イ゛術保持能か低下すると
いう問題かある。
接形成した場合には画像上(こピンホールや白斑点模様
か発生する。これは膜欠陥に起因する電荷ソ 担体のデータによるもので、導電性基板の表面状態、汚
れ等ζこより容易に発生ずる。また基板側からの電荷注
入により暗減衰か早くなり電イ゛術保持能か低下すると
いう問題かある。
発明の目的
本発明は以上の事実に鑑みて成されたもので、その目的
とするところは、光疲労かなく光感度特性、電荷保持特
性、表面硬度を含む電子写真特性全般に優れ、1]、つ
ノi(板側からの電荷の注入を防止するとともに残留電
位の」1昇並び基板ノイズによる画像劣化もなく、高湿
条件下乃至は反復複写においても長期に渡り良好な画像
を得ることのできる感光体を提供するこ七にある。
とするところは、光疲労かなく光感度特性、電荷保持特
性、表面硬度を含む電子写真特性全般に優れ、1]、つ
ノi(板側からの電荷の注入を防止するとともに残留電
位の」1昇並び基板ノイズによる画像劣化もなく、高湿
条件下乃至は反復複写においても長期に渡り良好な画像
を得ることのできる感光体を提供するこ七にある。
発明の要旨
本発明の要旨は、導電性基板上に少なくともアモルファ
スシリコン、酸素及び周期律表第1II A族不純物乃
至はアモルファスシリコン、炭素及び酸素を含有してな
る障壁層と、少なくともアモルファスシリコンを含む光
導電層と、少なくともアモルファスシリコン、炭素及び
酸素を含有してなる透光絶縁性オーバコート層を順次積
層してなる感光体にある。
スシリコン、酸素及び周期律表第1II A族不純物乃
至はアモルファスシリコン、炭素及び酸素を含有してな
る障壁層と、少なくともアモルファスシリコンを含む光
導電層と、少なくともアモルファスシリコン、炭素及び
酸素を含有してなる透光絶縁性オーバコート層を順次積
層してなる感光体にある。
以下、本発明につき詳細に説明する。
第1図は本発明に係る感光体の構成を示し、(1)は導
電性基板で、その」−に少なくともa−5i、酸素及び
周期律表第1II A族不純物あるいはa−3i、炭素
及び酸素を含有してなる障壁層(2)と、少なくともa
−5iを含む光導電層(3)と、少なくともa−5i、
炭素及び酸素を含有してなる透光絶縁性のオーバコート
層(4)を順次積層してなるものである、。
電性基板で、その」−に少なくともa−5i、酸素及び
周期律表第1II A族不純物あるいはa−3i、炭素
及び酸素を含有してなる障壁層(2)と、少なくともa
−5iを含む光導電層(3)と、少なくともa−5i、
炭素及び酸素を含有してなる透光絶縁性のオーバコート
層(4)を順次積層してなるものである、。
該障壁層(2)は例えはクロー放電分解法によって最適
には100乃至200OAの厚さに生成される。この障
壁層(2)は上記の通り、その−態様おして少なくとも
a−3i、酸素並ひに周JIJ]律表第111A族不純
物を含有してなるものて、a−3ixO+−xまたは水
素を含むa −(SixO+−x)yH+ −y lこ
第111A族不純物を添加してなるものである。酸素の
含有量は約5乃至5Q ato+nic%て含有により
障壁層の暗抵抗を著しく向上して基板(1)からの電荷
注入を有効(こ1力止する。また基板(1)との被覆性
とレペリンク効果にも有効で基板ノイズによる弊害も防
止する。但し酸素のみの含有では残留電位か上昇する。
には100乃至200OAの厚さに生成される。この障
壁層(2)は上記の通り、その−態様おして少なくとも
a−3i、酸素並ひに周JIJ]律表第111A族不純
物を含有してなるものて、a−3ixO+−xまたは水
素を含むa −(SixO+−x)yH+ −y lこ
第111A族不純物を添加してなるものである。酸素の
含有量は約5乃至5Q ato+nic%て含有により
障壁層の暗抵抗を著しく向上して基板(1)からの電荷
注入を有効(こ1力止する。また基板(1)との被覆性
とレペリンク効果にも有効で基板ノイズによる弊害も防
止する。但し酸素のみの含有では残留電位か上昇する。
このため本発明では酸素に加えて周期律表第1I A族
不純物、好ましくは硼素を約2001)Pillまで含
有している。硼素の含有は光導電層(3)て発±するチ
ャージキャリアの基板(1)側への移動を許容し残留電
位の−1−昇を防止する。酸素含有量を約5乃至5Qa
Lomic%とするのは、5 aLOnlic%以下て
は障壁層の高抵抗化か図れず、また60 atomic
%以上ては硼素含有にかかわらず画像カブリか生じ、ま
た残留電位も」二昇するためである。また硼素含有量を
200円)11)までとするのはそれ以」−では感光体
の帯電能か急激に低下するためである。尚、3−51は
a −3i:ceてもよい。
不純物、好ましくは硼素を約2001)Pillまで含
有している。硼素の含有は光導電層(3)て発±するチ
ャージキャリアの基板(1)側への移動を許容し残留電
位の−1−昇を防止する。酸素含有量を約5乃至5Qa
Lomic%とするのは、5 aLOnlic%以下て
は障壁層の高抵抗化か図れず、また60 atomic
%以上ては硼素含有にかかわらず画像カブリか生じ、ま
た残留電位も」二昇するためである。また硼素含有量を
200円)11)までとするのはそれ以」−では感光体
の帯電能か急激に低下するためである。尚、3−51は
a −3i:ceてもよい。
次に障壁層(2)として少なくともa−5i、炭素及び
酸素を含有した場合、つまりa−3ixC+−λに酸素
を含有した場合についても同様の効果か得られる。この
場合、炭素の含有量は約5乃至60a to+nic%
、酸素は微量から約16 atomic%まて含有する
ことかできる。ここで炭素と酸素の含有は障壁層の暗抵
抗を著しく向」ニして基板(1)からの電荷のflE入
を有効に防止し、両者の含有はまた障壁層(2)の基板
に対する被覆性とレベリング効果に有効であるとともに
、光導電層(3)で発生するチャージキャリアの基板側
・\の移動を許容して残留電位の]二昇を防止する。炭
