JPS5918631A - 半導体結晶中への不純物拡散方法 - Google Patents
半導体結晶中への不純物拡散方法Info
- Publication number
- JPS5918631A JPS5918631A JP12793382A JP12793382A JPS5918631A JP S5918631 A JPS5918631 A JP S5918631A JP 12793382 A JP12793382 A JP 12793382A JP 12793382 A JP12793382 A JP 12793382A JP S5918631 A JPS5918631 A JP S5918631A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- diffusion
- mask
- impurity
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 31
- 239000012535 impurity Substances 0.000 title claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 19
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 7
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 6
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
- H01L21/223—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities using diffusion into or out of a solid from or into a gaseous phase
- H01L21/2233—Diffusion into or out of AIIIBV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体結晶中へ不純物を局部的に拡散する方法
に関するものである。
に関するものである。
ＩＣ，）ランジスタ２発うを素子、受光素子等、半導体
素子の製造には不純物の選択拡散は必要欠くべからざる
工程の１つである。不純物全半導体結晶中へ局部的に拡
散するには拡散マスクを使用するが、この拡散マスクの
選択、拡散条件の設定が適切でないと結晶構成元素のぬ
け、熱ひすみ等によシ半導体結晶中に格子欠陥が生じる
。この格子欠陥は半導体素子の特性に悪い影響を及はす
ため、半導体結晶中に格子欠陥が生じない不純物拡散方
法がいろいろと検討されている。
素子の製造には不純物の選択拡散は必要欠くべからざる
工程の１つである。不純物全半導体結晶中へ局部的に拡
散するには拡散マスクを使用するが、この拡散マスクの
選択、拡散条件の設定が適切でないと結晶構成元素のぬ
け、熱ひすみ等によシ半導体結晶中に格子欠陥が生じる
。この格子欠陥は半導体素子の特性に悪い影響を及はす
ため、半導体結晶中に格子欠陥が生じない不純物拡散方
法がいろいろと検討されている。
以下、話を簡単にするため半導体発光素子を具体例にと
り説明する。
り説明する。
一般に、半導体発光素子の製造に選択拡散が用いられる
場合、拡散マスクとしてもっばらＳｉＯ２全中心とした
絶縁膜が用いられていた。
場合、拡散マスクとしてもっばらＳｉＯ２全中心とした
絶縁膜が用いられていた。
しかし、これらの絶縁膜は、熱膨張係数が半導体材料と
比べて一桁近くも小さいために、拡散工程中の温度上昇
による半導体と選択マスクとの熱膨張の差のために生ず
るストレスが原因となって、主に拡散マスクのエツジ付
近に格子欠陥の発生がしばしば見られた。この様な半導
