JPS5919339B2 - マトリツクス型液晶表示装置 - Google Patents

マトリツクス型液晶表示装置

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JPS5919339B2
JPS5919339B2 JP52105549A JP10554977A JPS5919339B2 JP S5919339 B2 JPS5919339 B2 JP S5919339B2 JP 52105549 A JP52105549 A JP 52105549A JP 10554977 A JP10554977 A JP 10554977A JP S5919339 B2 JPS5919339 B2 JP S5919339B2
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は一般的には液晶ディスプレイ、特に薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）を用いたマトリックス型液晶表示装置
の構造に関するものである。
この種装置として特開昭５０−１７５９９（日本分類１
０１Ｅ５、１０１Ｅ９、１０４ＧＯ、９７（７）Ｂ４）
がある。
これは第１図に示すように、行ドライバＲ１〜Ｒｎへゲ
ート電極を、列ドライバＣ１〜Ｃｎへソース電極を接続
したＦＥＴトランジスタ２０を備え、ドレイン電極とア
ース間に液晶２Ｔを挿入するとともに、ドレイン電極と
ゲート電極間にコンデンサ２６を挿入して構成される。
液晶間の電気信号の印加とそこでの光学特性の変化の間
には遅延があるので、コンデンサ２６は液晶間に信号電
圧が存る時間をその緩和時間以上に延長させて液晶が応
答できるようにするものであり、トランジスタ２０はし
きい値を与える。第１図の構成において、コンデンサ２
６はトランジスタ２０のドレインおよびゲート間に挿入
され、コンデンサ及び分離したアース面間の結合を不要
にしてι）る。行発生器Ｒ１が正パルス、列発生器Ｃ、
が負アナログパルスを発生すると、コンデンサＣｌｌに
印加された電圧は列発生器Ｃ４からのアナログ電圧３０
を波形２９によつて決定される量だけ越える。しかしな
がら波形２９がアース電位に帰還すると（これによりト
ランジスタＴｌｌはオフになる。）、コンデンサＣｌｌ
間の電圧は列発生器Ｃ、により供給されるのと等しくな
り、コンデンサＣｌｌは液晶セルＬＣＩＩと並列になる
。従つてコンデンサ２６はトランジスタのゲート及びド
レイン間にあるとしても、フレームの大部分の間、液晶
と並列であり、これにより液晶の応答時間を増加させる
。このように、各エレメント毎にＦＥＴ及び浮遊容量を
設ける回答が述べられている。
その後、１９７２年にＦＥＴ及び浮遊容量を蒸着膜（Ｔ
ｈｌｎＦｉｌｍ）を用いて形成する事により構成したマ
トリツクス型液晶表示装置がウエスチングハウス社（Ｗ
Ｈ社）から発表されている。
この仕様の詳細についてはＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＯＮＥ
ｌｅｃｔｒＯｎＤｅｎｉｃｅｓＥＤ−２０Ｐ９９５，１
９７３，Ｔ．Ｐ．Ｂｒ０ｄｙｅｔａ１，６Ａ６″Ｘ６７
２Ｏｌ／ＩｎＯｈＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａｌＤｉｓｐ
ｌａｙＰａｎｅｌ”に述べられているが、この発明をよ
り理解するために、上記ＲｅｐＯｒｔに基づいて、その
仕様及び動作原理を説明する。第２図は、液晶の１エレ
メントをＴＦＴ及び浮遊容量を用いて駆動する回路を、
第３図は、その駆動波形を示す。
