JPH0860395A - パラジウムめっき液 - Google Patents
パラジウムめっき液Info
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- JPH0860395A JPH0860395A JP22078194A JP22078194A JPH0860395A JP H0860395 A JPH0860395 A JP H0860395A JP 22078194 A JP22078194 A JP 22078194A JP 22078194 A JP22078194 A JP 22078194A JP H0860395 A JPH0860395 A JP H0860395A
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- Japan
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- palladium
- plating
- plating solution
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 浴の安定性に優れ、下地の腐食が小さく、光
沢がありクラックのない厚いパラジウムめっき皮膜を得
ることのできるパラジウムめっき液の開発。 【構成】 基本塩としてジニトロジアンミンパラジウ
ム、ジニトロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジア
ンミンパラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウ
ム、クロロニトロジアンミンパラジウム及びクロロニト
ロテトラアンミンパラジウムのうちから選ばれた１種ま
たはそれ以上を用い、添加剤としてカルボキシル基を２
個以上有するカルボン酸またはその誘導体を加え、さら
に随意的に光沢剤として亜硝酸またはその塩を加えたこ
とを特徴とするパラジウムめっき液。クラックフリー膜
厚１０μｍ以上の光沢パラジウムめっき皮膜が得られ
る。浴安定性が高くまた下地の腐食も小さい。
沢がありクラックのない厚いパラジウムめっき皮膜を得
ることのできるパラジウムめっき液の開発。 【構成】 基本塩としてジニトロジアンミンパラジウ
ム、ジニトロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジア
ンミンパラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウ
ム、クロロニトロジアンミンパラジウム及びクロロニト
ロテトラアンミンパラジウムのうちから選ばれた１種ま
たはそれ以上を用い、添加剤としてカルボキシル基を２
個以上有するカルボン酸またはその誘導体を加え、さら
に随意的に光沢剤として亜硝酸またはその塩を加えたこ
とを特徴とするパラジウムめっき液。クラックフリー膜
厚１０μｍ以上の光沢パラジウムめっき皮膜が得られ
る。浴安定性が高くまた下地の腐食も小さい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光沢がありクラックの
ないパラジウムめっき皮膜を得るためのパラジウムめっ
き液に関する。
ないパラジウムめっき皮膜を得るためのパラジウムめっ
き液に関する。
【０００２】
【従来の技術】パラジウムめっきは耐食性、光沢に優れ
るため装飾用、コネクター等の電気・電子部品用などに
使用されているが、基材の表面にパラジウムの電気めっ
きを行う場合、めっき皮膜層が厚くなるとクラックが生
じやすく、例えば電気特性的に欠陥を生じたり、めっき
層の剥離が生じるなどの問題があった。
るため装飾用、コネクター等の電気・電子部品用などに
使用されているが、基材の表面にパラジウムの電気めっ
きを行う場合、めっき皮膜層が厚くなるとクラックが生
じやすく、例えば電気特性的に欠陥を生じたり、めっき
層の剥離が生じるなどの問題があった。
【０００３】このような問題に対して、例えば特公平１
−４７５５７号には、めっき液として硫酸パラジウムと
亜硫酸パラジウムの混合物を使用することにより、電流
密度１Ａ／ｄｍ2 で厚さ１０μｍのクラックのないめっ
き皮膜が得られることが示されている。
−４７５５７号には、めっき液として硫酸パラジウムと
亜硫酸パラジウムの混合物を使用することにより、電流
密度１Ａ／ｄｍ2 で厚さ１０μｍのクラックのないめっ
き皮膜が得られることが示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな亜硫酸を使用するめっき浴の場合には浴の安定性が
低く、また、めっき液が強酸性のため下地の腐食が著し
いという問題があることがわかった。本発明の課題は、
浴の安定性に優れ、下地の腐食が小さく、厚さ１０μｍ
以上の、光沢がありクラックのないパラジウムめっき皮
膜を得ることのできるパラジウムめっき液を開発するこ
とである。
うな亜硫酸を使用するめっき浴の場合には浴の安定性が
低く、また、めっき液が強酸性のため下地の腐食が著し
いという問題があることがわかった。本発明の課題は、
浴の安定性に優れ、下地の腐食が小さく、厚さ１０μｍ
以上の、光沢がありクラックのないパラジウムめっき皮
膜を得ることのできるパラジウムめっき液を開発するこ
とである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記のような課題を解決
するため本発明者らは鋭意努力した結果、アンミン錯体
パラジウムを基本塩とするめっき液に、添加剤としてカ
ルボキシル基を２個以上有するカルボン酸またはその誘
導体を加えることにより、好結果が得られることを見い
だした。本発明は、この知見に基づいてなされたもの
で、基本塩としてジニトロジアンミンパラジウム、ジニ
トロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジアンミンパ
ラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム、クロロ
ニトロジアンミンパラジウム、クロロニトロテトラアン
ミンパラジウムのうちから選ばれた１種またはそれ以上
を用い、これに添加剤としてカルボキシル基を２個以上
有するカルボン酸またはその誘導体を加えたことを特徴
とするパラジウムめっき液を提供するものである。本発
明はまた、上記めっき液にさらに光沢剤を加えたパラジ
ウムめっき液をも提供するものである。
するため本発明者らは鋭意努力した結果、アンミン錯体
パラジウムを基本塩とするめっき液に、添加剤としてカ
ルボキシル基を２個以上有するカルボン酸またはその誘
導体を加えることにより、好結果が得られることを見い
だした。本発明は、この知見に基づいてなされたもの
で、基本塩としてジニトロジアンミンパラジウム、ジニ
トロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジアンミンパ
ラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム、クロロ
ニトロジアンミンパラジウム、クロロニトロテトラアン
ミンパラジウムのうちから選ばれた１種またはそれ以上
を用い、これに添加剤としてカルボキシル基を２個以上
有するカルボン酸またはその誘導体を加えたことを特徴
とするパラジウムめっき液を提供するものである。本発
明はまた、上記めっき液にさらに光沢剤を加えたパラジ
ウムめっき液をも提供するものである。
【０００６】
【作用】本発明のめっき液は、基本塩としてアンミン錯
体パラジウムを使用することにより浴安定性が高く、ま
た、従来のパラジウムめっき浴では強酸性または強アル
カリ性のため下地の腐食が大きいが、本発明のめっき液
では中性から弱アルカリ性のために下地の腐食も小さ
い。
体パラジウムを使用することにより浴安定性が高く、ま
た、従来のパラジウムめっき浴では強酸性または強アル
カリ性のため下地の腐食が大きいが、本発明のめっき液
では中性から弱アルカリ性のために下地の腐食も小さ
い。
【０００７】
【発明の具体的な説明】本発明のパラジウムめっき液の
基本塩としては、ジニトロジアンミンパラジウム、ジニ
トロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジアンミンパ
ラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム、クロロ
ニトロジアンミンパラジウム、クロロニトロテトラアン
ミンパラジウムのうちから選ばれた１種またはそれ以上
が用いられる。そのめっき液中での濃度範囲は、パラジ
ウム量として１〜３０ｇ／ｌ、好ましくは５〜２０ｇ／
ｌである。濃度が低すぎると高電流密度での光沢が悪
く、濃度が高すぎるとめっき液の持ち出しが問題となる
ため好ましくない。
基本塩としては、ジニトロジアンミンパラジウム、ジニ
トロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジアンミンパ
ラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウム、クロロ
ニトロジアンミンパラジウム、クロロニトロテトラアン
ミンパラジウムのうちから選ばれた１種またはそれ以上
が用いられる。そのめっき液中での濃度範囲は、パラジ
ウム量として１〜３０ｇ／ｌ、好ましくは５〜２０ｇ／
ｌである。濃度が低すぎると高電流密度での光沢が悪
く、濃度が高すぎるとめっき液の持ち出しが問題となる
ため好ましくない。
【０００８】添加剤としてカルボキシル基を２個以上有
するカルボン酸またはその誘導体を加える。添加剤とし
ては例えば、マレイン酸、フマル酸、チオリンゴ酸、ア
スパラギン酸、イタコン酸、シトラコン酸、フタル酸、
ＥＤＴＡ、ピリジンジカルボン酸等を挙げることができ
る。濃度範囲は、０．１〜２００ｇ／ｌ、好ましくは１
〜５０ｇ／ｌが望ましい。濃度が低すぎるとクラックが
発生し易く、一方濃度を所定以上高くしても効果は飽和
する。
するカルボン酸またはその誘導体を加える。添加剤とし
ては例えば、マレイン酸、フマル酸、チオリンゴ酸、ア
スパラギン酸、イタコン酸、シトラコン酸、フタル酸、
ＥＤＴＡ、ピリジンジカルボン酸等を挙げることができ
る。濃度範囲は、０．１〜２００ｇ／ｌ、好ましくは１
〜５０ｇ／ｌが望ましい。濃度が低すぎるとクラックが
発生し易く、一方濃度を所定以上高くしても効果は飽和
する。
【０００９】さらに、通常、めっき液の電導性を良くす
るために支持電解質が加えられる。支持電解質として
は、塩酸、硝酸、硫酸、ホウ酸、炭酸、リン酸、ピロリ
ン酸、スルファミン酸、スルホン酸、カルボン酸等の
酸、またはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、アンモニウム塩などが挙げられる。その濃度範囲
は、１０〜５００ｇ／ｌ、好ましくは２０〜２００ｇ／
ｌである。濃度が低すぎるとめっき液の電導度が低くな
り、濃度が高すぎるとめっき外観が悪くなるため好まし
くない。
るために支持電解質が加えられる。支持電解質として
は、塩酸、硝酸、硫酸、ホウ酸、炭酸、リン酸、ピロリ
ン酸、スルファミン酸、スルホン酸、カルボン酸等の
酸、またはこれらのアルカリ金属塩、アルカリ土類金属
塩、アンモニウム塩などが挙げられる。その濃度範囲
は、１０〜５００ｇ／ｌ、好ましくは２０〜２００ｇ／
ｌである。濃度が低すぎるとめっき液の電導度が低くな
り、濃度が高すぎるとめっき外観が悪くなるため好まし
くない。
【００１０】また、さらに光沢剤を加えても良い。光沢
剤としては、亜硝酸またはその塩が用いられる。光沢剤
の濃度範囲は、１〜２００ｇ／ｌ、好ましくは、５〜１
００ｇ／ｌである。光沢剤の濃度が低すぎると、高電流
密度での光沢度が低下し、濃度が高すぎると電着速度が
遅くなるため好ましくない。
