JPS59217320A - 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物Info
- Publication number
- JPS59217320A JPS59217320A JP58093095A JP9309583A JPS59217320A JP S59217320 A JPS59217320 A JP S59217320A JP 58093095 A JP58093095 A JP 58093095A JP 9309583 A JP9309583 A JP 9309583A JP S59217320 A JPS59217320 A JP S59217320A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor capacitor
- mol
- porcelain composition
- semiconductor
- reduction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はチタン酸バリウム系の還元再酸化型半導体コ
ンデンサ磁器組成物に関するものである。
ンデンサ磁器組成物に関するものである。
従来、半導体コンデンサには、半導体磁器の結晶粒界に
Ｃｕ、 Ｂｉ、 Ｍｎなどを拡散させた粒界絶縁型のも
の、また半導体磁器の表面層を利用した表面堰層型なら
びに還元再酸化型のものが知られ゛〔いる。
Ｃｕ、 Ｂｉ、 Ｍｎなどを拡散させた粒界絶縁型のも
の、また半導体磁器の表面層を利用した表面堰層型なら
びに還元再酸化型のものが知られ゛〔いる。
このうち、粒界絶縁型半導体コンデンサには材料系とし
′〔ＢａＴｉ０．系とＳｒＴｉＯ３系のものがあり、近
年では温度特性、バイアス特性などの点ですぐれてｂる
ｆ３ｒＴｉｏ、系が主流となつ゛〔いる。このほかこの
種のコンデンサの特徴とし′Ｃｒよ、“電極の種類が変
わクー〔も特性変動が少ないこと、信頼性にすぐれてい
るなどの長所を有しＣいる。しかしながら、一方では工
程が複雑なためコストアップになつＣいること、破壊電
圧が低いこと、面積各量を大きくすることができないこ
となどが欠点とし”〔挙げられる。
′〔ＢａＴｉ０．系とＳｒＴｉＯ３系のものがあり、近
年では温度特性、バイアス特性などの点ですぐれてｂる
ｆ３ｒＴｉｏ、系が主流となつ゛〔いる。このほかこの
種のコンデンサの特徴とし′Ｃｒよ、“電極の種類が変
わクー〔も特性変動が少ないこと、信頼性にすぐれてい
るなどの長所を有しＣいる。しかしながら、一方では工
程が複雑なためコストアップになつＣいること、破壊電
圧が低いこと、面積各量を大きくすることができないこ
となどが欠点とし”〔挙げられる。
また、表面堰層凰半導体コンデンサは比較的大きな面積
容量を得ることができるが、破壊電圧、絶縁抵抗が低く
、使用範囲に制限がある。
容量を得ることができるが、破壊電圧、絶縁抵抗が低く
、使用範囲に制限がある。
さらに、還元再酸化型半導体コンデンサは誘電体磁器を
還元性囲気中で熱処理し°〔半導体化し、次いで酸化性
雰囲気で熱処理を行なう′Ｃ表面に誘電体層を形成し、
しかるのち１凰を付与することによつＣ得られるもので
ある。したがつ°にの種のコンデンリ−の各喰、絶Ｍ抵
抗、破壊電圧、ｄ量温度時性などの各電気特性はｇ電体
層の生成状態に大きく左右されるという特徴がある。
還元性囲気中で熱処理し°〔半導体化し、次いで酸化性
雰囲気で熱処理を行なう′Ｃ表面に誘電体層を形成し、
しかるのち１凰を付与することによつＣ得られるもので
ある。したがつ°にの種のコンデンリ−の各喰、絶Ｍ抵
抗、破壊電圧、ｄ量温度時性などの各電気特性はｇ電体
層の生成状態に大きく左右されるという特徴がある。
この還元再酸化型半導体コンデンサにりいＣは特許公報
や文献などで数多く紹介され′Ｃおり、まだ実用化もさ
れ“Ｃいるが、近年コンデンサの小形大容量化がさらに
強く要望され′Ｃいることから、面積容量が一層大きい
