JP3509057B2 - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。特に、周囲光のみを表示に利
用する反射型液晶表示装置及びバックライトと周囲光の
両方を表示に利用する反射透過両用型液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。特に、周囲光のみを表示に利
用する反射型液晶表示装置及びバックライトと周囲光の
両方を表示に利用する反射透過両用型液晶表示装置およ
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、パーソナルコンピュータ、テレ
ビ、ワードプロセッサ、ビデオカメラ等への液晶表示装
置の応用がさらに進展している状況において、液晶表示
装置の小型化、省電力化、低コスト化等、更なる高機能
化に対する要望が高まっている。
ビ、ワードプロセッサ、ビデオカメラ等への液晶表示装
置の応用がさらに進展している状況において、液晶表示
装置の小型化、省電力化、低コスト化等、更なる高機能
化に対する要望が高まっている。
【０００３】これらの要望に対応して、バックライトを
有さない、外部から入射した周囲光を反射させて表示を
行なう反射型液晶表示装置や、バックライトと外部から
入射した周囲光の両方を利用する反射透過両用型液晶表
示装置の開発が進んでいる。
有さない、外部から入射した周囲光を反射させて表示を
行なう反射型液晶表示装置や、バックライトと外部から
入射した周囲光の両方を利用する反射透過両用型液晶表
示装置の開発が進んでいる。
【０００４】反射型液晶表示装置及び反射透過両用型液
晶表示装置において、周囲光を利用して明るい表示を実
現するためには、表示画面に垂直な方向に反射する光の
強度を増加させる必要がある。そのためには、あらゆる
方向から入射する周囲光を効率的に表示画面に垂直な方
向に散乱させる反射特性を有する反射層を作製すること
が必要となる。このような反射層として、ガラス等から
なる基板の表面に最適な反射特性を有するために制御さ
れた凹凸形状を有する表面を形成し、この表面上に銀な
どの反射率の高い材料からなる薄膜を形成した反射層が
用いられている。
晶表示装置において、周囲光を利用して明るい表示を実
現するためには、表示画面に垂直な方向に反射する光の
強度を増加させる必要がある。そのためには、あらゆる
方向から入射する周囲光を効率的に表示画面に垂直な方
向に散乱させる反射特性を有する反射層を作製すること
が必要となる。このような反射層として、ガラス等から
なる基板の表面に最適な反射特性を有するために制御さ
れた凹凸形状を有する表面を形成し、この表面上に銀な
どの反射率の高い材料からなる薄膜を形成した反射層が
用いられている。
【０００５】例えば、特開平６−７５２３８号公報は、
以下の反射層の製造方法を開示している。まず、基板上
に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列されたマ
スクを介して感光性樹脂を露光し、現像した後に熱処理
を行なうことにより複数の凸部を形成する。この複数の
凸部を覆って絶縁体保護層を形成し、所望の凹凸形状を
有する表面を形成する。得られた絶縁体保護層の凹凸表
面上に、金属薄膜を形成することによって、所望の反射
特性を有する反射層が作製される。また、上記公報に開
示されている反射型液晶表示装置の反射層は、絵素電極
（すなわち、反射絵素電極）としても機能する構成とな
っている。反射層を基板の液晶層側に配置することによ
って、基板の厚さの影響による二重映りの発生が防止さ
れている。
以下の反射層の製造方法を開示している。まず、基板上
に感光性樹脂を塗布し、円形の遮光領域が配列されたマ
スクを介して感光性樹脂を露光し、現像した後に熱処理
を行なうことにより複数の凸部を形成する。この複数の
凸部を覆って絶縁体保護層を形成し、所望の凹凸形状を
有する表面を形成する。得られた絶縁体保護層の凹凸表
面上に、金属薄膜を形成することによって、所望の反射
特性を有する反射層が作製される。また、上記公報に開
示されている反射型液晶表示装置の反射層は、絵素電極
（すなわち、反射絵素電極）としても機能する構成とな
っている。反射層を基板の液晶層側に配置することによ
って、基板の厚さの影響による二重映りの発生が防止さ
れている。
【０００６】従来の液晶表示装置において、反射層の材
料としては、Ａｌ（アルミニウム）が広く用いられてい
る。反射率の点では、Ａｇ（銀）が最適であるが、Ａｇ
はＳｉへ拡散しやすい材料であるので、反射層の下部に
形成されている半導体層（Ｓｉ層）への拡散や反応によ
って、半導体特性が低下するという問題が大きい。これ
に対し、ＡｌはＳｉ層への拡散や反応の可能性が小さ
く、また集積回路におけるメタライゼーション等に広く
用いられており、エッチング特性などのプロセス特性が
優れている。
料としては、Ａｌ（アルミニウム）が広く用いられてい
る。反射率の点では、Ａｇ（銀）が最適であるが、Ａｇ
はＳｉへ拡散しやすい材料であるので、反射層の下部に
形成されている半導体層（Ｓｉ層）への拡散や反応によ
って、半導体特性が低下するという問題が大きい。これ
に対し、ＡｌはＳｉ層への拡散や反応の可能性が小さ
く、また集積回路におけるメタライゼーション等に広く
用いられており、エッチング特性などのプロセス特性が
優れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、液晶表
示装置の反射層をＡｌを用いて形成すると、以下のよう
な問題が発生する。
示装置の反射層をＡｌを用いて形成すると、以下のよう
な問題が発生する。
【０００８】量産プロセスにおいて、反射層を形成すべ
き所定の位置にのみ選択的にＡｌ層を形成することは実
際上不可能なので、基板の表面全体にＡｌ層を形成した
後、Ａｌ層をパターニングして所定の形状を有する反射
層を形成する。Ａｌ層のパターニングは、所定の形状の
エッチングマスクを用いたエッチング法で行われる。こ
のエッチングマスクの形成は、Ａｌ層上にレジスト層を
形成し、このレジスト層を所定のマスクを用いて露光
し、現像することによって形成される。このレジスト層
の現像工程において、Ａｌ層の下部に形成されているＩ
ＴＯ（インジウム錫酸化物）層が腐食され、液晶表示装
置の歩留まりが低下するという問題が起こる。
き所定の位置にのみ選択的にＡｌ層を形成することは実
際上不可能なので、基板の表面全体にＡｌ層を形成した
後、Ａｌ層をパターニングして所定の形状を有する反射
層を形成する。Ａｌ層のパターニングは、所定の形状の
エッチングマスクを用いたエッチング法で行われる。こ
のエッチングマスクの形成は、Ａｌ層上にレジスト層を
形成し、このレジスト層を所定のマスクを用いて露光
し、現像することによって形成される。このレジスト層
の現像工程において、Ａｌ層の下部に形成されているＩ
ＴＯ（インジウム錫酸化物）層が腐食され、液晶表示装
置の歩留まりが低下するという問題が起こる。
【０００９】一般に、薄膜はバルクに比較して桁違いに
多くの格子欠陥を含む不完全な結晶構造を有するので、
Ａｌ層は多くのピンホールや活性領域が存在する。この
ピンホール等の欠陥によって、Ａｌ層の下に形成された
ＩＴＯ層の腐食の問題が発生する。なお、活性領域と
は、ピンホールには至っていない欠陥で化学反応を起こ
しやすい領域を指す。
多くの格子欠陥を含む不完全な結晶構造を有するので、
Ａｌ層は多くのピンホールや活性領域が存在する。この
ピンホール等の欠陥によって、Ａｌ層の下に形成された
ＩＴＯ層の腐食の問題が発生する。なお、活性領域と
は、ピンホールには至っていない欠陥で化学反応を起こ
しやすい領域を指す。
【００１０】上述の腐食の問題が生じるＩＴＯ層は、例
えば、反射型および反射透過両用型液晶表示装置の接続