剤としては、亜硝酸またはその塩が用いられる。光沢剤
の濃度範囲は、１〜２００ｇ／ｌ、好ましくは、５〜１
００ｇ／ｌである。光沢剤の濃度が低すぎると、高電流
密度での光沢度が低下し、濃度が高すぎると電着速度が
遅くなるため好ましくない。
【００１１】上記のようなめっき液を用いて、所定のめ
っき条件で電気めっきを行う。めっき液のｐＨは、６〜
１４、好ましくは７〜１０とする。ｐＨが低すぎるとめ
っき浴が不安定になり、ｐＨが高すぎると光沢が悪くな
る傾向があるため好ましくない。電流密度は特に限定さ
れるものではないが、吹き付けのような強い撹拌以外の
場合はあまり電流密度が高いとめっき外観が悪くなるた
め、通常０．１〜２０Ａ／ｄｍ2 、好ましくは０．３〜
１０Ａ／ｄｍ2 にすることが望ましい。めっき浴の温度
は特に限定されるものではないが、高すぎると浴が不安
定になり、低すぎるとめっき速度が遅くなるため、通常
は１５〜８０℃、好ましくは２０〜７０℃にすることが
望ましい。なお、めっき中には浴の撹拌を行うことが望
ましく、特に電流密度が高い場合には撹拌速度は速い方
が良い。
っき条件で電気めっきを行う。めっき液のｐＨは、６〜
１４、好ましくは７〜１０とする。ｐＨが低すぎるとめ
っき浴が不安定になり、ｐＨが高すぎると光沢が悪くな
る傾向があるため好ましくない。電流密度は特に限定さ
れるものではないが、吹き付けのような強い撹拌以外の
場合はあまり電流密度が高いとめっき外観が悪くなるた
め、通常０．１〜２０Ａ／ｄｍ2 、好ましくは０．３〜
１０Ａ／ｄｍ2 にすることが望ましい。めっき浴の温度
は特に限定されるものではないが、高すぎると浴が不安
定になり、低すぎるとめっき速度が遅くなるため、通常
は１５〜８０℃、好ましくは２０〜７０℃にすることが
望ましい。なお、めっき中には浴の撹拌を行うことが望
ましく、特に電流密度が高い場合には撹拌速度は速い方
が良い。
【００１２】
【実施例】次に実施例及び比較例によって本発明をさら
に詳細に説明する。基材としてはハルセル黄銅板を使用
した。電気めっき後めっき皮膜のクラックフリー膜厚お
よび光沢についての評価を行った。クラックフリー膜厚
は１０００倍の顕微鏡観察及びアンモニア曝気試験によ
り測定し、光沢については目視によりＮi めっきとの比
較で評価した。
に詳細に説明する。基材としてはハルセル黄銅板を使用
した。電気めっき後めっき皮膜のクラックフリー膜厚お
よび光沢についての評価を行った。クラックフリー膜厚
は１０００倍の顕微鏡観察及びアンモニア曝気試験によ
り測定し、光沢については目視によりＮi めっきとの比
較で評価した。
【００１３】（実施例１） 〔めっき浴組成〕 パラジウム塩：ジニトロジアンミンパラジウム、パラジ
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：フマル酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硫酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：７２分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１３．３μｍであり光沢
は良好であった。
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：フマル酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硫酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：７２分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１３．３μｍであり光沢
は良好であった。
【００１４】光沢剤を添加しない場合、光沢度は低下し
たが、実用可能であった。
たが、実用可能であった。
【００１５】（実施例２） 〔めっき浴組成〕 パラジウム塩：ジニトロジアンミンパラジウム、パラジ
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：チオリンゴ酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：リン酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：５９分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１４．５μｍであり光沢
は良好であった。
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：チオリンゴ酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：リン酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：５９分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１４．５μｍであり光沢
は良好であった。
【００１６】（実施例３） 〔めっき浴組成〕 パラジウム塩：ジニトロジアンミンパラジウム、パラジ
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：アスパラギン酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硝酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：９０分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１５．４μｍであり光沢
は良好であった。