（Ｑ、７μＦ ／１４以上）材料の出現が要望されＣい
る。
や文献などで数多く紹介され′Ｃおり、まだ実用化もさ
れ“Ｃいるが、近年コンデンサの小形大容量化がさらに
強く要望され′Ｃいることから、面積容量が一層大きい
（Ｑ、７μＦ ／１４以上）材料の出現が要望されＣい
る。
しかしながら、面積容量を大きくするためには、誘電体
磁器の誘電率が同じである場合、当然半導体磁器表面の
再酸化層（誘電体層）は薄くなければならず、逆に破壊
電圧、絶縁抵抗の低下を招くことになる。
磁器の誘電率が同じである場合、当然半導体磁器表面の
再酸化層（誘電体層）は薄くなければならず、逆に破壊
電圧、絶縁抵抗の低下を招くことになる。
このように小形大容量化を図るといっ゛〔も、面積容量
が大きいことはもちろん、破壊電圧１，１！Ｓ縁抵抗が
高いことが必要であシ、そのためには次のような条件を
満足しなければならない。
が大きいことはもちろん、破壊電圧１，１！Ｓ縁抵抗が
高いことが必要であシ、そのためには次のような条件を
満足しなければならない。
（０誘電体磁器の誘電率が大きいこと。
（リ 磁器が緻密で結晶粒径が均一で小さいこと。
・リ 還元、再酸化速度か大きいこと。
従来、還元再酸化屋半導体コンデンサにはＢａＴｉｅ、
−Ｌａ！Ｏ，−’ｒｉｏ、系などの固溶体にＭｎ酸化
物を添加した組成系が知られ−〔いる。しかし、これら
の組成系のものは結晶粒径が小さいと誘電率が８０００
〜１００００程度と小さくなる。また誘電率を１２００
０以上のものにしようとすると、結晶粒径が５ｐｍ以上
と犬きくなり、面積容量を０．７μＦ／ｃｄ 以上にし
たとき、破壊電圧、絶縁抵抗が極端に低Ｆｌ、−ＣＬま
い、実用に供し得ないという問題があった。
−Ｌａ！Ｏ，−’ｒｉｏ、系などの固溶体にＭｎ酸化
物を添加した組成系が知られ−〔いる。しかし、これら
の組成系のものは結晶粒径が小さいと誘電率が８０００
〜１００００程度と小さくなる。また誘電率を１２００
０以上のものにしようとすると、結晶粒径が５ｐｍ以上
と犬きくなり、面積容量を０．７μＦ／ｃｄ 以上にし
たとき、破壊電圧、絶縁抵抗が極端に低Ｆｌ、−ＣＬま
い、実用に供し得ないという問題があった。
この発明者はチタン酸バリウム系の種々の組成物につい
゛Ｃ研究した結果、誘電率が高く、しかも。
゛Ｃ研究した結果、誘電率が高く、しかも。
磁器が緻密で結晶粒径が微小均一であり、かつ還元再酸
化が容易な還元再酸化型半導体コンデンサ用の磁器組成
物を見い出し、その結果コンデンサの小形犬容ｌ化を達
成したものである。
化が容易な還元再酸化型半導体コンデンサ用の磁器組成
物を見い出し、その結果コンデンサの小形犬容ｌ化を達
成したものである。
すなわち、この発明は、チタン酸）くリウム（ＢａＴｉ
ｅ、）、酸化セリウム（ＣｅＯ，）、酸化シルクニウム
（Ｚｒ０２）。
ｅ、）、酸化セリウム（ＣｅＯ，）、酸化シルクニウム
（Ｚｒ０２）。
必要に応じ酸化ネオジウム（Ｎａ、Ｏ，）を含む主成分
に、酸化マンガンをＭｎに換算し°Ｃ０，０１〜０．４
重量多添加含有させたものでちる。
に、酸化マンガンをＭｎに換算し°Ｃ０，０１〜０．４
重量多添加含有させたものでちる。
この組成物は次のようにし゛Ｃ処理され半導体コンデン
サとし−Ｃ構成される。つまシ、原料組成を調合、混合
し、この混合物を成形し゛〔酸化性雰囲気で焼成し、次
いで還元性雰囲気で熱処理を行つ゛〔半導体磁器とした
のち、酸化性雰囲気で熱処理を行つ°〔半導体磁器表面
に薄い誘４体層を形成し、さらに表面に電電を付与し゛
〔半導体コンデンサとし′Ｃ構成される。
サとし−Ｃ構成される。つまシ、原料組成を調合、混合
し、この混合物を成形し゛〔酸化性雰囲気で焼成し、次
いで還元性雰囲気で熱処理を行つ゛〔半導体磁器とした
のち、酸化性雰囲気で熱処理を行つ°〔半導体磁器表面
に薄い誘４体層を形成し、さらに表面に電電を付与し゛
〔半導体コンデンサとし′Ｃ構成される。
この発明にかかる還元再隈化型半導体コンデンサ磁器組
成物は酸化セリウム（ＣｅＯ，）と酸化ジルコニウム（