端子電極（または接続端子電極の最上層）や、反射型お
よび反射透過両用型液晶表示装置（例えば、本願出願人
による特願平９−２０１１７６号）における透明電極が
ある。
えば、反射型および反射透過両用型液晶表示装置の接続
端子電極（または接続端子電極の最上層）や、反射型お
よび反射透過両用型液晶表示装置（例えば、本願出願人
による特願平９−２０１１７６号）における透明電極が
ある。
【００１１】接続端子電極は、液晶パネルのＴＦＴ基板
に設けられる配線（ゲート配線やソース配線等）に所定
の電圧（走査信号や表示信号）を供給するための端子電
極である。例えば、図５に示す液晶表示装置において、
端子領域に形成されているゲート端子部やソース端子部
に接続端子電極が形成される。液晶パネルが完成した
後、駆動用ＩＣや駆動用回路基板の端子電極等と接続さ
れる。従って、液晶パネルが完成するまでの後工程にお
いて、接続端子電極の表面が酸化されることによる高抵
抗化を防止するために、接続端子電極の少なくとも露出
される表面にＩＴＯ層が形成されている。
に設けられる配線（ゲート配線やソース配線等）に所定
の電圧（走査信号や表示信号）を供給するための端子電
極である。例えば、図５に示す液晶表示装置において、
端子領域に形成されているゲート端子部やソース端子部
に接続端子電極が形成される。液晶パネルが完成した
後、駆動用ＩＣや駆動用回路基板の端子電極等と接続さ
れる。従って、液晶パネルが完成するまでの後工程にお
いて、接続端子電極の表面が酸化されることによる高抵
抗化を防止するために、接続端子電極の少なくとも露出
される表面にＩＴＯ層が形成されている。
【００１２】この問題を図６を参照しながらさらに詳細
に説明する。
に説明する。
【００１３】図６（ａ）に示す様に、基板１（例えばガ
ラス基板）上に、ＩＴＯ層３とＡｌ層４とが積層形成さ
れている。Ａｌ層４の厚さが薄いと、Ａｌ層４中にピン
ホール７ａや活性領域７ｂ等の欠陥７が形成される。ピ
ンホール７ａや活性領域７ｂ等の欠陥７は、Ａｌの粒子
形状に起因して生じるので、薄膜（バルクに対して）状
態において多く発生する。
ラス基板）上に、ＩＴＯ層３とＡｌ層４とが積層形成さ
れている。Ａｌ層４の厚さが薄いと、Ａｌ層４中にピン
ホール７ａや活性領域７ｂ等の欠陥７が形成される。ピ
ンホール７ａや活性領域７ｂ等の欠陥７は、Ａｌの粒子
形状に起因して生じるので、薄膜（バルクに対して）状
態において多く発生する。
【００１４】次に、図６（ｂ）に示すように、Ａｌ層４
を所定の形状にパターニングするために、レジスト膜を
露光・現像することによって、エッチングマスク５を形
成する。このレジスト膜の現像工程において、Ａｌ層４
の露出された表面は現像液６に曝される。Ａｌは両性金
属であり、上述した酸性のエッチング液だけでなく、ア
ルカリ性の現像液によっても腐食するので、図６（ｃ）
に示したように、Ａｌ層４のピンホール７ａや活性領域
７ｂが成長する。その結果、ＩＴＯ層３とＡｌ層４とに
現像液６が同時に接触し、図６（ｄ）に模式的に示すよ
うに、Ａｌ層４とＩＴＯ層３を両極とする電池系が形成
される。その結果、電食反応により、Ａｌ層４とＩＴＯ
層３とが腐食され、現像液６に溶解する。従って、必要
なＩＴＯ層３が腐食によって消失したり損傷を受けるの
で、ＴＦＴ基板や液晶表示装置の製造歩留まりを低下さ
せる。
を所定の形状にパターニングするために、レジスト膜を
露光・現像することによって、エッチングマスク５を形
成する。このレジスト膜の現像工程において、Ａｌ層４
の露出された表面は現像液６に曝される。Ａｌは両性金
属であり、上述した酸性のエッチング液だけでなく、ア
ルカリ性の現像液によっても腐食するので、図６（ｃ）
に示したように、Ａｌ層４のピンホール７ａや活性領域
７ｂが成長する。その結果、ＩＴＯ層３とＡｌ層４とに
現像液６が同時に接触し、図６（ｄ）に模式的に示すよ
うに、Ａｌ層４とＩＴＯ層３を両極とする電池系が形成
される。その結果、電食反応により、Ａｌ層４とＩＴＯ
層３とが腐食され、現像液６に溶解する。従って、必要
なＩＴＯ層３が腐食によって消失したり損傷を受けるの
で、ＴＦＴ基板や液晶表示装置の製造歩留まりを低下さ
せる。
【００１５】この問題を解決する方法として、Ａｌ層と
ＩＴＯ層との間に保護層を形成してＡｌ層とＩＴＯ層と
が同時に現像液に接触するのを防ぐ方法を本願出願人は
特願平１０−２００１２号に開示している。以下に上記
出願に開示されている方法を説明する。
ＩＴＯ層との間に保護層を形成してＡｌ層とＩＴＯ層と
が同時に現像液に接触するのを防ぐ方法を本願出願人は
特願平１０−２００１２号に開示している。以下に上記
出願に開示されている方法を説明する。
【００１６】樹脂材料を用いて保護層９を形成した構成
を図７に示す。保護層９を樹脂材料を用いて形成した場
合には、最終形態として少なくとも一部の保護層９を別
途取り除く必要がある。樹脂材料と金属材料とでは、エ
ッチャントなどのエッチング方法が異なるので、保護層
９を金属で形成した場合には、保護層９をＡｌ層と同時
にエッチングすることができるが、保護層９を樹脂材料
を用いて形成した場合には、保護層９をＡｌ層とは別に
エッチングする必要が生じる。従って、樹脂材料からな
る保護層の不要部分を除去するためのドライエッチング
工程やアッシング工程及びそれに伴うフォトリソグラフ
ィ工程が必要となり、コストが増加してしまう。
を図７に示す。保護層９を樹脂材料を用いて形成した場
合には、最終形態として少なくとも一部の保護層９を別
途取り除く必要がある。樹脂材料と金属材料とでは、エ
ッチャントなどのエッチング方法が異なるので、保護層
９を金属で形成した場合には、保護層９をＡｌ層と同時
にエッチングすることができるが、保護層９を樹脂材料
を用いて形成した場合には、保護層９をＡｌ層とは別に
エッチングする必要が生じる。従って、樹脂材料からな
る保護層の不要部分を除去するためのドライエッチング
工程やアッシング工程及びそれに伴うフォトリソグラフ
ィ工程が必要となり、コストが増加してしまう。
【００１７】Ｍｏを用いて保護層１０を形成した構成を
図８に示す。この方法によれば、Ａｌ層４とＩＴＯ層３
との電食を防ぐことができるとももに、硝酸、酢酸、リ
ン酸を含む水溶液（硝酸＋酢酸＋リン酸＋水と表記す
る）をエッチング液（エッチャント）として用いるウェ
ットエッチング工程によって、Ｍｏからなる保護層１０
をＡｌ層４と同時にエッチングすることができる。しか
しながら、Ｍｏからなる保護層１０とＡｌ層４との間で
も、現像液による電食反応が進行し、Ａｌ層４が腐食さ
れ、現像液に溶解する。但し、Ａｌ層４とＩＴＯ層３と
の間の電食に比べ進行が遅いので、得られる製品に不良
は発生しないが、現像液６中に大量にＡｌが溶解するの
で、現像液６の使用期間が短くなるという問題や、フォ
トリワーク（塗布したレジストを全面現像することによ
り取り除く作業）が出来ないという問題が生じ、生産性
が低下する。また、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水のエッチャ
ング液に対するエッチングレートが、Ｍｏの方がＡｌよ
りも大幅に速いので、テーパ形状の制御が困難である。
図８に示す。この方法によれば、Ａｌ層４とＩＴＯ層３
との電食を防ぐことができるとももに、硝酸、酢酸、リ
ン酸を含む水溶液（硝酸＋酢酸＋リン酸＋水と表記す
る）をエッチング液（エッチャント）として用いるウェ
ットエッチング工程によって、Ｍｏからなる保護層１０
をＡｌ層４と同時にエッチングすることができる。しか
しながら、Ｍｏからなる保護層１０とＡｌ層４との間で
も、現像液による電食反応が進行し、Ａｌ層４が腐食さ
れ、現像液に溶解する。但し、Ａｌ層４とＩＴＯ層３と
の間の電食に比べ進行が遅いので、得られる製品に不良
は発生しないが、現像液６中に大量にＡｌが溶解するの
で、現像液６の使用期間が短くなるという問題や、フォ