これらは１エレメントのみを示したが、これをＸ−Ｙに
配置し、それを適当に結線することにより、マトリツク
ス表示が可能になる訳である。第２図のソース電極１か
らＶ１電圧、ゲート電極３からＶ１電圧を印加すると、
ＴＦＴ６は導通（０Ｎ）状態となり、ソース電極１から
ＴＦＴの０Ｎ抵抗（ＲＯＮ）を通して液晶の容量（ＣＬ
ｃ）７と並列に接続されている浮遊容量（Ｃｓ）８に充
電が行なわれ、ドレイン電極５の電位（Ｖｄｒａｉｎ）
は式（１）に従つて変化する。
但し τ１＝ＲＯＮ（ＣＬＣ＋ＣＳ） 次にゲート電極３を−Ｖ２にするとＴＦＴ６は遮断（Ｏ
ＦＦ）状態となり、容量ＣＬＣ７及びＣｓ８に充電され
ている電荷は、ＴＦＴ（７）０ＦＦ抵抗（ＲＯＦＦ）及
び液晶の抵抗（ＲＬｃ）を通して放電を開始するが、抵
抗ＲＯＦＦ及びＲＬＣが抵抗ＲＯＮに比べて非常に高く
、その放電は徐々にしか行なわれず、ドレイン電極の電
位（Ｖｄｒａｉｎ）は式（２）に従つて長い時間、高電
位で保持される。
但しτ２−（ＲＯＦＦ／／ＲＬＣ）（ＣＬＣ＋ＣＳ）こ
の様子を各電極の電圧波形によつて第３図に示すが、ソ
ース電極１に加わる実効電圧が極めて小さいにもか＼わ
らず、ドレイン電極に生じる実効電圧、つまり液晶エレ
メントに印加される実効電圧は非常に大きくなり、高コ
ントラストの表示が行なわれる訳である。
この時、より高いコントラストを得る為には、式（１）
，（２）から考えて、ＴＦＴＯ）ＲＯＦＦ／ＲＯＮの比
を大きくすることはもち論、ＲＬＣ〉ＲＯＦＦにすると
良い。
これは、導電率の非常に低い液晶材を用いれば良いこと
を示している。事実、ＷＨ社ではこの電界効果型（ＦＥ
Ｍ）の液晶材として、下記の混合比のツイステエド ネ
マテイツク（ＴＮ）液晶を用いている。このＴＮ−ＦＥ
Ｍ−ＬＣは、第４図に示すようにＴＮセル９の前後に２
枚の偏光板１３，１４をクロスニコルに配する必要があ
り、従つて、ＴＮセル９の一対の電極は、いずれも透明
電極１２，１２′（例えばＩｎ２Ｏ３）にする必要があ
つた。
これをＷＨ社ではＩｎ，Ｏ３蒸着工程を省く意味から、
金を５００λ程度蒸着しているが、Ｉｎ２Ｏ３の場合９
０％以上の透過率特性が得られるのに対し、金（５００
λ）では、７０％以下と透過率が悪く、良好な表示が得
られなかつた。次にこの装置の薄膜トランジスタアレイ
基板を形成する程のマスク（蒸着マスク又は、ホトマス
ク）のパターンを示しながらその製作工程を説明する。
工程１ コンデンサ（Ｃｓ）８の片面電極２５を第５図ａのマス
クを使用して、蒸着する。
この斜視図を第６図ａに、断面図を第７図ａに示す。こ
の電極は後に作る絵素の電極２８と重なる位置にあり、
Ｉｎ２Ｏ３，ｓｎＯ２等の透明電極材料を用いる。工程
２ゲート電極３を第５図ｂのマスクを使用して蒸着する
。
電極材料としてはＡｌ等を用いる。この電極の斜視図を
第６図ｂに、断面図を第７図ｂに示す。工程３ 全面に絶縁膜２６（例えばＳｉＯ２）を蒸着する。
この膜の斜視図を第６図ｃに、断面図を第７図ｃに示す
。この膜には次の３つの働きがある。１．ゲート電極３
と工程６で蒸着するソース電極２７のクロス部を電気的
に絶縁する。
２．ＴＦＴ素子のゲート電極の絶縁膜２６として用いる
。
３．コンデンサ（Ｃｓ）８の誘電体膜として用いる。
工程４ゲート電極３土の絶縁膜２６の土に半導体膜２７
（例えばＣｄＳ，ＣｄＳｅ，Ｔｅ）を第５図ｃに示すマ
スクを使用して蒸着する。
この膜の斜視図と断面図を第６図ｄと第７図ｄにそれぞ
れ示す。工程５液晶セルの薄膜トランジスタ基板側の透
明電極２８（例えばＩｎ２Ｏ３，ＳｎＯ２）を第５図ｄ
のマスクを使用して蒸着する。
この電極２８の斜視図と断面図を第６図ｅと第７図ｅに
