JPS59181673A - 半導体装置 - Google Patents
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- JPS59181673A JPS59181673A JP5584083A JP5584083A JPS59181673A JP S59181673 A JPS59181673 A JP S59181673A JP 5584083 A JP5584083 A JP 5584083A JP 5584083 A JP5584083 A JP 5584083A JP S59181673 A JPS59181673 A JP S59181673A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 15
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N dipotassioarsanylpotassium Chemical compound [K][As]([K])[K] KWLSQQRRSAWBOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 abstract 1
- RAWGYCTZEBNSTP-UHFFFAOYSA-N aluminum potassium Chemical compound [Al].[K] RAWGYCTZEBNSTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000005533 two-dimensional electron gas Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 aluminum potassium arsenic Chemical compound 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N aluminium arsenide Chemical compound [As]#[Al] MDPILPRLPQYEEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPUINVXKIPAAHK-UHFFFAOYSA-N aluminum;potassium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Al+3].[K+] WPUINVXKIPAAHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 230000002842 otolith Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/80—Field effect transistors with field effect produced by a PN or other rectifying junction gate, i.e. potential-jump barrier
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本うｃ明は半導体装置の改良に関する。特に、アンドー
プのガリウムヒ素（ｉ −Ｑａ Ａｓ ）層とｎ型のア
ルミニウムガリウムヒ素（ｎ −ＡＩ ＧａＡｓ ）
層トの界面に沿ってアンドープのガリウムヒ素（ｉ −
ＱａＡｓ ）層中に発生滞留する電子群（以下二次元電
子ガスという。）、を導電媒体として利用する半導体装
置の改良に関する。
プのガリウムヒ素（ｉ −Ｑａ Ａｓ ）層とｎ型のア
ルミニウムガリウムヒ素（ｎ −ＡＩ ＧａＡｓ ）
層トの界面に沿ってアンドープのガリウムヒ素（ｉ −
ＱａＡｓ ）層中に発生滞留する電子群（以下二次元電
子ガスという。）、を導電媒体として利用する半導体装
置の改良に関する。
（２）技術の背景
