JPS63155504A - 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 - Google Patents
還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物Info
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- JPS63155504A JPS63155504A JP61303394A JP30339486A JPS63155504A JP S63155504 A JPS63155504 A JP S63155504A JP 61303394 A JP61303394 A JP 61303394A JP 30339486 A JP30339486 A JP 30339486A JP S63155504 A JPS63155504 A JP S63155504A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、チタン酸バリウム系の還元再酸化型半導体コ
ンデンサ磁器組成物に関する。
ンデンサ磁器組成物に関する。
（従来の技術）
一般に半導体コンデンサとして、粒界絶縁型、表面塩層
型および還元再酸化型のものが知られている。
型および還元再酸化型のものが知られている。
還元再酸化型半導体コンデンサは、誘電体磁器を還元雲
囲気で熱処理を行なって表面に誘電体層を形成した後、
銀電極を付与することによって得られる。この種のコン
デンサは、容量、絶縁抵抗、破壊電圧、容量温度特性な
どの各電気特性は、誘電体層の厚みに大きく左右される
という特徴がある。
囲気で熱処理を行なって表面に誘電体層を形成した後、
銀電極を付与することによって得られる。この種のコン
デンサは、容量、絶縁抵抗、破壊電圧、容量温度特性な
どの各電気特性は、誘電体層の厚みに大きく左右される
という特徴がある。
（発明が解決しようとする問題点）
近年、コンデンサの小型、大容量化が強く要望されてい
る。しかしながら面積容量を大きくするためには、誘電
体磁器の誘電率が同じである場合当然、半導体磁器表面
の誘電体層（再酸化層）は薄くなければならず、逆に薄
くなると破壊電圧、絶縁抵抗の低下を招くことになり、
小型、大容量化の可能なものは、実現されていなかった
。
る。しかしながら面積容量を大きくするためには、誘電
体磁器の誘電率が同じである場合当然、半導体磁器表面
の誘電体層（再酸化層）は薄くなければならず、逆に薄
くなると破壊電圧、絶縁抵抗の低下を招くことになり、
小型、大容量化の可能なものは、実現されていなかった
。
この発明の主な目的は、面積容量を大きくしても絶縁抵
抗、破壊電圧の低下を招くことがない還元再酸化型半導
体コンデンサ磁器組成物を提供することである。面積容
量を太き（しても絶縁抵抗破壊電圧の低下を招くことが
ないためには、次の条件を満足する組成でなければなら
ないのは明らかである。
抗、破壊電圧の低下を招くことがない還元再酸化型半導
体コンデンサ磁器組成物を提供することである。面積容
量を太き（しても絶縁抵抗破壊電圧の低下を招くことが
ないためには、次の条件を満足する組成でなければなら
ないのは明らかである。
（１） 誘電体磁器の誘電率を大きくする。
（２）磁器が緻密で結晶粒径が均一で小さい。
しかし、従来の組成系では、上記条件を満足させると誘
電率は高々１４０００までしか発現できず、面積容量を
０７μＦ ／ ａ＋１以上にしたとき、絶縁抵抗、破壊
電圧が著しく低下し、実用に供し得なくなる問題がある
。
電率は高々１４０００までしか発現できず、面積容量を
０７μＦ ／ ａ＋１以上にしたとき、絶縁抵抗、破壊
電圧が著しく低下し、実用に供し得なくなる問題がある
。
（問題点を解決するための手段）
本発明者等は、高誘電率で、かつ、絶縁抵抗、破壊電圧
の良好な新規組成物について、鋭意研究した結果、従来
にない特徴を有する組成物を発明するに致った。
の良好な新規組成物について、鋭意研究した結果、従来
にない特徴を有する組成物を発明するに致った。
即ち、本発明は、ｘ ＢａＴｉＯｓ ＋ ｙ Ｎｄ＋Ｏ
ｓ ・３ Ｔｉ１ｔ ＋ｚ Ｂａ５ｎＯｓ＋ ｍ ５ｒ
ＴｉＯ，からなる組成物に対しＭｎ化合物をＭｎＯに換
