JP2003255394A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2003255394A JP2003255394A JP2002061437A JP2002061437A JP2003255394A JP 2003255394 A JP2003255394 A JP 2003255394A JP 2002061437 A JP2002061437 A JP 2002061437A JP 2002061437 A JP2002061437 A JP 2002061437A JP 2003255394 A JP2003255394 A JP 2003255394A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示装置のアレー工程において、反射膜
の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜パターニング工
程で、現像液による電喰反応からガスが発生し、コンタ
クト部で膜はがれが発生する問題が生じる。 【解決手段】 コンタクトホール形成の際のエッチング
において、配線パターンの上層金属膜を残したままエッ
チングをする。従来、エンドモニタを使用してエッチン
グを止め、オーバーエッチングをしていたが、ロット面
内エッチングバラツキと基板面内でエッチングバラツキ
から基板一部において上層金属膜７がエッチングされて
しまう。そこで、絶縁膜の膜厚とそのエッチングレート
よりエッチング時間を算出して固定にすることで、オー
バーエッチングの量を一定にし、上層金属膜を残したま
まエッチングする。
の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜パターニング工
程で、現像液による電喰反応からガスが発生し、コンタ
クト部で膜はがれが発生する問題が生じる。 【解決手段】 コンタクトホール形成の際のエッチング
において、配線パターンの上層金属膜を残したままエッ
チングをする。従来、エンドモニタを使用してエッチン
グを止め、オーバーエッチングをしていたが、ロット面
内エッチングバラツキと基板面内でエッチングバラツキ
から基板一部において上層金属膜７がエッチングされて
しまう。そこで、絶縁膜の膜厚とそのエッチングレート
よりエッチング時間を算出して固定にすることで、オー
バーエッチングの量を一定にし、上層金属膜を残したま
まエッチングする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）が形成されたアレイ基板を備える反射型液晶
表示装置の製造方法に関する。
ンジスタ）が形成されたアレイ基板を備える反射型液晶
表示装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】以下に、図面を参照して従来の反射型液
晶表示装置のアレー工程形成について説明する。
晶表示装置のアレー工程形成について説明する。
【０００３】図３は、従来のアレー形成工程により作成
されたアレー基板の断面図である。ガラス基板１上に成
膜、パターニング、エッチングの繰り返しによって下層
配線パターン２及び上層配線パターン３、そしてその間
のＴＦＴ動作部（ａ−ｓｉ膜領域）４をパターニングす
る。その後、画素表示電極（図示なし）と下層及び上層
配線膜とを接続するために絶縁膜６にコンタクトホール
５（接続部）の形成を行う。その後、反射型液晶表示装
置の特徴となる反射膜の凹凸形状を形成するための有機
絶縁膜７を形成する。
されたアレー基板の断面図である。ガラス基板１上に成
膜、パターニング、エッチングの繰り返しによって下層
配線パターン２及び上層配線パターン３、そしてその間
のＴＦＴ動作部（ａ−ｓｉ膜領域）４をパターニングす
る。その後、画素表示電極（図示なし）と下層及び上層
配線膜とを接続するために絶縁膜６にコンタクトホール
５（接続部）の形成を行う。その後、反射型液晶表示装
置の特徴となる反射膜の凹凸形状を形成するための有機
絶縁膜７を形成する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記の従
来例の構成では、反射型液晶表示装置の特徴となる反射
膜の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜７を形成する
工程において以下の問題が生じる。
来例の構成では、反射型液晶表示装置の特徴となる反射
膜の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜７を形成する
工程において以下の問題が生じる。
【０００５】図３に示すように、上記の絶縁膜６にコン
タクトホール５を形成する際に、Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉの３
層構造を有する多層金属配線膜の上層金属膜８（Ｔｉ
膜）が基板面内の一部でエッチングレートの不均一性か
らエッチングされ、２層目の金属膜９（Ａｌ膜）が露出
する。そして、上層金属膜８（Ｔｉ膜）の残り残さと２
層目の金属膜９（ＡＬ膜）が、反射電極形状形成のため
の有機絶縁膜７パターニング工程で用いられる現像液
（例えば、（ＣＨ3）4ＮＯＨ）に曝され化学反応するこ
とで、その上に形成された有機絶縁膜７がはがれるとい
う問題が生じた。
タクトホール５を形成する際に、Ｔｉ／ＡＬ／Ｔｉの３
層構造を有する多層金属配線膜の上層金属膜８（Ｔｉ
膜）が基板面内の一部でエッチングレートの不均一性か
