JPS6051119B2 - マトリックス型液晶表示装置の駆動方法 - Google Patents
マトリックス型液晶表示装置の駆動方法Info
- Publication number
- JPS6051119B2 JPS6051119B2 JP53013766A JP1376678A JPS6051119B2 JP S6051119 B2 JPS6051119 B2 JP S6051119B2 JP 53013766 A JP53013766 A JP 53013766A JP 1376678 A JP1376678 A JP 1376678A JP S6051119 B2 JPS6051119 B2 JP S6051119B2
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- JP
- Japan
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- liquid crystal
- voltage
- positive
- display device
- matrix type
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- Liquid Crystal (AREA)
- Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液晶表示装置、特に薄膜トランジスタ(以下T
FTという。
FTという。
)を用いたマトリックス型液晶表示装置の駆動方法に関
する。この種の装置としては、197詳に各絵素に1個
づつトランジスタと浮遊容量を蒸着膜(ThinFll
m)を用いて製作したマトリックス型液晶表示パネルが
ウエステイングハウス社(WH社)から発表されている
。
する。この種の装置としては、197詳に各絵素に1個
づつトランジスタと浮遊容量を蒸着膜(ThinFll
m)を用いて製作したマトリックス型液晶表示パネルが
ウエステイングハウス社(WH社)から発表されている
。
この仕様の詳細については正EETrans、onEl
ectronDevicesED−20P995、19
739T、P。
ectronDevicesED−20P995、19
739T、P。
CrystalDisplayPanel’’に述べら
れているが、この発明をより理解するために、上記Re
portに基づいて、その構造及び動作原理を説明する
。第1図は、液晶の1エレメントをTFT及び浮遊容量
を用いて駆動する回路を、第2図はその駆動波形を示す
。これらは4エレメントのみを示したが、これをX−Y
に配置し、それを適当に結線することにより、マトリッ
クス表示が可能になる訳である。第1図のソース電極1
からソース電圧V、、ゲート電極2からゲート電圧−V
、を印加すると、TFT3は導通(ON)状態となり、
ソース電極1からTFT(7)ON抵抗(RoN)を通
して液晶の容量(CLc)4と並列に接続されている浮
遊容量(Cs)5に充電が行なわれ、ドレイン電極6の
電位(Vドレイン1)は式(1)に従つて変化する。
れているが、この発明をより理解するために、上記Re
portに基づいて、その構造及び動作原理を説明する
。第1図は、液晶の1エレメントをTFT及び浮遊容量
を用いて駆動する回路を、第2図はその駆動波形を示す
。これらは4エレメントのみを示したが、これをX−Y
に配置し、それを適当に結線することにより、マトリッ
クス表示が可能になる訳である。第1図のソース電極1
からソース電圧V、、ゲート電極2からゲート電圧−V
、を印加すると、TFT3は導通(ON)状態となり、
ソース電極1からTFT(7)ON抵抗(RoN)を通
して液晶の容量(CLc)4と並列に接続されている浮
遊容量(Cs)5に充電が行なわれ、ドレイン電極6の
電位(Vドレイン1)は式(1)に従つて変化する。
Vドレイン1=V、(1−e−τ1)・・・ (1)但
し丁、=R0N(CLC+CS)次にゲート電極2のゲ
ート電圧をV2にするとJTFT3は遮断(OFF)状
態となり、容量CLc4及びCS5に充電されている電
荷は、TFT3のOFF抵抗(RopF)及び液晶の抵
抗(RLc)を通して放電を開始するが、抵抗R。
し丁、=R0N(CLC+CS)次にゲート電極2のゲ
ート電圧をV2にするとJTFT3は遮断(OFF)状
態となり、容量CLc4及びCS5に充電されている電
荷は、TFT3のOFF抵抗(RopF)及び液晶の抵
抗(RLc)を通して放電を開始するが、抵抗R。