素含有喰を約5乃至60 atomic%とするのは、
5 atomic%以ドては障壁以上高抵抗化か図れず
基板からの電荷注入を防止できす、また6g atom
ic%以−J二では画像カブリか生しるためである。史
に酸素の含有量はIQ atomic%す、」二となる
と残留電位か上昇し画像カブリか発生する。
酸素を含有した場合、つまりa−3ixC+−λに酸素
を含有した場合についても同様の効果か得られる。この
場合、炭素の含有量は約5乃至60a to+nic%
、酸素は微量から約16 atomic%まて含有する
ことかできる。ここで炭素と酸素の含有は障壁層の暗抵
抗を著しく向」ニして基板(1)からの電荷のflE入
を有効に防止し、両者の含有はまた障壁層(2)の基板
に対する被覆性とレベリング効果に有効であるとともに
、光導電層(3)で発生するチャージキャリアの基板側
・\の移動を許容して残留電位の]二昇を防止する。炭
素含有喰を約5乃至60 atomic%とするのは、
5 atomic%以ドては障壁以上高抵抗化か図れず
基板からの電荷注入を防止できす、また6g atom
ic%以−J二では画像カブリか生しるためである。史
に酸素の含有量はIQ atomic%す、」二となる
と残留電位か上昇し画像カブリか発生する。
障壁層(2)は史に望ましくは周期律表第111A族不
純物、特に好ましくは硼素を約2001)pH1まで含
有してもよい。硼素の添加は障壁層におけるチャージキ
ャリアの移動をより容易として残留電位の」二昇防止に
より一層有効である。
純物、特に好ましくは硼素を約2001)pH1まで含
有してもよい。硼素の添加は障壁層におけるチャージキ
ャリアの移動をより容易として残留電位の」二昇防止に
より一層有効である。
障壁層(2+1に形成さa−Lるa−5iを含む光導電
層(3)はやはり同様に例えはクロー放電分解法によっ
て5乃至100 ミクロン、好ましくは10乃至60ミ
クロンに生成される。−例としてSi++++ 、5i
zHsガス等をH2、Ar等をキャリアーカスとして用
い威圧可能な反応室内に送り込み、高周波電力印加のF
にグロー放電を起こして基板上に水素を含むλ−3i光
導電層であってもよく、史にはGcH4カスを並行して
送り込み形成したa−3i:Ge 光導電層でもよい
。もっともこのようにして得られる光導電層は暗抵抗か
不充分に低いので、暗抵抗の向」二の目的のために周期
律表第1II A族不純物(好ましくは硼素)、機端の
酸素、炭素、窒素等を含有させてもよい。
層(3)はやはり同様に例えはクロー放電分解法によっ
て5乃至100 ミクロン、好ましくは10乃至60ミ
クロンに生成される。−例としてSi++++ 、5i
zHsガス等をH2、Ar等をキャリアーカスとして用
い威圧可能な反応室内に送り込み、高周波電力印加のF
にグロー放電を起こして基板上に水素を含むλ−3i光
導電層であってもよく、史にはGcH4カスを並行して
送り込み形成したa−3i:Ge 光導電層でもよい
。もっともこのようにして得られる光導電層は暗抵抗か
不充分に低いので、暗抵抗の向」二の目的のために周期
律表第1II A族不純物(好ましくは硼素)、機端の
酸素、炭素、窒素等を含有させてもよい。
光導電層(3)」−に形成されるオーバコート層(4)
はやはり同様に例えはクロー放電分解法によって厚さ0
.01 乃至3ミクロンに生成される。このオーバコー
ト層(4)はその抵抗値か光導電層(3)より高く、層
全体を通してその抵抗値か略一定であるか或(1は光導
電層(3)との界面より厚さ方向に順次旨くなるよう形
成される。具体的に上記オーバコート層(4)は前述し
た通りa−5i乃至はa、−5i:Geに炭素と酸素を
含有してなり、これにより抵抗の向]−はもとより表面
硬度、史には光感度特性と耐環境性を著しく向上してい
る。即ち、a−5iに炭素のみを含有してなるオーバコ
ート層は炭素含有附の増大にしたかつて表面硬度か次第
に低下し長期の反復の使用には適さないという欠点があ
る。また炭素のみの含有では充分な高抵抗化か図れす商
況条件のドて画像−にに白斑点模様か発生し画像滲みが
生しる。
はやはり同様に例えはクロー放電分解法によって厚さ0
.01 乃至3ミクロンに生成される。このオーバコー
ト層(4)はその抵抗値か光導電層(3)より高く、層
全体を通してその抵抗値か略一定であるか或(1は光導
電層(3)との界面より厚さ方向に順次旨くなるよう形
成される。具体的に上記オーバコート層(4)は前述し
た通りa−5i乃至はa、−5i:Geに炭素と酸素を
含有してなり、これにより抵抗の向]−はもとより表面
硬度、史には光感度特性と耐環境性を著しく向上してい
る。即ち、a−5iに炭素のみを含有してなるオーバコ
ート層は炭素含有附の増大にしたかつて表面硬度か次第
に低下し長期の反復の使用には適さないという欠点があ
る。また炭素のみの含有では充分な高抵抗化か図れす商
況条件のドて画像−にに白斑点模様か発生し画像滲みが
生しる。
本発明のオーバコート層(4)は炭素に加えて酸素を含
有せしめることにより上記の問題点を解決したものであ
る。酸素の含有はオー/\コー[層(4)の透光性を著
しく改善し、現に実馴によ、I″Lはa−5iオ一バコ
ート層に炭素のみを約40 ato+nic%含有する
ものと、40 atomic%の炭素に加え約5 a
t omi c%の酸素を含有するオー7・コート層の
感光体とては後者の方か光感度か約1.8倍も商い。ま
た表a■]硬度も低下はなくむしろ向」−となっている
。史に高湿条件下、反復複写においても画像流れや白斑
点はなく長期に渡り良好な画像を形成することかできる
。オーバコート層(4)に含有される炭素と酸素の量は
それらか層全体に渡って略均−に含有される場合と厚さ
方向に勾配をもって含有される場合とで異なるが、均一
に含有するときはa −S iに対し約5乃至5Q a
t omi c%の炭素と微1i′)から約10ajQ
+11!(%の酸素であることか望ましい。炭素の含有
量を最低ても5 atomic%、酸素を徴用(約0.