体表面付近の格子欠陥は、素子を通電した時に半導体内
部に拡がって素子の性能を大幅に低下させてしまうため
に素子の信頼性に悪影響がある。
比べて一桁近くも小さいために、拡散工程中の温度上昇
による半導体と選択マスクとの熱膨張の差のために生ず
るストレスが原因となって、主に拡散マスクのエツジ付
近に格子欠陥の発生がしばしば見られた。この様な半導
体表面付近の格子欠陥は、素子を通電した時に半導体内
部に拡がって素子の性能を大幅に低下させてしまうため
に素子の信頼性に悪影響がある。
一方、ｎ型のＩｎＰ基板を用いた半導体レーザの製造に
おいて、前記の様な拡散工程中の拡散マスクと半導体基
板との間の熱膨張の差によるストレスによりて生ずる格
子欠陥の導入を防ぐために従来よシ用いられてきた方法
がある。例えば、Ｋ。
おいて、前記の様な拡散工程中の拡散マスクと半導体基
板との間の熱膨張の差によるストレスによりて生ずる格
子欠陥の導入を防ぐために従来よシ用いられてきた方法
がある。例えば、Ｋ。
Ｏｅ 、Ｓ、Ａｎｄｏ 、ａｎｄ Ｋ、Ｓｕｇｉｙａｒ
ｎａ 、Ｊ、Ａ−ｐｐｌ、Ｐｈｙｇ、５１ （７）、１
９８０参照。
ｎａ 、Ｊ、Ａ−ｐｐｌ、Ｐｈｙｇ、５１ （７）、１
９８０参照。
第１図（ａｌ〜（ｉ＋はこのような従来の半導体レーザ
の製造方法を工程順に説明した断面図である。
の製造方法を工程順に説明した断面図である。
まず、第１図（ａｌに示すように、Ｉ Ｘ １０１８ｃ
ｍ ”程度の不純物濃度を有するｎ型のＩｎＰ基板１の
」二に、液相または気相のエビクキシャル成長法によシ
ｌＸ１０ 圀 程度の不純物濃度を有する厚さ約８μｍ
のｎ型のＩｎＰバッファ一層２、ノンドープの厚さ約０
．２μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３．３ Ｘ １０”ｃ
ｍ ”程度の不純物濃度を有する厚さ約１．５μｍのｐ
型のＩｎＰクラッド層４．５Ｘ１０ｃｒｎ程度の不純物
濃度を有する厚さ約０．５μｍのれ型ＱＩｎＧａＡ８Ｐ
キャップ層５、ノンドープの厚さ約１μｍのＩｎＰマス
ク層６全６金順序で連続的に成長する。
ｍ ”程度の不純物濃度を有するｎ型のＩｎＰ基板１の
」二に、液相または気相のエビクキシャル成長法によシ
ｌＸ１０ 圀 程度の不純物濃度を有する厚さ約８μｍ
のｎ型のＩｎＰバッファ一層２、ノンドープの厚さ約０
．２μｍのＩｎＧａＡｓＰ活性層３．３ Ｘ １０”ｃ
ｍ ”程度の不純物濃度を有する厚さ約１．５μｍのｐ
型のＩｎＰクラッド層４．５Ｘ１０ｃｒｎ程度の不純物
濃度を有する厚さ約０．５μｍのれ型ＱＩｎＧａＡ８Ｐ
キャップ層５、ノンドープの厚さ約１μｍのＩｎＰマス
ク層６全６金順序で連続的に成長する。
次に第１図（ｂｌに示すように、ＣＶＤ（気相成長法）
またはスパッタリングによりＳ、Ｏ，等の絶縁膜７をＩ
ｎＰマスク層６の上に被着させ、次に第１図（Ｃ１に示
すように、フォトレジスト工程と化学エツチングとによ
り、電流狭窄を行うための拡散を要する部分に対応して
絶縁膜７を一部除去する。このエツチングを施された絶
縁膜７をマスクとしてＩｎＰマスク層６のエツチングを
行う（第１図（ｄ））。このエツチングでは、ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層５は侵さずにＩｎＰマスク層６のみを
侵すＨＣｌ１．（塩酸）等の選択エツチング液を用い、
絶縁膜７の除去された領域の直下のＩｎＰマスク層６を
全て除去する。続いて第１図（ｅ）に示すように、絶縁
膜７′ｆｆ、ＨＦ（フッ化水素酸を主成分とするエツチ
ング液により除去した後、ＩｎＰマスク層６を選択拡散
用のマスクとしてｚｎ等のｐ型不純物を拡散する（第１
図（ｆ））。この時拡散領域８の深さとしては、約Ｉ
Ｘ １０”ｃｍ−”のｐ型不純物濃ｆ′Ｊｔ、有する拡
散フロントがＩｎＰマスク層６の除去された領域では、
その直下のＩｎＧａＡ８Ｐキャップ層５を貫いてＩｎＰ
