JPS59200786A - 硫酸銅メツキ浴及びこれを使用するメツキ方法 - Google Patents
硫酸銅メツキ浴及びこれを使用するメツキ方法Info
- Publication number
- JPS59200786A JPS59200786A JP7519783A JP7519783A JPS59200786A JP S59200786 A JPS59200786 A JP S59200786A JP 7519783 A JP7519783 A JP 7519783A JP 7519783 A JP7519783 A JP 7519783A JP S59200786 A JPS59200786 A JP S59200786A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- general formula
- hydrogen atom
- copper sulfate
- plating
- bath
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高速度メッキの可能な硫酸銅メッキ浴及び該メ
ッキ浴を使用するメッキ方法に関する。
ッキ浴を使用するメッキ方法に関する。
従来公知の硫酸銅メッキ浴は一般に２０〜３０℃の浴温
度で使用することを基本としているため、電流密度を高
くすることに限界があり高速度化が困難であった。例え
ば平均的な陰極電流密度１．５〜３Ａ／ｄＩＩ１２では
銅膜厚２０〜３０μを得るのに５０〜８０分間のメッキ
ｆＩ間が必要とされていた。又、現在市販されている多
くの添加剤は殆んどが２０〜３０℃のメッキ浴湿度で使
用することを前提条件としており高温に於ては均一な光
沢が得られず高電流密度の使用は困難であった。
度で使用することを基本としているため、電流密度を高
くすることに限界があり高速度化が困難であった。例え
ば平均的な陰極電流密度１．５〜３Ａ／ｄＩＩ１２では
銅膜厚２０〜３０μを得るのに５０〜８０分間のメッキ
ｆＩ間が必要とされていた。又、現在市販されている多
くの添加剤は殆んどが２０〜３０℃のメッキ浴湿度で使
用することを前提条件としており高温に於ては均一な光
沢が得られず高電流密度の使用は困難であった。
本発明の目的は新規な添加剤を開発することにより、従
来のメッキ浴使用条件に於ても十分な性能を有し且つ高
い浴温及び高い陰極電流密度の使用条件に於ても均一な
光沢及び表面平滑性並びに均−電着性等のすぐれたメッ
キ性能を有する高速度メッキ可能な硫酸銅、硫酸及び塩
素イオンを基本組成とする硫酸銅メッキ浴及びこれを使
用するメッキ方法を提供することにある。
来のメッキ浴使用条件に於ても十分な性能を有し且つ高
い浴温及び高い陰極電流密度の使用条件に於ても均一な
光沢及び表面平滑性並びに均−電着性等のすぐれたメッ
キ性能を有する高速度メッキ可能な硫酸銅、硫酸及び塩
素イオンを基本組成とする硫酸銅メッキ浴及びこれを使
用するメッキ方法を提供することにある。
斯かる本発明の目的は、硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを
基本組成とする硫酸銅メッキ浴に、（１） 一般式 ％式％ （） （式中、Ｒ１は水素原子又は （ＣＨ２）Ｉｌｔ ＣＨ３；Ｒ２は水素原子又は−（
ＣＨ２）ＩＩＩ ＣＨ３；Ｉｌｌ及びｎはそれぞれＯ又
は１〜１０の整数：Ｍは水素原子又はアルカリ金属原子
を示す） で示される化合物及び （２） 一般式 ％式％（） ） （） （式中、Ｘは１〜４の整数、ｙは１〜１０の整数、ｐ及
びｑはそれぞれ１〜１００の整数を示す）で表わされる
ポリオキシアルキレン及び所望により （３） 一般式 ２ １ Ｒ＋ Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ Ｓ０３
Ｍ（ＩＩＩ） （式中、Ｒ１、Ｒ２，８１及びＭは上記ニ同シ）で表わ