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）とアルミニウムガリウムヒ素
（Ａ、Ｉ ＧａＡｓ ）のように、電子親和力が大きく
相違する２種の半導体のへテロ接合界面に扼生滞留する
二次元電子ガスは、いづれの半導体層によっても拘束さ
れないため移動度（μ）が大きく、特に低温において不
純物散乱の影響を受けにくいので、特に低温において移
動度（μ）が非常に大きくなる特徴があり、この二次元
電子ガスを導電媒体として利用する半導体装置（以下選
択ドープヘテロ接合トランジスタという。）は、特に低
温ニおいて動作速度が極めて太き（なる特徴がある。
（Ａ、Ｉ ＧａＡｓ ）のように、電子親和力が大きく
相違する２種の半導体のへテロ接合界面に扼生滞留する
二次元電子ガスは、いづれの半導体層によっても拘束さ
れないため移動度（μ）が大きく、特に低温において不
純物散乱の影響を受けにくいので、特に低温において移
動度（μ）が非常に大きくなる特徴があり、この二次元
電子ガスを導電媒体として利用する半導体装置（以下選
択ドープヘテロ接合トランジスタという。）は、特に低
温ニおいて動作速度が極めて太き（なる特徴がある。
二次元電子ガスを発生させる半導体の組み合わせは多数
存在するが、本光明はガリ ラム ヒ素（ＱａＡｓ）と
アルミニウムガリウムヒ素（ＡＩＧａＡｓ）との組み合
わせよりなる選択ドープヘテロ接合トランジスタの改良
である。
存在するが、本光明はガリ ラム ヒ素（ＱａＡｓ）と
アルミニウムガリウムヒ素（ＡＩＧａＡｓ）との組み合
わせよりなる選択ドープヘテロ接合トランジスタの改良
である。
（３）従来技術と問題点
従来技術における、ｎ型アルミニウムガリウムヒ素（ｎ
−ＡＩ ＧａＡｓ ） ・ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）
系の選択ドープヘテロ接合トランジスタにおいては、チ
ャンネル上の領域（ソース電極とトレイン電極とに挟ま
れた領域）に不可避的に存在する表面準位の影響により
、（イ）ゲート電極からのリーク電流の先生、喧）ゲー
ト電極電位の経時的変化に起因する、電界効果の経時的
不安定、換言すれば、ｎ型のアルミニウムカリウムヒ素
（ｎ−ＡＩＧａＡ、ｓ） 層とアンドープのガリウムヒ
素（ｉ −ＱａＡｊ ）層とのへテロ接合界面近傍に先
生する電界効果の経時的変化に起因する二次元電子カス
の面渥度の経時的変化、（ハ）伝達コンダクタンス（ｇ
ｉｎ）の周波数分散、（ニ）低周波雑音の先生等の諸問
題が認められる。
−ＡＩ ＧａＡｓ ） ・ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）
系の選択ドープヘテロ接合トランジスタにおいては、チ
ャンネル上の領域（ソース電極とトレイン電極とに挟ま
れた領域）に不可避的に存在する表面準位の影響により
、（イ）ゲート電極からのリーク電流の先生、喧）ゲー
ト電極電位の経時的変化に起因する、電界効果の経時的
不安定、換言すれば、ｎ型のアルミニウムカリウムヒ素
（ｎ−ＡＩＧａＡ、ｓ） 層とアンドープのガリウムヒ
素（ｉ −ＱａＡｊ ）層とのへテロ接合界面近傍に先
生する電界効果の経時的変化に起因する二次元電子カス
の面渥度の経時的変化、（ハ）伝達コンダクタンス（ｇ
ｉｎ）の周波数分散、（ニ）低周波雑音の先生等の諸問
題が認められる。
これらの問題を解決するため、チャンネル上の領域は二
酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜、窒化アルミニウム（ＡＩ
Ｎ’）膜等の保護膜力≦形成さオ’Ｌる力く、この保護
膜の形成以前に先生してし）る表ｔｆｕ ’ｊ’ （立
（こもとづく影響に対しては保護効果力Ｓなく、」二５
己せる諸問題の有効な解決とはなりえなシＡ０そのため
、チャンネル上の領域に表面準位力３発生しな（＼ＩＥ
’ ４Ｒｌ’゛−プヘテロ接合トランソスタの開先力１
ｙ７ま第１て０１こ。