トリワーク（塗布したレジストを全面現像することによ
り取り除く作業）が出来ないという問題が生じ、生産性
が低下する。また、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水のエッチャ
ング液に対するエッチングレートが、Ｍｏの方がＡｌよ
りも大幅に速いので、テーパ形状の制御が困難である。
【００１８】本発明は、このような従来技術の課題を解
決するためになされたものであり、製造効率が高く、優
れた表示品位で反射モードの表示が可能な液晶表示装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。
決するためになされたものであり、製造効率が高く、優
れた表示品位で反射モードの表示が可能な液晶表示装置
およびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置の
製造方法は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該
第２基板との間に挟持された液晶層と、該第１基板の該
液晶層側に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板の
該液晶層側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電極
のそれぞれと該対向電極とによって規定される複数の絵
素領域とを有し、該第１基板が、該複数の絵素領域のそ
れぞれに形成された複数の反射層と、該複数の絵素電極
のそれぞれに接続された複数のスイッチング素子と、該
複数のスイッチング素子に電圧を供給するための複数の
配線と、該複数の配線に電圧を供給するための複数の接
続端子電極と、を有する液晶表示装置の製造方法であっ
て、第１基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパタ
ーニングすることによって、接続端子電極を形成する工
程と、該接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面
に、Ａｌ合金層を形成する工程と、該Ａｌ合金層上を含
む該第１基板のほぼ全面に、Ａｌ層を形成する工程と、
該Ａｌ層と該Ａｌ合金層とをパターニングすることによ
って、該複数の反射層を形成する工程と、該接続端子電
極上の該Ａｌ合金層を除去して、該ＩＴＯ層の表面を露
出させる工程と、を包含し、そのことにより上記目的が
達成される。
製造方法は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該
第２基板との間に挟持された液晶層と、該第１基板の該
液晶層側に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板の
該液晶層側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電極
のそれぞれと該対向電極とによって規定される複数の絵
素領域とを有し、該第１基板が、該複数の絵素領域のそ
れぞれに形成された複数の反射層と、該複数の絵素電極
のそれぞれに接続された複数のスイッチング素子と、該
複数のスイッチング素子に電圧を供給するための複数の
配線と、該複数の配線に電圧を供給するための複数の接
続端子電極と、を有する液晶表示装置の製造方法であっ
て、第１基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパタ
ーニングすることによって、接続端子電極を形成する工
程と、該接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面
に、Ａｌ合金層を形成する工程と、該Ａｌ合金層上を含
む該第１基板のほぼ全面に、Ａｌ層を形成する工程と、
該Ａｌ層と該Ａｌ合金層とをパターニングすることによ
って、該複数の反射層を形成する工程と、該接続端子電
極上の該Ａｌ合金層を除去して、該ＩＴＯ層の表面を露
出させる工程と、を包含し、そのことにより上記目的が
達成される。
【００２０】前記液晶表示装置は、該複数の絵素領域の
それぞれに形成された複数の透明電極を有し、前記ＩＴ
Ｏ層をパターニングすることによって、該複数の透明電
極を形成する工程と、前記Ａｌ層形成工程において、前
記Ａｌ層は前記接続端子電極部及び該透明電極を覆うよ
うに形成され、前記ＩＴＯ層の表面を露出させる工程に
おいて、該透明電極を覆う該Ａｌ合金層も除去され、該
透明ＩＴＯ層の表面が露出されてもよい。
それぞれに形成された複数の透明電極を有し、前記ＩＴ
Ｏ層をパターニングすることによって、該複数の透明電
極を形成する工程と、前記Ａｌ層形成工程において、前
記Ａｌ層は前記接続端子電極部及び該透明電極を覆うよ
うに形成され、前記ＩＴＯ層の表面を露出させる工程に
おいて、該透明電極を覆う該Ａｌ合金層も除去され、該
透明ＩＴＯ層の表面が露出されてもよい。
【００２１】前記Ａｌ合金層は、Ｍｏ含有率が１ａｔ％
以上且つ６０ａｔ％以下のＡｌ−Ｍｏ合金から形成さ
れ、前記反射層を形成する工程と前記ＩＴＯ層の表面を
露出させる工程とが同一工程であることが好ましい。
以上且つ６０ａｔ％以下のＡｌ−Ｍｏ合金から形成さ
れ、前記反射層を形成する工程と前記ＩＴＯ層の表面を
露出させる工程とが同一工程であることが好ましい。
【００２２】前記Ａｌ合金層は、Ｗ含有率が１ａｔ％以
上且つ２０ａｔ％以下のＡｌ−Ｗ合金から形成され、前
記反射層を形成する工程と前記ＩＴＯ層の表面を露出さ
せる工程とが同一工程であることが好ましい。
上且つ２０ａｔ％以下のＡｌ−Ｗ合金から形成され、前
記反射層を形成する工程と前記ＩＴＯ層の表面を露出さ
せる工程とが同一工程であることが好ましい。
【００２３】前記Ａｌ合金層の膜厚が３０ｎｍ以上且つ
１５０ｎｍ以下であることが好ましい。
１５０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００２４】また、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板
との間に挟持された液晶層と、該第１基板の該液晶層側
に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板の該液晶層
側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電極のそれぞ
れと該対向電極とによって規定される複数の絵素領域と
を有し、該第１基板が、該複数の絵素領域のそれぞれに
形成された複数の反射層と、該複数の絵素電極のそれぞ
れに接続された複数のスイッチング素子と、該複数のス
イッチング素子に電圧を供給するための複数の配線と、
該複数の配線に電圧を供給するための複数の接続端子電
極と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、第１
基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパターニング
することによって、接続端子電極を形成する工程と、該
接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ｗ含有
率が１０ａｔ％のＡｌ−Ｗ合金からなるＡｌ合金層を形
成する工程と、該Ａｌ合金層上を含む該第１基板のほぼ
全面に、Ａｌ層を形成する工程と、該Ａｌ層と該Ａｌ合
金層とをパターニングすることによって、該複数の反射
層を形成する工程と、該接続端子電極上の該Ａｌ合金層
を除去して、該ＩＴＯ層の表面を露出させる工程と、を
包含する。さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板
との間に挟持された液晶層と、該第１基板の該液晶層側