各々示す。工程６ソース電極２７とドレイン電極２９と
してＡｌ，Ａｕなどを第５図ｅのマスクを使用して蒸着
する。
この電極の形状を第６図ｆと第７図ｆに各々示す。なお
、Ｗ．Ｈ．社では工程５の透明電極、工程６のソース電
極及びドレイン電極にＡｕ（５００Ａ程度では、半透明
な膜になる）を用い、同時に蒸着している。以上がマト
リツクス型の液晶表示装置の片方の電極である薄膜トラ
ンジスタアレイ基板の製作工程である。
もう一方の基板３０は各絵素に共通の全面透明導電膜３
１を製作する。次にこの両方の電極上にＳｉＯ又はＳｉ
Ｏ２等の透明絶縁膜３３を蒸着し、斜蒸着又はラピング
等によつてＴＮ配向処理を行ない２枚の基板をシール材
３２で封止をし、これにＴＮ−ＬＣ３７を注入すること
によつて、マトリツクス型液晶セル３４は完成する。こ
れに偏光板３５，３５′、反射板３６を組み合わせるこ
とによつて、第８図に示したマトリツクス型液晶表示装
置となる。上記表示装置はＴＮ−ＦＥＭ−ＬＣ（ツイス
トネマテイツク電界効果型液晶）を用いているため、透
過型にセルを構成することが必要であり、従つてＴＦＴ
の電極は透明導電膜あるいは５００λ程度以下の極めて
薄い金属膜で形成することが必要となる。
しかしながら、ＴＦＴの電極を透明導電膜で形成するた
めにはＩｎ２Ｏ３の面抵抗及び光透過率の関係から基板
を３５０℃程度に加熱しながら蒸着することが必要とな
り、この加熱は基板上に形成される回路素子の容量特性
や動作特性を阻害し、歩留りを著しく低下させる。また
ＴＦＴの電極を金属で形成すると室温での蒸着が可能と
なるが、しかしながら金属膜を５００人程度に薄く形成
するには非常に困難な膜厚制御を必要としまノた光透過
率も低いものとなる。
本発明は上記問題点に鑑み、ＴＮ−ＦＥＭ−ＬＣと同じ
電界効果型でありながらセル構造を反射型とし、ＴＦＴ
の電極を光反射性の金属膜で構成することにより上述の
問題点を解決した新規有用なマトリツクス型液晶表示装
置を提供することを目的とするものである。
本発明に於いては、ＴＦＴの電極を金属膜で構成し、反
射型のセルとしている。
また前述した如くＴＦＴのオフ抵抗ＲＯＦＦと液晶のリ
ーク抵抗ＲＬＣとの関係がＲＯＦＦ＜ＲＬＣとなる条件
を満足するように液晶材を電界効果型とし上記反射型セ
ルで表示駆動するために色素を含有したゲストホスト電
界効果型液晶を表示側基板とＴＦＴの間に層設した構成
としている。液晶のゲストホスト効果とは、Ｈｅｉｌｍ
ｅｉｅｒとＺａｎＯｎｉにより、〔ＡｐｐｌｐｈｙｓＬ
ｅｔｔ，ｌ３９ｌ（１９６８）〕報告された効果で多色
性色素をゲストとしホストとしての液晶中へ溶解させた
系に電界を印加することにより、いわゆる液晶分子の電
界変形効果を生じさせ、その結果として、多色性色素の
分子軸を回転させ、光吸収度を変調させ、表示として用
いるものである。
そのセル構成及び光学系は第９図に示す。第９図ａは一
般的な反射型のゲストホスト効果型の液晶セルを示す。
これはセルの裏側に散乱板２１があるが、これを第９図
ｂのようにセルの一方の電極を光散乱する構造電極（例
えば、磨り硝子２４上にＡ１電極２３を蒸着する）にす
る事により、同じように良好なコントラストが得られる
。本発明はこの第９図ｂの構造のゲストホスト型液晶セ
ルを使用する。従つて、第５図〜第７図に示したマスク
による製作工程に於いて、改めて工程全部を説明しない
が、前記工程１のＩｎ２Ｏ３の透明電極を工程２のゲー
ト電極及びＸバ一電極（Ａｌ）と同一の材料同一マスク
で蒸着することが出来る。又、同様に工程５の液晶セル
の片面電極（Ｎ２Ｏ３）を工程６のソース電極と同一材
料にすることが出来、同一マスクで蒸着出来るといつた