酸化シリコン（Ｓｉ０２）膜、窒化アルミニウム（ＡＩ
Ｎ’）膜等の保護膜力≦形成さオ’Ｌる力く、この保護
膜の形成以前に先生してし）る表ｔｆｕ ’ｊ’ （立
（こもとづく影響に対しては保護効果力Ｓなく、」二５
己せる諸問題の有効な解決とはなりえなシＡ０そのため
、チャンネル上の領域に表面準位力３発生しな（＼ＩＥ
’ ４Ｒｌ’゛−プヘテロ接合トランソスタの開先力１
ｙ７ま第１て０１こ。
（４）釦明の目的
本几明の目的はこの要請（ここたえること（こあ１つ、
７７ ドープ（Ｄｉｆ ’Ｊ ’７ ムヒ素（ｉ −Ｃ
ｉａＡｓ ） ｊｉＪＪ二（こ■］型のアルミニウムカ
リウムヒ素Ｃロー−’＼＋にａＡｓ）Ｉビｊが形成され
てなる層構造を有し、こ３ ｔらのＩＩのへテロ界面に
先生滞留する二次元電子カスを！５（η又媒体とする半
導体装置にお（、ｚて、チャンネル上の領域において表
面準位が存在しな（、ｚ ｕｉＡ ｊ：ｉ ４本装置を
ｌ］店供することにある。
７７ ドープ（Ｄｉｆ ’Ｊ ’７ ムヒ素（ｉ −Ｃ
ｉａＡｓ ） ｊｉＪＪ二（こ■］型のアルミニウムカ
リウムヒ素Ｃロー−’＼＋にａＡｓ）Ｉビｊが形成され
てなる層構造を有し、こ３ ｔらのＩＩのへテロ界面に
先生滞留する二次元電子カスを！５（η又媒体とする半
導体装置にお（、ｚて、チャンネル上の領域において表
面準位が存在しな（、ｚ ｕｉＡ ｊ：ｉ ４本装置を
ｌ］店供することにある。
（５）先明の（イ４成
本元明の描成は、アンドープの力゛’ ＩＪウムヒ素（
ｉ −Ｇａ Ａｓ ）層上にｎ型のアルミニウムノア１
ノウムヒ素（ｎ −Ａｌ （３ａＡｓ ）層が形成され
、この１］バ足のアルミニウムカリウムヒ”Ｘ （ｎ
−ＡＩ ＧａＡｓ） ｌｉ上にソース電極とトレイン電
極とが形成され、このソース電極とトレイン電極とに挟
まれるチャンネル上の領域において上記のｎ型のアルミ
ニウムカリウムヒＸ （ｎ −Ａｔ ＧａＡｓ ）層上
にアンドープの高抵抗アルミニウムカリウムヒ素（ｉ−
ＡＩＧａＡｓ）層が形成され、このアンドープの高抵抗
アルミニウムガリウムヒ素（ｉ −Ａｔ Ｇａ Ａｓ
）層上にゲート電極が形成されてなる半導体装置にある
。
ｉ −Ｇａ Ａｓ ）層上にｎ型のアルミニウムノア１
ノウムヒ素（ｎ −Ａｌ （３ａＡｓ ）層が形成され
、この１］バ足のアルミニウムカリウムヒ”Ｘ （ｎ
−ＡＩ ＧａＡｓ） ｌｉ上にソース電極とトレイン電
極とが形成され、このソース電極とトレイン電極とに挟
まれるチャンネル上の領域において上記のｎ型のアルミ
ニウムカリウムヒＸ （ｎ −Ａｔ ＧａＡｓ ）層上
にアンドープの高抵抗アルミニウムカリウムヒ素（ｉ−
ＡＩＧａＡｓ）層が形成され、このアンドープの高抵抗
アルミニウムガリウムヒ素（ｉ −Ａｔ Ｇａ Ａｓ
）層上にゲート電極が形成されてなる半導体装置にある
。
そして、上記の栴成において、ｎ型のアルミニウムカリ
ウムヒ素（ｎ −Ａ、ｌ ＧａＡｓ ）層上に、ケート
領域を除き、ｎ型のガリウムヒ素（ｎ −ＧａＡｓ ）
層が形成されていると、ソース電極・ドレイン電極のオ
ーム接触が実現しやすく、かつ、伝達コンダクタンス（
ｇ ＋ｎ ）が大きくされ、更に有利である。
ウムヒ素（ｎ −Ａ、ｌ ＧａＡｓ ）層上に、ケート
領域を除き、ｎ型のガリウムヒ素（ｎ −ＧａＡｓ ）
層が形成されていると、ソース電極・ドレイン電極のオ
ーム接触が実現しやすく、かつ、伝達コンダクタンス（
ｇ ＋ｎ ）が大きくされ、更に有利である。
換言すれば、不党明は、上記せる界面準位にもとづく欠
点が先生しやすいチャンネル上の領域（ソース電極とド
レイン電極とに挾まれた領域）において、ｎ型のアルミ
ニウムカリウム ヒ素（ｎ −Ａ、ｌ Ｇａ Ａｓ ）
層上に界面準位をともなうことなく良好な結晶状態で高
抵抗のアルミニウムガＩ」ウムヒ素（Ａ Ｉ ＧａＡｇ
）層を１呆護膜として形成してお（こととしたものであ
る。
点が先生しやすいチャンネル上の領域（ソース電極とド
レイン電極とに挾まれた領域）において、ｎ型のアルミ