に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板の該液晶層
側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電極のそれぞ
れと該対向電極とによって規定される複数の絵素領域と
を有し、該第１基板が、該複数の絵素領域のそれぞれに
形成された複数の反射層と、該複数の絵素電極のそれぞ
れに接続された複数のスイッチング素子と、該複数のス
イッチング素子に電圧を供給するための複数の配線と、
該複数の配線に電圧を供給するための複数の接続端子電
極と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、第１
基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパターニング
することによって、接続端子電極を形成する工程と、該
接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ｍｏ含
有率が３０ａｔ％のＡｌ−Ｍｏ合金からなるＡｌ合金層
を形成する工程と、該Ａｌ合金層上を含む該第１基板の
ほぼ全面に、Ａｌ層を形成する工程と、該Ａｌ層と該Ａ
ｌ合金層とをパターニングすることによって、該複数の
反射層を形成する工程と、該接続端子電極上の該Ａｌ合
金層を除去して、該ＩＴＯ層の表面を露出させる工程
と、を包含する。
は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板
との間に挟持された液晶層と、該第１基板の該液晶層側
に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板の該液晶層
側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電極のそれぞ
れと該対向電極とによって規定される複数の絵素領域と
を有し、該第１基板が、該複数の絵素領域のそれぞれに
形成された複数の反射層と、該複数の絵素電極のそれぞ
れに接続された複数のスイッチング素子と、該複数のス
イッチング素子に電圧を供給するための複数の配線と、
該複数の配線に電圧を供給するための複数の接続端子電
極と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、第１
基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパターニング
することによって、接続端子電極を形成する工程と、該
接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ｗ含有
率が１０ａｔ％のＡｌ−Ｗ合金からなるＡｌ合金層を形
成する工程と、該Ａｌ合金層上を含む該第１基板のほぼ
全面に、Ａｌ層を形成する工程と、該Ａｌ層と該Ａｌ合
金層とをパターニングすることによって、該複数の反射
層を形成する工程と、該接続端子電極上の該Ａｌ合金層
を除去して、該ＩＴＯ層の表面を露出させる工程と、を
包含する。さらに、本発明の液晶表示装置の製造方法
は、第１基板と、第２基板と、該第１基板と該第２基板
との間に挟持された液晶層と、該第１基板の該液晶層側
に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板の該液晶層
側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電極のそれぞ
れと該対向電極とによって規定される複数の絵素領域と
を有し、該第１基板が、該複数の絵素領域のそれぞれに
形成された複数の反射層と、該複数の絵素電極のそれぞ
れに接続された複数のスイッチング素子と、該複数のス
イッチング素子に電圧を供給するための複数の配線と、
該複数の配線に電圧を供給するための複数の接続端子電
極と、を有する液晶表示装置の製造方法であって、第１
基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパターニング
することによって、接続端子電極を形成する工程と、該
接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ｍｏ含
有率が３０ａｔ％のＡｌ−Ｍｏ合金からなるＡｌ合金層
を形成する工程と、該Ａｌ合金層上を含む該第１基板の
ほぼ全面に、Ａｌ層を形成する工程と、該Ａｌ層と該Ａ
ｌ合金層とをパターニングすることによって、該複数の
反射層を形成する工程と、該接続端子電極上の該Ａｌ合
金層を除去して、該ＩＴＯ層の表面を露出させる工程
と、を包含する。
【００２５】以下、本発明の作用について説明する。
【００２６】本発明の液晶表示装置の製造方法は、Ａｌ
層とＩＴＯ層との間に形成される保護層をＡｌ合金で形
成しているので、Ａｌ層をパターニングするためのエッ
チングマスクを形成するための現像工程において、Ａｌ
とＩＴＯが同時に現像液に接触することがないので、電
食を防ぐことができ、反射型液晶表示装置の製造歩留ま
りを向上させることが出来る。また、反射層として機能
するのはＡｌ層であるので、反射率が低下することもな
い。
層とＩＴＯ層との間に形成される保護層をＡｌ合金で形
成しているので、Ａｌ層をパターニングするためのエッ
チングマスクを形成するための現像工程において、Ａｌ
とＩＴＯが同時に現像液に接触することがないので、電
食を防ぐことができ、反射型液晶表示装置の製造歩留ま
りを向上させることが出来る。また、反射層として機能
するのはＡｌ層であるので、反射率が低下することもな
い。
【００２７】ＩＴＯからなる透明電極を有する反射透過
両用型液晶表示装置の製造においても、Ａｌ層とＩＴＯ
層との電食の発生を防止し、反射率の高い表示装置を製
造することができる。
両用型液晶表示装置の製造においても、Ａｌ層とＩＴＯ
層との電食の発生を防止し、反射率の高い表示装置を製
造することができる。
【００２８】さらに、保護層（Ａｌ合金層）を、Ｍｏ含
有率が１ａｔ％以上且つ６０ａｔ％以下のＡｌ−Ｍｏ合
金、または、Ｗ含有率が１ａｔ％以上且つ２０ａｔ％以
下のＡｌ−Ｗ合金で形成することにより、Ａｌ層と保護
層とを同一のエッチング液を用いて同一の工程で除去す
ることが可能となり、製造工程の増加を防ぐことが出来
る。
有率が１ａｔ％以上且つ６０ａｔ％以下のＡｌ−Ｍｏ合
金、または、Ｗ含有率が１ａｔ％以上且つ２０ａｔ％以
下のＡｌ−Ｗ合金で形成することにより、Ａｌ層と保護
層とを同一のエッチング液を用いて同一の工程で除去す
ることが可能となり、製造工程の増加を防ぐことが出来
る。
【００２９】保護層厚さを３０ｎｍ以上とすることによ
って、接続端子電極部及び透明電極部のＩＴＯを段切れ
なく覆うことができるので、層欠陥によるＡｌ層とＩＴ
Ｏ層の電食を防ぐことができる。また、保護層の膜厚を
１５０ｎｍ以下とすることによって、Ａｌ層と保護層と
を同時にエッチングする際の処理時間を短くできる。
って、接続端子電極部及び透明電極部のＩＴＯを段切れ
なく覆うことができるので、層欠陥によるＡｌ層とＩＴ
Ｏ層の電食を防ぐことができる。また、保護層の膜厚を
１５０ｎｍ以下とすることによって、Ａｌ層と保護層と
を同時にエッチングする際の処理時間を短くできる。
【００３０】
【発明の実施の形態】（実施形態１）本発明の液晶表示
装置は図５に示した従来の液晶表示装置と同様の構成を
有しており、ＴＦＴ基板と対向基板とこれらの基板の間
に挟持された液晶層とを有している。ＴＦＴ基板の液晶
層側に設けられた複数の絵素電極と、対向基板の液晶層
側に設けられている対向電極とによって規定される複数
の絵素領域の液晶層に印加する電圧を制御することによ
って表示を行う。ＴＦＴ基板１００は、さらに、複数の