される化合物 を含有せしめることにより達成される。
基本組成とする硫酸銅メッキ浴に、（１） 一般式 ％式％ （） （式中、Ｒ１は水素原子又は （ＣＨ２）Ｉｌｔ ＣＨ３；Ｒ２は水素原子又は−（
ＣＨ２）ＩＩＩ ＣＨ３；Ｉｌｌ及びｎはそれぞれＯ又
は１〜１０の整数：Ｍは水素原子又はアルカリ金属原子
を示す） で示される化合物及び （２） 一般式 ％式％（） ） （） （式中、Ｘは１〜４の整数、ｙは１〜１０の整数、ｐ及
びｑはそれぞれ１〜１００の整数を示す）で表わされる
ポリオキシアルキレン及び所望により （３） 一般式 ２ １ Ｒ＋ Ｃ＝ＣＨ−ＣＨ−（ＣＨ２）ｎ Ｓ０３
Ｍ（ＩＩＩ） （式中、Ｒ１、Ｒ２，８１及びＭは上記ニ同シ）で表わ
される化合物 を含有せしめることにより達成される。
本発明に依る硫酸銅メッキ浴の基本浴組成としては硫酸
銅（ＣｕＳＯＬ・５Ｈ２０）５０〜２５０Ｑ／Ｑ、硫酸
１０〜２２０（Ｊ／Ｑ及び塩素イオンｏ、ｏｉ〜０．２
Ｌ；Ｊ／Ｑの組成を通常使用する。
銅（ＣｕＳＯＬ・５Ｈ２０）５０〜２５０Ｑ／Ｑ、硫酸
１０〜２２０（Ｊ／Ｑ及び塩素イオンｏ、ｏｉ〜０．２
Ｌ；Ｊ／Ｑの組成を通常使用する。
上記の基本浴に添加する上記の一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物（以下、化合物Ａという）の具体例としては、
プロパギルスルホン酸ソーダ（ＨＣ：ＣＣＨ２８０３Ｎ
ａ ） 、α−メチルプロパギルスルホン酸ソーダ （ＨＣ：ＣＣ５０３Ｎａ ）等が挙げられる。
る化合物（以下、化合物Ａという）の具体例としては、
プロパギルスルホン酸ソーダ（ＨＣ：ＣＣＨ２８０３Ｎ
ａ ） 、α−メチルプロパギルスルホン酸ソーダ （ＨＣ：ＣＣ５０３Ｎａ ）等が挙げられる。
ＣＨ３
本発明に於いて上記の化合物Ａは０．０１〜１０！Ｊ
／９の濃度で使用され、０．０１９／Ｇ！以下の濃度で
は高電流密度部に生ずるヤケの範囲が最小にならずまた
１０ｇ／Ｑを超えると光沢が不均一となり平滑性も低下
する。
／９の濃度で使用され、０．０１９／Ｇ！以下の濃度で
は高電流密度部に生ずるヤケの範囲が最小にならずまた
１０ｇ／Ｑを超えると光沢が不均一となり平滑性も低下
する。
本発明の基本浴に添加する上記一般式（ｎ）又は（■′
）で表わされるポリオキシアルキレンとしては、例えば
−（Ｃ２Ｈ４０） ２５ 。
）で表わされるポリオキシアルキレンとしては、例えば
−（Ｃ２Ｈ４０） ２５ 。
（Ｃ２ＨＡ Ｏ）２ ｏ （Ｃ３Ｈｓ Ｏ）＋ ５−
の如きポリオキシエチレン又はポリオキシエチレンポリ
オキシプロビレンポリマーが挙げられ、なかんずくポリ
オキシエチレンポリオキシブロビレンブロツクボリマー
（ＨＯ（Ｃ２ＨＡ Ｏ）＋ ４−（０３Ｈ６０） ３
０ （Ｃ２Ｈｔ Ｏ） Ｉ Ａ Ｈ
，） が好ましい。本発明に於いて上記ポリオキシア
ルキレンは０．０１〜１０Ｑ ／Ｑの濃度で使用され、
０．０１Ω／Ｑ未満の濃度では高電流密度部のヤケが広
く且つ粗雑な析出となり平滑性が悪い。また１ ０（］
／Ｑを超える濃度では低Ｎ流密度部と他の部分との光
沢差が激しくなる。
の如きポリオキシエチレン又はポリオキシエチレンポリ
オキシプロビレンポリマーが挙げられ、なかんずくポリ
オキシエチレンポリオキシブロビレンブロツクボリマー
（ＨＯ（Ｃ２ＨＡ Ｏ）＋ ４−（０３Ｈ６０） ３
０ （Ｃ２Ｈｔ Ｏ） Ｉ Ａ Ｈ
，） が好ましい。本発明に於いて上記ポリオキシア
ルキレンは０．０１〜１０Ｑ ／Ｑの濃度で使用され、
０．０１Ω／Ｑ未満の濃度では高電流密度部のヤケが広
く且つ粗雑な析出となり平滑性が悪い。また１ ０（］
／Ｑを超える濃度では低Ｎ流密度部と他の部分との光
沢差が激しくなる。
更に、本発明に於いて上記の化合物Ａ及びポリオキシア
ルキレンに加えて、所望により一般式（Ｉ［［）で表わ
される化合物（以下化合物Ｂという）を添加することが
できる。斯かる化合物Ｂを配合することによって、高電