ＺｒＯ，）をキュリ一点のシフターとし゛Ｃ主体的に用
いたものであシ、Ｎｄ、Ｏ，、ＴＪａ２０ｓなどをキュ
リ一点のシフターとじ−で用いた従来例にくらべ゛Ｃキ
ュリ一点における誘電率が１５０００以上と大きいこと
、誘電率が１５０００以上であるにもかかわらず結晶粒
径がｔＯ〜１．５μｍ以下と小さくかつ結晶粒の大きさ
が均一であること、焼結性がよく磁器が緻密であること
、置元再酸化が容易であることなど小形大容量の還元再
酸化型半導体コンデンサに要求される条件を十分に満足
するものである。
成物は酸化セリウム（ＣｅＯ，）と酸化ジルコニウム（
ＺｒＯ，）をキュリ一点のシフターとし゛Ｃ主体的に用
いたものであシ、Ｎｄ、Ｏ，、ＴＪａ２０ｓなどをキュ
リ一点のシフターとじ−で用いた従来例にくらべ゛Ｃキ
ュリ一点における誘電率が１５０００以上と大きいこと
、誘電率が１５０００以上であるにもかかわらず結晶粒
径がｔＯ〜１．５μｍ以下と小さくかつ結晶粒の大きさ
が均一であること、焼結性がよく磁器が緻密であること
、置元再酸化が容易であることなど小形大容量の還元再
酸化型半導体コンデンサに要求される条件を十分に満足
するものである。
以下この発明を実施例にしたがう°Ｃ詳細に説明する。
試料の作成にあだつ゛〔、第１表に示す組成比のものが
得られるようにＢａＴｉ０．、Ｃｅｏｚ ＋ Ｎｄ ２
０ｓ・ＺｒＯ，、ＭｎＣ０，の各原料を秤量し、各秤量
原料をポリポットに投入し酢酸ビニルなどの有機バイン
ダとともに１６時間混合した。混合したのち脱水乾燥し
、５０メツシユの篩に通し゛〔整粒した０次いで１００
０砂／ｄの圧力で直径１０ジ、厚み０．５顔の円板に成
形し、空気中１３００〜１３６０ｒで２時間焼成した。
得られるようにＢａＴｉ０．、Ｃｅｏｚ ＋ Ｎｄ ２
０ｓ・ＺｒＯ，、ＭｎＣ０，の各原料を秤量し、各秤量
原料をポリポットに投入し酢酸ビニルなどの有機バイン
ダとともに１６時間混合した。混合したのち脱水乾燥し
、５０メツシユの篩に通し゛〔整粒した０次いで１００
０砂／ｄの圧力で直径１０ジ、厚み０．５顔の円板に成
形し、空気中１３００〜１３６０ｒで２時間焼成した。
このようＫして得た誘電体磁器を１０００〜１２００″
Ｃで２時間還元性雰囲気中で熱処理して半導体磁器とし
た。この半導体磁器を８５０〜１０００℃で２時間酸化
性雰囲気である空気中で熱処理を行ない、半導体磁器の
表面に薄い誘電体層を形成した。しかるのち半導体磁器
の表面に銀ペーストを塗布し、７００〜８５０″Ｃで３
０分間焼付けて電極を形成し、還元再酸化型半導体コン
デンサを得た。
Ｃで２時間還元性雰囲気中で熱処理して半導体磁器とし
た。この半導体磁器を８５０〜１０００℃で２時間酸化
性雰囲気である空気中で熱処理を行ない、半導体磁器の
表面に薄い誘電体層を形成した。しかるのち半導体磁器
の表面に銀ペーストを塗布し、７００〜８５０″Ｃで３
０分間焼付けて電極を形成し、還元再酸化型半導体コン
デンサを得た。
このようにして作成したコンデンサについて、磁器の平
均結晶粒径、誘電率、単位面積当シの容ｔ（Ｃ（μＦ／
ｄ））、誘電損失（ｔａｎδ（イ）〕、絶縁抵抗〔工Ｒ
（Ω）〕、破壊電圧（Ｖｂ（Ｖ））を測定し、その結果
を第１表に合わせ′Ｃ示した。
均結晶粒径、誘電率、単位面積当シの容ｔ（Ｃ（μＦ／
ｄ））、誘電損失（ｔａｎδ（イ）〕、絶縁抵抗〔工Ｒ
（Ω）〕、破壊電圧（Ｖｂ（Ｖ））を測定し、その結果
を第１表に合わせ′Ｃ示した。
なお、容量、誘電損失はＱ、ｉＶｒｏｍ、Ｂｅ ｊ Ｋ
Ｈｚ抵抗が一定となるように還元温度を設定するととも
に１再酸化温度を設定し゛〔面積容量を０．７μＦ／ｄ
とし、他の電気特性にて評価するようにし′Ｃ比較を容
易にした。
Ｈｚ抵抗が一定となるように還元温度を設定するととも
に１再酸化温度を設定し゛〔面積容量を０．７μＦ／ｄ
とし、他の電気特性にて評価するようにし′Ｃ比較を容
易にした。
絶縁抵抗は１２ＶＤ、Ｃを１分間印加して測定した。
破壊電圧はり、Ｃ昇圧破壊方式を用いた。