絵素電極のそれぞれに接続されたＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）４０、とＴＦＴ４０に走査電圧と信号電圧をそれ
ぞれ供給するためのゲート配線およびソース配線とを表
示領域に有している。ゲート配線およびソース配線は、
端子領域にまで延長して形成されており、駆動用ＩＣや
駆動用回路基板と接続するための接続端子電極を有して
いる。
装置は図５に示した従来の液晶表示装置と同様の構成を
有しており、ＴＦＴ基板と対向基板とこれらの基板の間
に挟持された液晶層とを有している。ＴＦＴ基板の液晶
層側に設けられた複数の絵素電極と、対向基板の液晶層
側に設けられている対向電極とによって規定される複数
の絵素領域の液晶層に印加する電圧を制御することによ
って表示を行う。ＴＦＴ基板１００は、さらに、複数の
絵素電極のそれぞれに接続されたＴＦＴ（薄膜トランジ
スタ）４０、とＴＦＴ４０に走査電圧と信号電圧をそれ
ぞれ供給するためのゲート配線およびソース配線とを表
示領域に有している。ゲート配線およびソース配線は、
端子領域にまで延長して形成されており、駆動用ＩＣや
駆動用回路基板と接続するための接続端子電極を有して
いる。
【００３１】本発明による液晶表示装置のＴＦＴ基板
は、絵素領域ごとに少なくとも反射電極領域を有してい
る。反射電極領域は、反射電極で形成しても良いし、透
明電極と反射電極との組み合わせによって形成しても良
い。反射型液晶表示装置は、絵素領域に反射電極領域の
みを有する液晶表示装置である。絵素領域に反射電極領
域と透過電極領域とを形成することによって、反射透過
両用型液晶表示装置を構成することができる。液晶表示
装置において、透過光を用いて表示を行う領域を透過領
域、反射光を利用して表示を行う領域を反射層とそれぞ
れ呼ぶ。透過領域および反射領域は、それぞれ、基板上
に形成された透過電極領域および反射電極領域と、液晶
層とを含む。基板上の透過電極領域および反射電極領域
が、反射領域および透過領域の２次元的な広がりをそれ
ぞれ規定するものとする。
は、絵素領域ごとに少なくとも反射電極領域を有してい
る。反射電極領域は、反射電極で形成しても良いし、透
明電極と反射電極との組み合わせによって形成しても良
い。反射型液晶表示装置は、絵素領域に反射電極領域の
みを有する液晶表示装置である。絵素領域に反射電極領
域と透過電極領域とを形成することによって、反射透過
両用型液晶表示装置を構成することができる。液晶表示
装置において、透過光を用いて表示を行う領域を透過領
域、反射光を利用して表示を行う領域を反射層とそれぞ
れ呼ぶ。透過領域および反射領域は、それぞれ、基板上
に形成された透過電極領域および反射電極領域と、液晶
層とを含む。基板上の透過電極領域および反射電極領域
が、反射領域および透過領域の２次元的な広がりをそれ
ぞれ規定するものとする。
【００３２】本願発明による実施形態１の液晶表示装置
のＴＦＴ基板１００の部分断面図を模式的に図１に示
す。図１は、ＴＦＴ基板１００の１絵素領域の断面図で
あり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４０と、絵素電極
（反射電極）４の一部を示している。
のＴＦＴ基板１００の部分断面図を模式的に図１に示
す。図１は、ＴＦＴ基板１００の１絵素領域の断面図で
あり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４０と、絵素電極
（反射電極）４の一部を示している。
【００３３】以下に、図１を参照しながら、本実施形態
の液晶表示装置の製造方法を説明する。
の液晶表示装置の製造方法を説明する。
【００３４】（ａ）ガラス基板１上にゲート電極２１を
形成する。ガラス基板１の表面にはベースコート層とし
てＴａ2Ｏ5やＳｉＯ2などの絶縁層を形成していもよ
い。例えば、ガラス基板１上にＡｌ、ＭｏやＴａなどか
らなる金属層をスパッタリング法にて形成し、金属層を
パターニングしてゲート電極２１を形成する。この工程
において、ゲート電極２１に接続されたゲート配線（不
図示）を同時に形成してもよい。
形成する。ガラス基板１の表面にはベースコート層とし
てＴａ2Ｏ5やＳｉＯ2などの絶縁層を形成していもよ
い。例えば、ガラス基板１上にＡｌ、ＭｏやＴａなどか
らなる金属層をスパッタリング法にて形成し、金属層を
パターニングしてゲート電極２１を形成する。この工程
において、ゲート電極２１に接続されたゲート配線（不
図示）を同時に形成してもよい。
【００３５】（ｂ）ゲート電極２１上にゲート絶縁層２
３を積層する。例えば、プラズマＣＶＤ（Ｐ−ＣＶＤ）
法により、ＳｉＮｘ層を約３００ｎｍ積層し、ゲート絶
縁層とする。絶縁性を高めるために、ゲート電極２１を
陽極酸化し、第１のゲート絶縁層２２を形成し、ＣＶＤ
で堆積する絶縁層を第２の絶縁層としても良い。
３を積層する。例えば、プラズマＣＶＤ（Ｐ−ＣＶＤ）
法により、ＳｉＮｘ層を約３００ｎｍ積層し、ゲート絶
縁層とする。絶縁性を高めるために、ゲート電極２１を
陽極酸化し、第１のゲート絶縁層２２を形成し、ＣＶＤ
で堆積する絶縁層を第２の絶縁層としても良い。
【００３６】（ｃ）チャネル層２４を形成する。例え
ば、アモルファスＳｉ層２４をゲート絶縁層２３に連続
してＣＶＤ法により約１５０ｎｍ積層する。
ば、アモルファスＳｉ層２４をゲート絶縁層２３に連続
してＣＶＤ法により約１５０ｎｍ積層する。
【００３７】（ｄ）電極コンタクト層２５を形成する。
例えば、不純物（リン等）をドーピングしたアモルファ
スＳｉまたは微結晶Ｓｉを電極コンタクト層２５として
ｐ−ＣＶＤ法により約５０ｎｍ積層する。
例えば、不純物（リン等）をドーピングしたアモルファ
スＳｉまたは微結晶Ｓｉを電極コンタクト層２５として
ｐ−ＣＶＤ法により約５０ｎｍ積層する。
【００３８】（ｅ）電極コンタクト層２５と半導層２４
とをパターニングする。例えば、電極コンタクト層２５
と半導層２４とをＳｉ層で形成した場合、ＨＣｌとＳＦ
6混合ガスによるドライエッチング法等でパターニング
する。
とをパターニングする。例えば、電極コンタクト層２５
と半導層２４とをＳｉ層で形成した場合、ＨＣｌとＳＦ
6混合ガスによるドライエッチング法等でパターニング
する。
【００３９】（ｆ）ソース電極２６，２７及びドレイン
電極２８，２９と接続端子電極（図１中は不図示）を形
成する。例えば、スパッタリング法によりＩＴＯ層を約
１５０ｎｍ形成し、その後、Ａｌ、ＭｏやＴａ等を用い
て金属層を約３００ｎｍ堆積する。次に、ＩＴＯ層と金
属層とをそれぞれパターニングして、ソース電極２６
（ＩＴＯ層），２７（金属層）並びにドレイン電極２８
（ＩＴＯ層）、２９（金属層）を形成する。この時同時
に接続端子電極（図１中は不図示）を形成する。なお、
接続端子電極用のＩＴＯ層上の金属層は上記金属層のパ
ターニング工程において除去し、ＩＴＯ層が露出される
ようにする。
電極２８，２９と接続端子電極（図１中は不図示）を形
成する。例えば、スパッタリング法によりＩＴＯ層を約
１５０ｎｍ形成し、その後、Ａｌ、ＭｏやＴａ等を用い
て金属層を約３００ｎｍ堆積する。次に、ＩＴＯ層と金
属層とをそれぞれパターニングして、ソース電極２６
（ＩＴＯ層），２７（金属層）並びにドレイン電極２８
（ＩＴＯ層）、２９（金属層）を形成する。この時同時
に接続端子電極（図１中は不図示）を形成する。なお、
接続端子電極用のＩＴＯ層上の金属層は上記金属層のパ
ターニング工程において除去し、ＩＴＯ層が露出される
ようにする。
【００４０】（ｇ）樹脂層３０を形成する。樹脂層３０
は、ＴＦＴ４０を保護するとともに凹凸表面を有する反
射層を形成するための下地層として機能する。例えば、
感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂を露光及び現像した後
に熱処理を行なうことにより複数の凹凸部３１を形成す
る。