流密度部のヤケはより減少し使用範囲が広くなる。
ルキレンに加えて、所望により一般式（Ｉ［［）で表わ
される化合物（以下化合物Ｂという）を添加することが
できる。斯かる化合物Ｂを配合することによって、高電
流密度部のヤケはより減少し使用範囲が広くなる。
本発明に於て使用する化合物Ｂとして、例えばアリルス
ルホン酸ソーダ（ＣＨ２−ＣＨＣＨ２５Ｏ３Ｎａ）、γ
−メチルアリルスルホン酸ソーダ（ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ
−ＣＨ２−８０３Ｎａ ）等が挙げられる。本発明に於
て斯かる化合物Ｂの添加ωは０．０１〜５Ｑ ／Ｑの範
囲であり、０．０１０７９未満では高電流密度部のヤケ
の減少効果が少なく、また５Ｑ ／Ｑの濃度を超えると
平滑性が低下する。
ルホン酸ソーダ（ＣＨ２−ＣＨＣＨ２５Ｏ３Ｎａ）、γ
−メチルアリルスルホン酸ソーダ（ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ
−ＣＨ２−８０３Ｎａ ）等が挙げられる。本発明に於
て斯かる化合物Ｂの添加ωは０．０１〜５Ｑ ／Ｑの範
囲であり、０．０１０７９未満では高電流密度部のヤケ
の減少効果が少なく、また５Ｑ ／Ｑの濃度を超えると
平滑性が低下する。
本発明に係る＠波調メッキ浴はプリント基板を含む各種
金属に適用することができ、従来の使用条件を含む広範
囲な浴温度及び陰極電流密度においてきわめて均一な光
沢及び表面平滑性並びに何れだ均一電着性を有する銅メ
ッキを高速度を以て得ることを可能ならしめる。
金属に適用することができ、従来の使用条件を含む広範
囲な浴温度及び陰極電流密度においてきわめて均一な光
沢及び表面平滑性並びに何れだ均一電着性を有する銅メ
ッキを高速度を以て得ることを可能ならしめる。
本発明の硫酸銅メッキ浴は通常下記の作業条件で使用づ
ることができる。
ることができる。
陰極電流密度 １．５〜３０Ａ／ｄｆｆ１２浴 電
圧 ０．５〜６■ 浴 温 度 １５〜６０℃ 撹 拌 空気撹拌及び綴械撹拌併用以下に実施例
及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。
圧 ０．５〜６■ 浴 温 度 １５〜６０℃ 撹 拌 空気撹拌及び綴械撹拌併用以下に実施例
及び比較例を示して本発明を具体的に説明する。
実施例１〜１５及び比較例１〜３
下記第１表に示す組成のメッキ浴を調製した。
第１表註
化合物Ａ−１
プＯバギルスルホン酸ソーダ
ｈｃ＝ｃ ＣＨ２８０３Ｎａ
化合物Ａ−２
α−メチルプロパギルスルホン酸ソーダＨ３
言
＋ｃ＝ｃ−Ｃ−８Ｏ３Ｎａ
化合物Ｂ−１
アリルスルホン酸ソーダ
ＣＨ２＝ＣＨＣＨ２−８Ｏｓ Ｎａ
化合物Ｂ−２
γ−メチルアリルスルホン酸ソーダ
ＣＨ３ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−３Ｏ３Ｎａポリオキシアル
キレンＣ−１ ポリオキシエチレンポリオキシブロビレンブロツクポリ
マー Ｈｏ （Ｃ２ＨＡ Ｏ） ＋ ｔ −（Ｃ３Ｈｅ Ｏ
）ｇ 。
キレンＣ−１ ポリオキシエチレンポリオキシブロビレンブロツクポリ
マー Ｈｏ （Ｃ２ＨＡ Ｏ） ＋ ｔ −（Ｃ３Ｈｅ Ｏ
）ｇ 。
（０２Ｈａ Ｏ） １ａ Ｈ
（平均分子量約３０００）
添加剤Ｓ、Ｊ及びＥは市販の銅メツキ用光沢剤である。
上記の実施例及び比較例に於て得られた各メッキ浴を使
用し、被メッキ物として２０Ｘ２０ＸＯ，１６ｃｍのＰ
Ｃ，Ｆ３基板を用いて第２表に示す条件下に銅メッキし
た。
用し、被メッキ物として２０Ｘ２０ＸＯ，１６ｃｍのＰ
Ｃ，Ｆ３基板を用いて第２表に示す条件下に銅メッキし
た。
斯くして得られたメッキ試料につき下記の方法により試
験した結果を第２表に示す。
験した結果を第２表に示す。
試験方法
１、 光沢の均−性
第１図に示す如く、メッキ試料片（２０Ｘ２０ｃｍ）