誘電率はｔＯｖ ｒ−ｍ、日、ｊ ＫＨｚで測定し、測
定温度は２０ｔｌ−を基準とした。
定温度は２０ｔｌ−を基準とした。
なお、ｇＪ１表中表中金印したものはこの発明範囲外の
ものであシ、それ以外はこの発明範囲内のものである。
ものであシ、それ以外はこの発明範囲内のものである。
第１表から明らかなように、この発明の還元再酸化型半
導体コンデンサ磁器組成物によれば、きわめ“Ｃすぐれ
た電気特性を有する半導体コンデンサを提供することが
できる。すなわち、単位面積当りの容量が０．７１１Ｆ
／ｃＩｌと大きいにもかかわらず、破壊電圧は４００
７以上、絶縁抵抗は１００以上、誘電損失は６．０％反
下とすぐれた特性を示すものである。また破壊電圧値の
バラツキも小さいことが確認された。
導体コンデンサ磁器組成物によれば、きわめ“Ｃすぐれ
た電気特性を有する半導体コンデンサを提供することが
できる。すなわち、単位面積当りの容量が０．７１１Ｆ
／ｃＩｌと大きいにもかかわらず、破壊電圧は４００
７以上、絶縁抵抗は１００以上、誘電損失は６．０％反
下とすぐれた特性を示すものである。また破壊電圧値の
バラツキも小さいことが確認された。
従来のＢａＴｉＯ３−Ｌａ、Ｏ，−Ｔｉｂ、系におｌ、
−ａ−［、絶縁抵抗が１０ の特性のものを得ようとす
れば、面積容量は高々０．４〜０．５μＦ／ｄ程度であ
シ、また破壊電圧も６００ｖぐらいであったが、この発
明によれば０．７μＦ／ｌｄの面積容量が得られるとと
もに破壊電圧も４００ｖ以上のものが得られ、コンデン
サの小形大容滑化、高耐圧化が図れる点で各段にすぐれ
たものであると云える。
−ａ−［、絶縁抵抗が１０ の特性のものを得ようとす
れば、面積容量は高々０．４〜０．５μＦ／ｄ程度であ
シ、また破壊電圧も６００ｖぐらいであったが、この発
明によれば０．７μＦ／ｌｄの面積容量が得られるとと
もに破壊電圧も４００ｖ以上のものが得られ、コンデン
サの小形大容滑化、高耐圧化が図れる点で各段にすぐれ
たものであると云える。
上記したようにこの発明においてすぐれた特性が得られ
るのは、第１表から明らかなように、誘電率が１２００
０以上と太きいにもかかわらず、磁器の平均結晶粒径が
１．０〜１５μｍと均一で小さいこと、また、磁器の断
面を鏡面研磨し、内部の空孔量、分布を観察した結果、
従来のものにくらべて緻密な磁器であること、さらに、
還元および再酸化が容易であること、などがその理由と
して挙げられる。
るのは、第１表から明らかなように、誘電率が１２００
０以上と太きいにもかかわらず、磁器の平均結晶粒径が
１．０〜１５μｍと均一で小さいこと、また、磁器の断
面を鏡面研磨し、内部の空孔量、分布を観察した結果、
従来のものにくらべて緻密な磁器であること、さらに、
還元および再酸化が容易であること、などがその理由と
して挙げられる。
この発明におい゛Ｃ組成物の範囲を限定したのべ以下の
理由による。
理由による。
＋ｌ） ＣｅＯ３が１．０モル多未満では、キュリ一
点の移動がないため室温での誘電率が低くな９、まだ焼
結性が悪くなるため面積容量が１］、 ７μＦ／ｄと大
きくなると工Ｒ，Ｖｂとも悪くなｐ、ｔａｎδも悪くな
る。−またＣ ｅ ０１が６，０モル多を越えると誘電
率が低くなシ、工Ｒ，Ｖｂとも悪くなる。
点の移動がないため室温での誘電率が低くな９、まだ焼
結性が悪くなるため面積容量が１］、 ７μＦ／ｄと大
きくなると工Ｒ，Ｖｂとも悪くなｐ、ｔａｎδも悪くな
る。−またＣ ｅ ０１が６，０モル多を越えると誘電
率が低くなシ、工Ｒ，Ｖｂとも悪くなる。
＋２１ Ｚ ｒ ＯｊがｔＯモモル多満では焼結性が
悪くなシ、ｔａｎδが大きくなるとともにｖｂが低下す
る。またＺｒＯ，が１５．０モル多を越えると誘電率が
低下し、磁器の融着が起こる。
悪くなシ、ｔａｎδが大きくなるとともにｖｂが低下す
る。またＺｒＯ，が１５．０モル多を越えると誘電率が
低下し、磁器の融着が起こる。
（３） Ｂ ａ ’Ｉ’ １０ 、の１徂成範囲はＣ
ｅＯ２、ＺｒＯ，（およ（）： １（ｃｌ、 ｏｓ ）