様に程を簡略化出来、Ｗ．Ｈ社の５００人膜厚のＡｕを
用いるより、良好な表示が得られるといつた特長が生れ
る。この、散乱電極を作る方法としては、全面磨り硝子
上にＡ１を蒸着しても良いし、ＴＦＴ素子及びＸＹ電極
を蒸着する以外の表示面のみを磨り硝子にしたい時は、
ガラス面にフオトレジストを塗布した後適当なマスクを
用いて露光し、フツ酸（ＨＦ）等で、ガラス面を解かし
凸凹面を作り、その土にＡ１を蒸着しても良い。金属の
蒸着時には基板は室温に設定されるため、容量特性及び
動作特性の劣化を招くことがなく信頼性のある回路基板
を構成することができる。第１０図は後者の場合の断面
図を示す。第１０図において、３８はＡ１等の同一材料
で出来ているＴＦＴのゲート電極及びコンデンサＣｓの
片面電極を示し、３９はＡ１等の同一材料で出来ている
ソース電極、ドレイン電極及びＬＣセルのＴＦＴアレイ
基板側の電極を示す。
又、ガラス基板の代りに光を透過しないセラミツク基板
を用いる事も可能であり、ガラス内のＮａイオンがＴＦ
Ｔの特性を劣化する危険性もあり、その意味から、セラ
ミツク基板を用いることにより、より安定なＴＦＴ素子
表示装置の製作が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のＴＦＴ及び浮遊容量を用いて駆動するマ
トリツクス型液晶表示装置の駆動回路図、第２図は同じ
く従来の蒸着膜を用いる別の型式のマトリツクス型液晶
表示装置の駆動回路図、第３図は第２図の回路の各電極
の電圧波形図、第４図は反射型ＴＮＬＣセルの基本構造
図、第５図はマトリツクス型液晶表示装置を製造する際
に用いられる各工程のマスクの図、第６図は基板土に順
次作られる膜を示す斜視図、第７図は同じく各工程での
断面図、第８図は従来のマトリツクス型液晶表示装置の
断面図、第９図Ａ，ｂは反射型ゲスト−ホスト液晶セル
の基本構造図、第１０図は本発明によるマトリツクス型
液晶表示装置の断面図を示す。 ３はゲート電極、２５はコンデンサ電極、２６は絶縁膜
、２７はソース電極、２８は透明電極、２９はドレイン
電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 複数本のゲート線及び該ゲート線と直交する複数本
    のソース線を備え、その各交点に薄膜トランジスタアレ
    イ及び薄膜コンデンサアレイを形成した回路基板と、透
    明電極を形成した表示基板と、前記薄膜コンデンサアレ
    イと前記透明電極間に層設された液晶材と、を具備して
    成るマトリックス型液晶表示装置に於いて、前記薄膜ト
    ランジスタアレイのドレイン電極に接続された前記液晶
    材に電界を印加する電極層を磨り硝子状の回路基板面上
    に形成した光反射性の金属電極で構成し、前記液晶材を
    色素の含有されたゲストホスト電界効果型液晶で構成し
    たことを特徴とするマトリックス型液晶表示装置。
JP52105549A 1977-08-30 1977-08-30 マトリツクス型液晶表示装置 Expired JPS5919339B2 (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60132337U (ja) * 1984-02-15 1985-09-04 藤好　克聡 プリンタ−ヘツド
JPS60187045U (ja) * 1984-05-21 1985-12-11 アダマンド工業株式会社 ワイヤドツトプリンタの印字ヘツド
JPH0379351A (ja) * 1989-08-22 1991-04-04 Kanai Hiroyuki ドットプリンタ用印字ワイヤ