ｉの上に１ＣＩ１１間隔の基盤目を記入したトレーシン
グペーパー２を密着させ上方よりランプ３の光を当てて
光沢の均一性を下記の基準によって判定する。
ｉの上に１ＣＩ１１間隔の基盤目を記入したトレーシン
グペーパー２を密着させ上方よりランプ３の光を当てて
光沢の均一性を下記の基準によって判定する。
Ｏ：光沢ムラが試料面積の１０％以内である。
Δ：光沢ムラが試料面積の２０％以内である。
×：光沢ムラが試料面積の２０％以上である。
２、 均−電着性
第２図に示す如く、メッキ試料片（２０Ｘ２０ｃｍ）の
中心点Ａ及びメッキ試料片の辺より３ｃｍ内側の中央点
Ｂにおける膜厚を測定し、膜厚比率（（Ａ点膜厚／Ｂ点
膜厚）ｘｉＯＯ）を求め、下記の基準によって評価する
。
中心点Ａ及びメッキ試料片の辺より３ｃｍ内側の中央点
Ｂにおける膜厚を測定し、膜厚比率（（Ａ点膜厚／Ｂ点
膜厚）ｘｉＯＯ）を求め、下記の基準によって評価する
。
Ｏ：膜厚比率が９０以上である。
Δ：膜厚比率が８０以上９０以下である。
ｘ：ｌｌｉ厚比率が８０以下である。
１、 平滑性
第３図に示す如く、メッキ試料片（２０Ｘ２０ｃｍ）
ｉの上に１ｃｍ間隔の基盤目を記入した白紙２上に垂直
に立て約４５°の角度位置により目視により下記基準に
依って判定する。
ｉの上に１ｃｍ間隔の基盤目を記入した白紙２上に垂直
に立て約４５°の角度位置により目視により下記基準に
依って判定する。
Ｏ：はぼ全面に基盤目が確認できる。
Δ：はぼ９０％以上基盤目が確認できる。
Ｘ：１０％以上Ｍ盤目が確認できない。
４、 総合評価
◎：実用に十分たえる（上記１〜３の評価がすべてＯの
場合） ○：実用にざしつかえない（上記１〜３の中少なくとも
１項目の評価がΔの場合） ×：実用不可能（上記１〜３の中少なくとも１項目の評
価が×の場合） 上記の結果から明らかな如く、本発明のメッキ浴を使用
した場合、広範囲な浴温及び陰極電流密度条件を使用す
ることができ、高い浴温、高陰極電流密度の条件採用が
可能となり、メッキ時間の大幅短縮による銅メッキの高
速度化が実現できる。
場合） ○：実用にざしつかえない（上記１〜３の中少なくとも
１項目の評価がΔの場合） ×：実用不可能（上記１〜３の中少なくとも１項目の評
価が×の場合） 上記の結果から明らかな如く、本発明のメッキ浴を使用
した場合、広範囲な浴温及び陰極電流密度条件を使用す
ることができ、高い浴温、高陰極電流密度の条件採用が
可能となり、メッキ時間の大幅短縮による銅メッキの高
速度化が実現できる。
第１図はメッキ試料の光沢均一性の試験方法の説明図、
第２図は均一電着性の試験方法の説明図及び第３図は平
滑性の試験方法の説明図である。 （以 上）
第２図は均一電着性の試験方法の説明図及び第３図は平
滑性の試験方法の説明図である。 （以 上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本組成とする硫酸
鋼メッキ浴に （１〉 一般式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子又は −（ＣＨ２）ｍ −ＣＨ３：Ｒ２は水素原子又は−（Ｃ
Ｈ２）ｍ ＣＨ３；Ｉｎ及びｒｌＬそｔｔぞれＯ又は１
〜１０の整数二Ｍは水素原子又はアルカリ金属原子を示
す） で示される化合物を０．０１〜１０ｇ／Ｑ及び〈２）
一般式 ％式％） ） （式中、Ｘは１〜４の整数、ｙは１〜１０の整数、ρ及
びｑはそれぞれ１〜１００の整数を示す） で表わされるポリオキシアルキレンを０．０１〜１０ａ
／Ｑ 含有せしめることを特徴とする硫酸銅メッキ浴。 ■ 硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本組成とする硫酸
銅メッキ浴に （１） 一般式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子又は （ＣＨ２）ｌ −ＣＨ３； Ｒ２は水素原子又は−（Ｃ