によシ決定されるが、この発明範囲外の試料（試料番号
１１．１４）からも明らかなように、いずれも誘電率が
低（、ＩＲ，Ｗｂが低くなる。
ｅＯ２、ＺｒＯ，（およ（）： １（ｃｌ、 ｏｓ ）
によシ決定されるが、この発明範囲外の試料（試料番号
１１．１４）からも明らかなように、いずれも誘電率が
低（、ＩＲ，Ｗｂが低くなる。
（４） 酸化マンガンの添加は、工Ｒの改善、ｖｂの
添加含有の効果がなく、０．４重量％を越えると磁器の
誘電率が低下し、面積容量を大きくするため誘電体層を
薄くすると工Ｒ，Ｗｂとも低下する０ （５） Ｎ４．Ｑｓを主成分中に共存させると焼結性
を一層改善するが、ｏ、６モル多以上になると磁器の結
晶粒径が犬きくなシ、ｖｂが低下する。
添加含有の効果がなく、０．４重量％を越えると磁器の
誘電率が低下し、面積容量を大きくするため誘電体層を
薄くすると工Ｒ，Ｗｂとも低下する０ （５） Ｎ４．Ｑｓを主成分中に共存させると焼結性
を一層改善するが、ｏ、６モル多以上になると磁器の結
晶粒径が犬きくなシ、ｖｂが低下する。
なお、この発明におｕ −（、Ｚ ｒ Ｏｘの代っシに
Ｔ１０！を含有させた夛、あるいはＺｒＯ，の一部をＩ
’１０．で置換したものでも同様の効果を奏することが
確認できた。゛またＮ（１，０，の代ゎ９にＬ ！Ｌ
２０ ｘ ＊Ｐｒ、 ０３を含有させたシ、あるいはＮ
６ｚ Ｏｓ！７）一部をＬａ、 ｏ、 、 Ｐｒ、 ０
．のうち少なくとも１種で置換したものでも同様の効果
を奏することが確認できた。
Ｔ１０！を含有させた夛、あるいはＺｒＯ，の一部をＩ
’１０．で置換したものでも同様の効果を奏することが
確認できた。゛またＮ（１，０，の代ゎ９にＬ ！Ｌ
２０ ｘ ＊Ｐｒ、 ０３を含有させたシ、あるいはＮ
６ｚ Ｏｓ！７）一部をＬａ、 ｏ、 、 Ｐｒ、 ０
．のうち少なくとも１種で置換したものでも同様の効果
を奏することが確認できた。
以上の説明から明らかなようにこの発明によれば、面積
容量が従来になくきわめ′Ｃ大きいという特徴を有しな
がら、絶縁抵抗、破壊電圧が高いとｂう特性を有するも
のであシ、小形大容量のコンデンサを提供することがで
きるという効果を有する０ 特許出願人 株式会比村田製作所
容量が従来になくきわめ′Ｃ大きいという特徴を有しな
がら、絶縁抵抗、破壊電圧が高いとｂう特性を有するも
のであシ、小形大容量のコンデンサを提供することがで
きるという効果を有する０ 特許出願人 株式会比村田製作所
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 イ１）チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ，）が７９．０〜
９８．０モル多酸化セリウム（ＣｅＯ，）が １
０〜６．０１ｆ浚化ジルコニワム（ｚｒＯ２）が
ｔｏ〜１５．ＯＦからなる主成分に、 酸化マンガンをＭｎに換算し゛（０，０１〜０．４
取量チ添加含有しＣなる粱元再酸化型半導体コンデンサ
磁器組成吻。 １２） チタン酸バリウム（Ｊ３ａＴｉ０３）が７８
．５モル条を越え、かつ９８．０モル条未満 酸比乞すウム（ＣｅＯ，） が ｔＯ〜６．０モ
ル条酸化ネオジウム（Ｎｄ、Ｏ，）が ０５ モル条
米、繭ボ化ジルコニウム（ｚｒＯ２）が １，０〜
１５．０モル条からなる生成分に、 酸化マンガンをＭｎに換算して０．０１〜０．４重量多
添加含有し°〔なる還元再酸化型半導体コンデンサ磁イ
醤組成物。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093095A JPS59217320A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
