JPS59208776A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS59208776A JPS59208776A JP58083078A JP8307883A JPS59208776A JP S59208776 A JPS59208776 A JP S59208776A JP 58083078 A JP58083078 A JP 58083078A JP 8307883 A JP8307883 A JP 8307883A JP S59208776 A JPS59208776 A JP S59208776A
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- JP
- Japan
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- electrode
- schottky barrier
- metal
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/47—Schottky barrier electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は特に半導体装置の電極構造に関するものである
。
。
ガラス封止型半導体、特にショットキバリヤダイオード
においては、所望する特性によシ、ショットキ障壁金属
として様々な全屈が使用されている。
においては、所望する特性によシ、ショットキ障壁金属
として様々な全屈が使用されている。
第１図にその１例として、Ｔ ｉ −ＩＶＬｏ −Ｔ
ｉ −Ａｕ （Ｄ電極構造を有するショットキバリヤダ
イオードの断面図を示す。例えばＮ 型の半導体基板１
上にＮ型のエピタキシャル層２を設けその上に電極用開
孔を有するシリコン酸化膜３を選択的に設ける。
ｉ −Ａｕ （Ｄ電極構造を有するショットキバリヤダ
イオードの断面図を示す。例えばＮ 型の半導体基板１
上にＮ型のエピタキシャル層２を設けその上に電極用開
孔を有するシリコン酸化膜３を選択的に設ける。
このシリコン酸化膜３の電極用開孔をおＰように４層の
積層金属からなる電極が設けられている。
積層金属からなる電極が設けられている。
第１層のＴｉ４ は、ショットキ障壁金属であり、シリ
コンエピタキシャル層２との界面にショットキ接合を形
成する金属である。第２層のＭｏ５は第４層のＡｕ７
が第１層のＴｉ４ を通してシリコンエピタキシャル
Ｍ２へ侵入するのを防止するいわゆるＡｕのバッファ層
である。第３層のＴｊ６け、第４層Ａｕ７ との密着
性を得るだめの金属である。さらに第４層のＡｕ７
は外部への引出し電極を得るための層で、この第４層Ａ
ｕ７はＰｔ又はＡｇ盛上げでも置き換えることができる
。
コンエピタキシャル層２との界面にショットキ接合を形
成する金属である。第２層のＭｏ５は第４層のＡｕ７
が第１層のＴｉ４ を通してシリコンエピタキシャル
Ｍ２へ侵入するのを防止するいわゆるＡｕのバッファ層
である。第３層のＴｊ６け、第４層Ａｕ７ との密着
性を得るだめの金属である。さらに第４層のＡｕ７
は外部への引出し電極を得るための層で、この第４層Ａ
ｕ７はＰｔ又はＡｇ盛上げでも置き換えることができる
。
一般にショットキ接合の場合、温度に対する特性の経時
変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その製
造工程での熱処理の温度が制約される。このため、酸に
製造コストの低減が侠求される大量生産の場合、歩留が
低下してしまうという問題があった。熱ストレスに対す
る特性の経時変化を太きくさせる最大の原因は、ショッ
トキ障壁金属上に被覆する金属、例えば、第４層の金属
として用いられるＡｌｌ又はＰｔが、熱ストレスによっ
てＭＯおよび第１層のショットキバリヤ障壁金属を通し
てシリコンエピタキシャル層２−＼侵入するためでおる
。
変化が大きく、半導体容器へ素子を組込む場合、その製
造工程での熱処理の温度が制約される。このため、酸に
製造コストの低減が侠求される大量生産の場合、歩留が
低下してしまうという問題があった。熱ストレスに対す
る特性の経時変化を太きくさせる最大の原因は、ショッ
トキ障壁金属上に被覆する金属、例えば、第４層の金属
として用いられるＡｌｌ又はＰｔが、熱ストレスによっ
てＭＯおよび第１層のショットキバリヤ障壁金属を通し
てシリコンエピタキシャル層２−＼侵入するためでおる
。
本発明の目的は、熱ストレスに対する電気的特性の経時
変化の少ない電極構造を備えた半導体装置を提供するも
のである。
変化の少ない電極構造を備えた半導体装置を提供するも
のである。
本発明による半導体装置は、半導体層に接触する第１層
のショットキ障壁金属層（シリサイド層）上に第２層と
してＴｉ層を設け、さらにその上の第３層上に引出し電
極としてＡｇＮ（盛上げ層）の電極構造を備えることに
より、下地半導体層内へのメタル侵入を防止し、耐熱性
を向上させたことを特徴とするものである。
のショットキ障壁金属層（シリサイド層）上に第２層と
してＴｉ層を設け、さらにその上の第３層上に引出し電
極としてＡｇＮ（盛上げ層）の電極構造を備えることに
より、下地半導体層内へのメタル侵入を防止し、耐熱性
を向上させたことを特徴とするものである。
以下図面を参照して、本発明についてよシ詳細に説明す
る。本発明を説明するに、ショットキバリヤシリサイド
層金属については、タンタルを例とする。
る。本発明を説明するに、ショットキバリヤシリサイド
層金属については、タンタルを例とする。
第２図は、本発明の一実施例を示す断面図である。例え
はへ 型である高不純物濃度のシリコン半導体基板１１
に、ショットキバリアダイオードとして所望する特性を