クラッド層４内に達し、一方ＩｎＰマスク層６の除去さ
れていない領域では、ＩｎＰマスク層６内にとどまる様
に拡散茶件が設定される。このＺｎ等のｐ型不純物の拡
散速度は、ＩｎＰマスク層６１１ｎＰクラッド層４及び
ＩｎＧａＡｇＰキャップ層５内では互いに大きな差はな
いので、拡散条件としては表面からの拡散深さが約０，
８μｍとなる様に設定すれば良い。
またはスパッタリングによりＳ、Ｏ，等の絶縁膜７をＩ
ｎＰマスク層６の上に被着させ、次に第１図（Ｃ１に示
すように、フォトレジスト工程と化学エツチングとによ
り、電流狭窄を行うための拡散を要する部分に対応して
絶縁膜７を一部除去する。このエツチングを施された絶
縁膜７をマスクとしてＩｎＰマスク層６のエツチングを
行う（第１図（ｄ））。このエツチングでは、ＩｎＧａ
ＡｓＰキャップ層５は侵さずにＩｎＰマスク層６のみを
侵すＨＣｌ１．（塩酸）等の選択エツチング液を用い、
絶縁膜７の除去された領域の直下のＩｎＰマスク層６を
全て除去する。続いて第１図（ｅ）に示すように、絶縁
膜７′ｆｆ、ＨＦ（フッ化水素酸を主成分とするエツチ
ング液により除去した後、ＩｎＰマスク層６を選択拡散
用のマスクとしてｚｎ等のｐ型不純物を拡散する（第１
図（ｆ））。この時拡散領域８の深さとしては、約Ｉ
Ｘ １０”ｃｍ−”のｐ型不純物濃ｆ′Ｊｔ、有する拡
散フロントがＩｎＰマスク層６の除去された領域では、
その直下のＩｎＧａＡ８Ｐキャップ層５を貫いてＩｎＰ
クラッド層４内に達し、一方ＩｎＰマスク層６の除去さ
れていない領域では、ＩｎＰマスク層６内にとどまる様
に拡散茶件が設定される。このＺｎ等のｐ型不純物の拡
散速度は、ＩｎＰマスク層６１１ｎＰクラッド層４及び
ＩｎＧａＡｇＰキャップ層５内では互いに大きな差はな
いので、拡散条件としては表面からの拡散深さが約０，
８μｍとなる様に設定すれば良い。
次の第１図（ｇｌの工程において、選択拡散マスクとし
て用いたＩｎＰマスク層ＩＨｃｉ等の選択エツチング液
により除去し穴径、ｐ側のオーム性電極９′ｔｌ−形成
しく第１図（１１））、ｎ（ｌＩＩのオーム性電極１０
の形成を行って（第１図（ｉ））半導体レーザの製造工
程が終了する。
て用いたＩｎＰマスク層ＩＨｃｉ等の選択エツチング液
により除去し穴径、ｐ側のオーム性電極９′ｔｌ−形成
しく第１図（１１））、ｎ（ｌＩＩのオーム性電極１０
の形成を行って（第１図（ｉ））半導体レーザの製造工
程が終了する。
このような従来の半導体レーザの製造方法は次の様な欠
点がある。それは、第１図（ｆ）の拡散工程は、通常試
料及び７．ｎ等の拡散源を共に封入したアンプル金熱処
理することによって行われるが、Ｐ （ＩＪン）の飽和
蒸気圧が非常に高いために拡散されるべきＩｎＧａＡｓ
Ｐキャップ層５の表面付近のＰが大量に蒸発して、ｊｎ
Ｇ＆ＡＲＰキャップ層５０表面近傍の組成に変動が生じ
、表面荒れを生じる場合が多いことである。
点がある。それは、第１図（ｆ）の拡散工程は、通常試
料及び７．ｎ等の拡散源を共に封入したアンプル金熱処
理することによって行われるが、Ｐ （ＩＪン）の飽和
蒸気圧が非常に高いために拡散されるべきＩｎＧａＡｓ
Ｐキャップ層５の表面付近のＰが大量に蒸発して、ｊｎ
Ｇ＆ＡＲＰキャップ層５０表面近傍の組成に変動が生じ
、表面荒れを生じる場合が多いことである。
この様な荒れを抑制するために拡散源内に赤リン等の過
剰のＰを予め含ませておく手段も採られてはいるが、そ
の制御が容易ではなく、また拡散深さが大きくなるにつ
れて難しさも増す傾向にある。この様な表面荒れは結晶
欠陥の源となりｉ造された素子の信頼性に悪い影響を及
はす。
剰のＰを予め含ませておく手段も採られてはいるが、そ
の制御が容易ではなく、また拡散深さが大きくなるにつ
れて難しさも増す傾向にある。この様な表面荒れは結晶
欠陥の源となりｉ造された素子の信頼性に悪い影響を及
はす。
本発明の目的は、従来の欠点を除き、拡散時に生じる表