1aLomic%以上)とするのはそれ以−ドてはオー
バコ−ト層の高抵抗化が図れず光疲労も大きく透光性も
不充分であるためて、また最大で約60 ato+ni
c%の炭素々団atomic%の酸素とするのはそれ以
上では画像流れか生じるためである。一方、厚さ方向に
勾配をもって含有するときはオーバコート層の厚さ方向
に含有量が徐々に増大するようにし、約1乃至60a【
omic%の炭素と微量から最大約25a tomi
c%の酸素を含有することかできる。尚、炭素の含有)
仕を一定として酸素含有量を徐々に増大するようlこし
てもよいし、またその逆でもよい。
有せしめることにより上記の問題点を解決したものであ
る。酸素の含有はオー/\コー[層(4)の透光性を著
しく改善し、現に実馴によ、I″Lはa−5iオ一バコ
ート層に炭素のみを約40 ato+nic%含有する
ものと、40 atomic%の炭素に加え約5 a
t omi c%の酸素を含有するオー7・コート層の
感光体とては後者の方か光感度か約1.8倍も商い。ま
た表a■]硬度も低下はなくむしろ向」−となっている
。史に高湿条件下、反復複写においても画像流れや白斑
点はなく長期に渡り良好な画像を形成することかできる
。オーバコート層(4)に含有される炭素と酸素の量は
それらか層全体に渡って略均−に含有される場合と厚さ
方向に勾配をもって含有される場合とで異なるが、均一
に含有するときはa −S iに対し約5乃至5Q a
t omi c%の炭素と微1i′)から約10ajQ
+11!(%の酸素であることか望ましい。炭素の含有
量を最低ても5 atomic%、酸素を徴用(約0.
1aLomic%以上)とするのはそれ以−ドてはオー
バコ−ト層の高抵抗化が図れず光疲労も大きく透光性も
不充分であるためて、また最大で約60 ato+ni
c%の炭素々団atomic%の酸素とするのはそれ以
上では画像流れか生じるためである。一方、厚さ方向に
勾配をもって含有するときはオーバコート層の厚さ方向
に含有量が徐々に増大するようにし、約1乃至60a【
omic%の炭素と微量から最大約25a tomi
c%の酸素を含有することかできる。尚、炭素の含有)
仕を一定として酸素含有量を徐々に増大するようlこし
てもよいし、またその逆でもよい。
但し後者の場合は、酸素含有量を最大] Q a L
0ITI i c%としなけれはならない。
0ITI i c%としなけれはならない。
以上において、各層の形成用の原料ガスとして有効に使
用される。のは、a−5lを含むときはSlとHとを構
成原子とするSi+14、Si2H6,5i3)1s、
S i 4 Hso等のシラン頚管水素化硅素ガス、炭
素を含有するときはCとHとを構成原子とする例えは炭
素数1〜5の飽和炭化水素、炭素数1〜5のエチレン系
炭化水素、炭素数2〜4のアセチレン系炭化水素等が挙
けられる。具体的には飽和炭化水素よしてメタン(CH
す、エタン(C2H6) 、 プロパン(C,3H8
)、n−ブタ7 (o −C4)(to) xチl/7
系炭化水素としてはエチレン(02H4)、プロピレン
(C3H6人ブラン(C4)1B) 、アセチレン系炭
化水素としてはアセチレン(C2H2) 、メチルアセ
チレン(C3H4)、ブチン(C4H6)等が挙けられ
る。更に酸素系の原料カスとしては、酸素(02)、オ
ソン(03)、−酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO
2)、−酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)、−
二酸化窒素(N20)、三二酸化窒素(N203)、四
三酸化窒素(N204)、五二酸化窒素(N205)
、三酸化窒素(NO3)等を挙けることかできる。尚、
水素硅素カスに加え各層にゲルマニウムを含有してもよ
いことは的述した通りで、このときはG e H4、G
e2H6ガス等を併用すれはよい。
用される。のは、a−5lを含むときはSlとHとを構
成原子とするSi+14、Si2H6,5i3)1s、
S i 4 Hso等のシラン頚管水素化硅素ガス、炭
素を含有するときはCとHとを構成原子とする例えは炭
素数1〜5の飽和炭化水素、炭素数1〜5のエチレン系
炭化水素、炭素数2〜4のアセチレン系炭化水素等が挙
けられる。具体的には飽和炭化水素よしてメタン(CH
す、エタン(C2H6) 、 プロパン(C,3H8
)、n−ブタ7 (o −C4)(to) xチl/7
系炭化水素としてはエチレン(02H4)、プロピレン
(C3H6人ブラン(C4)1B) 、アセチレン系炭
化水素としてはアセチレン(C2H2) 、メチルアセ
チレン(C3H4)、ブチン(C4H6)等が挙けられ
る。更に酸素系の原料カスとしては、酸素(02)、オ
ソン(03)、−酸化炭素(CO)、二酸化炭素(CO
2)、−酸化窒素(NO)、二酸化窒素(NO2)、−
二酸化窒素(N20)、三二酸化窒素(N203)、四
三酸化窒素(N204)、五二酸化窒素(N205)
、三酸化窒素(NO3)等を挙けることかできる。尚、
水素硅素カスに加え各層にゲルマニウムを含有してもよ
いことは的述した通りで、このときはG e H4、G
e2H6ガス等を併用すれはよい。
次に本発明に係る感光体を製造するための容量結合型ク
ロー放電分解装置について説明する。第2歯において、
第11第2、第3、第4、η55タンク(5)、(6)
、(7)、(8)、(9)には夫々H2、SiH4、B
21−16、C2H4,02ガスが密封されている。こ
こで第1タンク(5)のH2ガスはSiH4ガスのキャ
リアーガスである。但しH2カスに代ってAr、Heを
用いてもよい。またB2H6カスのキャリアーも水素で
ある。
ロー放電分解装置について説明する。第2歯において、
第11第2、第3、第4、η55タンク(5)、(6)
、(7)、(8)、(9)には夫々H2、SiH4、B
21−16、C2H4,02ガスが密封されている。こ