得るシリコン半導体エピタキシャル層１２を成長する。
はへ 型である高不純物濃度のシリコン半導体基板１１
に、ショットキバリアダイオードとして所望する特性を
得るシリコン半導体エピタキシャル層１２を成長する。
シリコン半導体エピタキシャル層１２の表面に熱酸化法
により酸化保護膜１３を設け、この酸化保護膜１３に化
学触刻法を用いて任意形状の電極用開孔部分を設ける。
により酸化保護膜１３を設け、この酸化保護膜１３に化
学触刻法を用いて任意形状の電極用開孔部分を設ける。
電極用開孔部分にショットキ障壁金属としてＴａシリサ
イド層１４を設け、このショットキ障壁金属層上及びそ
の周辺の酸化保鰍膜１３の表面の電極用開孔部より外側
に延びるように任意な距離迄Ｔｉ層１５を設ける。さら
にその上に引出し電極用としてＡｇ層１６設ける。乙の
ような電極構造にすることによ如高温による％気的特性
の経時、変化をおさえることができ、組立工程に於る熱
処理温度の制約がなくなシ、良好ガ絹立歩留を得るとと
ができた。更には、安価でかつ信頼性の高いショットキ
バリヤダイオードを提供することがでむるという利点が
ある。
イド層１４を設け、このショットキ障壁金属層上及びそ
の周辺の酸化保鰍膜１３の表面の電極用開孔部より外側
に延びるように任意な距離迄Ｔｉ層１５を設ける。さら
にその上に引出し電極用としてＡｇ層１６設ける。乙の
ような電極構造にすることによ如高温による％気的特性
の経時、変化をおさえることができ、組立工程に於る熱
処理温度の制約がなくなシ、良好ガ絹立歩留を得るとと
ができた。更には、安価でかつ信頼性の高いショットキ
バリヤダイオードを提供することがでむるという利点が
ある。
第１図は従来のショットキバリヤダイオードを示す断面
図である。第２図は、本発明の一実施例によるショット
キバリヤダイオードの断面図でおる。 １．１１・・・・・・半導体基板、２．１２・・・・・
・半導体エピタキシャル層、３，１３・・・・・・敢化
保訛験、４・・・・・・ｒ１＋ｔによるショットキ障壁
、１４・・・・・・′ｒａシリサイドによるショットキ
障壁、５・・・・・・Ｍｏバッファ層、６・・・・・・
Ｔｉ Ｎ、７・・・・・・Ａｕ層、１５・・・・・・Ｔ
ｉ層、１６・・・・・・’−ｇ Ｎ。
図である。第２図は、本発明の一実施例によるショット
キバリヤダイオードの断面図でおる。 １．１１・・・・・・半導体基板、２．１２・・・・・
・半導体エピタキシャル層、３，１３・・・・・・敢化
保訛験、４・・・・・・ｒ１＋ｔによるショットキ障壁
、１４・・・・・・′ｒａシリサイドによるショットキ
障壁、５・・・・・・Ｍｏバッファ層、６・・・・・・
Ｔｉ Ｎ、７・・・・・・Ａｕ層、１５・・・・・・Ｔ
ｉ層、１６・・・・・・’−ｇ Ｎ。
Claims (3)
- （１）下地の半導体層に接斂する金属を第１の金属層と
し、該第１の金属層上に設けられたチタン金属層を第２
層とし、さらに該第２の金属層上に所定の膜厚を有する
銀層を設け、これを第３層としたことを特徴とする半導
体装置。 - （２）前記第２の金属層はチタン膜でわシ、又、第３層
の金属は銀である特許請求の範囲第１項記載の半導体装
置。 - （３）前記第１の金属層はチタン、タングステン、モリ
ブデン、タンタルから選ばれる金属であシ、それぞれが
下地の半導体層上表面にシリサイド層を形成しているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083078A JPS59208776A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58083078A JPS59208776A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208776A true JPS59208776A (ja) | 1984-11-27 |
Family
ID=13792139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58083078A Pending JPS59208776A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208776A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015026646A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN116053308A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-05-02 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 半导体结构制备方法及半导体结构 |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP58083078A patent/JPS59208776A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015026646A (ja) * | 2013-07-24 | 2015-02-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
| CN116053308A (zh) * | 2023-03-30 | 2023-05-02 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 半导体结构制备方法及半导体结构 |
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