面荒れに起因した格子欠陥の導入を抑えて不純物を半導
体結晶中へ局部的に拡散する方法を提供することＫある
。
面荒れに起因した格子欠陥の導入を抑えて不純物を半導
体結晶中へ局部的に拡散する方法を提供することＫある
。
本発明の方法は、飽和蒸気圧が高め元素を含む材料から
成るキャップ層を表面に備えている半導体結晶中へ不純
物を局所的に拡散する方法において、不純物が透過する
程度に厚みが薄い部分全局部的に具備した拡散マスクを
前記キャップ層表面全面に形成した後、半導体結晶を不
純物元素の界囲気中で加熱する点に特徴がある。
成るキャップ層を表面に備えている半導体結晶中へ不純
物を局所的に拡散する方法において、不純物が透過する
程度に厚みが薄い部分全局部的に具備した拡散マスクを
前記キャップ層表面全面に形成した後、半導体結晶を不
純物元素の界囲気中で加熱する点に特徴がある。
本発明によれば、半導体結晶表面全体を拡散マスクで覆
っているため結晶表面から結晶構成元素がぬけることが
ないので拡散時に生じる表面荒れをなくすことができる
。また拡散マスクに開孔部がないので被拡散部における
熱ひずみも小さく格子欠陥の発生を抑えることができる
。
っているため結晶表面から結晶構成元素がぬけることが
ないので拡散時に生じる表面荒れをなくすことができる
。また拡散マスクに開孔部がないので被拡散部における
熱ひずみも小さく格子欠陥の発生を抑えることができる
。
以下、不発８Ａを実施例に基づき詳説する。
第２図（ａｌ〜（ｉ）は本発明の実施例を製造工程順に
示した断面図である。まず第２図（ａｌにおいて、従来
と同様Ｋｎ型のＩｎＰ基板１の上にｎ型のＩｎＰハッ７
７一層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ｓ Ｉ’型のＩｎ
Ｐクラッド層４、ｎ型のＩｎＧａＡｓＰキー？ツブ層５
、ノンドープまたはｎ型のＩｎＰマスク層ａｆ：、、こ
の１願序で連続的に形成する。次に第２図（ｂｌ 、
（Ｃ）に示すように、ｓｌＯ！等の絶縁膜７ ｔ Ｉｎ
Ｐマスク層６の上に被着させ、その絶縁膜７の一部を除
去する。
示した断面図である。まず第２図（ａｌにおいて、従来
と同様Ｋｎ型のＩｎＰ基板１の上にｎ型のＩｎＰハッ７
７一層２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層３ｓ Ｉ’型のＩｎ
Ｐクラッド層４、ｎ型のＩｎＧａＡｓＰキー？ツブ層５
、ノンドープまたはｎ型のＩｎＰマスク層ａｆ：、、こ
の１願序で連続的に形成する。次に第２図（ｂｌ 、
（Ｃ）に示すように、ｓｌＯ！等の絶縁膜７ ｔ Ｉｎ
Ｐマスク層６の上に被着させ、その絶縁膜７の一部を除
去する。
次に第２図（ｄ）Ｋ示すように、エツチングを施された
絶縁膜７をマスクとしてＩｎＰマスク層６のエツチング
を行うが、このエツチングは、従来の方法と異なり、エ
ツチング速度の制御性に優れている硫酸、過酸化水床、
水からなるエツチング液（以下、硫酸系エツチング液と
いう＞？、用いることによシ、絶縁膜７の除去領域直下
のＩｎＰマスク層６を全て除去せずに一部残しておく。
絶縁膜７をマスクとしてＩｎＰマスク層６のエツチング
を行うが、このエツチングは、従来の方法と異なり、エ
ツチング速度の制御性に優れている硫酸、過酸化水床、
水からなるエツチング液（以下、硫酸系エツチング液と
いう＞？、用いることによシ、絶縁膜７の除去領域直下
のＩｎＰマスク層６を全て除去せずに一部残しておく。
続いて第２図（ｅ） 、 （ｆ）に示すように、絶縁膜
７１ｆｃエツチング液によシ除去した後、Ｉｎｐｗスク
Ｗｉ６’！ｒ選択拡散用のマスクとしてｚｎ等のｐ型不
純物全拡散する。この時拡散領域８の深さとしては、約
１×１０ｃＭＩ のｐ型不純物濃度を有する拡散フロン
トがＩｎＰマスク層６の層厚を減らされた領域では、そ
の直下のＩｎＧａＡ８Ｐキャップ層５を貫いてニーｎｐ