こで第1タンク(5)のH2ガスはSiH4ガスのキャ
リアーガスである。但しH2カスに代ってAr、Heを
用いてもよい。またB2H6カスのキャリアーも水素で
ある。
尚各層にゲルマニウムを含むときは別途Ge)+4ガス
のタンクを用意する。これら第1〜第5タンクのカスは
第1、第2、第3、$4、第5調整弁・:10)、(1
1)、(12)、(13)、(14)を開放することに
より放出され、その流量かマスフローコントローラ(1
5)、(16)、(17)、(18)、(19)により
規制され、第1乃至第4タンク(5)、(6)、(7)
、(8)からのカスは第1主管+20+−Xさ、また第
5タンク(9)からの酸素ガスは第2主管(21)へと
送られる。尚、(22)、(23)、(24)、(25
)、(26)、(27+、(28)は止め弁である。
のタンクを用意する。これら第1〜第5タンクのカスは
第1、第2、第3、$4、第5調整弁・:10)、(1
1)、(12)、(13)、(14)を開放することに
より放出され、その流量かマスフローコントローラ(1
5)、(16)、(17)、(18)、(19)により
規制され、第1乃至第4タンク(5)、(6)、(7)
、(8)からのカスは第1主管+20+−Xさ、また第
5タンク(9)からの酸素ガスは第2主管(21)へと
送られる。尚、(22)、(23)、(24)、(25
)、(26)、(27+、(28)は止め弁である。
第1及び第21己管(20)、(21)を通して流れる
カスは反応室C9)(こおいて第3主管(30)で合流
する。反応室(29)内にはその表面に障壁層(2)が
形成されるアルミニウム、ステンレス NESAカラス
のような導電性基板(31)かモータ(32)により回
転可能であるターンテーブル+33)上に載置されてお
り、該基板(31)自体は電気的に接地されるとともに
適当な加熱手段により約100乃至400℃、好ましく
は150乃至300°Cの温度に均一加熱されている。
カスは反応室C9)(こおいて第3主管(30)で合流
する。反応室(29)内にはその表面に障壁層(2)が
形成されるアルミニウム、ステンレス NESAカラス
のような導電性基板(31)かモータ(32)により回
転可能であるターンテーブル+33)上に載置されてお
り、該基板(31)自体は電気的に接地されるとともに
適当な加熱手段により約100乃至400℃、好ましく
は150乃至300°Cの温度に均一加熱されている。
(34)は導電性基板(31)を包囲する関係に設けら
れた円豹状の電極板で高周波電源(35)に接続される
とともに、その内部は空詞に形成され外壁部に第3、第
4主管(30)、(ア)か接続されている。また電極板
(34)の内壁面には図示しないガス放出孔か形成され
第3主管(30)より尋人される生成ガスを導電性基板
(31)表面に噴出させる。噴出孔より放出されたカス
は分解される一方、やはり内壁面に形成したガス吸引孔
より吸引されて第4主管伽)を介して排出されるように
なっている。
れた円豹状の電極板で高周波電源(35)に接続される
とともに、その内部は空詞に形成され外壁部に第3、第
4主管(30)、(ア)か接続されている。また電極板
(34)の内壁面には図示しないガス放出孔か形成され
第3主管(30)より尋人される生成ガスを導電性基板
(31)表面に噴出させる。噴出孔より放出されたカス
は分解される一方、やはり内壁面に形成したガス吸引孔
より吸引されて第4主管伽)を介して排出されるように
なっている。
尚、高周波電源(35)からは電極板+34+ iこ約
0.05乃至15kilowartsの高周波電力か印
加されるようになっており、その周波数は1乃至5QM
Hzか心当である。
0.05乃至15kilowartsの高周波電力か印
加されるようになっており、その周波数は1乃至5QM
Hzか心当である。
更に反応室(29)の内部は障壁層光導電層及びオーバ
コート層形成時に高度の真空状聾(放電圧−0,5乃至
2.OTorr)を必要とすることによりri、i 転
ポンプ(37)と拡散ポンプ(38)に連結されている
。
コート層形成時に高度の真空状聾(放電圧−0,5乃至
2.OTorr)を必要とすることによりri、i 転
ポンプ(37)と拡散ポンプ(38)に連結されている
。
以」二の構成の容量結合型クロー放電分解装置において
、まずa−3i、酸素及び硼素を含有する障壁層(2)
を導電性基板(31)上に形成するに際しては第■、第
2、$3、第5調整弁(10)、(11)、(12)、
(14)を開放して適当な流量比で第l、第2タンク(
5)、(6)よりH2,5i11.+カスを、第3タン
ク(7)よりB2H6カス、第5タンク(9)より02
カスを放出する。尚、炭素を史に含有するときは第4タ
ンク(8)よりC2H4ガスを放出する。放出用はマス
フローコントローラ(15)、(16)、(17)、(
18)、(19)により規制され、l(2をキャリアー
カスとするS iH4ガス、+32H6カス乃至はC2
H4ガスか混合されたカスか’431主管(20)を介
して、またそれとともにSiH+に対し一定のモル比に
ある酸素カスか第2主管(21)を介して送られ、反応
室内部の第3主肯’ (30)て合流し電極板1:!A
内に送られる。
、まずa−3i、酸素及び硼素を含有する障壁層(2)
を導電性基板(31)上に形成するに際しては第■、第
2、$3、第5調整弁(10)、(11)、(12)、
(14)を開放して適当な流量比で第l、第2タンク(
5)、(6)よりH2,5i11.+カスを、第3タン
ク(7)よりB2H6カス、第5タンク(9)より02
カスを放出する。尚、炭素を史に含有するときは第4タ
ンク(8)よりC2H4ガスを放出する。放出用はマス
フローコントローラ(15)、(16)、(17)、(
18)、(19)により規制され、l(2をキャリアー
カスとするS iH4ガス、+32H6カス乃至はC2
H4ガスか混合されたカスか’431主管(20)を介
