JPS59191360A - 半導体装置用リードフレーム - Google Patents
半導体装置用リードフレームInfo
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- JPS59191360A JPS59191360A JP58065181A JP6518183A JPS59191360A JP S59191360 A JPS59191360 A JP S59191360A JP 58065181 A JP58065181 A JP 58065181A JP 6518183 A JP6518183 A JP 6518183A JP S59191360 A JPS59191360 A JP S59191360A
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- H01L2924/181—Encapsulation
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置用リードフレーム素材およびリード
フレームならびに半導体装置の組立方法に関するもので
ある。
フレームならびに半導体装置の組立方法に関するもので
ある。
連結部から複数本のリードを導出させたリードフレーム
を用いて半導体装置を組立てるには一般的には半導体チ
ップの少くとも片面を所定のり一ドに固着するか、又は
半導体チップを当該リードと他のリードとの間に介挿固
着した後、樹脂モールドし、、連結部を切り取るという
方法によっている。しかして、その固着方法としては−
たとえば第１図（ａ） Ｋ示すように半導体テップ３の
片面又は両面にあらかじめンルダ一層４を固着しておき
、当該ンルダ一層４を介してリード１．２に溶着する方
法がある。この方法はソルダーの溶融時に生ずる表面張
力によシンルダー４の表面が凸状となシーリード１．２
は銅製であって何等かのウェイトを付加しない限ルスプ
リンク効果の範囲が狭いため、接触が不安定となり、不
良品の発生原因となる。第１図（ｂ）に示す例は一半導
体チツブ３をソルダーシート５．６を介してリード１．
２に溶着するものであるが−この方法は部品数が多いた
め、そ４だけ組立工数が多く、生産効率が悪い。第１図
（ｃ）に示すように半導体テップ３の両面にソルダーク
リーム７を墓石し、当該ソルダークリーム７を介してリ
ード１．２に浴着する方法はソルダークリーム７の塗布
量のコントロールがなかなかむずかしく、塗布量が少な
いと固着が不安定となり、塗布量が多いと半導体チップ
３の側面でソルダーショートが発生する。
を用いて半導体装置を組立てるには一般的には半導体チ
ップの少くとも片面を所定のり一ドに固着するか、又は
半導体チップを当該リードと他のリードとの間に介挿固
着した後、樹脂モールドし、、連結部を切り取るという
方法によっている。しかして、その固着方法としては−
たとえば第１図（ａ） Ｋ示すように半導体テップ３の
片面又は両面にあらかじめンルダ一層４を固着しておき
、当該ンルダ一層４を介してリード１．２に溶着する方
法がある。この方法はソルダーの溶融時に生ずる表面張
力によシンルダー４の表面が凸状となシーリード１．２
は銅製であって何等かのウェイトを付加しない限ルスプ
リンク効果の範囲が狭いため、接触が不安定となり、不
良品の発生原因となる。第１図（ｂ）に示す例は一半導
体チツブ３をソルダーシート５．６を介してリード１．
２に溶着するものであるが−この方法は部品数が多いた
め、そ４だけ組立工数が多く、生産効率が悪い。第１図
（ｃ）に示すように半導体テップ３の両面にソルダーク
リーム７を墓石し、当該ソルダークリーム７を介してリ
ード１．２に浴着する方法はソルダークリーム７の塗布
量のコントロールがなかなかむずかしく、塗布量が少な
いと固着が不安定となり、塗布量が多いと半導体チップ
３の側面でソルダーショートが発生する。
本発明は半導体装置の従来の組立方法に存する上述のよ
うな問題点を解決するためになされたものである。
うな問題点を解決するためになされたものである。
本発明を第２図（ａ）〜ｔＩｃ５図（ｂ）に示す実施例
忙従って説明する。
忙従って説明する。
第２図（ａ）において銅条などの導電性金属条８の上方
の長手方向に亘って、金属条８中に入力込むようにソル
ダークラッド９が形成される、本発明者の実験例におい
ては金属条８として厚１０−５ｍの銅条な用い、当該銅