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：アスパラギン酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硝酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：９０分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１５．４μｍであり光沢
は良好であった。
【００１７】（実施例４） 〔めっき浴組成〕 パラジウム塩：ジニトロジアンミンパラジウム、パラジ
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：イタコン酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：スルファミン酸アンモニウム、１００ｇ
／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：６７分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１１．６μｍであり光沢
は良好であった。
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：イタコン酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：スルファミン酸アンモニウム、１００ｇ
／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、５０ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：６７分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１１．６μｍであり光沢
は良好であった。
【００１８】（実施例５） 〔めっき浴組成〕 パラジウム塩：クロロニトロジアンミンパラジウム、パ
ラジウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：ＥＤＴＡ、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硝酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、２５ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：４９分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１０．３μｍであり光沢
は良好であった。
ラジウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：ＥＤＴＡ、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硝酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、２５ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：４９分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１０．３μｍであり光沢
は良好であった。
【００１９】（実施例６） 〔めっき浴組成〕 パラジウム塩：クロロニトロジアンミンパラジウム、パ
ラジウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：フタル酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硫酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、２５ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：５０分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１０．１μｍであり光沢
は良好であった。
ラジウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：フタル酸、１０ｇ／ｌ 支持電解質 ：硫酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、２５ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：５０分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は１０．１μｍであり光沢
は良好であった。
【００２０】（比較例） 〔めっき浴組成〕 パラジウム塩：ジニトロジアンミンパラジウム、パラジ
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：なし 支持電解質 ：硝酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、２５ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：２３分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は４．０μｍであり光沢は
良好であった。
ウム量として１０ｇ／ｌ 添加剤 ：なし 支持電解質 ：硝酸アンモニウム、１００ｇ／ｌ 光沢剤 ：亜硝酸ナトリウム、２５ｇ／ｌ 〔めっき条件〕 ｐＨ ：８．０ 電流密度 ：１Ａ／ｄｍ2 浴温度 ：３０℃ めっき時間 ：２３分 撹拌 ：強 〔結果〕クラックフリー膜厚は４．０μｍであり光沢は
良好であった。
【００２１】
【発明の効果】本発明によりクラックフリー膜厚１０μ
ｍ以上の光沢パラジウムめっき皮膜を得ることができ
た。基本塩としてニトロ錯体パラジウムを使用すること