して、またそれとともにSiH+に対し一定のモル比に
ある酸素カスか第2主管(21)を介して送られ、反応
室内部の第3主肯’ (30)て合流し電極板1:!A
内に送られる。
そしてガス放出孔からカスか均一放出されることに加え
て、反応室(25)内部か0.5乃至2.00 T o
lゴ程度の真空状態、基板l:1i’r度が100乃
至400℃、電極板(30)−\の尚周波電力が0.0
5乃至1.5 kilowatts、また周波数か1乃
至59MHzに設定されてい′ることに相俟ってグロー
放電か起こり、ガスか分解して基板上に少なくともa−
5i、硼素、酸素乃至は炭素を含有した障壁層(2)が
約0.5乃至5ミクロン/60分の早さで形成される。
て、反応室(25)内部か0.5乃至2.00 T o
lゴ程度の真空状態、基板l:1i’r度が100乃
至400℃、電極板(30)−\の尚周波電力が0.0
5乃至1.5 kilowatts、また周波数か1乃
至59MHzに設定されてい′ることに相俟ってグロー
放電か起こり、ガスか分解して基板上に少なくともa−
5i、硼素、酸素乃至は炭素を含有した障壁層(2)が
約0.5乃至5ミクロン/60分の早さで形成される。
所望の膜厚の障壁層(2)か形成されると、連続しであ
るいは一旦グロー放電を中断した後、光、9電層(3)
を形成する。これは第1乃至第3タンク(5)、(6)
、(7)及び第5タンク(9)よりガスを放出すること
により行われ、硼素と微量の酸素を含有した水素化a−
5i光導電層(3)か形成される。
るいは一旦グロー放電を中断した後、光、9電層(3)
を形成する。これは第1乃至第3タンク(5)、(6)
、(7)及び第5タンク(9)よりガスを放出すること
により行われ、硼素と微量の酸素を含有した水素化a−
5i光導電層(3)か形成される。
続いてa−3iを含む光導電層t31−1−にオーツ・
コート層(4)を形成する。これは第1乃至第5タンク
(5)、(6)、(7)、(8)、(9)よりカスを放
出するこよにより1″jわれるか、第4、第5タンク(
8)、(9)からはIJり述の含有量となるようC2H
4と02カスを放出する。
コート層(4)を形成する。これは第1乃至第5タンク
(5)、(6)、(7)、(8)、(9)よりカスを放
出するこよにより1″jわれるか、第4、第5タンク(
8)、(9)からはIJり述の含有量となるようC2H
4と02カスを放出する。
このとき、オーバコート層にその厚さ方向均一に一定の
抵抗を持たせるとき、つまり含有量を等しくするときは
C2H4と02カスの放出:1′Iヲー疋1こ保った状
態とすれはよい。また厚さ方向に抵抗を順次高くなるよ
うに形成するときは、C2H4七02カス両方または何
れか一方の放出Wを次第に増加させる。
抵抗を持たせるとき、つまり含有量を等しくするときは
C2H4と02カスの放出:1′Iヲー疋1こ保った状
態とすれはよい。また厚さ方向に抵抗を順次高くなるよ
うに形成するときは、C2H4七02カス両方または何
れか一方の放出Wを次第に増加させる。
実施例
第2図に示すクロー放電分解装置において、まず回転ポ
ンプ(37)を、それに続いて拡散ポンプ(38)を作
動させ反応室+291の内部をIQ−6TOrr程度の
高真空にした後、第1乃至第3及び第5調整弁(10)
、(11)、(12)、(14)を開放し、第1タンク
(5)よりH2カス、YJ2タンク(6)よりH2で3
0%に希釈されたSiH4ガス。
ンプ(37)を、それに続いて拡散ポンプ(38)を作
動させ反応室+291の内部をIQ−6TOrr程度の
高真空にした後、第1乃至第3及び第5調整弁(10)
、(11)、(12)、(14)を開放し、第1タンク
(5)よりH2カス、YJ2タンク(6)よりH2で3
0%に希釈されたSiH4ガス。
第3タンク(7)よりH2て200 PPmに希釈され
たB2H6カス、史に第5タンク(9)より02カスを
出力圧ケージ1%の下でマス70−コントローラ(15
)、(16)、(17)、(19)内・\流入させた。
たB2H6カス、史に第5タンク(9)より02カスを
出力圧ケージ1%の下でマス70−コントローラ(15
)、(16)、(17)、(19)内・\流入させた。
そして各マスフローコントローラの目盛を調整して、■
(2の流量を333 S CC11l、SiH4を15
Q sccm 、 B2H6を22.5 sccm、0
2を45SCCInとなるように設定して反応室(29
)内へ流入させた。夫々の流面か安定した後に、反応室
(2g)の内圧がl 、QTorrとなるように調整し
た。一方、導電性基板(31)としては直径120mm
のアルミニウムトラムを用い200°Cに予じめ加熱し
ておき、各ノjスの流量か安定し内圧か安定した状態で
高周波電源(35)を投入し電極板(32)に3QQ
waLLsの電力(周波数13.56 MHz )を印
加してクロー放電を発生させた。
(2の流量を333 S CC11l、SiH4を15
Q sccm 、 B2H6を22.5 sccm、0
2を45SCCInとなるように設定して反応室(29
)内へ流入させた。夫々の流面か安定した後に、反応室
(2g)の内圧がl 、QTorrとなるように調整し
た。一方、導電性基板(31)としては直径120mm
のアルミニウムトラムを用い200°Cに予じめ加熱し
ておき、各ノjスの流量か安定し内圧か安定した状態で
高周波電源(35)を投入し電極板(32)に3QQ
waLLsの電力(周波数13.56 MHz )を印
加してクロー放電を発生させた。
このグロー放電を3分間持続して行い、導電性基板(2
9)上に水素a−3i 、200 PP”の硼素、約2
5atomic%の酸素を含有してなる厚さ0.1ミク
ロ(35) ンの障壁層(2)を形成した。この後、旨周波電源豊か
らの電力印加を一旦停止するとともに各マスフローコン
トローラの流量を0設定にし反応室(29)内を十分脱
気した。次に第1乃至第3及び第5調整弁(10)、(