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5621182A (en) * 1979-07-27 1981-02-27 Stanley Electric Co Ltd Multiicolor liquid crystal display element
DE3028718C2 (de) * 1979-07-31 1982-08-19 Sharp K.K., Osaka Dünnfilmtransistor in Verbindung mit einer Anzeigevorrichtung
JPS5625714A (en) * 1979-08-09 1981-03-12 Canon Inc Color liquid crystal display cell
JPS5694386A (en) * 1979-12-27 1981-07-30 Suwa Seikosha Kk Liquiddcrystal display unit
JPS56162793A (en) * 1980-05-19 1981-12-14 Canon Kk Display unit
DE3113041A1 (de) * 1980-04-01 1982-01-28 Canon K.K., Tokyo Verfahren und vorrichtung zur anzeige von informationen
EP0044618A3 (en) * 1980-06-19 1982-06-30 Itt Industries, Inc. Liquid crystal display devices
US6900463B1 (en) 1980-06-30 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US5859443A (en) * 1980-06-30 1999-01-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
GB2081018B (en) * 1980-07-31 1985-06-26 Suwa Seikosha Kk Active matrix assembly for display device
JPS5730881A (en) * 1980-07-31 1982-02-19 Suwa Seikosha Kk Active matrix substrate
JPS5734581A (en) * 1980-08-07 1982-02-24 Suwa Seikosha Kk Active matrix substrate
JPS5764285A (en) * 1980-10-07 1982-04-19 Tokyo Shibaura Electric Co Method of producing liquid crystal display element
JPS5764776A (en) * 1980-10-09 1982-04-20 Nippon Denshi Kogyo Shinko Liquid crystal display unit
JP2564501B2 (ja) * 1981-10-29 1996-12-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JPS57179884A (en) * 1981-04-28 1982-11-05 Suwa Seikosha Kk Liquid crystal display unit
JPS585905A (ja) * 1981-07-02 1983-01-13 セイコーエプソン株式会社 半導体装置
JPH0723938B2 (ja) * 1981-11-24 1995-03-15 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置の製造方法
JPS58116574A (ja) * 1981-12-29 1983-07-11 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPS58172685A (ja) * 1982-04-01 1983-10-11 セイコーエプソン株式会社 液晶表示体装置
JPS58190926A (ja) * 1982-04-30 1983-11-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置
JPS5949580A (ja) * 1982-09-14 1984-03-22 松下電器産業株式会社 マトリクス表示パネルの製造方法
JPS5922029A (ja) * 1982-07-28 1984-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd マトリクス表示パネルの製造方法
JPS5922030A (ja) * 1982-07-28 1984-02-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd マトリクス表示パネルの製造方法
JPS58219524A (ja) * 1982-06-15 1983-12-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd マトリクス表示パネルの製造方法
JPS5910988A (ja) * 1982-07-12 1984-01-20 ホシデン株式会社 カラ−液晶表示器
JPS60107921U (ja) * 1983-12-26 1985-07-23 ホシデン株式会社 液晶表示器
JP2631457B2 (ja) * 1984-01-25 1997-07-16 セイコーエプソン株式会社 ライトバルブおよび投写型表示装置
JPS60230118A (ja) * 1984-04-27 1985-11-15 Seiko Instr & Electronics Ltd 記憶容量内蔵型液晶表示装置
JPS6127185U (ja) * 1984-07-20 1986-02-18 三洋電機株式会社 表示装置
JPH0638430B2 (ja) * 1985-04-09 1994-05-18 伊勢電子工業株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
JPS628064Y2 (ja) * 1985-11-21 1987-02-25
JPS62148929A (ja) * 1986-10-27 1987-07-02 Seiko Epson Corp 液晶表示装置
JPS63240584A (ja) * 1987-03-27 1988-10-06 三菱電機株式会社 薄膜トランジスタアレイ
JP2568857B2 (ja) * 1987-09-22 1997-01-08 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス基板
FR2623649B1 (fr) * 1987-11-23 1992-05-15 Asulab Sa Cellule d'affichage a cristal liquide
JPH0367409A (ja) * 1990-06-15 1991-03-22 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH0772777B2 (ja) * 1990-06-25 1995-08-02 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
EP0536898B1 (en) * 1991-09-10 1997-07-02 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP2902516B2 (ja) * 1992-03-17 1999-06-07 シャープ株式会社 ガラス基板およびガラス基板の製造方法
US5610741A (en) * 1994-06-24 1997-03-11 Sharp Kabushiki Kaisha Reflection type liquid crystal display device with bumps on the reflector
JPH08313890A (ja) * 1995-05-19 1996-11-29 Nec Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JP2568990B2 (ja) * 1995-08-07 1997-01-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
WO2001051985A1 (fr) 2000-01-13 2001-07-19 Seiko Epson Corporation Lcd, son procede de fabrication et dispositif electronique
JP3528773B2 (ja) 2000-08-28 2004-05-24 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器並びにその製造方法
JP3467246B2 (ja) 2000-11-10 2003-11-17 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 反射型液晶表示装置
US7621752B2 (en) 2007-07-17 2009-11-24 Visteon Global Technologies, Inc. LED interconnection integrated connector holder package

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5017599A (ja) * 1973-05-07 1975-02-24

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1434906A (en) * 1972-08-04 1976-05-12 Marconi Co Ltd Liquid crystal display arrangements
US3837730A (en) * 1973-11-28 1974-09-24 Bell Telephone Labor Inc Matrix-addressed liquid crystal display
US3862360A (en) * 1973-04-18 1975-01-21 Hughes Aircraft Co Liquid crystal display system with integrated signal storage circuitry

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5017599A (ja) * 1973-05-07 1975-02-24

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60132337U (ja) * 1984-02-15 1985-09-04 藤好　克聡 プリンタ−ヘツド
JPS60187045U (ja) * 1984-05-21 1985-12-11 アダマンド工業株式会社 ワイヤドツトプリンタの印字ヘツド
JPH0379351A (ja) * 1989-08-22 1991-04-04 Kanai Hiroyuki ドットプリンタ用印字ワイヤ

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5437697A (en) 1979-03-20
DE2837431C2 (de) 1984-09-06
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DE2837431A1 (de) 1979-04-05

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