Ｈ２） ｆｆｌ ＣＨａ ： ｒａｌ及びｎ ハそレソ
れＯ又は１〜１０の整数：Ｍは水素原子又はアルカリ金
属原子を示す） で示される化合物を０．０１〜１０ｇ／Ｑ（２） 一般
式 ％式％ （式中、Ｒ＋ ｓ Ｒ２、”及びＭは上記に同じ）で表
わされる化合物を０．０１〜５０ ／ Ｑ及び（３ン
一般式 一（ＣＸ Ｒ２Ｘ ０）ｐ−又は （ＣＸ Ｒ２ｘ Ｏ）ｐ （ＣｙＨ２Ｖ Ｏ）Ｑ
−（式中、Ｘは１〜４の整数、ｙは１〜１ｏの整数、ｐ
及びｑはそれぞれ１〜１００の整数を示す） で表わされるポリオキシアルキレンを０．０１〜１０ｇ
／Ｑ 含有せしめることを特徴とする＠波調メッキ浴。 ■ 硫酸銅、硫酸及び塩素イオンを基本組成とする硫酸
ｍメッキ浴に （１） 一般式 ％式％ （式中、Ｒ１は水素原子又は （ＣＨ２）ＩＩＩ ＣＨ３；Ｒ２は水素原子又は−（
ＣＨ２）Ｉｌｌ ＣＨ３：Ｉｌｌ及びｎはそれぞれＯ又
は１〜１０の整数１Ｍは水素原子又はアルカリ金属原子
を示す） で示される化合物を０．０１〜１０ａ ／ａ及び（２）
一般式 ％式％ ） （式中、Ｘは１〜４の整数、ｙは１〜１０の整数、ｐ及
びｑはそれぞれ１〜１００の整数を示す） で表わされるポリオキシアルキレンを０．０１〜１０ｇ
／Ｑ及び所望により （３） 一般式 （式中、ＲＩ 、Ｒ２、ｍ及びＭは上記に同じ）で表わ
される化合物を０．０１〜！Ｍ ／Ｑ金含有しめた浴を
用い１５〜６０℃の浴温度及び１．５〜３０Ａ／ｄｌｌ
１２の陰極電流密度に於てメッキすることを特徴とする
硫酸銅メッキ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7519783A JPS59200786A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 硫酸銅メツキ浴及びこれを使用するメツキ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7519783A JPS59200786A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 硫酸銅メツキ浴及びこれを使用するメツキ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200786A true JPS59200786A (ja) | 1984-11-14 |
Family
ID=13569225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7519783A Pending JPS59200786A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 硫酸銅メツキ浴及びこれを使用するメツキ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200786A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014306A1 (en) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Ebara Corporation | Method for plating substrate and apparatus |
| WO2007086454A1 (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | 含リン銅をアノードとする電解銅めっき液用添加剤、電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
| JP2010189733A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Ｐｒパルス電解銅めっき用添加剤及びｐｒパルス電解めっき用銅めっき液 |