11)、(12)、(14)を開放し夫々のタンクより
H2、SiH4、B2H6,02カスをマスフローコン
トローラ(15糺(16)、(17)、(19)内へ流
入させた。そして各7スフローコントローラの目盛を調
整してH2の流量を274sccrn1SiH4を3Q
Q 5CCnl、B2H6を255CCIII 、02
をlSCCmとなるように設定して反応室内・\流入′
させた。そして電極板(34)に3QQwaLLSの誦
周彼電力を印加してグロー放電を発生させた。このクロ
ー放電を約7時間持続して行い、障I+、を層+2)
Lに水素、硼素並ひに微量の酸素を含有する厚さ約20
ミクロンのa−5i光導電層(3)を形成した。
9)上に水素a−3i 、200 PP”の硼素、約2
5atomic%の酸素を含有してなる厚さ0.1ミク
ロ(35) ンの障壁層(2)を形成した。この後、旨周波電源豊か
らの電力印加を一旦停止するとともに各マスフローコン
トローラの流量を0設定にし反応室(29)内を十分脱
気した。次に第1乃至第3及び第5調整弁(10)、(
11)、(12)、(14)を開放し夫々のタンクより
H2、SiH4、B2H6,02カスをマスフローコン
トローラ(15糺(16)、(17)、(19)内へ流
入させた。そして各7スフローコントローラの目盛を調
整してH2の流量を274sccrn1SiH4を3Q
Q 5CCnl、B2H6を255CCIII 、02
をlSCCmとなるように設定して反応室内・\流入′
させた。そして電極板(34)に3QQwaLLSの誦
周彼電力を印加してグロー放電を発生させた。このクロ
ー放電を約7時間持続して行い、障I+、を層+2)
Lに水素、硼素並ひに微量の酸素を含有する厚さ約20
ミクロンのa−5i光導電層(3)を形成した。
続いて第1タンク(5)よりH2カスを39Q scc
m、第2タンク(6)よりH2て30%に希釈されたS
i II 4カスを15QSccln 、 第4タン
ク(8)よりC2H4カスを9(l sccml 更に
第5タンク(9)より02カスを10105e反応室内
部に流入させ、内圧を1.Q TOrrに調整した下で
高周波電源(35)を投入して300Wa t t s
の電力を印加した。3分間放電を続は約0.1ミクロン
のオーバコート層(3)を形成した。尚、このときの炭
素含有用は約4g a io+ni c%、酸素は約5
a 【oIn I C%である。
m、第2タンク(6)よりH2て30%に希釈されたS
i II 4カスを15QSccln 、 第4タン
ク(8)よりC2H4カスを9(l sccml 更に
第5タンク(9)より02カスを10105e反応室内
部に流入させ、内圧を1.Q TOrrに調整した下で
高周波電源(35)を投入して300Wa t t s
の電力を印加した。3分間放電を続は約0.1ミクロン
のオーバコート層(3)を形成した。尚、このときの炭
素含有用は約4g a io+ni c%、酸素は約5
a 【oIn I C%である。
こうして得られた感光体をミノルタカメラ(株)製粉像
転写型複写機El)−520にセソl−L、コピーした
ところ解像力に優れ、階調11+現性のよい鮮明な高濃
度の画像か得ら第1た。また20万枚の連続複写を行っ
ても画像特性の低ドは認められず最後まで良好なコピー
が得られた。更に30℃、80%という副部、商況の条
件ての複写てもその電子写真特性、画像特性は室lI′
11)条件ドと何ら変わるとおはなかった。
転写型複写機El)−520にセソl−L、コピーした
ところ解像力に優れ、階調11+現性のよい鮮明な高濃
度の画像か得ら第1た。また20万枚の連続複写を行っ
ても画像特性の低ドは認められず最後まで良好なコピー
が得られた。更に30℃、80%という副部、商況の条
件ての複写てもその電子写真特性、画像特性は室lI′
11)条件ドと何ら変わるとおはなかった。
上記感光体を史に帯電し白色光2.O1ux−secの
下で露光して残留電位を測定したところ、初期てOV、
20万枚複写後も数tOVであった。
下で露光して残留電位を測定したところ、初期てOV、
20万枚複写後も数tOVであった。
実施例
実検例1と同一条件の下に、但し障壁層(2)形成時に
第1タンク(5)よりB2カスをその流(6,か245
sccm、第2タンク(6)よりSiH4カスを300
secm。
第1タンク(5)よりB2カスをその流(6,か245
sccm、第2タンク(6)よりSiH4カスを300
secm。
第4タンク(8)よりC2114カスを9Q sccm
、 第5タンク(9)より02カスをIQ secm
となるよう反応室(29)内・\流入させ、グロー放電
を起こしa −5i に加え、炭素を約40 ato
mic%、酸素を5 atomic %含有する障壁
層を形成した。次にこの障壁層」二に実験例1と同一の
光導電層とオーバコート層を形成した。
、 第5タンク(9)より02カスをIQ secm
となるよう反応室(29)内・\流入させ、グロー放電
を起こしa −5i に加え、炭素を約40 ato
mic%、酸素を5 atomic %含有する障壁
層を形成した。次にこの障壁層」二に実験例1と同一の
光導電層とオーバコート層を形成した。
こうして得られた感光体を」1記El)−520にセッ
トし20万枚の連続複写を行ったところ、li’ii
像カブリのない優れた画像か最後まで得られた。また残
留電位の−L昇もわずかであった。
トし20万枚の連続複写を行ったところ、li’ii
像カブリのない優れた画像か最後まで得られた。また残
留電位の−L昇もわずかであった。
実施例
実験例2と同一条件の下に、但し障壁111形成時に更
に@3タンク(7]よりB21(6カスをその流量か4
5 secmとなるよう流してa−5iに炭素を 40
atomi(%、酸素を約5 atomic%、+1l
III素を2001)Pnl含有する1障壁層を形成し
、その上に同じ光導電層とオーバコート層を形成した。
に@3タンク(7]よりB21(6カスをその流量か4