| US06/613,628 US4535064A (en) | 1983-05-25 | 1984-05-24 | Ceramic compositions for a reduction-reoxidation type semiconducting capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093095A JPS59217320A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59217320A true JPS59217320A (ja) | 1984-12-07 |
| JPS6258127B2 JPS6258127B2 (ja) | 1987-12-04 |
Family
ID=14072958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58093095A Granted JPS59217320A (ja) | 1983-05-25 | 1983-05-25 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59217320A (ja) |
-
1983
- 1983-05-25 JP JP58093095A patent/JPS59217320A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6258127B2 (ja) | 1987-12-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59217320A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 | |
| JPS59217321A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 | |
| JPS6053408B2 (ja) | 還元型半導体磁器組成物 | |
| JPH0261434B2 (ja) | ||
| JPS59217319A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 | |
| JPS5828726B2 (ja) | 半導体コンデンサ用磁器 | |
| JPH0361287B2 (ja) | ||
| JPH03274606A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6258129B2 (ja) | ||
| JPH0283257A (ja) | 温度補償用高誘電率磁器組成物及びその製造方法 | |
| JPS6230483B2 (ja) | ||
| JPS6128208B2 (ja) | ||
| JPS6230482B2 (ja) | ||
| JPS6053407B2 (ja) | 還元型半導体磁器組成物 | |
| JPS6053451B2 (ja) | 誘電体磁器の製造方法 | |
| JPS5830002A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPH03203118A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS6199207A (ja) | 高誘電率系磁器組成物 | |
| JPS58223670A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS59202619A (ja) | コンデンサ | |
| JPS61261253A (ja) | 磁器組成物 | |
| JPS5849662A (ja) | 高誘電率磁器組成物 | |
| JPS63155504A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 | |
| JPS62254309A (ja) | 誘電体磁器組成物 | |
| JPS61191009A (ja) | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |