JPS59208748A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59208748A JPS59208748A JP8304583A JP8304583A JPS59208748A JP S59208748 A JPS59208748 A JP S59208748A JP 8304583 A JP8304583 A JP 8304583A JP 8304583 A JP8304583 A JP 8304583A JP S59208748 A JPS59208748 A JP S59208748A
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業−にの利用分野
本発明は半導体装置の製造方法、詳しくは、半導体Ｍ板
上の絶縁膜あるい（は多層配線構造の層間絶縁膜に開［
コされたコンタクト窓を介して電極後Ｈシする際の電極
部の段差をなくＬ＜Ｆｈる電極配線層の形成方法に関す
る。
上の絶縁膜あるい（は多層配線構造の層間絶縁膜に開［
コされたコンタクト窓を介して電極後Ｈシする際の電極
部の段差をなくＬ＜Ｆｈる電極配線層の形成方法に関す
る。
従宋例の構成とその問題点
半導体装置の電極配線には、保護絶縁膜に開口されたコ
ンタクト窓を進じて、アルミニウム層（以下、アルミニ
ウムは、若干の不純物を含む合金め潰合も総称して、単
にＡｌと略記する）が半導体基板」二の′「Ｌ極領域と
接触させた構造かしばしば用いられる。第１図は、従来
例の要部断面図であり、半導体基板１の表面に、たとえ
ば１．０１１ｍの二酸化シリコン膜２を形成し、この二
酸化ノリコン膜２の開口部、いわゆるコンタクト窓部に
、λβ層３を形成して、電極配線形状に加工したもので
ある。この場合、保護絶縁膜としての二酸化シリコン膜
２が比較的厚く、したがって、コンタクト窓部での段差
が急峻であるため、この段差部において、λβ層が薄く
なり、断線を起こし易い。ま／こ、第２図の断面図のよ
うに、下層のＡ１層１１が、層間絶縁膜１２を介して、
上層のλβ属１３と接触された構造で、いわゆる多層配
線構造の場合にも、」二層のＡ４層１３が段差部で断線
を起し易いうえ、これをおおう保護用絶縁膜１４の段差
部被覆性が低く、さらに、この上に配線層（不図示）が
交差的に設けられるような場合には、上下の両配線層間
で短絡を起こすこともある。
ンタクト窓を進じて、アルミニウム層（以下、アルミニ
ウムは、若干の不純物を含む合金め潰合も総称して、単
にＡｌと略記する）が半導体基板」二の′「Ｌ極領域と
接触させた構造かしばしば用いられる。第１図は、従来
例の要部断面図であり、半導体基板１の表面に、たとえ
ば１．０１１ｍの二酸化シリコン膜２を形成し、この二
酸化ノリコン膜２の開口部、いわゆるコンタクト窓部に
、λβ層３を形成して、電極配線形状に加工したもので
ある。この場合、保護絶縁膜としての二酸化シリコン膜
２が比較的厚く、したがって、コンタクト窓部での段差
が急峻であるため、この段差部において、λβ層が薄く
なり、断線を起こし易い。ま／こ、第２図の断面図のよ
うに、下層のＡ１層１１が、層間絶縁膜１２を介して、
上層のλβ属１３と接触された構造で、いわゆる多層配
線構造の場合にも、」二層のＡ４層１３が段差部で断線
を起し易いうえ、これをおおう保護用絶縁膜１４の段差
部被覆性が低く、さらに、この上に配線層（不図示）が
交差的に設けられるような場合には、上下の両配線層間
で短絡を起こすこともある。
発明の目的
本発明は、上述の従来例にみられた段差部における路問
題を１竹消するものであり、配線管にコンタクト窓の段
差が現われないように、平担な配線層を形成し得る電極
形成方法を提供するものであるＯ 発明の構成 本発明は、要約するに、半導体基板上あるいは金属配線
地・」二の１ｌｊ２縁膜をおおって有機高分子膜、金属
マスク層およびパターン形成被膜を順次積層する工程、
前記パターン形成被膜に所定間ロパクーンを形成し、つ
いで、間開ロバターンにより、前記金属マスク層に開口
を形成する工程、前記パターン形成被膜の除去とともに
、前記有機高分子膜の１￥ｊ記金属マスク層開口部分を
除去する工程、前記絶縁膜に、前記金属マスク層の開ロ
バターンにしたがい、開口窓を形成する工程、前記開口
窓および前記金属マスク層上にコンタクト用金属層を形
成する工程、前記開口窓部のコンタクト用金属屑イぐ残
し、前記絶縁膜上の前記イＪ磯高分子＋１９３、金ス・
」）マスク層および同マスク−にの金属層の各層を除去
する上程、前記コンタクト用金属屑イせて配線層を形成
する工程をそなえた半導体装置の製ノ貨力ａ、であり、
これによって、コノタクト窓ＲＢの配線層の半４１！化
が実現される。
題を１竹消するものであり、配線管にコンタクト窓の段
差が現われないように、平担な配線層を形成し得る電極
形成方法を提供するものであるＯ 発明の構成 本発明は、要約するに、半導体基板上あるいは金属配線
地・」二の１ｌｊ２縁膜をおおって有機高分子膜、金属
マスク層およびパターン形成被膜を順次積層する工程、
前記パターン形成被膜に所定間ロパクーンを形成し、つ
いで、間開ロバターンにより、前記金属マスク層に開口
を形成する工程、前記パターン形成被膜の除去とともに
、前記有機高分子膜の１￥ｊ記金属マスク層開口部分を
除去する工程、前記絶縁膜に、前記金属マスク層の開ロ
バターンにしたがい、開口窓を形成する工程、前記開口
窓および前記金属マスク層上にコンタクト用金属層を形
成する工程、前記開口窓部のコンタクト用金属屑イぐ残
し、前記絶縁膜上の前記イＪ磯高分子＋１９３、金ス・
」）マスク層および同マスク−にの金属層の各層を除去
する上程、前記コンタクト用金属屑イせて配線層を形成
する工程をそなえた半導体装置の製ノ貨力ａ、であり、
これによって、コノタクト窓ＲＢの配線層の半４１！化
が実現される。
実施例の説ｊｌｌ
第３図／（いし第１１図は本発明の一実施＋夕＋＋を示
ず丁４＝’Ｊ： ＋１１１１断面図であり、これらの回
向を参照して本発明を詳しくのべる。
ず丁４＝’Ｊ： ＋１１１１断面図であり、これらの回
向を参照して本発明を詳しくのべる。
］−ず、第３図のように、半導体基板１の主面に保護絶
縁膜２を有するものに対して、厚さ約１、Ｏ／７ ｍの
イｊ′磯高分子膜４、厚さ０．５７１ｍのＡ４層６おｊ
二Ｕ’ Ｊ１７さ約１．０７１ｍのホトレジスト膜６を
順次積層形成する。有機高分子膜４は、たとえば、ホト
レジスト膜６と同素月でなり、これを全面露光処理した
ものが用いられ、その厚さも、ホトレジスト膜６と回セ
ｉ一度が適当である。
縁膜２を有するものに対して、厚さ約１、Ｏ／７ ｍの
イｊ′磯高分子膜４、厚さ０．５７１ｍのＡ４層６おｊ
二Ｕ’ Ｊ１７さ約１．０７１ｍのホトレジスト膜６を
順次積層形成する。有機高分子膜４は、たとえば、ホト
レジスト膜６と同素月でなり、これを全面露光処理した
ものが用いられ、その厚さも、ホトレジスト膜６と回セ
ｉ一度が適当である。
次に、第４図のように、ホトレジスト膜６に、選択露光
技術によって、所定の開ロパクーンＴを形成し、つづい
て、この開ロバターン７０部分のλβ層５を、周知のり
アクティブイオンエツチング（ＲＩＥ）技術により、同
形の開ロバターンに食刻加］二１−る、 その抜、ホトレジスト膜６および有機高分子膜４は、酸
素のガスプラズマエツチング技術によって、全曲的に、
あるいは選択的に食刻除去され、１１図のＪ二うに、Ａ
ｌ＠５の開口部下で、廟機高分子膜４かその膜厚と同寸
法のサイドエッチを受けて開口される。
技術によって、所定の開ロパクーンＴを形成し、つづい
て、この開ロバターン７０部分のλβ層５を、周知のり
アクティブイオンエツチング（ＲＩＥ）技術により、同
形の開ロバターンに食刻加］二１−る、 その抜、ホトレジスト膜６および有機高分子膜４は、酸
素のガスプラズマエツチング技術によって、全曲的に、
あるいは選択的に食刻除去され、１１図のＪ二うに、Ａ
ｌ＠５の開口部下で、廟機高分子膜４かその膜厚と同寸
法のサイドエッチを受けて開口される。
ついで、第６図のように、保護絶縁膜２に、λβ層５全
マスクとして、ふっ素化合物カスのプラズマエッチによ
って選択エツチングをイボない、λβ層６の開ロバター
ン７と同形の開口を形成する。
マスクとして、ふっ素化合物カスのプラズマエッチによ
って選択エツチングをイボない、λβ層６の開ロバター
ン７と同形の開口を形成する。
しかるのち、第７図のように、先ず、コンタクト用金属
層としてのＡｄ層８を全面に蒸着形成する。
層としてのＡｄ層８を全面に蒸着形成する。
このとき、Ａｌ）曽８は、保護絶縁膜２と同膜厚程度に
形成しても、有機高分子膜４０オーパーツ・ング構造の
ために、半導体基板１」二の電極領域とλβ層マスク５
上とで完全に分離される。つづいて、ホトレジスト 開Ｌ：］ ｆｉｌ）に厚く坤め込み、他部には薄くして
、表向の段ｉ（二カ弓：くなるように形成する。この後
、第８１Ｚ＋のように、ホトレジスト膜９か開口部にの
み残るように、他＞ｒ，ＩＳのマスク上のホトレジスト
膜を除去ラーる。そして、Ａ１層８およびマスクのＡ１