5 secmとなるよう流してa−5iに炭素を 40
atomi(%、酸素を約5 atomic%、+1l
III素を2001)Pnl含有する1障壁層を形成し
、その上に同じ光導電層とオーバコート層を形成した。
この感光体をEP−520にセットし20万枚の連続複
写を行ったところ、最後まで画像カブリのない良好な画
像が得られた。また残留電位もほとんど」−昇か認めら
れなかった。
写を行ったところ、最後まで画像カブリのない良好な画
像が得られた。また残留電位もほとんど」−昇か認めら
れなかった。
実施例
実験例2と同一条件のドに障壁層と光導電層を順次形成
し、オルバコード層の形成を次のように行った。第1タ
ンク(5)よりB2カスを210 secm、第2タン
ク(6)よりB2て30%に希釈された5iu4ガスを
3QQ 5CCnl、弔4タンク(8)よりC2H4カ
スを90secm、史に$5タンク(9)より02カス
をlsccm反応室(29)内部に流入させ、内圧をl
、QTorrに調整したFて高周波電源(35)を投入
して3QQ watLsの電力を印加した。これと同時
に第5タンク(9)からの02ガスの流量を3分間でl
sec+nから40 secmまで等−シく変化する
ようマスフローコントローラ(19)の目盛をあけ増加
させ、02濃度に勾配をもった厚さ約0.1ミクロンの
オーバコート層を形成した。
し、オルバコード層の形成を次のように行った。第1タ
ンク(5)よりB2カスを210 secm、第2タン
ク(6)よりB2て30%に希釈された5iu4ガスを
3QQ 5CCnl、弔4タンク(8)よりC2H4カ
スを90secm、史に$5タンク(9)より02カス
をlsccm反応室(29)内部に流入させ、内圧をl
、QTorrに調整したFて高周波電源(35)を投入
して3QQ watLsの電力を印加した。これと同時
に第5タンク(9)からの02ガスの流量を3分間でl
sec+nから40 secmまで等−シく変化する
ようマスフローコントローラ(19)の目盛をあけ増加
させ、02濃度に勾配をもった厚さ約0.1ミクロンの
オーバコート層を形成した。
尚、このときの炭素含有用は約46 a【o+nic%
、酸素は約0.5から20 atomic%テアル。
、酸素は約0.5から20 atomic%テアル。
この感光体を実験例2と同様、EP520にセットし同
じ作像実験を行ったところ、画像特性の低下のない、解
像力に優れ階調再現性のよいjQ’(門な高濃度画像か
得られた。また、温度30’C,湿度80%の条件下で
連続複写したところ、やはり優れた画像か得られた。
じ作像実験を行ったところ、画像特性の低下のない、解
像力に優れ階調再現性のよいjQ’(門な高濃度画像か
得られた。また、温度30’C,湿度80%の条件下で
連続複写したところ、やはり優れた画像か得られた。
比較例1
実験例1て作成した感光体と同一のもの、但し障壁層に
硼素を一切含有しないものを作成し、EP−520にセ
ットして連続複写したところ、数1000枚目から画像
カブリか認められ、繰り返し複写により顕著となった。
硼素を一切含有しないものを作成し、EP−520にセ
ットして連続複写したところ、数1000枚目から画像
カブリか認められ、繰り返し複写により顕著となった。
因に初期の残留′也位は50 Vてあった。
比較例2
実験例2て作成した感光体と同一のもの、但し障壁層の
酸素含有量を約25 a t omi c含有するもの
を作成し EP −520にセットし、連続複写したと
ころ、数1000枚目位いから画像カブリか生した。
酸素含有量を約25 a t omi c含有するもの
を作成し EP −520にセットし、連続複写したと
ころ、数1000枚目位いから画像カブリか生した。
比較例3
実験例3て作成した感光体と同一のもの、但しオーハコ
−4層における酸素含有社を約39aLomIc%とし
たものを作成し、連続複写したところ数枚口からIJ像
流れか認められた。
−4層における酸素含有社を約39aLomIc%とし
たものを作成し、連続複写したところ数枚口からIJ像
流れか認められた。
S1図は本発明に係る感光体の構成を示す図、第2図は
本発明に係る感光体を製造するためのクロー放電分解装
置の概略構成を示す図である、3(2)・障壁層、 (
3)・・光導電層、 (4) オーバコート層、 (
5)〜(9)・第1−第5タンク、(29)・・反応室
、 (31)導電性基板、 (語) 商周波電隙。 出願人 ミノルタカメラ株式会社
本発明に係る感光体を製造するためのクロー放電分解装
置の概略構成を示す図である、3(2)・障壁層、 (
3)・・光導電層、 (4) オーバコート層、 (
5)〜(9)・第1−第5タンク、(29)・・反応室
、 (31)導電性基板、 (語) 商周波電隙。 出願人 ミノルタカメラ株式会社
Claims (5)
- (1)導電性基板」二に、少なくともアモルファスシリ
コン、酸素及び周Jυ]律表第■A族不純物乃至はアモ
ルファスシリコン、炭素及び酸素を含有してなる障壁層
と、少なくともアモルファスシリコンを含む光導電層と
、少なくともアモルファスシリコン、炭素及び酸素を含
有してなる透光絶縁性オーバコートを順次積層してなる
ことを特徴とする感光体。 - (2) nil記障壁層の厚さは約30オンクストロ
ーム乃至2ミクロンで、iij記オーバコート層の厚さ
は約0.Ol乃至3ミクロンであることを特徴とする特
d[に^求の範囲第1項記載の感光体。 - (3)前記障壁層は少なくともアモルファスシリコン、
酸素及び周期律表第1A族不純物を含むとき、酸素は約
5乃至6g acomic%、不純物は約200PPm
まで含有されていることを特徴とする特11[請求の範
囲第2項記載の感光体。 - (4) 前記障壁層は少なくともアモルファスシリコ
ン、炭素及び酸素を含むとき、炭素は約5乃至60 a
tomic%、酸素は約I Q a tomi c%ま
て含有されていることを特徴とする特許請求の範囲第2