条に厚さ０．１〜０．２ｍのＳ ｎ −Ｐ ｂ系のソル
ダークラッド９を形成した。このようにして得られたリ
ードフレーム素材を加工してリードフレームを製作する
。
の長手方向に亘って、金属条８中に入力込むようにソル
ダークラッド９が形成される、本発明者の実験例におい
ては金属条８として厚１０−５ｍの銅条な用い、当該銅
条に厚さ０．１〜０．２ｍのＳ ｎ −Ｐ ｂ系のソル
ダークラッド９を形成した。このようにして得られたリ
ードフレーム素材を加工してリードフレームを製作する
。
ｌＯは連結部、１１は半導体チップが載置されるリード
＠−３２，１３は他のリード部である。第３図（ａ）
Ｋは当該リードフレームが抜き出して描かハている０紺
３図（ａ）から明らかなごとく、このリードフレームの
、半導体テップが載置−Ｊｔｌるリード部１１には上方
横力向に亘って、たとえば巾１．５１１のソルダークラ
ッド部９が形成されておシ、他のリード部１２．１３は
低く切られてソルダークラッド部が形成でれないように
加工されている。第３図（ｂ）は第３図（ａ）の例のう
ち、他のリード部を１３と一つとした例で、第３図（ａ
）はトランジスタ、サイリスタ用のリードフレームを示
し、第３図（ｂ）はダイオード用のリードフレームを示
すもので、他のリード部は組立てようとする半導体装置
に必要な数だけ形成さガる。
＠−３２，１３は他のリード部である。第３図（ａ）
Ｋは当該リードフレームが抜き出して描かハている０紺
３図（ａ）から明らかなごとく、このリードフレームの
、半導体テップが載置−Ｊｔｌるリード部１１には上方
横力向に亘って、たとえば巾１．５１１のソルダークラ
ッド部９が形成されておシ、他のリード部１２．１３は
低く切られてソルダークラッド部が形成でれないように
加工されている。第３図（ｂ）は第３図（ａ）の例のう
ち、他のリード部を１３と一つとした例で、第３図（ａ
）はトランジスタ、サイリスタ用のリードフレームを示
し、第３図（ｂ）はダイオード用のリードフレームを示
すもので、他のリード部は組立てようとする半導体装置
に必要な数だけ形成さガる。
落２図（ｂ）は第２図（ａ）に示すリードフレーム素材
から加工される他のリードフレームの例を示すもので、
第３図（ｃ）には当該リードフレームが抜き取って描か
れている。この場合は半導体チップが載置されるリード
部１１には上方横方向に亘つでソルダークラッド９が、
又リード部１２°。
から加工される他のリードフレームの例を示すもので、
第３図（ｃ）には当該リードフレームが抜き取って描か
れている。この場合は半導体チップが載置されるリード
部１１には上方横方向に亘つでソルダークラッド９が、
又リード部１２°。
１３°の上方部にもソルダークラッド９′が位置するよ
うに加工される。リード部１２“、 １３°の先端部を
プレス加工等によシ裏返し１ｌｌＲで内側へ裏返すこと
によってリード部１２’、 １３°のソルダークラッド
部９°、９′がリード部１１のソルダークラッド部９と
接触するように諸元が設定される。第３図（Ｃ）に示す
ように、リード１２’、 １３°のソルダークラッド部
９゛、９°の中央部が突出するように加工しておけば、
リード部１２’、 １３’のスプリング効果によって、
後述するように、リード部１１のソルダークラッド部９
とリード部１２°、五３゛のソルダークラッド部９゛、
９°との間に挿入される半導体チップを良好な接触状態
で仮固定することができる。
うに加工される。リード部１２“、 １３°の先端部を
プレス加工等によシ裏返し１ｌｌＲで内側へ裏返すこと
によってリード部１２’、 １３°のソルダークラッド
部９°、９′がリード部１１のソルダークラッド部９と
接触するように諸元が設定される。第３図（Ｃ）に示す
ように、リード１２’、 １３°のソルダークラッド部
９゛、９°の中央部が突出するように加工しておけば、
リード部１２’、 １３’のスプリング効果によって、
後述するように、リード部１１のソルダークラッド部９
とリード部１２°、五３゛のソルダークラッド部９゛、
９°との間に挿入される半導体チップを良好な接触状態
で仮固定することができる。
第３図（ｄ）に示すように他のリード部を１３として示
すように一つ形成するように加工することもできる。第
３図（ａ）に示すリードフレームを使用して半導体装置
を組立てるには第４９（ａ）に示すごとくリード部１１
のソルダークラッド９上に半導体テップ１４を載置した
後、溶着し、当該半導体テップ１４の両電極のそれぞれ