FF、RLC、RONはR0Fp>R0N|RLc>R
0FF・の関係があるため、その放電は徐々にしか行な
われず、ドレイン電極の電位(Vドレイン2)は式(2
)に従つて長い時間、高電位で保持される。
0FF・の関係があるため、その放電は徐々にしか行な
われず、ドレイン電極の電位(Vドレイン2)は式(2
)に従つて長い時間、高電位で保持される。
Vドレイン2=Vle一吉・・・ (2
)但しτ2 =(ROFF′RLC)(CLC+CS)
この様子を各電極の電圧波形によつて第2図に示すが、
ソース電極1に加わる電圧のデューティが小さく実効電
圧が極めて小さいにもかかわらず、ドレイン電極に生じ
る実効電圧、つまり液晶エレメントに印加される実効電
圧は非常に大きくなりデューティファクタが小さくても
高コントラストの表示が行なわれる訳である。以上のよ
うな原理で動作する為のセル構成を第3図に示し、これ
はガラス基板7上にTFT3及び容量5、それに液晶エ
レメントの片方電極11を蒸着法によつて形成し、それ
をX−Yに配列し且つXバー、Yバーに結線を行つて構
成した薄膜トランジスタアレイ基板22と、ガラス基板
7上に各絵素に共通の全面透明導電膜17をそなえた基
板23とからなる。
)但しτ2 =(ROFF′RLC)(CLC+CS)
この様子を各電極の電圧波形によつて第2図に示すが、
ソース電極1に加わる電圧のデューティが小さく実効電
圧が極めて小さいにもかかわらず、ドレイン電極に生じ
る実効電圧、つまり液晶エレメントに印加される実効電
圧は非常に大きくなりデューティファクタが小さくても
高コントラストの表示が行なわれる訳である。以上のよ
うな原理で動作する為のセル構成を第3図に示し、これ
はガラス基板7上にTFT3及び容量5、それに液晶エ
レメントの片方電極11を蒸着法によつて形成し、それ
をX−Yに配列し且つXバー、Yバーに結線を行つて構
成した薄膜トランジスタアレイ基板22と、ガラス基板
7上に各絵素に共通の全面透明導電膜17をそなえた基
板23とからなる。
これら両方の電極基板上にはSiO又はSiO2等の透
明絶縁膜14,15を蒸着した後、斜蒸着又はラピング
等によつてTN配向処理を行なう。この2枚の基板をシ
ール材21で封止し、これに液晶16、例えばTN−F
EM液晶又はゲストホスト型液晶を注入させることによ
りTF′Tを用いたマトリックス型液晶表示セルは完成
する。これに偏向板18及び19反射板20を組み合わ
せることによつて第3図に示したマトリックス型液晶表
示装置は完成する。なお、図中8はA1等よりなるゲー
ト電極、9は容量αの一方の電極、10はTFTを構成
する−ためのゲート絶縁膜及び容量αの誘電体膜、11
は液晶エレメントの一方の電極バッド、12はソース電
極、13はドレイン電極、24は半導体膜を示す。
明絶縁膜14,15を蒸着した後、斜蒸着又はラピング
等によつてTN配向処理を行なう。この2枚の基板をシ
ール材21で封止し、これに液晶16、例えばTN−F
EM液晶又はゲストホスト型液晶を注入させることによ
りTF′Tを用いたマトリックス型液晶表示セルは完成
する。これに偏向板18及び19反射板20を組み合わ
せることによつて第3図に示したマトリックス型液晶表
示装置は完成する。なお、図中8はA1等よりなるゲー
ト電極、9は容量αの一方の電極、10はTFTを構成
する−ためのゲート絶縁膜及び容量αの誘電体膜、11
は液晶エレメントの一方の電極バッド、12はソース電
極、13はドレイン電極、24は半導体膜を示す。
このように構成された表示装置を第2図に示す.駆動波
形で駆動させた場合、基本的な問題が2つある。
形で駆動させた場合、基本的な問題が2つある。
1TFTの電圧一電流特性(■D−1D)が第4図に示
すように正負対称であれば、第2図cに示すような直流
分を含まない理想的なドレイン・電圧波形が得られる。
すように正負対称であれば、第2図cに示すような直流
分を含まない理想的なドレイン・電圧波形が得られる。
しかし一般にTFTの特性は第5図に示すように、電圧
一電流特性(■o−1D)が正負非対称である。このた
めドレイン電圧波形、つまり液晶に印加される電圧は第
2図dのように正負非対称の波形になる。従つて液晶に
は直流を含む電圧が印加され、その結果液晶の寿命を極
端に短くする。2第6図のようなソース電極Siとゲー
ト電極Gjによつて選択される1つの絵素を除いて他は
全部点灯する駆動波形を考えた場合、その非点灯エレメ
ントにはTFTが遮断(0FF)状態でありながらR。
一電流特性(■o−1D)が正負非対称である。このた