１！層５′／ｆ：リアクティブイオンエツチングもしく
は湿式４が表われる状態となし、ついで、第１Ｏ図のよ
うに、このホトレジスト膜および有機高分子膜を除去し
、保護絶縁膜２およびＡβ電極層８を露ｈ゛．さぜる。
形成しても、有機高分子膜４０オーパーツ・ング構造の
ために、半導体基板１」二の電極領域とλβ層マスク５
上とで完全に分離される。つづいて、ホトレジスト 開Ｌ：］ ｆｉｌ）に厚く坤め込み、他部には薄くして
、表向の段ｉ（二カ弓：くなるように形成する。この後
、第８１Ｚ＋のように、ホトレジスト膜９か開口部にの
み残るように、他＞ｒ，ＩＳのマスク上のホトレジスト
膜を除去ラーる。そして、Ａ１層８およびマスクのＡ１
１！層５′／ｆ：リアクティブイオンエツチングもしく
は湿式４が表われる状態となし、ついで、第１Ｏ図のよ
うに、このホトレジスト膜および有機高分子膜を除去し
、保護絶縁膜２およびＡβ電極層８を露ｈ゛．さぜる。
最後に、第１１図に示すように、配線層としてのＡβ蒸
着層１ｏを形成し、下層のコンタクト用電極層８と接触
させ、必要に比、して、選択エツチングにより、配線パ
ターンに食刻形成する。
着層１ｏを形成し、下層のコンタクト用電極層８と接触
させ、必要に比、して、選択エツチングにより、配線パ
ターンに食刻形成する。
第１２図は多層配線構造に適用した本発明実施１９すの
最終工程断面図であり、第．２図の構成と対応させてみ
るとわかるように、下層配線層１１、層間絶縁膜１２，
Ｊ：層配線層１３および表面保護膜１４を設けたもので
ある。
最終工程断面図であり、第．２図の構成と対応させてみ
るとわかるように、下層配線層１１、層間絶縁膜１２，
Ｊ：層配線層１３および表面保護膜１４を設けたもので
ある。
第１１図、第１２図で明らかなように、配線層がコンタ
クト領域で局部的に薄くなることもなく、その平担性が
よくなる。
クト領域で局部的に薄くなることもなく、その平担性が
よくなる。
／Ｊ：お、開口部の埋め込みに用いられるホトレ７ス日
臭は、感光性処理によるパターン形成工程を必要としな
いから、有機高分子膜であればよく、どくに、回転塗布
形成技術で被膜の形成されるものであればよい。
臭は、感光性処理によるパターン形成工程を必要としな
いから、有機高分子膜であればよく、どくに、回転塗布
形成技術で被膜の形成されるものであればよい。
発明の効果
以北に詳しくのべたように、本発明によれば、Ａβ電極
のコンタクト層を開口部に埋め込んだのち、これに接触
させてＡβ配線ｊ曽を形成することにより、コンタクト
用窓部でのへβ配線層の段差がＩ’ｊ￥消され、従来の
ような同Ａβ配線層の段差部での断線事故はほとんど起
こらない。寸だ、この配線層をおおって、保護絶縁膜を
設ける場合も、コンタクト用電極層（・でよって発生す
る深い段差部がないので、同絶縁膜のステソブ力バレノ
ジが良くなり、層間絶縁性ならびに表面保護性が一段と
向−トする０
のコンタクト層を開口部に埋め込んだのち、これに接触
させてＡβ配線ｊ曽を形成することにより、コンタクト
用窓部でのへβ配線層の段差がＩ’ｊ￥消され、従来の
ような同Ａβ配線層の段差部での断線事故はほとんど起
こらない。寸だ、この配線層をおおって、保護絶縁膜を
設ける場合も、コンタクト用電極層（・でよって発生す
る深い段差部がないので、同絶縁膜のステソブ力バレノ
ジが良くなり、層間絶縁性ならびに表面保護性が一段と
向−トする０
第１図お３に０・第２図は従来装置の要部断面図、第３
図ないし第１１図は本発明実施例の工程順断＋（＋＋
ｌ゛イ１第１２１１；７．１は本発明の他の実施例の最
終上４４Ｉ゛す［面図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・・保詐絶縁膜、３ ・
・・（従来）配線層、４−・・・・有機高分子膜、５
・・・Ａ１層（マスク）、６−・・・・ホトレジスト
ＩＩＵ、７ ・開口、８・−・・・・Ａ４層（コンタク
ト層）、９・・・・ポトＶノスト膜、１０−・・・ＡＩ
Ｊ蒸着層。 代即人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第 ５ 図 第６図
図ないし第１１図は本発明実施例の工程順断＋（＋＋
ｌ゛イ１第１２１１；７．１は本発明の他の実施例の最
終上４４Ｉ゛す［面図である。 １・・・半導体基板、 ２・・・・保詐絶縁膜、３ ・
・・（従来）配線層、４−・・・・有機高分子膜、５
・・・Ａ１層（マスク）、６−・・・・ホトレジスト
ＩＩＵ、７ ・開口、８・−・・・・Ａ４層（コンタク
ト層）、９・・・・ポトＶノスト膜、１０−・・・ＡＩ