とリード部２２゜１３とをボンデングワイヤ五６で接続
し、１５として示す部分を樹脂モールドした後、連結部
ｌＯを切シ姐す。第３図（ｂ）に示すリードフレームを
使用する場合も同様の理によシ第４図（ｂ）に示すよう
に組立てることができる。第３図（ｃ）に示すリードフ
レームを用いて半導体装置を組立てるには第４図（Ｃ）
、 （ｄ）に示すごとくリード部１２’、 １３’の
上方部を裏返し部Ｒ，Ｒで内側方向へ裏返すことによっ
て、当該リード＠ｌ ２’ −１３°のソルダークラッ
ド部９“、９”をリード部１１のソルダークラッド部９
に接触させる。この状態で上記ソルダークラッド部間に
半導体テップＪ４を挿入することによって、リード部１
２°、１３゛のソルダークラッド部９．９′に形成され
た突起９１’の働きによ多、半導体テップ１４はリード
部ｌｌと１２“、１３′のスプリング効果によって安定
に仮固定嘔れるｏしかる後−加熱することによって半導
体テップ１４はソルダークラッド９．９°、９“のソル
ダーによって固璋さする。第３図（ｄ）に示すソルダー
フレームを使用する場合も上述したと同様の理によル半
導体装置を組立てることができる。なお、第５図（ａ）
に示すように、他のリード部１７を逆り字状に。
すように一つ形成するように加工することもできる。第
３図（ａ）に示すリードフレームを使用して半導体装置
を組立てるには第４９（ａ）に示すごとくリード部１１
のソルダークラッド９上に半導体テップ１４を載置した
後、溶着し、当該半導体テップ１４の両電極のそれぞれ
とリード部２２゜１３とをボンデングワイヤ五６で接続
し、１５として示す部分を樹脂モールドした後、連結部
ｌＯを切シ姐す。第３図（ｂ）に示すリードフレームを
使用する場合も同様の理によシ第４図（ｂ）に示すよう
に組立てることができる。第３図（ｃ）に示すリードフ
レームを用いて半導体装置を組立てるには第４図（Ｃ）
、 （ｄ）に示すごとくリード部１２’、 １３’の
上方部を裏返し部Ｒ，Ｒで内側方向へ裏返すことによっ
て、当該リード＠ｌ ２’ −１３°のソルダークラッ
ド部９“、９”をリード部１１のソルダークラッド部９
に接触させる。この状態で上記ソルダークラッド部間に
半導体テップＪ４を挿入することによって、リード部１
２°、１３゛のソルダークラッド部９．９′に形成され
た突起９１’の働きによ多、半導体テップ１４はリード
部ｌｌと１２“、１３′のスプリング効果によって安定
に仮固定嘔れるｏしかる後−加熱することによって半導
体テップ１４はソルダークラッド９．９°、９“のソル
ダーによって固璋さする。第３図（ｄ）に示すソルダー
フレームを使用する場合も上述したと同様の理によル半
導体装置を組立てることができる。なお、第５図（ａ）
に示すように、他のリード部１７を逆り字状に。
かつリード部１１およびリード部１７の上方部にソルダ
ークラッド９および９“が位置するように加工したリー
ドフレームの場合は− リード部１７の上方部をＲとし
て示した折曲部で、リードｓ１１方向へ農返すのではな
く、９０折曲けることによってリード部１７の先端面と
リード部１１のソルダークラッド部９とを接触させ、そ
の間に半導体テップ１４を仮固定することができる。
ークラッド９および９“が位置するように加工したリー
ドフレームの場合は− リード部１７の上方部をＲとし
て示した折曲部で、リードｓ１１方向へ農返すのではな
く、９０折曲けることによってリード部１７の先端面と
リード部１１のソルダークラッド部９とを接触させ、そ
の間に半導体テップ１４を仮固定することができる。
本発明によｉば、リードフレーム素材の金属条の長手方
向の一部にソルダークラッド部９を形成し、当該ソルダ
ークラッド部９が半導体チップ１４の載置されるリード
部１１に位置するようにリードフレームが加工されるの
で、第３図（ａ）。
向の一部にソルダークラッド部９を形成し、当該ソルダ
ークラッド部９が半導体チップ１４の載置されるリード
部１１に位置するようにリードフレームが加工されるの
で、第３図（ａ）。
（ｂ）に示す実施例においてを１もちろん、第３図（ｅ
）（ｄ）に示す実施例においても、半導体テップ１４に
予めソルダーを着けておく必要がないので、従来方式に
おけるごとく、浴着時にソルダーの表面が凸状となるこ
とによる接触不安定は生ずることがなく、又ソルダーシ
ートを半導体テップとリード部との間に介在させる必要
もなく、半さらに、第３図（ｃ） 、 （ａ＞ Ｋ示す