めドレイン電圧波形、つまり液晶に印加される電圧は第
2図dのように正負非対称の波形になる。従つて液晶に
は直流を含む電圧が印加され、その結果液晶の寿命を極
端に短くする。2第6図のようなソース電極Siとゲー
ト電極Gjによつて選択される1つの絵素を除いて他は
全部点灯する駆動波形を考えた場合、その非点灯エレメ
ントにはTFTが遮断(0FF)状態でありながらR。
pp抵抗を通して容量(CLO+Cs)を徐々に充電し
ていく為にやがては液晶の閾値ノ 電圧Vth以上の電
圧が印加されることになる。その結果第6図のような電
圧波形となり、ソース電圧Vsiとゲート電圧Vajで
オンオフ制御されるTFTがオフでありながらそのTF
Tのドレイン電圧■。Ijはやがてオンと同一又はそれ
以上の実効電圧が印加され、誤表示の原因となつたり、
表示エレメント数によつてコントラストが異なるといつ
た問題が生じる。W.H.社では、これら2つの問題点
をTFTのオン状態の電流が350pAとした時にオフ
のリーク・電流が団AというようにR。
ていく為にやがては液晶の閾値ノ 電圧Vth以上の電
圧が印加されることになる。その結果第6図のような電
圧波形となり、ソース電圧Vsiとゲート電圧Vajで
オンオフ制御されるTFTがオフでありながらそのTF
Tのドレイン電圧■。Ijはやがてオンと同一又はそれ
以上の実効電圧が印加され、誤表示の原因となつたり、
表示エレメント数によつてコントラストが異なるといつ
た問題が生じる。W.H.社では、これら2つの問題点
をTFTのオン状態の電流が350pAとした時にオフ
のリーク・電流が団AというようにR。
N/ROFFた70000というような特性の良いTF
Tを開発することで解決しようとしているが直流分を完
全に除去することは不可能である。本発明は上記2の欠
点を取り除くことができる液晶表示装置の新しい駆動方
法を提供する。
Tを開発することで解決しようとしているが直流分を完
全に除去することは不可能である。本発明は上記2の欠
点を取り除くことができる液晶表示装置の新しい駆動方
法を提供する。
以下に本発明の一実施例による駆動方法をその駆動波形
のタイムチャートを示す第7図とともに説明する。第7
図aはi番目のソース電極に印加するソース電圧Vsi
の波形を示し、正負のパルスをベアとして印加される。
のタイムチャートを示す第7図とともに説明する。第7
図aはi番目のソース電極に印加するソース電圧Vsi
の波形を示し、正負のパルスをベアとして印加される。
このとき正及び負のパルス巾の比は、TF′Tの正負側
の特性の相違を補正するよう、TFTがオフのときに正
負方向に充放電を行つて、実効値電圧が0電位になるよ
うに設定される。第7図aはi番目のソース電極上の絵
素を書込みと非書込みを交互にする場合のソース電極の
電圧波形を示し、ソース電圧の正パルスと負パルスは奇
数フレームと偶数フレームでは位相が逆転している。第
7図b−dは順次走査をするゲート電極j番目から(j
+2)番目のゲート電圧Vc,,Vc,+1,■。
の特性の相違を補正するよう、TFTがオフのときに正
負方向に充放電を行つて、実効値電圧が0電位になるよ
うに設定される。第7図aはi番目のソース電極上の絵
素を書込みと非書込みを交互にする場合のソース電極の
電圧波形を示し、ソース電圧の正パルスと負パルスは奇
数フレームと偶数フレームでは位相が逆転している。第
7図b−dは順次走査をするゲート電極j番目から(j
+2)番目のゲート電圧Vc,,Vc,+1,■。
j+2の各波形を示し、ソース電圧の正負のパルス巾に
合わせて、ソース電圧の正パルスを液晶に印加する場合
はソース電圧の正パルスと同じパルス巾のゲートパルス
が印加される。またソース電圧の負パルスを液晶に印加
する場合はソース電圧の負パルスと同じパルス巾のゲー
トパルスが印加される。この図では奇数フレームで正パ
ルス偶数フレームで負パルスを印加している。従つて、
第7図b−dのゲートパルスが順次印加される電極に対
応して書込情報信号により書込みをするときはソース電
圧Vsiを印加し、或いは書込みしないときは0電位に
する。
合わせて、ソース電圧の正パルスを液晶に印加する場合
はソース電圧の正パルスと同じパルス巾のゲートパルス
が印加される。またソース電圧の負パルスを液晶に印加
する場合はソース電圧の負パルスと同じパルス巾のゲー
トパルスが印加される。この図では奇数フレームで正パ
ルス偶数フレームで負パルスを印加している。従つて、
第7図b−dのゲートパルスが順次印加される電極に対
応して書込情報信号により書込みをするときはソース電