は、ＴＦＴ４０を保護するとともに凹凸表面を有する反
射層を形成するための下地層として機能する。例えば、
感光性樹脂を塗布し、感光性樹脂を露光及び現像した後
に熱処理を行なうことにより複数の凹凸部３１を形成す
る。
【００４１】（ｈ）Ａｌ層とＩＴＯ層との電食を防止す
るための保護層１１を形成する。例えば、Ｗ含有率が１
０ａｔ％（原子濃度）のＡｌ−Ｗ合金をスパッタリング
法により約１００ｎｍの膜厚で全面形成し、次いで反射
電極を形成するためのＡｌ層４をスパッタリング法によ
り約５０ｎｍの膜厚で形成する。
るための保護層１１を形成する。例えば、Ｗ含有率が１
０ａｔ％（原子濃度）のＡｌ−Ｗ合金をスパッタリング
法により約１００ｎｍの膜厚で全面形成し、次いで反射
電極を形成するためのＡｌ層４をスパッタリング法によ
り約５０ｎｍの膜厚で形成する。
【００４２】なお、この工程において、上記Ａｌ−Ｗ合
金の代わりに、Ｍｏ含有率が３０ａｔ％のＡｌ−Ｍｏ合
金をスパッタリング法により約１００ｎｍの膜厚で全面
に形成してもよい。
金の代わりに、Ｍｏ含有率が３０ａｔ％のＡｌ−Ｍｏ合
金をスパッタリング法により約１００ｎｍの膜厚で全面
に形成してもよい。
【００４３】（ｉ）Ａｌ層４及び保護層１１をパターニ
ングするためのエッチングマスクをレジストを用いて形
成する。レジストの現像は、例えば、ＴＭＡＨ２．４％
水溶液（テトラメチルアンモニウムオキサイド：東京応
化社製）を現像液として用いて行う。
ングするためのエッチングマスクをレジストを用いて形
成する。レジストの現像は、例えば、ＴＭＡＨ２．４％
水溶液（テトラメチルアンモニウムオキサイド：東京応
化社製）を現像液として用いて行う。
【００４４】（ｊ）Ａｌ層４及び保護層１１をパターニ
ングする。（ｉ）で得られたエッチングマスクを用い
て、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなるエッチング液で、
Ａｌ層４と、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金からな
る保護層１１とを同時にエッチングし、反射電極を形成
する。また、エッチング液として、ＨＦ＋ＨＮＯ3を用
いることができる。
ングする。（ｉ）で得られたエッチングマスクを用い
て、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなるエッチング液で、
Ａｌ層４と、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金からな
る保護層１１とを同時にエッチングし、反射電極を形成
する。また、エッチング液として、ＨＦ＋ＨＮＯ3を用
いることができる。
【００４５】上述のウェットエッチ法に代えて、Ａｌ層
４及び保護層１１のパターニングをドライエッチング法
を用いて行ってもよい。（ｉ）で得られたエッチングマ
スクを用いて、Ｃｌ2／Ｏ2からなるガスで、Ａｌ層４
と、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金からなる保護層
１１とを同時にエッチングし、反射電極を形成すること
ができる。
４及び保護層１１のパターニングをドライエッチング法
を用いて行ってもよい。（ｉ）で得られたエッチングマ
スクを用いて、Ｃｌ2／Ｏ2からなるガスで、Ａｌ層４
と、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金からなる保護層
１１とを同時にエッチングし、反射電極を形成すること
ができる。
【００４６】保護層１１をＡｌ−Ｗ合金を用いて形成す
る場合、Ａｌ−Ｗ合金のＷ含有率が１ａｔ％以上且つ２
０ａｔ％以下であることが好ましい。Ｗ含有率が１ａｔ
％未満であると、Ａｌ合金の粒子構造がＡｌと近くなる
ために保護層として十分機能しない場合がある。また、
Ｗ含有率が２０ａｔ％を越えると、Ａｌ層と同じエッチ
ャント（例えば、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなるエッ
チング液）でエッチングできなくなるので、Ａｌ層と保
護層１１とを同一工程でエッチングできなくなる。
る場合、Ａｌ−Ｗ合金のＷ含有率が１ａｔ％以上且つ２
０ａｔ％以下であることが好ましい。Ｗ含有率が１ａｔ
％未満であると、Ａｌ合金の粒子構造がＡｌと近くなる
ために保護層として十分機能しない場合がある。また、
Ｗ含有率が２０ａｔ％を越えると、Ａｌ層と同じエッチ
ャント（例えば、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水からなるエッ
チング液）でエッチングできなくなるので、Ａｌ層と保
護層１１とを同一工程でエッチングできなくなる。
【００４７】また、保護層１１をＡｌ−Ｍｏ合金を用い
て形成する場合、Ａｌ−Ｍｏ合金のＭｏ含有率が１ａｔ
％以上且つ６０ａｔ％以下であることが好ましい。Ｍｏ
含有率が１ａｔ％未満であると、Ａｌ合金の粒子構造が
Ａｌと近くなるために保護層として十分機能しない場合
がある。また、Ｍｏ含有率が６０ａｔ％を越えると、Ａ
ｌ合金の標準電極電位がＭｏに近くなり、Ａｌ層４と保
護層１１との間で電食が起こることがある。また、Ａｌ
層４のエッチャント（例えば、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水
からなるエッチング液）に対するエッチングレートがＭ
ｏに近くなるので、Ａｌ層４と保護層１１との積層膜の
テーパがオーバーハング状態になりやすく、制御が困難
になる。
て形成する場合、Ａｌ−Ｍｏ合金のＭｏ含有率が１ａｔ
％以上且つ６０ａｔ％以下であることが好ましい。Ｍｏ
含有率が１ａｔ％未満であると、Ａｌ合金の粒子構造が
Ａｌと近くなるために保護層として十分機能しない場合
がある。また、Ｍｏ含有率が６０ａｔ％を越えると、Ａ
ｌ合金の標準電極電位がＭｏに近くなり、Ａｌ層４と保
護層１１との間で電食が起こることがある。また、Ａｌ
層４のエッチャント（例えば、硝酸＋酢酸＋リン酸＋水
からなるエッチング液）に対するエッチングレートがＭ
ｏに近くなるので、Ａｌ層４と保護層１１との積層膜の
テーパがオーバーハング状態になりやすく、制御が困難
になる。
【００４８】上述の工程で、反射型のＴＦＴ基板が得ら
れる。
れる。
【００４９】本実施形態によるＴＦＴ基板の製造工程に
おける接続端子電極部の構成を図２を用いて説明する。
図２（ａ）はＴＦＴ基板の端子領域の部分断面図であ
り、図２（ｂ）は（ａ）の部分拡大図である。
おける接続端子電極部の構成を図２を用いて説明する。
図２（ａ）はＴＦＴ基板の端子領域の部分断面図であ
り、図２（ｂ）は（ａ）の部分拡大図である。
【００５０】上述したように本実施形態においては、保
護層１１としてＷ含有率が１０ａｔ％のＡｌ−Ｗ合金ま
たはＭｏ含有率が３０ａｔ％のＡｌ−Ｍｏ合金を用い
た。従って、Ａｌ層４とＩＴＯ層３が現像液６に同時に
接触することがないので、電食を防ぐことができる（図
２（ｂ））。さらに、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合
金からなる保護層１１とＡｌ層４とを、硝酸＋酢酸＋リ
ン酸＋水のエッチャントを用いたウェットエッチング法
やＣｌ2／Ｏ2からなるガスを用いたドライエッチング法
で、同時にエッチングすることができる。従って、保護
層１１を除去するための工程の増加を防止できる。ま
た、接続端子電極３のＩＴＯ層を断切れなく覆うため
に、Ａｌ−Ｗ合金層またはＡｌ−Ｍｏ合金層からなる保
護層１１の膜厚は約５０ｎｍとした。約５０〜３００ｎ
ｍの厚さのＩＴＯ層を段切れ無く覆うためには、保護層
１１の厚さは、約３０ｎｍ以上が好ましい。また、厚す
ぎるとＡｌ層４と保護層１１とを同時にエッチングする
際の処理時間が長くなりすぎるので、保護層１１の厚さ