により浴安定性が高く、また、めっき液が中性から弱ア
ルカリ性のために下地の腐食も小さい。
ｍ以上の光沢パラジウムめっき皮膜を得ることができ
た。基本塩としてニトロ錯体パラジウムを使用すること
により浴安定性が高く、また、めっき液が中性から弱ア
ルカリ性のために下地の腐食も小さい。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１月５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１２】
【実施例】次に実施例及び比較例によって本発明をさら
に詳細に説明する。基材としてはハルセル黄銅板を使用
した。電気めっき後めっき皮膜のクラックフリー膜厚お
よび光沢についての評価を行った。クラックフリー膜厚
は１０００倍の顕微鏡観察及びアンモニア曝気試験によ
り測定し、光沢については目視により光沢Ｎｉめっきと
の比較で評価した。
に詳細に説明する。基材としてはハルセル黄銅板を使用
した。電気めっき後めっき皮膜のクラックフリー膜厚お
よび光沢についての評価を行った。クラックフリー膜厚
は１０００倍の顕微鏡観察及びアンモニア曝気試験によ
り測定し、光沢については目視により光沢Ｎｉめっきと
の比較で評価した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】
【発明の効果】本発明によりクラックフリー膜厚１０μ
ｍ以上の光沢パラジウムめっき皮膜を得ることができ
た。基本塩としてアンミン錯体パラジウムを使用するこ
とにより浴安定性が高く、また、めっき液が中性から弱
アルカリ性のために下地の腐食も小さい。
ｍ以上の光沢パラジウムめっき皮膜を得ることができ
た。基本塩としてアンミン錯体パラジウムを使用するこ
とにより浴安定性が高く、また、めっき液が中性から弱
アルカリ性のために下地の腐食も小さい。
Claims (2)
- 【請求項１】 基本塩としてジニトロジアンミンパラジ
ウム、ジニトロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジ
アンミンパラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウ
ム、クロロニトロジアンミンパラジウム及びクロロニト
ロテトラアンミンパラジウムのうちから選ばれた１種ま
たはそれ以上を用い、添加剤としてカルボキシル基を２
個以上有するカルボン酸またはその誘導体を加えたこと
を特徴とするパラジウムめっき液。 - 【請求項２】 基本塩としてジニトロジアンミンパラジ
ウム、ジニトロテトラアンミンパラジウム、ジクロロジ
アンミンパラジウム、ジクロロテトラアンミンパラジウ
ム、クロロニトロジアンミンパラジウム及びクロロニト
ロテトラアンミンパラジウムのうちから選ばれた１種ま
たはそれ以上を用い、添加剤としてカルボキシル基を２
個以上有するカルボン酸またはその誘導体を加え、さら
に光沢剤として亜硝酸またはその塩を加えたことを特徴
とするパラジウムめっき液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22078194A JPH0860395A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | パラジウムめっき液 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22078194A JPH0860395A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | パラジウムめっき液 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0860395A true JPH0860395A (ja) | 1996-03-05 |
Family
ID=16756475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22078194A Pending JPH0860395A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | パラジウムめっき液 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0860395A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003147572A (ja) * | 2001-10-02 | 2003-05-21 | Shipley Co Llc | 基体上に金属層を堆積させるためのメッキ浴および方法 |
| JP2008081765A (ja) * | 2006-09-26 | 2008-04-10 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | パラジウム合金めっき液及びそのめっき液を用いためっき方法。 |
| JP2009001886A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Sanyuu:Kk | パラジウム−コバルト合金めっき液、パラジウム−コバルト合金被膜の形成方法及びパラジウム−コバルト合金硬質被膜の製造方法 |
| JP2023063215A (ja) * | 2021-10-22 | 2023-05-09 | 松田産業株式会社 | パラジウム皮膜 |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP22078194A patent/JPH0860395A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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