らエッチングされ、２層目の金属膜９（Ａｌ膜）が露出
する。そして、上層金属膜８（Ｔｉ膜）の残り残さと２
層目の金属膜９（ＡＬ膜）が、反射電極形状形成のため
の有機絶縁膜７パターニング工程で用いられる現像液
（例えば、（ＣＨ3）4ＮＯＨ）に曝され化学反応するこ
とで、その上に形成された有機絶縁膜７がはがれるとい
う問題が生じた。
【０００６】本発明は上記従来の問題点を解決し、コン
タクトホール部（接続部）での有機絶縁膜のはがれを無
くすことを目的とする。
タクトホール部（接続部）での有機絶縁膜のはがれを無
くすことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明液晶表示装置の製造方法は、絶縁膜６にコンタ
クトホール５を形成する際に、上層金属膜８（Ｔｉ膜）
を残したままエッチングすることで、有機絶縁膜７のパ
ターニングで現像液に多層配線金属膜の２層目の金属膜
が曝されることが無くなり、有機絶縁膜７のはがれの問
題を無くす。
に本発明液晶表示装置の製造方法は、絶縁膜６にコンタ
クトホール５を形成する際に、上層金属膜８（Ｔｉ膜）
を残したままエッチングすることで、有機絶縁膜７のパ
ターニングで現像液に多層配線金属膜の２層目の金属膜
が曝されることが無くなり、有機絶縁膜７のはがれの問
題を無くす。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１記載の発明は、
薄膜トランジスタの多層金属配線部と画素表示電極とを
接続するために、前記多層金属配線部と前記画素表示電
極との間に設けられた絶縁膜に接続部を形成する接続部
形成工程と、反射膜の凹凸形状を形成するための有機絶
縁膜を前記接続部上に形成し、前記有機絶縁膜をパター
ニングする有機絶縁膜パターニング工程とを備える液晶
表示装置の製造方法であって、前記多層金属配線部のう
ち前記絶縁膜に近接して形成された上層金属膜の少なく
とも一部を残すように、エッチング時間を固定して前記
絶縁膜をエッチングし、前記接続部を形成することを特
徴とする。
薄膜トランジスタの多層金属配線部と画素表示電極とを
接続するために、前記多層金属配線部と前記画素表示電
極との間に設けられた絶縁膜に接続部を形成する接続部
形成工程と、反射膜の凹凸形状を形成するための有機絶
縁膜を前記接続部上に形成し、前記有機絶縁膜をパター
ニングする有機絶縁膜パターニング工程とを備える液晶
表示装置の製造方法であって、前記多層金属配線部のう
ち前記絶縁膜に近接して形成された上層金属膜の少なく
とも一部を残すように、エッチング時間を固定して前記
絶縁膜をエッチングし、前記接続部を形成することを特
徴とする。
【０００９】本発明の請求項２記載の発明は、請求項１
記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記多層金属
配線部が下層Ｔｉ、中層Ａｌ、上層Ｔｉの３層金属配線
で構成されたことを特徴とする。
記載の液晶表示装置の製造方法であって、前記多層金属
配線部が下層Ｔｉ、中層Ａｌ、上層Ｔｉの３層金属配線
で構成されたことを特徴とする。
【００１０】本発明の請求項３記載の発明は、請求項１
または２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、前
記多層金属配線部の上層金属膜の膜厚を厚くすることを
特徴とする。
または２に記載の液晶表示装置の製造方法であって、前
記多層金属配線部の上層金属膜の膜厚を厚くすることを
特徴とする。
【００１１】本発明の請求項４記載の発明は、薄膜トラ
ンジスタの単層金属配線部と画素表示電極とを接続する
ために、前記単層金属配線部と前記画素表示電極との間
に設けられた絶縁膜に接続部を形成する接続部形成工程
と、反射電極の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜を
前記接続部上に形成し、前記有機絶縁膜をパターニング
する有機絶縁膜パターニング工程とを備える液晶表示装
置の製造方法であって、前記単層金属配線部の少なくと
も一部を残すように、エッチング時間を固定して前記絶
縁膜をエッチングし、前記接続部を形成することを特徴
とする。
ンジスタの単層金属配線部と画素表示電極とを接続する
ために、前記単層金属配線部と前記画素表示電極との間
に設けられた絶縁膜に接続部を形成する接続部形成工程
と、反射電極の凹凸形状を形成するための有機絶縁膜を
前記接続部上に形成し、前記有機絶縁膜をパターニング
する有機絶縁膜パターニング工程とを備える液晶表示装
置の製造方法であって、前記単層金属配線部の少なくと
も一部を残すように、エッチング時間を固定して前記絶
縁膜をエッチングし、前記接続部を形成することを特徴
とする。
【００１２】本発明の請求項５記載の発明は、多層金属
配線を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タの上に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜に形
成されたコンタクトホールを介して前記多層金属配線に
接続される画素表示電極と、を備える液晶表示装置であ
って、前記多層金属膜のうちの前記有機絶縁膜に最も近
接した金属層は、その一部を残して表面がエッチング除
去されていることを特徴とする。
配線を有する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジス
タの上に形成された有機絶縁膜と、前記有機絶縁膜に形