クラッド層４内に達し、一方ＩｎＰマスク層６０層厚を
減らされていな一領域ではＩｎＰマスク層６内にとどま
る様に拡散条件が設定される。
７１ｆｃエツチング液によシ除去した後、Ｉｎｐｗスク
Ｗｉ６’！ｒ選択拡散用のマスクとしてｚｎ等のｐ型不
純物全拡散する。この時拡散領域８の深さとしては、約
１×１０ｃＭＩ のｐ型不純物濃度を有する拡散フロン
トがＩｎＰマスク層６の層厚を減らされた領域では、そ
の直下のＩｎＧａＡ８Ｐキャップ層５を貫いてニーｎｐ
クラッド層４内に達し、一方ＩｎＰマスク層６０層厚を
減らされていな一領域ではＩｎＰマスク層６内にとどま
る様に拡散条件が設定される。
この条件の設定は、例えばＳ ＩｎＧａＡＩＩＩＰキ
ャップ層５及びＩｎＰマスク層６の厚みをそれぞれ０．
５μｍ、１．３μｍとするとともに、エツチング工程に
おけるＩｎＰマスク層６のエツチングの深さ’ｔ１．０
μｍ拡散工程における拡散深さ’ｔｉ、ｉμｍとするこ
とによシ可能である。次の第２図（ｇ）。
ャップ層５及びＩｎＰマスク層６の厚みをそれぞれ０．
５μｍ、１．３μｍとするとともに、エツチング工程に
おけるＩｎＰマスク層６のエツチングの深さ’ｔ１．０
μｍ拡散工程における拡散深さ’ｔｉ、ｉμｍとするこ
とによシ可能である。次の第２図（ｇ）。
（Ｉｌｌ 、 （ｉ）の各工程においても従来と同様に
％ ＩｎＰマスクｗＩ６を除去した後、ｐ側のオーム
性電極９とｎ側のオーム性電極１０とを形成して半導体
レーザを完成する。
％ ＩｎＰマスクｗＩ６を除去した後、ｐ側のオーム
性電極９とｎ側のオーム性電極１０とを形成して半導体
レーザを完成する。
この実施例の方法によれば、従来の方法と異なシ、拡散
工程時に半導体基板に生じやすい表面荒れを基板表面の
平坦性を損なうことなく選択エツチングによシ除去でき
るので、表面荒れに起因する格子欠陥の導入を抑制して
信頼性の極めて優れた素子を製造することができる。
工程時に半導体基板に生じやすい表面荒れを基板表面の
平坦性を損なうことなく選択エツチングによシ除去でき
るので、表面荒れに起因する格子欠陥の導入を抑制して
信頼性の極めて優れた素子を製造することができる。
第３図（ａｌ〜（１）は本発明の第２の実施例を製造工
程順に示した断面図である。この実施例において、第３
図＋ａｌから第３図＋ｆ）までの工程は第２図の場合と
同様である。但し、第３図（ｆｌの拡散工程の拡散条件
が、ｔ４２図の場合と具っている。この条件の設定は、
例えばｓ ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５及びＩｎＰマ
スク層６の厚みをそれぞれ０．９μｍと１．１μｍとす
るとともに、Ｉｎ’Ｐマスク層６のエツチングの深さを
０．８μｍ１また拡散工程における拡散深さを１．５μ
ｍとすることによシ可能である。
程順に示した断面図である。この実施例において、第３
図＋ａｌから第３図＋ｆ）までの工程は第２図の場合と
同様である。但し、第３図（ｆｌの拡散工程の拡散条件
が、ｔ４２図の場合と具っている。この条件の設定は、
例えばｓ ＩｎＧａＡｓＰキャップ層５及びＩｎＰマ
スク層６の厚みをそれぞれ０．９μｍと１．１μｍとす
るとともに、Ｉｎ’Ｐマスク層６のエツチングの深さを
０．８μｍ１また拡散工程における拡散深さを１．５μ
ｍとすることによシ可能である。
次の第３図（ｇ）〜（ｉ＋の工程も第２図の場合と同様
である。この第２の実施例の方法によれば、第２図の場
合と同様の信頼性の極めて優れた素子が得られると共Ｋ
、この実施例は、第２図の実施例に対して、ｎ型のＩｎ
ＧａＡｓＰキャップ層の表面全体がｐ型に変換されてい
るために、ｐ側のオーム性電極形成においてオーム性接
触をなす面積が大幅に拡大され極めて接触抵抗の低騒素
−ｆｆ得ることもできる。
である。この第２の実施例の方法によれば、第２図の場
合と同様の信頼性の極めて優れた素子が得られると共Ｋ