Ｊ蒸着層。 代即人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第 ５ 図 第６図
Claims (4)
- （１） 半導体基板」二あるいは金属配線層」二の絶
縁膜をおおって有機高分子膜、金属マスク層およびパタ
ーン形成被膜を順次積層形成する工程、Ｏｉ＋、ｉＣバ
クーン形成被膜に所定間ロバターンを形成し、ついで、
間開ロパクーンにより、前記金属マスク層に開口を形成
する工程、前記パターン形成被膜の除去とともに、前記
有機高分子膜の＋：＋ｆＪ記金属マスク層開１コ部分を
除去する工程、前記絶縁膜に、前記金属マスク層のυ１
」ロバクーンにしたがい、−° 〜開
り窓を形成する工４″ｉ１、前記開口窓および前記金属
マスク層」−にコンタクト用金属層を形成するエセＩ！
、前記開口窓部のコンタクト用金属層を残し、前＋ｉｔ
２絶縁ｊｊＱ上の前記有機高分子膜、金属マスク層およ
０・同マスク上の金属層の各階を除去する工４１、ｊ、
１１１ｆ記コンタクト用金属に接触させて配線層を形成
する工程をそなえた半導体装置の製造方法。 - （２）有機高分子膜およびパターン形成被膜が同素材て
なる特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製急方
法。 - （３） 有（及′１．１分子膜およびパターン形成被
膜がほぼ同膜厚でなる局１−′丙１ｊ求の範囲第１項に
記載の半導体装置の製造方法。 - （４） コンタクト用金属層が絶縁膜の厚みと同程度
で在る特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304583A JPS59208748A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8304583A JPS59208748A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59208748A true JPS59208748A (ja) | 1984-11-27 |
| JPH0531301B2 JPH0531301B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=13791227
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8304583A Granted JPS59208748A (ja) | 1983-05-12 | 1983-05-12 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59208748A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712487B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2007-04-27 | 삼성전자주식회사 | 접촉 저항을 줄일 수 있는 비아홀 플러그 및 그 형성 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745952A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-16 | Ibm | Method of producing integrated circuit |
-
1983
- 1983-05-12 JP JP8304583A patent/JPS59208748A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5745952A (en) * | 1980-08-18 | 1982-03-16 | Ibm | Method of producing integrated circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100712487B1 (ko) * | 2000-09-29 | 2007-04-27 | 삼성전자주식회사 | 접촉 저항을 줄일 수 있는 비아홀 플러그 및 그 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0531301B2 (ja) | 1993-05-12 |
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