実施例においては半導体チップをソルダークラッド間に
安定に仮固定した後、ソルダークラッドのソルダーによ
ル良好な接触状態で半導体テップをリード部間に介挿固
着できるので、半導体装置の組立に存する上述したごと
き従来方式の問題点をほとんど解消できる。
）（ｄ）に示す実施例においても、半導体テップ１４に
予めソルダーを着けておく必要がないので、従来方式に
おけるごとく、浴着時にソルダーの表面が凸状となるこ
とによる接触不安定は生ずることがなく、又ソルダーシ
ートを半導体テップとリード部との間に介在させる必要
もなく、半さらに、第３図（ｃ） 、 （ａ＞ Ｋ示す
実施例においては半導体チップをソルダークラッド間に
安定に仮固定した後、ソルダークラッドのソルダーによ
ル良好な接触状態で半導体テップをリード部間に介挿固
着できるので、半導体装置の組立に存する上述したごと
き従来方式の問題点をほとんど解消できる。
ｍ１図（ａ）〜（ｅ）は半導体チップとリード部との従
来の固結方法を示す−それぞれ平面図、第２図（ａ）〜
第５図（ｂ）は本発明の実施例を示し、第２１ｆｉＱ（
ａ）はリードフレーム素材からリードフレームを製造す
る過程を示す正面図、第２図（ｂ）はリードフレーム素
材から他のり−ド７レームを製造する過程を示す正面図
、第２図（ｃ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第３
図（ａ）〜（ｄ）は本発明にか＼るリードフレームを示
す、それぞれ正面図、第４図（ａ）は第３図（ａ）に示
すリードフレームを使用して半導体装置を組立てる例を
示す正面図−第４図（ｂ）は第３図（ｂ） Ｋ示すリー
ドフレームを使用して半導体装置を組立てる例を示す正
面図、第４図（ｅ）は第３図（ｃ） Ｉｃ示すリードフ
レームを使用して半導体装置を組立てる例を示す正面図
−第４図（ｄ）は第４図（ｃ）の側面図、第５図（ａ）
は本発明にか＼る、さらに他のリードフレームを示す正
面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ） ＩＣ示すリードフ
レームを使用して半導体装置を組立てる例を示す正面図
である０ ８・・・導電性金属条、９・・・ンルダークララド部−
９′・・・ンルダークラツド部、１１・・・半導体チッ
プが！ｉｉｌ！置されるリード部、１２．１３１２’、
ｉ３°・・・他のリード部、１４・・・半導体チップ、
ｊ６・・・ボンデングワイヤ 第１図（ａ） 第１図（ｂ） と 第１図（Ｃ） ！ 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第２直。） 旨。 ｌ） 第３図（ａ） 第３図（ｂ＞第３図（Ｃ）
第３図（ｄ） 第４図（５） 第４図（ｂ） 第４図（Ｃ） 第４図（ｄ） ０
来の固結方法を示す−それぞれ平面図、第２図（ａ）〜
第５図（ｂ）は本発明の実施例を示し、第２１ｆｉＱ（
ａ）はリードフレーム素材からリードフレームを製造す
る過程を示す正面図、第２図（ｂ）はリードフレーム素
材から他のり−ド７レームを製造する過程を示す正面図
、第２図（ｃ）は第２図（ａ）のＡ−Ａ線断面図、第３
図（ａ）〜（ｄ）は本発明にか＼るリードフレームを示
す、それぞれ正面図、第４図（ａ）は第３図（ａ）に示
すリードフレームを使用して半導体装置を組立てる例を
示す正面図−第４図（ｂ）は第３図（ｂ） Ｋ示すリー
ドフレームを使用して半導体装置を組立てる例を示す正
面図、第４図（ｅ）は第３図（ｃ） Ｉｃ示すリードフ
レームを使用して半導体装置を組立てる例を示す正面図
−第４図（ｄ）は第４図（ｃ）の側面図、第５図（ａ）
は本発明にか＼る、さらに他のリードフレームを示す正
面図、第５図（ｂ）は第５図（ａ） ＩＣ示すリードフ
レームを使用して半導体装置を組立てる例を示す正面図
である０ ８・・・導電性金属条、９・・・ンルダークララド部−
９′・・・ンルダークラツド部、１１・・・半導体チッ
プが！ｉｉｌ！置されるリード部、１２．１３１２’、
ｉ３°・・・他のリード部、１４・・・半導体チップ、
ｊ６・・・ボンデングワイヤ 第１図（ａ） 第１図（ｂ） と 第１図（Ｃ） ！ 第２図（ａ） 第２図（ｂ） 第２直。） 旨。 ｌ） 第３図（ａ） 第３図（ｂ＞第３図（Ｃ）
第３図（ｄ） 第４図（５） 第４図（ｂ） 第４図（Ｃ） 第４図（ｄ） ０
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １） 導電性金属条の長手方向の一部に亘ってソルダー
クラッド部を形成した半導体装置用リードフレーム素材
。 ２）少くとも半導体テップが載置されるリード部の一部
にソルダークラッド部が形成されている半導体装置用リ
ードフレーム。 組 長手方向の一部に亘ってソルダークラッド部を形成
した導電性金属条を加工して、少くとも半導体チップが
載置さするべ色リード部に上記ソルダークラッド部が位
置するようにリードフレームを形成し、上記リード部に
半導体チップを載置、溶着した後、他のリード部と上記
半導体チップとをボンデングワイヤで接続することを特
徴とする半導体装置の組立方法。 ４）長手方向の一部に亘ってソルダークラッド部を形成
した導電性金属条を加工して半導体チップが載置さハる
べきリード部および上記リード部に対向さるべき他のリ
ード部の対向面に上記ソルダークラッド部が位置するよ
うに、上記他のリード上方部を所定位置で裏返し、上記
他のリードのソルダークラッド部が上記リード部のソル
ダークラッド面に対向するように設定し、上記ソルダー
クラッド部間に半導体チップを挿入して仮固定し、しか
る後−加熱して溶着することを特徴とする半導体装置の
組立方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065181A JPS59191360A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58065181A JPS59191360A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59191360A true JPS59191360A (ja) | 1984-10-30 |
| JPS6367337B2 JPS6367337B2 (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=13279481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58065181A Granted JPS59191360A (ja) | 1983-04-15 | 1983-04-15 | 半導体装置用リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59191360A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206247A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| WO2004053988A1 (de) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Robert Bosch Gmbh | Einphasiges stromrichtermodul |
| CN103023001A (zh) * | 2011-09-28 | 2013-04-03 | 江苏锦丰电子有限公司 | 浪涌保护器用条带 |
-
1983
- 1983-04-15 JP JP58065181A patent/JPS59191360A/ja active Granted
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206247A (ja) * | 1985-03-11 | 1986-09-12 | Toshiba Corp | 半導体装置用リ−ドフレ−ム |
| JPH0527986B2 (ja) * | 1985-03-11 | 1993-04-22 | Tokyo Shibaura Electric Co | |
| WO2004053988A1 (de) * | 2002-12-12 | 2004-06-24 | Robert Bosch Gmbh | Einphasiges stromrichtermodul |
| CN103023001A (zh) * | 2011-09-28 | 2013-04-03 | 江苏锦丰电子有限公司 | 浪涌保护器用条带 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6367337B2 (ja) | 1988-12-26 |
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