圧Vsiを印加し、或いは書込みしないときは0電位に
する。
即ち第7図の波形の場合は(1,j)番及び(1,j+
2)番の絵素は書込まれ、(1,j+1)番の絵素は書
込まれない。上記ソース電圧とゲートパルスにより書込
みをする液晶の絵素には第7図e−gに示す電圧がフィ
ールド毎に正負交互に印加されることとなり液晶は表示
動作する。
2)番の絵素は書込まれ、(1,j+1)番の絵素は書
込まれない。上記ソース電圧とゲートパルスにより書込
みをする液晶の絵素には第7図e−gに示す電圧がフィ
ールド毎に正負交互に印加されることとなり液晶は表示
動作する。
以上のように本発明はソース電圧を正負パルスとして、
TFTがオフのときに正負方向の充放電電圧がOになる
よう正負のパルス巾を変化させているから、第6図に示
すように1絵素のみが非書込みで、他の全てが書込まれ
るという表示状態のときにも、非書込み絵素に廻り込み
による電圧印加がないので、非書込み絵素が書込まれる
ことがない。
TFTがオフのときに正負方向の充放電電圧がOになる
よう正負のパルス巾を変化させているから、第6図に示
すように1絵素のみが非書込みで、他の全てが書込まれ
るという表示状態のときにも、非書込み絵素に廻り込み
による電圧印加がないので、非書込み絵素が書込まれる
ことがない。
従つてコントラストが向上する。更に言えば表示エレメ
ント数によつてコントラストが異なるという問題は生じ
ない。本発明の実験によれば、正負パルス巾の比はTF
′Tがテルルを半導体材料として構成した場合は、が適
当であつた。
ント数によつてコントラストが異なるという問題は生じ
ない。本発明の実験によれば、正負パルス巾の比はTF
′Tがテルルを半導体材料として構成した場合は、が適
当であつた。
本発明は正負パルスによつて駆動するからデューティが
小さくなるが、このために駆動効率が低下する割合は小
さい。また本発明の駆動法を用いる場合は、TF′Tの
ROFPオン時とオフ時の抵抗
の比は一爽=ー灯30咽度の素子で構成することができ
、従つてTeを半導体材料とすることができ、充分なコ
ントラストが得られる。
小さくなるが、このために駆動効率が低下する割合は小
さい。また本発明の駆動法を用いる場合は、TF′Tの
ROFPオン時とオフ時の抵抗
の比は一爽=ー灯30咽度の素子で構成することができ
、従つてTeを半導体材料とすることができ、充分なコ
ントラストが得られる。
勿論、本発明に使用可能の半導体材料はTeだけでなく
、CdS,CdSe,PbS等も使用できる。
、CdS,CdSe,PbS等も使用できる。
第1図は従来のTFTを用いたマトリックス型液晶表示
装置の回路図、第2図は第1図の回路を説明するタイム
チャート、第3図はTFTを用い・たマトリックス液晶
表示装置の断面図、第4図は理想的なTFTの電圧一電
流特性図、第5図はTeを半導体材料とするTFTの電
圧一電流特性図、第6図は第1図の回路によるある駆動
状態のタイムチャート、第7図は本発明の一実施例の駆
動方・法を実施する際のタイムチャートである。 1:ソース電極、2:ゲート電極、3 TFTNVs:ソース電圧、■c:ゲート電圧。
装置の回路図、第2図は第1図の回路を説明するタイム
チャート、第3図はTFTを用い・たマトリックス液晶
表示装置の断面図、第4図は理想的なTFTの電圧一電
流特性図、第5図はTeを半導体材料とするTFTの電
圧一電流特性図、第6図は第1図の回路によるある駆動
状態のタイムチャート、第7図は本発明の一実施例の駆
動方・法を実施する際のタイムチャートである。 1:ソース電極、2:ゲート電極、3 TFTNVs:ソース電圧、■c:ゲート電圧。
Claims (1)
- 1 複数個のゲート線及び前記ゲート線と直交する複数
個のソース線を備え、その各交点に薄膜トランジスタ(
TFT)アレイを形成した基板と全面透明導電体を形成
した基板を有し、前記トランジスタアレイと、前記透明
導電体間に液晶材を挾持した構造のマトリックス形表示
装置の駆動方法に於いて、上記ソース線より加えるソー
ス電圧は正負パルスであり、該正負のパルス巾の比は薄
膜トランジスタがオフのときの正負方向の充放電電圧が
0になる値に設定されていることを特徴とするマトリッ
クス型液晶表示装置の駆動方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53013766A JPS6051119B2 (ja) | 1978-02-08 | 1978-02-08 | マトリックス型液晶表示装置の駆動方法 |