算して０．０１〜０３０重量％添加含有してなる還元再
酸化型半導体コンデ／す磁器組成物である。
ｓ ・３ Ｔｉ１ｔ ＋ｚ Ｂａ５ｎＯｓ＋ ｍ ５ｒ
ＴｉＯ，からなる組成物に対しＭｎ化合物をＭｎＯに換
算して０．０１〜０３０重量％添加含有してなる還元再
酸化型半導体コンデ／す磁器組成物である。
ただし、ｘ＝８０．０〜９６．０モルチｙ＝ １．０
〜２．０モル係 ｚ＝ １．０〜７．０モル係 ｍ” ０．５〜１５．０モル％ 以下、本発明の詳細な説明する。
〜２．０モル係 ｚ＝ １．０〜７．０モル係 ｍ” ０．５〜１５．０モル％ 以下、本発明の詳細な説明する。
本発明に用（・るチタン酸ネオジウムは、１０〜２．０
モル係の範囲が好ましい。１０モモル係下では、半導体
化する領域外である。また、２．０モル係以上では、誘
電率、面積容量共に従来と変らない。スズ酸バリウムを
１．０〜７．０モルとしたのは、１，０モル係以下では
、誘電率の向上はなくなり、また、７．０モル係以上で
は、焼結性が悪くなり面積容量が減少する。
モル係の範囲が好ましい。１０モモル係下では、半導体
化する領域外である。また、２．０モル係以上では、誘
電率、面積容量共に従来と変らない。スズ酸バリウムを
１．０〜７．０モルとしたのは、１，０モル係以下では
、誘電率の向上はなくなり、また、７．０モル係以上で
は、焼結性が悪くなり面積容量が減少する。
チタン酸ストロンチウムは、磁器の結晶粒径を小さくす
る効果があり０．５〜１５モルチモル囲が好ましい。０
．５モル係以下では、磁器の粒径が大きく破壊電圧が低
下する。また、１５モモル係上では、誘電率が低下し面
積容量が減少する。チタン酸バリウムの範囲は、チタン
酸ネオジウム、スズ酸バリウム、チタン酸ストロンチウ
ムにより決定されるが、８０モモル係下では、キュリ一
点が低温になり面積容量が減少する。また、９６モモル
係上では、焼結性が悪くなる。酸化マンガンの添加は、
絶縁抵抗の改善、破壊電圧の向上、さらにｔａｎδの改
善に効果があるが、ＭｎＯに換算して０．０１ Ｔｃ量
−以下では、添加含有の効果がなく 、０．３Ｍｆｆｒ
１以上では、磁器の誘電率が低下し面積容量が減少す
る。
る効果があり０．５〜１５モルチモル囲が好ましい。０
．５モル係以下では、磁器の粒径が大きく破壊電圧が低
下する。また、１５モモル係上では、誘電率が低下し面
積容量が減少する。チタン酸バリウムの範囲は、チタン
酸ネオジウム、スズ酸バリウム、チタン酸ストロンチウ
ムにより決定されるが、８０モモル係下では、キュリ一
点が低温になり面積容量が減少する。また、９６モモル
係上では、焼結性が悪くなる。酸化マンガンの添加は、
絶縁抵抗の改善、破壊電圧の向上、さらにｔａｎδの改
善に効果があるが、ＭｎＯに換算して０．０１ Ｔｃ量
−以下では、添加含有の効果がなく 、０．３Ｍｆｆｒ
１以上では、磁器の誘電率が低下し面積容量が減少す
る。
（発明の効果）
本発明による組成物は、誘電体磁器で平均粒径１−１．
５μｍと小さいＩてもかかわらず誘電率が１７０００以
上のものが得られ、還元再酸化処理を行なうことにより
絶縁抵抗、破壊電圧等諸特性を劣化させることなく、面
積容量を０．７μＦ／、−ｊ以上と極めて大容量のコン
デンサを供することができ、工業的に利用価値の高いも
のである。
５μｍと小さいＩてもかかわらず誘電率が１７０００以
上のものが得られ、還元再酸化処理を行なうことにより
絶縁抵抗、破壊電圧等諸特性を劣化させることなく、面
積容量を０．７μＦ／、−ｊ以上と極めて大容量のコン
デンサを供することができ、工業的に利用価値の高いも
のである。
以下実施例にもとすいて本発明を説明する。
（実施例）
市販の工業用原料ＢａＣ０，、Ｔ ｉα、Ｎｄ＋Ｏ＋、
ＳｎＯ＋、Ｓ ｒＣＯ，、Ｍｎ Ｃｏ、の各粉末を所
定の組成比になるように配合し、湿式混合した後１１５
０℃の温度で３時間仮焼し粉砕した。この仮焼物にバイ
ンダーを添加し乾燥後整粒した。整粒粉を直径１５ｍｍ
、厚さ０．６咽の円板形に成型し、これらの成形体を空
気中において１３００〜１４００℃の温度範囲で焼成し
た。このようにして得られた誘電体磁器を９００〜１０
００℃の還元雰囲気で２時間熱処理して半導体磁器とし
た。
ＳｎＯ＋、Ｓ ｒＣＯ，、Ｍｎ Ｃｏ、の各粉末を所