ニウムカリウム ヒ素（ｎ −Ａ、ｌ Ｇａ Ａｓ ）
層上に界面準位をともなうことなく良好な結晶状態で高
抵抗のアルミニウムガＩ」ウムヒ素（Ａ Ｉ ＧａＡｇ
）層を１呆護膜として形成してお（こととしたものであ
る。
この高抵抗の保護膜を形成する方法は、特許請求の範囲
第１項に記載した、段差を有しないｔｉ’ｉ福造におい
ては、むしろ容易である。しかし、特許請求の範囲第２
項に記載した、最上層の１１型のガリウムヒ素（ｎ −
ＧａＡｓ ）層がゲート領域におしＡで除去されてリセ
スとされている場合は、このリセス形＆のためのエツチ
ング工程完了後にあらためて高抵抗のアルミニウムカリ
ウムヒ素（Ａ、Ｉ ０（Ｉ−Ａ、ｓ）層を成長させる必
要があるため、２回成長が前提となり、従来、結晶状態
の良好な高抵抗アルシミニウムガリウムヒ素（Ａ Ｉ
Ｇａ Ａｓ）層の形成は田菓１Ｌと考えられていた。
第１項に記載した、段差を有しないｔｉ’ｉ福造におい
ては、むしろ容易である。しかし、特許請求の範囲第２
項に記載した、最上層の１１型のガリウムヒ素（ｎ −
ＧａＡｓ ）層がゲート領域におしＡで除去されてリセ
スとされている場合は、このリセス形＆のためのエツチ
ング工程完了後にあらためて高抵抗のアルミニウムカリ
ウムヒ素（Ａ、Ｉ ０（Ｉ−Ａ、ｓ）層を成長させる必
要があるため、２回成長が前提となり、従来、結晶状態
の良好な高抵抗アルシミニウムガリウムヒ素（Ａ Ｉ
Ｇａ Ａｓ）層の形成は田菓１Ｌと考えられていた。
、ところが、アルシン（Ａｓ ｌ−１３）−’とトリメ
チルアルミニウム （ Ｇａ （ ＣＨ３） ３） との混合物を反応物
質としてなすＭＯＣＶＤ法を使用して、ガリウムヒ素（
（ｊａ Ａ ｓ ）層上にアンドープのアルミニウム
カリ ウムヒ 素（’ Ａ、ｌ （ｘａＡｓ ） １
Ｂｉｊを形成したところ、他めて良好でその界面に界面
準位の存在しｆ、ｉい層形成が可能であることが確認さ
れ、特許請求の範囲第２項に記載した構造の半１；ｖ体
装置の製造が可能であることが確認された。第１図は、
上記のＭＵ ＣＶ Ｊ）法ニヨって形成されたアルミニ
ウムガリウムヒ素（ＡＩ ＧａＡ、ｓ） １Ｉ−ｉ／カ
リウムヒ素（ＧａＡｓ） ’４ ノＣ−Ｖ特性曲線であ
り、図より明らかなようにヒステリンス特性は殆んど認
められず、界面準位が存在しないことが認められる。
チルアルミニウム （ Ｇａ （ ＣＨ３） ３） との混合物を反応物
質としてなすＭＯＣＶＤ法を使用して、ガリウムヒ素（
（ｊａ Ａ ｓ ）層上にアンドープのアルミニウム
カリ ウムヒ 素（’ Ａ、ｌ （ｘａＡｓ ） １
Ｂｉｊを形成したところ、他めて良好でその界面に界面
準位の存在しｆ、ｉい層形成が可能であることが確認さ
れ、特許請求の範囲第２項に記載した構造の半１；ｖ体
装置の製造が可能であることが確認された。第１図は、
上記のＭＵ ＣＶ Ｊ）法ニヨって形成されたアルミニ
ウムガリウムヒ素（ＡＩ ＧａＡ、ｓ） １Ｉ−ｉ／カ
リウムヒ素（ＧａＡｓ） ’４ ノＣ−Ｖ特性曲線であ
り、図より明らかなようにヒステリンス特性は殆んど認
められず、界面準位が存在しないことが認められる。
（６）先明の実施例
以下、図面を参照しつつ、本５し明の一芙施例に係る半
導体装置について更に説明する。
導体装置について更に説明する。
第２図参照
半絶縁性力リウムヒＡ、（ＧａＡｓ）基板１上に、ＭＢ
Ｅ法を使用して、厚さ１μＩｌｌ程度のアンドープの
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）層２と、厚さが４００ Ａ程
度であり２ Ｘ １０１″／ ｃｍ３程度にｎ型の不純
物を含有するアルミニウムガリウムヒｇ （ｎ −Ａｔ
ＧａＡｓ ）層３と、厚さが４００ 、Ａ程度であり
２ Ｘ １０ ／ｃａｎ程度にｎ型の不純物を含有する
ガリ）クムヒ素（１１−Ｇａ Ａｓ ）層４とを、つづ
けて形成する。
Ｅ法を使用して、厚さ１μＩｌｌ程度のアンドープの
ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）層２と、厚さが４００ Ａ程
