JPS59175140A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS59175140A JPS59175140A JP4958083A JP4958083A JPS59175140A JP S59175140 A JPS59175140 A JP S59175140A JP 4958083 A JP4958083 A JP 4958083A JP 4958083 A JP4958083 A JP 4958083A JP S59175140 A JPS59175140 A JP S59175140A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- metals
- metal wiring
- insulating film
- metal
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体装置の製造方法にかかり、とくに金属
二層構造の二層目の金属の断線を防止する為の製造方法
に関するものである。
二層構造の二層目の金属の断線を防止する為の製造方法
に関するものである。
従来金属一層配線においては半導体基板上に各種パター
ン（多結晶シリコン、絶縁膜、 ｅｔｃ）が形成され、
その上に金属配線がなされる。
ン（多結晶シリコン、絶縁膜、 ｅｔｃ）が形成され、
その上に金属配線がなされる。
金属二層構造ではその上にさらに金属配線を形成するの
であるが層間ＰＳＧ絶縁膜を形成するとき一層目金属表
面上はその他の部分よシ膜厚が厚くなるだめ一層目の配
線以上に段差が生じて断線する可能性が高くなシ信頼性
上も問題となる。
であるが層間ＰＳＧ絶縁膜を形成するとき一層目金属表
面上はその他の部分よシ膜厚が厚くなるだめ一層目の配
線以上に段差が生じて断線する可能性が高くなシ信頼性
上も問題となる。
この発明の目的は二層目金属の下部の段差を小さくし断
線を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供
するものである。
線を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供
するものである。
この発明の特徴は、一層目の金属の反射率を利用して二
層目金属下部の段差を小とする半導体装置の製造方法に
ある。
層目金属下部の段差を小とする半導体装置の製造方法に
ある。
第１図は従来技術を説明する断面図および平面図である
。金属配線１上に層間Ｐ８Ｇ絶縁膜２を形成すると金属
配線上はその他の部分よ、９Ｐ８Ｇの膜厚が厚くなる。
。金属配線１上に層間Ｐ８Ｇ絶縁膜２を形成すると金属
配線上はその他の部分よ、９Ｐ８Ｇの膜厚が厚くなる。
その状態で二層目金属配線３を形成すると第１回置のよ
うに急峻な段差ａを生じる。第１図（Ｂ）は平面図であ
わ、同図のＡ−Ａ’の断面を第１回置が示している。
うに急峻な段差ａを生じる。第１図（Ｂ）は平面図であ
わ、同図のＡ−Ａ’の断面を第１回置が示している。
次に本発明の詳細な説明する。
第１図のような段差を小さくする為に、一層目金属絶縁
膜上にポジレジスト４を第２図のように塗布し、全面露
光を行うと一層目金属の反射率とその他の部分の反射率
の違いにより金属上部のボジレジストが余分に感光する
。ここで現像を行えば第３図のように一層目金属上部の
ポジレジストは現像され一層目金属１上の層間Ｐ Ｓ
Ｇｉ縁膜２が露出される。ここで異方性の強いドライエ
ツチャーで層間Ｐ８Ｇ絶縁膜を適度にエツチングしポジ
レジストを剥離すれば第４図のように段差が小さくなる
。この状態で二層目金属配線３を形成すれば第５図のよ
うに段差が小さく金属配線の断線の問題が解決する。
膜上にポジレジスト４を第２図のように塗布し、全面露
光を行うと一層目金属の反射率とその他の部分の反射率
の違いにより金属上部のボジレジストが余分に感光する
。ここで現像を行えば第３図のように一層目金属上部の
ポジレジストは現像され一層目金属１上の層間Ｐ Ｓ
Ｇｉ縁膜２が露出される。ここで異方性の強いドライエ
ツチャーで層間Ｐ８Ｇ絶縁膜を適度にエツチングしポジ
レジストを剥離すれば第４図のように段差が小さくなる
。この状態で二層目金属配線３を形成すれば第５図のよ
うに段差が小さく金属配線の断線の問題が解決する。
第１図は従来の構造で（Ａ）は断面図、（Ｂ）は平面図
である。第２図乃至第５図は本発明の一実施例を示す断
面図であり、第２図はポジレジスト塗布時、第３図は現
像後、第４図は層間ＰＳＧ絶縁膜エツチング、ポジレジ
スト剥離後、第５図は二層目金属配線形成後を示してい
る。 同図において、１は一層目金属配線、２は層間Ｐ８Ｇ絶
縁膜、３は二層目金属配線、４はポジレジスト、ａは金
属配線断線の可能性のある部分である。
である。第２図乃至第５図は本発明の一実施例を示す断
面図であり、第２図はポジレジスト塗布時、第３図は現
像後、第４図は層間ＰＳＧ絶縁膜エツチング、ポジレジ
スト剥離後、第５図は二層目金属配線形成後を示してい
る。 同図において、１は一層目金属配線、２は層間Ｐ８Ｇ絶
縁膜、３は二層目金属配線、４はポジレジスト、ａは金
属配線断線の可能性のある部分である。
Claims (1)
- 金属二層構造において、一層目の金属の反射率を利用し
て二層目金属下部の段差を小とする工程を有することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4958083A JPS59175140A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4958083A JPS59175140A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59175140A true JPS59175140A (ja) | 1984-10-03 |
Family
ID=12835152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4958083A Pending JPS59175140A (ja) | 1983-03-24 | 1983-03-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59175140A (ja) |
-
1983
- 1983-03-24 JP JP4958083A patent/JPS59175140A/ja active Pending
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