は約１５０ｎｍ以下が好ましい。
護層１１としてＷ含有率が１０ａｔ％のＡｌ−Ｗ合金ま
たはＭｏ含有率が３０ａｔ％のＡｌ−Ｍｏ合金を用い
た。従って、Ａｌ層４とＩＴＯ層３が現像液６に同時に
接触することがないので、電食を防ぐことができる（図
２（ｂ））。さらに、Ａｌ−Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合
金からなる保護層１１とＡｌ層４とを、硝酸＋酢酸＋リ
ン酸＋水のエッチャントを用いたウェットエッチング法
やＣｌ2／Ｏ2からなるガスを用いたドライエッチング法
で、同時にエッチングすることができる。従って、保護
層１１を除去するための工程の増加を防止できる。ま
た、接続端子電極３のＩＴＯ層を断切れなく覆うため
に、Ａｌ−Ｗ合金層またはＡｌ−Ｍｏ合金層からなる保
護層１１の膜厚は約５０ｎｍとした。約５０〜３００ｎ
ｍの厚さのＩＴＯ層を段切れ無く覆うためには、保護層
１１の厚さは、約３０ｎｍ以上が好ましい。また、厚す
ぎるとＡｌ層４と保護層１１とを同時にエッチングする
際の処理時間が長くなりすぎるので、保護層１１の厚さ
は約１５０ｎｍ以下が好ましい。
【００５１】（実施形態２）図３及び図４を参照しなが
ら、実施形態２の反射透過両用型液晶表示装置のＴＦＴ
基板２００の製造方法説明する。実質的に同一の機能を
有する構成要素は、同一の参照符号で示し、詳細な説明
は省略する。
ら、実施形態２の反射透過両用型液晶表示装置のＴＦＴ
基板２００の製造方法説明する。実質的に同一の機能を
有する構成要素は、同一の参照符号で示し、詳細な説明
は省略する。
【００５２】反射透過両用型液晶表示装置のＴＦＴ基板
は、反射電極領域と、透過電極領域とを有している。本
実施形態においては、絵素電極がＡｌ層からなる反射絵
素電極３１とＩＴＯ層からなる透明電極３２で構成され
ている。
は、反射電極領域と、透過電極領域とを有している。本
実施形態においては、絵素電極がＡｌ層からなる反射絵
素電極３１とＩＴＯ層からなる透明電極３２で構成され
ている。
【００５３】このＴＦＴ基板２００の製造工程は、実施
形態１のＴＦＴ基板１００とほぼ同じであるが、上記工
程（ｆ）において、ソース電極２６及び２７、ドレイン
電極２８及び２９、接続端子電極を形成すると同時に透
明電極３２を形成する。また、保護層１１としてＡｌ−
Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金を用いたことにより、実施
形態１と同じ効果が得られる。
形態１のＴＦＴ基板１００とほぼ同じであるが、上記工
程（ｆ）において、ソース電極２６及び２７、ドレイン
電極２８及び２９、接続端子電極を形成すると同時に透
明電極３２を形成する。また、保護層１１としてＡｌ−
Ｗ合金またはＡｌ−Ｍｏ合金を用いたことにより、実施
形態１と同じ効果が得られる。
【００５４】なお、上記の実施形態では、感光性樹脂及
び絶縁体保護層の表面が凹凸形状を有する場合について
説明したが、これらの層の表面が平坦な場合であって
も、本願発明の効果が得られる。
び絶縁体保護層の表面が凹凸形状を有する場合について
説明したが、これらの層の表面が平坦な場合であって
も、本願発明の効果が得られる。
【００５５】
【発明の効果】上述したように、Ａｌ−Ｍｏ合金やＡｌ
−Ｗ合金などのＡｌ合金を保護層として用いることで、
反射層がＡｌ層で、接続端子電極及び／または透明電極
がＩＴＯ層でそれぞれ構成される場合において、Ａｌ層
とＩＴＯ層間の電食を防ぐことができ、ＡｌとＡｌ合金
（Ａｌ−Ｍｏ合金やＡｌ−Ｗ合金）とが現像液に同時に
接触した場合でも、実質的に電食は生じないので、反射
型液晶表示装置及び反射透過両用型液晶表示装置の製造
歩留まりを向上させることができる。
−Ｗ合金などのＡｌ合金を保護層として用いることで、
反射層がＡｌ層で、接続端子電極及び／または透明電極
がＩＴＯ層でそれぞれ構成される場合において、Ａｌ層
とＩＴＯ層間の電食を防ぐことができ、ＡｌとＡｌ合金
（Ａｌ−Ｍｏ合金やＡｌ−Ｗ合金）とが現像液に同時に
接触した場合でも、実質的に電食は生じないので、反射
型液晶表示装置及び反射透過両用型液晶表示装置の製造
歩留まりを向上させることができる。
【００５６】また、本願発明による保護層を用いれば反
射層／保護層は同一のエッチャント、例えば硝酸＋酢酸
＋リン酸＋水からなるエッチャントによって同時にエッ
チングされるので、プロセスの増加を防止できる。ま
た、反射層として機能するのはＡｌ層であるため反射型
液晶表示装置及び反射透過両用型液晶表示装置における
反射率、表示品位は低下しない。
射層／保護層は同一のエッチャント、例えば硝酸＋酢酸
＋リン酸＋水からなるエッチャントによって同時にエッ
チングされるので、プロセスの増加を防止できる。ま
た、反射層として機能するのはＡｌ層であるため反射型
液晶表示装置及び反射透過両用型液晶表示装置における
反射率、表示品位は低下しない。
【図１】本願発明による実施形態１のＴＦＴ基板の断面
図である。
図である。
【図２】本願発明による実施形態１のＴＦＴ基板の端子
領域示す図である。（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）
は（ａ）の部分拡大図である。
領域示す図である。（ａ）は部分断面図であり、（ｂ）
は（ａ）の部分拡大図である。
【図３】本願発明による実施形態２のＴＦＴ基板の断面
図である。
図である。
【図４】本願発明による実施形態２のＴＦＴ基板の上面
図である。
図である。
【図５】従来の液晶表示装置の上面図である。
【図６】Ａｌ層とＩＴＯ層との電食発生のメカニズムを
説明するための図である。
説明するための図である。
【図７】接続端子電極部における電食を防止する構成の
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
【図８】接続端子電極部における電食を防止する構成の
他の例を示す断面図である。
他の例を示す断面図である。
１ ガラス基板
２ バス配線
３ 接続端子電極（ＩＴＯ）
４ 反射層及び反射電極（Ａｌ）
５ フォトレジスト
６ （アルカリ系）現像液
７ 欠陥
７ａ ピンホール
７ｂ 活性領域
８ 腐食（電食）部分
９ 保護層（樹脂材料）
１０ 保護層（Ｍｏ）
１１ 保護層（Ａｌ−Ｗ合金）
２１ ゲート配線
２２ 陽極酸化層
２３ 絶縁層
２４ チャネル層
２５ 電極コンタクト層
２６ ソース電極（ＩＴＯ）
２７ ソース電極（Ｔａ）
２８ ドレイン電極（ＩＴＯ）
２９ ドレイン電極（Ｔａ）
３０ 感光性樹脂
３１ 反射電極の凹凸
３２ 透明電極部
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平３−246524（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−254824（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−179461（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−66417（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−254714（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G02F 1/1343
G02F 1/1345
G02F 1/1368
Claims (7)
- 【請求項１】 第１基板と、第２基板と、該第１基板と
該第２基板との間に挟持された液晶層と、該第１基板の
該液晶層側に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板