度であり２ Ｘ １０１″／ ｃｍ３程度にｎ型の不純
物を含有するアルミニウムガリウムヒｇ （ｎ −Ａｔ
ＧａＡｓ ）層３と、厚さが４００ 、Ａ程度であり
２ Ｘ １０ ／ｃａｎ程度にｎ型の不純物を含有する
ガリ）クムヒ素（１１−Ｇａ Ａｓ ）層４とを、つづ
けて形成する。
第３図参照
フォトレジスト膜５を全面に形成した後、フォトリソグ
ラフィー法を使用して、ゲート領域のリセス形成予定領
域からフォトレジスト膜５を除去してエツチング用マス
クを形成する。その後、四塩化炭素（ｅｅｌ、、 ）を
使用してｎ型のガリウムヒ’７Ｌ （ｎ −ＧａＡ−ｓ
）層４をエツチング除去する。
ラフィー法を使用して、ゲート領域のリセス形成予定領
域からフォトレジスト膜５を除去してエツチング用マス
クを形成する。その後、四塩化炭素（ｅｅｌ、、 ）を
使用してｎ型のガリウムヒ’７Ｌ （ｎ −ＧａＡ−ｓ
）層４をエツチング除去する。
第４図参照
使用済みのフォトレジスト膜５を溶解除去した後、光明
の構成の項に」二記せるＭ Ｕ ＣＶ ｉ）法、２使用
して、アンドープのアルミニウムガリウムヒ素（ＡＩＧ
ａＡｓ） ＪＶ ６を厚さ５．０００ Ａ程度にｊし成
する。
の構成の項に」二記せるＭ Ｕ ＣＶ ｉ）法、２使用
して、アンドープのアルミニウムガリウムヒ素（ＡＩＧ
ａＡｓ） ＪＶ ６を厚さ５．０００ Ａ程度にｊし成
する。
この層６の抵抗は非常（こ大き（なり、上毘せるとおり
、ｊ※３との界面に界面準位は先生しない。
、ｊ※３との界面に界面準位は先生しない。
第５図参照
フォトリソグラフィー法と四塩化炭素（ｅｅｌ４）を使
用してなす化学エツチング法とを使用してソース電極形
成予定領域とドレイ７電極形成予定餉域とから、アンド
ープのアルミニウムガリウムヒ素（Ａ Ｉ ＧａＡ、ｓ
）層６を除去した後、この領域に金・ゲルマニウム／
金（Ａｕ ＠ Ｇｅ ／ Ａｃｔ）の二重層を蒸着また
はスパッタ形成して、ソース電極７とドレイン電極８と
を形成する。
用してなす化学エツチング法とを使用してソース電極形
成予定領域とドレイ７電極形成予定餉域とから、アンド
ープのアルミニウムガリウムヒ素（Ａ Ｉ ＧａＡ、ｓ
）層６を除去した後、この領域に金・ゲルマニウム／
金（Ａｕ ＠ Ｇｅ ／ Ａｃｔ）の二重層を蒸着また
はスパッタ形成して、ソース電極７とドレイン電極８と
を形成する。
第６図参照
ゲート電極形成予定領域以外を７オトレシスト膜（図示
せず）をもって覆い、水（Ｈ２Ｏ）と過酸化水素水（Ｈ
２Ｏ２）とフッ酸との混合液を使用して、アンドープの
アルミニウムガリウムヒ素（Ａｔ ＧａＡｓ）層６の厚
さをゲート電極形成予定領域において３００八程度まで
減少する。つづいて、リフトオフ法を使用してこの領域
にアルミニウム（Ａｔ）膜を３．０ＯＯＡ程度の厚さに
形成してゲート電極９を形成する。各電極に配線ボンデ
ィングをなした後、全面に窒化アルミニウム（ＡＩＮ
）膜１０を保護膜として形成する。
せず）をもって覆い、水（Ｈ２Ｏ）と過酸化水素水（Ｈ
２Ｏ２）とフッ酸との混合液を使用して、アンドープの
アルミニウムガリウムヒ素（Ａｔ ＧａＡｓ）層６の厚
さをゲート電極形成予定領域において３００八程度まで
減少する。つづいて、リフトオフ法を使用してこの領域
にアルミニウム（Ａｔ）膜を３．０ＯＯＡ程度の厚さに
形成してゲート電極９を形成する。各電極に配線ボンデ
ィングをなした後、全面に窒化アルミニウム（ＡＩＮ
）膜１０を保護膜として形成する。
以上の工程をもって製造された半導体装置においては、
チャンネル上の領域（ソース電極とドレイン電極とに挟
ま４ｔだ領域）は、その界面に界面準位を有しない高抵
抗アルミニウムガリウムヒ素（Ａｔ ＧａＡｓ ）層を
もって覆われているので、（イ）ゲート電極からのリー
ク電流の発生は有効に防止され、（ロ）電界効果が経時
的に変化せず安定であり、結果的に二次元電子ガスの面
濃度が安定しており、（ハ）伝達コンダクタンス（ｇ＋