| JP2014221946A (ja) * | 2014-08-01 | 2014-11-27 | 奥野製薬工業株式会社 | Ｐｒパルス電解銅めっき用添加剤及びｐｒパルス電解めっき用銅めっき液 |
| JP2015168867A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 住友金属鉱山株式会社 | 硫酸系銅電解液、及びこの電解液を用いたデンドライト状銅粉の製造方法 |
| JP2015168866A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 住友金属鉱山株式会社 | 硫酸系銅電解液、及びこの電解液を用いた粒状銅粉の製造方法 |
| JP2019157154A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 銅被膜の製造方法 |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7519783A patent/JPS59200786A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000014306A1 (en) * | 1998-09-03 | 2000-03-16 | Ebara Corporation | Method for plating substrate and apparatus |
| WO2007086454A1 (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | 含リン銅をアノードとする電解銅めっき液用添加剤、電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
| JPWO2007086454A1 (ja) * | 2006-01-27 | 2009-06-18 | 奥野製薬工業株式会社 | 含リン銅をアノードとする電解銅めっき液用添加剤、電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
| JP5659411B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2015-01-28 | 奥野製薬工業株式会社 | 含リン銅をアノードとする電解銅めっき液用添加剤、電解銅めっき液及び電解銅めっき方法 |
| JP2010189733A (ja) * | 2009-02-19 | 2010-09-02 | Okuno Chem Ind Co Ltd | Ｐｒパルス電解銅めっき用添加剤及びｐｒパルス電解めっき用銅めっき液 |
| JP2015168867A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 住友金属鉱山株式会社 | 硫酸系銅電解液、及びこの電解液を用いたデンドライト状銅粉の製造方法 |
| JP2015168866A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 住友金属鉱山株式会社 | 硫酸系銅電解液、及びこの電解液を用いた粒状銅粉の製造方法 |
| JP2014221946A (ja) * | 2014-08-01 | 2014-11-27 | 奥野製薬工業株式会社 | Ｐｒパルス電解銅めっき用添加剤及びｐｒパルス電解めっき用銅めっき液 |
| JP2019157154A (ja) * | 2018-03-07 | 2019-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 銅被膜の製造方法 |
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