GB7904352A GB2016780B (en) | 1978-02-08 | 1979-02-07 | Type liquid crystal display |
DE2904596A DE2904596C2 (de) | 1978-02-08 | 1979-02-07 | Flüssigkristall-Anzeigematrix |
DE2953769A DE2953769C2 (de) | 1978-02-08 | 1979-02-07 | Flüssigkristall-Anzeigematrix mit Dünnfilmtransistor-Anordnung |
GB8101865A GB2064194B (en) | 1978-02-08 | 1979-02-07 | Matrix type liquid crystal display device |
US06/229,846 US4386352A (en) | 1978-02-08 | 1981-01-30 | Matrix type liquid crystal display |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP53013766A JPS6051119B2 (ja) | 1978-02-08 | 1978-02-08 | マトリックス型液晶表示装置の駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS54106193A JPS54106193A (en) | 1979-08-20 |
JPS6051119B2 true JPS6051119B2 (ja) | 1985-11-12 |
Family
ID=11842368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53013766A Expired JPS6051119B2 (ja) | 1978-02-08 | 1978-02-08 | マトリックス型液晶表示装置の駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6051119B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01289719A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | ウェザーストリップ |
JPH02105019U (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-21 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5621193A (en) * | 1979-07-30 | 1981-02-27 | Sharp Kk | Drive method of liquid crystal display unit |
JPS5821863A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Seiko Epson Corp | 液晶表示装置 |
JPS60151615A (ja) * | 1984-01-19 | 1985-08-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示デバイス駆動法 |
JPS6156327A (ja) * | 1984-08-28 | 1986-03-22 | Canon Inc | 表示パネルの駆動法 |
-
1978
- 1978-02-08 JP JP53013766A patent/JPS6051119B2/ja not_active Expired
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01289719A (ja) * | 1988-05-17 | 1989-11-21 | Kinugawa Rubber Ind Co Ltd | ウェザーストリップ |
JPH02105019U (ja) * | 1989-02-06 | 1990-08-21 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS54106193A (en) | 1979-08-20 |
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