項記載の感光体。 - (5)前記オーバコート層は約5乃至60a【0111
6%の炭素と約IQ atomic%まての酸素を含有
し、それらか均一に含有されていることを特徴とする特
許請求の範囲第2項記載の感光体。 f61 Ail記オーバコート層に含有される炭素と
酸素は少なくとも一方か厚さ方向に含有量か増大するよ
う含有されていることを特徴とする特I1請求の範囲第
2項記載の感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10142283A JPS59226352A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 感光体 |
DE3420741A DE3420741C2 (de) | 1983-06-02 | 1984-06-04 | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
US06/884,670 US4738914A (en) | 1983-06-02 | 1986-07-16 | Photosensitive member having an amorphous silicon layer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10142283A JPS59226352A (ja) | 1983-06-06 | 1983-06-06 | 感光体 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP129993A Division JPH05249722A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 感光体 |
JP22632895A Division JP2596403B2 (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59226352A true JPS59226352A (ja) | 1984-12-19 |
JPH0582573B2 JPH0582573B2 (ja) | 1993-11-19 |
Family
ID=14300267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10142283A Granted JPS59226352A (ja) | 1983-06-02 | 1983-06-06 | 感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS59226352A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249722A (ja) * | 1993-01-07 | 1993-09-28 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5752179A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
JPS5763545A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Canon Inc | Photoconductive member |
JPS57119358A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
JPS57130037A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-12 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
JPS5920237U (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-07 | 株式会社東芝 | アモルフアスシリコン感光体 |
-
1983
- 1983-06-06 JP JP10142283A patent/JPS59226352A/ja active Granted
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5752179A (en) * | 1980-09-12 | 1982-03-27 | Canon Inc | Photoconductive member |
JPS5763545A (en) * | 1980-10-03 | 1982-04-17 | Canon Inc | Photoconductive member |
JPS57119358A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-24 | Canon Inc | Photoconductive member |
JPS57130037A (en) * | 1981-02-06 | 1982-08-12 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
JPS5920237U (ja) * | 1982-07-28 | 1984-02-07 | 株式会社東芝 | アモルフアスシリコン感光体 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05249722A (ja) * | 1993-01-07 | 1993-09-28 | Minolta Camera Co Ltd | 感光体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0582573B2 (ja) | 1993-11-19 |
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