の該液晶層側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電
極のそれぞれと該対向電極とによって規定される複数の
絵素領域とを有し、 該第１基板が、該複数の絵素領域のそれぞれに形成され
た複数の反射層と、該複数の絵素電極のそれぞれに接続
された複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチン
グ素子に電圧を供給するための複数の配線と、該複数の
配線に電圧を供給するための複数の接続端子電極と、を
有する液晶表示装置の製造方法であって、 第１基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパターニ
ングすることによって、接続端子電極を形成する工程
と、 該接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ａｌ
合金層を形成する工程と、 該Ａｌ合金層上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ａｌ層
を形成する工程と、 該Ａｌ層と該Ａｌ合金層とをパターニングすることによ
って、該複数の反射層を形成する工程と、 該接続端子電極上の該Ａｌ合金層を除去して、該ＩＴＯ
層の表面を露出させる工程と、 を包含する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記液晶表示装置は、該複数の絵素領域
のそれぞれに形成された複数の透明電極を有し、 前記ＩＴＯ層をパターニングすることによって、該複数
の透明電極を形成する工程と、 前記Ａｌ層形成工程において、前記Ａｌ層は前記接続端
子電極部及び該透明電極を覆うように形成され、 前記ＩＴＯ層の表面を露出させる工程において、該透明
電極を覆う該Ａｌ合金層も除去され、該透明ＩＴＯ層の
表面が露出される、請求項１に記載の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項３】 前記Ａｌ合金層は、Ｍｏ含有率が１ａｔ
％以上且つ６０ａｔ％以下のＡｌ−Ｍｏ合金から形成さ
れ、前記反射層を形成する工程と前記ＩＴＯ層の表面を
露出させる工程とが同一工程である、請求項１または２
に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記Ａｌ合金層は、Ｗ含有率が１ａｔ％
以上且つ２０ａｔ％以下のＡｌ−Ｗ合金から形成され、
前記反射層を形成する工程と前記ＩＴＯ層の表面を露出
させる工程とが同一工程である、請求項１または２に記
載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記Ａｌ合金層の膜厚が３０ｎｍ以上且
つ１５０ｎｍ以下である、請求項１から４のいずれかに
記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 第１基板と、第２基板と、該第１基板と
該第２基板との間に挟持された液晶層と、該第１基板の
該液晶層側に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板
の該液晶層側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電
極のそれぞれと該対向電極とによって規定される複数の
絵素領域とを有し、 該第１基板が、該複数の絵素領域のそれぞれに形成され
た複数の反射層と、該複数の絵素電極のそれぞれに接続
された複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチン
グ素子に電圧を供給するための複数の配線と、該複数の
配線に電圧を供給するための複数の接続端子電極と、を
有する液晶表示装置の製造方法であって、 第１基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパターニ
ングすることによって、接続端子電極を形成する工程
と、 該接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ｗ含
有率が１０ａｔ％のＡｌ−Ｗ合金からなるＡｌ合金層を
形成する工程と、 該Ａｌ合金層上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ａｌ層
を形成する工程と、 該Ａｌ層と該Ａｌ合金層とをパターニングすることによ
って、該複数の反射層を形成する工程と、 該接続端子電極上の該Ａｌ合金層を除去して、該ＩＴＯ
層の表面を露出させる工程と、 を包含する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 第１基板と、第２基板と、該第１基板と
該第２基板との間に挟持された液晶層と、該第１基板の
該液晶層側に設けられた複数の絵素電極と、該第２基板
の該液晶層側に設けられた対向電極と、該複数の絵素電
極のそれぞれと該対向電極とによって規定される複数の
絵素領域とを有し、 該第１基板が、該複数の絵素領域のそれぞれに形成され
た複数の反射層と、該複数の絵素電極のそれぞれに接続
された複数のスイッチング素子と、該複数のスイッチン
グ素子に電圧を供給するための複数の配線と、該複数の
配線に電圧を供給するための複数の接続端子電極と、を
有する液晶表示装置の製造方法であって、 第１基板上にＩＴＯ層を形成し、該ＩＴＯ層をパターニ
ングすることによって、接続端子電極を形成する工程
と、 該接続端子電極上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ｍｏ
含有率が３０ａｔ％のＡｌ−Ｍｏ合金からなるＡｌ合金
層を形成する工程と、 該Ａｌ合金層上を含む該第１基板のほぼ全面に、Ａｌ層
を形成する工程と、 該Ａｌ層と該Ａｌ合金層とをパターニングすることによ
って、該複数の反射層を形成する工程と、 該接続端子電極上の該Ａｌ合金層を除去して、該ＩＴＯ
層の表面を露出させる工程と、 を包含する液晶表示装置の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP35680898A JP3509057B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35680898A JP3509057B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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|---|---|
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35680898A Expired - Fee Related JP3509057B2 (ja) | 1998-12-15 | 1998-12-15 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| JP4884864B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2012-02-29 | 三菱電機株式会社 | Ｔｆｔアレイ基板及びその製造方法、並びにこれを用いた表示装置 |
| JP5491947B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-05-14 | 株式会社神戸製鋼所 | 表示装置用Ａｌ合金膜 |
-
1998
- 1998-12-15 JP JP35680898A patent/JP3509057B2/ja not_active Expired - Fee Related
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