JPS59225414A - 起動回路 - Google Patents

起動回路

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Publication number
JPS59225414A
JPS59225414A JP9884283A JP9884283A JPS59225414A JP S59225414 A JPS59225414 A JP S59225414A JP 9884283 A JP9884283 A JP 9884283A JP 9884283 A JP9884283 A JP 9884283A JP S59225414 A JPS59225414 A JP S59225414A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
circuit
voltage
conductive
trq3
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9884283A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Kodera
小寺 謙治
Koichi Nishimura
西村 「こう」一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
Priority to JP9884283A priority Critical patent/JPS59225414A/ja
Publication of JPS59225414A publication Critical patent/JPS59225414A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02Regulating voltage or current
    • G05F3/08Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/30Regulators using the difference between the base-emitter voltages of two bipolar transistors operating at different current densities

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は起動回路、特にバンドギャップリファレンス(
band gap reference)回路の起動回
路に関する。
第1図は従来のバンドギャップリファレンス回路を示す
ものであり、このような構成のバンドギャップリファレ
ンス回路は、電源投入時に起動させるためにトランジス
タqのエミッタ・コレクタ間に几ムという抵抗を接続し
ていた。しかし、RAを接続する従来の起動回路では、
偽の出力インピーダンスが下が9利得誤差が出るという
欠点を持っており、また、RAは高い抵抗値を必要とし
、集積回路においてはRAを作るのに多大な面積を必要
とするという欠点があった。
本発明紘上記の欠点を考慮してなされたものであり、利
得誤差の極めて少ない集積回路に適した起動回路を提供
する仁とにある。
本発明の起動回路はダイオードとトランジスタと定電流
源で構成されており、第1のトランジスタのベースを第
2のトランジスタのベースに接続シ、前記第1トランジ
スタのエミッタは第1の抵抗を介して前記第2トランジ
スタのエミッタ及び第2抵抗に接続され、前記第2抵抗
は他端を接地されている構成をもつバンドギャップセル
において、第3のトランジスタのコレクタと前記第1の
トランジスタのコレクタを接続し、前記第3のトランジ
スタのエミッタは前記第1の抵抗と前記第2の抵抗の接
続点(すなわちqのエミッタ)、または前記第1のトラ
ンジスタのエミッタに接続さし前記第3のトランジスタ
のベースに所定バイアスを与える手段を有することを特
徴とする。
次に本発明をその実施例について図面を参照して説明す
る。第2図は本発明の一実施例を示す回路接続図で、電
源投、入時には定電流がダイオードDIK 流れトラン
ジスタらのベースにVAという電圧(VA!0.65V
)が発生する。このためqが導通し、qも導通となり、
qのエミッタには工。なる電流が流れ、qとカレントミ
ラー回路を構成するトランジスタq、qのエミッタにも
4なる電流が流れる。トランジスタqは非導通状態のた
めムはトランジスタqのベースに供給され、qが導通と
なり、トランジスタらも導通となる。このためものコレ
クタにはムなる電流が流れ抵抗R,と抵抗馬の接続点に
はk Isなる電圧が発生し、トランジスタQ、1.(
h、抵抗几1.ルからなるバンドギャップセルが動作し
、Qt 、 Q=のベースにはVaO(二1.205■
)なる定電圧が得られる。このためR1と馬の接続点に
はVGO−VBE2へ0.555V (VBE2はトラ
ンジスタものベース・エミッタ間電圧; VBE2>(
1,65V)なる電圧が発生するためものベース・エミ
ッタ間電圧はVA−0,555Vユ0.095Vとなり
蟻は非導通となる。
次に第3図を参照して本発明の他の実施例について説明
する。第3図の動作は第2図の動作とほぼ同じであるが
、qのエミッタをQ、のエミッタに接続することによシ
定常状態においてもが確実に非導通となるようになって
いる。
以上述べたように本発明の起動回路は抵抗RAを接続す
る必要がなく、従って利得誤差も極めて少ない。また、
集積回路において高抵抗几Aを作るよシもトランジスタ
、ダイオード、定電流源を作るt19が素子数は多くな
るが面積的には小さくなるので集積化に適している。ま
た、トランジスタらは電源投入時だけ導通し、定常状態
では非導通であるので利得や出力電圧に影餐を与えるこ
とがない。
また、トランジスタものペース電位VAはダイオードだ
けでなく、(Ll−to電圧源でバイアスすることも当
然考えられる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のバンドギャップリファレンス回路を示す
回路接続図で、第2図は本発明の一実施例の回路接続図
、第3図は本発明の他の実施例の回路接続図である。 Q1〜暢・・・・・・トランジスタ、几、〜R,,几A
・・・・・・抵抗、DI・・・・・・ダイオード、Vc
c・・・・・・電源電圧端子、■ou7  ・・・・・
・出力電圧端子、VA・・・・・・トランジスタqのベ
ース電位、ム・・・・・・トランジスタqのエミッタ電
tff、、I、・・・・・・トランジスタものコレクタ
電流。 yAl圀 y72閲

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 第1トランジスタのベースを第2トランジスタのベース
    に接続し、前記第1トランジスタのエミッタは第1の抵
    抗を介して前記第2トランジスタのエミッタおよび第2
    抵抗に接続され、前記第2抵抗は他端を接地されている
    構成をもつバンドギャップセルにおいて、第3のトラン
    ジスタのコレクタと前記第1のトランジスタのコレクタ
    を接続し、前記第3のトランジスタのエミッタ社前記第
    1又鉱第2のトランジスタのエミッタに接続され前記第
    3のトランジスタのベースに所定バイアスを4える手段
    ゛を有することを特徴とする起動回路。
JP9884283A 1983-06-03 1983-06-03 起動回路 Pending JPS59225414A (ja)

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JP9884283A JPS59225414A (ja) 1983-06-03 1983-06-03 起動回路

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JP9884283A JPS59225414A (ja) 1983-06-03 1983-06-03 起動回路

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JPS59225414A true JPS59225414A (ja) 1984-12-18

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ID=14230504

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JP9884283A Pending JPS59225414A (ja) 1983-06-03 1983-06-03 起動回路

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6126117A (ja) * 1984-07-17 1986-02-05 Rohm Co Ltd 定電流発生回路
JPS61107017U (ja) * 1984-12-20 1986-07-07
JPH0388009A (ja) * 1989-08-31 1991-04-12 Fujitsu Ltd 半導体装置

Cited By (4)

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JPH0816855B2 (ja) * 1984-07-17 1996-02-21 ロ−ム株式会社 定電流発生回路
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