ｎ）の周波数分散はなく、（ニ）低周波雑音の光生も低
減される。
チャンネル上の領域（ソース電極とドレイン電極とに挟
ま４ｔだ領域）は、その界面に界面準位を有しない高抵
抗アルミニウムガリウムヒ素（Ａｔ ＧａＡｓ ）層を
もって覆われているので、（イ）ゲート電極からのリー
ク電流の発生は有効に防止され、（ロ）電界効果が経時
的に変化せず安定であり、結果的に二次元電子ガスの面
濃度が安定しており、（ハ）伝達コンダクタンス（ｇ＋
ｎ）の周波数分散はなく、（ニ）低周波雑音の光生も低
減される。
（力発明の効果
以上枳明せるとおり、本先明によれば、アンドープのガ
リウムヒ素（ｉ −Ｇａ Ａｓ ）層上にｎ型のアルミ
ニウムガリウムヒ素（ｎ −Ａ Ｉ Ｇａ Ａｓ）層が
形成されてなるＮ構造を有し、これらの層のへテロ界面
に兄生滞留する二次元電子ガスを導電媒体とする半導体
装置において、チャンネル上の領域において表面準位が
存在しない半導体装置を提供することができる。
リウムヒ素（ｉ −Ｇａ Ａｓ ）層上にｎ型のアルミ
ニウムガリウムヒ素（ｎ −Ａ Ｉ Ｇａ Ａｓ）層が
形成されてなるＮ構造を有し、これらの層のへテロ界面
に兄生滞留する二次元電子ガスを導電媒体とする半導体
装置において、チャンネル上の領域において表面準位が
存在しない半導体装置を提供することができる。
第１図は、Ｍ ＯＣＶ Ｄ法を使用してガリウムヒ素層
上に形成されたアルミニウムガリウムヒ素層と上記のガ
リウムヒ素層との界面状態を確認するだめのＣ−Ｖ特性
曲線である。第２図乃至第６図は、本兄明の一実施例に
係る半導体装置の主要製造工程完了後の基板断面図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・アンドープのガリ
ウムヒ素層、３・・・・・・ｎ型のアルミニウムガリウ
ムヒ素層、４・・・・・・ｎ型のガリウムヒ素層、５・
・・・・・フォトレジスト膜、６・・・・・・アンドー
プの高抵抗アルミニウムガリウムヒ素層、７・・・・・
・ソース電極、８・・・・・・ドレイン電極、９・・・
・・・ゲート電極、１０・・・・・・保護膜。
上に形成されたアルミニウムガリウムヒ素層と上記のガ
リウムヒ素層との界面状態を確認するだめのＣ−Ｖ特性
曲線である。第２図乃至第６図は、本兄明の一実施例に
係る半導体装置の主要製造工程完了後の基板断面図であ
る。 １・・・・・・基板、２・・・・・・アンドープのガリ
ウムヒ素層、３・・・・・・ｎ型のアルミニウムガリウ
ムヒ素層、４・・・・・・ｎ型のガリウムヒ素層、５・
・・・・・フォトレジスト膜、６・・・・・・アンドー
プの高抵抗アルミニウムガリウムヒ素層、７・・・・・
・ソース電極、８・・・・・・ドレイン電極、９・・・
・・・ゲート電極、１０・・・・・・保護膜。
Claims (1)
- （１）アンドープのカリウムヒ素層上にｎ型のアルミニ
ウムガリウムヒ素層が形成され、該ｎ型のアルミニウム
ガリウムヒ素層上にソース電極とドレイン電極とが形成
され、該ソース電極と該ドレイン電極とに挟まれる領域
において前記ｎ型のアルミニウムガリウムヒ素層上にア
ンドープのアルミニウムガリウムヒ素層が形成され、該
アンドープのアルミニウムガリウムヒ素層上にゲート電
極が形成されてなる半導体装置。 ｆ２） 前記ｎ型のアルミニウムガリウムヒ素層上に°
は、ゲート領域を除き、ｎ型のガリウムヒ素層が形
成されてなる、特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5584083A JPS59181673A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5584083A JPS59181673A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181673A true JPS59181673A (ja) | 1984-10-16 |
| JPH0472383B2 JPH0472383B2 (ja) | 1992-11-18 |
Family
ID=13010192
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5584083A Granted JPS59181673A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59181673A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185042A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JPH08115925A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| US6144049A (en) * | 1997-02-05 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Field effect transistor |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128070A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Field-effect transistor |
| JPS58147158A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体電界効果トランジスタ |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP5584083A patent/JPS59181673A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57128070A (en) * | 1981-01-30 | 1982-08-09 | Fujitsu Ltd | Field-effect transistor |
| JPS58147158A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-01 | Oki Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体電界効果トランジスタ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02185042A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
| JPH08115925A (ja) * | 1994-10-13 | 1996-05-07 | Nec Corp | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
| US6144049A (en) * | 1997-02-05 | 2000-11-07 | Nec Corporation | Field effect transistor |
| US6184547B1 (en) | 1997-02-05 | 2001-02-06 | Nec Corporation | Field effect transistor and method of fabricating the same |
| US6448119B1 (en) | 1997-02-05 | 2002-09-10 | Nec Corporation | Field effect transistor and method of fabricating the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0472383B2 (ja) | 1992-11-18 |
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