成されたコンタクトホールを介して前記多層金属配線に
接続される画素表示電極と、を備える液晶表示装置であ
って、前記多層金属膜のうちの前記有機絶縁膜に最も近
接した金属層は、その一部を残して表面がエッチング除
去されていることを特徴とする。
【００１３】本発明の請求項６記載の発明は、請求項５
記載の液晶表示装置であって、前記多層金属配線は、下
層Ｔｉ、中層Ａｌ、上層Ｔｉの３層金属配線であること
を特徴とする。
記載の液晶表示装置であって、前記多層金属配線は、下
層Ｔｉ、中層Ａｌ、上層Ｔｉの３層金属配線であること
を特徴とする。
【００１４】以下、本発明の実施の形態について図面を
参照しながら説明する。
参照しながら説明する。
【００１５】図１は本発明の反射型液晶表示装置の製造
方法を用いて作成されたアレイ基板の断面図を示す図で
ある。
方法を用いて作成されたアレイ基板の断面図を示す図で
ある。
【００１６】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法で
は、絶縁膜６にコンタクトホール５を形成する際のエッ
チングにおいて、多層金属配線パターンの上層金属膜８
（Ｔｉ膜）の少なくとも一部を残したままエッチングを
する。従来は、エンドモニタを使用してエッチングを止
め、オーバーエッチングを行っていたが、この従来の方
法では、ロット面内エッチングバラツキと基板面内エッ
チングバラツキから基板の一部において上層金属膜８
（Ｔｉ膜）がエッチングされてしまう。そこで、エッチ
ング時間を、絶縁膜６および上層金属膜８（Ｔｉ膜）８
の最大エッチングレートより算出して得られたエッチン
グ時間に固定し、オーバーエッチングの量を一定にする
ことで、上層金属膜８（Ｔｉ膜）を残したままエッチン
グすることができた。（図２）ここで、図２にこのエッ
チング時間の算出方法を示す。
は、絶縁膜６にコンタクトホール５を形成する際のエッ
チングにおいて、多層金属配線パターンの上層金属膜８
（Ｔｉ膜）の少なくとも一部を残したままエッチングを
する。従来は、エンドモニタを使用してエッチングを止
め、オーバーエッチングを行っていたが、この従来の方
法では、ロット面内エッチングバラツキと基板面内エッ
チングバラツキから基板の一部において上層金属膜８
（Ｔｉ膜）がエッチングされてしまう。そこで、エッチ
ング時間を、絶縁膜６および上層金属膜８（Ｔｉ膜）８
の最大エッチングレートより算出して得られたエッチン
グ時間に固定し、オーバーエッチングの量を一定にする
ことで、上層金属膜８（Ｔｉ膜）を残したままエッチン
グすることができた。（図２）ここで、図２にこのエッ
チング時間の算出方法を示す。
【００１７】このときの計算として、絶縁膜６の膜厚を
Ａ（ｎｍ）、最大エッチングレートをａ（ｎｍ／ｍｉ
ｎ）、上層金属膜８（Ｔｉ膜）の膜厚をＢ（ｎｍ）、最
大エッチングレートをｂ（ｎｍ／ｍｉｎ）とする。
Ａ（ｎｍ）、最大エッチングレートをａ（ｎｍ／ｍｉ
ｎ）、上層金属膜８（Ｔｉ膜）の膜厚をＢ（ｎｍ）、最
大エッチングレートをｂ（ｎｍ／ｍｉｎ）とする。
【００１８】エッチング時間ＴEを、ＴE（ｓｅｃ）＝
（Ａ／ａ）×６０＋（Ｂ／ｂ）×６０とし、上層金属膜
８（Ｔｉ膜）のエッチング時間を考慮することで、絶縁
膜６のエッチング不足を無くすことができ、２層目の金
属膜９（Ａｌ膜）を露出させることなくエッチングする
ことができ、膜ハガレを防止できる。
（Ａ／ａ）×６０＋（Ｂ／ｂ）×６０とし、上層金属膜
８（Ｔｉ膜）のエッチング時間を考慮することで、絶縁
膜６のエッチング不足を無くすことができ、２層目の金
属膜９（Ａｌ膜）を露出させることなくエッチングする
ことができ、膜ハガレを防止できる。
【００１９】また、上層金属膜８（Ｔｉ膜）を従来構造
膜厚である１００ｎｍよりも厚くする、例えば、１１０
ｎｍ以上とすることでも同じ効果を得ることができる。
膜厚である１００ｎｍよりも厚くする、例えば、１１０
ｎｍ以上とすることでも同じ効果を得ることができる。
【００２０】また、金属膜をＴｉ膜の単層膜にすること
でも同じ効果を得ることができる。
でも同じ効果を得ることができる。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明は、コンタクトホー
ル形成の際に多層構造から成る配線金属膜の上層金属膜
を残すようにエッチングすることで、有機絶縁膜のパタ
ーニングで現像液に多層配線金属膜の２層目の金属膜が
曝されることが無くなり、有機絶縁膜のはがれの発生を
無くすことができ、その上層金属膜とのコンタクト部分
におけるコンタクト不良を無くすことができる。
ル形成の際に多層構造から成る配線金属膜の上層金属膜
を残すようにエッチングすることで、有機絶縁膜のパタ
ーニングで現像液に多層配線金属膜の２層目の金属膜が
曝されることが無くなり、有機絶縁膜のはがれの発生を
無くすことができ、その上層金属膜とのコンタクト部分
におけるコンタクト不良を無くすことができる。
【図１】本発明の反射型液晶表示装置の製造方法を用い
て作成されたアレイ基板の断面図
て作成されたアレイ基板の断面図
【図２】エッチング時間の算出方法を示す図
【図３】従来のアレー形成工程により作成されたアレー
基板の断面図
基板の断面図
１ ガラス基板
２ 下層配線パターン
３ 上層配線パターン
４ ＴＦＴ動作部
５ コンタクトホール
６ 絶縁膜
７ 有機絶縁膜
８ 上層金属膜
９ ２層目の金属膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１６Ｕ
６１２Ｄ
Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB07X HC05 HC11
HC12 HD03 HD08 JA03 LA04
LA20
2H091 FA14Y GA02 GA07 GA13
LA12
2H092 JA24 JA34 JA37 JA41 JA46
JB22 JB31 JB58 KB04 KB22
MA13 MA18 NA29
5F033 KK08 KK18 MM08 MM13 QQ09
QQ37 RR21 VV15 XX12
5F110 AA26 BB01 CC07 DD02 GG02
GG15 HK03 HK04 HK22 HM18
NN03 NN27 QQ03
Claims (6)
- 【請求項１】薄膜トランジスタの多層金属配線部と画素
表示電極とを接続するために、前記多層金属配線部と前
記画素表示電極との間に設けられた絶縁膜に接続部を形
成する接続部形成工程と、反射膜の凹凸形状を形成する
ための有機絶縁膜を前記接続部上に形成し、前記有機絶
縁膜をパターニングする有機絶縁膜パターニング工程と
を備える液晶表示装置の製造方法であって、前記多層金
属配線部のうち前記絶縁膜に近接して形成された上層金
属膜の少なくとも一部を残すように、エッチング時間を
固定して前記絶縁膜をエッチングし、前記接続部を形成
する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】前記多層金属配線部が下層Ｔｉ、中層Ａ
ｌ、上層Ｔｉの３層金属配線で構成された請求項１記載
の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】前記多層金属配線部の上層金属膜の膜厚を
厚くする請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造
方法。 - 【請求項４】薄膜トランジスタの単層金属配線部と画素
表示電極とを接続するために、前記単層金属配線部と前
記画素表示電極との間に設けられた絶縁膜に接続部を形
成する接続部形成工程と、反射電極の凹凸形状を形成す
るための有機絶縁膜を前記接続部上に形成し、前記有機
絶縁膜をパターニングする有機絶縁膜パターニング工程
とを備える液晶表示装置の製造方法であって、前記単層
金属配線部の少なくとも一部を残すように、エッチング
時間を固定して前記絶縁膜をエッチングし、前記接続部
を形成する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】多層金属配線を有する薄膜トランジスタ
と、前記薄膜トランジスタの上に形成された有機絶縁膜
と、前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介
して前記多層金属配線に接続される画素表示電極と、を
備える液晶表示装置であって、前記多層金属膜のうちの
前記有機絶縁膜に最も近接した金属層は、その一部を残
して表面がエッチング除去されていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項６】前記多層金属配線は、下層Ｔｉ、中層Ａ
ｌ、上層Ｔｉの３層金属配線であることを特徴とする請
求項５記載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002061437A JP2003255394A (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002061437A JP2003255394A (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003255394A true JP2003255394A (ja) | 2003-09-10 |
Family
ID=28670327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002061437A Pending JP2003255394A (ja) | 2002-03-07 | 2002-03-07 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003255394A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100445852C (zh) * | 2004-08-30 | 2008-12-24 | 乐金显示有限公司 | 制造有机薄膜晶体管的方法和用其制造液晶显示器件的方法 |
| JP2019004163A (ja) * | 2011-06-17 | 2019-01-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2002
- 2002-03-07 JP JP2002061437A patent/JP2003255394A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100445852C (zh) * | 2004-08-30 | 2008-12-24 | 乐金显示有限公司 | 制造有机薄膜晶体管的方法和用其制造液晶显示器件的方法 |
| JP2019004163A (ja) * | 2011-06-17 | 2019-01-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
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