、この実施例は、第２図の実施例に対して、ｎ型のＩｎ
ＧａＡｓＰキャップ層の表面全体がｐ型に変換されてい
るために、ｐ側のオーム性電極形成においてオーム性接
触をなす面積が大幅に拡大され極めて接触抵抗の低騒素
−ｆｆ得ることもできる。
なお、この発明は第２図及び第３図に示した実施例に限
らず、端面発光型及び表面発光型の発光ダイオードトラ
ンジスタ、ＩＣ等他の半導体素子の製造にも適用できる
。
らず、端面発光型及び表面発光型の発光ダイオードトラ
ンジスタ、ＩＣ等他の半導体素子の製造にも適用できる
。
以上説明した様に、本発明によれば拡散工程時に半導体
結晶に生じやすい表面荒れを表面の平坦性を損なうこと
なく選択エツチングで除去できるので、表面荒れに起因
する格子欠陥の導入が抑制され、従来の方法に比べて信
頼性が大幅に向上した素子を製造することができる。
結晶に生じやすい表面荒れを表面の平坦性を損なうこと
なく選択エツチングで除去できるので、表面荒れに起因
する格子欠陥の導入が抑制され、従来の方法に比べて信
頼性が大幅に向上した素子を製造することができる。
第１図（ａｌ〜（ｉｌは従来の半導体素子の製造方法を
製造工程順に示した断面図、第２図ｔａｌ〜（ｉｌは本
発明の実施例を製造工程順に示した断面図、第３図（ａ
ｌ〜（ｉ）は本発明の第２の実施例を製造工程順に示し
た断面図である。図において、１・・・・・・ＩｎＰ基
板、２・・・・・・ＩｎＰバッファ一層、３・・・・・
・ＩｎＧａ−Ａ＋ｓＰ活性層、４・・・・・・ＩｎＰク
ラッド層、５・・・・・・ＩｎＧａＡ８Ｐキャップ層、
６・・・・・・ＩｎＰマスク層、７・・・・・・絶縁膜
、８・・・・・・拡散領域、９．１０・・・・・・オー
ム性電極、である。 （八λ （ｂン
（Ｃ］讐 １ ツ１ （久） （レノ
（Ｃ〕（〆）
（ｅ） （ｆ
−）寮Ｚ例
製造工程順に示した断面図、第２図ｔａｌ〜（ｉｌは本
発明の実施例を製造工程順に示した断面図、第３図（ａ
ｌ〜（ｉ）は本発明の第２の実施例を製造工程順に示し
た断面図である。図において、１・・・・・・ＩｎＰ基
板、２・・・・・・ＩｎＰバッファ一層、３・・・・・
・ＩｎＧａ−Ａ＋ｓＰ活性層、４・・・・・・ＩｎＰク
ラッド層、５・・・・・・ＩｎＧａＡ８Ｐキャップ層、
６・・・・・・ＩｎＰマスク層、７・・・・・・絶縁膜
、８・・・・・・拡散領域、９．１０・・・・・・オー
ム性電極、である。 （八λ （ｂン
（Ｃ］讐 １ ツ１ （久） （レノ
（Ｃ〕（〆）
（ｅ） （ｆ
−）寮Ｚ例
Claims (1)
- 飽和蒸気圧が高い元素を含む材料から成るキャップ層を
表面に備えている半導体結晶中へ不純物を局所的に拡散
する方法において、当該不純物が透過する程度に厚みが
薄い部分全局部的に具備した拡散マスクを前記キャップ
層表面全面に形成した後、当該半導体結晶を不純物元素
の雰囲気中で加熱することを特徴とする半導体結晶中へ
の不純物拡散方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12793382A JPS5918631A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 半導体結晶中への不純物拡散方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12793382A JPS5918631A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 半導体結晶中への不純物拡散方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918631A true JPS5918631A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14972220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12793382A