定の組成比になるように配合し、湿式混合した後１１５
０℃の温度で３時間仮焼し粉砕した。この仮焼物にバイ
ンダーを添加し乾燥後整粒した。整粒粉を直径１５ｍｍ
、厚さ０．６咽の円板形に成型し、これらの成形体を空
気中において１３００〜１４００℃の温度範囲で焼成し
た。このようにして得られた誘電体磁器を９００〜１０
００℃の還元雰囲気で２時間熱処理して半導体磁器とし
た。
この半導体磁気を酸化性雰囲気の空気中で熱処理し、還
元体感器の表面部に薄い誘電体層を形成した後、銀電極
の焼付を施して還元再酸化半導体コンデンサを得た。こ
のようＫして作成したコンデンサについて、磁器の平均
粒径〔μｍ〕、誘電率（１）、面積容量（Ｃ（μＦ／ｍ
））、誘電損失（ｔａｎδ（チ）〕、絶縁抵抗（Ｉ Ｒ
，（〜１Ω）〕、破壊電圧（ｖｂ（Ｖ））を測定し、そ
の結果を実施例に記載した。尚、容量と誘電損失はＱ、
Ｉ Ｖ ｒｍｓ、ＩＫＨｚで、測定温度は２５℃を基準
に測定した値である。絶縁抵抗は１２ＶＤＣを１分間印
加して測定した。破壊電圧は、ＤＣ昇圧破壊方式を用い
た。また、誘電体磁器の誘電率は、１．ＯＶｒｍｓ、
ＩＫＩ−１ｚで測定した。
元体感器の表面部に薄い誘電体層を形成した後、銀電極
の焼付を施して還元再酸化半導体コンデンサを得た。こ
のようＫして作成したコンデンサについて、磁器の平均
粒径〔μｍ〕、誘電率（１）、面積容量（Ｃ（μＦ／ｍ
））、誘電損失（ｔａｎδ（チ）〕、絶縁抵抗（Ｉ Ｒ
，（〜１Ω）〕、破壊電圧（ｖｂ（Ｖ））を測定し、そ
の結果を実施例に記載した。尚、容量と誘電損失はＱ、
Ｉ Ｖ ｒｍｓ、ＩＫＨｚで、測定温度は２５℃を基準
に測定した値である。絶縁抵抗は１２ＶＤＣを１分間印
加して測定した。破壊電圧は、ＤＣ昇圧破壊方式を用い
た。また、誘電体磁器の誘電率は、１．ＯＶｒｍｓ、
ＩＫＩ−１ｚで測定した。
以上の説明から明らかなように、本発明は、面積容量が
従来になく、きわめて大きいという特徴を有しながら絶
縁抵抗、破壊電圧の低下がないので、小型大容量のコン
デンサを提供することかできる、極めて優れた磁器組成
物である。
従来になく、きわめて大きいという特徴を有しながら絶
縁抵抗、破壊電圧の低下がないので、小型大容量のコン
デンサを提供することかできる、極めて優れた磁器組成
物である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｘＢａＴｉＯ＿３＋ｙＮｄ＿２Ｏ＿３・３ＴｉＯ＿２＋
ｚＢａＳｎＯ＿３＋ｍＳｒＴｉＯ＿３からなる組成物に
対しＭｎ化合物をＭｎＯに換算して０．０１〜０．３０
重量％添加含有してなる還元再酸化型半導体コンデンサ
磁器組成物。 ただし、ｘ＝８０．０〜９６．０モル％ ｙ＝１．０〜２．０モル％ ｚ＝１．０〜７．０モル％ ｍ＝０．５〜１５．０モル％
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61303394A JPS63155504A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61303394A JPS63155504A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155504A true JPS63155504A (ja) | 1988-06-28 |
Family
ID=17920493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61303394A Pending JPS63155504A (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | 還元再酸化型半導体コンデンサ磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63155504A (ja) |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP61303394A patent/JPS63155504A/ja active Pending
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