Pending JPS5918631A (ja) | 1982-07-22 | 1982-07-22 | 半導体結晶中への不純物拡散方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918631A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01174897A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-11 | Hitachi Ltd | ヒートパイプ |
-
1982
- 1982-07-22 JP JP12793382A patent/JPS5918631A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01174897A (ja) * | 1987-12-26 | 1989-07-11 | Hitachi Ltd | ヒートパイプ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS5951700B2 (ja) | ３−５族装置の製造方法 | |
| JPH03160714A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2988796B2 (ja) | 集積回路装置の製造方法 | |
| JPS5918631A (ja) | 半導体結晶中への不純物拡散方法 | |
| JPH0851250A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH05259577A (ja) | 半導体多層構造 | |
| JPS6377186A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0774109A (ja) | 化合物半導体基板および半導体基板の再利用法 | |
| JP2706592B2 (ja) | 結晶基板の製造方法 | |
| JPH0137871B2 (ja) | ||
| JPS6184888A (ja) | 埋込みヘテロ型半導体レ−ザ | |
| JPS625330B2 (ja) | ||
| JPH11186253A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS63209189A (ja) | 半導体レ−ザの製造法 | |
| JPS6220323A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| JPS628018B2 (ja) | ||
| JPH06252501A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS60260185A (ja) | 半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPH0199276A (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JPS5814739B2 (ja) | ハンドウタイソウチノセイゾウホウホウ | |
| JPH0376187A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPS5837976B2 (ja) | 不純物拡散法 | |
| JPS624360B2 (ja) | ||
| JPS60233819A (ja) | 拡散層形成方法 | |
| JPH07162083A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |